JPS636752U - - Google Patents

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JPS636752U
JPS636752U JP10155186U JP10155186U JPS636752U JP S636752 U JPS636752 U JP S636752U JP 10155186 U JP10155186 U JP 10155186U JP 10155186 U JP10155186 U JP 10155186U JP S636752 U JPS636752 U JP S636752U
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JP
Japan
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channel transistor
source
gate
drain
potential power
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JP10155186U
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例の回路図、第2図は
第1図の回路を半導体基板に形成した場合のレイ
アウト図、第3図は相補型MOS回路により構成
されるアナログ・スイツチの回路図、第4図は第
3図のアナログ・スイツチのオン抵抗の入力電圧
依存性を示す特性図である。 1……入力端子、2……出力端子、11……N
拡散層、12……P拡散層、13……コント
クト、14……アルミニウム配線、GP〜GP
……Pチヤネル型トランジスタのゲート、GN
〜GN……Nチヤネル型トランジスタのゲー
ト、QP〜QP……Pチヤネル型トランジス
タ、QN〜QN……Nチヤネル型トランジス
タ、RON……オン抵抗、VIN……入力電圧、
VOUT……出力電圧。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. Nチヤネル型トランジスタのソースとドレイン
    がそれぞれPチヤネル型トランジスタのソースと
    ドレインに接続され、前記Nチヤネル型トランジ
    スタのゲートが高電位側電源に接続され、前記P
    チヤネル型トランジスタのゲートが低電位側電源
    に接続されて構成されるアナログ・スイツチを複
    数個縦続接続して成る抵抗を含むことを特徴とす
    る半導体集積回路。
JP10155186U 1986-07-01 1986-07-01 Pending JPS636752U (ja)

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JP10155186U JPS636752U (ja) 1986-07-01 1986-07-01

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JPS636752U true JPS636752U (ja) 1988-01-18

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JP10155186U Pending JPS636752U (ja) 1986-07-01 1986-07-01

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