JPS6432U - - Google Patents

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JPS6432U
JPS6432U JP9417187U JP9417187U JPS6432U JP S6432 U JPS6432 U JP S6432U JP 9417187 U JP9417187 U JP 9417187U JP 9417187 U JP9417187 U JP 9417187U JP S6432 U JPS6432 U JP S6432U
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JP
Japan
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diaphragm
pressure sensor
pedestal
sensor according
intermediate ring
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JP9417187U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例に係る圧力センサを
示す分解斜視図、第２図は第１図に示した圧力セ
ンサの断面図、第３図は第１図中に示したダイア
フラムの下面図、第４図は第３図に示したダイア
フラムの下面に形成されたフルブリツジ回路の回
路図、第５図は本考案の他の実施例に係る圧力セ
ンサを示す断面図、第６図は本考案のその他の実
施例に係る圧力センサを示す断面図、第７図は従
来の圧力センサの一例を示す断面図、第８図は従
来の圧力センサの他の例を示す断面図である。 図において、１，１１……ダイアフラム、１ａ
……延出部、１ｂ……受圧部、２Ａ，２Ｂ，２，
１２……台座、２ａ，２ｂ，２ｃ，１２ａ……通
気孔、３Ａ，３Ｂ，１３……中間リング、４ａ〜
４ｄ……感圧抵抗、５……リード線、６ａ〜６ｄ
……電極端子、７……接着材層、１１ａ，１３ａ
……無機質絶縁層である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 厚膜印刷・焼成技術により感圧抵抗、リー
    ド線等が形成されたダイアフラムと、 このダイアフラムを支持する台座と、 前記ダイアフラムと前記台座との間に介挿され
    た薄板状の中間リングと、 前記ダイアフラムと前記中間リングとを接着す
    る接着材層と、 を有することを特徴とする圧力センサ。 (2) 前記ダイアフラムが、セラミツク薄板で形
    成されていることを特徴とする実用新案登録請求
    の範囲第１項記載の圧力センサ。 (3) 前記ダイアフラムが、無機質絶縁層で表面
    を被覆された金属薄板で形成されていることを特
    徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の圧
    力センサ。
JP9417187U 1987-06-19 1987-06-19 Pending JPS6432U (ja)

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JP9417187U JPS6432U (ja) 1987-06-19 1987-06-19

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JP9417187U JPS6432U (ja) 1987-06-19 1987-06-19

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JPS6432U true JPS6432U (ja) 1989-01-05

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JP9417187U Pending JPS6432U (ja) 1987-06-19 1987-06-19

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JP (1) JPS6432U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022019167A1 (ja) * 2020-07-21 2022-01-27

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5476278A (en) * 1977-11-11 1979-06-18 Motorola Inc Method of making capacitive pressure transducer by piling up uniform glass insulator rings
JPS5854676A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Hitachi Ltd 半導体圧力変換器
JPS60227142A (ja) * 1984-04-24 1985-11-12 Tdk Corp 圧力センサ

Patent Citations (3)

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