JPS6368656A - 樹脂組成物、及びその樹脂組成物で被覆・封止した半導体装置 - Google Patents
樹脂組成物、及びその樹脂組成物で被覆・封止した半導体装置Info
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- JPS6368656A JPS6368656A JP21164886A JP21164886A JPS6368656A JP S6368656 A JPS6368656 A JP S6368656A JP 21164886 A JP21164886 A JP 21164886A JP 21164886 A JP21164886 A JP 21164886A JP S6368656 A JPS6368656 A JP S6368656A
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- resin composition
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、硬化性にすぐれ、防食性のすぐれた樹脂組成
物、及びこの樹脂組成物で被覆、および／または封止し
てなる半導体装置に関する。
物、及びこの樹脂組成物で被覆、および／または封止し
てなる半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置の封止用樹脂組成物は、ノボラッ
ク型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ系組成物が
主流となっている０組成物系については、これまで素材
であるエポキシ化合物、フェノール樹脂の高純度化（例
えば、イオン性塩素の低減など）、低応力化、素子表面
への密着性。
ク型フェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ系組成物が
主流となっている０組成物系については、これまで素材
であるエポキシ化合物、フェノール樹脂の高純度化（例
えば、イオン性塩素の低減など）、低応力化、素子表面
への密着性。
接着性の向上が図られてきた。これらの対策により樹脂
封止型半導体装置の信頼性、特に、耐湿信頼性の改善は
著しく、その適用範囲も拡大の一途を辿っている。
封止型半導体装置の信頼性、特に、耐湿信頼性の改善は
著しく、その適用範囲も拡大の一途を辿っている。
しかし、樹脂封止型半導体装置は、セラミックス封止品
に比べて、未だ耐熱性、耐湿性の点で大きく遅れをとっ
ており、その適用製品も民生用途主体となっているのが
現状である。
に比べて、未だ耐熱性、耐湿性の点で大きく遅れをとっ
ており、その適用製品も民生用途主体となっているのが
現状である。
今後、更に産業用途９通信用途、宇宙産業用途などのよ
り高い信頼性が要求される分野に適用拡大を図るには、
より高性能の封止用樹脂組成物の開発が必須である。
り高い信頼性が要求される分野に適用拡大を図るには、
より高性能の封止用樹脂組成物の開発が必須である。
また、樹脂封止型半導体装置の封止手段としては、トラ
ンスファ（移送）成形方式が主流となっている。この方
式では生産工程の短縮は限界に近づきつつあり、新たな
方式、例えば、射出成形。
ンスファ（移送）成形方式が主流となっている。この方
式では生産工程の短縮は限界に近づきつつあり、新たな
方式、例えば、射出成形。
注型方式、ボッティング方式などの見直しの時期にさし
かかりつつあり、これに対応する速硬化性でしかも、高
性能の樹脂組成物のニーズも増大しつつある。
かかりつつあり、これに対応する速硬化性でしかも、高
性能の樹脂組成物のニーズも増大しつつある。
上記従来技術は、硬化性と耐湿信頼性とのバランス化を
考えた手段については考慮が十分なされてきたとは云え
ず、今後の樹脂組成物による被覆および／または封止型
半導体装置の展開を考えた場合には問題がある。
考えた手段については考慮が十分なされてきたとは云え
ず、今後の樹脂組成物による被覆および／または封止型
半導体装置の展開を考えた場合には問題がある。
本発明の目的は、硬化性にすぐれ、防食性にすぐれた樹
脂組成物、及びこの樹脂組成物で被覆。
脂組成物、及びこの樹脂組成物で被覆。
および／または封止した高性能の樹脂被覆・封止型半導
体装置を提供することにある。
体装置を提供することにある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
上記目的は、以下の項目を採り上げることにより達成さ
れる。その要旨は、 １、少なくとも、一般式、 〔式中、又は−○Ｈ，−ＳＨ，−ＮＨ２゜の中のいずれ
かである。〕で表わされるイミダゾール系化合物を含む
ことを特徴とする樹脂組成物。
れる。その要旨は、 １、少なくとも、一般式、 〔式中、又は−○Ｈ，−ＳＨ，−ＮＨ２゜の中のいずれ
かである。〕で表わされるイミダゾール系化合物を含む
ことを特徴とする樹脂組成物。
２、少なくとも、一般式、
〔式中、Ｘは−○Ｈ，−ＳＨ，−ＮＨ，。
目
の中のいずれかである。〕で表わされるイミダゾール系
化合物と、多官能エポキシ化合物とを、含むことを特徴
とする樹脂組成物。
化合物と、多官能エポキシ化合物とを、含むことを特徴
とする樹脂組成物。
３、イミダゾール系化合物が、
であることを特徴とする樹脂組成物。
４、少なくとも、一般式、
〔式中、又は−〇Ｈ，−ＳＨ，−ＮＨ２゜−ＮＨ，、←
Ｃ＞、−Ｑ←○Ｈの中のいずれかで観 の中のいずれかである。〕で表わされるイミダゾール系
化合物と、多官能エポキシ化合物とを含む樹脂組成物で
、少なくとも半導体素子あるいは素子の一部を被覆およ
び／または封止成形してなることを特徴とする半導体装
置。
Ｃ＞、−Ｑ←○Ｈの中のいずれかで観 の中のいずれかである。〕で表わされるイミダゾール系
化合物と、多官能エポキシ化合物とを含む樹脂組成物で
、少なくとも半導体素子あるいは素子の一部を被覆およ
び／または封止成形してなることを特徴とする半導体装
置。
本発明において、一般式、
〔式中、又は−〇Ｈ，−ＳＨ，−ＮＨ，。
−ｃ ＯＯＨ、ｕｙ Ｃ式中、ｙはＨ，ＯＨ。
−ＮＨ，、く〕、 −く＝〉ト○Ｈの中のいずれかでの
中のいずれかである。〕で表わされるイミダゾール系化
合物とは、例えば、 ＯＨ ＣＨ，＝ＣＨＣＨ，＝ＣＨ イミダゾール シイミダゾールなどがある。
中のいずれかである。〕で表わされるイミダゾール系化
合物とは、例えば、 ＯＨ ＣＨ，＝ＣＨＣＨ，＝ＣＨ イミダゾール シイミダゾールなどがある。
これら化合物は目的と用途に応じて一種類以上併用して
用いることもできる。
用いることもできる。
本発明で、多官能エポキシ化合物は、例えば、ビスフェ
ノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジエンジエボキ
サイド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−（３
，４−エポキシ）、シクロヘキサンカルボキシレート、
ビニルシクロヘキサンジオキシド、４．４’−ジ（１，
２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、４．４’−
（１，２−エポキシエチル）ビフェニル、２，２−ビス
（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、レゾル
シンのジグリシジルエーテル、フロログルシンのジグリ
シジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシジル
エーテル、ビス−（２゜３−エポキシシクロベンチル）
−エーテル、２−（３，４エポキシ）シクロヘキサン−
５，５−スピロ（３，４エポキシ）シクロヘキサン−ｍ
−ジオキサン、ビス−（３，４エポキシ−６−メチルシ
クロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレン
ビス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジ
カルボジイミドなどの三官能のエポキシ化合物、 バラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、フェ
ノール・ホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジル
エーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリ
メチロールプロパンのトリグリシジルエーテルなどの三
官能以上のエポキシ化合物が用いられる。用途、目的に
応じて、二種以上併用して使用することも出来る。
ノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジエンジエボキ
サイド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−（３
，４−エポキシ）、シクロヘキサンカルボキシレート、
ビニルシクロヘキサンジオキシド、４．４’−ジ（１，
２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、４．４’−
（１，２−エポキシエチル）ビフェニル、２，２−ビス
（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、レゾル
シンのジグリシジルエーテル、フロログルシンのジグリ
シジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシジル
エーテル、ビス−（２゜３−エポキシシクロベンチル）
−エーテル、２−（３，４エポキシ）シクロヘキサン−
５，５−スピロ（３，４エポキシ）シクロヘキサン−ｍ
−ジオキサン、ビス−（３，４エポキシ−６−メチルシ
クロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレン
ビス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジ
カルボジイミドなどの三官能のエポキシ化合物、 バラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、フェ
ノール・ホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジル
エーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリ
メチロールプロパンのトリグリシジルエーテルなどの三
官能以上のエポキシ化合物が用いられる。用途、目的に
応じて、二種以上併用して使用することも出来る。
また、次式
％式％
で表わされるトリス（ヒドロキシフェニル）メタンベー
スのエポキシ化合物は耐熱性、電気特性改善効果が大き
く有用である。
スのエポキシ化合物は耐熱性、電気特性改善効果が大き
く有用である。
本発明の樹脂組成物には、エポキシ樹脂の硬化剤を併用
することができる。それらは、垣内弘著：エポキシ樹脂
（昭和４９年９月発行）１０９〜１４９ページ、Ｌｅｅ
、Ｎｅｖｉｌｌｅ著： ［：ｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ（
Ｍｅ Ｇｒａｖ−Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎｙ
Ｉｎｃ ： Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ。
することができる。それらは、垣内弘著：エポキシ樹脂
（昭和４９年９月発行）１０９〜１４９ページ、Ｌｅｅ
、Ｎｅｖｉｌｌｅ著： ［：ｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ（
Ｍｅ Ｇｒａｖ−Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎｙ
Ｉｎｃ ： Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ。
１９５７年発行）６３〜１４１ページ、Ｐ、Ｅ。
Ｂｒｕｎｉｓ著：Ｅｐｏｘｙ Ｒｅ５ｉｎｓ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ（ＩｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓ
ｈｓｒｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、 １９６８年発行）４５
〜１１１ページなどに記載の化合物であり、例えば。
ｎｏｌｏｇｙ（ＩｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓ
ｈｓｒｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、 １９６８年発行）４５
〜１１１ページなどに記載の化合物であり、例えば。
脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第二および第三
アミンを含むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水
物類、脂肪族および芳香族ポリアミドオリゴマーおよび
ポリマー類、三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス類
、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタ
ン樹脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアン
ジアミド。
アミンを含むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水
物類、脂肪族および芳香族ポリアミドオリゴマーおよび
ポリマー類、三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス類
、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタ
ン樹脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアン
ジアミド。
カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類などが
ある。
ある。
これら硬化剤は、用途、目的に応じて一種類以上使用す
ることが出来る。
ることが出来る。
特に、フェノールノボラック樹脂は、硬化樹脂の金属イ
ンサートに対する密着性、形成時の作業性などの点から
、半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適である。
ンサートに対する密着性、形成時の作業性などの点から
、半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適である。
該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラック型フェ
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。
このような触媒には１例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペタンジア
ミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジ
アミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、ジメチル
アミノエタノール。
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペタンジア
ミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジ
アミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、ジメチル
アミノエタノール。
ジメチルアミノペタノールなどのオキシアルキルアミン
やトリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ−メ
チルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリンなどのアミン類
がある。
やトリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ−メ
チルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリンなどのアミン類
がある。
また、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド。
ルトリメチルアンモニウムクロライド。
ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド。
トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、ベンジル
ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジ
ルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、アリルド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルジ
メチルステアリルアンモニウムブロマイド、ステアリル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラデシルアンモニウムアセテートなどの第四級アン
モニウム塩がある。
ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジ
ルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、アリルド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルジ
メチルステアリルアンモニウムブロマイド、ステアリル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラデシルアンモニウムアセテートなどの第四級アン
モニウム塩がある。
また、２−エチルイミダゾール、２−ウンデシルイダゾ
ール、２−ヘプタデシルイミダゾール。
ール、２−ヘプタデシルイミダゾール。
２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブチルイミ
ダゾール、１−プロピル−２−エチルイミダゾール、１
−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−シアノエチ
ル−２−エチルイミダゾール。
ダゾール、１−プロピル−２−エチルイミダゾール、１
−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−シアノエチ
ル−２−エチルイミダゾール。
１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール。
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール。
１−アジン−２−エチルイミダゾール、１−アジン−２
−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリ
ブエニルホスフインテトラフェニルボレート、テトラフ
ェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリエチ
ルアミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリ
ンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−エチルイ
ミダゾールテトラフェニルボレート、２−エチル−１，
４−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレートなど
のテトラフェニルボロン塩などがある。
−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリ
ブエニルホスフインテトラフェニルボレート、テトラフ
ェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリエチ
ルアミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリ
ンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−エチルイ
ミダゾールテトラフェニルボレート、２−エチル−１，
４−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレートなど
のテトラフェニルボロン塩などがある。
本発明の樹脂組成物には、その用途、目的に応じて、適
宜、各種の添加剤を加えて用いることが出来る。
宜、各種の添加剤を加えて用いることが出来る。
例えば、塗料、接着剤、含浸ワニス、プリプレグなどの
作成の際には、メチルアルコール、エチルアルコール、
イソ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなど
のアルコール類、アセトン。
作成の際には、メチルアルコール、エチルアルコール、
イソ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなど
のアルコール類、アセトン。
メチルアルコールなどのケトン類、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブなどのセロゾルブ類、ベンゼン、トル
エン、キシレンなどの石油系溶剤類、ジメチルスルホオ
キシド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドンなどの極性溶剤などを溶剤として用いることが出
来る。また。
エチルセロソルブなどのセロゾルブ類、ベンゼン、トル
エン、キシレンなどの石油系溶剤類、ジメチルスルホオ
キシド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドンなどの極性溶剤などを溶剤として用いることが出
来る。また。
成形材料などの用途には、炭酸カルシウム、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム。
ルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム。
ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、
ガラス、タルク、マイカ、黒鉛、アルミニウム粉、銅粉
、鉄粉、銀粉などの粉末や、ガラス。
ガラス、タルク、マイカ、黒鉛、アルミニウム粉、銅粉
、鉄粉、銀粉などの粉末や、ガラス。
ビニロン、ステンレスなどの短繊維状充填剤、脂肪酸及
びワックス類などの離型剤、エポキシシラン、アミノシ
ラン、ビニルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシ
ラン、ボラン系化合物、アルキルチタネート系化合物、
Ａｆｆ、Ｚｒなどのアルスレーナ、及びキレート化合物
などのカップリング剤、そして、アンチモンやリンの化
合物及びハロゲン含有化合物のような難燃化剤を加える
ことができる。
びワックス類などの離型剤、エポキシシラン、アミノシ
ラン、ビニルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシ
ラン、ボラン系化合物、アルキルチタネート系化合物、
Ａｆｆ、Ｚｒなどのアルスレーナ、及びキレート化合物
などのカップリング剤、そして、アンチモンやリンの化
合物及びハロゲン含有化合物のような難燃化剤を加える
ことができる。
〈実施例１〉
次式
で表わされる共重合体（平均分子量約４５００）を、Ｎ
−メチルピロリドンとトルエンの等量混合溶媒に溶解し
て０．５重量％溶液を調整した。
−メチルピロリドンとトルエンの等量混合溶媒に溶解し
て０．５重量％溶液を調整した。
樹脂溶液を多層配線絶縁膜として用いた場合の素子構造
を第１図、第２図に示した。
を第１図、第２図に示した。
素子の構成は、Ｓｉ素子基板上に、Ｓｉｎ、絶縁層、更
に第１層目のアルミニウム配線２１を形成した後に、樹
脂溶液を塗布（スピンナー使用）、焼付け（２３０℃、
６０分間）３１したのち、ポジレジストを塗布して、ス
ルホールのパターニングを行なった。そのあと、ＣＦ、
−０，を反応ガスとして、プラズマエッチした０次いで
ｏ２ を反応ガスとするプラズマアッシャ−によってポ
ジレジストを除去した０次いで、第２層目のアルミニウ
ム配線２２を形成したのち、さらに樹脂溶液を塗布、焼
付け（前述の条件と同じ）した、（３−■層）、なお、
第２図は、第二層の皮覆層樹脂としてポリイミド系樹脂
（日立化成社：ＰＩＱ）を用いた場合（４）を示した。
に第１層目のアルミニウム配線２１を形成した後に、樹
脂溶液を塗布（スピンナー使用）、焼付け（２３０℃、
６０分間）３１したのち、ポジレジストを塗布して、ス
ルホールのパターニングを行なった。そのあと、ＣＦ、
−０，を反応ガスとして、プラズマエッチした０次いで
ｏ２ を反応ガスとするプラズマアッシャ−によってポ
ジレジストを除去した０次いで、第２層目のアルミニウ
ム配線２２を形成したのち、さらに樹脂溶液を塗布、焼
付け（前述の条件と同じ）した、（３−■層）、なお、
第２図は、第二層の皮覆層樹脂としてポリイミド系樹脂
（日立化成社：ＰＩＱ）を用いた場合（４）を示した。
本発明の半導体装置を、エポキシ系樹脂組成物でレジン
封止したＬＳＩ製品（ＩＭビットメモリ（Ｄ−ＲＡＭ）
ＬＳＩ）は、１２１℃、二気圧過飽和水蒸気中（ＰＣＴ
）に２５００時間放置後も、Ａｆｌ配線の腐食による断
線故障もなく、耐湿信頼性にすぐれていた。また、ＬＳ
Ｉのソフトエラー率は、５ｏフイツトで、耐α線強度に
もすぐれていた。
封止したＬＳＩ製品（ＩＭビットメモリ（Ｄ−ＲＡＭ）
ＬＳＩ）は、１２１℃、二気圧過飽和水蒸気中（ＰＣＴ
）に２５００時間放置後も、Ａｆｌ配線の腐食による断
線故障もなく、耐湿信頼性にすぐれていた。また、ＬＳ
Ｉのソフトエラー率は、５ｏフイツトで、耐α線強度に
もすぐれていた。
〈実施例２〜６、比較例〉
多官能エポキシ化合物として、ノボラック型フェノール
樹脂のポリグリシジルエーテルＥＯＣＮ−１０２Ｓ（日
本化薬社製、エポキシ当量、２１１．軟化点６６．４℃
）、 レゾルシン変性ノボラック型フェノール樹脂のポリグリ
シジルエーテル（油化シェルエポキシ社製、エポキシ当
量、１８１、軟化点６０’Ｃ）。
樹脂のポリグリシジルエーテルＥＯＣＮ−１０２Ｓ（日
本化薬社製、エポキシ当量、２１１．軟化点６６．４℃
）、 レゾルシン変性ノボラック型フェノール樹脂のポリグリ
シジルエーテル（油化シェルエポキシ社製、エポキシ当
量、１８１、軟化点６０’Ｃ）。
次式
％式％
で表わされるＹＬ−９３１（油化シェルエポキシ社製、
エポキシ当量、１９６、軟化点８８℃）次式 ％式％ で表わされるＲＥ−２（油化シェルエポキシ社製、エポ
キシ当量、１９５、軟化点８１℃）ジシクロペンタジェ
ン・フェノリックポリマのポリグリシジルエーテルＤＣ
Ｅ−４００（山陽国ＨａＣ 策バルブ社製、エポキシ当量、３１０、軟化点５５−８
０℃、数平均分子量８００〜１，５００）また、イミダ
ゾール系化合物として、次式で表わされるイミダゾール
・ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体を、第１表に記した
所定配合割合に配合した。これらの配合物には、硬化促
進剤として、トリエチルアミンテトラフェニルボレート
２．５重量部、カップリング剤としてエポキシシランＫ
ＢＭ３０３ （信越化学社製）２．０重量部、離型剤と
して、ステアリン酸カルシウム１．０重量部とアルナバ
ワックス１．０重量部、難燃材としてイミドコート赤リ
ン４．０重量部、充填剤として、球状シリカ粉を８０重
量％、着色剤としてカーボンブラック２．０重量部を添
加した。
エポキシ当量、１９６、軟化点８８℃）次式 ％式％ で表わされるＲＥ−２（油化シェルエポキシ社製、エポ
キシ当量、１９５、軟化点８１℃）ジシクロペンタジェ
ン・フェノリックポリマのポリグリシジルエーテルＤＣ
Ｅ−４００（山陽国ＨａＣ 策バルブ社製、エポキシ当量、３１０、軟化点５５−８
０℃、数平均分子量８００〜１，５００）また、イミダ
ゾール系化合物として、次式で表わされるイミダゾール
・ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体を、第１表に記した
所定配合割合に配合した。これらの配合物には、硬化促
進剤として、トリエチルアミンテトラフェニルボレート
２．５重量部、カップリング剤としてエポキシシランＫ
ＢＭ３０３ （信越化学社製）２．０重量部、離型剤と
して、ステアリン酸カルシウム１．０重量部とアルナバ
ワックス１．０重量部、難燃材としてイミドコート赤リ
ン４．０重量部、充填剤として、球状シリカ粉を８０重
量％、着色剤としてカーボンブラック２．０重量部を添
加した。
この配合物は、７０〜８５℃で十分量加熱混練された後
、冷却粗粉砕してＬＳＩ封止用樹脂組成物となる。
、冷却粗粉砕してＬＳＩ封止用樹脂組成物となる。
次いで、封止用樹脂組成物を用いて、ＩＭビットＤ−Ｒ
ＡＭメモリＬＳＩをそれぞれ５０ケ、１８０”Ｃ１，５
分、７０ｋｇｆ／Ｊ（７）条件テトランスファ成型して
、樹脂封止型メモリＬＳＩを得た。
ＡＭメモリＬＳＩをそれぞれ５０ケ、１８０”Ｃ１，５
分、７０ｋｇｆ／Ｊ（７）条件テトランスファ成型して
、樹脂封止型メモリＬＳＩを得た。
樹脂封止型メモリＬＳＩは、ＰＣＴ釜中に所定時間放置
された後、取り出し、電気的動作が正常か否かをチェッ
クした。結果を第１表に示した。
された後、取り出し、電気的動作が正常か否かをチェッ
クした。結果を第１表に示した。
第１図、第２図は本発明の一実施例の素子構造図である
。 ２１・・・アルミニウム配線。 （・
。 ２１・・・アルミニウム配線。 （・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも、一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ＿２、−ＣＯＯＨ
、▲数式、化学式、表等があります▼（式中ｙはＨ、Ｏ
Ｈ、 −ＮＨ＿２、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼の中のいずれかである。 ）、 ▲数式、化学式、表等があります▼ の中のいずれかである。〕で表わされるイミダゾール系
化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物。 ２、少なくとも、一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ＿２、−ＣＯＯＨ
、▲数式、化学式、表等があります▼（式中、ｙはＨ、
ＯＨ、−ＮＨ＿２、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼の中のいずれかで
ある。）、 ▲数式、化学式、表等があります▼ の中のいずれかである。〕で表わされるイミダゾール系
化合物と、多官能エポキシ化合物とを、含むことを特徴
とする樹脂組成物。 ３、イミダゾール系化合物が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の樹
脂組成物。 ４、少なくとも、一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ＿２、−ＣＯＯＨ
、▲数式、化学式、表等があります▼（式中、ｙはＨ、
ＯＨ、−ＮＨ＿２、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼の中のいずれかで
ある。） ▲数式、化学式、表等があります▼ の中のいずれかである。〕で表わされるイミダゾール系
化合物と、多官能エポキシ化合物とを、含む樹脂組成物
で、少なくとも半導体素子あるいは素子の一部を被覆お
よび／または封止成形したことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21164886A JPS6368656A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 樹脂組成物、及びその樹脂組成物で被覆・封止した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21164886A JPS6368656A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 樹脂組成物、及びその樹脂組成物で被覆・封止した半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6368656A true JPS6368656A (ja) | 1988-03-28 |
Family
ID=16609268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21164886A Pending JPS6368656A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | 樹脂組成物、及びその樹脂組成物で被覆・封止した半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6368656A (ja) |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP21164886A patent/JPS6368656A/ja active Pending
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