JPS6387760A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS6387760A JPS6387760A JP23360786A JP23360786A JPS6387760A JP S6387760 A JPS6387760 A JP S6387760A JP 23360786 A JP23360786 A JP 23360786A JP 23360786 A JP23360786 A JP 23360786A JP S6387760 A JPS6387760 A JP S6387760A
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- JP
- Japan
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- film
- silicon film
- capacitor
- polycrystal silicon
- semiconductor layer
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にコンデンサを
有する半導体集積回路装置に関する。
有する半導体集積回路装置に関する。
従来、半導体集積回路装置のコンデンサ、特にＭＩＳ形
コンデンサは、第２図に一例を示すように、半導体基板
１上に形成した、この半導体基板１と同一導電形で不純
物濃度の高い半導体層２の一部を一方の電極とし、この
半導体層２の上に絶縁膜３を形成し、さらにその上に、
配線層で用いる金属膜９を他方の電極として形成した構
造になっている。
コンデンサは、第２図に一例を示すように、半導体基板
１上に形成した、この半導体基板１と同一導電形で不純
物濃度の高い半導体層２の一部を一方の電極とし、この
半導体層２の上に絶縁膜３を形成し、さらにその上に、
配線層で用いる金属膜９を他方の電極として形成した構
造になっている。
上述した従来の半導体集積回路装置は、コンデンサの単
位面積当シの容量が小テ＜、又、絶縁膜を薄くして単位
面積当シの静電容量を増加させるにも限度があシ、コン
デンサを含む回路を作る場合、コンデンサの占める割合
が大きくなるという欠点がある。
位面積当シの容量が小テ＜、又、絶縁膜を薄くして単位
面積当シの静電容量を増加させるにも限度があシ、コン
デンサを含む回路を作る場合、コンデンサの占める割合
が大きくなるという欠点がある。
本発明の目的は、上記欠点を解消するために従来構造の
ＭＩＳ形コンデンサよＱ単位面積当りの静電容量が大き
いコンデンサを有する半導体集積回路装置を提供するこ
とにある。
ＭＩＳ形コンデンサよＱ単位面積当りの静電容量が大き
いコンデンサを有する半導体集積回路装置を提供するこ
とにある。
上述した従来の半導体集積回路装置に対し、本発明は従
来構造のＭＩＳＩ形コンデンサに多結晶シリコン膜と絶
縁膜とを追加し、この多結晶シリコン膜を共通電極とす
る二つのコンデンサを形成し、これら二つのコンデンサ
を縦方向に積み重ねて並列接続するという独創的内容を
有する。
来構造のＭＩＳＩ形コンデンサに多結晶シリコン膜と絶
縁膜とを追加し、この多結晶シリコン膜を共通電極とす
る二つのコンデンサを形成し、これら二つのコンデンサ
を縦方向に積み重ねて並列接続するという独創的内容を
有する。
本発明の半導体集積回路装置は、半導体基板上に形成し
たこの半導体基板と同一導電形で不純物濃度の高い半導
体層と、その上部の第１の絶縁膜上に形成された第１の
多結晶シリプン膜と、その上部の第２の絶縁膜上に形成
さ詐た第１の金属膜と、前記半導体層と前記第１の金属
膜とを電気的に接続する第２の多結晶シリコン膜と、前
記第１の多結晶シリコン膜と電気的に接続された第２の
金属膜とを有している。
たこの半導体基板と同一導電形で不純物濃度の高い半導
体層と、その上部の第１の絶縁膜上に形成された第１の
多結晶シリプン膜と、その上部の第２の絶縁膜上に形成
さ詐た第１の金属膜と、前記半導体層と前記第１の金属
膜とを電気的に接続する第２の多結晶シリコン膜と、前
記第１の多結晶シリコン膜と電気的に接続された第２の
金属膜とを有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
半導体基板１の上部にこの半導体基板１と同一導電形で
不純物濃度の高い半導体層２を形成して第１！極とし、
絶縁膜３を介して多結晶シリコン膜４を形成し第２電極
とする。さらに、多結晶シリコン膜４の上に絶縁膜５を
形成する。その上に配線層で用いる金属膜６を形成して
第３電極とする。さらに、この第３電極である金属膜６
と第１電極である半導体層２とを電気的に接続する為の
多結晶シリコン膜７を形成する。金属膜８は第２電他で
ある多結晶シリコン膜４と電気的に接続されている。
不純物濃度の高い半導体層２を形成して第１！極とし、
絶縁膜３を介して多結晶シリコン膜４を形成し第２電極
とする。さらに、多結晶シリコン膜４の上に絶縁膜５を
形成する。その上に配線層で用いる金属膜６を形成して
第３電極とする。さらに、この第３電極である金属膜６
と第１電極である半導体層２とを電気的に接続する為の
多結晶シリコン膜７を形成する。金属膜８は第２電他で
ある多結晶シリコン膜４と電気的に接続されている。
半導体層２と多結晶シリコン膜４とで一つのコンデンサ
を形成し、さらに、多結晶シリコン膜４と金属膜６とで
もう一つのコンデンサを形成し、多結晶シリコン膜７で
こ扛ら二つのコンデンサが並列接続されるので、金属膜
８と金属膜６との間の静電容量が増加し、単位面積当り
の静電容量が □。増加する。
を形成し、さらに、多結晶シリコン膜４と金属膜６とで
もう一つのコンデンサを形成し、多結晶シリコン膜７で
こ扛ら二つのコンデンサが並列接続されるので、金属膜
８と金属膜６との間の静電容量が増加し、単位面積当り
の静電容量が □。増加する。
以上説明したように本発明は、半導体基板中の、この半
導体基板と同一導電形で不純物−度の高い半導体層とこ
の半導体層と重なる部分を有する第１の多結晶シリコン
膜とそｎらの間にある第１の絶縁膜とで第１のコンデン
サを作り、この第１のコンデンサの一方の電極である第
１の多結晶シリコン膜とＭｌの金属膜とそれらの間にあ
る第２の絶縁膜とで第２のコンデンサ金作力、嘔らに、
この第２のコンデンサの他方ＯＫ極である第１の金属膜
と第１のコンデンサの他方の電極である半導体層とを第
２の多結晶シリコン漠で電気的に接続して第１・第２の
コンデンサを並列接続しているので、従来構造のＭＩＳ
形コンデンサより単位面積当〕の容量が大きいコンデン
ｔを得られる効果がめル、従来と同じ静電容量のコンデ
ンサを作る場合面積が小さくてすむ効果がちり、従来の
構造のコンデンサと同じ面積で同じ静電容量のコンデン
サを作る場合、耐圧が増加する効果がある。
導体基板と同一導電形で不純物−度の高い半導体層とこ
の半導体層と重なる部分を有する第１の多結晶シリコン
膜とそｎらの間にある第１の絶縁膜とで第１のコンデン
サを作り、この第１のコンデンサの一方の電極である第
１の多結晶シリコン膜とＭｌの金属膜とそれらの間にあ
る第２の絶縁膜とで第２のコンデンサ金作力、嘔らに、
この第２のコンデンサの他方ＯＫ極である第１の金属膜
と第１のコンデンサの他方の電極である半導体層とを第
２の多結晶シリコン漠で電気的に接続して第１・第２の
コンデンサを並列接続しているので、従来構造のＭＩＳ
形コンデンサより単位面積当〕の容量が大きいコンデン
ｔを得られる効果がめル、従来と同じ静電容量のコンデ
ンサを作る場合面積が小さくてすむ効果がちり、従来の
構造のコンデンサと同じ面積で同じ静電容量のコンデン
サを作る場合、耐圧が増加する効果がある。
第１図は本発明の半導体集積回路装置の一実施例の縦断
面図、第２図は従来の半導体集積回路装置の一例の縦断
面口である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・半導体Ｕ、
３，５・・・・・・絶縁膜、４．７・・・・・・多結晶
シリコン膜、６，８・・・・・・金属ｇ≦。
面図、第２図は従来の半導体集積回路装置の一例の縦断
面口である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・半導体Ｕ、
３，５・・・・・・絶縁膜、４．７・・・・・・多結晶
シリコン膜、６，８・・・・・・金属ｇ≦。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成したこの半導体基板と同一導電形
で不純物濃度の高い半導体層と、その上部の第１の絶縁
膜上に形成された第１の多結晶シリコン膜と、その上部
の第２の絶縁膜上に形成された第１の金属膜と、前記半
導体層と前記第１の金属膜とを電気的に接続する第２の
多結晶シリコン膜と、前記第１の多結晶シリコン膜と電
気的に接続された第２の金属膜とを有することを特徴と
する半導体集積回路装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23360786A JPS6387760A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23360786A JPS6387760A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6387760A true JPS6387760A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16957698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23360786A Pending JPS6387760A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6387760A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954927A (en) * | 1988-09-16 | 1990-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Double capacitor and manufacturing method thereof |
| JP2006179743A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品及びその製造方法、電子部品付き配線基板 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23360786A patent/JPS6387760A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954927A (en) * | 1988-09-16 | 1990-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Double capacitor and manufacturing method thereof |
| JP2006179743A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 電子部品及びその製造方法、電子部品付き配線基板 |
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