MD2982G2 - Cпособ получения полупроводниковых наноструктур - Google Patents

Cпособ получения полупроводниковых наноструктур Download PDF

Info

Publication number
MD2982G2
MD2982G2 MDA20050231A MD20050231A MD2982G2 MD 2982 G2 MD2982 G2 MD 2982G2 MD A20050231 A MDA20050231 A MD A20050231A MD 20050231 A MD20050231 A MD 20050231A MD 2982 G2 MD2982 G2 MD 2982G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
semiconductor nanostructures
obtaining semiconductor
obtaining
semiconductor
nanostructures
Prior art date
Application number
MDA20050231A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2982F1 (en
Inventor
Ион ТИГИНЯНУ
Лилиан СЫРБУ
Вячеслав УРСАКИ
Серджиу АЛБУ
Original Assignee
Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Технический университет Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы, Технический университет Молдовы filed Critical Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20050231A priority Critical patent/MD2982G2/ru
Publication of MD2982F1 publication Critical patent/MD2982F1/xx
Publication of MD2982G2 publication Critical patent/MD2982G2/ru

Links

Landscapes

  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии полупроводников, в частности, к способам получения полупроводниковых наноструктур.Способ получения полупроводниковых наноструктур заключается в электрохимическом травлении полупроводниковых поверхностей. Новизна изобретения состоит в том, что электрохимическое травление осуществляют с приложением импульсного напряжения в растворе при следующем соотношении компонентов:
MDA20050231A 2005-08-10 2005-08-10 Cпособ получения полупроводниковых наноструктур MD2982G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20050231A MD2982G2 (ru) 2005-08-10 2005-08-10 Cпособ получения полупроводниковых наноструктур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20050231A MD2982G2 (ru) 2005-08-10 2005-08-10 Cпособ получения полупроводниковых наноструктур

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2982F1 MD2982F1 (en) 2006-02-28
MD2982G2 true MD2982G2 (ru) 2006-10-31

Family

ID=36002227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20050231A MD2982G2 (ru) 2005-08-10 2005-08-10 Cпособ получения полупроводниковых наноструктур

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2982G2 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки
MD241Z (ru) * 2009-12-29 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения наночастиц PbS стабилизированных желатином
MD242Z (ru) * 2010-01-26 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения гидрофильных нанокристаллов PbS

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6277662B1 (en) * 1999-06-03 2001-08-21 Seiichi Nagata Silicon substrate and forming method thereof
MD2536G2 (ru) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых пористых структур
MD2585G2 (ru) * 2004-06-01 2005-05-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур
MD2610G2 (ru) * 2004-04-28 2005-06-30 Ион ТИГИНЯНУ Спocоб получения пористой поверхности полупроводника

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6277662B1 (en) * 1999-06-03 2001-08-21 Seiichi Nagata Silicon substrate and forming method thereof
MD2536G2 (ru) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых пористых структур
MD2610G2 (ru) * 2004-04-28 2005-06-30 Ион ТИГИНЯНУ Спocоб получения пористой поверхности полупроводника
MD2585G2 (ru) * 2004-06-01 2005-05-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых наноструктур

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки
MD241Z (ru) * 2009-12-29 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения наночастиц PbS стабилизированных желатином
MD242Z (ru) * 2010-01-26 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения гидрофильных нанокристаллов PbS

Also Published As

Publication number Publication date
MD2982F1 (en) 2006-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IL187586A0 (en) Method for producing dihydroquinazolines
EA201170465A1 (ru) Способы лечения прогрессирующего множественного склероза
UA107325C2 (ru) Способ обработки декоративных растений
UA94837C2 (ru) Способ синтеза (7-метокси-1-нафтил)ацетонитрила и применение в синтезе агомелатина
UA104712C2 (ru) Способ обработки бананов
MY151017A (en) 5-[(3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-1-arylpropyl)amino]-1h-quinolin-2-ones, a process for their production and their use as anti-inflammatory agents
WO2011006675A3 (de) Halbleiterbauelement mit diamant enthaltenden elektroden sowie dessen verwendung
PT2024278E (pt) Processo de preparação acoplada de cloro e isocianatos
WO2007140173A3 (en) Methods of maintaining and using a high concentration of dissolved copper on the surface of a useful article
MY164826A (en) Resin plating method
MY151555A (en) Method for manufacturing a silicon surface with pyramidal structure
UA109269C2 (uk) Незлежувана композиція хлориду калію, спосіб її отримання і застосування
WO2012156102A3 (de) Netzmittel für elektrolytische anwendungen und dessen verwendung
MX2012002507A (es) Sales de percarbonato expandido, metodos de produccion y usos de la mismas.
LT2012042A (lt) Plastikų paviršiaus paruošimo prieš jų cheminį metalizavimą būdas
EP2670887A1 (en) Adhesion promoting composition for metal leadframes
MD2982G2 (ru) Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
TW200731371A (en) Washings and washing method for semiconductor element or display element
WO2012110196A3 (de) Verfahren zur herstellung von elektroden
LT2008055A (en) Plastics etching composition
TW200702041A (en) Cleaning agent of treating acid gas and method for cleaning with the cleaning agent
MX340821B (es) Composicion de limpieza.
WO2009072360A1 (ja) ＣｌＯ３Ｆの除去方法
MD3811G2 (ru) Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD3060F1 (en) Process for photon semiconductor crystal obtaining

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees