RU2632937C2 - Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц - Google Patents

Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц Download PDF

Info

Publication number
RU2632937C2
RU2632937C2 RU2013157921A RU2013157921A RU2632937C2 RU 2632937 C2 RU2632937 C2 RU 2632937C2 RU 2013157921 A RU2013157921 A RU 2013157921A RU 2013157921 A RU2013157921 A RU 2013157921A RU 2632937 C2 RU2632937 C2 RU 2632937C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
charged particles
elementary beams
hole
electrodes
beams
Prior art date
Application number
RU2013157921A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013157921A (ru
Inventor
Арнаут Христиан ЗОННЕВИЛЛЕ
Питер КРЕЙТ
Original Assignee
МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. filed Critical МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Publication of RU2013157921A publication Critical patent/RU2013157921A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2632937C2 publication Critical patent/RU2632937C2/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002Details
    • H01J37/3007Electron or ion-optical systems
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043Beam blanking
    • H01J2237/0435Multi-aperture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/049Focusing means
    • H01J2237/0492Lens systems
    • H01J2237/04924Lens systems electrostatic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/10Lenses
    • H01J2237/12Lenses electrostatic
    • H01J2237/1205Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15Means for deflecting or directing discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/153Correcting image defects, e.g. stigmators
    • H01J2237/1532Astigmatism
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу и устройству для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц. Манипуляторное устройство содержит плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпоновано для прохождения через него по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением. Технический результат - повышение качества и производительности литографии. 3 н. и 33 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Устройство относится к способу влияния на и/или управления траекторией одного или более элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц.
Данное изобретение более конкретно относится к устройству с множественными элементарными пучками заряженных частиц, использующему множество элементарных пучков заряженных частиц, причем указанное устройство содержит манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц. Например, многолучевые электронно-лучевые системы разрабатываются для высокопроизводительных систем безмасочной литографии, многолучевой электронно-лучевой микроскопии и устройств осаждения, стимулированного множественными электронными пучками.
Данное изобретение дополнительно относится к системе безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, системе микроскопии множественными элементарными пучками заряженных частиц, устройству осаждения, стимулированного пучком с множественными элементарными пучками заряженных частиц, и манипуляторному устройству для использования в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Система литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц для экспонирования мишени с использованием множества элементарных пучков раскрыта, например, в WO 2009/127659 A2. Устройство литографии содержит устройство отклонения, содержащее множество дефлекторов, при этом устройство отклонения содержит множество ячеек памяти, причем каждая ячейка обеспечена запоминающим элементом и присоединена к дефлектору. Запоминающий элемент эффективно используется как управляющий сигнал локально доступного усилителя, который предоставляет по существу дискретный сигнал дефлекторам. Другими словами, дефлектор либо включается, либо выключается. Это является очень важным этапом для получения высокой точности этапа формирования рисунка для системы литографии, и высокой производительности пластин.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение нацелено на предоставление манипуляторного устройства и устройства с множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащего такое манипуляторное устройство, обеспечивающее возможность улучшенной манипуляции отдельными элементарными пучками из указанного множества элементарных пучков.
Согласно первому аспекту, данное изобретение предоставляет способ влияния на и/или управления траекторией одного или более элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом указанное устройство содержит манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, и электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия из решетки со сквозными отверстиями, при этом способ содержит этап, на котором предоставляют раздельное управление регулированием для каждого сквозного отверстия посредством обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
Посредством предоставления напряжения на один или более электродов, может быть сгенерировано электростатическое поле, поле которого может быть использовано для влияния и/или управления траекторией заряженной частицы в элементарном пучке заряженных частиц. До сих пор раздельная манипуляция элементарными пучками, по меньшей мере в оптической колонне заряженных частиц, в которой многочисленные элементарные пучки возникают из одного источника, который испускает пучок заряженных частиц, который разделен на указанное множество элементарных пучков, ограничена решеткой дефлекторов для по существу дискретного включения или выключения отдельных элементарных пучков.
Манипуляторное устройство настоящего изобретения способно предоставить управление раздельно регулируемым напряжением для электродов каждого отдельного сквозного отверстия. Предпочтительно, напряжение может быть установлено на различные отличающиеся уровни для каждого отдельного сквозного отверстия, предоставляя раздельное управление регулированием для каждого элементарного пучка. В частности, напряжение является раздельно регулируемым для каждого электрода.
В варианте осуществления, устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц содержит датчик для определения по меньшей мере одной характеристики указанных элементарных пучков заряженных частиц, при этом датчик присоединен к указанной электронной схеме управления, при этом способ содержит этап, на котором предоставляют раздельное управление регулированием для каждого сквозного отверстия на основе сигнала обратной связи, предоставленного датчиком на электронную схему управления.
Обычно нарушение и/или сдвиг в совмещении элементарных пучков происходит с очень низкой скоростью. Внезапным озарением изобретателя, которое позволило ему понять, что такое медленное нарушение и/или сдвиг могут быть скорректированы для каждого отдельного элементарного пучка из множества элементарных пучков, является устройство с множественными элементарными пучками.
Согласно данному изобретению периодически проверяется совмещение отдельных элементарных пучков, например, каждый раз во время замены мишени в системе литографии, элементарные пучки проверяются с использованием датчика, и схема управления регулирует управляющие сигналы для того, чтобы предоставить скорректированные настройки для манипуляторного устройства, чтобы по существу скорректировать нарушение или сдвиг одного или более отдельных элементарных пучков. Впоследствии, скорректированная настройка манипуляторного устройства сохраняется во время обработки последующей мишени.
В качестве альтернативы, комбинация манипулятора, схемы управления и датчика также обеспечивает возможность системы обратной связи для регулирования и/или оптимизации каждого элементарного пучка и/или совмещения каждого элементарного пучка по отдельности в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, в частности, системе литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц. В варианте осуществления система обратной связи скомпонована для динамического регулирования и/или оптимизации каждого элементарного пучка и/или совмещения каждого элементарного пучка по отдельности. Эта система обратной связи предпочтительно скомпонована, предпочтительно как единое целое, в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, в частности, в системе литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц. В варианте осуществления, манипуляторное устройство скомпоновано для фокусировки, отклонения или исправления астигматизма (в частности, уменьшения астигматизма) отдельных элементарных пучков из указанного множества элементарных пучков. Улучшенное манипуляторное устройство данного изобретения может быть использовано для манипуляции отдельными элементарными пучками из указанного множества элементарных пучков не только для отклонения отдельных элементарных пучков, но также для других функций, таких как раздельная фокусировка элементарных пучков или коррекция астигматизма отдельных элементарных пучков, как будет очевидно из описания вариантов осуществления ниже.
Электронная схема управления скомпонована для обеспечения каждого из одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением. Используя такое регулируемое напряжение, небольшие коррекции могут быть сделаны для каждого элементарного пучка, например, для коррекции угла отклонения, для регулирования силы электростатической элементарной линзы или для обеспечения коррекции астигматизма, для того, чтобы оптимизировать множество элементарных пучков.
В одном варианте осуществления, электронная схема управления по меньшей мере частично скомпонована на плоской подложке и по меньшей мере частично рядом с указанными сквозными отверстиями.
В одном варианте осуществления, каждое сквозное отверстие скомпоновано для предоставления прохода для одного одиночного элементарного пучка. В альтернативном варианте осуществления, каждое сквозное отверстие скомпоновано для предоставления прохода для нескольких элементарных пучков, например, группы элементарных пучков 7×7.
В одном варианте осуществления, плоская подложка является пластиной, и при этом электронная схема управления содержит интегральную схему на указанной плоской подложке. В одном варианте осуществления, электронная схема управления по меньшей мере частично скомпонована между двумя сквозными отверстиями. Соответственно, схема управления скомпонована вблизи фактических сквозных отверстий с одним или более электродами. В частности, электронная схема управления может быть соответствующим образом скомпонована между сквозными отверстиями, более конкретно, в областях без пучка между двумя группами сквозных отверстий.
В одном варианте осуществления, электронная схема управления содержит память для хранения управляющих данных для одного или более электродов из одного или более отдельных сквозных отверстий, причем память скомпонована на плоской подложке и рядом с указанными сквозными отверстиями. В дополнительном варианте осуществления, указанная память скомпонована для хранения управляющих данных для установки напряжения на различные отличающиеся уровни для каждого отдельного сквозного отверстия.
В одном варианте осуществления, память скомпонована для хранения управляющих данных для одного или более электродов из одного отдельного сквозного отверстия, причем память скомпонована на плоской подложке и рядом с указанным отдельным сквозным отверстием. В одном варианте осуществления, память скомпонована между двумя сквозными отверстиями.
В одном варианте осуществления, один или более электродов содержат металл, который осажден на плоской подложке. В одном варианте осуществления, металл содержит молибден. Хотя формирование структуры осажденного молибдена на пластине является сложным процессом, он является полезным, так как его поверхностный оксид является электропроводящим, тем самым минимизируя ошибки пучка из-за заряда указанных электродов.
В одном варианте осуществления, один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке. В одном варианте осуществления, сквозные отверстия продолжаются по меньшей мере по существу поперек к поверхности указанной подложки.
В одном варианте осуществления, один или более электродов сквозного отверстия по меньшей мере частично скомпонованы у внутренней лицевой стенки указанного сквозного отверстия. В одном варианте осуществления, указанный один или более электродов продолжаются в сквозном отверстии в направлении по существу параллельном центральной линии указанного сквозного отверстия. Такие электроды могут предоставить более однородное электростатическое поле для более точного манипулирования заряженными частицами в элементарном пучке.
В одном варианте осуществления, один или более электродов каждого сквозного отверстия по меньшей мере по существу окружены заземленным электродом. В одном варианте осуществления, заземленный электрод содержит металл, который осажден на плоской подложке. В одном варианте осуществления, металл содержит молибден. Так как отдельные сквозные отверстия и их электроды скомпонованы в непосредственной близости, окружающий заземленный электрод по меньшей мере уменьшает перекрестные помехи.
В одном варианте осуществления, поверхность одного или более электродов, которая обращена от плоской подложки, скомпонована на высоте между плоской подложкой и поверхностью заземленного электрода, которая обращена от указанной плоской подложки. В одном варианте осуществления, толщина заземленного электрода на плоской подложке больше, чем толщина одного или более электродов на плоской подложке. В этих вариантах осуществления, один или более электродов скомпонованы в углубленном расположении относительно окружающего заземленного электрода. Более высокий уровень окружающего заземленного электрода относительно уровня одного или более электродов в сквозном отверстии дополнительно уменьшает любые перекрестные помехи между одним или более электродами находящихся рядом сквозных отверстий. В дополнение, более высокий уровень окружающего заземленного электрода относительно уровня одного или более электродов в сквозном отверстии уменьшает ошибки пучка из-за электростатических полей рассеяния.
В одном варианте осуществления, электронная схема управления содержит соединительные выводы для соединения электронной схемы управления с одним или более электродами, при этом по меньшей мере один из указанных соединительных выводов по меньшей мере частично скомпонован между двумя заземленными электропроводящими слоями. В одном варианте осуществления, по меньшей мере один из указанных соединительных выводов по меньшей мере частично скомпонован между двумя заземленными выводами. Посредством компоновки по меньшей мере некоторых их соединительных выводов, по меньшей мере частично между проводящими слоями и/или выводами, указанные выводы экранированы, что уменьшает какие-либо помехи между соединительными выводами.
В одном варианте осуществления, указанное манипуляторное устройство содержит решетку электростатических линз, в которой каждая из указанных электростатических линз содержит одно сквозное отверстие из указанной решетки со сквозными отверстиями, в которой каждое из сквозных отверстий содержит один электрод, скомпонованный вокруг соответствующего сквозного отверстия, и при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного электрода каждого отдельного сквозного отверстия линзы из указанной решетки электростатических линз регулируемым напряжением для раздельного регулирования силы указанной линзы.
В одном варианте осуществления, указанное манипуляторное устройство содержит решетку электростатических дефлекторов, в которой каждый из указанных электростатических дефлекторов содержит одно сквозное отверстие из указанной решетки со сквозными отверстиями, в которой каждое из сквозных отверстий содержит два или более электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, и при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения двух или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия дефлектора из указанной решетки электростатических дефлекторов регулируемым напряжением для раздельного регулирования величины отклонения элементарного пучка заряженных частиц, стимулированного указанным дефлектором.
В одном варианте осуществления, указанное манипуляторное устройство содержит решетку электростатических корректоров астигматизма, в которой каждый из указанных электростатических корректоров астигматизма содержит одно сквозное отверстие из указанной решетки со сквозными отверстиями, в которой каждое из сквозных отверстий содержит восемь электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, и при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения восьми электродов каждого отдельного сквозного отверстия корректора астигматизма из указанной решетки электростатических корректоров астигматизма регулируемым напряжением для раздельного регулирования величины коррекции астигматизма элементарного пучка заряженных частиц, стимулированной указанным корректором астигматизма.
В одном варианте осуществления, электронная схема управления содержит демультиплексор для извлечения управляющих данных для одного или более отдельных сквозных отверстий из мультиплексированного сигнала, причем демультиплексор скомпонован на плоской подложке и рядом с указанными сквозными отверстиями.
В одном варианте осуществления, демультиплексор скомпонован для извлечения управляющих данных для одного или более электродов из одного отдельного сквозного отверстия, причем демультиплексор скомпонован на плоской подложке и рядом с указанным отдельным сквозным отверстием.
В одном варианте осуществления, демультиплексор скомпонован между находящимися рядом сквозными отверстиями.
В одном варианте осуществления, число соединительных выводов к устройству по существу меньше, чем число электродов. В одном варианте осуществления, число соединительных выводов к сквозному отверстию по существу меньше, чем число электродов указанного сквозного отверстия.
Согласно второму аспекту, данное изобретение предоставляет устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащее манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, и
электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
В одном варианте осуществления, устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц дополнительно содержит датчик для определения по меньшей мере одной характеристики указанного множества элементарных пучков заряженных частиц, при этом датчик присоединен к указанной электронной схеме управления для предоставления сигнала обратной связи. Такая компоновка обратной связи особенно полезна в системе с множественными элементарными пучками для того, чтобы обеспечить возможность автоматической обратной связи для раздельно регулируемых напряжений каждого из одного или более электродов каждого из отдельных сквозных отверстий, для установки каждого из регулируемых напряжений в требуемое значение для получения желаемой коррекции каждого элементарного пучка из указанного множества элементарных пучков.
В одном варианте осуществления, манипуляторное устройство является первым манипуляторным устройством, имеющим первую плоскую подложку, содержащую первую решетку со сквозными отверстиями в плоскости первой плоской подложки, при этом устройство с пучками заряженных частиц содержит второе манипуляторное устройство, имеющее вторую плоскую подложку, содержащую вторую решетку со сквозными отверстиями в плоскости второй плоской подложки, при этом каждое из сквозных отверстий содержит один или более электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, при этом вторая плоская подложка скомпонована на расстоянии и по существу параллельно к первой плоской подложке, при этом каждое сквозное отверстие второй решетки со сквозными отверстиями находится по меньшей мере по существу на одной линии со сквозным отверстием первой решетки со сквозными отверстиями. В одном варианте осуществления, сквозные отверстия имеют радиус r, и при этом расстояние d между первой и второй плоской подложкой равно или меньше, чем радиус r. В одном варианте осуществления, один или более электродов первого и второго манипуляторного устройства скомпонованы на указанной первой и второй подложке, соответственно, и при этом один или более электродов на первой подложке и один или более электродов на второй подложке обращены друг к другу. В одном варианте осуществления, второе манипуляторное устройство по меньшей мере по существу отражено симметрично к первому манипуляторному устройству, по меньшей мере относительно центральной плоскости между первым и вторым манипуляторным устройством.
Согласно третьему аспекту, данное изобретение предоставляет устройство безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащее манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, и
электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
В варианте осуществления, устройство безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц и/или его манипуляторное устройство обеспечено одним или более средствами, описанными в вышеупомянутых вариантах осуществления.
Согласно четвертому аспекту, данное изобретение предоставляет манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, и
электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
В варианте осуществления, манипуляторное устройство обеспечено одним или более средствами, описанными в вышеупомянутых вариантах осуществления.
Различные аспекты и признаки, описанные и показанные в данном описании, могут быть применены, по отдельности, всегда когда возможно. Эти отдельные аспекты, в частности аспекты и признаки, описанные в приложенных зависимых пунктах формулы изобретения, могут быть сделаны субъектом выделенных заявок на патент.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Данное изобретение будет разъяснено на основании примерного варианта осуществления, показанного на приложенных чертежах, на которых:
Фиг. 1 показывает схематичное поперечное сечение системы безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц,
Фиг. 2 показывает схематичное изображение в разобранном виде первого примера манипуляторного устройства, содержащего решетку квадрупольных дефлекторов,
Фиг. 3 показывает вид сверху квадрупольного опытного манипуляторного устройства по Фиг. 1,
Фиг. 4 показывает вид сверху второго примера решетки манипуляторов, где каждый содержит один электрод для использования в решетке линз Энзеля,
Фиг. 5 показывает схематичное поперечное сечение одного манипулятора 11 для использования в манипуляторном устройстве по Фиг. 4,
Фиг. 6 показывает вид сверху третьего примера решетки манипуляторов, где каждый манипулятор содержит восемь электродов для образования октуполя,
Фиг. 7 показывает схематичное поперечное сечение дополнительного примера манипулятора для использования в манипуляторном устройстве,
Фиг. 8A показывает схематичный вид сверху манипуляторного устройства для использования в системе литографии по Фиг. 1,
Фиг. 8B показывает подробности схематичного вида сверху по Фиг. 8A, схематично показывающий электронную схему управления в областях без пучка, и
Фиг. 9 показывает схематичное поперечное сечение устройства контроля множественных элементарных пучков заряженных частиц.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Многолучевые электронно-лучевые системы разрабатываются для высокопроизводительной литографии, многолучевой электронно-лучевой микроскопии и осаждения, стимулированного множественными электронными пучками. В частности, для систем литографии и осаждения, для формирования рисунка используется гашение отдельного пучка, которое включается и выключается.
Однако, также было бы полезно позиционировать, фокусировать, подвергать векторному сканированию и исправлять астигматизм элементарных пучков по отдельности. До сих пор, нет устройства для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц по отдельности в отношении отдельного регулирования позиции, фокуса, векторного сканирования или исправления астигматизма. Одной проблемой такой системы является огромная величина данных, требуемых для раздельного управления каждым элементарным пучком по отдельности. Другой проблемой является небольшой размер каждого из манипуляторов и небольшое пространство между находящимися рядом манипуляторами.
Настоящее изобретение предлагает использовать технологию MEMS для изготовления манипуляторных устройств, содержащих решетку манипуляторов для манипулирования одним или более элементарными пучками зараженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц. Манипуляторы предпочтительно имеют боковые размеры, изменяющиеся от приблизительно 150 микрометров до 2 микрометров, в зависимости от их назначения.
Одной из задач является спроектировать электроды с помощью производственного процесса, который совместим с правилами производства чипов и электронно-оптического проектирования. К тому же, желательно управлять тысячами пучков без необходимости иметь тысячи внешних управляющих проводов.
Фиг. 1 показывает схематический чертеж устройства 100 литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц на основе оптической системы с пучком заряженных частиц без пересечения всех элементарных пучков заряженных частиц. Такая система литографии содержит источник 101 заряженных частиц, например, источник электронов, для порождения расширяющегося пучка 120 заряженных частиц. Расширяющийся пучок проходит коллимирующую линзу 102 для коллимирования пучка 120 заряженных частиц.
Впоследствии коллимированный пучок 120 падает на апертурную решетку 104, которая блокирует часть коллимированного пучка 120 для создания подпучков 121. Подпучки 121 падают на дополнительную апертурную решетку 105 для создания элементарных пучков 122. Решетка 103 конденсаторных линз (или набор решеток конденсаторных линз) включен для фокусировки подпучков 121 по направлению к отверстию решетки 108 остановки пучка конечного модуля 107.
Создающая элементарные пучки апертурная решетка 105 предпочтительно включена совместно с решеткой схем гашения элементарного пучка, например, скомпонована близко вместе с апертурной решеткой 105 перед решеткой 106 схем гашения.
Как показано на Фиг. 1, конденсаторная линза или линзы 103 фокусируют подпучки 121 либо в соответствующем отверстии в решетке 108 остановки пучка конечного модуля 107, либо по направлению к нему. В этом примере, апертурная решетка 105 порождает три элементарных пучка 122 из подпучка 121, которые сталкиваются с решеткой остановки пучка на соответствующем отверстии, так что три элементарных пучка 122 проецируются на мишень 110 посредством системы 109 проекционных линз в конечном модуле 107. На практике может быть порождена группа элементарных пучков с гораздо большим числом элементарных пучков посредством апертурной решетки 105 для каждой системы 109 проекционных линз в конечном модуле 107. В практическом варианте осуществления обычно около пятидесяти элементарных пучков могут быть направлены через одиночную систему 109 проекционных линз, и оно может быть увеличено до двухсот или больше. Как показано на Фиг. 1, решетка 106 схем гашения элементарного пучка может отклонять отдельные элементарные пучки в группе элементарных пучков 122 в определенные моменты времени для того, чтобы погасить их. Это проиллюстрировано погашенным элементарным пучком 123, который был отклонен в расположение на решетке 108 остановки пучка вблизи отверстия, но не на нем.
В соответствии с данным изобретением, оптическая колонна заряженных частиц может быть обеспечена одним или более манипуляторными устройствами, как описано более подробно ниже. Такое манипуляторное устройство 300 может быть скомпоновано за коллимирующей линзой 102 для:
- предоставления отклонения в плоскости по существу перпендикулярной оптической оси оптической колонны заряженных частиц для того, чтобы скорректировать неправильные совмещения одного или более устройств оптической колонны заряженных частиц, и/или
- предоставления коррекции для любого астигматизма, который может быть вызван макроскопической линзой, обычно магнитной линзой, которая преломляет целый пучок 120, все подпучки 121 или все элементарные пучки 122, такой как коллимирующая линза 102.
Такое манипуляторное устройство 310 может также быть предоставлено как часть конечного модуля 107 для предоставления двухмерного отклонения в системе 109 проекционных линз и обеспечения возможности векторного сканирования элементарных пучков в одной группе.
Манипуляторное устройство 300, 310 присоединено к электронной схеме 430 управления, которая предоставляет управляющие сигналы 433, 434 манипуляторному устройству 300, 310.
В дополнение, оптическая колонна заряженных частиц обеспечена датчиком для определения по меньшей мере одной характеристики элементарного пучка из множества элементарных пучков, при этом датчик присоединен к указанной электронной схеме 430 управления для того, чтобы предоставить сигнал обратной связи. Такой датчик 410 может быть предоставлен на решетке 108 остановки пучка, предпочтительно в расположении, куда элементарные пучки направляются при гашении. В качестве альтернативы, датчик 420 может быть скомпонован по существу в расположении мишени 110 во время замены мишени, которая была обработана, мишенью, которая должна быть обработана. Во время этой замены детектор 420 может быть перемещен XY под элементарными пучками, и может быть проверено совмещение элементарных пучков, и если необходимо, манипуляторные устройства 300, 310 могут быть, предпочтительно автоматически, отрегулированы на основе сигнала 431, 432 обратной связи, предоставленного датчиком 410, 420 электронной схеме 430 управления.
Следует отметить, что любое нарушение и/или сдвиг в совмещении элементарных пучков 122 происходит с очень низкой скоростью по сравнению с отклонением элементарных пучков 122 решеткой 106 схем гашения элементарного пучка. Например, каждый раз во время замены мишени, элементарные пучки 122 проверяются с использованием датчиков 410, 420, и схема 430 управления регулирует управляющие сигналы 433, 434 для того, чтобы предоставить скорректированные настройки для манипуляторных устройств 300, 310, чтобы по существу скорректировать нарушение и/или сдвиг одного или более отдельных элементарных лучей 122. Впоследствии, скорректированная настройка манипуляторных устройств 300, 310 сохраняется во время обработки последующей мишени.
В качестве альтернативы, комбинация манипулятора 300, схемы 430 управления и датчиков 410, 420 также предоставляет систему обратной связи для регулирования и/или оптимизации каждого элементарного пучка и/или совмещения каждого элементарного пучка по отдельности в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, в частности, системе литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц. В варианте осуществления система обратной связи скомпонована для динамического регулирования и/или оптимизации каждого элементарного пучка и/или совмещения каждого элементарного пучка по отдельности. Эта система обратной связи предпочтительно скомпонована, предпочтительно как единое целое, в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, в частности, в системе литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц.
Первый пример манипуляторного устройства 300, 310 согласно данному изобретению показан, отчасти, на Фиг. 2 и 3. Фиг. 2 показывает квадрупольный дефлектор 1 множественных элементарных пучков, который был изготовлен с использованием технологии MEMS. Процесс производства является биполярно совместимым, обеспечивая возможность объединения локальной электроники, например обеспечивающей возможность функциональности выборки и удержания.
Квадрупольный дефлектор 1 множественных элементарных пучков содержит по существу плоскую подложку 3, которая обеспечена решеткой со сквозными отверстиями 2, которые равномерно скомпонованы в ряды и колонны. Сквозные отверстия 2 продолжаются по меньшей мере по существу поперек к поверхности S плоской подложки 3 и скомпонованы для прохождения через них по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц.
Сверху плоской подложки 3, которая с этом примере является кремниевым чипом, скомпонована электронная схема 4 управления. Электронная схема 4 управления содержит интегральную схему, которая была скомпонована рядом со сквозными отверстиями 2, в частности на областях без пучка плоской подложки 3. Сверху электронной схемы 4 управления, предоставлен изолирующий слой 5, сверху которого, изолирующего слоя 5, скомпонован слой 6 электродов.
Каждое из сквозных отверстий 2 обеспечено четырьмя электродами 7, скомпонованными вокруг сквозного отверстия 2 на указанной подложке 3. Каждое сквозное отверстие 2 с его четырьмя электродами 7 образует отдельный манипулятор 10 для манипулирования одним или более элементарными пучками, которые пересекают сквозное отверстие 2. Таким образом манипуляторное устройство 1 содержит решетку отдельных манипуляторов 10, которые скомпонованы в ряды и колонны.
Электроды 7 предпочтительно сделаны из молибдена, однако, они могут также быть сделаны из других проводящих материалов. Слой 6 электродов составляет примерно 4 микрометра в толщину, и электроды были сделаны посредством анизотропного травления молибдена с использованием реактивного ионного травления.
Следует отметить, что четыре электрода 7 окружены остальной частью 8 слоя 6 электродов, как показано на схематичном виде сверху по Фиг. 2. Эта остальная часть 8, которая электрически изолирована от электродов 7, используется в качестве заземленного электрода 8, который окружает четыре электрода 7 на расстоянии. Под слоем 6 электродов, есть слой изолирующего материала 5, который обеспечен межслойными отверстиями 51 для присоединения каждого из электродов 7 к электронной схеме 4 управления под слоем изолирующего материала 5.
Электронная схема 4 управления предоставляет управляющие сигналы каждому из четырех электродов 7 каждого сквозного отверстия 2. Электронная схема 4 управления скомпонована на плоской подложке 3 и по меньшей мере частично рядом с указанными сквозными отверстиями 2 и скомпонована для обеспечения каждого из четырех электродов 7 каждого сквозного отверстия 2 раздельно регулируемым напряжением для отклонения одного или более элементарных пучков заряженных частиц, которые, при использовании, пересекают указанное сквозное отверстие 2. Каждый манипулятор 10 указанного манипуляторного устройства 1, таким образом, может быть использовано для отклонения элементарного пучка заряженных частиц в любом направлении в плоскости, параллельной поверхности S плоской подложки 3, с помощью регулируемого напряжения для раздельного регулирования величины отклонения элементарного пучка заряженных частиц, стимулированного указанным дефлектором 10.
Фиг. 4 и 5 показывают второй пример манипулятора 11 для использования в устройстве по данному изобретению. По сути, манипуляторное устройство по этому второму примеру содержит такую же структуру как устройство, показанное в разобранном виде по Фиг. 2. То есть устройство содержит по существу плоскую подложку 13, которая обеспечена решеткой со сквозными отверстиями 12, которые равномерно скомпонованы в ряды и колонны, как показано на виде сверху по Фиг. 4. Сквозные отверстия 12 скомпонованы для прохождения через них по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц и обеспечены одним электродом 17 который окружает сквозное отверстие 12.
Сверху плоской подложки 13 скомпонована электронная схема 14 управления. Электронная схема 14 управления содержит интегральную схему, которая была скомпонована рядом со сквозными отверстиями 12. В этом примере электронная схема 14 управления собрана из нескольких слоев 15 с интегральной электронной схематикой, которые взаимно соединены с помощью межслойных отверстий 51.
Также на краю сквозных отверстий 12 предоставлены межслойные отверстия 52, при этом межслойные отверстия 52 присоединены к верхнему электроду 17. Межслойные отверстия 52 предоставляют продолжение верхнего электрода 17 внутри сквозного отверстия 12. Таким образом, электрод 17 сквозного отверстия по меньшей мере частично скомпонован у внутренней лицевой стенки указанного сквозного отверстия. Межслойные отверстия 52 на краю сквозных отверстий 12 изготовлены в то же время и используют тот же процесс, используемый для изготовления интегральной электронной схемы 14 управления.
Каждое из сквозных отверстий 12 обеспечено одним электродом 17, скомпонованным вокруг сквозного отверстия 12 на указанной подложке 13. На расстоянии выше плоской подложки 13 скомпонован дополнительный электрод 19. Дополнительный электрод 19 также содержит решетку со сквозными отверстиями 12', которая совмещена со сквозными отверстиями 12 подложки 13, как схематично показано в поперечном сечении на Фиг. 5. Каждое сквозное отверстие 12 с его электродом 17 и дополнительным электродом 19 образует отдельную линзу 11 Энзеля, которая при использовании обеспечивается регулируемым напряжением для раздельного регулирования фокусного расстояния или силы указанной линзы 11.
Этот второй пример, таким образом, предоставляет манипуляторное устройство 16, которое содержит решетку электростатических линз 11, в которой каждая из указанных электростатических линз 11 содержит одно сквозное отверстие 12 из указанной решетки со сквозными отверстиями, в которой каждое из сквозных отверстий 12 содержит один электрод 17, скомпонованный вокруг соответствующего сквозного отверстия 12, и при этом электронная схема 14 управления скомпонована для обеспечения одного электрода 12 каждого отдельного сквозного отверстия линзы 11 из указанной решетки электростатических линз регулируемым напряжением для раздельного регулирования силы указанной линзы 11.
Фиг. 6 показывает третий пример манипуляторного устройства 20 по данному изобретению. По сути, манипуляторное устройство 20 по этому третьему примеру содержит такую же структуру как устройство, показанное в разобранном виде по Фиг. 2. То есть устройство содержит по существу плоскую подложку, которая обеспечена решеткой со сквозными отверстиями 22, которые равномерно скомпонованы в ряды и колонны, как показано на виде сверху по Фиг. 6. Сквозные отверстия 22 скомпонованы для прохождения через них по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц. Каждое из сквозных отверстий 22 обеспечено восемью электродами 27, которые окружают сквозное отверстие 12. Каждое сквозное отверстие 12 с его электродами 17 образует отдельный октупольный дефлектор, который при использовании обеспечивается регулируемым напряжением для раздельного регулирования траектории элементарных пучков, которые пересекают одно из указанных сквозных отверстий 12, например, для предоставления стигматической коррекции для каждого отдельного элементарного пучка.
Таким образом, манипуляторное устройство 20 по этому третьему примеру содержит решетку электростатических стигматических корректоров 21, например, для коррекции какого-либо астигматизма элементарных пучков, в которой каждый из указанных электростатических стигматических корректоров 21 содержит одно сквозное отверстие 22 из указанной решетки сквозных отверстий, в которой каждое из сквозных отверстий 22 содержит восемь электродов 27, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия 22, и при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения восьми электродов 27 каждого отдельного сквозного отверстия 22 стигматического корректора 21 из указанной решетки электростатических стигматических корректоров регулируемым напряжением для раздельного регулирования величины стигматической коррекции элементарного пучка заряженных частиц, стимулированной указанным стигматическим корректором.
В дополнительном примере устройства по данному изобретению, как в частичном поперечном сечении по Фиг. 7, устройство 31 содержит первое манипуляторное устройство 30, имеющее первую плоскую подложку 33, содержащую первую решетку со сквозными отверстиями 32 в плоскости первой плоской подложки 33, в которой каждое из сквозных отверстий 32 содержит один или более электродов 37, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия 32, и при этом один или более электродов 37 скомпонованы на указанной подложке 33. В дополнение, устройство 31 содержит второе манипуляторное устройство 30', имеющее вторую плоскую подложку 33', содержащую вторую решетку со сквозными отверстиями 32' в плоскости второй плоской подложки, в которой каждое из сквозных отверстий 32' содержит один или более электродов 37', скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия 32', и при этом один или более электродов 32' скомпонованы на указанной подложке 33'. Вторая плоская подложка 33' скомпонована на расстоянии d и по существу параллельна первой плоской подложке 33, на которой каждое сквозное отверстие 32' второго манипуляторного устройства 30' по меньшей мере по существу находится на одной линии со сквозным отверстием 32 первого манипуляторного устройства 30. В варианте осуществления первое 30 и второе 30' манипуляторные устройства образованы в виде одного блока.
Сквозные отверстия 30, 32' имеют радиус r, и при этом расстояние d между первой и второй плоской подложкой по существу равно или меньше, чем радиус r. В дополнение, один или более электродов 37, 37' первого 30 и второго 30' манипуляторного устройства скомпонованы на указанной первой 33 и второй 33' подложке, так что один или более электродов 37 на первой подложке 33 и один или более электродов 37' на второй подложке 33' обращены друг к другу. Второе манипуляторное устройство 30' по существу отражено симметрично первому манипуляторному устройству 30, по меньшей мере относительно центральной плоскости между первым 30 и вторым 30' манипуляторным устройством для того, чтобы объединить каждое сквозное отверстие 32 первого манипуляторного устройства 30 с соответствующим сквозным отверстием 32' второго манипуляторного устройства 30'.
Каждое из первого 30 и второго 30' манипуляторных устройств может содержать решетку дефлекторов, имеющих два или более электродов 37, 37' для каждого сквозного отверстия 32, 32', например, четыре электрода, как показано на Фиг. 2 и 3, решетку электростатических линз, имеющую один электрод 37, 37' для каждого сквозного отверстия 32, 32', как показано на Фиг. 4, и/или решетку электростатических стигматических корректоров, имеющих восемь электродов 37, 37' для каждого сквозного отверстия 32, 32', как показано на Фиг. 6.
Ссылаясь обратно на устройство 100 безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, как показано на Фиг. 1, следует отметить, что элементарные пучки 122 являются скомпонованными группами. В результате группирования элементарных пучков 122, устройства оптической колонны заряженных частиц после апертурной решетки 104, которая блокирует часть коллимированного пучка 120 для создания подпучков 121, могут быть на области 200 с пучком и области 210 без пучка, как схематично изображено на Фиг. 8A. Эти области 210 без пучка, которые расположены между группами элементарных пучков, например, как задано посредством подпучков 121, могут быть использованы в качестве расположения для электронной схемы 510 управления, которая управляет манипуляторами 520, скомпонованными в областях 200 с пучком, как схематично показано на Фиг. 8B. Вблизи края области без пучка, предоставлены соединители 500, которые присоединены к электронным схемам 510 управления для каждого манипулятора 520 в области 200 с пучком, с использованием линий данных. От каждой электронной схемы 510 управления линии подачи напряжения направлены к отдельным электродам каждого манипулятора 520 для обеспечения каждого электрода раздельно регулируемым напряжением.
В расположении областей 210 без пучка доступно достаточно места для компоновки устройств памяти интегральной электронной схемы управления для хранения управляющих данных для манипуляторных устройств, скомпонованных в находящейся рядом области 200 с пучком. В частности, блоки памяти скомпонованы для хранения управляющих данных для установки напряжения на различные отличающиеся уровни для каждого отдельного манипулятора 520.
Также в областях 210 без пучка скомпонован демультиплексор для демультиплексирования мультиплексированного сигнала данных и передачи демультиплексированных данных на электронную схему управления и/или их устройства памяти. Такой вариант осуществления требует по существу один вывод для данных на область 201 без пучка, что значительно уменьшает число соединительных выводов.
На Фиг. 9 показан дополнительный примерный вариант осуществления данных изобретений. Фиг. 9 показывает схематичное поперечное сечение устройства контроля множественных элементарных пучков заряженных частиц для измерения свойств пучка отдельных элементарных пучков. Устройство контроля множественных элементарных пучков заряженных частиц содержит входную апертурную решетку 1050, которая, при использовании, совмещена с группой элементарных пучков 1220 так, чтобы эти элементарные пучки 1220 входили в устройство контроля. В соответствии с данным изобретением, устройство контроля содержит манипуляторное устройство 3000, содержащее манипуляторы 2, 22 отдельных элементарных пучков, как например показано на Фиг. 2, 3 и 6, для раздельного отклонения одного или более элементарных пучков 1220 в соответствии с управляющим сигналом 4330 от контроллера 4300. Со стороны манипуляторного устройства 3000, обращенного от входной апертурной решетки 1050, и на расстоянии от манипуляторного устройства 3000 скомпонованы ряды датчиков 4100, 4101, 4200.
В этом примере, ряды датчиков дополнительно содержат центральный датчик 4200, который содержит цилиндр Фарадея. Когда контроллер 4300 предоставляет управляющие сигналы 4330 манипуляторам отдельных элементарных пучков из манипуляторного устройства 3000 для отклонения всех элементарных пучков в цилиндр 4200 Фарадея, измеряется суммарный ток элементарных пучков заряженных частиц. Сигнал 4310 измерения для измерения цилиндра 4200 Фарадея направляется в контроллер 4300 и может быть отображен, сохранен и/или дополнительно оценен в контроллере 4300.
В дополнение, центральный датчик 4200 окружен несколькими датчиками 4100, 4101 для измерения свойств пучка отдельных элементарных пучков 1230. Для того, чтобы измерить свойства пучка отдельного элементарного пучка 1230, контроллер 4300 предоставляет управляющий сигнал 4330 для того, чтобы отклонить отдельный элементарный пучок 1230 на один из датчиков 4100. В случае, если манипуляторное устройство 3000 содержит отдельные дефлекторы 2, как показано на Фиг. 2, 3, отдельные элементарные пучки 1230 могут быть отражены в любом направлении, и величина отклонения в определенном направлении может регулироваться отдельно. Таким образом, отдельный элементарный пучок 1230 может быть впоследствии направлен на два или более датчиков 4100, 4101 для того, чтобы измерить разные свойства пучка. Например, один или два датчика 4100, 4101 скомпонованы для измерения суммарного тока отдельного элементарного пучка 1230, второй датчик из двух или более датчиков 4100, 4101 скомпонован для измерения первого профиля пучка, тогда как отдельный элементарный пучок 1230 сканируется в первом направлении на втором датчике, и третий датчик из двух или более датчиков 4100, 4101 скомпонован для измерения второго профиля пучка, тогда как отдельный элементарный пучок 1230 сканируется во втором направлении, которое является по меньшей мере по существу перпендикулярным к первому направлению, на третьем датчике. Сигнал 4320 измерения для измерения датчиков 4100, 4101 направляется в контроллер 4300 и может быть отображен, сохранен и/или дополнительно оценен в контроллере 4300.
Следует понимать, что вышеприведенное описание включено для иллюстрации работы предпочтительных вариантов осуществления изобретения и не предназначено для ограничения объема данного изобретения. Исходя из вышеприведенного рассмотрения, многие вариации могут быть очевидны специалисту в данной области техники, которые были бы охвачены сущностью и объемом настоящего изобретения
В заключение, настоящее изобретение относится к способу и устройству для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц. Манипуляторное устройство содержит плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.

Claims (66)

1. Способ управления траекторией одного или более элементарных пучков заряженных частиц для экспонирования мишени в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц содержит оптическую колонну для:
формирования расширяющегося пучка заряженных частиц с использованием источника заряженных частиц,
коллимирования пучка заряженных частиц с использованием коллиматора,
использования апертурной решетки для создания множественных элементарных пучков заряженных частиц для экспонирования мишени,
отклонения отдельных элементарных пучков в группе элементарных пучков в определенные моменты времени для того, чтобы погасить их с использованием решетки схем гашения элементарного пучка,
остановки отклоненных отдельных элементарных пучков с использованием решетки остановки пучка, и
проецирования неостановленных элементарных пучков на мишень с использованием системы проекционных линз,
при этом каждый из множественных элементарных пучков экспонирует мишень при негашении посредством решетки схем гашения элементарного пучка,
при этом упомянутое устройство содержит манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпоновано для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через него, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на упомянутой подложке, и
электронную схему управления для подачи управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия из решетки со сквозными отверстиями,
при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц содержит датчик для измерения по меньшей мере одной характеристики упомянутых элементарных пучков заряженных частиц, падающих на упомянутый датчик, при этом датчик присоединен к упомянутой электронной схеме управления, причем датчик находится в расположении, куда элементарные пучки направляются при гашении, или в расположении мишени во время замены мишени, которая была обработана, мишенью, которая должна быть обработана,
при этом способ содержит этапы, на которых:
обеспечивают раздельное управление регулированием для каждого сквозного отверстия посредством обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением, и
на основе сигнала обратной связи, предоставленного датчиком на электронную схему управления, обеспечивают упомянутое раздельное управление регулированием для каждого сквозного отверстия посредством установки каждого из регулируемых напряжений в значение для получения желаемой коррекции каждого элементарного пучка, чтобы обеспечить скорректированные настройки для манипуляторного устройства, чтобы, по меньшей мере, по существу скорректировать нарушение и/или сдвиг одного или более отдельных элементарных пучков.
2. Способ по п. 1, в котором упомянутое манипуляторное устройство содержит решетку электростатических линз, при этом каждая из упомянутых электростатических линз содержит одно сквозное отверстие из упомянутой решетки со сквозными отверстиями, причем каждое из сквозных отверстий содержит один электрод, скомпонованный вокруг соответствующего сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для раздельного регулирования силы каждой из упомянутых электростатических линз посредством обеспечения одного электрода каждого отдельного сквозного отверстия линзы упомянутой решетки электростатических линз, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением.
3. Способ по п. 1, в котором упомянутое манипуляторное устройство содержит решетку электростатических дефлекторов, причем каждый из упомянутых электростатических дефлекторов содержит одно сквозное отверстие из упомянутой решетки со сквозными отверстиями, при этом каждое из сквозных отверстий содержит два или более электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для раздельного регулирования величины отклонения элементарного пучка заряженных частиц, стимулированного упомянутым дефлектором, посредством обеспечения двух или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия дефлектора из упомянутой решетки электростатических дефлекторов, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением.
4. Способ по п. 1, в котором упомянутое манипуляторное устройство содержит решетку электростатических корректоров астигматизма, при этом каждый из упомянутых электростатических корректоров астигматизма содержит одно сквозное отверстие из упомянутой решетки со сквозными отверстиями, причем каждое из сквозных отверстий содержит восемь электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для раздельного регулирования величины коррекции астигматизма элементарного пучка заряженных частиц, стимулированной упомянутым корректором астигматизма, посредством обеспечения восьми электродов каждого отдельного сквозного отверстия корректора астигматизма из упомянутой решетки электростатических корректоров астигматизма, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением.
5. Способ по п. 1, в котором манипуляторное устройство скомпоновано за коллиматором для:
- отклонения одного или более из упомянутого одного или более элементарных пучков заряженных частиц в плоскости, по существу перпендикулярной оптической оси оптической колонны заряженных частиц для того, чтобы скорректировать неправильные совмещения одного или более устройств оптической колонны заряженных частиц, и/или
- корректирования одного или более из упомянутых одного или более элементарных пучков заряженных частиц для астигматизма.
6. Способ по п. 1, в котором манипуляторное устройство предоставлено как часть системы проекционных линз для обеспечения отклонения и/или фокусировки или дефокусировки одного или более из упомянутого одного или более элементарных пучков заряженных частиц в системе проекционных линз.
7. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащее оптическую колонну, которая содержит:
источник заряженных частиц для формирования расширяющегося пучка заряженных частиц,
коллимирующую линзу для коллимирования пучка заряженных частиц,
апертурную решетку для создания множественных элементарных пучков заряженных частиц для экспонирования мишени,
решетку схем гашения элементарного пучка для отклонения отдельных элементарных пучков в группе элементарных пучков в определенные моменты времени для того, чтобы погасить их,
решетку остановки пучка для остановки отклоненных отдельных элементарных пучков, и
систему проекционных линз для проецирования неостановленных элементарных пучков на мишень,
при этом каждый из множественных элементарных пучков экспонирует мишени при негашении посредством решетки схем гашения элементарного пучка,
при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц дополнительно содержит манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц для экспонирования мишени в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпоновано для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через него, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на упомянутой подложке, и
электронную схему управления для подачи управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением, при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц дополнительно содержит:
датчик для измерения по меньшей мере одной характеристики упомянутых элементарных пучков заряженных частиц, падающих на упомянутый датчик, при этом датчик присоединен к упомянутой электронной схеме управления для обеспечения раздельного управления регулированием для каждого сквозного отверстия на основе сигнала обратной связи, предоставленного датчиком на электронную схему управления, при этом датчик находится в расположении, куда элементарные пучки направляются при гашении, или в расположении мишени во время замены мишени, которая была обработана, мишенью, которая должна быть обработана.
8. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 7, в котором напряжение раздельно регулируется для каждого электрода упомянутого манипуляторного устройства.
9. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 7, в котором упомянутое манипуляторное устройство скомпоновано для фокусировки, отклонения или исправления астигматизма отдельных элементарных пучков из упомянутого множества элементарных пучков.
10. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 7, в котором плоская подложка упомянутого манипуляторного устройства является пластиной, и в котором электронная схема управления содержит интегральную схему на упомянутой плоской подложке.
11. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором электронная схема управления, по меньшей мере частично, скомпонована между двумя сквозными отверстиями на упомянутом манипуляторном устройстве.
12. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 11, в котором электронная схема управления скомпонована в областях без пучка между двумя сквозными отверстиями или между двумя группами сквозных отверстий на упомянутом манипуляторном устройстве.
13. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором электронная схема управления содержит память для хранения управляющих данных для одного или более электродов из одного или более отдельных сквозных отверстий, причем память скомпонована на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства и рядом с упомянутыми сквозными отверстиями.
14. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 13, в котором память скомпонована для хранения управляющих данных для одного или более электродов из одного отдельного сквозного отверстия, причем память скомпонована на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства и рядом с упомянутым отдельным сквозным отверстием.
15. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 13, в котором память скомпонована между двумя сквозными отверстиями.
16. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором один или более электродов упомянутого манипуляторного устройства содержат металл, который осажден на плоскую подложку.
17. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 16, в котором металл содержит молибден.
18. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 16, в котором один или более электродов сквозного отверстия в упомянутом манипуляторном устройстве по меньшей мере частично скомпонованы у внутренней лицевой стенки упомянутого сквозного отверстия.
19. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 18, в котором упомянутый один или более электродов продолжаются в сквозном отверстии в направлении, по существу, параллельном центральной линии упомянутого сквозного отверстия.
20. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором один или более электродов каждого сквозного отверстия упомянутого манипуляторного устройства, по меньшей мере, по существу окружены заземленным электродом.
21. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п.20, в котором заземленный электрод содержит металл, который осажден на плоскую подложку.
22. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 21, в котором металл содержит молибден.
23. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 20, в котором поверхность одного или более электродов упомянутого манипуляторного устройства, которая обращена от плоской подложки, скомпонована на высоте между плоской подложкой и поверхностью заземленного электрода, которая обращена от упомянутой плоской подложки.
24. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 23, в котором толщина заземленного электрода на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства больше, чем толщина одного или более электродов на плоской подложке.
25. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором электронная схема управления содержит соединительные выводы для соединения электронной схемы управления с одним или более электродами упомянутого манипуляторного устройства, при этом по меньшей мере один из упомянутых соединительных выводов по меньшей мере частично скомпонован между двумя заземленными электропроводящими слоями.
26. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 25, в котором по меньшей мере один из упомянутых соединительных выводов по меньшей мере частично скомпонован между двумя заземленными выводами.
27. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором электронная схема управления содержит демультиплексор для извлечения управляющих данных для одного или более отдельных сквозных отверстий из мультиплексированного сигнала, причем демультиплексор скомпонован на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства и рядом с упомянутыми сквозными отверстиями.
28. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 27, в котором демультиплексор скомпонован для извлечения управляющих данных для одного или более электродов из одного отдельного сквозного отверстия, причем демультиплексор скомпонован на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства и рядом с упомянутым отдельным сквозным отверстием.
29. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 27, в котором демультиплексор скомпонован между находящимися рядом сквозными отверстиями.
30. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 27, в котором число соединительных выводов к манипуляторному устройству по существу меньше, чем число электродов.
31. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 27, в котором число соединительных выводов к сквозному отверстию манипуляторного устройства меньше, чем число электродов упомянутого сквозного отверстия.
32. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10,
в котором манипуляторное устройство является первым манипуляторным устройством, имеющим первую плоскую подложку, содержащую первую решетку со сквозными отверстиями в плоскости первой плоской подложки,
при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц содержит второе манипуляторное устройство, имеющее вторую плоскую подложку, содержащую вторую решетку со сквозными отверстиями в плоскости второй плоской подложки, при этом каждое из сквозных отверстий содержит один или более электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на упомянутой подложке,
при этом вторая плоская подложка скомпонована на расстоянии и по существу параллельно к первой плоской подложке, при этом каждое сквозное отверстие второй решетки со сквозными отверстиями находится, по меньшей мере, по существу на одной линии со сквозным отверстием первой решетки со сквозными отверстиями.
33. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 32, в котором сквозные отверстия имеют радиус r, при этом расстояние d между первой и второй плоскими подложками равно или меньше, чем радиус r.
34. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 32, в котором один или более электродов первого и второго манипуляторных устройств скомпонованы на упомянутой первой и второй подложках соответственно, при этом один или более электродов на первой подложке и один или более электродов на второй подложке обращены друг к другу.
35. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 32, в котором второе манипуляторное устройство, по меньшей мере, по существу отражено симметрично к первому манипуляторному устройству, по меньшей мере относительно центральной плоскости между первым и вторым манипуляторными устройствами.
36. Устройство безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащее устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому одному из пп. 7-35.
RU2013157921A 2011-05-30 2012-05-30 Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц RU2632937C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2006868A NL2006868C2 (en) 2011-05-30 2011-05-30 Charged particle multi-beamlet apparatus.
NL2006868 2011-05-30
US201161491865P 2011-05-31 2011-05-31
US61/491,865 2011-05-31
PCT/NL2012/050376 WO2012165955A2 (en) 2011-05-30 2012-05-30 Charged particle multi-beamlet apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013157921A RU2013157921A (ru) 2015-07-10
RU2632937C2 true RU2632937C2 (ru) 2017-10-11

Family

ID=47260136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013157921A RU2632937C2 (ru) 2011-05-30 2012-05-30 Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9607806B2 (ru)
EP (2) EP3660883B1 (ru)
JP (1) JP6141276B2 (ru)
KR (7) KR102780450B1 (ru)
CN (1) CN103650097B (ru)
NL (1) NL2006868C2 (ru)
RU (1) RU2632937C2 (ru)
TW (1) TWI582816B (ru)
WO (1) WO2012165955A2 (ru)

Families Citing this family (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6147528B2 (ja) * 2012-06-01 2017-06-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US9824851B2 (en) * 2013-01-20 2017-11-21 William M. Tong Charge drain coating for electron-optical MEMS
JP6293435B2 (ja) * 2013-08-08 2018-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
NL2011401C2 (en) * 2013-09-06 2015-03-09 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle optical device.
DE102014008083B9 (de) 2014-05-30 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
DE102014008105B4 (de) 2014-05-30 2021-11-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Mehrstrahl-Teilchenmikroskop
DE102014008383B9 (de) 2014-06-06 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik
US10497536B2 (en) * 2016-09-08 2019-12-03 Rockwell Collins, Inc. Apparatus and method for correcting arrayed astigmatism in a multi-column scanning electron microscopy system
US10840056B2 (en) * 2017-02-03 2020-11-17 Kla Corporation Multi-column scanning electron microscopy system
WO2018197169A1 (en) 2017-04-28 2018-11-01 Asml Netherlands B.V. An apparatus using multiple beams of charged particles
KR102649183B1 (ko) * 2017-10-02 2024-03-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 빔들을 사용하는 장치
EP3474308A1 (en) * 2017-10-17 2019-04-24 Universiteit Antwerpen Spatial phase manipulation of charged particle beam
JP7198092B2 (ja) * 2018-05-18 2022-12-28 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム照射方法
EP3576128A1 (en) * 2018-05-28 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Electron beam apparatus, inspection tool and inspection method
US10483080B1 (en) * 2018-07-17 2019-11-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
DE102018007652B4 (de) * 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
US11145485B2 (en) * 2018-12-26 2021-10-12 Nuflare Technology, Inc. Multiple electron beams irradiation apparatus
US20200303156A1 (en) * 2019-03-20 2020-09-24 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Beam splitter for a charged particle device
EP3716313A1 (en) * 2019-03-28 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Aperture array with integrated current measurement
EP3953959A1 (en) * 2019-04-06 2022-02-16 ASML Netherlands B.V. Mems image forming element with built-in voltage generator
DE102019005362A1 (de) * 2019-07-31 2021-02-04 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
JP7222874B2 (ja) * 2019-11-12 2023-02-15 東芝デバイス&ストレージ株式会社 半導体装置
US11120965B2 (en) * 2019-12-04 2021-09-14 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Beam blanking device for a multi-beamlet charged particle beam apparatus
EP3975222A1 (en) 2020-09-24 2022-03-30 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
KR102830218B1 (ko) 2020-01-06 2025-07-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 평가 툴, 검사 방법
EP3937204A1 (en) 2020-07-06 2022-01-12 ASML Netherlands B.V. Inspection apparatus
EP3863040A1 (en) 2020-02-07 2021-08-11 ASML Netherlands B.V. Charged particle manipulator device
EP3869535A1 (en) 2020-02-21 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
EP3869536A1 (en) 2020-02-21 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Inspection apparatus
EP3869533A1 (en) 2020-02-21 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
IL295627A (en) 2020-02-21 2022-10-01 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus
KR102817129B1 (ko) 2020-02-21 2025-06-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 검사 툴, 검사 방법
EP3876258A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Beam manipulator in charged particle-beam exposure apparatus
JP7359050B2 (ja) * 2020-03-18 2023-10-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
EP3893264A1 (en) 2020-04-06 2021-10-13 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
EP3893263A1 (en) * 2020-04-06 2021-10-13 ASML Netherlands B.V. Aperture assembly, beam manipulator unit, method of manipulating charged particle beams, and charged particle projection apparatus
JP7409946B2 (ja) * 2020-04-13 2024-01-09 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置
IL298348A (en) 2020-06-10 2023-01-01 Asml Netherlands Bv Interchangeable module for charged particle device
EP4020565A1 (en) 2020-12-23 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Detector substrate, an inspection apparatus and method of sample assessment
KR102827024B1 (ko) 2020-07-06 2025-07-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 다중-빔 평가 도구에 사용하기 위한 검출기 기판
EP3937205A1 (en) * 2020-07-06 2022-01-12 ASML Netherlands B.V. Charged-particle multi-beam column, charged-particle multi-beam column array, inspection method
IL300807A (en) 2020-09-17 2023-04-01 Asml Netherlands Bv Charged particle evaluation tool test method
EP3971939A1 (en) 2020-09-17 2022-03-23 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment tool, inspection method
EP4214737A1 (en) 2020-09-17 2023-07-26 ASML Netherlands B.V. Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing, objective lens arrangement
EP3971940A1 (en) 2020-09-17 2022-03-23 ASML Netherlands B.V. Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing, objective lens arrangement
IL302654A (en) 2020-11-12 2023-07-01 Asml Netherlands Bv Assembling an objective lens array, electronic-optical system, electronic-optical system array, focusing method
EP4002421A1 (en) 2020-11-12 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing
EP4009348A1 (en) 2020-12-01 2022-06-08 ASML Netherlands B.V. Charged particle inspection tool and method
EP4009349A1 (en) 2020-12-03 2022-06-08 ASML Netherlands B.V. Charged particle tool, calibration method, inspection method
IL303577A (en) 2020-12-14 2023-08-01 Asml Netherlands Bv Charged particle system, a sample processing method using multiple beams of charged particles
EP4086933A1 (en) 2021-05-03 2022-11-09 ASML Netherlands B.V. Charged particle system, method of processing a sample using a multi-beam of charged particles
JP2024501654A (ja) 2020-12-23 2024-01-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 荷電粒子光学デバイス
EP4020516A1 (en) 2020-12-23 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Charged particle optical device, objective lens assembly, detector, detector array, and methods
WO2022139689A1 (en) * 2020-12-24 2022-06-30 National University Of Singapore Ion microscope
EP4084039A1 (en) 2021-04-29 2022-11-02 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment system and method
IL308010A (en) 2021-05-12 2023-12-01 Asml Netherlands Bv Evaluation system, evaluation method
EP4089712A1 (en) 2021-05-12 2022-11-16 ASML Netherlands B.V. Assessment system, method of assessing
EP4092712A1 (en) * 2021-05-18 2022-11-23 ASML Netherlands B.V. Charged particle optical device and method using it
EP4092614A1 (en) 2021-05-21 2022-11-23 ASML Netherlands B.V. Data processing device and method, charged particle assessment system and method
EP4341890A1 (en) 2021-05-21 2024-03-27 ASML Netherlands B.V. Data processing device and method, charged particle assessment system and method
EP4095881A1 (en) 2021-05-25 2022-11-30 ASML Netherlands B.V. Charged particle device
EP4352773A1 (en) 2021-06-08 2024-04-17 ASML Netherlands B.V. Charged particle apparatus and method
EP4102535A1 (en) 2021-06-08 2022-12-14 ASML Netherlands B.V. Charged particle apparatus and method
EP4102536A1 (en) 2021-06-10 2022-12-14 ASML Netherlands B.V. Method of compensating for an effect of electrode distortion, assessment system
EP4113570A1 (en) 2021-06-29 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment system and method of aligning a sample in a charged particle assessment system
EP4117015A1 (en) 2021-07-05 2023-01-11 ASML Netherlands B.V. Charged particle device, detector, and methods
EP4117016A1 (en) 2021-07-05 2023-01-11 ASML Netherlands B.V. Charged particle detector
EP4117017A1 (en) 2021-07-05 2023-01-11 ASML Netherlands B.V. Charged particle detector
EP4117014A1 (en) 2021-07-07 2023-01-11 ASML Netherlands B.V. Charged particle apparatus and method
WO2023280551A1 (en) 2021-07-07 2023-01-12 Asml Netherlands B.V. Charged particle apparatus and method
EP4117012A1 (en) 2021-07-07 2023-01-11 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical device, charged particle apparatus and method
DE102021118561B4 (de) 2021-07-19 2023-03-30 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes mit schneller Strahlstromregelung, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop
EP4123683A1 (en) 2021-07-20 2023-01-25 ASML Netherlands B.V. Data processing device and method, charged particle assessment system and method
EP4131329A1 (en) 2021-08-02 2023-02-08 ASML Netherlands B.V. Charged-particle optical device
EP4156227A1 (en) 2021-09-27 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Charged particle apparatus and method
US11651934B2 (en) 2021-09-30 2023-05-16 Kla Corporation Systems and methods of creating multiple electron beams
EP4170695A1 (en) 2021-10-19 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Detector assembly, charged particle device, apparatus, and methods
KR20240093780A (ko) 2021-10-19 2024-06-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검출기 조립체, 하전 입자 디바이스, 장치, 및 방법
KR20240095241A (ko) 2021-11-11 2024-06-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 평가 시스템 및 방법
EP4181167A1 (en) 2021-11-11 2023-05-17 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment system and method
KR20240122824A (ko) 2021-12-15 2024-08-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 샘플 맵을 생성하는 방법, 컴퓨터 프로그램 제품
WO2023110244A1 (en) 2021-12-15 2023-06-22 Asml Netherlands B.V. Charged particle assessment system
EP4213176A1 (en) 2022-01-13 2023-07-19 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment system
WO2023110331A1 (en) 2021-12-17 2023-06-22 Asml Netherlands B.V. Charged-particle optical apparatus and projection method
KR20240115321A (ko) 2021-12-17 2024-07-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검출기 검사 디바이스, 검출기 조립체, 검출기 어레이, 장치, 및 방법
EP4199032A1 (en) 2021-12-17 2023-06-21 ASML Netherlands B.V. Detector inspection device, detector assembly, detector array, apparatus, and method
EP4199031A1 (en) 2021-12-17 2023-06-21 ASML Netherlands B.V. Charged-particle optical apparatus and projection method
EP4199027A1 (en) 2021-12-17 2023-06-21 ASML Netherlands B.V. Charged-particle apparatus, multi-device apparatus, method of using charged-particle apparatus and control method
EP4199028A1 (en) 2021-12-20 2023-06-21 ASML Netherlands B.V. Charged particle device, charged particle assessment apparatus, measuring method, and monitoring method
EP4199033A1 (en) 2021-12-20 2023-06-21 ASML Netherlands B.V. Method of processing a sample with a charged particle assessment system
WO2023117277A1 (en) 2021-12-23 2023-06-29 Asml Netherlands B.V. Electron-optical device, method of compensating for variations in a property of sub-beams
EP4202969A1 (en) 2021-12-23 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Electron-optical device with compensation for variations in a property of sub-beams
EP4202970A1 (en) 2021-12-24 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Alignment determination method and computer program
CN118451527A (zh) 2021-12-31 2024-08-06 Asml荷兰有限公司 带电粒子束装置中的束操纵器
EP4250331A1 (en) 2022-03-22 2023-09-27 ASML Netherlands B.V. Charged particle apparatus and method
EP4258320A1 (en) 2022-04-08 2023-10-11 ASML Netherlands B.V. Sensor substrate, apparatus, and method
CN119156687A (zh) * 2022-04-11 2024-12-17 华为技术有限公司 粒子矫正装置、粒子矫正器模组和粒子系统
EP4280252A1 (en) 2022-05-16 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Charged particle optical device and method
WO2023202819A1 (en) 2022-04-18 2023-10-26 Asml Netherlands B.V. Charged particle optical device and method
CN119404279A (zh) 2022-07-15 2025-02-07 Asml荷兰有限公司 带电粒子光学装置
EP4354485A1 (en) 2022-10-13 2024-04-17 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical apparatus
EP4345861A1 (en) 2022-09-28 2024-04-03 ASML Netherlands B.V. Charged particle apparatus
EP4421843A1 (en) 2023-02-27 2024-08-28 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical apparatus
IL320209A (en) 2022-10-27 2025-06-01 Asml Netherlands Bv Charged particle-optical apparatus
DE102022131862A1 (de) 2022-12-01 2024-06-06 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop umfassend eine Aberrationskorrektureinheit mit Geometrie-basierten Korrekturelektroden und Verfahren zum Einstellen der Aberrationskorrektur sowie Computerprogrammprodukt
EP4391009A1 (en) 2022-12-21 2024-06-26 ASML Netherlands B.V. Charged particle device and charged particle apparatus
US12451322B2 (en) * 2023-02-15 2025-10-21 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Method of forming a multipole device, method of influencing an electron beam, and multipole device
EP4418302A1 (en) * 2023-02-16 2024-08-21 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical element, charged particle-optical module, assessment apparatus, chip assembly, method of manufacturing
DE102023202582A1 (de) * 2023-03-22 2024-09-26 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verbesserte Vielstrahl-Erzeugungseinrichtung und Methode zum Betrieb einer Vielstrahl-Erzeugungseinrichtung
EP4539091A1 (en) 2023-10-10 2025-04-16 ASML Netherlands B.V. Electron-beam imaging system
EP4576159A1 (en) 2023-12-20 2025-06-25 ASML Netherlands B.V. Charged particle system and method of baking out a charged particle system
TW202536906A (zh) 2023-11-09 2025-09-16 荷蘭商Asml荷蘭公司 帶電粒子系統及烘乾帶電粒子系統之方法
EP4567474A1 (en) 2023-12-08 2025-06-11 ASML Netherlands B.V. Signal processing method, signal processor, assessment method, and assessment apparatus
EP4576158A1 (en) 2023-12-18 2025-06-25 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical module, charged particle-optical device, and a method of using a charged-particle apparatus
EP4597540A1 (en) 2024-01-30 2025-08-06 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical apparatus and method of processing a sample
EP4576157A1 (en) 2023-12-20 2025-06-25 ASML Netherlands B.V. High-voltage discharge detection in a charged particle system
WO2025131457A1 (en) 2023-12-20 2025-06-26 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for assessing a sample surface, method of scanning a sample surface, and charged particle assessment apparatus
EP4575637A1 (en) 2023-12-20 2025-06-25 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for assessing a sample surface, method of scanning a sample surface, and charged particle assessment apparatus
WO2025131442A1 (en) 2023-12-20 2025-06-26 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical apparatus and method of processing a sample
WO2025201803A1 (en) 2024-03-28 2025-10-02 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical module
WO2025201807A1 (en) 2024-03-28 2025-10-02 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical module
WO2025201790A1 (en) 2024-03-28 2025-10-02 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical module
WO2025201789A1 (en) 2024-03-28 2025-10-02 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical module
WO2025201804A1 (en) 2024-03-28 2025-10-02 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical module
WO2025201799A1 (en) 2024-03-28 2025-10-02 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical module
WO2025224235A2 (en) * 2024-04-25 2025-10-30 Carl Zeiss Multisem Gmbh Improved beam control for a multi-beam scanning particle imaging system
WO2025261658A1 (en) 2024-06-18 2025-12-26 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for handling the impact of failing beams in multibeam inspection
EP4672297A1 (en) 2024-06-26 2025-12-31 ASML Netherlands B.V. ELECTROSTATIC LENS
EP4685837A1 (en) 2024-07-25 2026-01-28 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical element, charged particle-optical device and methods of manufacturing electrodes
EP4723158A1 (en) 2024-10-02 2026-04-08 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical device and method of assessing
EP4726766A1 (en) 2024-10-10 2026-04-15 ASML Netherlands B.V. Charged particle-optical apparatus
EP4726765A1 (en) 2024-10-10 2026-04-15 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment system and method
EP4553886A3 (en) 2025-03-28 2025-12-24 ASML Netherlands B.V. Optical beam member
EP4571811A2 (en) 2025-04-30 2025-06-18 ASML Netherlands B.V. Cross talk reduction
EP4576149A3 (en) 2025-05-02 2025-11-19 ASML Netherlands B.V. Electrical connection system
EP4589629A3 (en) 2025-05-15 2026-02-25 ASML Netherlands B.V. Assessment apparatus and method for assessment
EP4593056A3 (en) 2025-06-13 2025-12-24 ASML Netherlands B.V. Optical beam member
EP4683140A1 (en) 2025-07-24 2026-01-21 ASML Netherlands B.V. Method of forming a cable termination and cable

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5401974A (en) * 1993-03-18 1995-03-28 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure apparatus and method of cleaning the same
US20030189180A1 (en) * 2000-04-04 2003-10-09 Shinichi Hamaguchi Multi-beam exposure apparatus using a multi- axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device
US6646275B2 (en) * 1994-03-15 2003-11-11 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
US20050023486A1 (en) * 2002-07-22 2005-02-03 Advantest Corporation Electron beam exposure apparatus and electron beam measurement module
US20070194235A1 (en) * 2000-12-01 2007-08-23 Ebara Corporation Apparatus for inspection with electron beam, method for operating same, and method for manufacturing semiconductor device using former
US20090140160A1 (en) * 2005-07-20 2009-06-04 Carl Zeiss Sms Gmbh Charged particle beam exposure system and beam manipulating arrangement
US20100065741A1 (en) * 2005-08-24 2010-03-18 Dagmar Gerthsen Method For The Production Of Multiplayer Electrostatic Lens Array

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61190839A (ja) 1985-02-19 1986-08-25 Canon Inc 荷電粒子線装置
JPS6288247A (ja) 1985-10-14 1987-04-22 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光装置
JPS63173326A (ja) 1987-01-13 1988-07-16 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光方法
EP0404608B1 (en) * 1989-05-19 1995-02-22 Fujitsu Limited Blanking aperture array, method of producing blanking aperture array, charged particle beam exposure apparatus and charged particle beam exposure method
JP2886277B2 (ja) 1990-06-20 1999-04-26 富士通株式会社 電子ビーム露光装置
JPH04328236A (ja) 1991-04-26 1992-11-17 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置
JP3238487B2 (ja) 1991-11-14 2001-12-17 富士通株式会社 電子ビーム装置
JPH08115697A (ja) * 1994-10-18 1996-05-07 Hitachi Ltd 電子顕微鏡装置
US5617129A (en) 1994-10-27 1997-04-01 Xerox Corporation Ionographic printing with a focused ion stream controllable in two dimensions
EP0773576A1 (en) 1995-11-13 1997-05-14 Motorola, Inc. Electron column optics for multibeam electron lithography system
JP3647143B2 (ja) * 1996-06-12 2005-05-11 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置及びその露光方法
EP1369896A3 (en) 1996-03-04 2004-12-22 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and method and device manufacturing method
US5962859A (en) 1998-01-09 1999-10-05 International Business Machines Corporation Multiple variable shaped electron beam system with lithographic structure
JP3014380B2 (ja) * 1998-01-09 2000-02-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 複数の可変成形電子ビ―ムを使用してパタ―ンを直接書き込むシステムおよび方法
US5981962A (en) 1998-01-09 1999-11-09 International Business Machines Corporation Distributed direct write lithography system using multiple variable shaped electron beams
US6175122B1 (en) * 1998-01-09 2001-01-16 International Business Machines Corporation Method for writing a pattern using multiple variable shaped electron beams
US6014200A (en) 1998-02-24 2000-01-11 Nikon Corporation High throughput electron beam lithography system
JP3436878B2 (ja) 1998-03-19 2003-08-18 株式会社東芝 荷電粒子ビーム装置
US6127775A (en) 1998-06-29 2000-10-03 Xerox Corporation Ionic display with grid focusing
JP2000252207A (ja) 1998-08-19 2000-09-14 Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh 粒子線マルチビームリソグラフイー
JP3847980B2 (ja) 1998-10-06 2006-11-22 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP2001015428A (ja) 1999-04-28 2001-01-19 Advantest Corp 電子ビーム露光装置
KR100339140B1 (ko) 1999-04-28 2002-05-31 히로시 오우라 전자빔 노출 장치
JP2001076990A (ja) 1999-08-31 2001-03-23 Canon Inc 荷電粒子線露光装置及びその制御方法
JP3763446B2 (ja) 1999-10-18 2006-04-05 キヤノン株式会社 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法
WO2001039243A1 (en) * 1999-11-23 2001-05-31 Ion Diagnostics, Inc. Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
US6465795B1 (en) 2000-03-28 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Charge neutralization of electron beam systems
JP4585661B2 (ja) 2000-03-31 2010-11-24 キヤノン株式会社 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
US6787780B2 (en) 2000-04-04 2004-09-07 Advantest Corporation Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a semiconductor device
JP4401614B2 (ja) 2000-04-04 2010-01-20 株式会社アドバンテスト 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法
EP2587515A1 (en) 2000-06-27 2013-05-01 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
JP2002118060A (ja) 2000-07-27 2002-04-19 Toshiba Corp 荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、露光データ作成方法、露光データを作成するプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体、及び、露光データを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体
DE10147133A1 (de) * 2000-10-03 2002-06-13 Advantest Corp Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung
US6815875B2 (en) 2001-02-27 2004-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electron source having planar emission region and focusing structure
US6563124B2 (en) 2001-03-21 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Electron beam apparatus having traversing circuit boards
JP3703774B2 (ja) * 2002-03-28 2005-10-05 株式会社東芝 荷電ビーム露光装置、荷電ビームを用いた露光方法およびこの露光方法を用いた半導体装置の製造方法
CN101414534B (zh) * 2002-10-30 2012-10-03 迈普尔平版印刷Ip有限公司 电子束曝光系统
JP2004165076A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Advantest Corp 偏向器の製造方法、偏向器、及び露光装置
DE60236302D1 (de) * 2002-12-17 2010-06-17 Integrated Circuit Testing Mehrachsige Verbundlinse, Strahlvorrichtung und Verfahren zur Anwendung dieser kombinierten Linse
GB2397691B (en) 2003-01-24 2005-08-10 Leica Microsys Lithography Ltd Cooling of a device for influencing an electron beam
JP2004282038A (ja) 2003-02-28 2004-10-07 Canon Inc 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置
DE602004010824T2 (de) 2003-07-30 2008-12-24 Mapper Lithography Ip B.V. Modulator-schaltkreise
JP4738723B2 (ja) * 2003-08-06 2011-08-03 キヤノン株式会社 マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法
JP4459568B2 (ja) * 2003-08-06 2010-04-28 キヤノン株式会社 マルチ荷電ビームレンズおよびそれを用いた荷電ビーム露光装置
JP2005136114A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Canon Inc 電極基板およびその製造方法、ならびに該電極基板を用いた荷電ビーム露光装置
JP3889743B2 (ja) * 2003-12-05 2007-03-07 株式会社東芝 荷電ビーム描画方法及び描画装置
GB2413694A (en) * 2004-04-30 2005-11-02 Ims Nanofabrication Gmbh Particle-beam exposure apparatus
KR101099487B1 (ko) 2004-05-17 2011-12-28 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 대전 입자 빔 노광 시스템
JP4477434B2 (ja) * 2004-06-29 2010-06-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP4704702B2 (ja) 2004-06-30 2011-06-22 キヤノン株式会社 ブランキングアパーチャアレイおよびその製造方法
JP2006079911A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画装置および電子ビーム検出器
WO2006053358A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-26 Ims Nanofabrication Ag Pattern lock system for particle-beam exposure apparatus
JP4648087B2 (ja) * 2005-05-25 2011-03-09 キヤノン株式会社 偏向器の作製方法、荷電粒子線露光装置、および、デバイス製造方法
JP4679978B2 (ja) * 2005-06-28 2011-05-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム応用装置
US8890095B2 (en) * 2005-07-25 2014-11-18 Mapper Lithography Ip B.V. Reliability in a maskless lithography system
US7868300B2 (en) * 2005-09-15 2011-01-11 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, sensor and measuring method
JP5103033B2 (ja) * 2007-03-02 2012-12-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置
US7755061B2 (en) * 2007-11-07 2010-07-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Dynamic pattern generator with cup-shaped structure
KR101570974B1 (ko) 2008-02-26 2015-11-23 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 투사 렌즈 배열체
US8445869B2 (en) * 2008-04-15 2013-05-21 Mapper Lithography Ip B.V. Projection lens arrangement
JP2009218474A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Jeol Ltd ビーム位置ドリフト抑制方法、ビーム寸法ドリフト抑制方法及び荷電粒子ビーム描画装置。
WO2009127659A2 (en) * 2008-04-15 2009-10-22 Mapper Lithography Ip B.V. Beamlet blanker arrangement
US8258484B2 (en) * 2008-04-15 2012-09-04 Mapper Lithography Ip B.V. Beamlet blanker arrangement
KR101649106B1 (ko) * 2008-10-01 2016-08-19 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 정전기 렌즈 구조
DE102008062450B4 (de) * 2008-12-13 2012-05-03 Vistec Electron Beam Gmbh Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern
CN102422380A (zh) 2009-02-22 2012-04-18 迈普尔平版印刷Ip有限公司 带电粒子微影设备及真空腔室中产生真空的方法
TWI497557B (zh) 2009-04-29 2015-08-21 Mapper Lithography Ip Bv 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統
CN102460631B (zh) * 2009-05-20 2015-03-25 迈普尔平版印刷Ip有限公司 两次扫描
US8624478B2 (en) 2009-10-09 2014-01-07 Mapper Lithography Ip B.V. High voltage shielding arrangement of a charged particle lithography system
EP2494579B1 (en) * 2009-10-26 2017-08-02 Mapper Lithography IP B.V. Charged particle multi-beamlet lithography system, modulation device, and method of manufacturing thereof
US8546767B2 (en) * 2010-02-22 2013-10-01 Ims Nanofabrication Ag Pattern definition device with multiple multibeam array
US20120065741A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Chao-Fu Chang Guided tissue regeneration membrane
WO2012041464A1 (en) 2010-09-28 2012-04-05 Applied Materials Israel Ltd. Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
RU113611U1 (ru) 2011-05-05 2012-02-20 Александр Сергеевич Бердников Устройство для манипулирования заряженными частицами

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5401974A (en) * 1993-03-18 1995-03-28 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure apparatus and method of cleaning the same
US6646275B2 (en) * 1994-03-15 2003-11-11 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
US20030189180A1 (en) * 2000-04-04 2003-10-09 Shinichi Hamaguchi Multi-beam exposure apparatus using a multi- axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device
US20070194235A1 (en) * 2000-12-01 2007-08-23 Ebara Corporation Apparatus for inspection with electron beam, method for operating same, and method for manufacturing semiconductor device using former
US20050023486A1 (en) * 2002-07-22 2005-02-03 Advantest Corporation Electron beam exposure apparatus and electron beam measurement module
US20090140160A1 (en) * 2005-07-20 2009-06-04 Carl Zeiss Sms Gmbh Charged particle beam exposure system and beam manipulating arrangement
US20100065741A1 (en) * 2005-08-24 2010-03-18 Dagmar Gerthsen Method For The Production Of Multiplayer Electrostatic Lens Array

Also Published As

Publication number Publication date
KR101842710B1 (ko) 2018-03-28
KR102553059B1 (ko) 2023-07-10
WO2012165955A2 (en) 2012-12-06
EP3660883A2 (en) 2020-06-03
US20120305798A1 (en) 2012-12-06
JP6141276B2 (ja) 2017-06-07
US9607806B2 (en) 2017-03-28
JP2014519724A (ja) 2014-08-14
TW201250757A (en) 2012-12-16
EP2715768A2 (en) 2014-04-09
KR102780450B1 (ko) 2025-03-14
KR20230107401A (ko) 2023-07-14
KR20190108187A (ko) 2019-09-23
KR20200091490A (ko) 2020-07-30
NL2006868C2 (en) 2012-12-03
KR102357303B1 (ko) 2022-02-08
KR102023054B1 (ko) 2019-09-20
KR20140048144A (ko) 2014-04-23
WO2012165955A4 (en) 2013-04-04
KR102084040B1 (ko) 2020-03-03
EP3660883B1 (en) 2024-07-17
CN103650097B (zh) 2017-10-10
EP3660883A3 (en) 2020-08-05
TWI582816B (zh) 2017-05-11
WO2012165955A3 (en) 2013-01-24
CN103650097A (zh) 2014-03-19
KR102137169B1 (ko) 2020-07-24
KR20180033604A (ko) 2018-04-03
KR20220017525A (ko) 2022-02-11
EP2715768B1 (en) 2020-01-22
KR20200023533A (ko) 2020-03-04
RU2013157921A (ru) 2015-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2632937C2 (ru) Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц
TWI868407B (zh) 電子光學設備
TWI867247B (zh) 物鏡陣列總成、電子光學系統、電子光學系統陣列、聚焦方法;物鏡配置
JP6684586B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム装置
CN109216143A (zh) 带电粒子束装置和对样本进行成像或照明的方法件
JP2014519724A5 (ru)
TW202341217A (zh) 對準判定方法及電腦程式
TW202431312A (zh) 電子光學器件、補償子光束特性之變化的方法
TW202217905A (zh) 帶電粒子評估工具及檢測方法
TW201250756A (en) Charged particle multi-beamlet apparatus
TW202538798A (zh) 帶電粒子光學裝置、帶電粒子光學模組、向樣本投影複數個帶電粒子束之方法
CN118435310A (zh) 电子光学设备、子束的属性的变化的补偿方法
TW202347397A (zh) 帶電粒子光學裝置及方法