JPS645895Y2 - - Google Patents

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JPS645895Y2
JPS645895Y2 JP1983203897U JP20389783U JPS645895Y2 JP S645895 Y2 JPS645895 Y2 JP S645895Y2 JP 1983203897 U JP1983203897 U JP 1983203897U JP 20389783 U JP20389783 U JP 20389783U JP S645895 Y2 JPS645895 Y2 JP S645895Y2
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JP
Japan
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heat sink
integrated circuit
hybrid integrated
recess
heat
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JP1983203897U
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JPS60109332U (ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10166—Transistor

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  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (1) 考案の技術分野 本考案は放熱効果のすぐれた高電力混成集積回
路装置に関する。
(2) 技術の背景 従来の混成集積回路素子は比較的低電力レベル
の分野に多く用いられていたために、その放熱等
については特別に配慮はなされていなかつた。し
かし電源回路、各種モータの制御回路、電力増幅
回路等の高電力レベルの分野にも混成集積回路素
子が多く使用されるようになるに伴つて、その放
熱構造が問題になり高密度実装に適した放熱構造
の開発が要求されるようになつてきた。
(3) 従来技術と問題点 第１図は従来の高電力混成回路における放熱構
造である。発熱の大きい電子部品例えばパワート
ランジスタ１を搭載したサブ基板２を銅またはア
ルミニウム製のブロツク３に接着して、さらに基
板４に接着する方法が採られている。
しかしながら複数個の高電力半導体素子を同一
の基板４に取りつける場合、各々の半導体が占め
る面積を充分大きく取つておかなければ、基板４
を通して各々の半導体の間に熱干渉が生じ各々の
半導体チツプの温度が上昇する等の問題があり高
密度実装ができない。
また第２図に示すようにアルミニウム板５とエ
ポキシ樹脂６と銅板７を張り合せた高熱伝導性基
板を使用することもあるがこの場合絶縁層（エポ
キシ）のため熱抵抗はそれ程低くならないという
問題がある。
(4) 考案の目的 (4) 考案の目的 本考案の目的は上記従来の問題点を解決し、通
常パツケージとは別に使用されるヒートシンク自
体に混成集積回路を組込み、そしてケース本体の
高い放熱特性を十分活すように発熱部品から本体
までの熱径路を単純化して低い熱抵抗構造を実現
するものである。
(5) 考案の構成 上記目的は本考案によれば外部フイン状部を有
し、混成集積回路を内部に収容する凹部が設けら
れ、その表面が表面銅化処理されたアルミニウム
製ヒートシンクと、 表面側に電子部品を搭載し、裏面に金属層が印
刷形成され、該ヒートシンクの凹部内表面に半田
接着されるセラミツク回路基板と、 該回路基板上に搭載された高電力レベルの半導
体素子を含む電子部品と、 該電子部品を該ヒートシンクの凹部内に気密封
止するフタ部とを有する事を特徴とする混成集積
回路装置により達成される。
(6) 考案の実施例 次に図面により本考案を具体的に説明する。
第３図は本考案の実施例による混成集積回路装
置の断面図を示す。
ヒートシンク８本体に凹部を設け、その内部に
混成集積回路を収容している。発熱の大きいパワ
ートランジスタ１は半田付けによりアルミナ基板
９に接着されさらにアルミナ基板の裏面に銀パラ
系厚膜ペーストを印刷して金属層を形成して、こ
れを銅化処理を施したアルミニウムヒートシンク
表面に半田付けする。その他の電子部品１０，１
１も同様にアルミニウムヒートシンク表面に半田
付けされる。なお表面銅化処理はアルミニウム表
面に熱化学的に銅をアルミニウム中に拡散させ、
さらに表面に銅メツキして行われる。フタ１２を
同様に半田付けでケース８のシール部に接続して
気密封止する。フタとしては、例えば、アルミニ
ウム板に表面銅化処理したもの等を用いることが
できる。
(7) 考案の効果 以上説明したように本考案の混成集積回路装置
ではアルミナ基板と、ケースを兼ねたヒートシン
ク本体とが直接半田付けできるので低い熱抵抗が
実現できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来の混成集積回路の放
熱構造の説明図、第３図は本発明の実施例による
混成集積回路装置の断面図を示す。 図において１はパワートランジスタ、８はヒー
トシンク（ケース）、９はアルミナ基板、１２は
フタを示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 外部フイン状部を有し、混成集積回路を内部に
    収容する凹部が設けられ、その表面が表面銅化処
    理されたアルミニウム製ヒートシンクと、 表面側に電子部品を搭載し、裏面に金属層が印
    刷形成され、該ヒートシンクの凹部内表面に半田
    接着されるセラミツク回路基板と、 該回路基板上に搭載された高電力レベルの半導
    体素子を含む電子部品とを有し、 該電子部品を該ヒートシンクの凹部内に気密封
    止するフタ部とを有することを特徴とする混成集
    積回路。
JP1983203897U 1983-12-27 1983-12-27 混成集積回路装置 Granted JPS60109332U (ja)

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JPS60109332U JPS60109332U (ja) 1985-07-25
JPS645895Y2 true JPS645895Y2 (ja) 1989-02-14

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11264299B1 (en) * 2020-09-03 2022-03-01 Northrop Grumman Systems Corporation Direct write, high conductivity MMIC attach

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730316B2 (ja) * 1973-03-23 1982-06-28
JPS587645Y2 (ja) * 1976-03-23 1983-02-10 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JPS58173855A (ja) * 1982-04-02 1983-10-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子用冷却装置

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JPS60109332U (ja) 1985-07-25

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