JPS6412178B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6412178B2 JPS6412178B2 JP10737682A JP10737682A JPS6412178B2 JP S6412178 B2 JPS6412178 B2 JP S6412178B2 JP 10737682 A JP10737682 A JP 10737682A JP 10737682 A JP10737682 A JP 10737682A JP S6412178 B2 JPS6412178 B2 JP S6412178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- collector
- base
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
- H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/10—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスイツチング式定電圧回路に関する。
第１図を参照して、従来では、直流電源１と負
荷２との間に、第１トランジスタTR１と平滑回
路３とが直列に接続され、第１トランジスタTR
１の動作を制御するための第２トランジスタTR
２は制御パルス発生回路４によつて制御される。
このような従来技術において、第１トランジスタ
TR１のベース電流iBが第２トランジスタTR２
を流れるので、第１トランジスタTR１において
ベース電流iBが分流していることになり、効率
が約80％程度に低下する。
荷２との間に、第１トランジスタTR１と平滑回
路３とが直列に接続され、第１トランジスタTR
１の動作を制御するための第２トランジスタTR
２は制御パルス発生回路４によつて制御される。
このような従来技術において、第１トランジスタ
TR１のベース電流iBが第２トランジスタTR２
を流れるので、第１トランジスタTR１において
ベース電流iBが分流していることになり、効率
が約80％程度に低下する。
このような分流電流iBを減少して効率を向上
させるためには、第２図に示すように、第１トラ
ンジスタTR１に第３トランジスタTR３をダー
リントン接続することが単純には考えられる。こ
の第２図の回路において、前記ベース電流iBは、
第３トランジスタTR３の電流増幅率をhfeとする
と、１／hfeだけ減少することになり、効率が向
上するはずである。ところが、第３トランジスタ
TR３が制御パルス発生回路４からの制御パルス
に応じて導通すると、第３トランジスタTR３の
コレクタ・エミツタ電圧VCEはほぼ0Vになる。
これは、第１トランジスタTR１においてはコレ
クタ電圧VCとベース電位VBとがほぼ等しいと
いうことを意味する。ここでエミツタ電位VEは
VE＝VB＋0.8〜0.9であるので、第１トランジス
タTR１のコレクタ・エミツタ間には0.8〜0.9Vの
電位差が残つてしまうことになる。したがつて、
第１トランジスタTR１における損失が増大し、
結果として効率は向上しない。
させるためには、第２図に示すように、第１トラ
ンジスタTR１に第３トランジスタTR３をダー
リントン接続することが単純には考えられる。こ
の第２図の回路において、前記ベース電流iBは、
第３トランジスタTR３の電流増幅率をhfeとする
と、１／hfeだけ減少することになり、効率が向
上するはずである。ところが、第３トランジスタ
TR３が制御パルス発生回路４からの制御パルス
に応じて導通すると、第３トランジスタTR３の
コレクタ・エミツタ電圧VCEはほぼ0Vになる。
これは、第１トランジスタTR１においてはコレ
クタ電圧VCとベース電位VBとがほぼ等しいと
いうことを意味する。ここでエミツタ電位VEは
VE＝VB＋0.8〜0.9であるので、第１トランジス
タTR１のコレクタ・エミツタ間には0.8〜0.9Vの
電位差が残つてしまうことになる。したがつて、
第１トランジスタTR１における損失が増大し、
結果として効率は向上しない。
本発明は、上述の技術的課題を解決し、効率を
向上させたスイツチング式電圧回路を提供するこ
とを目的とする。
向上させたスイツチング式電圧回路を提供するこ
とを目的とする。
以下、図面によつて本発明の実施例を説明す
る。第３図は本発明の一実施例の電気回路図であ
る。直流電源１と負荷２との間には、第１トラン
ジスタTR１と、平滑回路３とが直列に接続され
る。第１トランジスタTR１および平滑回路３間
には逆電圧吸収用ダイオードＤ１が接続される。
また平滑回路３は、コイル６およびコンデンサ７
によつて構成される。
る。第３図は本発明の一実施例の電気回路図であ
る。直流電源１と負荷２との間には、第１トラン
ジスタTR１と、平滑回路３とが直列に接続され
る。第１トランジスタTR１および平滑回路３間
には逆電圧吸収用ダイオードＤ１が接続される。
また平滑回路３は、コイル６およびコンデンサ７
によつて構成される。
第１トランジスタTR１はPNPトランジスタで
あり、この第１トランジスタTR１のベースに
は、PNPトランジスタである第３トランジスタ
TR３のエミツタが接続される。第３トランジス
タTR３のエミツタはまた抵抗Ｒ１を介して第１
トランジスタTR１のエミツタに接続され、第３
トランジスタTR３のベースは抵抗Ｒ１，Ｒ２を
介して第１トランジスタTR１のエミツタに接続
される。さらに本発明に従えば、第３トランジス
タTR３のコレクタは、平滑回路３におけるコイ
ル６およびコンデンサ７の接続点８に接続され
る。
あり、この第１トランジスタTR１のベースに
は、PNPトランジスタである第３トランジスタ
TR３のエミツタが接続される。第３トランジス
タTR３のエミツタはまた抵抗Ｒ１を介して第１
トランジスタTR１のエミツタに接続され、第３
トランジスタTR３のベースは抵抗Ｒ１，Ｒ２を
介して第１トランジスタTR１のエミツタに接続
される。さらに本発明に従えば、第３トランジス
タTR３のコレクタは、平滑回路３におけるコイ
ル６およびコンデンサ７の接続点８に接続され
る。
平滑回路３および負荷２の接続点９には、抵抗
Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５から成る直列回路が接続され
る。抵抗Ｒ４には、その接続位置を自在にして制
御パルス発生回路４が接続される。したがつて、
制御パルス発生回路４は、接続点９における電位
に対応した電圧を検出し、しかもその設定電圧を
任意に変化させることができる。
Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５から成る直列回路が接続され
る。抵抗Ｒ４には、その接続位置を自在にして制
御パルス発生回路４が接続される。したがつて、
制御パルス発生回路４は、接続点９における電位
に対応した電圧を検出し、しかもその設定電圧を
任意に変化させることができる。
第３トランジスタTR３のベースには、抵抗Ｒ
６および第２トランジスタTR２から成る直列回
路が接続される。第２トランジスタTR２は、
NPNトランジスタであり、そのベースには制御
パルス発生回路４からの制御パルスが与えられ
る。
６および第２トランジスタTR２から成る直列回
路が接続される。第２トランジスタTR２は、
NPNトランジスタであり、そのベースには制御
パルス発生回路４からの制御パルスが与えられ
る。
上述のごとく第２トランジスタTR２のコレク
タを、コイル６およびコンデンサ７の接続点８に
接続することにより、第３トランジスタTR３の
導通時に第１トランジスタTR１のコレクタ電位
VCよりも第３トランジスタTR３のコレクタ電
位V′Cの方が低くなる。したがつて、前述の第２
図で述べたように第１トランジスタTR１のエミ
ツタ・コレクタ間に0.8〜0.9Vの電位差が残るこ
とがなく、第１トランジスタTR１の導通時にエ
ミツタ・コレクタ間の電位差はほぼ零になる。ま
た第１トランジスタTR１のベース電流iBは第３
トランジスタTR３のエミツタ→コレクタを経て
負荷２に流れることになるので、無駄がなく、効
率が向上する。
タを、コイル６およびコンデンサ７の接続点８に
接続することにより、第３トランジスタTR３の
導通時に第１トランジスタTR１のコレクタ電位
VCよりも第３トランジスタTR３のコレクタ電
位V′Cの方が低くなる。したがつて、前述の第２
図で述べたように第１トランジスタTR１のエミ
ツタ・コレクタ間に0.8〜0.9Vの電位差が残るこ
とがなく、第１トランジスタTR１の導通時にエ
ミツタ・コレクタ間の電位差はほぼ零になる。ま
た第１トランジスタTR１のベース電流iBは第３
トランジスタTR３のエミツタ→コレクタを経て
負荷２に流れることになるので、無駄がなく、効
率が向上する。
第４図は本発明の他の実施例の電気回路図であ
り、第３図の実施例に対応する部分には同一の参
照符を付す。第３図の実施例では、第１トランジ
スタTR１のベース電流iBは、第１トランジスタ
TR１のベース・エミツタ間電圧VBEおよび第３
トランジスタTR３のベース・エミツタ間電圧
V′BEによつて定まる。ところが両電圧VBE，
V′BEはダイオード特性を示すので、電流を適当
な値に設定することができない。そこで、この実
施例では、コイル６にタツプを設けて、第３トラ
ンジスタTR３のコレクタをコイル６に接続す
る。このようにすればベース電流iBを適当な値
に設定することができるようになる。
り、第３図の実施例に対応する部分には同一の参
照符を付す。第３図の実施例では、第１トランジ
スタTR１のベース電流iBは、第１トランジスタ
TR１のベース・エミツタ間電圧VBEおよび第３
トランジスタTR３のベース・エミツタ間電圧
V′BEによつて定まる。ところが両電圧VBE，
V′BEはダイオード特性を示すので、電流を適当
な値に設定することができない。そこで、この実
施例では、コイル６にタツプを設けて、第３トラ
ンジスタTR３のコレクタをコイル６に接続す
る。このようにすればベース電流iBを適当な値
に設定することができるようになる。
また、第５図で示すように、ベース電流iBを
適当な値に設定するために、第３トランジスタ
TR３のコレクタを抵抗Ｒ７を介して接続点８に
接続するようにしてもよい。
適当な値に設定するために、第３トランジスタ
TR３のコレクタを抵抗Ｒ７を介して接続点８に
接続するようにしてもよい。
第６図は本発明の他の実施例の電気回路図であ
り、前述の各実施例に対応する部分には同一の参
照符を付す。この実施例では、第１トランジスタ
TR１のベース電流iBを定電流化して効率をさら
に向上するために、第１トランジスタTR１のベ
ースおよび第３トランジスタTR３のエミツタ間
に抵抗Ｒ８を介在させる。これによつて、第１ト
ランジスタTR１の入力電圧Ｅの変化に対応した
広い電圧変化に対してベース電流iBがほぼ一定
となり、効率が向上する。
り、前述の各実施例に対応する部分には同一の参
照符を付す。この実施例では、第１トランジスタ
TR１のベース電流iBを定電流化して効率をさら
に向上するために、第１トランジスタTR１のベ
ースおよび第３トランジスタTR３のエミツタ間
に抵抗Ｒ８を介在させる。これによつて、第１ト
ランジスタTR１の入力電圧Ｅの変化に対応した
広い電圧変化に対してベース電流iBがほぼ一定
となり、効率が向上する。
第７図は本発明の他の実施例の電気回路図であ
り、前述の各実施例に対応する部分には同一の参
照符を付す。この実施例では、抵抗Ｒ２と並列に
少なくとも１個望ましくは２個のダイオードＤ
２，Ｄ３が接続される。このようにすると、抵抗
Ｒ２の両端の電圧が定電圧化され、第３トランジ
スタTR３のコレクタ電流が定電流化されるの
で、効率が向上する。
り、前述の各実施例に対応する部分には同一の参
照符を付す。この実施例では、抵抗Ｒ２と並列に
少なくとも１個望ましくは２個のダイオードＤ
２，Ｄ３が接続される。このようにすると、抵抗
Ｒ２の両端の電圧が定電圧化され、第３トランジ
スタTR３のコレクタ電流が定電流化されるの
で、効率が向上する。
また、第８図で示すように、抵抗Ｒ２と並列
に、ダイオードＤ４および抵抗Ｒ９から成る直列
回路を接続してもよく、さらに第９図で示すよう
に、抵抗Ｒ２と並列にツエナダイオードZDを接
続してもよい。
に、ダイオードＤ４および抵抗Ｒ９から成る直列
回路を接続してもよく、さらに第９図で示すよう
に、抵抗Ｒ２と並列にツエナダイオードZDを接
続してもよい。
上述のごとく本発明によれば、第３トランジス
タのコレクタをタツプが設けられたコイルあるい
はコイルおよび負荷間に接続するようにしたの
で、第１トランジスタにおけるコレクタ損失が減
少し、したがつて効率が向上する。
タのコレクタをタツプが設けられたコイルあるい
はコイルおよび負荷間に接続するようにしたの
で、第１トランジスタにおけるコレクタ損失が減
少し、したがつて効率が向上する。
第１図は従来技術を示す電気回路図、第２図は
従来技術の欠点を解消するために単純に思い付く
電気回路図、第３図は本発明の一実施例の電気回
路図、第４図、第５図、第６図、第７図、第８図
および第９図は本発明の他の実施例をそれぞれ示
す電気回路図である。 １……直流電源、２……負荷、３……平滑回
路、４……制御パルス発生回路、６……コイル、
TR１……第１トランジスタ、TR２……第２ト
ランジスタ、TR３……第３トランジスタ。
従来技術の欠点を解消するために単純に思い付く
電気回路図、第３図は本発明の一実施例の電気回
路図、第４図、第５図、第６図、第７図、第８図
および第９図は本発明の他の実施例をそれぞれ示
す電気回路図である。 １……直流電源、２……負荷、３……平滑回
路、４……制御パルス発生回路、６……コイル、
TR１……第１トランジスタ、TR２……第２ト
ランジスタ、TR３……第３トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直流電源と負荷との間に、スイツチング動作
を果す第１トランジスタと、コイルを含む平滑回
路とを直列に接続し、第１トランジスタのスイツ
チング動作を制御する第２トランジスタを、前記
負荷に与えられる電圧に対応して制御パルスを発
生する制御パルス発生回路によつて制御するよう
にしたスイツチング式定電圧回路において、 第１トランジスタのベースを第３トランジスタ
のエミツタに接続するとともに、第３トランジス
タのエミツタと第１トランジスタのエミツタとを
抵抗を介して接続し、さらに第３トランジスタの
ベースを他の抵抗を介して第１トランジスタのエ
ミツタに接続するとともに第２トランジスタに接
続し、第３トランジスタのコレクタを、タツプが
設けられたコイルあるいはコイルおよび負荷間に
接続することを特徴とするスイツチング式定電圧
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10737682A JPS58224561A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | スイツチング式定電圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10737682A JPS58224561A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | スイツチング式定電圧回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224561A JPS58224561A (ja) | 1983-12-26 |
| JPS6412178B2 true JPS6412178B2 (ja) | 1989-02-28 |
Family
ID=14457532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10737682A Granted JPS58224561A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | スイツチング式定電圧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224561A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617286U (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-17 | 富士電機株式会社 | Ｄｃ−ｄｃコンバ−タ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579302A (en) * | 1980-06-18 | 1982-01-18 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | Unload valve |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10737682A patent/JPS58224561A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58224561A (ja) | 1983-12-26 |
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