JPS6380532A - X線リソグラフイ装置 - Google Patents
X線リソグラフイ装置Info
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- JPS6380532A JPS6380532A JP61223799A JP22379986A JPS6380532A JP S6380532 A JPS6380532 A JP S6380532A JP 61223799 A JP61223799 A JP 61223799A JP 22379986 A JP22379986 A JP 22379986A JP S6380532 A JPS6380532 A JP S6380532A
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- ring
- room
- synchrotron
- radiation
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、XwAマスク上の微細パターンヲ軟X線照
射により放射線感応材料に転写するX線リソグラフィに
おいて、軟X線としてシンクロトロン放射光を用いるX
線リソグラフィ装置に関するものである。
射により放射線感応材料に転写するX線リソグラフィに
おいて、軟X線としてシンクロトロン放射光を用いるX
線リソグラフィ装置に関するものである。
シンクロトロン放射光(以下SOR光と記す)を用いて
パターン転写を行うX線リソグラフィ装置として、従来
第二図に示すようなシンクロトロンリング(1)から発
生するSOR光によっていた。このSOR光はビームダ
クトL2) KよりX線露光装置(3)に導入される。
パターン転写を行うX線リソグラフィ装置として、従来
第二図に示すようなシンクロトロンリング(1)から発
生するSOR光によっていた。このSOR光はビームダ
クトL2) KよりX線露光装置(3)に導入される。
(ダ)は電磁石である。
以上の構成により、半導体基板をなすSi ウェハにパ
ターン転写を行う場合、X線露光装置(3)にS1ウエ
ハを装着し、SOR光により露光する。よく知られてい
るように、S1ウエハは、パターンの微細化に伴い、S
iウェハ上の塵埃等が極端に問題とされ、露光作業中に
も塵埃がS1クエハに付着し9゜ ないよう環境が整備され、例えばスハクリーンルーム内
で露光がなされている。
ターン転写を行う場合、X線露光装置(3)にS1ウエ
ハを装着し、SOR光により露光する。よく知られてい
るように、S1ウエハは、パターンの微細化に伴い、S
iウェハ上の塵埃等が極端に問題とされ、露光作業中に
も塵埃がS1クエハに付着し9゜ ないよう環境が整備され、例えばスハクリーンルーム内
で露光がなされている。
〔発明が解決しようとする問題点1
以上のような従来のX線リソグラフィ装置は、シンクロ
トロンリング(1)とX線露光装置(3)が同一環境の
部屋に設置されていたため、シンクロトロンリングを形
成する大型電磁石や真空ポンプ、真空ダクト等からの発
塵が多く、かつ、との発塵を防止できないため、xi!
il!露光時、S1ウエハ上に微細な塵埃が付着し、パ
ターン転写不良の原因の一つとなるという問題点があっ
た。また、シンクロトロンからは人体等に有害な量の放
射線が漏れていて、同一室内でパターン転写作業を行う
ことには局部シールド等の設置がなされていたが、不特
定多数の人を対象とするリン・グラフィ作業には安全上
問題があった。
トロンリング(1)とX線露光装置(3)が同一環境の
部屋に設置されていたため、シンクロトロンリングを形
成する大型電磁石や真空ポンプ、真空ダクト等からの発
塵が多く、かつ、との発塵を防止できないため、xi!
il!露光時、S1ウエハ上に微細な塵埃が付着し、パ
ターン転写不良の原因の一つとなるという問題点があっ
た。また、シンクロトロンからは人体等に有害な量の放
射線が漏れていて、同一室内でパターン転写作業を行う
ことには局部シールド等の設置がなされていたが、不特
定多数の人を対象とするリン・グラフィ作業には安全上
問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、シンクロトロンリング部分力らの発塵を防ぐ
ことができるX線リソグラフィ装置を得ることを目的と
する。
たもので、シンクロトロンリング部分力らの発塵を防ぐ
ことができるX線リソグラフィ装置を得ることを目的と
する。
この発明に係るX線リソグラフィ装置は、シンクロトロ
ン放射光発生装置とX線露光装置が、互いに別部屋に設
置されている。
ン放射光発生装置とX線露光装置が、互いに別部屋に設
置されている。
この発明においては、シンクロトロン放射光発生装置の
部屋とX線露光装置の部屋のそれぞれの環境管理を、区
別して行うことができる。
部屋とX線露光装置の部屋のそれぞれの環境管理を、区
別して行うことができる。
第1図はこの発明の一実施例を示し、図において、シン
クロトロンリング(1)は仕切り(S)によって仕切ら
れた塵埃発生などに関し配慮しなくてもよいリングルー
ム(6)内に設置されている。X線蕗光装f(3)はリ
ングルーム(6)と仕切り(3)によって仕切られたク
リーンルーム(7)に設置されている。ビームダクト(
,2)は仕切り(j)に設けたダクト穴(t)を通って
シンクロトロンリング(1)よりX線露光装置(3)に
連結している。仕切り(5)は、コンクリートなどでな
る放射線シールド壁になっている。
クロトロンリング(1)は仕切り(S)によって仕切ら
れた塵埃発生などに関し配慮しなくてもよいリングルー
ム(6)内に設置されている。X線蕗光装f(3)はリ
ングルーム(6)と仕切り(3)によって仕切られたク
リーンルーム(7)に設置されている。ビームダクト(
,2)は仕切り(j)に設けたダクト穴(t)を通って
シンクロトロンリング(1)よりX線露光装置(3)に
連結している。仕切り(5)は、コンクリートなどでな
る放射線シールド壁になっている。
なお、クリーンルーム(7)をクリーン化するのに必要
な諸設備については図示を省略している。
な諸設備については図示を省略している。
以上の構成により、X線マスク上の微細パターンをSO
R光により半導体回路基板であるS1ウエハ上に転写す
るX線す゛/ダグ9フ作業を行うとき、SOR光を発生
するリングルーム(6)とX線露光装置(3)を設置し
たクリーンルーム(7)を仕切りf&)で仕切り、シン
クロトロンリング(1)を形成する大型の電磁石や真空
ポンプ、ダクト等からの発塵による微細な塵埃゛がX線
露光時のS1ウエハ上に付着することを防ぐ。
R光により半導体回路基板であるS1ウエハ上に転写す
るX線す゛/ダグ9フ作業を行うとき、SOR光を発生
するリングルーム(6)とX線露光装置(3)を設置し
たクリーンルーム(7)を仕切りf&)で仕切り、シン
クロトロンリング(1)を形成する大型の電磁石や真空
ポンプ、ダクト等からの発塵による微細な塵埃゛がX線
露光時のS1ウエハ上に付着することを防ぐ。
リングルーム(6)は通常の環境、雰囲気のものとし、
クリーンルーム(7)は半導体集積度に応じた、例えば
、クラス/Q00とか100級の部屋とする。
クリーンルーム(7)は半導体集積度に応じた、例えば
、クラス/Q00とか100級の部屋とする。
また、放射線シールド壁でなる仕切り(!r)により、
シンクロトロンより発生する人体に有害な各種放射線が
半導体リソグラフィ作業者に悪影響を及ぼすことがない
。
シンクロトロンより発生する人体に有害な各種放射線が
半導体リソグラフィ作業者に悪影響を及ぼすことがない
。
以上のように、この発明によれば、シンクロトロン放射
光発生装置とX線沼光装置を別々の部屋に設置し、これ
らの部屋の環境管理を区別したので、放射線感応材料で
あるS1ウエハへの微細な塵埃の付着を防止できる効果
がある。
光発生装置とX線沼光装置を別々の部屋に設置し、これ
らの部屋の環境管理を区別したので、放射線感応材料で
あるS1ウエハへの微細な塵埃の付着を防止できる効果
がある。
また、部屋相互を放射線シールド壁で仕切ることにより
、リソグラフィ作業者に対する放射線の悪影響をなくし
て安全に作業を行うことができる効果もある。
、リソグラフィ作業者に対する放射線の悪影響をなくし
て安全に作業を行うことができる効果もある。
第7図はこの発明の一実施例の概略平断面図、第二図は
従来のX線り2グラフイ装置の概略平断面図である。 (1)Φ・シンクロトロンリング、(2)・Φビームダ
クト、(3)・・X線露光装置、(左)・・仕切り、(
6)・魯リングルーム(シンクロトロン放射光発生装置
の部屋)、(7)・・クリーンルーム(X線露光装置の
部屋)、(g)・・ダクト穴。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 3−X線露光表1 5−−一仕切り
従来のX線り2グラフイ装置の概略平断面図である。 (1)Φ・シンクロトロンリング、(2)・Φビームダ
クト、(3)・・X線露光装置、(左)・・仕切り、(
6)・魯リングルーム(シンクロトロン放射光発生装置
の部屋)、(7)・・クリーンルーム(X線露光装置の
部屋)、(g)・・ダクト穴。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 3−X線露光表1 5−−一仕切り
Claims (3)
- (1)シンクロトロン放射光を用いてX線マスク上のパ
ターンを前記X線マスク後方に配置した放射線感応材料
に転写するX線リソグラフィ装置において、仕切りによ
つて互いに仕切られた各別の部屋にそれぞれ設置された
シンクロトロン放射光発生装置とX線露光装置とを備え
てなることを特徴とするX線リソグラフィ装置。 - (2)シンクロトロン放射光発生装置の部屋は通常の環
境とし、X線露光装置の部屋はクリーンルームとした特
許請求の範囲第1項記載のX線リソグラフィ装置。 - (3)部屋間の仕切りを放射線シールド壁とした特許請
求の範囲第1項記載のX線リソグラフィ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223799A JPS6380532A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | X線リソグラフイ装置 |
| DE19873731838 DE3731838A1 (de) | 1986-09-24 | 1987-09-22 | Roentgenlithographische einrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223799A JPS6380532A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | X線リソグラフイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380532A true JPS6380532A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16803898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223799A Pending JPS6380532A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | X線リソグラフイ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380532A (ja) |
| DE (1) | DE3731838A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0562885A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Canon Inc | Sor露光システム |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61223799A patent/JPS6380532A/ja active Pending
-
1987
- 1987-09-22 DE DE19873731838 patent/DE3731838A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3731838A1 (de) | 1988-04-07 |
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