RU2632937C2 - Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц - Google Patents
Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц Download PDFInfo
- Publication number
- RU2632937C2 RU2632937C2 RU2013157921A RU2013157921A RU2632937C2 RU 2632937 C2 RU2632937 C2 RU 2632937C2 RU 2013157921 A RU2013157921 A RU 2013157921A RU 2013157921 A RU2013157921 A RU 2013157921A RU 2632937 C2 RU2632937 C2 RU 2632937C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- charged particles
- elementary beams
- hole
- electrodes
- beams
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 22
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 9
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/049—Focusing means
- H01J2237/0492—Lens systems
- H01J2237/04924—Lens systems electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
- H01J2237/1205—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1532—Astigmatism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу и устройству для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц. Манипуляторное устройство содержит плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпоновано для прохождения через него по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением. Технический результат - повышение качества и производительности литографии. 3 н. и 33 з.п. ф-лы, 9 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Устройство относится к способу влияния на и/или управления траекторией одного или более элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц.
Данное изобретение более конкретно относится к устройству с множественными элементарными пучками заряженных частиц, использующему множество элементарных пучков заряженных частиц, причем указанное устройство содержит манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц. Например, многолучевые электронно-лучевые системы разрабатываются для высокопроизводительных систем безмасочной литографии, многолучевой электронно-лучевой микроскопии и устройств осаждения, стимулированного множественными электронными пучками.
Данное изобретение дополнительно относится к системе безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, системе микроскопии множественными элементарными пучками заряженных частиц, устройству осаждения, стимулированного пучком с множественными элементарными пучками заряженных частиц, и манипуляторному устройству для использования в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Система литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц для экспонирования мишени с использованием множества элементарных пучков раскрыта, например, в WO 2009/127659 A2. Устройство литографии содержит устройство отклонения, содержащее множество дефлекторов, при этом устройство отклонения содержит множество ячеек памяти, причем каждая ячейка обеспечена запоминающим элементом и присоединена к дефлектору. Запоминающий элемент эффективно используется как управляющий сигнал локально доступного усилителя, который предоставляет по существу дискретный сигнал дефлекторам. Другими словами, дефлектор либо включается, либо выключается. Это является очень важным этапом для получения высокой точности этапа формирования рисунка для системы литографии, и высокой производительности пластин.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение нацелено на предоставление манипуляторного устройства и устройства с множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащего такое манипуляторное устройство, обеспечивающее возможность улучшенной манипуляции отдельными элементарными пучками из указанного множества элементарных пучков.
Согласно первому аспекту, данное изобретение предоставляет способ влияния на и/или управления траекторией одного или более элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом указанное устройство содержит манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, и электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия из решетки со сквозными отверстиями, при этом способ содержит этап, на котором предоставляют раздельное управление регулированием для каждого сквозного отверстия посредством обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
Посредством предоставления напряжения на один или более электродов, может быть сгенерировано электростатическое поле, поле которого может быть использовано для влияния и/или управления траекторией заряженной частицы в элементарном пучке заряженных частиц. До сих пор раздельная манипуляция элементарными пучками, по меньшей мере в оптической колонне заряженных частиц, в которой многочисленные элементарные пучки возникают из одного источника, который испускает пучок заряженных частиц, который разделен на указанное множество элементарных пучков, ограничена решеткой дефлекторов для по существу дискретного включения или выключения отдельных элементарных пучков.
Манипуляторное устройство настоящего изобретения способно предоставить управление раздельно регулируемым напряжением для электродов каждого отдельного сквозного отверстия. Предпочтительно, напряжение может быть установлено на различные отличающиеся уровни для каждого отдельного сквозного отверстия, предоставляя раздельное управление регулированием для каждого элементарного пучка. В частности, напряжение является раздельно регулируемым для каждого электрода.
В варианте осуществления, устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц содержит датчик для определения по меньшей мере одной характеристики указанных элементарных пучков заряженных частиц, при этом датчик присоединен к указанной электронной схеме управления, при этом способ содержит этап, на котором предоставляют раздельное управление регулированием для каждого сквозного отверстия на основе сигнала обратной связи, предоставленного датчиком на электронную схему управления.
Обычно нарушение и/или сдвиг в совмещении элементарных пучков происходит с очень низкой скоростью. Внезапным озарением изобретателя, которое позволило ему понять, что такое медленное нарушение и/или сдвиг могут быть скорректированы для каждого отдельного элементарного пучка из множества элементарных пучков, является устройство с множественными элементарными пучками.
Согласно данному изобретению периодически проверяется совмещение отдельных элементарных пучков, например, каждый раз во время замены мишени в системе литографии, элементарные пучки проверяются с использованием датчика, и схема управления регулирует управляющие сигналы для того, чтобы предоставить скорректированные настройки для манипуляторного устройства, чтобы по существу скорректировать нарушение или сдвиг одного или более отдельных элементарных пучков. Впоследствии, скорректированная настройка манипуляторного устройства сохраняется во время обработки последующей мишени.
В качестве альтернативы, комбинация манипулятора, схемы управления и датчика также обеспечивает возможность системы обратной связи для регулирования и/или оптимизации каждого элементарного пучка и/или совмещения каждого элементарного пучка по отдельности в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, в частности, системе литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц. В варианте осуществления система обратной связи скомпонована для динамического регулирования и/или оптимизации каждого элементарного пучка и/или совмещения каждого элементарного пучка по отдельности. Эта система обратной связи предпочтительно скомпонована, предпочтительно как единое целое, в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, в частности, в системе литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц. В варианте осуществления, манипуляторное устройство скомпоновано для фокусировки, отклонения или исправления астигматизма (в частности, уменьшения астигматизма) отдельных элементарных пучков из указанного множества элементарных пучков. Улучшенное манипуляторное устройство данного изобретения может быть использовано для манипуляции отдельными элементарными пучками из указанного множества элементарных пучков не только для отклонения отдельных элементарных пучков, но также для других функций, таких как раздельная фокусировка элементарных пучков или коррекция астигматизма отдельных элементарных пучков, как будет очевидно из описания вариантов осуществления ниже.
Электронная схема управления скомпонована для обеспечения каждого из одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением. Используя такое регулируемое напряжение, небольшие коррекции могут быть сделаны для каждого элементарного пучка, например, для коррекции угла отклонения, для регулирования силы электростатической элементарной линзы или для обеспечения коррекции астигматизма, для того, чтобы оптимизировать множество элементарных пучков.
В одном варианте осуществления, электронная схема управления по меньшей мере частично скомпонована на плоской подложке и по меньшей мере частично рядом с указанными сквозными отверстиями.
В одном варианте осуществления, каждое сквозное отверстие скомпоновано для предоставления прохода для одного одиночного элементарного пучка. В альтернативном варианте осуществления, каждое сквозное отверстие скомпоновано для предоставления прохода для нескольких элементарных пучков, например, группы элементарных пучков 7×7.
В одном варианте осуществления, плоская подложка является пластиной, и при этом электронная схема управления содержит интегральную схему на указанной плоской подложке. В одном варианте осуществления, электронная схема управления по меньшей мере частично скомпонована между двумя сквозными отверстиями. Соответственно, схема управления скомпонована вблизи фактических сквозных отверстий с одним или более электродами. В частности, электронная схема управления может быть соответствующим образом скомпонована между сквозными отверстиями, более конкретно, в областях без пучка между двумя группами сквозных отверстий.
В одном варианте осуществления, электронная схема управления содержит память для хранения управляющих данных для одного или более электродов из одного или более отдельных сквозных отверстий, причем память скомпонована на плоской подложке и рядом с указанными сквозными отверстиями. В дополнительном варианте осуществления, указанная память скомпонована для хранения управляющих данных для установки напряжения на различные отличающиеся уровни для каждого отдельного сквозного отверстия.
В одном варианте осуществления, память скомпонована для хранения управляющих данных для одного или более электродов из одного отдельного сквозного отверстия, причем память скомпонована на плоской подложке и рядом с указанным отдельным сквозным отверстием. В одном варианте осуществления, память скомпонована между двумя сквозными отверстиями.
В одном варианте осуществления, один или более электродов содержат металл, который осажден на плоской подложке. В одном варианте осуществления, металл содержит молибден. Хотя формирование структуры осажденного молибдена на пластине является сложным процессом, он является полезным, так как его поверхностный оксид является электропроводящим, тем самым минимизируя ошибки пучка из-за заряда указанных электродов.
В одном варианте осуществления, один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке. В одном варианте осуществления, сквозные отверстия продолжаются по меньшей мере по существу поперек к поверхности указанной подложки.
В одном варианте осуществления, один или более электродов сквозного отверстия по меньшей мере частично скомпонованы у внутренней лицевой стенки указанного сквозного отверстия. В одном варианте осуществления, указанный один или более электродов продолжаются в сквозном отверстии в направлении по существу параллельном центральной линии указанного сквозного отверстия. Такие электроды могут предоставить более однородное электростатическое поле для более точного манипулирования заряженными частицами в элементарном пучке.
В одном варианте осуществления, один или более электродов каждого сквозного отверстия по меньшей мере по существу окружены заземленным электродом. В одном варианте осуществления, заземленный электрод содержит металл, который осажден на плоской подложке. В одном варианте осуществления, металл содержит молибден. Так как отдельные сквозные отверстия и их электроды скомпонованы в непосредственной близости, окружающий заземленный электрод по меньшей мере уменьшает перекрестные помехи.
В одном варианте осуществления, поверхность одного или более электродов, которая обращена от плоской подложки, скомпонована на высоте между плоской подложкой и поверхностью заземленного электрода, которая обращена от указанной плоской подложки. В одном варианте осуществления, толщина заземленного электрода на плоской подложке больше, чем толщина одного или более электродов на плоской подложке. В этих вариантах осуществления, один или более электродов скомпонованы в углубленном расположении относительно окружающего заземленного электрода. Более высокий уровень окружающего заземленного электрода относительно уровня одного или более электродов в сквозном отверстии дополнительно уменьшает любые перекрестные помехи между одним или более электродами находящихся рядом сквозных отверстий. В дополнение, более высокий уровень окружающего заземленного электрода относительно уровня одного или более электродов в сквозном отверстии уменьшает ошибки пучка из-за электростатических полей рассеяния.
В одном варианте осуществления, электронная схема управления содержит соединительные выводы для соединения электронной схемы управления с одним или более электродами, при этом по меньшей мере один из указанных соединительных выводов по меньшей мере частично скомпонован между двумя заземленными электропроводящими слоями. В одном варианте осуществления, по меньшей мере один из указанных соединительных выводов по меньшей мере частично скомпонован между двумя заземленными выводами. Посредством компоновки по меньшей мере некоторых их соединительных выводов, по меньшей мере частично между проводящими слоями и/или выводами, указанные выводы экранированы, что уменьшает какие-либо помехи между соединительными выводами.
В одном варианте осуществления, указанное манипуляторное устройство содержит решетку электростатических линз, в которой каждая из указанных электростатических линз содержит одно сквозное отверстие из указанной решетки со сквозными отверстиями, в которой каждое из сквозных отверстий содержит один электрод, скомпонованный вокруг соответствующего сквозного отверстия, и при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного электрода каждого отдельного сквозного отверстия линзы из указанной решетки электростатических линз регулируемым напряжением для раздельного регулирования силы указанной линзы.
В одном варианте осуществления, указанное манипуляторное устройство содержит решетку электростатических дефлекторов, в которой каждый из указанных электростатических дефлекторов содержит одно сквозное отверстие из указанной решетки со сквозными отверстиями, в которой каждое из сквозных отверстий содержит два или более электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, и при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения двух или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия дефлектора из указанной решетки электростатических дефлекторов регулируемым напряжением для раздельного регулирования величины отклонения элементарного пучка заряженных частиц, стимулированного указанным дефлектором.
В одном варианте осуществления, указанное манипуляторное устройство содержит решетку электростатических корректоров астигматизма, в которой каждый из указанных электростатических корректоров астигматизма содержит одно сквозное отверстие из указанной решетки со сквозными отверстиями, в которой каждое из сквозных отверстий содержит восемь электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, и при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения восьми электродов каждого отдельного сквозного отверстия корректора астигматизма из указанной решетки электростатических корректоров астигматизма регулируемым напряжением для раздельного регулирования величины коррекции астигматизма элементарного пучка заряженных частиц, стимулированной указанным корректором астигматизма.
В одном варианте осуществления, электронная схема управления содержит демультиплексор для извлечения управляющих данных для одного или более отдельных сквозных отверстий из мультиплексированного сигнала, причем демультиплексор скомпонован на плоской подложке и рядом с указанными сквозными отверстиями.
В одном варианте осуществления, демультиплексор скомпонован для извлечения управляющих данных для одного или более электродов из одного отдельного сквозного отверстия, причем демультиплексор скомпонован на плоской подложке и рядом с указанным отдельным сквозным отверстием.
В одном варианте осуществления, демультиплексор скомпонован между находящимися рядом сквозными отверстиями.
В одном варианте осуществления, число соединительных выводов к устройству по существу меньше, чем число электродов. В одном варианте осуществления, число соединительных выводов к сквозному отверстию по существу меньше, чем число электродов указанного сквозного отверстия.
Согласно второму аспекту, данное изобретение предоставляет устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащее манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, и
электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
В одном варианте осуществления, устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц дополнительно содержит датчик для определения по меньшей мере одной характеристики указанного множества элементарных пучков заряженных частиц, при этом датчик присоединен к указанной электронной схеме управления для предоставления сигнала обратной связи. Такая компоновка обратной связи особенно полезна в системе с множественными элементарными пучками для того, чтобы обеспечить возможность автоматической обратной связи для раздельно регулируемых напряжений каждого из одного или более электродов каждого из отдельных сквозных отверстий, для установки каждого из регулируемых напряжений в требуемое значение для получения желаемой коррекции каждого элементарного пучка из указанного множества элементарных пучков.
В одном варианте осуществления, манипуляторное устройство является первым манипуляторным устройством, имеющим первую плоскую подложку, содержащую первую решетку со сквозными отверстиями в плоскости первой плоской подложки, при этом устройство с пучками заряженных частиц содержит второе манипуляторное устройство, имеющее вторую плоскую подложку, содержащую вторую решетку со сквозными отверстиями в плоскости второй плоской подложки, при этом каждое из сквозных отверстий содержит один или более электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, при этом вторая плоская подложка скомпонована на расстоянии и по существу параллельно к первой плоской подложке, при этом каждое сквозное отверстие второй решетки со сквозными отверстиями находится по меньшей мере по существу на одной линии со сквозным отверстием первой решетки со сквозными отверстиями. В одном варианте осуществления, сквозные отверстия имеют радиус r, и при этом расстояние d между первой и второй плоской подложкой равно или меньше, чем радиус r. В одном варианте осуществления, один или более электродов первого и второго манипуляторного устройства скомпонованы на указанной первой и второй подложке, соответственно, и при этом один или более электродов на первой подложке и один или более электродов на второй подложке обращены друг к другу. В одном варианте осуществления, второе манипуляторное устройство по меньшей мере по существу отражено симметрично к первому манипуляторному устройству, по меньшей мере относительно центральной плоскости между первым и вторым манипуляторным устройством.
Согласно третьему аспекту, данное изобретение предоставляет устройство безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащее манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, и
электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
В варианте осуществления, устройство безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц и/или его манипуляторное устройство обеспечено одним или более средствами, описанными в вышеупомянутых вариантах осуществления.
Согласно четвертому аспекту, данное изобретение предоставляет манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на указанной подложке, и
электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
В варианте осуществления, манипуляторное устройство обеспечено одним или более средствами, описанными в вышеупомянутых вариантах осуществления.
Различные аспекты и признаки, описанные и показанные в данном описании, могут быть применены, по отдельности, всегда когда возможно. Эти отдельные аспекты, в частности аспекты и признаки, описанные в приложенных зависимых пунктах формулы изобретения, могут быть сделаны субъектом выделенных заявок на патент.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Данное изобретение будет разъяснено на основании примерного варианта осуществления, показанного на приложенных чертежах, на которых:
Фиг. 1 показывает схематичное поперечное сечение системы безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц,
Фиг. 2 показывает схематичное изображение в разобранном виде первого примера манипуляторного устройства, содержащего решетку квадрупольных дефлекторов,
Фиг. 3 показывает вид сверху квадрупольного опытного манипуляторного устройства по Фиг. 1,
Фиг. 4 показывает вид сверху второго примера решетки манипуляторов, где каждый содержит один электрод для использования в решетке линз Энзеля,
Фиг. 5 показывает схематичное поперечное сечение одного манипулятора 11 для использования в манипуляторном устройстве по Фиг. 4,
Фиг. 6 показывает вид сверху третьего примера решетки манипуляторов, где каждый манипулятор содержит восемь электродов для образования октуполя,
Фиг. 7 показывает схематичное поперечное сечение дополнительного примера манипулятора для использования в манипуляторном устройстве,
Фиг. 8A показывает схематичный вид сверху манипуляторного устройства для использования в системе литографии по Фиг. 1,
Фиг. 8B показывает подробности схематичного вида сверху по Фиг. 8A, схематично показывающий электронную схему управления в областях без пучка, и
Фиг. 9 показывает схематичное поперечное сечение устройства контроля множественных элементарных пучков заряженных частиц.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Многолучевые электронно-лучевые системы разрабатываются для высокопроизводительной литографии, многолучевой электронно-лучевой микроскопии и осаждения, стимулированного множественными электронными пучками. В частности, для систем литографии и осаждения, для формирования рисунка используется гашение отдельного пучка, которое включается и выключается.
Однако, также было бы полезно позиционировать, фокусировать, подвергать векторному сканированию и исправлять астигматизм элементарных пучков по отдельности. До сих пор, нет устройства для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц по отдельности в отношении отдельного регулирования позиции, фокуса, векторного сканирования или исправления астигматизма. Одной проблемой такой системы является огромная величина данных, требуемых для раздельного управления каждым элементарным пучком по отдельности. Другой проблемой является небольшой размер каждого из манипуляторов и небольшое пространство между находящимися рядом манипуляторами.
Настоящее изобретение предлагает использовать технологию MEMS для изготовления манипуляторных устройств, содержащих решетку манипуляторов для манипулирования одним или более элементарными пучками зараженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц. Манипуляторы предпочтительно имеют боковые размеры, изменяющиеся от приблизительно 150 микрометров до 2 микрометров, в зависимости от их назначения.
Одной из задач является спроектировать электроды с помощью производственного процесса, который совместим с правилами производства чипов и электронно-оптического проектирования. К тому же, желательно управлять тысячами пучков без необходимости иметь тысячи внешних управляющих проводов.
Фиг. 1 показывает схематический чертеж устройства 100 литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц на основе оптической системы с пучком заряженных частиц без пересечения всех элементарных пучков заряженных частиц. Такая система литографии содержит источник 101 заряженных частиц, например, источник электронов, для порождения расширяющегося пучка 120 заряженных частиц. Расширяющийся пучок проходит коллимирующую линзу 102 для коллимирования пучка 120 заряженных частиц.
Впоследствии коллимированный пучок 120 падает на апертурную решетку 104, которая блокирует часть коллимированного пучка 120 для создания подпучков 121. Подпучки 121 падают на дополнительную апертурную решетку 105 для создания элементарных пучков 122. Решетка 103 конденсаторных линз (или набор решеток конденсаторных линз) включен для фокусировки подпучков 121 по направлению к отверстию решетки 108 остановки пучка конечного модуля 107.
Создающая элементарные пучки апертурная решетка 105 предпочтительно включена совместно с решеткой схем гашения элементарного пучка, например, скомпонована близко вместе с апертурной решеткой 105 перед решеткой 106 схем гашения.
Как показано на Фиг. 1, конденсаторная линза или линзы 103 фокусируют подпучки 121 либо в соответствующем отверстии в решетке 108 остановки пучка конечного модуля 107, либо по направлению к нему. В этом примере, апертурная решетка 105 порождает три элементарных пучка 122 из подпучка 121, которые сталкиваются с решеткой остановки пучка на соответствующем отверстии, так что три элементарных пучка 122 проецируются на мишень 110 посредством системы 109 проекционных линз в конечном модуле 107. На практике может быть порождена группа элементарных пучков с гораздо большим числом элементарных пучков посредством апертурной решетки 105 для каждой системы 109 проекционных линз в конечном модуле 107. В практическом варианте осуществления обычно около пятидесяти элементарных пучков могут быть направлены через одиночную систему 109 проекционных линз, и оно может быть увеличено до двухсот или больше. Как показано на Фиг. 1, решетка 106 схем гашения элементарного пучка может отклонять отдельные элементарные пучки в группе элементарных пучков 122 в определенные моменты времени для того, чтобы погасить их. Это проиллюстрировано погашенным элементарным пучком 123, который был отклонен в расположение на решетке 108 остановки пучка вблизи отверстия, но не на нем.
В соответствии с данным изобретением, оптическая колонна заряженных частиц может быть обеспечена одним или более манипуляторными устройствами, как описано более подробно ниже. Такое манипуляторное устройство 300 может быть скомпоновано за коллимирующей линзой 102 для:
- предоставления отклонения в плоскости по существу перпендикулярной оптической оси оптической колонны заряженных частиц для того, чтобы скорректировать неправильные совмещения одного или более устройств оптической колонны заряженных частиц, и/или
- предоставления коррекции для любого астигматизма, который может быть вызван макроскопической линзой, обычно магнитной линзой, которая преломляет целый пучок 120, все подпучки 121 или все элементарные пучки 122, такой как коллимирующая линза 102.
Такое манипуляторное устройство 310 может также быть предоставлено как часть конечного модуля 107 для предоставления двухмерного отклонения в системе 109 проекционных линз и обеспечения возможности векторного сканирования элементарных пучков в одной группе.
Манипуляторное устройство 300, 310 присоединено к электронной схеме 430 управления, которая предоставляет управляющие сигналы 433, 434 манипуляторному устройству 300, 310.
В дополнение, оптическая колонна заряженных частиц обеспечена датчиком для определения по меньшей мере одной характеристики элементарного пучка из множества элементарных пучков, при этом датчик присоединен к указанной электронной схеме 430 управления для того, чтобы предоставить сигнал обратной связи. Такой датчик 410 может быть предоставлен на решетке 108 остановки пучка, предпочтительно в расположении, куда элементарные пучки направляются при гашении. В качестве альтернативы, датчик 420 может быть скомпонован по существу в расположении мишени 110 во время замены мишени, которая была обработана, мишенью, которая должна быть обработана. Во время этой замены детектор 420 может быть перемещен XY под элементарными пучками, и может быть проверено совмещение элементарных пучков, и если необходимо, манипуляторные устройства 300, 310 могут быть, предпочтительно автоматически, отрегулированы на основе сигнала 431, 432 обратной связи, предоставленного датчиком 410, 420 электронной схеме 430 управления.
Следует отметить, что любое нарушение и/или сдвиг в совмещении элементарных пучков 122 происходит с очень низкой скоростью по сравнению с отклонением элементарных пучков 122 решеткой 106 схем гашения элементарного пучка. Например, каждый раз во время замены мишени, элементарные пучки 122 проверяются с использованием датчиков 410, 420, и схема 430 управления регулирует управляющие сигналы 433, 434 для того, чтобы предоставить скорректированные настройки для манипуляторных устройств 300, 310, чтобы по существу скорректировать нарушение и/или сдвиг одного или более отдельных элементарных лучей 122. Впоследствии, скорректированная настройка манипуляторных устройств 300, 310 сохраняется во время обработки последующей мишени.
В качестве альтернативы, комбинация манипулятора 300, схемы 430 управления и датчиков 410, 420 также предоставляет систему обратной связи для регулирования и/или оптимизации каждого элементарного пучка и/или совмещения каждого элементарного пучка по отдельности в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, в частности, системе литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц. В варианте осуществления система обратной связи скомпонована для динамического регулирования и/или оптимизации каждого элементарного пучка и/или совмещения каждого элементарного пучка по отдельности. Эта система обратной связи предпочтительно скомпонована, предпочтительно как единое целое, в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, в частности, в системе литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц.
Первый пример манипуляторного устройства 300, 310 согласно данному изобретению показан, отчасти, на Фиг. 2 и 3. Фиг. 2 показывает квадрупольный дефлектор 1 множественных элементарных пучков, который был изготовлен с использованием технологии MEMS. Процесс производства является биполярно совместимым, обеспечивая возможность объединения локальной электроники, например обеспечивающей возможность функциональности выборки и удержания.
Квадрупольный дефлектор 1 множественных элементарных пучков содержит по существу плоскую подложку 3, которая обеспечена решеткой со сквозными отверстиями 2, которые равномерно скомпонованы в ряды и колонны. Сквозные отверстия 2 продолжаются по меньшей мере по существу поперек к поверхности S плоской подложки 3 и скомпонованы для прохождения через них по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц.
Сверху плоской подложки 3, которая с этом примере является кремниевым чипом, скомпонована электронная схема 4 управления. Электронная схема 4 управления содержит интегральную схему, которая была скомпонована рядом со сквозными отверстиями 2, в частности на областях без пучка плоской подложки 3. Сверху электронной схемы 4 управления, предоставлен изолирующий слой 5, сверху которого, изолирующего слоя 5, скомпонован слой 6 электродов.
Каждое из сквозных отверстий 2 обеспечено четырьмя электродами 7, скомпонованными вокруг сквозного отверстия 2 на указанной подложке 3. Каждое сквозное отверстие 2 с его четырьмя электродами 7 образует отдельный манипулятор 10 для манипулирования одним или более элементарными пучками, которые пересекают сквозное отверстие 2. Таким образом манипуляторное устройство 1 содержит решетку отдельных манипуляторов 10, которые скомпонованы в ряды и колонны.
Электроды 7 предпочтительно сделаны из молибдена, однако, они могут также быть сделаны из других проводящих материалов. Слой 6 электродов составляет примерно 4 микрометра в толщину, и электроды были сделаны посредством анизотропного травления молибдена с использованием реактивного ионного травления.
Следует отметить, что четыре электрода 7 окружены остальной частью 8 слоя 6 электродов, как показано на схематичном виде сверху по Фиг. 2. Эта остальная часть 8, которая электрически изолирована от электродов 7, используется в качестве заземленного электрода 8, который окружает четыре электрода 7 на расстоянии. Под слоем 6 электродов, есть слой изолирующего материала 5, который обеспечен межслойными отверстиями 51 для присоединения каждого из электродов 7 к электронной схеме 4 управления под слоем изолирующего материала 5.
Электронная схема 4 управления предоставляет управляющие сигналы каждому из четырех электродов 7 каждого сквозного отверстия 2. Электронная схема 4 управления скомпонована на плоской подложке 3 и по меньшей мере частично рядом с указанными сквозными отверстиями 2 и скомпонована для обеспечения каждого из четырех электродов 7 каждого сквозного отверстия 2 раздельно регулируемым напряжением для отклонения одного или более элементарных пучков заряженных частиц, которые, при использовании, пересекают указанное сквозное отверстие 2. Каждый манипулятор 10 указанного манипуляторного устройства 1, таким образом, может быть использовано для отклонения элементарного пучка заряженных частиц в любом направлении в плоскости, параллельной поверхности S плоской подложки 3, с помощью регулируемого напряжения для раздельного регулирования величины отклонения элементарного пучка заряженных частиц, стимулированного указанным дефлектором 10.
Фиг. 4 и 5 показывают второй пример манипулятора 11 для использования в устройстве по данному изобретению. По сути, манипуляторное устройство по этому второму примеру содержит такую же структуру как устройство, показанное в разобранном виде по Фиг. 2. То есть устройство содержит по существу плоскую подложку 13, которая обеспечена решеткой со сквозными отверстиями 12, которые равномерно скомпонованы в ряды и колонны, как показано на виде сверху по Фиг. 4. Сквозные отверстия 12 скомпонованы для прохождения через них по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц и обеспечены одним электродом 17 который окружает сквозное отверстие 12.
Сверху плоской подложки 13 скомпонована электронная схема 14 управления. Электронная схема 14 управления содержит интегральную схему, которая была скомпонована рядом со сквозными отверстиями 12. В этом примере электронная схема 14 управления собрана из нескольких слоев 15 с интегральной электронной схематикой, которые взаимно соединены с помощью межслойных отверстий 51.
Также на краю сквозных отверстий 12 предоставлены межслойные отверстия 52, при этом межслойные отверстия 52 присоединены к верхнему электроду 17. Межслойные отверстия 52 предоставляют продолжение верхнего электрода 17 внутри сквозного отверстия 12. Таким образом, электрод 17 сквозного отверстия по меньшей мере частично скомпонован у внутренней лицевой стенки указанного сквозного отверстия. Межслойные отверстия 52 на краю сквозных отверстий 12 изготовлены в то же время и используют тот же процесс, используемый для изготовления интегральной электронной схемы 14 управления.
Каждое из сквозных отверстий 12 обеспечено одним электродом 17, скомпонованным вокруг сквозного отверстия 12 на указанной подложке 13. На расстоянии выше плоской подложки 13 скомпонован дополнительный электрод 19. Дополнительный электрод 19 также содержит решетку со сквозными отверстиями 12', которая совмещена со сквозными отверстиями 12 подложки 13, как схематично показано в поперечном сечении на Фиг. 5. Каждое сквозное отверстие 12 с его электродом 17 и дополнительным электродом 19 образует отдельную линзу 11 Энзеля, которая при использовании обеспечивается регулируемым напряжением для раздельного регулирования фокусного расстояния или силы указанной линзы 11.
Этот второй пример, таким образом, предоставляет манипуляторное устройство 16, которое содержит решетку электростатических линз 11, в которой каждая из указанных электростатических линз 11 содержит одно сквозное отверстие 12 из указанной решетки со сквозными отверстиями, в которой каждое из сквозных отверстий 12 содержит один электрод 17, скомпонованный вокруг соответствующего сквозного отверстия 12, и при этом электронная схема 14 управления скомпонована для обеспечения одного электрода 12 каждого отдельного сквозного отверстия линзы 11 из указанной решетки электростатических линз регулируемым напряжением для раздельного регулирования силы указанной линзы 11.
Фиг. 6 показывает третий пример манипуляторного устройства 20 по данному изобретению. По сути, манипуляторное устройство 20 по этому третьему примеру содержит такую же структуру как устройство, показанное в разобранном виде по Фиг. 2. То есть устройство содержит по существу плоскую подложку, которая обеспечена решеткой со сквозными отверстиями 22, которые равномерно скомпонованы в ряды и колонны, как показано на виде сверху по Фиг. 6. Сквозные отверстия 22 скомпонованы для прохождения через них по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц. Каждое из сквозных отверстий 22 обеспечено восемью электродами 27, которые окружают сквозное отверстие 12. Каждое сквозное отверстие 12 с его электродами 17 образует отдельный октупольный дефлектор, который при использовании обеспечивается регулируемым напряжением для раздельного регулирования траектории элементарных пучков, которые пересекают одно из указанных сквозных отверстий 12, например, для предоставления стигматической коррекции для каждого отдельного элементарного пучка.
Таким образом, манипуляторное устройство 20 по этому третьему примеру содержит решетку электростатических стигматических корректоров 21, например, для коррекции какого-либо астигматизма элементарных пучков, в которой каждый из указанных электростатических стигматических корректоров 21 содержит одно сквозное отверстие 22 из указанной решетки сквозных отверстий, в которой каждое из сквозных отверстий 22 содержит восемь электродов 27, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия 22, и при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения восьми электродов 27 каждого отдельного сквозного отверстия 22 стигматического корректора 21 из указанной решетки электростатических стигматических корректоров регулируемым напряжением для раздельного регулирования величины стигматической коррекции элементарного пучка заряженных частиц, стимулированной указанным стигматическим корректором.
В дополнительном примере устройства по данному изобретению, как в частичном поперечном сечении по Фиг. 7, устройство 31 содержит первое манипуляторное устройство 30, имеющее первую плоскую подложку 33, содержащую первую решетку со сквозными отверстиями 32 в плоскости первой плоской подложки 33, в которой каждое из сквозных отверстий 32 содержит один или более электродов 37, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия 32, и при этом один или более электродов 37 скомпонованы на указанной подложке 33. В дополнение, устройство 31 содержит второе манипуляторное устройство 30', имеющее вторую плоскую подложку 33', содержащую вторую решетку со сквозными отверстиями 32' в плоскости второй плоской подложки, в которой каждое из сквозных отверстий 32' содержит один или более электродов 37', скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия 32', и при этом один или более электродов 32' скомпонованы на указанной подложке 33'. Вторая плоская подложка 33' скомпонована на расстоянии d и по существу параллельна первой плоской подложке 33, на которой каждое сквозное отверстие 32' второго манипуляторного устройства 30' по меньшей мере по существу находится на одной линии со сквозным отверстием 32 первого манипуляторного устройства 30. В варианте осуществления первое 30 и второе 30' манипуляторные устройства образованы в виде одного блока.
Сквозные отверстия 30, 32' имеют радиус r, и при этом расстояние d между первой и второй плоской подложкой по существу равно или меньше, чем радиус r. В дополнение, один или более электродов 37, 37' первого 30 и второго 30' манипуляторного устройства скомпонованы на указанной первой 33 и второй 33' подложке, так что один или более электродов 37 на первой подложке 33 и один или более электродов 37' на второй подложке 33' обращены друг к другу. Второе манипуляторное устройство 30' по существу отражено симметрично первому манипуляторному устройству 30, по меньшей мере относительно центральной плоскости между первым 30 и вторым 30' манипуляторным устройством для того, чтобы объединить каждое сквозное отверстие 32 первого манипуляторного устройства 30 с соответствующим сквозным отверстием 32' второго манипуляторного устройства 30'.
Каждое из первого 30 и второго 30' манипуляторных устройств может содержать решетку дефлекторов, имеющих два или более электродов 37, 37' для каждого сквозного отверстия 32, 32', например, четыре электрода, как показано на Фиг. 2 и 3, решетку электростатических линз, имеющую один электрод 37, 37' для каждого сквозного отверстия 32, 32', как показано на Фиг. 4, и/или решетку электростатических стигматических корректоров, имеющих восемь электродов 37, 37' для каждого сквозного отверстия 32, 32', как показано на Фиг. 6.
Ссылаясь обратно на устройство 100 безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, как показано на Фиг. 1, следует отметить, что элементарные пучки 122 являются скомпонованными группами. В результате группирования элементарных пучков 122, устройства оптической колонны заряженных частиц после апертурной решетки 104, которая блокирует часть коллимированного пучка 120 для создания подпучков 121, могут быть на области 200 с пучком и области 210 без пучка, как схематично изображено на Фиг. 8A. Эти области 210 без пучка, которые расположены между группами элементарных пучков, например, как задано посредством подпучков 121, могут быть использованы в качестве расположения для электронной схемы 510 управления, которая управляет манипуляторами 520, скомпонованными в областях 200 с пучком, как схематично показано на Фиг. 8B. Вблизи края области без пучка, предоставлены соединители 500, которые присоединены к электронным схемам 510 управления для каждого манипулятора 520 в области 200 с пучком, с использованием линий данных. От каждой электронной схемы 510 управления линии подачи напряжения направлены к отдельным электродам каждого манипулятора 520 для обеспечения каждого электрода раздельно регулируемым напряжением.
В расположении областей 210 без пучка доступно достаточно места для компоновки устройств памяти интегральной электронной схемы управления для хранения управляющих данных для манипуляторных устройств, скомпонованных в находящейся рядом области 200 с пучком. В частности, блоки памяти скомпонованы для хранения управляющих данных для установки напряжения на различные отличающиеся уровни для каждого отдельного манипулятора 520.
Также в областях 210 без пучка скомпонован демультиплексор для демультиплексирования мультиплексированного сигнала данных и передачи демультиплексированных данных на электронную схему управления и/или их устройства памяти. Такой вариант осуществления требует по существу один вывод для данных на область 201 без пучка, что значительно уменьшает число соединительных выводов.
На Фиг. 9 показан дополнительный примерный вариант осуществления данных изобретений. Фиг. 9 показывает схематичное поперечное сечение устройства контроля множественных элементарных пучков заряженных частиц для измерения свойств пучка отдельных элементарных пучков. Устройство контроля множественных элементарных пучков заряженных частиц содержит входную апертурную решетку 1050, которая, при использовании, совмещена с группой элементарных пучков 1220 так, чтобы эти элементарные пучки 1220 входили в устройство контроля. В соответствии с данным изобретением, устройство контроля содержит манипуляторное устройство 3000, содержащее манипуляторы 2, 22 отдельных элементарных пучков, как например показано на Фиг. 2, 3 и 6, для раздельного отклонения одного или более элементарных пучков 1220 в соответствии с управляющим сигналом 4330 от контроллера 4300. Со стороны манипуляторного устройства 3000, обращенного от входной апертурной решетки 1050, и на расстоянии от манипуляторного устройства 3000 скомпонованы ряды датчиков 4100, 4101, 4200.
В этом примере, ряды датчиков дополнительно содержат центральный датчик 4200, который содержит цилиндр Фарадея. Когда контроллер 4300 предоставляет управляющие сигналы 4330 манипуляторам отдельных элементарных пучков из манипуляторного устройства 3000 для отклонения всех элементарных пучков в цилиндр 4200 Фарадея, измеряется суммарный ток элементарных пучков заряженных частиц. Сигнал 4310 измерения для измерения цилиндра 4200 Фарадея направляется в контроллер 4300 и может быть отображен, сохранен и/или дополнительно оценен в контроллере 4300.
В дополнение, центральный датчик 4200 окружен несколькими датчиками 4100, 4101 для измерения свойств пучка отдельных элементарных пучков 1230. Для того, чтобы измерить свойства пучка отдельного элементарного пучка 1230, контроллер 4300 предоставляет управляющий сигнал 4330 для того, чтобы отклонить отдельный элементарный пучок 1230 на один из датчиков 4100. В случае, если манипуляторное устройство 3000 содержит отдельные дефлекторы 2, как показано на Фиг. 2, 3, отдельные элементарные пучки 1230 могут быть отражены в любом направлении, и величина отклонения в определенном направлении может регулироваться отдельно. Таким образом, отдельный элементарный пучок 1230 может быть впоследствии направлен на два или более датчиков 4100, 4101 для того, чтобы измерить разные свойства пучка. Например, один или два датчика 4100, 4101 скомпонованы для измерения суммарного тока отдельного элементарного пучка 1230, второй датчик из двух или более датчиков 4100, 4101 скомпонован для измерения первого профиля пучка, тогда как отдельный элементарный пучок 1230 сканируется в первом направлении на втором датчике, и третий датчик из двух или более датчиков 4100, 4101 скомпонован для измерения второго профиля пучка, тогда как отдельный элементарный пучок 1230 сканируется во втором направлении, которое является по меньшей мере по существу перпендикулярным к первому направлению, на третьем датчике. Сигнал 4320 измерения для измерения датчиков 4100, 4101 направляется в контроллер 4300 и может быть отображен, сохранен и/или дополнительно оценен в контроллере 4300.
Следует понимать, что вышеприведенное описание включено для иллюстрации работы предпочтительных вариантов осуществления изобретения и не предназначено для ограничения объема данного изобретения. Исходя из вышеприведенного рассмотрения, многие вариации могут быть очевидны специалисту в данной области техники, которые были бы охвачены сущностью и объемом настоящего изобретения
В заключение, настоящее изобретение относится к способу и устройству для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц. Манипуляторное устройство содержит плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпонованы для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через них, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, и электронную схему управления для предоставления управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия по меньшей мере по существу регулируемым аналоговым напряжением.
Claims (66)
1. Способ управления траекторией одного или более элементарных пучков заряженных частиц для экспонирования мишени в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц содержит оптическую колонну для:
формирования расширяющегося пучка заряженных частиц с использованием источника заряженных частиц,
коллимирования пучка заряженных частиц с использованием коллиматора,
использования апертурной решетки для создания множественных элементарных пучков заряженных частиц для экспонирования мишени,
отклонения отдельных элементарных пучков в группе элементарных пучков в определенные моменты времени для того, чтобы погасить их с использованием решетки схем гашения элементарного пучка,
остановки отклоненных отдельных элементарных пучков с использованием решетки остановки пучка, и
проецирования неостановленных элементарных пучков на мишень с использованием системы проекционных линз,
при этом каждый из множественных элементарных пучков экспонирует мишень при негашении посредством решетки схем гашения элементарного пучка,
при этом упомянутое устройство содержит манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпоновано для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через него, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на упомянутой подложке, и
электронную схему управления для подачи управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия из решетки со сквозными отверстиями,
при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц содержит датчик для измерения по меньшей мере одной характеристики упомянутых элементарных пучков заряженных частиц, падающих на упомянутый датчик, при этом датчик присоединен к упомянутой электронной схеме управления, причем датчик находится в расположении, куда элементарные пучки направляются при гашении, или в расположении мишени во время замены мишени, которая была обработана, мишенью, которая должна быть обработана,
при этом способ содержит этапы, на которых:
обеспечивают раздельное управление регулированием для каждого сквозного отверстия посредством обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением, и
на основе сигнала обратной связи, предоставленного датчиком на электронную схему управления, обеспечивают упомянутое раздельное управление регулированием для каждого сквозного отверстия посредством установки каждого из регулируемых напряжений в значение для получения желаемой коррекции каждого элементарного пучка, чтобы обеспечить скорректированные настройки для манипуляторного устройства, чтобы, по меньшей мере, по существу скорректировать нарушение и/или сдвиг одного или более отдельных элементарных пучков.
2. Способ по п. 1, в котором упомянутое манипуляторное устройство содержит решетку электростатических линз, при этом каждая из упомянутых электростатических линз содержит одно сквозное отверстие из упомянутой решетки со сквозными отверстиями, причем каждое из сквозных отверстий содержит один электрод, скомпонованный вокруг соответствующего сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для раздельного регулирования силы каждой из упомянутых электростатических линз посредством обеспечения одного электрода каждого отдельного сквозного отверстия линзы упомянутой решетки электростатических линз, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением.
3. Способ по п. 1, в котором упомянутое манипуляторное устройство содержит решетку электростатических дефлекторов, причем каждый из упомянутых электростатических дефлекторов содержит одно сквозное отверстие из упомянутой решетки со сквозными отверстиями, при этом каждое из сквозных отверстий содержит два или более электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для раздельного регулирования величины отклонения элементарного пучка заряженных частиц, стимулированного упомянутым дефлектором, посредством обеспечения двух или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия дефлектора из упомянутой решетки электростатических дефлекторов, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением.
4. Способ по п. 1, в котором упомянутое манипуляторное устройство содержит решетку электростатических корректоров астигматизма, при этом каждый из упомянутых электростатических корректоров астигматизма содержит одно сквозное отверстие из упомянутой решетки со сквозными отверстиями, причем каждое из сквозных отверстий содержит восемь электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для раздельного регулирования величины коррекции астигматизма элементарного пучка заряженных частиц, стимулированной упомянутым корректором астигматизма, посредством обеспечения восьми электродов каждого отдельного сквозного отверстия корректора астигматизма из упомянутой решетки электростатических корректоров астигматизма, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением.
5. Способ по п. 1, в котором манипуляторное устройство скомпоновано за коллиматором для:
- отклонения одного или более из упомянутого одного или более элементарных пучков заряженных частиц в плоскости, по существу перпендикулярной оптической оси оптической колонны заряженных частиц для того, чтобы скорректировать неправильные совмещения одного или более устройств оптической колонны заряженных частиц, и/или
- корректирования одного или более из упомянутых одного или более элементарных пучков заряженных частиц для астигматизма.
6. Способ по п. 1, в котором манипуляторное устройство предоставлено как часть системы проекционных линз для обеспечения отклонения и/или фокусировки или дефокусировки одного или более из упомянутого одного или более элементарных пучков заряженных частиц в системе проекционных линз.
7. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащее оптическую колонну, которая содержит:
источник заряженных частиц для формирования расширяющегося пучка заряженных частиц,
коллимирующую линзу для коллимирования пучка заряженных частиц,
апертурную решетку для создания множественных элементарных пучков заряженных частиц для экспонирования мишени,
решетку схем гашения элементарного пучка для отклонения отдельных элементарных пучков в группе элементарных пучков в определенные моменты времени для того, чтобы погасить их,
решетку остановки пучка для остановки отклоненных отдельных элементарных пучков, и
систему проекционных линз для проецирования неостановленных элементарных пучков на мишень,
при этом каждый из множественных элементарных пучков экспонирует мишени при негашении посредством решетки схем гашения элементарного пучка,
при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц дополнительно содержит манипуляторное устройство для манипуляции одним или более пучками заряженных частиц из множества элементарных пучков заряженных частиц для экспонирования мишени в устройстве с множественными элементарными пучками заряженных частиц, при этом манипуляторное устройство содержит:
плоскую подложку, содержащую решетку со сквозными отверстиями в плоскости подложки, причем каждое из этих сквозных отверстий скомпоновано для прохождения по меньшей мере одного элементарного пучка заряженных частиц через него, при этом каждое из сквозных отверстий обеспечено одним или более электродами, скомпонованными вокруг сквозного отверстия, при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на упомянутой подложке, и
электронную схему управления для подачи управляющих сигналов на один или более электродов каждого сквозного отверстия, при этом электронная схема управления скомпонована для обеспечения одного или более электродов каждого отдельного сквозного отверстия, по меньшей мере, по существу регулируемым аналоговым напряжением, при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц дополнительно содержит:
датчик для измерения по меньшей мере одной характеристики упомянутых элементарных пучков заряженных частиц, падающих на упомянутый датчик, при этом датчик присоединен к упомянутой электронной схеме управления для обеспечения раздельного управления регулированием для каждого сквозного отверстия на основе сигнала обратной связи, предоставленного датчиком на электронную схему управления, при этом датчик находится в расположении, куда элементарные пучки направляются при гашении, или в расположении мишени во время замены мишени, которая была обработана, мишенью, которая должна быть обработана.
8. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 7, в котором напряжение раздельно регулируется для каждого электрода упомянутого манипуляторного устройства.
9. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 7, в котором упомянутое манипуляторное устройство скомпоновано для фокусировки, отклонения или исправления астигматизма отдельных элементарных пучков из упомянутого множества элементарных пучков.
10. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 7, в котором плоская подложка упомянутого манипуляторного устройства является пластиной, и в котором электронная схема управления содержит интегральную схему на упомянутой плоской подложке.
11. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором электронная схема управления, по меньшей мере частично, скомпонована между двумя сквозными отверстиями на упомянутом манипуляторном устройстве.
12. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 11, в котором электронная схема управления скомпонована в областях без пучка между двумя сквозными отверстиями или между двумя группами сквозных отверстий на упомянутом манипуляторном устройстве.
13. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором электронная схема управления содержит память для хранения управляющих данных для одного или более электродов из одного или более отдельных сквозных отверстий, причем память скомпонована на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства и рядом с упомянутыми сквозными отверстиями.
14. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 13, в котором память скомпонована для хранения управляющих данных для одного или более электродов из одного отдельного сквозного отверстия, причем память скомпонована на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства и рядом с упомянутым отдельным сквозным отверстием.
15. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 13, в котором память скомпонована между двумя сквозными отверстиями.
16. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором один или более электродов упомянутого манипуляторного устройства содержат металл, который осажден на плоскую подложку.
17. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 16, в котором металл содержит молибден.
18. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 16, в котором один или более электродов сквозного отверстия в упомянутом манипуляторном устройстве по меньшей мере частично скомпонованы у внутренней лицевой стенки упомянутого сквозного отверстия.
19. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 18, в котором упомянутый один или более электродов продолжаются в сквозном отверстии в направлении, по существу, параллельном центральной линии упомянутого сквозного отверстия.
20. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором один или более электродов каждого сквозного отверстия упомянутого манипуляторного устройства, по меньшей мере, по существу окружены заземленным электродом.
21. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п.20, в котором заземленный электрод содержит металл, который осажден на плоскую подложку.
22. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 21, в котором металл содержит молибден.
23. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 20, в котором поверхность одного или более электродов упомянутого манипуляторного устройства, которая обращена от плоской подложки, скомпонована на высоте между плоской подложкой и поверхностью заземленного электрода, которая обращена от упомянутой плоской подложки.
24. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 23, в котором толщина заземленного электрода на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства больше, чем толщина одного или более электродов на плоской подложке.
25. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором электронная схема управления содержит соединительные выводы для соединения электронной схемы управления с одним или более электродами упомянутого манипуляторного устройства, при этом по меньшей мере один из упомянутых соединительных выводов по меньшей мере частично скомпонован между двумя заземленными электропроводящими слоями.
26. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 25, в котором по меньшей мере один из упомянутых соединительных выводов по меньшей мере частично скомпонован между двумя заземленными выводами.
27. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10, в котором электронная схема управления содержит демультиплексор для извлечения управляющих данных для одного или более отдельных сквозных отверстий из мультиплексированного сигнала, причем демультиплексор скомпонован на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства и рядом с упомянутыми сквозными отверстиями.
28. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 27, в котором демультиплексор скомпонован для извлечения управляющих данных для одного или более электродов из одного отдельного сквозного отверстия, причем демультиплексор скомпонован на плоской подложке упомянутого манипуляторного устройства и рядом с упомянутым отдельным сквозным отверстием.
29. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 27, в котором демультиплексор скомпонован между находящимися рядом сквозными отверстиями.
30. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 27, в котором число соединительных выводов к манипуляторному устройству по существу меньше, чем число электродов.
31. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 27, в котором число соединительных выводов к сквозному отверстию манипуляторного устройства меньше, чем число электродов упомянутого сквозного отверстия.
32. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому из пп. 7-10,
в котором манипуляторное устройство является первым манипуляторным устройством, имеющим первую плоскую подложку, содержащую первую решетку со сквозными отверстиями в плоскости первой плоской подложки,
при этом устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц содержит второе манипуляторное устройство, имеющее вторую плоскую подложку, содержащую вторую решетку со сквозными отверстиями в плоскости второй плоской подложки, при этом каждое из сквозных отверстий содержит один или более электродов, скомпонованных вокруг соответствующего сквозного отверстия, при этом один или более электродов скомпонованы в и/или на упомянутой подложке,
при этом вторая плоская подложка скомпонована на расстоянии и по существу параллельно к первой плоской подложке, при этом каждое сквозное отверстие второй решетки со сквозными отверстиями находится, по меньшей мере, по существу на одной линии со сквозным отверстием первой решетки со сквозными отверстиями.
33. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 32, в котором сквозные отверстия имеют радиус r, при этом расстояние d между первой и второй плоскими подложками равно или меньше, чем радиус r.
34. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 32, в котором один или более электродов первого и второго манипуляторных устройств скомпонованы на упомянутой первой и второй подложках соответственно, при этом один или более электродов на первой подложке и один или более электродов на второй подложке обращены друг к другу.
35. Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по п. 32, в котором второе манипуляторное устройство, по меньшей мере, по существу отражено симметрично к первому манипуляторному устройству, по меньшей мере относительно центральной плоскости между первым и вторым манипуляторными устройствами.
36. Устройство безмасочной литографии множественными элементарными пучками заряженных частиц, содержащее устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц по любому одному из пп. 7-35.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2006868A NL2006868C2 (en) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | Charged particle multi-beamlet apparatus. |
| NL2006868 | 2011-05-30 | ||
| US201161491865P | 2011-05-31 | 2011-05-31 | |
| US61/491,865 | 2011-05-31 | ||
| PCT/NL2012/050376 WO2012165955A2 (en) | 2011-05-30 | 2012-05-30 | Charged particle multi-beamlet apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013157921A RU2013157921A (ru) | 2015-07-10 |
| RU2632937C2 true RU2632937C2 (ru) | 2017-10-11 |
Family
ID=47260136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013157921A RU2632937C2 (ru) | 2011-05-30 | 2012-05-30 | Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9607806B2 (ru) |
| EP (2) | EP3660883B1 (ru) |
| JP (1) | JP6141276B2 (ru) |
| KR (7) | KR102780450B1 (ru) |
| CN (1) | CN103650097B (ru) |
| NL (1) | NL2006868C2 (ru) |
| RU (1) | RU2632937C2 (ru) |
| TW (1) | TWI582816B (ru) |
| WO (1) | WO2012165955A2 (ru) |
Families Citing this family (138)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6147528B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2017-06-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| US9824851B2 (en) * | 2013-01-20 | 2017-11-21 | William M. Tong | Charge drain coating for electron-optical MEMS |
| JP6293435B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2018-03-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
| NL2011401C2 (en) * | 2013-09-06 | 2015-03-09 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle optical device. |
| DE102014008083B9 (de) | 2014-05-30 | 2018-03-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem |
| DE102014008105B4 (de) | 2014-05-30 | 2021-11-11 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Mehrstrahl-Teilchenmikroskop |
| DE102014008383B9 (de) | 2014-06-06 | 2018-03-22 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik |
| US10497536B2 (en) * | 2016-09-08 | 2019-12-03 | Rockwell Collins, Inc. | Apparatus and method for correcting arrayed astigmatism in a multi-column scanning electron microscopy system |
| US10840056B2 (en) * | 2017-02-03 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Multi-column scanning electron microscopy system |
| WO2018197169A1 (en) | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus using multiple beams of charged particles |
| KR102649183B1 (ko) * | 2017-10-02 | 2024-03-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 빔들을 사용하는 장치 |
| EP3474308A1 (en) * | 2017-10-17 | 2019-04-24 | Universiteit Antwerpen | Spatial phase manipulation of charged particle beam |
| JP7198092B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-12-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム照射方法 |
| EP3576128A1 (en) * | 2018-05-28 | 2019-12-04 | ASML Netherlands B.V. | Electron beam apparatus, inspection tool and inspection method |
| US10483080B1 (en) * | 2018-07-17 | 2019-11-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
| DE102018007652B4 (de) * | 2018-09-27 | 2021-03-25 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen |
| US11145485B2 (en) * | 2018-12-26 | 2021-10-12 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple electron beams irradiation apparatus |
| US20200303156A1 (en) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Beam splitter for a charged particle device |
| EP3716313A1 (en) * | 2019-03-28 | 2020-09-30 | ASML Netherlands B.V. | Aperture array with integrated current measurement |
| EP3953959A1 (en) * | 2019-04-06 | 2022-02-16 | ASML Netherlands B.V. | Mems image forming element with built-in voltage generator |
| DE102019005362A1 (de) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem |
| JP7222874B2 (ja) * | 2019-11-12 | 2023-02-15 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 半導体装置 |
| US11120965B2 (en) * | 2019-12-04 | 2021-09-14 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Beam blanking device for a multi-beamlet charged particle beam apparatus |
| EP3975222A1 (en) | 2020-09-24 | 2022-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment tool, inspection method |
| KR102830218B1 (ko) | 2020-01-06 | 2025-07-08 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 평가 툴, 검사 방법 |
| EP3937204A1 (en) | 2020-07-06 | 2022-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Inspection apparatus |
| EP3863040A1 (en) | 2020-02-07 | 2021-08-11 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle manipulator device |
| EP3869535A1 (en) | 2020-02-21 | 2021-08-25 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment tool, inspection method |
| EP3869536A1 (en) | 2020-02-21 | 2021-08-25 | ASML Netherlands B.V. | Inspection apparatus |
| EP3869533A1 (en) | 2020-02-21 | 2021-08-25 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment tool, inspection method |
| IL295627A (en) | 2020-02-21 | 2022-10-01 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus |
| KR102817129B1 (ko) | 2020-02-21 | 2025-06-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 검사 툴, 검사 방법 |
| EP3876258A1 (en) * | 2020-03-06 | 2021-09-08 | ASML Netherlands B.V. | Beam manipulator in charged particle-beam exposure apparatus |
| JP7359050B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2023-10-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| EP3893264A1 (en) | 2020-04-06 | 2021-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment tool, inspection method |
| EP3893263A1 (en) * | 2020-04-06 | 2021-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Aperture assembly, beam manipulator unit, method of manipulating charged particle beams, and charged particle projection apparatus |
| JP7409946B2 (ja) * | 2020-04-13 | 2024-01-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置 |
| IL298348A (en) | 2020-06-10 | 2023-01-01 | Asml Netherlands Bv | Interchangeable module for charged particle device |
| EP4020565A1 (en) | 2020-12-23 | 2022-06-29 | ASML Netherlands B.V. | Detector substrate, an inspection apparatus and method of sample assessment |
| KR102827024B1 (ko) | 2020-07-06 | 2025-07-02 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 다중-빔 평가 도구에 사용하기 위한 검출기 기판 |
| EP3937205A1 (en) * | 2020-07-06 | 2022-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Charged-particle multi-beam column, charged-particle multi-beam column array, inspection method |
| IL300807A (en) | 2020-09-17 | 2023-04-01 | Asml Netherlands Bv | Charged particle evaluation tool test method |
| EP3971939A1 (en) | 2020-09-17 | 2022-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment tool, inspection method |
| EP4214737A1 (en) | 2020-09-17 | 2023-07-26 | ASML Netherlands B.V. | Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing, objective lens arrangement |
| EP3971940A1 (en) | 2020-09-17 | 2022-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing, objective lens arrangement |
| IL302654A (en) | 2020-11-12 | 2023-07-01 | Asml Netherlands Bv | Assembling an objective lens array, electronic-optical system, electronic-optical system array, focusing method |
| EP4002421A1 (en) | 2020-11-12 | 2022-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing |
| EP4009348A1 (en) | 2020-12-01 | 2022-06-08 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle inspection tool and method |
| EP4009349A1 (en) | 2020-12-03 | 2022-06-08 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle tool, calibration method, inspection method |
| IL303577A (en) | 2020-12-14 | 2023-08-01 | Asml Netherlands Bv | Charged particle system, a sample processing method using multiple beams of charged particles |
| EP4086933A1 (en) | 2021-05-03 | 2022-11-09 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle system, method of processing a sample using a multi-beam of charged particles |
| JP2024501654A (ja) | 2020-12-23 | 2024-01-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子光学デバイス |
| EP4020516A1 (en) | 2020-12-23 | 2022-06-29 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle optical device, objective lens assembly, detector, detector array, and methods |
| WO2022139689A1 (en) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | National University Of Singapore | Ion microscope |
| EP4084039A1 (en) | 2021-04-29 | 2022-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method |
| IL308010A (en) | 2021-05-12 | 2023-12-01 | Asml Netherlands Bv | Evaluation system, evaluation method |
| EP4089712A1 (en) | 2021-05-12 | 2022-11-16 | ASML Netherlands B.V. | Assessment system, method of assessing |
| EP4092712A1 (en) * | 2021-05-18 | 2022-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle optical device and method using it |
| EP4092614A1 (en) | 2021-05-21 | 2022-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Data processing device and method, charged particle assessment system and method |
| EP4341890A1 (en) | 2021-05-21 | 2024-03-27 | ASML Netherlands B.V. | Data processing device and method, charged particle assessment system and method |
| EP4095881A1 (en) | 2021-05-25 | 2022-11-30 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle device |
| EP4352773A1 (en) | 2021-06-08 | 2024-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle apparatus and method |
| EP4102535A1 (en) | 2021-06-08 | 2022-12-14 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle apparatus and method |
| EP4102536A1 (en) | 2021-06-10 | 2022-12-14 | ASML Netherlands B.V. | Method of compensating for an effect of electrode distortion, assessment system |
| EP4113570A1 (en) | 2021-06-29 | 2023-01-04 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method of aligning a sample in a charged particle assessment system |
| EP4117015A1 (en) | 2021-07-05 | 2023-01-11 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle device, detector, and methods |
| EP4117016A1 (en) | 2021-07-05 | 2023-01-11 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle detector |
| EP4117017A1 (en) | 2021-07-05 | 2023-01-11 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle detector |
| EP4117014A1 (en) | 2021-07-07 | 2023-01-11 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle apparatus and method |
| WO2023280551A1 (en) | 2021-07-07 | 2023-01-12 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle apparatus and method |
| EP4117012A1 (en) | 2021-07-07 | 2023-01-11 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical device, charged particle apparatus and method |
| DE102021118561B4 (de) | 2021-07-19 | 2023-03-30 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes mit schneller Strahlstromregelung, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
| EP4123683A1 (en) | 2021-07-20 | 2023-01-25 | ASML Netherlands B.V. | Data processing device and method, charged particle assessment system and method |
| EP4131329A1 (en) | 2021-08-02 | 2023-02-08 | ASML Netherlands B.V. | Charged-particle optical device |
| EP4156227A1 (en) | 2021-09-27 | 2023-03-29 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle apparatus and method |
| US11651934B2 (en) | 2021-09-30 | 2023-05-16 | Kla Corporation | Systems and methods of creating multiple electron beams |
| EP4170695A1 (en) | 2021-10-19 | 2023-04-26 | ASML Netherlands B.V. | Detector assembly, charged particle device, apparatus, and methods |
| KR20240093780A (ko) | 2021-10-19 | 2024-06-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검출기 조립체, 하전 입자 디바이스, 장치, 및 방법 |
| KR20240095241A (ko) | 2021-11-11 | 2024-06-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 평가 시스템 및 방법 |
| EP4181167A1 (en) | 2021-11-11 | 2023-05-17 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method |
| KR20240122824A (ko) | 2021-12-15 | 2024-08-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 샘플 맵을 생성하는 방법, 컴퓨터 프로그램 제품 |
| WO2023110244A1 (en) | 2021-12-15 | 2023-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle assessment system |
| EP4213176A1 (en) | 2022-01-13 | 2023-07-19 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system |
| WO2023110331A1 (en) | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Charged-particle optical apparatus and projection method |
| KR20240115321A (ko) | 2021-12-17 | 2024-07-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검출기 검사 디바이스, 검출기 조립체, 검출기 어레이, 장치, 및 방법 |
| EP4199032A1 (en) | 2021-12-17 | 2023-06-21 | ASML Netherlands B.V. | Detector inspection device, detector assembly, detector array, apparatus, and method |
| EP4199031A1 (en) | 2021-12-17 | 2023-06-21 | ASML Netherlands B.V. | Charged-particle optical apparatus and projection method |
| EP4199027A1 (en) | 2021-12-17 | 2023-06-21 | ASML Netherlands B.V. | Charged-particle apparatus, multi-device apparatus, method of using charged-particle apparatus and control method |
| EP4199028A1 (en) | 2021-12-20 | 2023-06-21 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle device, charged particle assessment apparatus, measuring method, and monitoring method |
| EP4199033A1 (en) | 2021-12-20 | 2023-06-21 | ASML Netherlands B.V. | Method of processing a sample with a charged particle assessment system |
| WO2023117277A1 (en) | 2021-12-23 | 2023-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Electron-optical device, method of compensating for variations in a property of sub-beams |
| EP4202969A1 (en) | 2021-12-23 | 2023-06-28 | ASML Netherlands B.V. | Electron-optical device with compensation for variations in a property of sub-beams |
| EP4202970A1 (en) | 2021-12-24 | 2023-06-28 | ASML Netherlands B.V. | Alignment determination method and computer program |
| CN118451527A (zh) | 2021-12-31 | 2024-08-06 | Asml荷兰有限公司 | 带电粒子束装置中的束操纵器 |
| EP4250331A1 (en) | 2022-03-22 | 2023-09-27 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle apparatus and method |
| EP4258320A1 (en) | 2022-04-08 | 2023-10-11 | ASML Netherlands B.V. | Sensor substrate, apparatus, and method |
| CN119156687A (zh) * | 2022-04-11 | 2024-12-17 | 华为技术有限公司 | 粒子矫正装置、粒子矫正器模组和粒子系统 |
| EP4280252A1 (en) | 2022-05-16 | 2023-11-22 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle optical device and method |
| WO2023202819A1 (en) | 2022-04-18 | 2023-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle optical device and method |
| CN119404279A (zh) | 2022-07-15 | 2025-02-07 | Asml荷兰有限公司 | 带电粒子光学装置 |
| EP4354485A1 (en) | 2022-10-13 | 2024-04-17 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical apparatus |
| EP4345861A1 (en) | 2022-09-28 | 2024-04-03 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle apparatus |
| EP4421843A1 (en) | 2023-02-27 | 2024-08-28 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical apparatus |
| IL320209A (en) | 2022-10-27 | 2025-06-01 | Asml Netherlands Bv | Charged particle-optical apparatus |
| DE102022131862A1 (de) | 2022-12-01 | 2024-06-06 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Vielstrahl-Teilchenmikroskop umfassend eine Aberrationskorrektureinheit mit Geometrie-basierten Korrekturelektroden und Verfahren zum Einstellen der Aberrationskorrektur sowie Computerprogrammprodukt |
| EP4391009A1 (en) | 2022-12-21 | 2024-06-26 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle device and charged particle apparatus |
| US12451322B2 (en) * | 2023-02-15 | 2025-10-21 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Method of forming a multipole device, method of influencing an electron beam, and multipole device |
| EP4418302A1 (en) * | 2023-02-16 | 2024-08-21 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical element, charged particle-optical module, assessment apparatus, chip assembly, method of manufacturing |
| DE102023202582A1 (de) * | 2023-03-22 | 2024-09-26 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verbesserte Vielstrahl-Erzeugungseinrichtung und Methode zum Betrieb einer Vielstrahl-Erzeugungseinrichtung |
| EP4539091A1 (en) | 2023-10-10 | 2025-04-16 | ASML Netherlands B.V. | Electron-beam imaging system |
| EP4576159A1 (en) | 2023-12-20 | 2025-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle system and method of baking out a charged particle system |
| TW202536906A (zh) | 2023-11-09 | 2025-09-16 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 帶電粒子系統及烘乾帶電粒子系統之方法 |
| EP4567474A1 (en) | 2023-12-08 | 2025-06-11 | ASML Netherlands B.V. | Signal processing method, signal processor, assessment method, and assessment apparatus |
| EP4576158A1 (en) | 2023-12-18 | 2025-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical module, charged particle-optical device, and a method of using a charged-particle apparatus |
| EP4597540A1 (en) | 2024-01-30 | 2025-08-06 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical apparatus and method of processing a sample |
| EP4576157A1 (en) | 2023-12-20 | 2025-06-25 | ASML Netherlands B.V. | High-voltage discharge detection in a charged particle system |
| WO2025131457A1 (en) | 2023-12-20 | 2025-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for assessing a sample surface, method of scanning a sample surface, and charged particle assessment apparatus |
| EP4575637A1 (en) | 2023-12-20 | 2025-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus for assessing a sample surface, method of scanning a sample surface, and charged particle assessment apparatus |
| WO2025131442A1 (en) | 2023-12-20 | 2025-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle-optical apparatus and method of processing a sample |
| WO2025201803A1 (en) | 2024-03-28 | 2025-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle-optical module |
| WO2025201807A1 (en) | 2024-03-28 | 2025-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle-optical module |
| WO2025201790A1 (en) | 2024-03-28 | 2025-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle-optical module |
| WO2025201789A1 (en) | 2024-03-28 | 2025-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle-optical module |
| WO2025201804A1 (en) | 2024-03-28 | 2025-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle-optical module |
| WO2025201799A1 (en) | 2024-03-28 | 2025-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle-optical module |
| WO2025224235A2 (en) * | 2024-04-25 | 2025-10-30 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Improved beam control for a multi-beam scanning particle imaging system |
| WO2025261658A1 (en) | 2024-06-18 | 2025-12-26 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for handling the impact of failing beams in multibeam inspection |
| EP4672297A1 (en) | 2024-06-26 | 2025-12-31 | ASML Netherlands B.V. | ELECTROSTATIC LENS |
| EP4685837A1 (en) | 2024-07-25 | 2026-01-28 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical element, charged particle-optical device and methods of manufacturing electrodes |
| EP4723158A1 (en) | 2024-10-02 | 2026-04-08 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical device and method of assessing |
| EP4726766A1 (en) | 2024-10-10 | 2026-04-15 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle-optical apparatus |
| EP4726765A1 (en) | 2024-10-10 | 2026-04-15 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method |
| EP4553886A3 (en) | 2025-03-28 | 2025-12-24 | ASML Netherlands B.V. | Optical beam member |
| EP4571811A2 (en) | 2025-04-30 | 2025-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Cross talk reduction |
| EP4576149A3 (en) | 2025-05-02 | 2025-11-19 | ASML Netherlands B.V. | Electrical connection system |
| EP4589629A3 (en) | 2025-05-15 | 2026-02-25 | ASML Netherlands B.V. | Assessment apparatus and method for assessment |
| EP4593056A3 (en) | 2025-06-13 | 2025-12-24 | ASML Netherlands B.V. | Optical beam member |
| EP4683140A1 (en) | 2025-07-24 | 2026-01-21 | ASML Netherlands B.V. | Method of forming a cable termination and cable |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401974A (en) * | 1993-03-18 | 1995-03-28 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure apparatus and method of cleaning the same |
| US20030189180A1 (en) * | 2000-04-04 | 2003-10-09 | Shinichi Hamaguchi | Multi-beam exposure apparatus using a multi- axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device |
| US6646275B2 (en) * | 1994-03-15 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
| US20050023486A1 (en) * | 2002-07-22 | 2005-02-03 | Advantest Corporation | Electron beam exposure apparatus and electron beam measurement module |
| US20070194235A1 (en) * | 2000-12-01 | 2007-08-23 | Ebara Corporation | Apparatus for inspection with electron beam, method for operating same, and method for manufacturing semiconductor device using former |
| US20090140160A1 (en) * | 2005-07-20 | 2009-06-04 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Charged particle beam exposure system and beam manipulating arrangement |
| US20100065741A1 (en) * | 2005-08-24 | 2010-03-18 | Dagmar Gerthsen | Method For The Production Of Multiplayer Electrostatic Lens Array |
Family Cites Families (75)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190839A (ja) | 1985-02-19 | 1986-08-25 | Canon Inc | 荷電粒子線装置 |
| JPS6288247A (ja) | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPS63173326A (ja) | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| EP0404608B1 (en) * | 1989-05-19 | 1995-02-22 | Fujitsu Limited | Blanking aperture array, method of producing blanking aperture array, charged particle beam exposure apparatus and charged particle beam exposure method |
| JP2886277B2 (ja) | 1990-06-20 | 1999-04-26 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
| JPH04328236A (ja) | 1991-04-26 | 1992-11-17 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
| JP3238487B2 (ja) | 1991-11-14 | 2001-12-17 | 富士通株式会社 | 電子ビーム装置 |
| JPH08115697A (ja) * | 1994-10-18 | 1996-05-07 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡装置 |
| US5617129A (en) | 1994-10-27 | 1997-04-01 | Xerox Corporation | Ionographic printing with a focused ion stream controllable in two dimensions |
| EP0773576A1 (en) | 1995-11-13 | 1997-05-14 | Motorola, Inc. | Electron column optics for multibeam electron lithography system |
| JP3647143B2 (ja) * | 1996-06-12 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光装置及びその露光方法 |
| EP1369896A3 (en) | 1996-03-04 | 2004-12-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and method and device manufacturing method |
| US5962859A (en) | 1998-01-09 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Multiple variable shaped electron beam system with lithographic structure |
| JP3014380B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2000-02-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 複数の可変成形電子ビ―ムを使用してパタ―ンを直接書き込むシステムおよび方法 |
| US5981962A (en) | 1998-01-09 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Distributed direct write lithography system using multiple variable shaped electron beams |
| US6175122B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Method for writing a pattern using multiple variable shaped electron beams |
| US6014200A (en) | 1998-02-24 | 2000-01-11 | Nikon Corporation | High throughput electron beam lithography system |
| JP3436878B2 (ja) | 1998-03-19 | 2003-08-18 | 株式会社東芝 | 荷電粒子ビーム装置 |
| US6127775A (en) | 1998-06-29 | 2000-10-03 | Xerox Corporation | Ionic display with grid focusing |
| JP2000252207A (ja) | 1998-08-19 | 2000-09-14 | Ims Ionen Mikrofab Syst Gmbh | 粒子線マルチビームリソグラフイー |
| JP3847980B2 (ja) | 1998-10-06 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| JP2001015428A (ja) | 1999-04-28 | 2001-01-19 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置 |
| KR100339140B1 (ko) | 1999-04-28 | 2002-05-31 | 히로시 오우라 | 전자빔 노출 장치 |
| JP2001076990A (ja) | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及びその制御方法 |
| JP3763446B2 (ja) | 1999-10-18 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法 |
| WO2001039243A1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-05-31 | Ion Diagnostics, Inc. | Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool |
| JP2001168018A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
| US6465795B1 (en) | 2000-03-28 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Charge neutralization of electron beam systems |
| JP4585661B2 (ja) | 2000-03-31 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
| US6787780B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-09-07 | Advantest Corporation | Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a semiconductor device |
| JP4401614B2 (ja) | 2000-04-04 | 2010-01-20 | 株式会社アドバンテスト | 多軸電子レンズを用いたマルチビーム露光装置、複数の電子ビームを集束する多軸電子レンズ、半導体素子製造方法 |
| EP2587515A1 (en) | 2000-06-27 | 2013-05-01 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
| JP2002118060A (ja) | 2000-07-27 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置、荷電ビーム露光方法、露光データ作成方法、露光データを作成するプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体、及び、露光データを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体 |
| DE10147133A1 (de) * | 2000-10-03 | 2002-06-13 | Advantest Corp | Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung |
| US6815875B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-11-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electron source having planar emission region and focusing structure |
| US6563124B2 (en) | 2001-03-21 | 2003-05-13 | Applied Materials, Inc. | Electron beam apparatus having traversing circuit boards |
| JP3703774B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2005-10-05 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム露光装置、荷電ビームを用いた露光方法およびこの露光方法を用いた半導体装置の製造方法 |
| CN101414534B (zh) * | 2002-10-30 | 2012-10-03 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 电子束曝光系统 |
| JP2004165076A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Advantest Corp | 偏向器の製造方法、偏向器、及び露光装置 |
| DE60236302D1 (de) * | 2002-12-17 | 2010-06-17 | Integrated Circuit Testing | Mehrachsige Verbundlinse, Strahlvorrichtung und Verfahren zur Anwendung dieser kombinierten Linse |
| GB2397691B (en) | 2003-01-24 | 2005-08-10 | Leica Microsys Lithography Ltd | Cooling of a device for influencing an electron beam |
| JP2004282038A (ja) | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Canon Inc | 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置 |
| DE602004010824T2 (de) | 2003-07-30 | 2008-12-24 | Mapper Lithography Ip B.V. | Modulator-schaltkreise |
| JP4738723B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2011-08-03 | キヤノン株式会社 | マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法 |
| JP4459568B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | マルチ荷電ビームレンズおよびそれを用いた荷電ビーム露光装置 |
| JP2005136114A (ja) | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Canon Inc | 電極基板およびその製造方法、ならびに該電極基板を用いた荷電ビーム露光装置 |
| JP3889743B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2007-03-07 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
| GB2413694A (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Ims Nanofabrication Gmbh | Particle-beam exposure apparatus |
| KR101099487B1 (ko) | 2004-05-17 | 2011-12-28 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 대전 입자 빔 노광 시스템 |
| JP4477434B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP4704702B2 (ja) | 2004-06-30 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | ブランキングアパーチャアレイおよびその製造方法 |
| JP2006079911A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム電流計測方法、電子ビーム描画装置および電子ビーム検出器 |
| WO2006053358A1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Ims Nanofabrication Ag | Pattern lock system for particle-beam exposure apparatus |
| JP4648087B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 偏向器の作製方法、荷電粒子線露光装置、および、デバイス製造方法 |
| JP4679978B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2011-05-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム応用装置 |
| US8890095B2 (en) * | 2005-07-25 | 2014-11-18 | Mapper Lithography Ip B.V. | Reliability in a maskless lithography system |
| US7868300B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-01-11 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, sensor and measuring method |
| JP5103033B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
| US7755061B2 (en) * | 2007-11-07 | 2010-07-13 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Dynamic pattern generator with cup-shaped structure |
| KR101570974B1 (ko) | 2008-02-26 | 2015-11-23 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 투사 렌즈 배열체 |
| US8445869B2 (en) * | 2008-04-15 | 2013-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Projection lens arrangement |
| JP2009218474A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Jeol Ltd | ビーム位置ドリフト抑制方法、ビーム寸法ドリフト抑制方法及び荷電粒子ビーム描画装置。 |
| WO2009127659A2 (en) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Beamlet blanker arrangement |
| US8258484B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Beamlet blanker arrangement |
| KR101649106B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2016-08-19 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 정전기 렌즈 구조 |
| DE102008062450B4 (de) * | 2008-12-13 | 2012-05-03 | Vistec Electron Beam Gmbh | Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern |
| CN102422380A (zh) | 2009-02-22 | 2012-04-18 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 带电粒子微影设备及真空腔室中产生真空的方法 |
| TWI497557B (zh) | 2009-04-29 | 2015-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 包含靜電偏轉器的帶電粒子光學系統 |
| CN102460631B (zh) * | 2009-05-20 | 2015-03-25 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 两次扫描 |
| US8624478B2 (en) | 2009-10-09 | 2014-01-07 | Mapper Lithography Ip B.V. | High voltage shielding arrangement of a charged particle lithography system |
| EP2494579B1 (en) * | 2009-10-26 | 2017-08-02 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle multi-beamlet lithography system, modulation device, and method of manufacturing thereof |
| US8546767B2 (en) * | 2010-02-22 | 2013-10-01 | Ims Nanofabrication Ag | Pattern definition device with multiple multibeam array |
| US20120065741A1 (en) * | 2010-09-13 | 2012-03-15 | Chao-Fu Chang | Guided tissue regeneration membrane |
| WO2012041464A1 (en) | 2010-09-28 | 2012-04-05 | Applied Materials Israel Ltd. | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
| RU113611U1 (ru) | 2011-05-05 | 2012-02-20 | Александр Сергеевич Бердников | Устройство для манипулирования заряженными частицами |
-
2011
- 2011-05-30 NL NL2006868A patent/NL2006868C2/en active
-
2012
- 2012-05-30 WO PCT/NL2012/050376 patent/WO2012165955A2/en not_active Ceased
- 2012-05-30 KR KR1020237022503A patent/KR102780450B1/ko active Active
- 2012-05-30 KR KR1020207020901A patent/KR102357303B1/ko active Active
- 2012-05-30 TW TW101119563A patent/TWI582816B/zh active
- 2012-05-30 RU RU2013157921A patent/RU2632937C2/ru active
- 2012-05-30 EP EP19216208.9A patent/EP3660883B1/en active Active
- 2012-05-30 US US13/484,231 patent/US9607806B2/en active Active
- 2012-05-30 CN CN201280034520.3A patent/CN103650097B/zh active Active
- 2012-05-30 KR KR1020227002799A patent/KR102553059B1/ko active Active
- 2012-05-30 JP JP2014523884A patent/JP6141276B2/ja active Active
- 2012-05-30 KR KR1020207005591A patent/KR102137169B1/ko active Active
- 2012-05-30 EP EP12725549.5A patent/EP2715768B1/en active Active
- 2012-05-30 KR KR1020197026754A patent/KR102084040B1/ko active Active
- 2012-05-30 KR KR1020187008117A patent/KR102023054B1/ko active Active
- 2012-05-30 KR KR1020137034251A patent/KR101842710B1/ko active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401974A (en) * | 1993-03-18 | 1995-03-28 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure apparatus and method of cleaning the same |
| US6646275B2 (en) * | 1994-03-15 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
| US20030189180A1 (en) * | 2000-04-04 | 2003-10-09 | Shinichi Hamaguchi | Multi-beam exposure apparatus using a multi- axis electron lens, electron lens convergencing a plurality of electron beam and fabrication method of a semiconductor device |
| US20070194235A1 (en) * | 2000-12-01 | 2007-08-23 | Ebara Corporation | Apparatus for inspection with electron beam, method for operating same, and method for manufacturing semiconductor device using former |
| US20050023486A1 (en) * | 2002-07-22 | 2005-02-03 | Advantest Corporation | Electron beam exposure apparatus and electron beam measurement module |
| US20090140160A1 (en) * | 2005-07-20 | 2009-06-04 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Charged particle beam exposure system and beam manipulating arrangement |
| US20100065741A1 (en) * | 2005-08-24 | 2010-03-18 | Dagmar Gerthsen | Method For The Production Of Multiplayer Electrostatic Lens Array |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101842710B1 (ko) | 2018-03-28 |
| KR102553059B1 (ko) | 2023-07-10 |
| WO2012165955A2 (en) | 2012-12-06 |
| EP3660883A2 (en) | 2020-06-03 |
| US20120305798A1 (en) | 2012-12-06 |
| JP6141276B2 (ja) | 2017-06-07 |
| US9607806B2 (en) | 2017-03-28 |
| JP2014519724A (ja) | 2014-08-14 |
| TW201250757A (en) | 2012-12-16 |
| EP2715768A2 (en) | 2014-04-09 |
| KR102780450B1 (ko) | 2025-03-14 |
| KR20230107401A (ko) | 2023-07-14 |
| KR20190108187A (ko) | 2019-09-23 |
| KR20200091490A (ko) | 2020-07-30 |
| NL2006868C2 (en) | 2012-12-03 |
| KR102357303B1 (ko) | 2022-02-08 |
| KR102023054B1 (ko) | 2019-09-20 |
| KR20140048144A (ko) | 2014-04-23 |
| WO2012165955A4 (en) | 2013-04-04 |
| KR102084040B1 (ko) | 2020-03-03 |
| EP3660883B1 (en) | 2024-07-17 |
| CN103650097B (zh) | 2017-10-10 |
| EP3660883A3 (en) | 2020-08-05 |
| TWI582816B (zh) | 2017-05-11 |
| WO2012165955A3 (en) | 2013-01-24 |
| CN103650097A (zh) | 2014-03-19 |
| KR102137169B1 (ko) | 2020-07-24 |
| KR20180033604A (ko) | 2018-04-03 |
| KR20220017525A (ko) | 2022-02-11 |
| EP2715768B1 (en) | 2020-01-22 |
| KR20200023533A (ko) | 2020-03-04 |
| RU2013157921A (ru) | 2015-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2632937C2 (ru) | Устройство с множественными элементарными пучками заряженных частиц | |
| TWI868407B (zh) | 電子光學設備 | |
| TWI867247B (zh) | 物鏡陣列總成、電子光學系統、電子光學系統陣列、聚焦方法;物鏡配置 | |
| JP6684586B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム装置 | |
| CN109216143A (zh) | 带电粒子束装置和对样本进行成像或照明的方法件 | |
| JP2014519724A5 (ru) | ||
| TW202341217A (zh) | 對準判定方法及電腦程式 | |
| TW202431312A (zh) | 電子光學器件、補償子光束特性之變化的方法 | |
| TW202217905A (zh) | 帶電粒子評估工具及檢測方法 | |
| TW201250756A (en) | Charged particle multi-beamlet apparatus | |
| TW202538798A (zh) | 帶電粒子光學裝置、帶電粒子光學模組、向樣本投影複數個帶電粒子束之方法 | |
| CN118435310A (zh) | 电子光学设备、子束的属性的变化的补偿方法 | |
| TW202347397A (zh) | 帶電粒子光學裝置及方法 |