NL182999C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij in een halfgeleiderlichaam een begraven laag van isolerend materiaal wordt gevormd. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij in een halfgeleiderlichaam een begraven laag van isolerend materiaal wordt gevormd.

Info

Publication number
NL182999C
NL182999C NLAANVRAGE7802260,A NL7802260A NL182999C NL 182999 C NL182999 C NL 182999C NL 7802260 A NL7802260 A NL 7802260A NL 182999 C NL182999 C NL 182999C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductor
bemi
semi
manufacturing
insulated material
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7802260,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7802260A (nl
Inventor
Katsutoshi Izumi
Masanobu Doken
Hisashi Ariyoshi
Original Assignee
Nippon Telegraph & Telephone
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph & Telephone filed Critical Nippon Telegraph & Telephone
Publication of NL7802260A publication Critical patent/NL7802260A/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL182999C publication Critical patent/NL182999C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
    • H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
    • H10P30/208—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping of electrically inactive species
    • H10P30/209—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping of electrically inactive species in silicon to make buried insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H10D30/6708—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device for preventing the kink effect or the snapback effect, e.g. discharging the minority carriers of the channel region for preventing bipolar effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6741—Group IV materials, e.g. germanium or silicon carbide
    • H10D30/6743—Silicon
    • H10D30/6744—Monocrystalline silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/113—Isolations within a component, i.e. internal isolations
    • H10D62/115—Dielectric isolations, e.g. air gaps
    • H10D62/116—Dielectric isolations, e.g. air gaps adjoining the input or output regions of field-effect devices, e.g. adjoining source or drain regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H10D86/03—Manufacture or treatment wherein the substrate comprises sapphire, e.g. silicon-on-sapphire [SOS]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/201—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates the substrates comprising an insulating layer on a semiconductor body, e.g. SOI
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/061—Manufacture or treatment using SOI processes together with lateral isolation, e.g. combinations of SOI and shallow trench isolations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/181—Semiconductor-on-insulator [SOI] isolation regions, e.g. buried oxide regions of SOI wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/19—Preparing inhomogeneous wafers
    • H10P90/1904—Preparing vertically inhomogeneous wafers
    • H10P90/1906—Preparing SOI wafers
    • H10P90/1908—Preparing SOI wafers using silicon implanted buried insulating layers, e.g. oxide layers [SIMOX]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/012—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials using local oxidation of silicon [LOCOS]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H10W10/021—Manufacture or treatment of air gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
    • H10W10/13—Isolation regions comprising dielectric materials formed using local oxidation of silicon [LOCOS], e.g. sealed interface localised oxidation [SILO] or side-wall mask isolation [SWAMI]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/20—Air gaps
NLAANVRAGE7802260,A 1977-11-28 1978-03-01 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij in een halfgeleiderlichaam een begraven laag van isolerend materiaal wordt gevormd. NL182999C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14159977A JPS5721856B2 (en) 1977-11-28 1977-11-28 Semiconductor and its manufacture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7802260A NL7802260A (nl) 1979-05-30
NL182999C true NL182999C (nl) 1988-06-16

Family

ID=15295748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7802260,A NL182999C (nl) 1977-11-28 1978-03-01 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij in een halfgeleiderlichaam een begraven laag van isolerend materiaal wordt gevormd.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4241359A (fr)
JP (1) JPS5721856B2 (fr)
CA (1) CA1095183A (fr)
DE (1) DE2808257C3 (fr)
FR (1) FR2410364B1 (fr)
GB (1) GB1601676A (fr)
NL (1) NL182999C (fr)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5626467A (en) * 1979-08-10 1981-03-14 Toshiba Corp Semiconductor device and the manufacturing process
JPS5662369A (en) * 1979-10-26 1981-05-28 Toshiba Corp Mos semiconductor device
JPS56105652A (en) * 1980-01-28 1981-08-22 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor device
JPS577161A (en) * 1980-06-16 1982-01-14 Toshiba Corp Mos semiconductor device
JPS5739579A (en) * 1980-08-20 1982-03-04 Toshiba Corp Mos semiconductor device and manufacture thereof
JPS5742161A (en) * 1980-08-28 1982-03-09 Fujitsu Ltd Semiconductor and production thereof
JPS5752167A (en) * 1980-09-16 1982-03-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Insulated gate type field effect transistor and manufacture thereof
JPS5754370A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Insulating gate type transistor
GB2085224B (en) * 1980-10-07 1984-08-15 Itt Ind Ltd Isolating sc device using oxygen duping
JPS5854672A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS58176967A (ja) * 1982-04-12 1983-10-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS59170555A (ja) * 1983-03-15 1984-09-26 Iseki & Co Ltd 農作業機の動力伝導装置
JPS6035955U (ja) * 1983-08-19 1985-03-12 ヤンマー農機株式会社 農機の無段変速装置
FR2563377B1 (fr) * 1984-04-19 1987-01-23 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une couche isolante enterree dans un substrat semi-conducteur, par implantation ionique
US4686758A (en) * 1984-06-27 1987-08-18 Honeywell Inc. Three-dimensional CMOS using selective epitaxial growth
JPS61177742A (ja) * 1985-02-01 1986-08-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
FR2581795B1 (fr) * 1985-05-10 1988-06-17 Golanski Andrzej Procede de fabrication d'une couche isolante continue enterree dans un substrat semi-conducteur, par implantation ionique
US4717677A (en) * 1985-08-19 1988-01-05 Motorola Inc. Fabricating a semiconductor device with buried oxide
US4662059A (en) * 1985-09-19 1987-05-05 Rca Corporation Method of making stabilized silicon-on-insulator field-effect transistors having 100 oriented side and top surfaces
US4700454A (en) * 1985-11-04 1987-10-20 Intel Corporation Process for forming MOS transistor with buried oxide regions for insulation
US4683637A (en) * 1986-02-07 1987-08-04 Motorola, Inc. Forming depthwise isolation by selective oxygen/nitrogen deep implant and reaction annealing
JPS632350A (ja) * 1986-06-20 1988-01-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5043778A (en) * 1986-08-11 1991-08-27 Texas Instruments Incorporated Oxide-isolated source/drain transistor
US4862232A (en) * 1986-09-22 1989-08-29 General Motors Corporation Transistor structure for high temperature logic circuits with insulation around source and drain regions
JPS63119218A (ja) * 1986-11-07 1988-05-23 Canon Inc 半導体基材とその製造方法
JPS63157475A (ja) * 1986-12-20 1988-06-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US5115289A (en) * 1988-11-21 1992-05-19 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and semiconductor memory device
US5080730A (en) * 1989-04-24 1992-01-14 Ibis Technology Corporation Implantation profile control with surface sputtering
WO1992005580A1 (fr) * 1990-09-14 1992-04-02 Westinghouse Electric Corporation Circuit hybride hyperfrequence monolithique fabrique sur une tranche de silicium a haute resistivite
US6884701B2 (en) * 1991-04-27 2005-04-26 Hidemi Takasu Process for fabricating semiconductor device
KR960002765B1 (ko) * 1992-12-22 1996-02-26 금성일렉트론주식회사 절연체 위에 단결정 반도체 제조방법
US6228779B1 (en) 1998-11-06 2001-05-08 Novellus Systems, Inc. Ultra thin oxynitride and nitride/oxide stacked gate dielectrics fabricated by high pressure technology
US6383924B1 (en) 2000-12-13 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Method of forming buried conductor patterns by surface transformation of empty spaces in solid state materials
US7142577B2 (en) 2001-05-16 2006-11-28 Micron Technology, Inc. Method of forming mirrors by surface transformation of empty spaces in solid state materials and structures thereon
US6898362B2 (en) * 2002-01-17 2005-05-24 Micron Technology Inc. Three-dimensional photonic crystal waveguide structure and method
US7041575B2 (en) * 2003-04-29 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Localized strained semiconductor on insulator
US6987037B2 (en) * 2003-05-07 2006-01-17 Micron Technology, Inc. Strained Si/SiGe structures by ion implantation
US7008854B2 (en) 2003-05-21 2006-03-07 Micron Technology, Inc. Silicon oxycarbide substrates for bonded silicon on insulator
US7273788B2 (en) 2003-05-21 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Ultra-thin semiconductors bonded on glass substrates
US7662701B2 (en) 2003-05-21 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Gettering of silicon on insulator using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers
US7501329B2 (en) 2003-05-21 2009-03-10 Micron Technology, Inc. Wafer gettering using relaxed silicon germanium epitaxial proximity layers
US6929984B2 (en) * 2003-07-21 2005-08-16 Micron Technology Inc. Gettering using voids formed by surface transformation
US7439158B2 (en) 2003-07-21 2008-10-21 Micron Technology, Inc. Strained semiconductor by full wafer bonding
US7153753B2 (en) 2003-08-05 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Strained Si/SiGe/SOI islands and processes of making same
US7396779B2 (en) 2003-09-24 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Electronic apparatus, silicon-on-insulator integrated circuits, and fabrication methods
KR100604527B1 (ko) * 2003-12-31 2006-07-24 동부일렉트로닉스 주식회사 바이폴라 트랜지스터 제조방법
US7544584B2 (en) 2006-02-16 2009-06-09 Micron Technology, Inc. Localized compressive strained semiconductor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3622382A (en) * 1969-05-05 1971-11-23 Ibm Semiconductor isolation structure and method of producing
US3666548A (en) * 1970-01-06 1972-05-30 Ibm Monocrystalline semiconductor body having dielectrically isolated regions and method of forming
US3840409A (en) * 1970-03-16 1974-10-08 Ibm Insulating layer pedestal transistor device and process
US3707765A (en) * 1970-11-19 1973-01-02 Motorola Inc Method of making isolated semiconductor devices
BE792589A (fr) * 1971-10-06 1973-03-30 Ibm Procede d'obtention de structures semiconductrices par implantation d'ions
US3791024A (en) * 1971-10-21 1974-02-12 Rca Corp Fabrication of monolithic integrated circuits
US3873373A (en) * 1972-07-06 1975-03-25 Bryan H Hill Fabrication of a semiconductor device
US3886587A (en) * 1973-07-19 1975-05-27 Harris Corp Isolated photodiode array
US3855009A (en) * 1973-09-20 1974-12-17 Texas Instruments Inc Ion-implantation and conventional epitaxy to produce dielectrically isolated silicon layers
JPS5068072A (fr) * 1973-10-17 1975-06-07
JPS5329551B2 (fr) * 1974-08-19 1978-08-22
JPS6041458B2 (ja) * 1975-04-21 1985-09-17 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US3976511A (en) * 1975-06-30 1976-08-24 Ibm Corporation Method for fabricating integrated circuit structures with full dielectric isolation by ion bombardment

Also Published As

Publication number Publication date
GB1601676A (en) 1981-11-04
JPS5474682A (en) 1979-06-14
JPS5721856B2 (en) 1982-05-10
FR2410364A1 (fr) 1979-06-22
DE2808257A1 (de) 1979-05-31
DE2808257C3 (de) 1981-12-24
DE2808257B2 (de) 1981-02-19
FR2410364B1 (fr) 1983-01-21
US4241359A (en) 1980-12-23
CA1095183A (fr) 1981-02-03
NL7802260A (nl) 1979-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL182999C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij in een halfgeleiderlichaam een begraven laag van isolerend materiaal wordt gevormd.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7510903A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgelei- derinrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL189220C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een bipolaire transistor.
NL7810373A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7812385A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL186667C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een kristallijn lichaam.
NL7606206A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een trilin- richting, alsmede een trilinrichting.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7607298A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7605616A (nl) Parallellepipedumvormige verpakkingshouder en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7710635A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
CNR Transfer of rights (patent application after its laying open for public inspection)

Free format text: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 980301