JPS6375700A - Ｘ線マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＬＳＩなどの半導体装置を製造するときに使用
するＸ線マスク、特にそのＸ線透過性メンブレンに関す
る。

〔従来の技術〕

Ｘ線マスクのメンブレンは、厚みを６μｍ程度と極めて
薄くして位置合わせのための光学的透明度を保持するが
、この薄さであって、しかも回路パターンを形成するた
めのＸ４１吸収体を支持するのに十分な強度を保持する
必要がある。具体的には、メンブレンの内部応力が圧縮
応力であると、メンブレンが縮んでしわを生ずるので、
適当な値の引張応力、すなわち０．５〜１．　ＯＸ　１
０９ｄｙｎｅ／ｃｍ！を有することが必要である。

従来、Ｘ線マスクのメンブレン材料として開発された典
型的なものとして、例えば非晶質の水素化：窒化ほう素
は光学的透明度が十分でなく、かつ内部応力が圧縮応力
となってしわを生じ易く、強度を保つために厚くすると
、不透明になる欠点がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

Ｘ線マスクのメンブレン材料は光学的透明度が十分でな
く、かつ内部応力が適当な引張応力を有しないことが問
題点である。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、炭素濃度が１〜１０原子％である非晶質
の水素化：窒化炭化ほう素で形成したＸ線透過性メンブ
レンを有することを特徴とするＸ線マスクによって解決
することができる。

炭素濃度が１原子％より少ないと、第１図に示すように
、メンブレンの内部応力が圧縮応力となって、しわを生
じ、かつ光学的透明度が低下する。

炭素量が１０原子％より大きいと、有機物質のポリマー
に近似して、メンブレンが塑性変形して、０２７路パタ
ーンを形成するＸ線吸収体の位置ずれが生じ易くなる。

〔実施例〕

Ｘ線マスクは、第２図に示すように、シリコン基板１０
周辺部にアルミナリング２を接着して、このリングと反
対側の基板面に、たとえばプラズマＣＶＤによって、非
晶質の水素化：窒化炭化ほう素の薄膜を形成してメンブ
レン３とした後、リング２によって囲まれる領域のシリ
コン１を除去して、メンブレン３がリング２によって周
囲から引張られた状態とし、その上に回路パターンを形
成するためのＸ′ｆｊＡ吸収体４を形成する。

プラズマＣＶＤの条件として、供給ガスはそれぞれアル
ゴンで希釈した濃度４重量％Ｂ２Ｈ＆、４重量％Ｎ　Ｈ
：ｌ　、１０重量％ＣＨ，を、ＮＨ３：Ｂ２Ｈ６の比を
１．５とし、ＮＨ３＋Ｂｚ　Ｈｂの流量を１２ＳＣＣＩ
Ｉ１％　ＣＨ４の流量をｌＯ１０５ｃとして、これに周
波数１３．５６ＭＨｚ、放電密度０．２Ｗ／ｃｍ２の高
周波を印加してプラズマ化し、４５０　”Ｃに加熱した
シリコン基板に非晶質の水素化：窒化炭化ほう素を７５
０人／ｍｉｎの成膜速度で沈着させた。得られたメンブ
レンは厚みが６μｍ１組成が、原子％で、８４４％、Ｎ
３１％、０５％、１１２０％であり、その内部応力は８
　Ｘ　１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ”の引張応力を示し、光学
的透明度も良好であった。

〔発明の効果〕

本発明のＸ線マスクのメンブレンはしわを生ずることが
なく、光学的透明度が十分であって、しかもＸ線吸収体
のパターンを長期的に安定して保持することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は非晶質の水素化：窒化炭化ほう素膜の炭素濃度
と内部応力との関係を示すグラフであり、第２図はＸ線
マスクの断面図である。 １・・・基板、　　　　　２・・・リング、３・・・メ
ンブレン、　４・・・Ｘ線吸収体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素濃度が１〜１０原子％である非晶質の水素化：
   窒化炭化ほう素で形成したＸ線透過性メンブレンを有す
   ることを特徴とするＸ線マスク。