JPS6380555A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6380555A JPS6380555A JP22679186A JP22679186A JPS6380555A JP S6380555 A JPS6380555 A JP S6380555A JP 22679186 A JP22679186 A JP 22679186A JP 22679186 A JP22679186 A JP 22679186A JP S6380555 A JPS6380555 A JP S6380555A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- metal layer
- substrate
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
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- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の放熱構造に関し、特に半導体基
板の上面にある高出力のトランジスタ等の発熱素子から
発生する熱を、半導体基板の下面が個着される素子容器
へ放熱させる際、発熱素子から素子容器までの熱抵抗を
下げて、半導体装この電気的特性および信頓性を向上さ
せる構造に関する。
板の上面にある高出力のトランジスタ等の発熱素子から
発生する熱を、半導体基板の下面が個着される素子容器
へ放熱させる際、発熱素子から素子容器までの熱抵抗を
下げて、半導体装この電気的特性および信頓性を向上さ
せる構造に関する。
従来この種の半導体装置は、第２図に示すように、半導
体基板１の上面にあるトランジスタ等の発熱素子４によ
り、発生する熱を半導体基板１の下面を通して素子容器
５へ効率良く放熱するため、半導体基板１の下面側から
全面を薄く削り、薄くした半導体基板１の下面全面に熱
伝導率の良い金属層を形成して、発熱素子から素子容器
までの熱抵抗を下げていた。
体基板１の上面にあるトランジスタ等の発熱素子４によ
り、発生する熱を半導体基板１の下面を通して素子容器
５へ効率良く放熱するため、半導体基板１の下面側から
全面を薄く削り、薄くした半導体基板１の下面全面に熱
伝導率の良い金属層を形成して、発熱素子から素子容器
までの熱抵抗を下げていた。
上述した従来の半導体装置は、半導体基板の下面全体を
２０から４０μｍまで薄く削っているため、半導体基板
の機械的、熱膨張的な強度が著しく劣化させ、半導体装
置の信頼度及びハンドリング性を悪くする欠点がある。
２０から４０μｍまで薄く削っているため、半導体基板
の機械的、熱膨張的な強度が著しく劣化させ、半導体装
置の信頼度及びハンドリング性を悪くする欠点がある。
さらに同様の点から半導体基板の厚さを２０μｍ以下に
することは難しいとされていた。
することは難しいとされていた。
また、大面積の半導体基板が必要とされる集積回路等を
構成する半導体装はにおいては、機械的、熱的な信頓度
の点から使用できない欠点がある。
構成する半導体装はにおいては、機械的、熱的な信頓度
の点から使用できない欠点がある。
本発明の半導体装置は、半導体基板の上面にある発熱素
子から発生する熱を、発熱素子直下の半導体基板を選択
的に薄く除去し、半導体基板を除去した部分に熱伝導率
の良い金属層を形成して、素子容器までの熱抵抗を改善
する放熱構造と、部分的に半導体基板が薄く除去される
ことから半導体基板全体の機械的、熱的な強度および信
頼性が向上され、発熱素子直下の半導体基板の厚さを数
μｍまで薄くすることが可能になり、従来の半導体装置
に比べ熱抵抗が少なくできること、また大面積の半導体
基板にも適用が可能である構造を有している。
子から発生する熱を、発熱素子直下の半導体基板を選択
的に薄く除去し、半導体基板を除去した部分に熱伝導率
の良い金属層を形成して、素子容器までの熱抵抗を改善
する放熱構造と、部分的に半導体基板が薄く除去される
ことから半導体基板全体の機械的、熱的な強度および信
頼性が向上され、発熱素子直下の半導体基板の厚さを数
μｍまで薄くすることが可能になり、従来の半導体装置
に比べ熱抵抗が少なくできること、また大面積の半導体
基板にも適用が可能である構造を有している。
〔実施例］
次に本発明について図面を参照して説明する第１図は本
発明の一実施例の断面図である。
発明の一実施例の断面図である。
トランジスタ等の発熱素子４は、半導体基板１の上面に
ある、発熱素子４の直下の半導体基板１は、部分的に選
択的に薄く除去され、除去された部分には熱伝導性の良
いメッキ等による金属層３がある。また金属層３は、メ
ッキ導伝バス用金属層６によって電気的又は熱的に接続
されている。さらに、半導体基板１および金属層３は、
接着用金属Ｂ２によって素子容器５に電気的および熱的
に固着される。
ある、発熱素子４の直下の半導体基板１は、部分的に選
択的に薄く除去され、除去された部分には熱伝導性の良
いメッキ等による金属層３がある。また金属層３は、メ
ッキ導伝バス用金属層６によって電気的又は熱的に接続
されている。さらに、半導体基板１および金属層３は、
接着用金属Ｂ２によって素子容器５に電気的および熱的
に固着される。
発熱素子４で発生した熱は、一部は空気中を通して放熱
するが、大部分は、薄くなった半導体基板中を通し、熱
伝導の良い金ｇ層を通って素子容器に伝達される。その
際、比較的熱伝導率の悪い半導体基板の厚さによって、
半導体装置の熱抵抗特性が決定される。また、半導体装
置において最も機械的、熱的な強度が弱いのが半導体基
板であるため、半導体基板の厚さの薄い部分の面積が多
い程、信頼性は悪くなる。本発明の半導体装置では、発
熱素子直下の半導体基板の厚さは薄く、半導体基板の薄
い部分の面積を少な（した構造である。
するが、大部分は、薄くなった半導体基板中を通し、熱
伝導の良い金ｇ層を通って素子容器に伝達される。その
際、比較的熱伝導率の悪い半導体基板の厚さによって、
半導体装置の熱抵抗特性が決定される。また、半導体装
置において最も機械的、熱的な強度が弱いのが半導体基
板であるため、半導体基板の厚さの薄い部分の面積が多
い程、信頼性は悪くなる。本発明の半導体装置では、発
熱素子直下の半導体基板の厚さは薄く、半導体基板の薄
い部分の面積を少な（した構造である。
以上説明し、たように本発明は、トランジスタ等の発熱
素子直下の半導体基板を部分的に選択的に薄＜シ、半導
体基板を薄く除去した部分に熱伝導率の良い金属層を有
する構造にすることにより、半導体基板の機械的強度が
向上され、半導体装置の信頼性およびハンドリング性が
向上できる効果がある。また、大面積の半導体基板を必
要とする集積回路、モノミリツク回路等の半導体装置に
も適用ができる利点がある。
素子直下の半導体基板を部分的に選択的に薄＜シ、半導
体基板を薄く除去した部分に熱伝導率の良い金属層を有
する構造にすることにより、半導体基板の機械的強度が
向上され、半導体装置の信頼性およびハンドリング性が
向上できる効果がある。また、大面積の半導体基板を必
要とする集積回路、モノミリツク回路等の半導体装置に
も適用ができる利点がある。
さらに、発熱素子直下の半導体基板の厚さを、従来の半
導体装置の限界であった２０μｍから数μｍまで薄くす
ることができるため、半導体装置の熱抵抗特性を向上さ
せる効果がある。
導体装置の限界であった２０μｍから数μｍまで薄くす
ることができるため、半導体装置の熱抵抗特性を向上さ
せる効果がある。
第１図は、本発明の半導体装置の素子の断面図である。
第２図は従来例の断面図である。
１・・・半導体基板、２・・・接着用金属層。
３・・・熱伝導率の良いメッキ等による金属層。
４・・・トランジスタ等の発熱素子。
５・・・素子容器、６・・・メッキ導伝パス用金属層。
代理人 弁理士 内 原 晋、′ｔ゛゛ア、
Claims (1)
- 半導体基板の上面にトランジスタ等の発熱素子を有し、
該発熱素子の直下の該半導体基板が下面側から選択的に
除去されて薄い領域を有し、該半導体基板が除去された
部分に熱伝導率の良い金属層を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22679186A JPS6380555A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22679186A JPS6380555A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380555A true JPS6380555A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16850673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22679186A Pending JPS6380555A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380555A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200641A (en) * | 1990-10-04 | 1993-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device structure including bending-resistant radiating layer |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22679186A patent/JPS6380555A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200641A (en) * | 1990-10-04 | 1993-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device structure including bending-resistant radiating layer |
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