JPS637159U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS637159U JPS637159U JP10100986U JP10100986U JPS637159U JP S637159 U JPS637159 U JP S637159U JP 10100986 U JP10100986 U JP 10100986U JP 10100986 U JP10100986 U JP 10100986U JP S637159 U JPS637159 U JP S637159U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion plating
- gas
- evaporation source
- source crucible
- plating apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案の装置を適用したイオンプレー
テイング装置全体の模式断面図であり、第２図は
本考案の第１実施例の要部拡大平面図である。第
３図は本考案のガス導入用管の断面及びガス吹き
出し口を説明する図である。第４図は本考案の第
２実施例の要部拡大平面図である。第５図は従来
のイオンプレーテイング装置の模式断面図である
。 １……真空槽、２……基板（被成膜体）、３…
…支持台、４……高周波励起用コイル、５……蒸
発源るつぼ、６……ガス吹き出し部（ガス導入装
置）、８……ガス吹き出し口、９……ガス吹き出
し部（ガス導入装置）。
テイング装置全体の模式断面図であり、第２図は
本考案の第１実施例の要部拡大平面図である。第
３図は本考案のガス導入用管の断面及びガス吹き
出し口を説明する図である。第４図は本考案の第
２実施例の要部拡大平面図である。第５図は従来
のイオンプレーテイング装置の模式断面図である
。 １……真空槽、２……基板（被成膜体）、３…
…支持台、４……高周波励起用コイル、５……蒸
発源るつぼ、６……ガス吹き出し部（ガス導入装
置）、８……ガス吹き出し口、９……ガス吹き出
し部（ガス導入装置）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空槽と、 該真空槽内に設けられた蒸発源るつぼと、該真
空槽内で該蒸発源るつぼに対向する位置に設けら
れ、被成膜体を保持する支持台と、 該真空槽へガスを供給するためのガス導入管と
を有するイオンプレーテイング装置において、 該ガス導入管は複数のガス吹き出し口を有し、
該複数のガス吹き出し口は、該蒸発源るつぼの中
心及び該支持台から略等距離に配置されているこ
とを特徴とするイオンプレーテイング装置。 (2) 上記複数のガス吹き出し口は、略等間隔に
配置されている実用新案登録請求の範囲第１項記
載のイオンプレーテイング装置。 (3) 上記複数のガス吹き出し口は、上記蒸発源
るつぼから蒸発する膜構成成分の蒸発方向に交わ
る方向へガスを吹き出すような位置に設けられて
いる実用新案登録請求の範囲第１項記載のイオン
プレーテイング装置。 (4) 上記複数のガス吹き出し口は、上記蒸発源
るつぼの上方に配置されている実用新案登録請求
の範囲第１項記載のイオンプレーテイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100986U JPS637159U (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100986U JPS637159U (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS637159U true JPS637159U (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=30971358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10100986U Pending JPS637159U (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS637159U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324057A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-01 | Kawasaki Steel Corp | ドライプレ−テイング装置 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP10100986U patent/JPS637159U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324057A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-01 | Kawasaki Steel Corp | ドライプレ−テイング装置 |
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