JPS6367775A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6367775A JPS6367775A JP61213147A JP21314786A JPS6367775A JP S6367775 A JPS6367775 A JP S6367775A JP 61213147 A JP61213147 A JP 61213147A JP 21314786 A JP21314786 A JP 21314786A JP S6367775 A JPS6367775 A JP S6367775A
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- JP
- Japan
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- region
- conductivity type
- semiconductor layer
- present
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、横形トランジスタに係カ、特に電流増幅率（
以後％ ｈＦＫと称す。）が高く、且つ、雑音特性の優
れた横形トランジスタに関するものである。
以後％ ｈＦＫと称す。）が高く、且つ、雑音特性の優
れた横形トランジスタに関するものである。
バイポーラ集積回路におけるＮＰＮ ）ランジスタとＰ
ＮＰ ）ランジスタの混用は、設計の自由度の増大、回
路構成の簡略化などの利点がある。一般には、横形ＰＮ
Ｐ ）ランジスタがよく知られている。横形ＰＮＰ ）
ランジスタは、通常、縦形ＮＰＮ）ランジスタのペース
拡散を利用して、第２図に、その概略断面を示すように
、エミッタ領域４とコレクタ領域５を同時に、形成する
ことにより、作られている。
ＮＰ ）ランジスタの混用は、設計の自由度の増大、回
路構成の簡略化などの利点がある。一般には、横形ＰＮ
Ｐ ）ランジスタがよく知られている。横形ＰＮＰ ）
ランジスタは、通常、縦形ＮＰＮ）ランジスタのペース
拡散を利用して、第２図に、その概略断面を示すように
、エミッタ領域４とコレクタ領域５を同時に、形成する
ことにより、作られている。
第２図に示す横形トランジスタではエミッタ領域４から
注入されたキャリアの大部分は、基板表面を伝導して、
コレクタ領域５に流れこむことになる。基板表面は、酸
化膜直下にあることから、酸化膜や熱処理工程中に生じ
た、熱歪層及び、不純物の偏在等によバ多くの界面準位
をとどめる。
注入されたキャリアの大部分は、基板表面を伝導して、
コレクタ領域５に流れこむことになる。基板表面は、酸
化膜直下にあることから、酸化膜や熱処理工程中に生じ
た、熱歪層及び、不純物の偏在等によバ多くの界面準位
をとどめる。
このような界面準位は、基板表面を伝導するキャリアに
対し、トラップや再放出及び再結合を促す。
対し、トラップや再放出及び再結合を促す。
前者によると、コレクタ電流のゆらぎを起こし、雑音特
性を劣化させ、後者によると、ベース電流を増大させて
、ｈＦＥの低下をきたす。また、装造工程で、この表面
の界面準位を制御することは困難であるため、雑音特性
や、ｈＦＥのバラツキを押えることは難しいという欠点
がある。
性を劣化させ、後者によると、ベース電流を増大させて
、ｈＦＥの低下をきたす。また、装造工程で、この表面
の界面準位を制御することは困難であるため、雑音特性
や、ｈＦＥのバラツキを押えることは難しいという欠点
がある。
本発明は、このような欠点を除くため、エミッタ領域か
ら、注入されたキャリアが基板表面を伝導せず、基板内
部を伝導するよりに、改良したものである。即ち、本発
明は、トランジスタの実効ベース幅が常に、バルク内で
規定される二うに形成されたエミッタ領域とコレクタ領
域を有する。
ら、注入されたキャリアが基板表面を伝導せず、基板内
部を伝導するよりに、改良したものである。即ち、本発
明は、トランジスタの実効ベース幅が常に、バルク内で
規定される二うに形成されたエミッタ領域とコレクタ領
域を有する。
以下に、不発明について、図面を参照して説明する。
第１図に、本発明による一実施例の横形ＰＮＰトランジ
スタの概略断面図である。第２図の従来例と同じ部分に
は、同じ番号を付しである。同、電極及び酸化膜の開孔
部は省略しである。
スタの概略断面図である。第２図の従来例と同じ部分に
は、同じ番号を付しである。同、電極及び酸化膜の開孔
部は省略しである。
本実施例は、エミッタ領域８とコレクタ領域９が横方向
に離間して、Ｎ型埋込層上に形成されている。またＮ型
エピタキシャル層表面には、エミッタ領域１０、コレク
タ領域１１がそれぞれエミッタ領域８、コレクタ領域９
の上部に接するように、横方向に離間して形成されてい
る。エミッタ領域８とコレクタ領域９の距離は、エミッ
タ領域１０とコレクタ領域１１の距離より短かくなって
いる。
に離間して、Ｎ型埋込層上に形成されている。またＮ型
エピタキシャル層表面には、エミッタ領域１０、コレク
タ領域１１がそれぞれエミッタ領域８、コレクタ領域９
の上部に接するように、横方向に離間して形成されてい
る。エミッタ領域８とコレクタ領域９の距離は、エミッ
タ領域１０とコレクタ領域１１の距離より短かくなって
いる。
以上説明したように本発明によれば、エミッタ領域から
注入されたキャリアは基板表面を伝導せず、基板内部を
伝導するため、基板表面に分布している界面準位の影響
を受けることがない。従って、従来の横形ＰＮＰ ）ラ
ンジスタと比較して高いｈＦＥを得ることができ、また
雑音特性も大幅に改善される。本発明は、従来プロセス
を何ら変更することなく実現できる。
注入されたキャリアは基板表面を伝導せず、基板内部を
伝導するため、基板表面に分布している界面準位の影響
を受けることがない。従って、従来の横形ＰＮＰ ）ラ
ンジスタと比較して高いｈＦＥを得ることができ、また
雑音特性も大幅に改善される。本発明は、従来プロセス
を何ら変更することなく実現できる。
伺、本発明は、上記実施例に限られることなく極性を換
えても本発明の範囲を逸脱するものではない。
えても本発明の範囲を逸脱するものではない。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を示す概略
断面図、第２図は、従来半導体装置の一例を示す概略断
面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｎ壓高濃度埋込領
域、３・・・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・Ｐｆｉエ
ミッタ領域、５・・・Ｐ型コレクタ領域、６・・・Ｎ型
ベース電極引き出し領域、７・・・シリコン酸化膜、８
・・・Ｐ型エミッタ領域、９・・・Ｐ型コレクタ領域、
１０・・・Ｐ型エミッタ領域、１１・・・Ｐ型コレクタ
禎域。 代理人 弁理士 内 原 晋 ’ ｆ”’Ｉ ：
’−；、＄ １ 図 第 ２ 図
断面図、第２図は、従来半導体装置の一例を示す概略断
面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｎ壓高濃度埋込領
域、３・・・Ｎ型エピタキシャル層、４・・・Ｐｆｉエ
ミッタ領域、５・・・Ｐ型コレクタ領域、６・・・Ｎ型
ベース電極引き出し領域、７・・・シリコン酸化膜、８
・・・Ｐ型エミッタ領域、９・・・Ｐ型コレクタ領域、
１０・・・Ｐ型エミッタ領域、１１・・・Ｐ型コレクタ
禎域。 代理人 弁理士 内 原 晋 ’ ｆ”’Ｉ ：
’−；、＄ １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板上に形成された逆導電型の半導体
層と、該半導体層と前記半導体基板との間に埋込まれた
前記逆導電型の第１の領域と、該第１の領域と前記半導
体層との間に埋込まれた前記一導電型の第２の領域と、
該第２の領域と横方向に離間して前記第１の領域と前記
半導体層との間に埋込まれた前記一導電型の第３の領域
と、前記半導体層表面に、前記第２の領域の上部に接す
るように形成された前記一導電型の第４の領域と、該第
４の領域と横方向に離間して、前記半導体表面に、前記
第３の領域の上部に接するように形成された前記一導電
型の第５の領域を有し、前記第２の領域と前記第３の領
域との距離が、前記第４の領域と前記第５の領域との距
離より短かいことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213147A JPS6367775A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213147A JPS6367775A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367775A true JPS6367775A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16634354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213147A Pending JPS6367775A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367775A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777376A (en) * | 1995-06-01 | 1998-07-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Pnp-type bipolar transistor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5186369A (ja) * | 1975-01-28 | 1976-07-28 | Sony Corp | |
| JPS577157A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-14 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP61213147A patent/JPS6367775A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5186369A (ja) * | 1975-01-28 | 1976-07-28 | Sony Corp | |
| JPS577157A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-14 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5777376A (en) * | 1995-06-01 | 1998-07-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Pnp-type bipolar transistor |
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