JPS6435764U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6435764U JPS6435764U JP13078587U JP13078587U JPS6435764U JP S6435764 U JPS6435764 U JP S6435764U JP 13078587 U JP13078587 U JP 13078587U JP 13078587 U JP13078587 U JP 13078587U JP S6435764 U JPS6435764 U JP S6435764U
- Authority
- JP
- Japan
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- type impurities
- doped
- base region
- emitter region
- concentration
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Description
第１図は、本考案による一実施例の断面図、第
２図は従来例の断面図である。 ６……Ｎ＋部分、７……Ｎ−基板、８……ベー
ス領域、９……エミツタ領域。
２図は従来例の断面図である。 ６……Ｎ＋部分、７……Ｎ−基板、８……ベー
ス領域、９……エミツタ領域。
Claims (1)
- 低濃度のＮ型不純物をドープしたシリコン基板
の一方の面に、Ｐ型不純物を拡散したベース領域
とベース領域の中に高濃度のＮ型不純物を拡散し
たエミツタ領域を設け、該基板の他方の面からエ
ミツタ領域の背面に高濃度のＮ型不純物を選択的
に深く拡散したことを特徴とするホトトランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13078587U JPS6435764U (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13078587U JPS6435764U (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435764U true JPS6435764U (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=31386263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13078587U Pending JPS6435764U (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6435764U (ja) |
-
1987
- 1987-08-27 JP JP13078587U patent/JPS6435764U/ja active Pending