JPWO2024252544A5 - - Google Patents
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Description
次に、上記試料配置部に配置した上記Ｇａ2Ｏ3分析試料に対し、次の条件によりＧＤＭＳを行うことができる。なお、Ｇａ2Ｏ3分析試料中の構成元素のうちＧａおよびＯ以外の元素であるＲｈおよびＩｒについては、ＧａとＲｈとのイオン強度比、またはＧａとＩｒとのイオン強度比をそれぞれ相対感度係数（ＲＳＦ）で補正することによって、半定量値を算出することができる。なお上記相対感度係数については、下記装置に付帯されたソフトウェア内蔵の値を用いることができる。
装置：グロー放電質量分析装置（商品名（品番）：ＶＧ－９０００、ＶＧ Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ社製）
イオン源：ピン状セル（分析時は液体窒素で冷却）
放電面積：直径１０ｍｍ
放電ガス：高純度アルゴン（６Ｎグレード）
放電条件：２ｍＡ、１ｋＶ（定電流モード）
検出器：ファラデーカップおよびマルチプライヤー
質量分解能：４０００以上のｍ／Δｍ（高分解能モード）。
装置：グロー放電質量分析装置（商品名（品番）：ＶＧ－９０００、ＶＧ Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ社製）
イオン源：ピン状セル（分析時は液体窒素で冷却）
放電面積：直径１０ｍｍ
放電ガス：高純度アルゴン（６Ｎグレード）
放電条件：２ｍＡ、１ｋＶ（定電流モード）
検出器：ファラデーカップおよびマルチプライヤー
質量分解能：４０００以上のｍ／Δｍ（高分解能モード）。
１００ 単結晶成長装置、５ 坩堝、５１ 種結晶収容部、５２ 増径部、５３ 直胴部、５ａ 側壁部、５ｂ 溶射膜、５ｂ１ 第１膜、５ｂ２ 第２膜、５ｃ 空孔、６ 坩堝保持台、７ 加熱装置、８ａ 種結晶、８１ ベータ型Ｇａ2Ｏ3単結晶、８２ 三酸化二ガリウム融液（Ｇａ2Ｏ3融液）、９ 密閉容器、１ ベータ型三酸化二ガリウム単結晶基板（ベータ型Ｇａ2Ｏ3単結晶基板）、１０ 主表面、１０ａ 矩形状切片、Ｏ 中心、ＯＦ オリエンテーションフラット、２１ 電極、 Ｓ１００ ベータ型Ｇａ2Ｏ3単結晶製造工程、Ｓ１１０ 準備工程、Ｓ１２０ 原材料装入工程、Ｓ１３０ 原材料溶融工程、Ｓ１４０ Ｇａ2Ｏ3単結晶成長工程、Ｓ２００ ベータ型Ｇａ2Ｏ3単結晶基板製造工程。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2023/021100 WO2024252544A1 (ja) | 2023-06-07 | 2023-06-07 | 坩堝、それを用いたベータ型三酸化二ガリウム単結晶基板の製造方法、およびベータ型三酸化二ガリウム単結晶基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2024252544A1 JPWO2024252544A1 (ja) | 2024-12-12 |
| JPWO2024252544A5 true JPWO2024252544A5 (ja) | 2026-02-19 |
Family
ID=93795545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2025525512A Pending JPWO2024252544A1 (ja) | 2023-06-07 | 2023-06-07 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2024252544A1 (ja) |
| CN (1) | CN120826501A (ja) |
| TW (1) | TW202507090A (ja) |
| WO (1) | WO2024252544A1 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH042687A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Fujikura Ltd | 酸化物単結晶育成用るつぼ |
| JP3639147B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2005-04-20 | 日本電信電話株式会社 | 単結晶育成用るつぼ |
| JP2016117606A (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-30 | 株式会社タムラ製作所 | Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、及び坩堝 |
| JP7155968B2 (ja) * | 2018-12-04 | 2022-10-19 | Tdk株式会社 | 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法 |
| US11674239B2 (en) * | 2020-02-27 | 2023-06-13 | Fujikoshi Machinery Corp. | Gallium oxide crystal manufacturing device |
| CN114318503A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 陕西旭光晶体科技有限公司 | 氧化嫁晶体用的铂铱合金坩埚以及制备方法 |
-
2023
- 2023-06-07 CN CN202380095237.XA patent/CN120826501A/zh active Pending
- 2023-06-07 JP JP2025525512A patent/JPWO2024252544A1/ja active Pending
- 2023-06-07 WO PCT/JP2023/021100 patent/WO2024252544A1/ja not_active Ceased
-
2024
- 2024-02-27 TW TW113106980A patent/TW202507090A/zh unknown
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