JPS6376404A - 磁性半導体球状微粒子の製造方法 - Google Patents
磁性半導体球状微粒子の製造方法Info
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- JPS6376404A JPS6376404A JP61219242A JP21924286A JPS6376404A JP S6376404 A JPS6376404 A JP S6376404A JP 61219242 A JP61219242 A JP 61219242A JP 21924286 A JP21924286 A JP 21924286A JP S6376404 A JPS6376404 A JP S6376404A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は磁性半導体球状微粒子とその製造方法に関する
。
。
〔従来の技術とその問題点コ
従来、磁性微粒子としてはフェライトが存在する。しか
し、フェライトは粒形が球状ではなく。
し、フェライトは粒形が球状ではなく。
棒状であるか、またはバリュームフェライトのようにフ
レーク状であり、磁性体として異方性を持っている。こ
のため、テープやディスクなどの基材上にフェライトを
付着して磁気記録媒体を形成する際、異方性を考慮して
フェライトを基材上に配列させることは困難なことから
基材上に被着するフェライトの磁気異方性がまちまちの
方向となり。
レーク状であり、磁性体として異方性を持っている。こ
のため、テープやディスクなどの基材上にフェライトを
付着して磁気記録媒体を形成する際、異方性を考慮して
フェライトを基材上に配列させることは困難なことから
基材上に被着するフェライトの磁気異方性がまちまちの
方向となり。
良好な磁気特性が得られない問題点があった。
また、従来ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔ、１ｏｎ）等でエピタキシャル成長させ
る材料のガス源には材料が単一成分のガス源を使用し、
化合物半導体を形成する場合にも各成長成分毎のガス源
を用意しなければならず、装置および製造プロセスが複
雑化する問題点があった。
Ｄｅｐｏｓｉｔ、１ｏｎ）等でエピタキシャル成長させ
る材料のガス源には材料が単一成分のガス源を使用し、
化合物半導体を形成する場合にも各成長成分毎のガス源
を用意しなければならず、装置および製造プロセスが複
雑化する問題点があった。
そこで本発明は、磁気異方性が無く基材上に被着して良
好な磁気特性の磁気記録媒体が得られると共に、 ＣＶ
Ｄ用原料としてフェライト成分とセラミック成分の化合
物成分ガスの発生が可能な磁性半導体球状微粒子とその
製造方法を提供することを目的とする。
好な磁気特性の磁気記録媒体が得られると共に、 ＣＶ
Ｄ用原料としてフェライト成分とセラミック成分の化合
物成分ガスの発生が可能な磁性半導体球状微粒子とその
製造方法を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明はセラミック微粒子の表面にフェライト結晶を被
着した粒子単位のフェライト・セラミック複合粒子を造
り、これを加熱溶融して高速にて水や冷却板等の冷却材
に溶射することにより１粒子単位で均質な固溶体の磁性
半導体球状微粒子を得るようにしたものである。
着した粒子単位のフェライト・セラミック複合粒子を造
り、これを加熱溶融して高速にて水や冷却板等の冷却材
に溶射することにより１粒子単位で均質な固溶体の磁性
半導体球状微粒子を得るようにしたものである。
［作用コ
フェライト・セラミック複合粒子を加熱溶融することに
より、フェライト成分とセラミック成分の均質な固溶体
が得られ、更にこれを水や冷却板等に高速溶射すること
により、アモルファス状の磁性半導体球状微粒子が得ら
れ、垂直記録用磁性体として、また、フェライト・セラ
ミック化合物ＣＶＤ用原料として有用な新素材が得られ
る。
より、フェライト成分とセラミック成分の均質な固溶体
が得られ、更にこれを水や冷却板等に高速溶射すること
により、アモルファス状の磁性半導体球状微粒子が得ら
れ、垂直記録用磁性体として、また、フェライト・セラ
ミック化合物ＣＶＤ用原料として有用な新素材が得られ
る。
［実施例コ
フェライト・セラミック複合粒子は１本願発明者が先に
発明し出願したが、その製造方法は以下の通りである。
発明し出願したが、その製造方法は以下の通りである。
まず、塩化第２鉄水溶液（濃度５〜３５％）を入れた容
器中に、磁場を形成するため１強い磁力を持った磁石を
１個または複数個を入れ、更に多数の鉄片（粒状の場合
は粒度０．１〜４ ｍ ）を入れ、流動撹拌してから該
水溶液をろ過して錯塩水溶液を得る。
器中に、磁場を形成するため１強い磁力を持った磁石を
１個または複数個を入れ、更に多数の鉄片（粒状の場合
は粒度０．１〜４ ｍ ）を入れ、流動撹拌してから該
水溶液をろ過して錯塩水溶液を得る。
この場合、塩化第２鉄水溶液は容器中において。
磁気を持った鉄片と接触することによって、電解イオン
交換によるマルチ電池反応し陰極と陽極が多数発生して
水素イオンＨ＋が陰極で水素ガス１１２として放出され
陰イオン、陽イオンが安定した錯塩水溶液となっている
。
交換によるマルチ電池反応し陰極と陽極が多数発生して
水素イオンＨ＋が陰極で水素ガス１１２として放出され
陰イオン、陽イオンが安定した錯塩水溶液となっている
。
次に、予めセラミック微粒子として粒度分布が０．０５
μ〜数１００μ好ましくは０．０５μ〜２０μの粒度分
布のジルコン微粒子を混入した塩化第２鉄水溶液（濃度
５〜３５％）に前記錯塩水溶液を全体の約３０％〜５０
％の割合いで混合し、充分に撹拌し複合水溶液とする。
μ〜数１００μ好ましくは０．０５μ〜２０μの粒度分
布のジルコン微粒子を混入した塩化第２鉄水溶液（濃度
５〜３５％）に前記錯塩水溶液を全体の約３０％〜５０
％の割合いで混合し、充分に撹拌し複合水溶液とする。
この複合水溶液は酸性であり、ＣＱ−を持ったものであ
る。
る。
このセラミック微粒子を複数混入した複合水溶液に苛性
ソーダ水溶液（濃度３０％）を混入することにより、前
記ＣＱ−はＮａ＋に結びつき、塩（ＮａＣＱ ）となり
、凝集過程においてフェライト（Ｆｅ ｓ ０４ ）は
黒茶色で、セラミック微粒子表面にほぼ均等に結晶生成
して被着しフェライト・セラミック複合粒子を形成する
。また、塩（ＮａＣＱ ）は水に溶けた状態となる。
ソーダ水溶液（濃度３０％）を混入することにより、前
記ＣＱ−はＮａ＋に結びつき、塩（ＮａＣＱ ）となり
、凝集過程においてフェライト（Ｆｅ ｓ ０４ ）は
黒茶色で、セラミック微粒子表面にほぼ均等に結晶生成
して被着しフェライト・セラミック複合粒子を形成する
。また、塩（ＮａＣＱ ）は水に溶けた状態となる。
この状態でフェライト・セラミック複合粒子を沈澱させ
て上ずみを捨てたもの、または遠心分離して水を分離し
たものに水を加えて塩（ＮａＣＱ ）をうすめて洗い流
して取り去り、しかる後、フェライト・セラミック複合
粒子に残留する水分を分離。
て上ずみを捨てたもの、または遠心分離して水を分離し
たものに水を加えて塩（ＮａＣＱ ）をうすめて洗い流
して取り去り、しかる後、フェライト・セラミック複合
粒子に残留する水分を分離。
乾燥処理して純度の高いフェライトを均等に被着したセ
ラミック体即ちフェライト・セラミック複合粒子を得る
。
ラミック体即ちフェライト・セラミック複合粒子を得る
。
このようにして製造されたフェライト・セラミック複合
粒子は、セラミック体１微粒子単位でフェライト（Ｆｅ
３０４）が均等に被着され′たもので、セラミック体
微粒子の粒度が０．０５μ〜２０μの場合は、粒度（分
布）が約０．１μ〜２５μである。
粒子は、セラミック体１微粒子単位でフェライト（Ｆｅ
３０４）が均等に被着され′たもので、セラミック体
微粒子の粒度が０．０５μ〜２０μの場合は、粒度（分
布）が約０．１μ〜２５μである。
このフェライト・セラミック複合粒子はフェライトがセ
ラミック体微粒子表面に強力に結合被着し、機械的摩擦
、衝撃等によっても分離しにくい。
ラミック体微粒子表面に強力に結合被着し、機械的摩擦
、衝撃等によっても分離しにくい。
上記の場合、フェライト成分として塩化第２鉄を用いた
ものについて説明したが、これに限定されるものでなく
、塩化第２鉄と一緒に塩化第２ニッケル、塩化コバルト
、塩化バリューム、塩化チタン等の金属または半金属塩
化物を複合添加しても良い。
ものについて説明したが、これに限定されるものでなく
、塩化第２鉄と一緒に塩化第２ニッケル、塩化コバルト
、塩化バリューム、塩化チタン等の金属または半金属塩
化物を複合添加しても良い。
例えば、セラミック微粒子表面にフェライト・ニッケル
を被着させたい場合は、上述の塩化第２鉄水溶液の代り
に塩化第２鉄と塩化第２ニッケルの複合水溶液を用いれ
ばよい。
を被着させたい場合は、上述の塩化第２鉄水溶液の代り
に塩化第２鉄と塩化第２ニッケルの複合水溶液を用いれ
ばよい。
また、セラミック微粒子としてジルコン（ＺｒＳｉＯａ
）を用いたものについて説明したが、これに限定され
るものではなく、ジルコニア（Ｚｒ０２ ）、２酸化け
い素（５１０２）、アルナミ（ＡＱ２０ｓ）、酸化コバ
ルト、酸化チタン、酸化バリューム、酸化はう素等の金
属または半金属の酸化物微粒子または窒化けい素等の窒
化物微粒子またはカーボンまたは炭化けい素等の炭化物
微粒子等の非金属類との化合物質およびそれら各種の複
金物微粒子を用いても良い。
）を用いたものについて説明したが、これに限定され
るものではなく、ジルコニア（Ｚｒ０２ ）、２酸化け
い素（５１０２）、アルナミ（ＡＱ２０ｓ）、酸化コバ
ルト、酸化チタン、酸化バリューム、酸化はう素等の金
属または半金属の酸化物微粒子または窒化けい素等の窒
化物微粒子またはカーボンまたは炭化けい素等の炭化物
微粒子等の非金属類との化合物質およびそれら各種の複
金物微粒子を用いても良い。
次に、このようにして得られたフェライト・セラミック
複合粒子の粉体（平均粒度０．６μ）をプラズマ溶射装
置にて高温還元溶融する。このとき、フェライトとセラ
ミックは同じ温度で同時に溶融し、フェライト成分とセ
ラミック成分が均質に混合結合した状態となる。これを
高速（約３０ｍ／５ｅｃ）にて、水又は冷却板に衝突さ
せて急冷することにより、フェライト成分とセラミック
成分が結合したアモルファス状の磁性半導体球状微粒子
が得られる。
複合粒子の粉体（平均粒度０．６μ）をプラズマ溶射装
置にて高温還元溶融する。このとき、フェライトとセラ
ミックは同じ温度で同時に溶融し、フェライト成分とセ
ラミック成分が均質に混合結合した状態となる。これを
高速（約３０ｍ／５ｅｃ）にて、水又は冷却板に衝突さ
せて急冷することにより、フェライト成分とセラミック
成分が結合したアモルファス状の磁性半導体球状微粒子
が得られる。
このようにして得られた磁性半導体球状微粒子は、フェ
ライト成分（Ｆｅ ｓ Ｏａ ）とセラミック成分（Ｚ
ｒＱ ２又はＺｒ５ｉ０４ ）とが良好に固溶したもの
であるから、耐熱性、高確度で強磁性をもつものである
。しかも、この磁性半導体球状微粒子はフェライト成分
とセラミック成分とが均質に固溶して、アモルファス状
態の半導体微粒子となったものである。従って、記録用
磁性材として優れた磁気特性を発揮すると共に、有機物
バインダー等の混合において、球状微粒子であるので、
混合比を高めることができる。このことは磁気記録媒体
製造時における製造プロセスを容易にし、均質にして特
性の良い製品が得られることを意味する。
ライト成分（Ｆｅ ｓ Ｏａ ）とセラミック成分（Ｚ
ｒＱ ２又はＺｒ５ｉ０４ ）とが良好に固溶したもの
であるから、耐熱性、高確度で強磁性をもつものである
。しかも、この磁性半導体球状微粒子はフェライト成分
とセラミック成分とが均質に固溶して、アモルファス状
態の半導体微粒子となったものである。従って、記録用
磁性材として優れた磁気特性を発揮すると共に、有機物
バインダー等の混合において、球状微粒子であるので、
混合比を高めることができる。このことは磁気記録媒体
製造時における製造プロセスを容易にし、均質にして特
性の良い製品が得られることを意味する。
また、セラミック・フェライトの半導体装置等を製造す
る場合に、 ＣＶＯの原料素材として、多成分同時蒸着
が可能となる。即ち、現在のＣｖＤにおいては単−成分
毎のガスしか発生できないが１本発明による磁性半導体
微粒子をＣＶＤ用原料として用いれば、多成分であるセ
ラミック・フェライト成分ガスの発生が可能となり、多
成分同時蒸着によるセラミック・フェライトの単結晶エ
ピタキシャル成長が、所望の成分比で形成できるように
なるゆ［発明の効果コ 以上のように本発明によれば、特に記録用磁性材料およ
び半導体形成用材料として、従来にない優れた機能、特
性を発揮する磁性半導体微粒子が得られる。
る場合に、 ＣＶＯの原料素材として、多成分同時蒸着
が可能となる。即ち、現在のＣｖＤにおいては単−成分
毎のガスしか発生できないが１本発明による磁性半導体
微粒子をＣＶＤ用原料として用いれば、多成分であるセ
ラミック・フェライト成分ガスの発生が可能となり、多
成分同時蒸着によるセラミック・フェライトの単結晶エ
ピタキシャル成長が、所望の成分比で形成できるように
なるゆ［発明の効果コ 以上のように本発明によれば、特に記録用磁性材料およ
び半導体形成用材料として、従来にない優れた機能、特
性を発揮する磁性半導体微粒子が得られる。
Claims (2)
- （１）セラミック成分とフェライト成分が均質に固溶し
球状微粒子状に形成されて成ることを特徴とする磁性半
導体球状微粒子。 - （２）セラミック微粒子の表面にフェライトの結晶を被
着したフェライト・セラミック複合粒子より成る粉末を
高温加熱溶融し、冷却材に高速溶射することにより急冷
して固溶状態の球状微粒子を形成することを特徴とする
磁性半導体球状微粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219242A JPS6376404A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁性半導体球状微粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219242A JPS6376404A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁性半導体球状微粒子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376404A true JPS6376404A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH0530284B2 JPH0530284B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=16732442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219242A Granted JPS6376404A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 磁性半導体球状微粒子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376404A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102186372B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2020-12-03 | (주)전진티티에스 | 고속 초정밀 콜렛척 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52151897A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic semiconductor and its manufactruring method |
| JPS6077129A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | Toshiba Corp | バリウムフエライト磁性粉 |
| JPS6110210A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録用フエライト磁性粉 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219242A patent/JPS6376404A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52151897A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic semiconductor and its manufactruring method |
| JPS6077129A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | Toshiba Corp | バリウムフエライト磁性粉 |
| JPS6110210A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録用フエライト磁性粉 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102186372B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2020-12-03 | (주)전진티티에스 | 고속 초정밀 콜렛척 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0530284B2 (ja) | 1993-05-07 |
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