JPS6375853A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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Publication number
JPS6375853A
JPS6375853A JP61220283A JP22028386A JPS6375853A JP S6375853 A JPS6375853 A JP S6375853A JP 61220283 A JP61220283 A JP 61220283A JP 22028386 A JP22028386 A JP 22028386A JP S6375853 A JPS6375853 A JP S6375853A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gates
memory element
signal
inputted
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61220283A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriaki Maekawa
前川 則昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Communication Equipment Co Ltd
Original Assignee
Toyo Communication Equipment Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Communication Equipment Co Ltd filed Critical Toyo Communication Equipment Co Ltd
Priority to JP61220283A priority Critical patent/JPS6375853A/ja
Publication of JPS6375853A publication Critical patent/JPS6375853A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はメモリ装置に関するものである。
[従来の技術] 従来において、同−記・n容量で同一形状の読出し専用
メモリ素子(ROM)と読み書き両用メモリ素子(1”
(AM)とを基板の同一実装場所で入れ替えて使用する
メモリRuffがある。
このようなメモリ装置においては、実際に実装されたメ
モリ素子の入出力端子配列に応じてアドレスバスやf−
タバスとの接続関係を規定の状態に切替える必要がある
そこで、例えば256にビットの記・n容量のROMま
たはRAMのいずれを実装しても使用できるものでは、
第2図の従来回路構成に示すように、当該メモリ素子I
A、1Bに人出力されるデータ信号DO〜D7.メモリ
ライト信号MWROアドレス信号AO〜A14のうち、
上位アドレス信号A14とメモリライト信号MWROに
ついて1A、1BをROMにしたときとRAMにしたと
きとでスイッチSW1〜SW4で切替えるようにしてい
る。
すなわち、1AにROMを実装した場合はスイッチSW
3とSW4を図示のように切替えるようにしている。
[発明が解決しようとする問題点] ところが、メモリ素子の入出力を手動で切替えるように
しているため、その切替え設定操作が面倒であり、切替
え設定を忘れてしまった場合には予期せぬ事故が発生し
てしまうという問題があった。
本発明の目的は、入出力関係の切替え設定を自動的に行
い、不測の事故が発生するのを防止できるようにしたメ
モリ装置を提供することにある。
E問題点を解決するための手段J 本発明は、データの読み書きアドレス範囲を切替え設定
し、各読み書きアドレス範囲で任意のデータの読み出き
を行って正常な読み書き動作が行なわれたか否かによっ
て現在実装されているメモリ素子の種類を判定する判定
手段と、その判定結果に基づいて実装されているメモリ
素子の入出力を規定状態に切替接続するり行手段とを設
けたものである。
[作用] 判定手段は、メモリ素子の実装後アドレス信号で指定し
得るアドレス範囲の中の任意のアドレス範囲を設定し、
このアドレス範囲で任意のデータの読み出きを行う。そ
して、書込んだデータと読出しデータが一致すればRA
Mであると判定し、そのメモリ素子の入出力信号線を規
定の入出力関係に切替え接続させる。しかし、書込んだ
データと読出したデータとが不一致の場合にはROMで
あるものと判定し、規定の入出力関係に切替え接続させ
る。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例を示す回路図であり、256
にビットのROMまたはRAMを入れ替えて使用する場
合の回路について示している。
図において、メモリ素子、1は電源が投入された段階で
はROMであるのか、RAMであるのかは不明である。
そこで、このメモリ素子1をアクセスするプロセッサ2
はフリップノロツブ3にセット信号5ETIを送り、該
フリップフロップ3をセット状態にする。
フリップフロップ3のセット出力Qは、上位アドレス信
号A14とA13の切替え接続ゲート4.5のナントゲ
ートG1に共通に入力され、また反転セット出力は他方
のナントゲートG2に共通に入力されていいる。そして
、切替え接続ゲート4のナントゲートG1の他方の入力
にはアドレス信号A14が、またナントゲートG2の他
方の入力にはパ1”が入力されている。さらに、切替え
接続ゲート5のナントゲートG1の他方の入力にはメモ
リライト信号M W ROが、またナントゲートG2の
他方の入力にはアドレス信号A14が入力されている。
そしてまた、切替え接続ゲート3のナントゲートG1.
G2の出力は負論理オアゲートG3を介してメモリ素子
1のの入出力端子Xに接続され、一方の切替え接続ゲー
ト5のナントゲートG1.G2の出力も同球に負論理オ
アゲートG3を介してメモリ素子1の入力端子Yに接続
されている。
従って、入力端子XをRAMのアドレス信号A14の入
力端子、Yをメモリライト信f”;MWROの入力端子
とすると、フリップノロツブ3がセット状態になると、
メモリ素子1の入力端子X、 YにはA14とMWRO
を入力し得る状態になる。そこで、プロセッサ2は25
6にビットより小さい任意のアドレス範囲をアドレス信
eA14〜AOで設定し、そのアドレス範囲で任意のデ
ータの書込みを行う。その後、同じアドレス範囲でデー
タの読出しを行い、前にm込んだデータと一致するか否
かを検出する。もし、一致するならばデータの読み♂き
の両方が正常に行なわれたことになるので、この時実装
されているメモリ素子1はRAMであるものと判定し、
フリップフロップ3をセット状態のままに保持させてそ
の後のアクセスを行う。
しかし、店込んだデータと読出したデータとが不一致の
場合、このとき実装されているメモリ素子1はROMで
あるものと判定し、フリップフロップ3をリセット状態
に切替える。すると、メモリ素子1の入力端子Xには切
替え接続ゲート4のナントゲートG2およびオアゲート
G3を介して111 IIが入力され、また入力端子Y
には切替え接続ゲート5のナントゲートG 2 ;J3
よびオアゲートG3を介してアドレス信¥3iA14が
入力されてROMとして使用可能な状態になる。
なお、図中の6はアドレス信@A14より上位側のアド
レス信号A15. A16をデコードし、これらの信号
の組合せによってメモリ素子1に対してチップイネーブ
ル信号CE1を与えるデコーダであり、これはプロセッ
サ2のアドレスバスADR・BUSが16ビツトで構成
されているので、メモリ素子1以外のメモリ素子をも選
択できるようにするために設けられているものである。
なお、この実施例において切替え接続はゲート回路素子
を用いて行っているが、外部側υ0が可能なリレー接点
等を用いてもよい。
[発明の効果] 以上説明したように本光明によれば、実装されたメモリ
素子の種類を自動的に判定して規定の入出力関係に切替
え接続するため、メモリ素子を入れ替えた際に手動の切
替え操作を行う必要がなくなり、その切替え操作ミス等
による不測の事故を完全に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
構成を示す回路図である。 1・・・メモリ素子、2・・・プロセッサ、3・・・フ
リップフロップ、4.5・・・切替え接続ゲート。 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  同一記憶容量で同一形状の読出し専用メモリ素子と読
    み書き両用メモリ素子とを基板の同一実装場所で入替え
    て使用するメモリ装置において、データの読み書きアド
    レス範囲を切替え設定し、各読み書きアドレス範囲で任
    意のデータの読み書きを行つて正常な読み書き動作が行
    なわれたか否かによつて現在実装されているメモリ素子
    の種類を判定する判定手段と、その判定結果に基づいて
    実装されているメモリ素子の入出力を規定状態に切替接
    続する切替手段とを備えて成るメモリ装置。
JP61220283A 1986-09-18 1986-09-18 メモリ装置 Pending JPS6375853A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61220283A JPS6375853A (ja) 1986-09-18 1986-09-18 メモリ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61220283A JPS6375853A (ja) 1986-09-18 1986-09-18 メモリ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6375853A true JPS6375853A (ja) 1988-04-06

Family

ID=16748743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61220283A Pending JPS6375853A (ja) 1986-09-18 1986-09-18 メモリ装置

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JP (1) JPS6375853A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5465047A (en) * 1991-12-06 1995-11-07 Nikkiso Co., Ltd. Electron spin resonator having variable resonance frequency and error detecting automatic frequency control

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58125125A (ja) * 1982-01-21 1983-07-26 Toshiba Corp プログラムの起動方法
JPS59177778A (ja) * 1983-03-28 1984-10-08 Chino Works Ltd 電子装置
JPS60197993A (ja) * 1984-03-21 1985-10-07 Toshiba Corp メモリ内容読み取り装置

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