SA515360164B1 - جهاز إلكتروني بصري - Google Patents

جهاز إلكتروني بصري Download PDF

Info

Publication number
SA515360164B1
SA515360164B1 SA515360164A SA515360164A SA515360164B1 SA 515360164 B1 SA515360164 B1 SA 515360164B1 SA 515360164 A SA515360164 A SA 515360164A SA 515360164 A SA515360164 A SA 515360164A SA 515360164 B1 SA515360164 B1 SA 515360164B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
perovskite
layer
type
photovoltaic device
rrr
Prior art date
Application number
SA515360164A
Other languages
English (en)
Inventor
هيي اندريو
جيمس ويليام كروسلاند ايدوارد
دوكامبو بابلو
بال جيمس
لي مايكل
جيمس سنايث هينري
Original Assignee
أي اس أي اس إنوفيشين ليمتد
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=49237502&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=SA515360164(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from GB201216605A external-priority patent/GB201216605D0/en
Priority claimed from GB201309409A external-priority patent/GB201309409D0/en
Application filed by أي اس أي اس إنوفيشين ليمتد filed Critical أي اس أي اس إنوفيشين ليمتد
Publication of SA515360164B1 publication Critical patent/SA515360164B1/ar

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/161—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising multiple PN heterojunctions, e.g. tandem cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/128—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Undergarments, Swaddling Clothes, Handkerchiefs Or Underwear Materials (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

يتعلق الاختراع الحالي بتوفير جهاز إلكتروني بصري optoelectronic device يشتمل على منطقة متفاعلة ضوئيًا photoactive region, تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على: منطقة من نوع n تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع n؛ منطقة من نوع p تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع p؛ و, يتم فيما بين المنطقة من النوع n والمنطقة من النوع p وضع: طبقة من مادة شبه موصلة semiconductor من بروفسكيت perovskite بدون مسام مفتوحة. تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت بشكل عام ماصة للضوء light-absorbing. في بعض النماذج, يتم فيما بين المنطقة من النوع n والمنطقة من النوع p وضع: (1) طبقة أولى تشتمل على مادة دعم مؤقتة, تكون مسامية بشكل نمطي, ومادة شبه موصلة من البروفسكيت, يتم وضعها نمطيًا في مسام مادة الدعم المؤقتة ؛ و(2) طبقة تغطية capping layer موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة, حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة, حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى. تُشكل نمطيًا الطبقة ا

Description

_— \ _ جهاز إلكتروني بصري ‎Optoelectonic device‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الاختراع بجهاز إلكتروني بصري ‎coptoelectronic device‏ وتحديدًا بجهاز إلكتروني بصري به وصلة مسطحة. يتعلق الاختراع أيضنًا بعملية لإنتاج هذا الجهاز الإلكتروني البصري. تعتبر الخلايا الفلطائية الضوئية ‎photovoltaics‏ ذات الغشاء الرقيق 1010-1100 رفيع ‎cll‏ ‎Sua ©‏ واعدًا لنظائرها أحادية ‎monocrystalline lal‏ بفضل كفاءتها العالية؛ ثباتها القابل للمقارنة وتكلفة التصنيع المنخفضة المحتملة. تتضمن مواد الغشاء الرقيق رفيع ‎ell)‏ التي تمت دراستها على النحو الأوسع الخاضعة للفحض ‎Wa‏ للتطبيقات الفلطائية الضوئية ‎photovoltaic‏ ‏المواد شبه الموصلة للمركب : ‎CdTe [X.
Wu, Solar Energy, vol. 77, p.803, 2004], Culnl-xGaxSe2‏ ‎٠‏ ,]2011 ,857 .م ,10 ‎(CIGS) [Chirila et al., Nature Materials, vol.‏ ‎(CZTS) [D.
Barkhouse et al., Progress in Photovoltaics, vol.‏ 002205054 ‎dye-sensitized solar cells [A.
Yalla et al., Science, vol.‏ ;]2012 ,6 .م ,20 ‎p. 629, 2011]; and organic semiconductor solar cells [Y.
Liang et al.,‏ ,334 ‎.[Advanced Energy Materials, vol. 22, p.
E135, 2010‏ ‎١‏ _ الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ الحساسة للأصباغ ‎dye-sensitized‏ : ‎A]‏ 72118 وآخرين» 2011 ,629 ‎¢([Science, vol. 334, p.‏ والخلايا الشمسية شبه الموصلة العضوية ‎Liang .Y] organic semiconductor solar cells‏ وآخرين» ‎Advanced‏ ‎[Energy Materials, vol. 22, p.
E135, 2010‏ يتم نمطيًا تصنيع المواد شبه الموصلة لمركب غير عضوي ‎inorganic‏ التي تشتمل على ‎WIA‏ شمسية عالية الكفاءة باستخدام الترسيب ‎٠‏ المعتمد على الوسط المفرخ المكلف بالرغم من أن الأساليب حديثة تجاه معالجة المحلول الخاص ب
لاد نحاس الانديوم الغاليوم سيلينيد ‎copper indium gallium selenide (CIGS)‏ وكبريت قصدير نحاس الزنك ‎Copper zinc tin sulfide (CZTS)‏ قد عرضت أدوات عالية الكفاءة ‎Graetzel .M]‏ وآخرين» 2012 ,304 ‎J[Nature, vol. 488, p.‏ يتم ‎Glas‏ تصنيع الخلايا الشمسية الحساسة للأصباغ والعضوية ذات قيم كفاءة التسجيل المنخفضة باستخدام إجراءات 2 ترسيب معتمد على محلول ولكنها تعاني من ثبات ضعيف على المدى البعيد . بالإضافة إلى ذلك تؤدي القدرة على الإنتاج المنخفضة نسبيًا الخاصة بالَيلُوزْيُوم ‎tellurium‏ والإنديوم ‎indium‏ إلى احتمالية ‎Jas‏ كادميوم ‎compound‏ الشبة موصل 560710010110105 و نحاس الانديوم الغاليوم سيلينيد ‎(CIGS)‏ 2 جذابين تجاريًا. تعتبر مواد البروفسكيت ‎Mitzi .D] perovskites‏ وآخرين» ,1473 ‎Science, vol. 267, p.‏
Mitzi .D] ‏عائلة بديلة من المواد شبه الموصلة التي قد تم فحصها لتطبيقات الجهاز‎ [1995 ٠ ‏وآخرين:‎ ‏بالنسبة‎ [IBM Journal of Research and Development, vol. 45, ‏.م‎ 29, 2001 ‏للخلايا الفلطائية الضوئية؛ لقد تم استخدام مواد البروفسكيت باعتبارها العامل المثير للحساسية في‎
ALL ‏الخلايا الضوئية الكهربائية الكيميائية الإلكتروليتية‎ [J.—H. Im et al., Nanoscale, vol. 3, ‏.م‎ 4088, 2011; A. Kojima et al., yo
Journal of the American Chemical Society, vol. 131, p. 6050, 2009] ‏هذاء تتحلل المواد‎ Buss ‏الموضح‎ electrolyte system ‏بالرغم من أنه في نظام الإلكتروليت‎ ‏دقائق فقط. لقد تم أيضنًا‎ ٠١ ‏الماصة للبروفسكيت سريعًا وانخفض أداء الخلايا الشمسية بعد‎ ‏استخدام مواد البروفسكيت في الخلايا الضوئية الكهربائية الكيميائية في الحالة الصلبة‎ cells [H.-S. Kim et al., Scientific Reports, doi:10.1038/srep00591; 0. ٠٠
Kojima et al., ECS Meeting Abstracts, vol. MA2007-02, ‏.م‎ 352, 2007] ‏في الخلايا الشمسية الحساسة للأصباغ في الحالة‎ hole transporter ‏وباعتبارها ناقل الثتقب‎ : ‏الصلبة‎
وه ‎Chung, Nature, vol. 485, p. 486, 2012]‏ .!]. يتمتل ‎fase‏ التشغيل الرئيسي الخاص بالخلايا الشمسية الحساسة ‎«sensitized solar cells‏ أنه يتم فصل دور امتصاص الضوءء؛ ونقل الشحنة إلى مواد مختلفة في الخلية الشمسية . يسمح هذا لمواد امتصاص الضوء؛ التي قد تؤلد شحنة غير ‎Ald‏ إذا تم إظهار الضوء على غشاء رقيق صلب ‎sOlid film‏ من المادة؛ بالعمل © بكفاءة كبيرة في خلية شمسية حساسة . ومن ‎id‏ حيث إنه توجد أمثلة على مواد البروفسكيت المستخدمة كعوامل إكساب حساسية ‎sensitizers‏ في الخلايا الشمسية متوسطة التركيب ؛ أو كعوامل نقل للثقب في الخلايا الشمسية الحساسة ‎of ad‏ ولكن بدون تقارير عن أغشية ‎ag)‏ ‏صلبة من مواد البروفسكيت عاملة بكفاءة في الخلايا الشمسية؛ قد يكون من المقبول افتراض أن مواد البروفسكيت لا تعتبر عائلة مثالية من المواد ليتم استخدامها كأغشية رقيقة رفيعة السُمك صلبة في الخلايا الفلطائية الضوئية ذات الغشاء الرقيق رفيع ‎celal)‏ ‏الوصف العام للاختراع يوفر الاختراع أجهزة إلكترونية بصرية تشتمل على غشاء رقيق رفيع ‎ddl‏ من بروفسكيت ‎perovskite‏ ماص للضوء ‎light—absorbing‏ أو باعث للضوء ‎light-emitting‏ موضوع فيما بين طبقات من نوع 7 (موصلة للإلكترون ‎(electron conducting‏ ومن نوع ‎P‏ (موصلة للفجوة ‎conducting Vo‏ 6ا0). لقد وجد المخترعون على نحو غير متوقع أنه ‎(So‏ الحصول على قيم كفاءة الجهاز الجيد عن طريق استخدام غشاء رقيق رفيع السمك مضغوط من البروفسكيت المتفاعل ‎cphotoactive perovskite Usa‏ في مقابل متطلبات المادة المركبة متوسطة المسام ‎٠‏ بينما يمكن نمطيًا أن يتم ترشيح بروفسكيت بهيكل مفتوح المسام باستخدام مادة من نوع 7 أو نوع م لتكوين وصلة غير متجانسة كتلية باستخدام تلك المادة؛ ستكوّن طبقة البروفسكيت الكثيفة ‎dense perovskite Ye‏ المستخدمة في الاختراع الحالي بشكل عام وصلة غير متجانسة مستوية مع الطبقة من النوع م و / أو الطبقة من النوع 0. تكون مواد البروفسكيت المستخدمة في الأجهزة الإلكترونية البصرية الخاصة بالاختراع جذابة لتطبيقات جهاز إلكتروني بصري ‎AY‏ يمكن تكوينها من العناصر الوفيرة في الأرض عن ‎Gob‏ ‏معالجة محلول والمعالجة الخوائية ‎«vacuum processing‏ ولها هياكل نطاق قابلة للضبط ‎Yo‏ (وبالتالي الخصائص الضوئية والإلكترونية)؛ ويمكن أن تكون ثابتة في الظروف الجوية. لقد عرض ‎CARR‏
El ‏على مادة دعم‎ Wan ‏المخترعون أنه يمكن استزراع الغشاء الرقيق من البروفسكيت المتفاعل‎ ‏مؤقت رفيعة الملمك أو طبقة بذور تكوين؛ أو في ظل غياب مادة الدعم المؤقت هذه عن طريق‎ ‏بشكل تام عند‎ SL) ‏ترسيب محلول. يمكن معالجة الأجهزة المتضمنة طبقة بذور التكوين رفيعة‎ ‏درجة مئوية؛ الأمر الذي يعتبر مهمًا لتقليل تكلفة التصنيع؛ وللسماح‎ ١5١ ‏درجات حرارة لا تتجاوز‎ ‏للسماح بالمعالجة أعلى‎ Waly ‏مرنة؛‎ Heal ‏بمعالجة على طبقات أساسية من البلاستيك لتوفير‎ © ‏على نحو مفيد‎ Ua ‏الطبقات الأخرى للسماح بإنتاج أجهزة بوصلات مترادفة ومتعددة. يمكن‎ ‏تكوين الغشاء الرقيق رفيع السمك من البروفسكيت عن طريق التبخير من مسحوق كتلي أو عن‎ . ‏طريق التبخير المشترك لمركبات المادة المنتجة للبروفسكيت‎ ‏المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على:‎ ٠
N ‏على طبقة واحدة على الأقل من نوع‎ Jilin ‏منطقة من نوع‎ ‏منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و» يتم فيما بين المنطقة من‎ ‏والمنطقة من النوع 0 وضع:‎ nog gl ‏بدون مسام مفتوحة.‎ perovskite ‏طبقة من مادة شبه موصلة 560710017006103 من بروفسكيت‎ ‏نمطيّاء يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية.‎ ١ ‏بخلاف أداة فلطائية ضوئية.‎ AT ad ‏على نحو بديل؛ يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري‎ light— ‏عبارة عن أداة باعثة للضوء‎ JE ‏يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري على سبيل‎ .emitting device ‏ضوئيًا على:‎ de lid) ‏في بعض النماذج؛ تشتمل المنطقة‎ ٠ ‏المذكورة؛ المنطقة من النوع م المذكورة؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من النوع‎ Ng ill ‏المنطقة من‎ ٠ ‏والمنطقة من النوع 0 وضع:‎
CARR
‎h —_‏ _ 0 طبقة أولى تشتمل على مادة دعم مؤقتة ‎scaffold material‏ ومادة شبه موصلة من البروفسكيت؛ و ‎(Y)‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة؛» حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه ‎Alia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ © حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في ‎Alla‏ تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى. في جانب ‎AT‏ يوفر الاختراع عملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري يشتمل على منطقة متفاعلة ضوئيًاء تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على: منطقة من نوع ‎Jilin‏ على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎N‏ ‎٠‏ منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ©؛ و يتم فيما بين المنطقة من ‎nog gl‏ والمنطقة من النوع 0 وضع: طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة, تشتمل هذه العملية على: (أ) توفير منطقة أولى؛ ‎VO‏ (ب) وضع منطقة ثانية على المنطقة الأولى؛ تشتمل المنطقة الثانية هذه على طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و (ج) وضع منطقة ثالثة على المنطقة الثانية؛ حيث: تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع © ‎٠‏ وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م؛ أو ‎CARN‏
تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0. نمطيًّا؛ تكون العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج أداة فلطائية ضوئية تشتمل على المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة.
على نحو بديل؛ يمكن استخدام العملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري بخلاف أداة فلطائية ضوئية؛ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري هذا على المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. يمكن استخدام العملية على سبيل المثال لإنتاج أداة باعثة للضوء مشتملة على المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. في بعض النماذج الخاصة بالعملية الخاصة بالاختراع تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا على: المنطقة من ‎Ng gill‏ المذكورة؛ المنطقة من النوع م المذكورة؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من النوع ‎N‏
‎٠‏ والمنطقة من النوع 0 وضع: ‎daha ( ١ )‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ؛و ‎(Y)‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة؛ حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه ‎Alia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في ‎١‏ الطبقة الأولى. في هذه النماذج؛ تشتمل العملية الخاصة بالاختراع على: (أ) توفير المنطقة الأولى المذكورة؛ (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة ‎JA)‏ حيث تشتمل المنطقة الثانية على: ‎daha ( ١ )‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ؛و ‎(Y) ٠‏ طبقة تغطية على الطبقة الأولى ‎(5S‏ حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من
‎A —_‏ _ البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى؛ و (ج) وضع المنطقة الثالثة المذكورة على المنطقة الثانية. يوفر الاختراع بشكل إضافي جهاز إلكتروني بصري يمكن الحصول عليه بواسطة العملية الخاصة ‎oo‏ بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري. ‎(laa‏ يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية. على نحو بديل؛ يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري شيئًا ‎AT‏ بخلاف أداة فلطائية ضوئية. يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري على سبيل المثال عبارة عن أداة باعثة للضوء. شرح مختصر للرسومات ‎٠‏ الشكل ‎١‏ و ب يوفران رسومات تخطيطة ل: شكل ‎)(١‏ الهيكل العام الخاص بنموذج من الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع الحالي؛ و شكل ١(ب)‏ الخلايا الفلطائية الضوئية الموضحة بأمثلة في هذا الطلب (يتم أيضنًا فحص الصور المغايرة حيث يتم حذف الطبقة رفيعة ‎Sl)‏ من أكسيد الألومنيوم (81203) ‎Aluminium oxide‏ أو ثاني أكسيد التيتانيوم ‎Titanium dioxide‏ (1102). يكون واحد على الأقل من الإلكترودات الفلزية ‎metallic electrodes‏ شبه شفاف عبر ‎١‏ المنطقة المرئية حتى القريبة من الأشعة تحت الحمراء من الطيف الشمسي ‎spectrum‏ +5018. يكون شبه الشفاف بنسبة شفافية تبلغ نمطيًا ‎JA‏ ويتراوح من ‎٠‏ إلى 790 الشكل ‎Y‏ أ و ب : يعرض شكل ‎(DY‏ أطياف ‎aga‏ الأشعة السينية ‎X-ray diffraction‏ ‎(XRD)‏ لأغشية رقيقة من البروفسكيت تم استزراعها على كل من الصور المغايرة للطبقة التحتية التي تم بحثها في الأمثلة ‎Led‏ يلي في هذا الطلب؛ و شكل ‎Y‏ (ب) ‎cada‏ حيود أشعة إكس ‎(XRD) ٠‏ للبروفسكيت المتكون عن طريق التبخير. الشكل ¥ يعرض أطياف الأشعة فوق البنفسجية المرئية الطبيعية ‎UV-vis spectra‏ الخاصة بأغشية رقيقة من البروفسكيت تم استزراعها على كل من الصور المغايرة للطبقة التحتية التي تم بحثها في الأمثلة فيما يلي في هذا الطلب.
‎q —_‏ _ الشكل ؛ يعرض السمات المميزةٍ ‎J-V‏ النموذجية الخاصة بالأجهزة بالصور المغايرة التالية: )1( درجة حرارة مرتفعة ‎A203‏ (ب) ‎dap‏ حرارة مرتفعة 1102 (ج) درجة حرارة مرتفعة 1203 )9( درجة حرارة مرتفعة 1102» (ه) درجة حرارة مرتفعة؛ (و) درجة حرارة منخفضة 81203 (ز) درجة حرارة منخفضة 1102 ؛ (ح) درجة حرارة منخفضة»؛ و(ط) الصورة المتبخرة. ‎scanning electron microscope ‏أ -و : يعرض صور ماسح الإلكترون الدقيق‎ ١ ‏الشكل‎ o ‏دقيقة لالقطاعات العرضية لخلية شمسية بالصور المغايرة التالية: (أ) درجة حرارة مرتفعة‎ (SEM) ‏(د) درجة حرارة‎ A203 ‏حرارة مرتفعة 1102 (ج) درجة حرارة مرتفعة‎ dap ‏(ب)‎ 3 ‏مرتفعة منخفضة.‎ an (5) ‏درجة حرارة مرتفعة؛‎ (2) Ti02 ‏مرتفعة‎ ‏دقيقة مستوية من مسقط أفقي‎ (SEM) ‏أ - و : يعرض صور مامح الإلكترون الدقيق‎ ١ ‏الشكل‎ ‎٠‏ ا لعمليات معالجة الطبقة التحتية بالصور المغايرة التالية: (أ) درجة حرارة مرتفعة 81203 (ب) درجة حرارة مرتفعة ثاني 102 ‎an (z)‏ حرارة مرتفعة 23 لم )3( ‎an‏ حرارة منخفضة ‎dap (2) (TIO2‏ حرارة مرتفعة؛ و (و) درجة حرارة منخفضة. الشكل ‎١‏ أ - ب : يعرضان صور ماسح الإلكترون الدقيق ‎(SEM)‏ دقيقة مستوية لعمليات معالجة الطبقة التحتية بالصور المغايرة التالية: (أ) درجة ‎sha‏ منخفضة 01203 و(ب) درجة ‎.1102 ‏حرارة منخفضةٌ‎ Vo
P=i—N ‏من النوع‎ ld) ‏الشمسية لغشاء رقيق رفيع‎ WAY ‏يعرض مخططً لجهاز‎ A JS ‏المعكوس.‎ ‏الشكل 9 أ و ب : يعرض أطياف وميض ضوئي في الحالة الثابتة لطبقات ثنائية من مادة ماصة‎ ‏طبقات من نوع 0. يكون الانبعاث متمركرًا على قمة‎ (QP ‏ل أ) طبقات من نوع‎ Gy ‏للبروفسكيت‎ ‎.CH3NH3PbI3-XCIx ‏الويض الضوئي الخاصة بالمادة الماصة للبروفسكيت‎ _- ٠ ‏خاصة‎ (SEM) ‏ب : يعرض أ) صورة لقطاع عرضي لماسح الإلكترون الدقيق‎ - ١ ٠١ ‏الشكل‎ ‏نانو متر. لقد تم تلوين الطبقات‎ You ‏عمود القياس‎ Jie ‏بتصميم الجهاز المعكوس الأمثل.‎ ‏المختلفة باستخدام مخطط اللون الخاص بالرسم التخطيطي للجهاز المعروض في ب).‎ ‎CARN
‎-١ «=‏ الشكل ‎١١‏ أ - د : يعرض مسقطً أفقياً لماسح الإلكترون الدقيق ‎(SEM)‏ للطبقات التحتية بعد الترسيب ‎PEDOT:PSS‏ متبوعًا بطبقة البروفسكيت للطبقات التحتية المحتوية على ‎(I‏ وج 00 ملدن عند ‎Vor‏ درجة مثوية لمدة ‎Yo‏ دقيقة وب) ود) ‎PEDOT:PSS‏ المرتبط تشابكيا مع محلول مائي ‎YO‏ ,+ مولار من كلوريد الحديد ‎Iron (Ill) chloride ASME‏ 6013. تناظر أعمدة القياس في أ) وج) ‎YO‏ ميكرو متر وفي ب) ود) 0,¥ ميكرو متر. ‎١١ Jal‏ 1 - ب : يعرض أ) منحنيات ‎JV‏ وب) طيف امتصاص للأجهزة النمطية التي تتكون من كلا طبقات ‎PEDOT:PSS‏ المرتبطة تشابكيًا ‎(Lisa)‏ والملدنة (المربعة). تعرض الوليجة كثافة تيار دائرة القصر ‎«JSC)‏ ملي أمبير / سم-7)؛ كفاءة تحويل القدرة ‎CEFF)‏ 7( فلطية الدائرة المفتوحة ‎open circuit voltage‏ (المركبات العضوية المتطايرة ؛ فانديوم ‎Vanadium‏ ‎٠‏ ومعامل التعبثة ‎fill factor (FF)‏ للأجهزة النمطية ذات كلا البنيتين. الشكل ‎١‏ أ - د : يعرض صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ لمسقط أفقي خاص بالطبقات التحتية بعد الترسيب ‎(I‏ وج أكسيد النيكل ‎(NiO ( Nickel oxide‏ ؛ وب) ود) 205/ مع طبقة البروفسكيت المتكونة على القمة. أعمدة القياس في أ) وب) تناظر ‎Yo‏ ميكرو متر وفي ج) ود) 8 ميكرو متر. ‎vanadium oxide ‏من الأجهزة المحتوية على أكسيد فاناديوم‎ JV ‏يعرض منحنيات‎ VE ‏الشكل‎ Vo
Pgs ‏(المربعات) و ( 10ل ) (الدوائر) التلامس من‎ ‏من نفس الجهاز مع زمن الإضاءة.‎ JV ‏ب : يعرض أ) التطور المؤقت لمنحنيات‎ - 1 ١١ ‏الشكل‎ ‏يتم إجراء عمليات المسح كل دقيقة مع وجود عملية المسح الأولى في الترتيب الأدنى وعملية‎ ‏للأجهزةٍ الفائقة ذات التصميم المنتظم‎ JV ‏المسح الأخيرة في الترتيب الأعلى. ب) متحنيات‎ ‎short circuitcurrent ‏(المثلثات) والمعكوس (الدوائر). تعرض الوليجة كثافة تيار دائرة القصر‎ ٠ ‏(7)؛ فلطية‎ power conversion ‏ملي أمبير / سم-7)؛ كفاءة تحويل القدرة‎ «Jsc) density
Volatile Organic ‏(المركبات العضوية المتطايرة‎ open circuit voltage ‏الدائرة المفتوحة‎ ‏لكلا بنيتي الجهاز.‎ (FF) ‏ومعامل التعبئة‎ Vanadium ‏فاناديوم‎ (Voc) Compounds ‎CARR
— \ \ —
الشكل ‎١١‏ يعرض ‎Bly‏ تخطيطيًا لبنية خلية شمسية ترادفية متدة ‎hybrid tandem solar cell‏
‎carchitecture‏ في هذا التخطيط يتم استخدام خلية:
‎HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer)‏ 6-51 سيليكون - 6 "0-51" باعتبارها
‏الخلية الخلفية في الوصلة الترادفية + حيث أ - ذاتية؛ ‎=a‏ غير متبلرة؛. © = متبلرة» ‎(TCO)‏ =
‏© أكسيد موصل شفاف ‎transparent conducting oxide‏ يكون ضوء الشمس ساقطًا من القمة.
‏الشكل ‎١١‏ يعرض ‎Bly‏ تخطيطيًا لبنية خلية شمسية ترادفية مؤّلدة؛ في هذا الطلب يتم استخدام
‏خلية شمسية من البروفسكيت باعتبارها خلية القمة؛ مع خلية شمسية بغشاء رقيق رفيع ‎lll‏
‏تقليدي باعتبارها الخلية الخلفية في الوصلة الترادفية؛ حيث ‎TCO‏ = أكسيد موصل شفاف. بشكل
‏ملحوظ لتوليد التيار الخاص بتقنيات الغشاء الرقيق رفيع ‎cll‏ (على سبيل ‎(JB‏ الخلايا الشمسية هناك متطلب لتحقيق ‎WIA‏ شمسية من البروفسكيت ‎i Sad‏ لاثنين من الأجهزة الترادفية
‏الطرفية أحادية الطبقة . يكون ضوء الشمس ‎Wale‏ من القمة.
‏الشكل ‎VA‏ يعرض صورة فوتوغرافية لغرفة تبخير لترسيب البخار مزدوج المصادر من بروفسكيت.
‏الشكل ‎١9‏ يعرض ‎law)‏ تخطيطيًا لغرفة تبخير مزدوجة المصادر.
‏الشكل ‎Ty‏ - ج : يعرض أ) خلية شمسية من البروفسكيت متبخرة مزدوجة المصادر مكمتلة؛ ب) ‎VO‏ بيان لصورة القطاع العرضي؛ ج) صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ لقطاع عرضي من الجهاز
‏المكتمل.
‏الشكل ‎7١‏ يعرض أ -و : ‎(I‏ عينة معالجة على زجاج مطلي ب أكسيد الفلور القصدير ‎fluorine‏
‎tin oxide (FTO)‏ مع طبقة 1102 مدمجة وبروفسكيت مطلي مغزليًا ‎spin—coated‏ فقط؛
‏ب), ج) صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ سطحية من البروفسكيت المطلي مغزليًا؛ د) ‎de‏ ‎ae ٠‏ زجاج مطلي ب ‎FTO)‏ ( وطبقة ثاني 1102 مدمجة وبروفسكيت متبخر ‎evaporated‏
‎ths perovskite‏ ه)ء و) صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ سطحية من البروفسكيت
‎.evaporated perovskite ‏المتبخر‎
‎CARR
_— \ \ _ الشكل ‎YY‏ يعرض منحى /١-ل‏ مقاس تحت ضوء الشمس ‎AM ٠,*‏ المستحث البالغ ١٠٠ملي‏ واط / سم-؟ من الخلية الشمسية من البروفسكيت المتبخر مزدوج المصادر الأفصل. تعطي الوليجة متغيرات أداء الخلية الشمسية المستقة من منحى ‎JV‏ هذا. الشكل ‎YY‏ يعرض قياس حيود أشعة إكس ‎XRD‏ الخاص بالبروفسكيت المتبخر مقارنة مع © البروفسكيت المطلي ‎Wie‏ (المسمى ‎(K330‏ يوديد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium‏ ‎iodide (MAI)‏ يوديد الرصاص ‎lead iodide (Pbl2)‏ و زجاج ‎(FTO)‏ مطلي ب 1102. الشكل ‎YE‏ يعرض مقارنة للامتصاص لأغشية رقيقة بُسمك ‎٠٠١‏ نانو متر من بروفسكيت متبخر ومطلب مغزليًا . الشكل ‎Yo‏ يعرض مقارنة فيما بين الطبقات غير الملدنة والملدنة من البروفسكيت المترسب عن ‎٠٠‏ طريق ترسيب البخار مزدوج المصادر : على اليسار: سطح بروفسكيت متبخر غير ملدن 00" ب(باعتباره متبخرًا)؛ على اليمين: سطح بروفسكيت متبخر ‎ale‏ (بعد التلدين عند ‎٠‏ درجة مئوية ‎Sad‏ £0 دقيقة في صندوق قفازات من النيتروجين ‎(nitrogen‏ ‏الشكل ‎YT‏ يعرض مقارنة للتغطية السطحية عن طريق ترسيب بخار مزدوج المصادر وعن طريق ترسيب محلول: على اليسار: أغشية رقيقة من البروفسكيت المتبخر والملدن؛ على اليمين: غشاء ‎٠‏ رقيق من البروفسكيت المطلي مغزليًا والملدن المطلي على الزجاج / ‎FTO‏ | 1102 مدمج. الشكل ‎YY‏ يعرض مقارنة فيما بين قطاعات ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ عرضية: على اليسار: جهاز بوصلة مستوية ‎Adie‏ مزدوج المصادر؛ على اليمين: جهاز بوصلة مستوية مطلي مغزليًا. الشكل ‎YA‏ يعرض مقارنة حيود أشعة إكس ‎Led XRD‏ بين طبقة من البروفسكيت متكونة عن طريق ترسيب بخار مزدوج المصادر وطبقة من البروفسكيت متكونة عن طريق الطلاء المغزلي ‎٠‏ -المحلول مادة منتجة من البروفسكيت. لكلا الأغشية الرقيقة كانت المواد المنتجة البادئة هي ل8/اا و 2 الشكل 79 يعرض صور دقيقة بالمسح بالإلكترون لقطاع عرضي من الأجهزة تعرض (من القاع إلى القمة) الطبقة التحتية من الزجاج؛ ‎(FTO‏ طبقة 1102 الحساسة للإلكترون؛ الطبقة المتفاعلة
س١‏ ‎.spiro-OMeTAD (Ui sua‏ تكون الطبقات المتفاعلة ضوئيًا هي 0( كلوريد الرصاص ‎Lead‏ ‎(PbCI2) chloride‏ و(ب) ‎CH3NH3PbI3-xCIx‏ بعد طلاء غشاء رقيق من ‎PbCI2)‏ ) بالغمس في محلول بروبان = ¥ - اول ‎propan—-2-ol‏ من (011310113. الشكل ‎Teo‏ يعرض صور دقيقة بالمسح بالإلكترون لقطاع عرضي من الأجهزة التي ‎comp‏ من © القاع إلى القمة؛ الطبقة التحتية من الزجاج؛ ‎FTO‏ طبقة 1102 الحساسة للإلكترون؛ الطبقة المتفاعلة ضوئيًا؛ ‎.spiro-OMeTAD‏ تكون الطبقات المتفاعلة ضوئيًا هي 0 2 و(ب) 133 بعد طلاء غشاء رقيق من 06012 بالغمس في محلول بروبان = ‎=F‏ اول ‎propan-2-ol‏ من ١113ل01131.‏ الشكل ‎Ty‏ - د : يعرض أطياف حيود أشعة إكس لأغشية رقيقة رفيعة السك من )1( 55012؛ ‎٠‏ (ب) ‎«CH3NH3PbI3—xClx‏ (ج) ‎PbI2‏ و(د) 113200513ل01130. بعد الطلاء بالغمس؛ تعرض الأغشية الرقيقة من كلا المواد المنتجة انخفاض شدة نسبي للقمم التي تناظر شبكة المادة المنتجة وزيادة نسبية لشبكة البروفسكيت (غير الموجودة في أطياف حيود أشعة إكس ‎(XRD)‏ للمادة المنتجة) ‎da‏ على تحوّل سائد للأغشية الرقيقة من المادة المنتجة في البروفسكيت. الشكل ‎YY‏ يعرض ‎Glew‏ مميزة لشدة - فلطية تيار خاصة بجهاز تم إعداده باستخدام ‎Pbl2‏ ‎١‏ باعتبارها الطبقة النشطة (الخط المتقطع) وجهاز حيث .تم تحويل ‎PbI2‏ المتبخر إلى ‎CH3NH3PDI3‏ (الخط المصمت) عن طريق الطلاء بالغمس في محلول يوديد ميثيل أمونيوم ‎iodide‏ 1ن 11610/18010000 في بروبان = ؟- اول . متغيرات الأداء ليوديد الرصاص ‎Lead‏ ‎Pbl2 iodide‏ هي ‎٠,1 = Jsc‏ ملي أمبير / ‎Yau‏ بير كلورو إيثيلين ‎Bear chloro‏ ‎٠ =(PCE) ethylene‏ المركبات العضوية المتطايرة ‎١,597 = Voc‏ فولط»؛ معامل التعبئة ‎FF ٠‏ = لاه,.. متغيرات الأداء ل 06113101130513 هي 56ل = 5,9 ملي أمبير / ‎(PCE) Yau‏ ‎(ZY, € =‏ المركبات العضوية المتطايرة ‎١,87 = Voc‏ فولط؛ معامل التعبئة ‎..,1١ = FF‏ الشكل ‎TY‏ يعرض سمات مميزة لشدة - فلطية تيار خاصة بجهاز تم إعداده باستخدام ‎PbCI2‏ ‏باعتبارها الطبقة النشطة (الخط المتقطع) وجهاز حيث تم تحويل 206012 المتبخر إلى *ا0*-0113111130513 (الخط المصمت) عن طريق الطلاء بالغمس في محلول يوديد ميثيل ‎CARR‏
-؟١-‏ أمونيوم في بروبان - ؟ = اول ا000080-2-0. متغيرات الأداء 05012 هي 56ل - ‎AY‏ ‏ملي أمبير / ‎PCE Yau‏ = 001+ 7 المركبات العضوية المتطايرة ‎alg ١,79 = Voc‏ معامل التعبئة ‎YY = FF‏ ,00 تكون متغيرات الأداء ل ‎CH3NH3PbI3-XClx‏ هي ‎V4, =Jsc‏ ملي أمبير / ‎ZV, 0 = PCE «Yau‏ المركبات العضوية المتطايرة ‎١,80 = Voc‏ فولط» معامل هه التعبئة + - 84 الشكل ‎VE‏ يعرض قياسات وميض ضوئي وتوافقات لنموذج انتشار غشاء بروفسكيت رقيق من تراي هاليد رصاص عضوي ‎trihalide‏ 0198001680 لهاليد ‎halide‏ مختلط -13 0113101135 ‎XCIx‏ وغشاء بروفسكيت رقيق من تراي يوديد ‎ctriiodide CH3NH3PDI3‏ في وجود عوامل إخماد من نوع م- أو ‎on‏ قياسات اللمعان ‎Photoluminescence (PL) Asal‏ المحللة ‎Lie)‏ ‎٠‏ المأخوذة عند طول موجة انبعاث لقمة خاص بالبروفسكيت من الهاليد المختلط مع طبقة عامل ‎ld‏ من إلكترون ‎dag)‏ غير متجانسة كتلية /0081؛_المثلثات) أو ثقب ‎Spiro—)‏ ‎«OMeTAD‏ الدوائر)؛ مع بيانات توافقات أسية ممدة للأغشية الرقيقة المطلية باستخدام بولي ميثاكريليت الميثيل ‎(PMMA) Poly methyl methacrylate‏ عازل (مربعات سوداء) وتوافقات لعينات الإخماد باستخدام نموذج الانتشار الموصف في النص. مصدر استثارة بنبضة (من ‎٠,7‏ ‎١‏ إلى ‎٠١‏ ميجا هرتز) عند 5097 نانو ‎jie‏ مع تدفق يبلغ ‎Yau [nd ٠١‏ يصطدم على جانب الطبقة التحتية من الزجاج. الوليجة في الشكل 94: مقارنة تحلل اللمعان الضوئي ‎PL‏ لاثنتين من مواد البروفسكيت (مع طلاء ‎(PMMA)‏ على مقياس زمني أطول؛ مع متوسطات أعمار ©+ المستشهد بها باعتبارها الزمن المستغرق للوصول إلى ‎١‏ / © من الشدة الأولية. الشكل ‎Yoo‏ يعرض قياسات وميض ضوئي وتوافقات لنموذج انتشار لغشاء بروفسكيت رقيق من ‎٠‏ تراي يوديد رصاص عضوي ‎«CH3NH3PDbI organolead triiodide‏ في وجود عوامل ‎sled)‏ ‏من نوع م- أو ‎on‏ قياسات اللمعان الضوئي ‎PL‏ المحللة زمنيًا المأخوذة عند طول موجة انبعاث لقمة خاص بالبروفسكيت من الهاليد ‎halide‏ المختلط مع إلكترون ‎electron‏ (وصلة غير متجانسة كتلية //08©؛ المثلثات) أو ثقب ‎¢Spiro-OMe TAD)‏ الدوائر) طبقة عامل إخماد؛ مع بيانات توافقات أسية ممدة للأغشية الرقيقة المطلية باستخدام (/511/1)عازل (مربعات سوداء) ‎Yo‏ وتافقات لعينات الإخماد باستخدام نموذج الانتشار الموصف في النص. مصدر استثارة بنبضة
CARR
اج \ — (من ‎٠,‏ إلى ‎Ye‏ ميجا هرتز) عند 9 5 نانو متر مع تدفق يبلغ ‎nd ٠‏ / سم ‎Y‏ يصطدم على جانب الطبقة التحتية من الزجاج. الشكل 6 يعرض صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ لقطاع عرضي من طبقة مادة ماصة ‎eld‏ 760 - نانو متر من هاليد مختلط مع طبقة عامل إخماد بثتقب علوي من ‎Spiro—‏ ‎.OMeTAD ©‏
الشكل ‎TV‏ يعرض تحلل وميض ضوئي لغشاء بروفسكيت رقيق من تزاي هاليا رصاص عضوي لهاليد مختلط ‎CH3NH3PbI3—xClx‏ (مربعات سوداء) وغشاء بروفسكيت رقيق من تراي يوديد ‎(ala,‏ عضوي ‎CH3NH3PDI3‏ (مربعات رمادية)؛ مطلي باستخدام ‎(PMMA)‏ الأزمنة ‎te‏ ‏المستشهد بها باعتبارها الزمن المستغرق للوصول إلى ‎١‏ / © الخاصة بالشدة الأولية.
: ‏لتفصبذر‎ ١ ‏الوصف‎ Ye ‏يوفر الاختراع جهاز إلكتروني بصري يشتمل على منطقة متفاعلة ضوئيًا. تشتمل المنطقة‎ ‏منطقة‎ tN ‏المتفاعلة ضوئيًا على: منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع‎ 7 ‏من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و» يتم فيما بين المنطقة من النوع‎ ‏من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة.‎ Alia ge ‏شبه‎ Sale ‏والمنطقة من النوع 0 وضع: طبقة من‎
‎Vo‏ يشير المصطلح "المنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎LS photoactive region‏ هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى منطقة في الجهاز الإلكتروني البصري ‎)١( optoelectronic device‏ تمتص الضوء؛ ثم يمكن أن ‎AF‏ مواد حاملة ‎carriers‏ بشحنة مطلقة ؛ أو (7) تقبل شحنة؛ كل من الإلكترونات والتقوب؛ يمكن أن تقوم بعد ذلك بإعادة دمج واتبعاث الضوء. يشير المصطلح "شبه موصل ‎semiconductor‏ " كما هو مستخدم في هذا الطلب إلى مادة
‎Yo‏ بموصلية كهربائية متوسطة المقدار فيما بين تلك الخاصة بموصل وعازل. يمكن أن يكون شبه موصل عبارة عن مادة شبه موصلة من نوع 9 شبه موصل من نوع ‎P‏ أو مادة شبه موصلة أصيلة. كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ يشير المصطلح "منطقة من نوع 7 إلى منطقة من واحدة أو أكثر من المواد الناقلة للإلكترون ‎(ngs (gl) electron—transporting‏ بالمثتل؛ يشير المصطلح "طبقة من نوع ©" إلى طبقة من مادة ناقلة للإلكترون ‎isl)‏ النوع 0). يمكن أن
‎ER
-١-
تكون ‎sale‏ ناقلة للإلكترون (أي؛ ‎(Ngai)‏ عبارة عن مركب ناقل للإلكترون فردي أو مادة أساسية؛ أو خليط من اثنين أو أكثر من المركبات الناقلة للإلكترون أو المواد الأساسية. يمكن أن يكون مركب ناقل للإلكترون أو مادة أساسية غير مشاب أو مشاب بواحد أو أكثر من عناصر الإشابة ‎dopant elements‏ كما هو مستخدم في هذا ‎alll)‏ يشير المصطلح 'منطقة من نوع 0 إلى © منطقة من واحدة أو أكثر من المواد الناقلة للتقب ‎oof)‏ النوع م). ‎(idly‏ يشير المصطلح ‎al‏ ‏من نوع 0" إلى طبقة من مادة ناقلة للثقب (أي؛ نوع 0). يمكن أن تكون مادة ناقلة للثقب (أي؛ نوع م) عبارة عن مركب ناقل للثقب فردي أو مادة أساسية؛ أو خليط من اثنين أو أكثر من المركبات الناقلة للثقب أو مواد أساسية. يمكن أن يكون مركب ناقل للثقب أو ‎sale‏ أساسية غير مشاب أو
مشاب بواحد أو أكثر من عناصر الإشابة.
‎٠‏ يشير المصطلح "بروفسكيت"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى مادة ذات بنية بلورية ثلاثية الأبعاد لها علاقة بتلك الخاصة بكالسيوم تيتانات ‎CaTiO3) Calcium titanate‏ ( أو مادة مشتملة على طبقة من ‎dale‏ حيث يكون للطبقة بنية لها علاقة بتلك الخاصة 081103. يمكن ‎Jia‏ بنية 681103 بواسطة الصيغة ‎(ABX3‏ حيث ‎A‏ و8 تكون كتيونات بأحجام مختلفة ‎Xs‏ ‏تكون أنيون ‎anion‏ خلية الوحدة؛ تكون كاتونات ‎A cations‏ عند (؛<©)؛ تكون كاتونات
‎(+ ‏عند (بن لكت نرت‎ X anions ‏وتكون أنيونات‎ )/١١٠ ١ ( ‏عند‎ B cations Vo 8 (A ‏أكبر من كاتون 8. سيدرك أحد ذوي المهارة أنه عندما يتم تنويع‎ A ‏يكون كاتون‎ Sale ‏البروفسكيت بعيدًا عن البنية‎ sale ‏وكا يمكن أن تتسبب أحجام الأنيون المختلفة في تشوه بنية‎ ‏إلى بنية مشوهة ذات تناسبق أقل. سيكون التناسق أيضنًا أقل‎ Vyas 687103 ‏المختارة بواسطة‎ ‏تكون المواد المشتملة‎ .CaTiO3 ‏على طبقة لها بنية لها علاقة بتلك الخاصة‎ sald) ‏إذا اشتملت‎
‎٠‏ على طبقة من مادة البروفسكيت معروفة جيدًا. على سبيل ‎(JB‏ تشتمل بنية مواد تختار البنية من نوع ‎K2NIiF4‏ على طبقة من مادة البروفسكيت. سيدرك أحد ذوي المهارة أنه يمكن تمثيل مادة بروفسكيت بواسطة الصيغة 8[]8[]©0[3]؛ حيث ‎[A]‏ تكون كتيون واحد على الأقل؛ [8] تكون كتيون واحد على الأقل و[70] تكون أنيون واحد على الأقل. عندما يشتمل البروفسكيت على أكثر من كاتيون ‎A‏ واحدء يمكن توزيع كاتيونات ‎A‏ المختلفة على المواقع ‎A‏ بطريقة مرتبة أو غير
‎8 ‏عندما يشتمل البروفسكيت على أكثر من كاتيون 8 واحد؛ يمكن توزيع كاتيونات‎ bp YO
‎CARN yy ‏المختلفة على المواقع 8 بطريقة مرتبة أو غير مرتبة. عندما يشتمل البروفسكيت على أكثر من‎ ‏بطريقة مرتبة أو غير مرتبة.‎ X ‏المختلفة على المواقع‎ X ‏يمكن توزيع أنيونات‎ candy ‏أنيون )ل‎ ‏واحد؛ أكثر من كاتيون 8 واحد أو أكثر‎ A ‏سيكون تناسق بروفسكيت مشتمل على أكثر من كاتيون‎ .CaTiO3 ‏واحد؛ أقل من ذلك الخاص ب‎ X ‏من كاتيون‎
0 كما هو مذكور في الفقرة السابقة؛ يشير المصطلح "بروفسكيت”؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى (أ) ‎sale‏ ذات بنية بلورية ثلاثية الأبعاد لها علاقة بتلك الخاصة ب 681103 أو (ب) ‎sale‏ ‏مشتملة على طبقة من ‎ale‏ حيث يكون للطبقة بنية لها علاقة بتلك الخاصة ب ‎.CaTiO3‏ بالرغم من أنه يمكن استخدام كلا هاتين الفئتين من البروفسكيت في الأجهزة ‎By‏ للاختراع» فإنه من المفضل في بعض الظروف استخدام بروفسكيت من الفئة الأولى؛ (أ)؛ أي؛ بروفسكيت له بنية
‎٠‏ بلورية ‎crystal structure‏ ثلاثية الأبعاد ‎.three—dimensional (3D)‏ تشتمل مواد البروفسكيت هذه نمطيًا على شبكة ثلاثية الأبعاد من ‎WIA‏ وحدة بروفسكيت بدون أي فصل فيما بين الطبقات. تتضمن مواد البروفسكيت من الفئة الثانية؛ (ب)؛ من ناحية ‎a‏ مواد البروفسكيت المشتملة على بنية طبقية ثنائية الأبعاد ‎two dimensions (2D)‏ يمكن أن تشتمل مواد البروفسكيت التي لها بنية ثنائية الأبعاد على طبقات من خلايا وحدة بروفسكيت التي يتم فصلها ‎VO‏ بواسطة جزيئات (مقحمة)؛ يكمن مثال على البروفسكيت الطبقي ثنائي الأبعاد هذا في -1)-2] ‎.cyclohexenyl)ethylammonium]2PbBr4.‏ تميل مواد البروفسكيت الطبقية ثنائية الأبعاد إلى الاشتمال على طاقات ربط ‎binding energies‏ عالية الاستثارة ¢ تفضل توليد أزواج من التقب - الإلكترون مرتبطة (إكسيتونات ‎(EXCItONS‏ ؛ بدلاً من مواد حاملة بشحنة مطلقة ؛ تحت الاستثارة الضوئية ‎photoexcitation‏ قد لا تكون الأزواج من الثقب - الإلكترون المرتبطة قابلة ‎٠‏ لللحركة بالقدر الكافي للوصول إلى التلامس من نوع 0 أو من نوع ‎١‏ حيث يمكن أن تنقل بعد ذلك (تأين) وتؤلد شحنة مطلقة. بناءً على ذلك؛ من أجل توليد شحنة مطلقة؛ ينبغي التغلب على طاقة ربط الإكسيتون ‎exciton‏ التي تمثل تكلفة متعلقة بالطاقة لعملية توليد الشحنة وتؤدي إلى فلطية أقل في خلية فلطائية ضوئية وكفاءة منخفضة. على النقيض؛ تمثل مواد البروفسكيت التي لها بنية بلورية ثلاثية الأبعاد إلى أن تشتمل على طاقات ربط إكسيتون أقل (بمقدار الطاقة الحرارية) وعلى ‎YO‏ هذا يمكن أن تؤلد مواد حاملة حرة بشكل مباشرة بعد الاستثارة الضوئية . بناءً على ذلك؛ يُفضل أن ‎CARN‏
-م١-‏ تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الأجهزة والعمليات الخاصة بالاختراع هي بروفسكيت من الفئة الأولى؛ ‎of)‏ أي؛ بروفسكيت له بنية بلورية ثلاثية الأبعاد ‎٠.‏ يكون هذا مفضلاً بشكل خاص عندما يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية. تكون ‎sald)‏ شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الاختراع ‎Jad)‏ في الطبقة المذكورة © .من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ نمطيًا ‎sale‏ قادرة على ‎)١(‏ امتصاص ‎co gual‏ وبالتالي توليد مواد حاملة بشحنة مطلقة؛ و/أو (7) انبعاث ضوء؛ عن طريق قبول شحنة؛ كلا الإلكترونات والثتقوب؛ التي تعود للاندماج بعد ذلك وتبعث ضوء. ‎(lls‏ يكون البروفسكيت المستخدم نمطيًا ماصنًا للضوء و / أو بروفسكيت باعث للضوء . كما سيدرك أحد ذوي ‎ileal‏ يمكن أن تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في ‎٠‏ > الاختراع الحالي؛ في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ عبارة عن بروفسكيت يعمل باعتباره شبه موصل ‎BU‏ للإلكترون من نوع ‎N‏ عندما يكون ‎Blie‏ ‏بالضوء. على نحو بديل؛ قد يكون عبارة عن بروفسكيت يعمل باعتباره شبه موصل ‎BL‏ للإلكترون من نوع م ‎Laie‏ يكون مشابًا بالضوء. وبالتالي؛ قد يكون البروفسكيت من نوع ‎IN‏ نوع 0؛ أو قد يكون مادة شبه موصلة أصيلة. في نماذج مفضلة؛ يكون البروفسكيت المستخدم عبارة عن ‎V0‏ بروفسكيت يعمل باعتباره شبه موصل ناقل للإلكترون من نوع ‎N‏ عندما يكون مشابًا بالضوء. ‎Glas‏ تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الاختراع الحالي عبارة عن ‎sale‏ ‏حساسة للضوء»؛ أي؛ مادة تكون قادرة على إجراء كل من توليد الضوء ونقل الشحنة (الإلكترون أو ‎(il‏ ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ يشير المصطلح 'مسامية" إلى مادة داخلها يتم وضع مسام. ‎ Y‏ وبالتالي؛ على سبيل المثال؛ في مادة دعم مؤقتة مسامية تكون المسام عبارة عن أحجام داخل ‎sale‏ ‏الدعم المؤقتة حيث لا توجد مادة دعم مؤقتة. يمكن أن تكون المسام الفردية بنفس الحجم أو بأحجام مختلفة. حجم المسام يتم تعريف باعتباره "حجم المسام”. يكون الحجم المحدد الخاص بأحد المسام؛ لغالبية الظواهر حيث يتم تضمين مواد صلبة مسامية؛ خو ذلك الخاص بأصغر بُعد تتم؛ في ظل غياب أي تدقيق إضافي؛ الإشارة ‎a)‏ بإعتباره عرض أحد المسام (أي؛ عرض مسام على ‎CARN‏
شكل شقء؛ قطر مسام أسطوانية أو ‎cee Lys‏ إلى غير ذلك) . لتجنب حدوث تغير مضلل في المقياس عند مقارنة المسام الأسطوانية والتي على شكل 33( ينبغي استخدام قطر مسام أسطوانية (بدلاً من نصف قطره) باعتاره "عرض ‎Malad‏ الخاص به : ‎(J.
Rouquerol et al., “Recommendations for the Characterization of‏ ٠ه ‎Porous Solids”, Pure & Appl.
Chem., Vol. 66, No. 8, pp.1739-1758,‏ ‎The following distinctions and definitions were adopted in previous‏ .)1994 ‎IUPAC documents (K.S.W.
Sing, et al, Pure and Appl.
Chem., vol.57,‏ ‎n04, pp 603-919, 1985; and IUPAC 'Manual on Catalyst‏ ‎Characterization", J.
Haber, Pure and Appl.
Chem., 701.63, pp. 1227 -‏ ‎٠‏ :)1991 ,1246 -- مسام دقيقة لها قيم عرض (أي؛ أحجام المسام) أصغر من ؟ نانومتر. -- مسام متوسطة لها قيم عرض ‎(gl)‏ أحجام المسام) تبلغ من ؟ نانومتر إلى ‎٠٠‏ نانومتر. -- مسام كبيرة لها قيم عرض (أي؛ أحجام المسام) تكون أكبر من ‎٠٠‏ نانومتر. ‎(Say‏ أن تتضمن المسام في ‎Sale‏ مسام ‎"Rilke‏ إضافة إلى مسام مفتوحة. يكون أحد المسام المغلقة ‎VO‏ هو أحد المسام في مادة يعتبر تجويقًا غير متصل؛ أي؛ أحد المسام الذي يكون معزولاً داخل المادة وغير متصل بأي من المسام الأخرى ولا يمكن ‎sl‏ على هذا الوصول إليه بواسطة مائع (على سبيل المثال؛ سائل؛ ‎Jie‏ محلول) يتم تعريض ‎sald)‏ إليه. سيكون "أحد المسام المفتوحة” من ناحية ‎(gal‏ قابلاً للوصول إليه بواسطة هذا المائع. تتم مناقشة المفاهيم الخاصة بالمسامية المفتوحة وال ‎ally Jaks‏ 8 في : ‎J.
Rouqueroal et al., “Recommendations for the Characterization of Porous ٠‏ ‎Solids”, Pure & Appl.
Chem., Vol. 66, No. 8, pp.1739-1758, 1994.‏ تشير المسام ‎da gid)‏ لهذاء إلى الجزء الخاص بإجمالي حجم المادة المسامية حيث يمكن أن يحدث تدفق المائع بفعالية. وعلى ‎da‏ يستثني المسام المغلقة. يكون المصطلح ‎ald‏ مفتوحة"
١. ‏و"المسامية الفاعلة‎ " connected porosity ‏للتبادل مع المصطلحات "المسامية المتصلة‎ SL ‏ببساطة إلى "المسامية”. (لهذاء لا يمكن القول‎ Sale ‏وفي الفن يتم اختزاله‎ effective porosity ‏بأن المادة شبه الموصلة من البروفسكيت الموجودة في "طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت‎ ‏بدون مسام مفتوحة"؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ تكون "بروفسكيت مسامي‎ )." porous perovskite © ‏يشير المصطلح "بدون مسام مفتوحة"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ لهذا إلى مادة بدون‎ ‏مسامية فاعلة.‎ ‏يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع الحالي على طبقة من مادة شبه موصلة من‎ ‏بروفسكيت بدون مسام مفتوحة. تكون تلك الطبقة؛ والمادة شبه الموصلة من البروفسكيت الموجودة‎ ‏فيهاء بدون مسام مفتوحة. لا تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة بناءًٌ على هذا‎ ٠ ‏لا تكون‎ Sally en ‏المنطقة من النوع‎ AN ‏مترشحة بواسطة؛ أو أي منء المادة (المواد) من نوع‎ 5S ‏في المنطقة من النوع م. بدلاً من ذلك؛‎ ٠ ‏مترشحة بواسطة أي منء المادة (المواد) من نوع‎ ‏وصلة غير متجانسة مستوية مع‎ Ghat ‏شبه الموصلة من البروفسكيت في تلك الطبقة‎ sald) ‏أو المنطقة من النوع 0؛ أو في بعض الحالات تُكوّن وصلات غير متجانسة‎ ٠“ ‏المنطقة من نوع‎ ‏مستوية مع كل من المنطقة من النوع 7 والمنطقة من النوع م.‎ VO ‏عندما تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة عبارة‎ ad ‏عن 'طبقة تغطية"؛ يتم وضعها على طبقة أولى تشتمل على مادة دعم مؤقتة ومادة شبه موصلة‎ ‏من البروفسكيت؛ لا يتم ترشيح طبقة التغطية بواسطة مادة الدعم المؤقتة إماء لأن طبقة التغطية‎ ‏والمادة شبه الموصلة من البروفسكيت داخل طبقة التغطية تكون بدون مسام مفتوحة. يتم نمطيً‎ ‏وضع البروفسكيت في الطبقة الأولى؛ على الجانب الآخر (التي تكون بشكل عام عبارة عن نفس‎ ٠ ‏مركب البروفسكيت مثل مركب البروفسكيت في الطبقة التغطية)؛ في مسام مادة الدعم المؤقتة‎ ‏ويمكن بناء على هذا القول بأنه 'مترشح” بواسطة مادة الدعم المؤقتة.‎ ‏في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع الحالي؛ تكون الطبقة‎ ‏الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة غير مسامية. يشير المصطلح‎
CARR
+١ ‏"غير مسامية” كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى مادة بدون أية مسامية؛ أي؛ بدون مسام‎ ‏مفتوحة وأيضًا بدون مسامية مغلقة.‎ ‏بشكل عام؛ تتكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة بشكل‎
Sie ‏أساسي من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. يكون بروفسكيت عبارة عن مركب‎ ‏من البروفسكيت بدون مسام‎ Alia gall ‏وبالتالي؛ تتكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه‎ . 6 o ‏تتكون الطبقة‎ Mall ‏مفتوحة نمطيًا بشكل أساسي من نواتج تبلّر من البروفسكيت. في بعض‎ ‏الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من المادة شبه الموصلة من‎ ‏البروفسكيت. وبالتالي؛ نمطيًا تتكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون‎ ‏من البروفسكيت.‎ LS ‏مسام مفتوحة من نواتج‎ ‏تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة بشكل عام في‎ ‏أو المنطقة من النوع م.‎ ٠” ‏تلامس مع واحدة على الأقل من المنطقة من النوع‎ Ala ‏وصلة غير‎ Glas ‏تكوّن الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة‎ ‏أو المنطقة من النوع م0. يمكن وضع إما المنطقة من‎ ٠“ ‏متجانسة مستوية مع المنطقة من النوع‎ ‏النوع © أو المنطقة من النوع م على الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون‎ ‏مفتوحة؛ ولكن كما هو موضح بالشرح فيما سبق؛ حيث إن الطبقة الخاصة بالمادة شبه‎ ple VO ‏الموصلة من البروفسكيت تكون بدون مسام مفتوحة لا ترشح المادة من نوع أو من نوع م المادة‎ ‏ما‎ fale ‏شبه الموصلة من البروفسكيت لتكوين وصلة غير متجانسة كتلية؛ بدلاً من ذلك فإنها‎ ‏الطبقة‎ 3S ‏تُكوّن وصلة غير متجانسة مستوية مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. نمطيًا؛‎ ‏الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة وصلة غير متجانسة مستوية مع‎
Nell ‏المنطقة من‎ ٠ ‏في بعض النماذج؛ تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة‎ ‏والمنطقة من النوع م. في هذه النماذج؛ لن تكون‎ nog ll ‏في حالة تلاتمس مع كل من المنطقة من‎ ‏"طبقة أولى” تشتمل على مادة دعم مؤقتة ومادة شبه موصلة من‎ Ji) ‏هناك طبقة أخرى‎ ‏البروفسكيت) تفصل الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة عن‎
CARN yy ‏أو المنطقة من النوع م. كما هو موضح بالشرح فيما سبق؛ حيث إن الطبقة‎ ٠# ‏المنطقة من النوع‎ ‏الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت تكون بدون مسام مفتوحة؛ في هذه النماذج لا ترشح‎ ‏أو المنطقة من النوع م المادة شبه الموصلة من البروفسكيت لتكوين‎ ٠“ ‏مادة المنطقة من النوع‎ ‏غير متجانسة مستوية مع‎ Alias ‏ما ثكوّن‎ Sale ‏من ذلك فإنها‎ Slay ‏وصلة غير متجانسة كتلية؛‎ ‏المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. وبالتالي؛ يمكن أن تُكوّن الطبقة الخاصة بالمادة شبه‎ © ‏الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة وصلات غير متجانسة مستوية مع كل من المناطق‎ ‏على ذلك؛ في بعض النماذج الخاصة‎ gly ‏من نوع 0 ومن نوع م على أي من جانبي الطبقة.‎ ‏بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من‎ ‏ووصلة غير متجانسة‎ N ‏البروفسكيت وصلة غير متجانسة مستوية أولى مع المنطقة من النوع‎ ‏مستوية ثانية مع المنطقة من النوع م.‎ Vo ‏عبارة عن جهاز بغشاء رقيق رفيع‎ Ghat ‏يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع‎
REP
٠١ ‏يبلغ مثمك الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من‎ dale ‏ميكرو متر. بصورة أكثر نمطية؛ يبلغ مثمك الطبقة الخاصة بالمادة شبه‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ‏ميكرو متر. يُفضل؛ يبلغ‎ ٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠١ ‏الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من‎ ١
Jie ‏نانو‎ 5٠ ‏مثمك الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من‎ ‏يكون‎ Lele ‏نانو متر.‎ 0٠0 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏من‎ JE ‏نانو مترء على سبيل‎ ٠٠٠١ ‏إلى‎ ‏نانو متر. قد يبلغ‎ ٠٠١ ‏الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت أكبر من‎ eld ‏ميكرو مترء أو على سبيل المثال من‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏على سبيل المثال من‎ ell ‏نانو متر.‎ Ver ‏متر إلى‎ gl ٠٠١١ Yo / ‏الممتصة‎ sald) ‏من أجل توفير أدوات فلطائية ضوئية عالية الفعالية؛ ينبغي زيادة امتصاص‎ ‏المنطقة المتفاعلة ضوئيًا على نحو نموذجي إلى أقصى حد بحيث يتم توليد مقدار أمثل من التيار.‎ ‏الممتصة في خلية شمسية؛ ينبغي على‎ sald) ‏على ذلك؛ عند استخدام بروفسكيت باعتباره‎ sly ‏من أجل‎ ete ‏نحو نموذجي أن يكون ْمك طبقة البروفسكيت بقيمة من 700 إلى 600 نانو‎ ‏في خلية شمسية ينبغي أن‎ ame ‏امتصاص غالبية ضوء الشمس عبر الطيف المرئي. بشكل‎ YO
CARN
اس تكون طبقة البروفسكيت بشكل عام أكثر سسُمكًا من عمق الامتصاص (الذي يتم تعريف باعتباره ‎old,‏ الغشاء الرقيق المطلوب لامتصاص 74980 من الضوء الساقط بطول موجة معين؛ يبلغ ‎Ghat‏ ‏لمواد البروفسكيت محل الاهتمام أعلى من ‎٠٠١‏ نانو متر إذا كان من المطلوب امتصاص ضوء كبير عبر الطيف المرئي بأكمله (من 0860© إلى 800 نانو متر))؛ حيث إن استخدام طبقة متفاعلة © ضوئيًا في الأدوات الفلطائية الضوئية بِسُمك يبلغ ‎J‏ من ‎٠٠١‏ نانو متر يمكن أن يكون ‎Bla‏ ‏لأداء الجهاز. على النقيض»؛ لا تحتاج الأجهزة الوامضة كهربائيًا (الباعثة للضوء) إلى امتصاص الضوء وعلى هذا ليس مقيدة بعمق الامتصاص. علاوة على ذلك؛ عمليًا يتم اختيار حالات التلامس من النوع م ومن النوع ‎١‏ الخاصة بالأجهزة الوامضة كهربائيًا ‎Ghat electroluminescent‏ بحيث بمجرد أن ‎٠‏ “يتم حقن إلكترون أو ثقب على جانب واحد من الجهاز لن يتدفق خارج الآخر (أي؛ يتم اختيارها بحيث يتم فقط حقن أو تجميع مادة حاملة فردية)؛ بغض النظر عن ‎elds‏ الطبقة المتفاعلة ضوئيًا. بشكل أساسي؛ تتم إعاقة المواد الحاملة للشحنات عن النقل خارج المنطقة المتفاعلة ضوئيًا وبالتالي ستكون متاحة لإعادة الدمج وتوليد فوتونات ‎generate photons‏ ؛ وعلى هذا يمكن الاستفادة من منطقة متفاعلة ضوئيًا تكون أقل سسْمكًا إلى حدٍ كبير. ‎Vo‏ تمطيًاء لهذاء عندما يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية؛ يكون ‎Als‏ ‏الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت أكبر من ‎٠٠١‏ نانو متر. يمكن على سبيل ‎JE‏ أن يكون ملمك الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الأداة الفلطائية الضوئية من ‎sl ٠٠١‏ متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء أو على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎٠‏ نانو متر. يمكن على سبيل ‎JE‏ أن يكون مثمك الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من ‎٠‏ البروفسكيت في الأداة الفلطائية الضوئية من ‎٠00‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء أو على سبيل المثال من ‎٠٠٠0‏ نانو متر إلى ‎٠060‏ نانو متر. كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ يشير المصطلح "لمك" إلى متوسط مثمك مكون خاص بجهاز إلكتروني بصري. ‎CARN‏
_ \ ¢ —_
لقد عرض المخترعون أنه يمكن استخدام مادة دعم مؤقتة رفيعة ‎Cll)‏ لوضع بذور لنمو طبقة
البروفسكيت المتفاعل ضوئيًا حيث يحدث غالبية نشاط التفاعل ‎Wan‏ (على سبيل المثال؛
امتصاص الضوء) في طبقة تغطية تتكون أعلى مادة الدعم المؤقتة. تكون طبقة التغطية هذه هي
الطبقة المذكورة ‎Led‏ سبق من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و؛ في © هذه النماذج» تفصل "طبقة أولى" طبقة التغطية تلك عن إما المنطقة من النوع ‎٠“‏ أو المنطقة من
النوع م.
بناءً على ذلك؛ في بعض النماذج؛ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة الخاصة بالجهاز
على:
المنطقة من النوع ‎N‏ المذكورة؛
‎٠‏ المنطقة من النوع م المذكورة؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من النوع 7 والمنطقة من النوع 0 وضع: ‎daha ( ١ )‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ؛و
‎(Y)‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة؛» حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه ‎lia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة. تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه
‎١‏ الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى. حيث إنه ‎We‏ ما يتم ترسيب البروفسكيت في الطبقة الأولى والبروفسكيت في طبقة التغطية ‎Be‏ ‏في نفس الخطوة؛ نمطيًا بواسطة نفس خطوة ترسيب المحلول أو ترسيب ‎QA‏ عادةً ما يتم إعداد المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية من نفس مركب البروفسكيت مثل المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى.
‎٠‏ على النقيض من الطبقة الأولى؛ التي تشتمل على كل من مادة الدعم المؤقتة والمادة شبه الموصلة من البروفسكيت؛ لا تشتمل طبقة التغطية على ‎sale‏ الدعم المؤقتة. كما هو موضح بالشرح فيما سبق؛ تتكون طبقة التغطية 1 التي تعتبر الطبقة المذكورة من ‎sale‏ شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ نمطيًا بشكل أساسي من؛ أو تتكون من نواتج ‎lS‏ من ‎sald)‏ شبه الموصلة من
‎CARN
اج \ _ البروفسكيت. وعلى هذا ‎Sale‏ ما تتكون طبقة التغطية بشكل أساسي من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. في بعض النماذج تتكون من طبقة التغطية المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. تشتمل الطبقة الأولى على مادة الدعم المؤقتة المذكورة وشبه الموصل من البروفسكيت المذكور المترسب على سطح ‎sale‏ الدعم المؤقتة. يشير المصطلح ‎sale’‏ دعم مؤقتة" كما هو مستخدم في 0 هذا الطلب إلى ‎sale‏ تتضمن وظيفتها (وظائفها) العمل كدعامة فيزيائية ‎sald‏ أخرى. في الحالة ‎(Ala‏ تعمل مادة الدعم المؤقتة كدعامة للمادة شبه الموصلة من البروفسكيت الموجودة في الطبقة الأولى. يتم وضع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت؛ أو دعمها على؛ سطح مادة الدعم المؤقتة. تكون مادة الدعم المؤقتة ‎Sale‏ مسامية؛ مما يعني أنها تشتمل ‎Ghat‏ على بنية مسامية مفتوحة. بناءً على ذلك؛ يشير "سطح” مادة الدعم المؤقتة هنا نمطيًا إلى أسطح المسام داخل ‎sale‏ ‎٠‏ الدعم المؤقتة. وبالتالي؛ يتم نمطي وضع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى على أسطح المسام داخل مادة الدعم المؤقتة. في بعض النماذج؛ تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة مسامية ويتم وضع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى في مسام مادة الدعم المؤقتة. عادة ما تكون المسامية الفاعلة الخاصة بمادة الدعم المؤقتة المذكورة على الأقل ‎٠‏ 75. على سبيل المثال؛ يمكن أن تبلغ المسامية ‎Vo‏ الفاعلة حوالي 2970. في أحد النماذج؛ تبلغ المسامية الفاعلة على الأقل ‎Ze‏ على سبيل المثال على الأقل ‎JY‏ ‏تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة ‎Sole‏ بمسام متوسطة. يعني المصطلح 'مسام ‎(angie‏ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ أن متوسط حجم المسام الخاص بالمسام داخل المادة يبلغ من ؟ نانو متر إلى ‎ov‏ ‏نانو متر. يمكن أن تكون المسام الفردية بأحجام ختلافة وبأي شكل. ‎٠‏ على نحو بديل؛ يمكن أن تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة كبيرة المسام. يعني المصطلح "كبيرة المسام”؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ أن متوسط حجم المسام الخاص بالمسام داخل المادة يكون أكبر من ‎١‏ نانومتر. في ‎ax‏ النماذج؛ حجم المسام في ‎sale‏ الدعم المؤقتة ‎Lelie‏ تكون كبيرة المسام؛ يكون أكبر من 7 نانومتر وتساوي أو أقل من ‎١‏ ميكرومتر؛ أو على سبيل ‎JB‏ أكبر من ‎١‏ ‎CARN‏ yi ٠٠١ ‏نانومتر وتساوي أو أقل من‎ Y ‏نانومتر؛ الأفضل أكبر من‎ 50٠0 ‏نانومتر وتساوي أو أقل من‎ ‏نانومتر.‎ ‏يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة عبارة عن مادة دعم مؤقتة ناقلة لشحنة (على سبيل المثال؛ مادة‎
Jie ‏عازلة؛.‎ sale ‏لثقب ) أو‎ ABU ‏أو على نحو بديل مادة‎ ctitania ‏ناقلة لإلكترون مثل التيتانيا‎ sale ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى‎ Clad) ‏يشير المصطلح "لمادة‎ alumina ‏ألومينا‎ ‏أو موصل ضعيف للغاية للتيار الكهربائي.‎ electrical insulator ‏تكون عبارة عن عازل كهربائي‎ ‏يشير المصطلح عازل؛‎ labial Jie ‏يستثني المصطلح عازل بناءً على هذا المواد شبه الموصلة‎ ‏إلكترون‎ 5,٠ ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ نمطيًا إلى مواد بها فجوة نطاق تساوي أو أكبر من‎ ‏إلكترون فولط.) سيكون الشخص ذو المهارة‎ TY ‏فولط. (تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالتيتانيا حوالي‎ ‏النطاق الخاصة بشبه موصل؛ عن طريق استخدام الإجراءات‎ smd ‏قادرًا بالفعل على قياس‎ ٠ ‏المعروفة جيدًا التي لا تتطلب تجريبًا غير ضروري. على سبيل المثال؛ يمكن تقدير فجوة النطاق‎ ‏أو‎ photovoltaic diode ‏الخاصة بشبه الموصل عن طريق تكوين صمام ثنائي فلطائي ضوئي‎ ‏خلية شمسية من شبه الموصل وتحديد طيف الإجراء الفلطائي الضوئي . يمكن اعتبار طاقة‎ ‏الفوتون أحادي اللون التي عندها يبدأ توليد تيار الخلية الكهروضوئية بواسطة الصمام الثنائي بمثابة‎ : ‏فجوة النطاق الخاصة بشبه الموصل؛ تم استخدام هذه الطريقة بواسطة‎ VO ‏تعني‎ .Barkhouse et al., Prog. Photovolt: Res. Appl. 2012; 20:6-11. ‏الإشارات المرجعية في هذا الطلب إلى فجوة النطاق الخاصة بشبه الموصل فجوة النطاق با عتبارها‎ ‏مقاسة بواسطة هذه الطريقة؛ أي؛ فجوة النطاق كما هو محدد عن طريق تسجيل طيف الإجراء‎ ‏الفلطائي الضوئي لصمام ثنائي فلطائي ضوئي أو خلية شمسية متكون من شبه الموصل وملاحظة‎ ‏توليد تيار الخلية الكهروضوئية المؤثر.‎ fay ‏طاقة الفوتون أحادي اللون التي عندها‎ ٠ ‏تلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى (تشتمل هذه الطبقة أيضنًا‎ ale ‏وتلامس المادة شبه‎ oN ‏على مادة الدعم المؤقتة) واحدة من المنطقة من النوع م والمنطقة من نوع‎ ‏الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية المنطقة الأخرى من المنطقة من النوع 0 والمنطقة من‎ ‏تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية وصلة غير متجانسة‎ (Glas WN ‏نوع‎ ‎.0 ‏مستوية مع المنطقة التي تتلامس معهاء أي؛ مع المنطقة من النوع م أو المنطقة من النوع‎ YO
CARN
في نموذج مفضل؛ تلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية المنطقة من
النوع ‎op‏ وتلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى المنطقة من النوع 0.
‎Bale‏ في هذا النموذج؛ تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة عبارة عن إما مادة ناقلة لإلكترون دعم مؤقتة أو
‏مادة دعم مؤقتة عازلة. نمطيّاء تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية وصلة
‏© غير متجانسة مستوية مع المنطقة من النوع م.
‏في نموذج ‎AT‏ مع ذلك؛ تلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية المنطقة
‏من النوع ‎on‏ وتلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى المنطقة من النوع م.
‏نمطيّاء في هذا النموذج؛ تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة عبارة عن مادة دعم مؤقتة ناقلة لثقب أو ‎sale‏
‏دعم مؤقتة عازلة. نمطيّاء تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية وصلة غير ‎Yo‏ متجانسة مستوية مع المنطقة من النوع 0.
‎Bale‏ ما يكون ‎ld‏ طبقة التغطية أكبر من ‎eld‏ الطبقة الأولى. بناءً على هذا عادةً ما يحدث
‏غالبية نشاط التفاعل ضوئيًا (على سبيل ‎(JB‏ امتصاص الضوء) في طبقة تغطية.
‏يبلغ ‎old‏ طبقة التغطية ‎Glas‏ من ‎٠١‏ نانومتر إلى ‎٠٠١‏ ميكرومتر. بصورة أكثر نمطية؛ يبلغ
‏ملمك طبقة التغطية من ‎٠١‏ نانومتر إلى ‎٠١‏ ميكرومتر. يُفضل؛ يبلغ ‎ld‏ طبقة التغطية من ‎Ov‏ ‎Yo‏ نانو متر إلى ‎Yoon‏ نانومتر أو على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانومتر إلى ‎You‏ نانومتر .
‏يمكن على سبيل المثال أن يكون سُمك طبقة التغطية من ‎٠٠١‏ نانومتر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء أو
‏على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانومتر إلى ‎70١6‏ نانومتر. ‎Bale‏ ما يتم تفضيل طبقة تغطية لها ‎Sl‏
‏يبلغ على الأقل ‎٠٠١‏ نانومتر.
‏عادةً ما يبلغ ‎dd‏ الطبقة الأولى؛ من ناحية أخرى؛ من © نانو متر إلى ‎٠٠٠١‏ نانو متر. بصورة ‎٠‏ أكثر نمطية؛ يكون من © نانو متر إلى ‎0٠0‏ نانو مترء أو على سبيل ‎JB‏ من ‎7٠0‏ نانو متر
‏إلى ‎Yeo‏ نانو متر.
‏تكون ‎sald)‏ شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الاختراع الحالي؛ في الطبقة المذكورة
‏من ‎sale‏ شبه موصلة من بروضسكيت بدون مسام مفتوحة و6 عند وجوده؛ في الطبقة ا لأولى
‏المذكورة؛ نمطيًا عبارة عن مادة تكون قادرة على ‎)١(‏ امتصاص الضوءء وبالتالي توليد مواد حاملة
‎CARN vy A- ‏انبعاث ضوء؛ عن طريق قبول شحنة؛ كل من الإلكترونات والثتقوب؛‎ )١( ‏بشحنة مطلقة؛ و / أو‎ ‏وتبعث ضوءًا.‎ Bal ‏التي تعيد الاندماج‎ ‏وبالتالي؛ يكون البروفسكيت المستخدم نمطيًا عبارة عن بروفسكيت ماص للضوء و / أو بروفسكيت‎ ‏باعث للضوء.‎ ‏يكون البروفسكيت مادة ماصة للضوء. نمطيًا يتم استخدام بروفسكيت يكون قادرًا على‎ dale ©
DAB ‏نانومتر (أي؛ بروفسكيت يكون‎ 700٠0 ‏امتصاص ضوء لها طول موجة يبلغ من 0860© إلى‎ ‏على امتصاص ضوء له طول موجة يقع في أي مكان في هذا النطاق). بصورة أكثر نمطية؛ يكون‎ ‏إلى‎ 5٠00 ‏في النطاق البالغ من‎ dase ‏البروفسكيت المستخدم قادرًا على امتصاص ضوء له طول‎
Foo ‏على سبيل المثال؛ قادر على امتصاص ضوء له طول موجة يبلغ من‎ of ‏تانومترء‎ ٠ ‏نانومتر. بصورة أكثر نمطية؛ يكون البروفسكيت المستخدم قادرًا على امتصاص ضوء‎ ٠٠٠١ ‏إلى‎ ٠ ‏إلى 800 نانومتر.‎ 30٠0 ‏له طول موجة واقع في أي مكان في النطاق البالغ من‎ ‏يُفضل أن يكون للمادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري‎ ‏الخاص بالاختراع فجوة نطاق تكون محدودة بالقدر الكافي للسماح باستثارة الإلكترونات بواسطة‎ ‏الضوء الساقط. يتم تحديذًا تفضيل فجوة نطاق تبلغ 3,0 إلكترون فولط أو أقل؛ بخاصة عندما‎ ‏يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية؛ لأن فجوةٍ النطاق هذه تكون‎ Vo ‏الإلكترونات عبره. يكون لمواد بروفسكيت‎ HELL ‏منخفضة بالقدر الكافي لكي يقوم ضوء الشمس‎ ‏فجوات نطاق‎ ala) ‏معينة؛ متضمنة بعض من مواد بروفسكيت لأكسيد ومواد بروفسكيت ثنائية‎ ‏وتكون بناءً على هذا أقل تفضيلاً للاستخدام في الأدوات‎ ald ‏إلكترون‎ 3,٠ ‏تكون أوسع من‎ ‏إلكترون فولط أو أقل.‎ 3,٠ ‏الفلطائية الضوئية عن مواد البروفسكيت التي لهت فجوة نطاق تبلغ‎ ‏و كالسيوم‎ Strontium titanate (SrTiO3) ‏تتضمن مواد البروفسكيت : سترونتيوم تيتانات‎ Yo ‏التي لها فجوات نطاق تبلغ تقريبًا‎ o(Pr3+) Calcium Strontium titanate ‏سترونتيوم تيتانات‎ ‏إلكترون فولط و*,؟ إلكترون فولط على التوالي.‎ Vio chal ‏إلكترون‎ VV ‏على ذلك؛ نمطيًا يكون للمادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني‎ gly ‏إلكترون فولط. في بعض النماذج؛‎ 7,٠ ‏البصري الخاص بالاختراع فجوة نطاق تساوي أو أقل من‎
CARR
تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت أقل من أو تساوي 7,8 إلكترون فولط» على سبيل المثال تساوي أو أقل من 7,5 إلكترون فولط. يمكن على سبيل المثال أن تكون فجوة النطاق أقل من أو تساوي 7,7 إلكترون فولط» أو على سبيل المثال أقل من أو تساوي ‎٠,٠‏ إلكترون فولط. ‎de‏ تبلغ فجوة النطاق على الأقل ‎١,5‏ إلكترون فولط. وبالتالي؛ قد تبلغ فجوة النطاق الخاصة 0 بالبروفسكيت من ‎٠,5‏ إلكترون فولط إلى 7,8 إلكترون فولط. في بعض النماذج تكون من ‎٠,5‏ ‏إلكترون فولط إلى 7,5 إلكترون فولط»ء أو على سبيل المثال من ‎١,5‏ إلكترون فولط إلى 7,7 إلكترون فولط. قد تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت على سبيل المثال من ‎١,5‏ إلكترون فولط إلى ‎7,٠‏ إلكترون فولط. في نماذج ‎(al‏ قد تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت من ‎٠‏ إلكترون فولط إلى ‎٠‏ ,7 إلكترون فولط؛ أو على سبيل المثال من ‎٠١‏ إلكترون فولط إلى ‎YA‏
‎٠‏ إلكترون فولط. في بعض النماذج تكون من ‎٠١‏ إلكترون فولط إلى 7,5 إلكترون فولط؛ أو على سبيل المثال من ‎٠١‏ إلكترون فولط إلى 7,7 إلكترون فولط. قد تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت على سبيل المثال من ‎٠.١‏ إلكترون فولط إلى ‎7,٠‏ إلكترون فولط. تبلغ فجوةٍ النطاق الخاصة بالبروفسكيت بصورة أكثر نمطية من ‎٠,7‏ إلكترون فولط إلى ‎VA‏ ‏إلكترون فولط. تكون فجوات النطاق الخاصة بالمواد شبه الموصلة من البروفسكيت لهاليد فلز
‎Yo‏ عضوي 3 على سبيل ‎JE‏ 3 نمطيًا واقعة في هذا النطاق ويمكن على سبيل ‎JE‏ 3 أن تبلغ حوالي إلكترون فولط أو حوالي ‎١,6‏ إلكترون فولط. وبالتالي؛ في أحد النماذج تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت من ‎٠,7‏ إلكترون فولط إلى ‎١,7‏ إلكترون فولط. ‎Ja‏ المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع نمطيًا على أنيون واحد على الأقل مختار من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد.
‎٠٠‏ - يشير المصطلح "هاليد ‎halide‏ " إلى أنيون لعنصر ‎ic gana‏ 07 أي؛ لهالوجين. نمطيًا يشير هاليد إلى أنيون فلوريد ‎fluoride anion‏ أنيون كلوريد ‎«chloride anion‏ أنيون بروميد ‎bromide anion‏ أنيون يوديد ‎iodide anion‏ أو أنيون أستاتيد ‎anion‏ 85181106. يشير المصطلح ”أنيون كالكوجنيد ‎("chalcogenide anion‏ كما هو مستخدم في هذا الطلب إلى أنيون 80100 لعنصر مجموعة 1« أي؛ لكالكوجنيد ‎(Gh . chalcogenide‏ يشير كالكوجنيد
‎IR
=« اذ إلى أنيون أكسيد ‎coxide anion‏ أنيون سلفيد ‎oxide anion‏ أنيون سينيليد ‎selenide anion‏ أو أنيون تيلوريد ‎telluride anion‏ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ‎Le Wie‏ يشتمل البروفسكيت على كاتيون أول؛ كاتيون ثان» والأنيون الواحد على الأقل المذكور. 0 كما سيدرك أحد ذوي ‎dled)‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت بشكل ‎dla)‏ على كاتيونات أو أنيونات إضافية. على سبيل ‎JE‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت على اثنين» ‎ADE‏ أربعة من كاتيونات أولى مختلفة؛ اثنين» ‎ADE‏ أربعة من كاتيونات ثانية مختلفة؛ أو اثنين» ثلاثة من أربعة أنيونات مختلفة. نمطيًاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» يكون الكاتيون الثاني في البروفسكيت copper ‏عبارة عن كاتيون فلز. يمكن اختيار الفلز من القصدير 110 ؛ الرصاص 6880| والنحاس‎ ٠ ٠. ‏ويُفضل أن يتم اختياره من القصدير والرصاص‎ ٠ ‏بصورة أكثر نمطية؛ يكون الكاتيون الثاني عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافؤ. على سبيل المثال؛‎ ‏أيون سترونتيوم‎ (Calcium ions (Ca2+) ‏يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون الكالسيوم‎ copper ‏أيون النحاس‎ «Cadmium ion (Cd2+) ‏أيون الكاديون‎ Strontium lon (Sr2)
Manganese ion ‏أيون المنجنيز‎ nitrogen ion (Ni2+) ‏أيون النيتروجين‎ don (Cu2+) vo ‏أيون‎ «cobalt ion (Co2+) ‏أيون الكوبالت‎ (ferrous ion (Fe2+) ‏أيون الحديدي‎ (Mn2+) ‏أيون‎ «germanium ion (Ge2+) ‏أيون الجرمانيوم‎ «palladium ion (Pd2+) ‏البالديوم‎ ‎tin ion ‏أيون القصدير‎ dead ion (Pb2+) ‏أيون الرصاص‎ dtin ion (Sn2+) ‏القصدير‎ ‎.europium (u2+) ‏وأيون الأوربيوم‎ Ytterbium ion (YB2+) ‏أيون الايتربيوم‎ «(Sn2+) palladium ‏أيون البالديوم‎ tin ion (Sn2+) ‏اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير‎ Kay ٠ ‏يتم اختيار الكاتيون الثاني من‎ dale .0000©+ 100 (Cu2+) ‏و أيون النحاس‎ (Pd2+) ion (+Pd2) palladium ion ‏وأيون البالديوم‎ 502+ tin jon ‏أيون القصدير‎ ‏في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون الكاتيون الأول في البروفسكيت عبارة عن‎ . ‏كاتيون عضوي‎ Sale
IR
— \ اذ يشير المصطلح "كاتيون عضوي ‎organic cation‏ " إلى كاتيون مشتمل على كربون ‎carbon‏ ‏يمكن أن يشتمل الكاتيون على عناصر إضافية؛ على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الكاتيون على هيدروجين ‎hydrogen‏ ؛ نيتروجين ‎nitrogen‏ أو أكسجين ‎oxygen‏ ‎Gale‏ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ه ‎(RIR2R3R4N)+‏ حيث: 1 تكون هيدروجين ‎alkyl 01-620 « hydrogen‏ به استبدال أو ليس به استبدال» أو ‎aryl‏ ‏به استبدال أو ليس به استبدال؛ 2 تكون هيدروجين ‏ 61-020 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎٠‏ 83 تكون هيدروجين © 61-020 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ و 4 تكون هيدروجين © 61-020 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال. على نحو ‎ca‏ يمكن أن يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R5NH3)+‏ حيث: ‎R5‏ تكون ‎١٠‏ ميدروجين» أو 61-020 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال. على سبيل ‎RS (Ji‏ يمكن أن تكون ميثيل ‎methyl‏ أو إيثيل الا00©. ‎RS (Gas‏ تكون ميثيل. في بعض النماذج؛ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(RSR6N=CH-NR7R8)+‏ حيث: ‎R5‏ ‏تكون هيدروجين ¢« 01-620 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RE‏ تكون هيدروجين © 61-020 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو ‎aaryl‏ ‎٠‏ استبدال أو ليس به استبدال؛ 7 تكون هيدروجين + 61-620 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به ‎(Jha‏ أو ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ و8 تكون هيدروجين » 01-620 ‎asalkyl‏ ‏استبدال أو ليس به استيدال؛ أو ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال. ‎CARR‏
الو ‎RS (Gha‏ في الكاتيون ‎(RSRON=CH-NRTR8)+‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل» ‎RO‏ ‏تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل» ‎RT‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛ و48 تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال ‎RS‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ 46 يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RT‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ و 48 مكن أن تكون هيدروجين أو © ميثيل. يمكن أن يكون للكاتيون العضوي؛ على سبيل ‎JB)‏ الصيغة ‎(H2N=CH-NH2)+‏ ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ يمكن أن تكون مجموعة ‎alkyl‏ عبارة عن شق مشبع به استبدال أو لا يكون به استبدال؛ بسلسلة خطية أو متفرعة؛ ‎We‏ ما تكون شق مشبع بسلسلة خطية به استبدال أو ليس به استبدال؛ الأغلب شق مشبع بسلسلة خطية ليس به استبدال. تكون مجموعة ‎alkyl 61-020 ٠‏ عبارة عن شق هيدروكربون مشبع ليس به استبدال أو به استبدال؛ بسلسلة مستقيمة أو متفرعة. ‎Glass‏ تكون 01-010 ‎alkyl‏ ؛ على سبيل ‎JE‏ ميثيل ‎methyl‏ ؛ إيثيل ‎ethyl‏ ؛ بروبيل ‎cpropyl‏ بيوتيل ‎cbutyl‏ بنتيل ‎pentyl‏ هكسيل ‎chexyl‏ هبتيل ‎cheptyl‏ أوكتيل ‎coctyl‏ نونيل ‎nonyl‏ أو ديسيل الا060 » أو ‎alkyl C1-C6‏ ؛ على سبيل المثال ميثيل ‎methyl‏ ‏« إيثيل ‎ethyl‏ « بروبيل ‎propyl‏ ؛ بيوتيل ‎butyl‏ ؛ بنتيل ‎pentyl‏ أو ‎1١ hexyl Juss‏ - ‎Yo‏ بروبيل ‎٠ propyl‏ - بروبيل ‎tc propyl‏ - بيوتيل ‎butyl‏ أو © - بيوتيل ‎butyl‏ ‏عندما يكون بمجموعة ‎alkyl‏ استبدال فإنها تحمل نمطيًا واحدة أو ‎SS‏ من مجموعات الاستبدال المختارة من 61-620 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أريل ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال ‎LS)‏ هو معرّف في هذا الطلب)؛ سيانو ‎cyano‏ ؛ أمينو ‎amino‏ « 61-010 ألكيل أمينو ‎«C1-C10 alkylamino‏ داي ‎(C1-C10)‏ ألكيل ‎«di(C1-C10)alkylamino su‏ ‎٠٠‏ أريل أمينو ‎glacarylamino‏ أريل ‎cdiarylamino sud‏ أريل ألكيل ‎«arylalkylamino sud‏ أميدو ‎camido‏ أسيل أميدو ‎acylamido‏ هيدروكسي ‎chydroxy‏ أوكسو ‎oxo‏ هالو ‎halo‏ ‏كربوكسي ‎ester ji) carboxy‏ أسيل ‎cacyl‏ أسيل أوكسي ‎«acyloxy‏ 61-020 ألكوكسي ‎alkoxy‏ 01-020 ؛ أريل أوكسي ‎caryloxy‏ هالو ألكيل ‎chaloalkyl‏ حمض سلفونيك ‎sulfonic‏ ‎cacid‏ متلفهيدريل ‎sulfhydryl‏ (أي؛ ثيول ‎«(thiol‏ 61-0 ألكيل قير ‎«C1-C10 alkylthio‏ ‎Yo‏ أريل 55 ‎carylthio‏ سلفونيل ‎sulfonyl‏ حمض فوسفوريك ‎(phosphoric acid‏ إستر فوسفات ‎IR‏ pp phosphonate ‏واستر فوسفونات‎ phosphonic acid ‏حمض فوسفونيك‎ phosphate ester ‏تتضمن أمثلة على مجموعات ألكيل بها استبدال: مجموعات هالو ألكيل ؛ هيدروكسي‎ Lester ‏و ألك أريل‎ alkoxyalkyl ‏؛ ألكوكسي ألكيل‎ aminoalkyl ‏أمينو ألكيل‎ » hydroxyalkyl ‏ألكيل‎ ‎.alkaryl ‎01-020 ‏هو مستخدم في هذا الطلب؛ بمجموعة‎ WS ‏؛‎ alkaryl ‏يتعلق المصطلح ألك أريل‎ © aryl ‏واحدة على الأقل بمجموعة أريل‎ hydrogen ‏حيث تم استبدال 33 هيدروجين‎ alkyl : ‏تتضمن أمثلة على هذه المجموعات؛ إلا أن الأمر ليس قاصرًا على‎ benzyl (phenylmethyl, PhCH2-), benzhydryl (Ph2CH ), ftrityl (triphenylmethyl, Ph3C ), phenethyl (phenylethyl, Ph—CH2CH2-), styryl .(Ph CH=CH ), cinnamyl (Ph CH=CH CH2 ٠ ‏أو‎ ١ ‏؟ أو ؟ مجموعات استبدال؛ على سبيل المثال‎ ٠ ‏تحمل مجموعة ألكيل به استبدال‎ Baa ‏ل‎ ‏مجموعة أريل تكون عبارة عن مجموعة عطرية بها استبدال أو ليس بها استبدال؛ أحادية الحلقة أو‎ ‏ذرةٍ كربون في الجزء‎ ٠١ ‏إلى‎ ١ ‏ثنائية الحلقات تشمل نمطيًا من > إلى ؛١ ذرة كربون؛ يُفضل من‎ ‏واندانيل‎ indenyl (sx) naphthyl ‏الا060. نافقيل‎ (iid ‏الحلقي. تتضمن الأمثلة مجموعات‎ Ye ‏ليس بها استبدال أو بها استبدال. عندما مجموعة أريل‎ aryl ‏ال102080. تكون مجموعة الأريل‎ ‏كما هو معرّف فيما سبق يكون بها استبدال فإنها تحمل نمطيًا واحدة أو أكثر من مجموعات‎ aryl ‏الذي ليس به استبدال (لتكوين مجموعة أرألكيل‎ alkyl 61-66 ‏الاستبدال المختارة من‎ : ‏ليس به استبدال؛‎ aryl ‏أريل‎ «(alkylaryl cyano, amino, 1-610 alkylamino, di(C1-Cl0)alkylamino, arylamino, Y. diarylamino, arylalkylamino, amido, acylamido, hydroxy, halo, carboxy, ester, acyl, acyloxy, 01-020 alkoxy, aryloxy, haloalkyl, sulfhydryl (i.e. thiol, —SH), C1-10 alkylthio, arylthio, sulfonic acid, phosphoric acid, phosphate ester, phosphonic acid and phosphonate ester and sulfonyl.
ديو" تحمل ‎Baad‏ صفرء )6 7 أو © مجموعات استبدال. يمكن أن تكون مجموعة أريل بها استبدال بها استبدال في اثنين من المواضع بمجموعة ‎alkylene C1-C6‏ فردية؛ أو بمجموعة باي دينتات ‎bidentate‏ ممثلة بواسطة : الصيغة ©61-66(81/7/160)-)ل-,؛ أو -4(-61-06(807/1606)-)-» حيث يتم اختيار ‎X‏ ‏© من 0 5 ‎NR‏ وحيث »ا تكون ‎H‏ أريل أو ‎C1-C6‏ ألكيل. ومن ‎of‏ يمكن أن تكون مجموعة أريل بها استبدال عبارة عن مجموعة أريل ملتحمة مع مجموعة سيكلو ألكيل ‎cycloalkyl‏ أو مع مجموعة حلقية غير متجانسة ‎heterocyclyl‏ يمكن أن تتضمن الذرات الحلقية ‎ring atoms‏ الخاصة بمجموعة أريل ‎aryl‏ واحدة أو أكثر من الذرات غير المتجانسة (كما في مجموعة أريل غير متجانس ‎(5S. (heteroaryl‏ مجموعة الأريل ‎aryl‏ هذه (مجموعة أريل غير متجانس) عبارة ‎٠‏ عن مجموعة عطرية غير متجانسة أحادية الحلقة أو ثنائية الحلقات بها استبدال أو ليس بها استبدال ‎dedi‏ نمطيًا من 6 إلى ‎٠١‏ ذرات في الجزء الحلقي بما في ذلك واحدة أو أكثر من الذرات غير المتجانسة. بشكل عام تكون عبارة عن حلقة غير متجانسة تتكون من © أو 6 ذرات؛ محتوية على ذرة غير متجانسة واحدة على الأقل مختارة من اكسجين ‎Oxygen‏ " 0 " كبريت ‎Sulfur‏ " " ؛ نيتروجين ‎N "Nitrogen‏ " « فسفور ‎P "Phosphorus‏ " ؛ سيلينيوم ‎Se " Selenium‏ ‎Yo‏ "و سيليكون ‎Silicon‏ " 51 ". يمكن أن تحتوي؛ على سبيل المثال» على ١؛‏ ؟ أو ؟ ذرات غير متجانسة. تتضمن أمثلة على مجموعات ‎aryl‏ غير متجانس : بيريديل ‎pyridyl‏ ؛ بيرازينيل ‎pyrazinyl‏ ؛ بيريميديل ‎pyrimidinyl‏ » بيريدازينيل ‎pyridazinyl‏ «¢ فيورانيل ‎furanyl‏ ؛ ‎thienyl Jad‏ ؛ بيرازوليدينيل ‎pyrazolidinyl‏ « بيروليل ‎pyrrolyl‏ ؛ أوكسازوليل ‎oxazolyl‏ ؛ أوكسا داي زوليل ‎oxadiazolyl‏ « أيزوكسازوليل ‎isoxazolyl‏ ؛ ثيا ‎Ye‏ داي زوليل ‎thiadiazolyl‏ « ثيازوليل ‎thiazolyl‏ « أيزو ثيازوليل ‎isothiazolyl‏ ؛ إيميدازوليل ‎imidazolyl‏ » بيرازوليل ‎pyrazolyl‏ » كينوليل ‎pyrazolyl‏ وأيزو كينوليل ‎isoquinolyl‏ ‏يمكن أن تكون مجموعة أريل غير متجانس ليس بها استبدال أو بها استبدال» على سبيل ‎(JED‏ ‏كما هو محدد فيما سبق للأريل. تحمل ‎١ hia Ghat‏ ؟ أو ؟ مجموعات استبدال. ‎CARR‏
و
بشكل أساسي؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» 1+ في الكاتيون العضوي تكون
هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛ ‎R2‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو ‎R3 ei)‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو
إيثيل؛ ‎RA‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال ‎RT‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو
ميثيل؛ ‎R2‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎R3‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RAs‏
© يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل.
على نحو بديل؛ يمكن أن يكون للكاتيون العضوي ‎organic cation‏ الصيغة ‎«((RSNH3)+‏
حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين» أو 61-020 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال. على سبيل
‎RS (JB)‏ يمكن أن تكون ميثيل أو إيثيل. ‎RS class‏ تكون ميثيل.
‏في أحد النماذج؛ يكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت لأنيون مختلط مشتمل على اثنين أو ‎٠‏ أكثر من الأنيونات المختلفة المختارة من ايونات هاليد ‎halide anions‏ وأنيونات كالكوجنيد
‎dale .00810096010© anions‏ يكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة
‏عن اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة.
‎(Jal,‏ قد يكون البروفسكيت المستخدم عبارة عن بروفسكيت لأنيون مختلط مشتمل على كاتيون
‎J‏ كاتيون ثان» واثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المختارة من أنيونات هاليد وأنيونات ‎Yo‏ كالكوجنيد. على سبيل ‎JB‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت لأنيون مختلط على اثنين من
‏الأنيونات المختلفة و؛ على سبيل المثال؛ يمكن أن تكون الأنيونات عبارة عن أنيون هاليد وأنيون
‎cana SI‏ اثنين من أنيونات الهاليد المختلفة أو اثنين من الأنيونات المختلفة كالكوجنيد. قد تكون
‏الكاتيونات الأول والثاني كما هو مُعرّف بشكل إضافي ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. ومن ثم؛ يمكن
‏أن يكون الكاتيون الأول عبارة عن كاتيون عضويء الذي قد يكون كما هو مُعرّف بشكل إضافي ‎٠‏ في هذا الطلب. على سبيل المثال قد يكون كاتيون بالصيغة ‎(RIR2R3RAN)+‏ أو الصيغة
‎((RSNHB)+‏ كما هو مُعرّف فيما سبق. على نحو بديل؛ يمكن أن يكون الكاتيون العضوي عبارة
‏عن كاتيون بالصيغة ‎[RSRON=CH-NR7RS8]+‏ كما هو مُعرّف ‎lad‏ سبق. يمكن أن يكون
‏الكاتيون الثاني عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافو. على سبيل المثال؛ يمكن اختيار الكاتيون
‏الثاني من :
‎CARN
!و أيون الكالسيوم (6827)؛ أيون سترونتيوم ‎¢(Sr2) Strontium ion‏ أيون الكاتيون ‎lon cation‏ ‎«(Cd2+)‏ أيون النحاس ‎((Ni2+) Nitrogen ion «(Cu2+) Copper ion‏ أيون المنجنيز ‎((Mn2+) lon manganese‏ أيون الحديد ‎((Fe2+) lon iron‏ أيون الكوبالت ‎lon cobalt‏ ‎((Co2+)‏ أيون البالديوم ‎((Pd2+) lon palladium‏ أيون الجرمانيوم ‎lon germanium‏ ‎(Ge2+) ©‏ أيون القصدير ‎((SN2+) Tin ion‏ أيون الرصاص ‎lon lead‏ ‎(Pb2+)‏ ؛ أيون القصدير ‎«(SN2+)‏ أيون الايتربيوم ‎(YB2+) lon Alatarebeom‏ وأيون الأوربيوم ‎lon Aloorbayoum‏ (+602). يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير (5027)؛ أيون البالديوم ‎(Pd2+) lon palladium‏ و أيون النحاس ‎.(Cu2+) Copper ion‏ ‎dale‏ يتم اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير +502 وأيون البالديوم ‎(+Pd2)‏ ‏في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ‎Lode‏ يكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت لهاليد ‎Cua hide halide‏ يكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد ‎halide anions‏ مختلفة. ‎(Ghat‏ تكون ‎Sle‏ عن اثنين أو ثلاثة من أنيونات ‎calle‏ بصورة أكثر نمطية؛ اثنين من أنيونات الهاليد المختلفة. ‎Sale‏ يتم اختيار أنيونات الهاليد من فلوريد ‎fluoride‏ ؛ كلوريد ‎chloride‏ ؛ بروميد ‎bromide‏ ويوديد ‎ciodide | ١‏ على سبيل المثال كلوريد ‎chloride‏ ؛ بروميد ‎bromide‏ ويوديد 100106. غالبا في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص ‎FAYE‏ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة (ا): ‎[AIIBIIX]3 (1)‏ حيث: ‎SSA] ٠‏ كاتيون عضوي واحد على الأقل؛
[8] تكون كاتيون فلزي ‎metal cation‏ واحد على الأقل؛ و ‎[X]‏ تكون الأنيون الواحد على الأقل المذكور. ‎IR‏
_ 7 اذ يمكن أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة (ا) على واحد؛ اثنين؛ ‎ADE‏ أربعة من كاتيونات فلز مختلفة؛ نمطيًا واحد أو اثنين من كاتيونات فلز مختلفة. أيضاء ‎Say‏ على سبيل ‎JE‏ أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة ) | ( على ‎alg‏ اثنين »+ ثلاثة أربعة من كاتيونات ‎iy gua‏ مختلفة نمطيًا ‎candy‏ اثنين من كاتيونات عضوية مختلفة. ‎Jill‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة ‎ol) 0‏ على واحد؛ اثنين؛ ثلاثة؛ أربعة من أنيونات مختلفة؛ نمطيًا اثنين أو ثلاثة من أنيونات مختلفة. قد تكون الكاتيونات العضوية والفلزية في مركب البروفسكيت بالصيغة )1( كما هو مُعززف بشكل إضافي ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. ومن ثم؛ يمكن اختيار الكاتيونات العضوية من كاتيونات بالصيغة ‎(RIR2R3R4N)+‏ وكاتيونات بالصيغة ‎((RSNH3)+‏ كما هو مُعرّف ‎lad‏ سبق. يمكن اختيار الكاتيونات الفلزية من كاتيونات فلزية ثنائية التكافو. على سبيل المثال؛ يمكن اختيار ‎٠‏ الكاتيونات الفلزية من ‎((+Ni2) )+002( )+002( «(Sr2) «(+Ca2)‏ (2ملا+) ‎«((+Fe2)‏ ‎((+Ge2) (+Pd2) «(+Co2)‏ (502+)؛ أيون الرصاص ‎(Pb2+) lon lead‏ . يمكن؛ على سبيل المثال؛ اختيار الكاتيون العضوي من كاتيونات بالصيغة ‎(RSRON=CH~‏ ‎(NRTR8)+‏ وكاتيونات بالصيغة ‎((HZN=CH-NH2)+‏ كما هو مُعرّف ‎led‏ سبق. يمكن اختيار الكاتيونات الفلزية من كاتيونات فلزية ثنائية التكافو. على سبيل ‎Jal‏ يمكن اختيار ‎١‏ الكاتيونات الفلزية من ‎«((+Fe2) «(+Mn2) ((+Ni2) )+002( )+002( ((Sr2) ((+Ca2)‏ ‎(Pb2+) )+502( ((+Ge2) «(+Pd2) )+602(‏ . نمطيّاء [7] في الصيغة (ا) تكون اثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المختارة من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد . بصورة أكثر نمطية؛ ‎IX]‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. في أحد النماذج؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة (ها): ‎٠٠‏ هما 3وحإقم حيث: تكون كاتيون عضوي؛ 8 تكون كاتيون فلز؛ و ‎CARN‏
م اذ ‎[X]‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. ‎Gh‏ [7] في الصيغة ‎(JA)‏ تكون اثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المختارة من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد. ‎[X] Bale‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. يُفضل» ‎[X]‏ ‏تكون اثنين أو ثلاثة من أنيونات هاليد مختلفة. الأفضل؛ ‎IX]‏ تكون اثنين من أنيونات الهاليد © المختلفة. في نموذج ‎[X] AT‏ تكون ثلاثة من أنيونات هاليد مختلفة. قد تكون الكاتيونات العضوية والفلزية في مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(JA)‏ كما هو مُعرّف بشكل إضافي فيما سبق في هذا الطلب. ومن ثم؛ يمكن اختيار الكاتيون العضوي من كاتيونات بالصيغة ‎(RIR2R3RAN)+‏ وكاتيونات بالصيغة ‎(RONH3)+‏ كما هو مُعرّف ‎led‏ سبق. يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافو. على سبيل ‎JE‏ يمكن اختيار كاتيون ‎٠‏ الفلز من (682+) ‎((+C02) ((+Fe2) (+Mn2) «(+Ni2) (+Cu2) ((+Cd2) ((Sr2)‏ ‎(Pb2+) «(+Sn2) «(+Ge2) «(+Pd2)‏ يمكن؛ على سبيل المثال؛ اختيار الكاتيون العضوي من كاتيونات بالصيغة ‎(RSRON=CH~-‏ ‎(NRTR8)+‏ وكاتيونات بالصيغة ‎((H2N=CH-NH2)+‏ كما هو مُعرّف فيما سبق. يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافو. على سبيل ‎JE‏ يمكن اختيار كاتيون ‎Vo‏ الفلز من (682+) ‎(+C02) ((+Fe2) «(+Mn2) «(+Ni2) ((+Cu2) ((+Cd2) «(Sr2)‏ ‎(Pb2+) )+502( (+Ge2) «(+Pd2)‏ . نمطيّاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛» يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة ‎:)١١(‏ ‎ABX3-yX’y (II)‏ ‎Yo‏ حيث: تكون كاتيون عضوي؛ 8 تكون كاتيون فلز؛ ‎CARN‏
‎q —_‏ اذ
‎X‏ تكون أنيون هاليد ‎halide anion‏ أول؛
‏تكون أنيون هاليد ثان يكون مختلقًا عن أنيون الهاليد الأول؛ و
‏لا تكون من ‎٠.05‏ إلى ‎Yao‏
‎١ ‏نمطيًّاء؛ لا تكون من‎ WY, Yo ‏إلى‎ ١,75 ‏من‎ JE ‏على سبيل‎ Yo ‏إلى‎ ve ‏لا تكون من‎ dale
‏إلى ؟.
‏مرة أخرى؛ في الصيغة ‎oI)‏ قد تكون الكاتيونات العضوية والفلزية كما هو مُعرّف بشكل إضافي
‏فيما سبق في هذا الطلب. ومن ثم؛ يمكن أن يكون الكاتيون العضوي عبارة عن كاتيون بالصيغة
‎(RIR2R3R4N)+‏ أو بصورة أكثر نمطية؛ كاتيون بالصيغة ‎((RSNH3)+‏ كما هو مُعرّف فيما
‏سبق. يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافؤ. على سبيل المثال؛ يمكن ‎٠‏ اختيار كاتيون ‎Hl‏ من (082+)» ‎((+Mn2) ((+Ni2) (+Cu2) (+Cd2) «(Sr2)‏
‎. (Pb2+) )+502( ((+Ge2) ((+Pd2) (+Co2) «(+Fe2)
‏في بعض النماذج؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة ‎tla)‏
‎ABX3zX’3(1-z) (lla) ‏تكون هيدروجين‎ RS ‏حيث:‎ «(R5R6N=CH-NR7RS)+ ‏تكون كاتيون عضوي بالصيغة‎ A Vo
‎alkyl C1-C20 « hydrogen‏ به استبدال أو ليس به استبدال» أو اريل ‎aryl‏ استبدال أو
‏ليس به استبدال؛ ‎RE‏ تكون هيدروجين © 61-620 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال» أو
‎Jy)‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ 7 تكون هيدروجين « 61-620 ‎alkyl‏ به استبدال أو
‏ليس به استبدال؛ أو اريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎R8‏ تكون هيدروجين « ‎C1-C20‏ ‎alkyl ٠‏ به استبيدال أو ليس به استبدال؛ أو اريل به استبدال أو ليس به استبدال؛
‏8 تكون كاتيون فلز؛
‎X‏ تكون أنيون هاليد أول؛
‎CARN
—¢ «=
تكون أنيون هاليد ثان يكون مختلقًا عن أنيون الهاليد الأول؛ و
2 تكون أكبر من صفر وأقل من ‎.١‏ cde ‏إلى‎ ٠.٠5 ‏تكون من‎ 2 dale
‎Sale‏ 27 تكون من 1 إلى ‎Zz.
A‏ يمكن أن تكونء على سبيل ‎NT IA BEET SI JE‏ كرف
‏2 د ا ل ا أو ا أو 2 يمكن أن تكون نطاكًا من أي من هذه القيم إلى أي ‎YPN‏
‏أخرى من هذه القيم (على سبيل ‎JE‏ من ‎٠,١‏ إلى و أو من ‎٠,١‏ إلى ب 0
‏8 © يمكن أن تكون كما هو معرّف ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. يمكن أن يكون الكاتيون
‏العضوي؛ على سبيل ‎Sle JE‏ عن ‎«(RSR6N=CH-NR7R8)+‏ حيث: يتم اختيار ‎R5‏
‎RT »6‏ و88 كل على حدة من هيدروجين وبه استبدال أو ليس به استبدال 01-06 ‎alkyl‏ ‎٠‏ على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون الكاتيون العضوي ‎sie‏ عن ‎(H2IN=CH-NH2)+‏
‎(le‏ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختزاع؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب
‎«CH3NH3PbCI3 (CH3NH3PbBr3 (CH3NH3PbI3 ‏بروفسكيت مختار من‎
‎«CH3NH3PbIBr2 (CH3NH3PbBrCl2 (CH3NH3PbBrl2 (CH3NH3PbF3
‎«CH3NH3SnBr12 (CH3NH3PbI2Cl (CH3NH3PbCIBr2 (CH3NH3PbICI2 «CH3NH3SnICI2 (CH3NH3SnIBr2 (CH3NH3SnF2Br (CH3NH3SnBrCI2 ٠١
‎.CH3NH3SnF2CIl CH3NH3Sn12Cl («CH3NH3SnCIBr2 («CH3NH3SnF2I
‏على سبيل المثال؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يمكن اختيار مواد
‎«CH3NH3PbIBr2 (CH3NH3PbBrCI2 (CH3NH3PbBrl2 ‏من‎ تيكسفوربلا‎
‎«CH3NH3SnBr12 (CH3NH3PbI2Cl (CH3NH3PbCIBr2 (CH3NH3PbICI2 «CH3NH3SnICI2 (CH3NH3SnIBr2 (CH3NH3SnF2Br (CH3NH3SnBrCI2 ٠٠
‎.CH3NH3SnF2CIl CH3NH3Sn12Cl («CH3NH3SnCIBr2 («CH3NH3SnF2I
‏نمطيّاء يتم اختيار البروفسكيت من ‎(CH3NH3PbBICI2 (CH3NH3PbBr2‏
‎«CH3NH3PbI2CI (CH3NH3PbCIBr2 0130113001012 (CH3NH3PbIBr2
‎CARN
_— \ _ ‎CH3NH3SnI2Cl (CH3NH3SnF2l (CH3NH3SnICI2 (CH3NH3SnF2Br‏ و ‎.CH3NH3SnF2ClI‏ ‏بصورة أكثر نمطية؛ يتم اختيار البروفسكيت من ‎«CH3NH3PbBrCI2 (CH3NH3PbBrI2‏ ‎01131011305126١ (CH3NH3PbCIBr2 01130113051612 (CH3NH3PbIBr2‏ ٠ه ‎«CH3NH3SnF2Br‏ 113101135072 و ‎.CH3NH3SnF2CI‏ ‎dak‏ .يتم اختيار البروفسكيت من ‎«CH3NH3PbBrCI2 (CH3NH3PbBri2‏ ‎«CH3NH3PbICI2 («CH3NH3PbIBr2‏ +113101390728 و ‎.CH3NH3SnF2I‏ ‎(Ge‏ يكون البروفسكيت المستخدم عبارة عن ‎.CH3NH3PbBCI2I‏ ‏في بعض ‎Ela‏ يمكن ‏ أن يكون البروفسكيت ‎Phe‏ عن بروفسكيت بالصيغة ‎((H2N=CH-NH2)PbI3zBr3(1-z) ٠‏ حيث 2 تكون أكبر من صفر أو أقل من ‎.١‏ 2 قد تكون كما هو ‎Cadel‏ بشكل إضافي ‎Lad‏ سبق في هذا الطلب. يمكن أن تشتمل المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على البروفسكيت من أنيون مختلط المذكور وبروفسكيت من أنيون فردي؛ على سبيل المثال في مزيج ¢ حيث يشتمل البروفسكيت من الأنيون الفردي المذكور على كاتيون أول ‎Vo‏ كاتيون ثان وأنيون مختار من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد؛ حيث تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو مُعرّف في هذا الطلب للبروفسكيت من الأنيون المختلط المذكور. على سبيل ‎ofa (JG‏ أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على: 011301113051012 و ‎CH3NH3PbBrCl2 ¢«CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbICI2 ¢«CH3NH3PbI3‏ و ‎«CH3NH3PbI3‏ أو ‎CH3NH3PbBrCI2‏ و ‎.CH3NH3PbBr3‏ ‎J Se ٠‏ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على بروشضكيت بالصيغة ‎((H2N=CH-NH2)PbI3zBr3(1-z)‏ حيث 2 تكون كما هو ‎Gee‏ في هذا الطلب؛ وبروفسكيت من أنيون فردي ‎(H2N=CH-NH2)PbI3 (ix‏ أو ‎.(H2N=CH-NH2)PbBr3‏ ‎CARN‏
ع على نحو بديل؛ يمكن أن تشتمل ‎sald)‏ شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على أكثر من بروفسكيت واحد؛ حيث يكون كل بروفسكيت عبارة عن بروفسكيت من أنيون مختلط؛ وحيث يكون البروفسكيت من أنيون مختلط المذكور كما هو مُعرّف في هذا الطلب. على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على © اثنين أو ثلاثة مواد البروفسكيت المذكورة. يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ على سبيل المثال؛ على اثنين من مواد البروفسكيت حيث تكون كلا مواد البروفسكيت عبارة عن مواد بروفسكيت من أنيون مختلط. على سبيل المثال؛ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على: ‎¢«CH3NH3PbIBr2 , CH3NH3PbICI2‏ 1130113001612 و ‎¢CH3NH3PbBrl2‏ ‎CH3NH3PbBrCI2 «CH3NH3PbIBr2 CH3NH3PbBrCI2 ٠‏ و ‎.CH3NH3PbIBr2‏ ‏يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على اثنين من مواد البروفسكيت ‎Al)‏ حيث كل مادة بروفسكيت تكون عبارة عن بروفسكيت بالصيغة ‎((H2N=CH-NH2)PbI3zBr3(1-z)‏ ‏حيث 2 تكون كما هو معرّف في هذا الطلب. في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ عندما [8] تكون عبارة ‎١‏ عن كاتيون فلز فردي يكون (002+)؛ يكون واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة عبارة عن ‎iodide was‏ أو فلوريد ‎fluoride‏ ؛ ‎Laie‏ [8] تكون عبارة عن كاتيون فلز فردي يكون +502 يكون أحد واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المختلفة عبارة عن فلوريد. ‎dale‏ في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة عبارة عن يوديد أو فلوريد. ‎٠‏ نمطيًاء في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» يكون واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة عبارة عن يوديد ويكون الآخر من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة عبارة عن فلوريد أو كلوريد. ‎(dle‏ في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة عبارة عن فلوريد. ‎Glee‏ في بعض النماذج الخاصة بالجهاز ‎Yo‏ الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ إما: (أ) يكون واحد من الاثنين أو أكثر من الأنيونات ‎CARN‏
اسه المختلفة المذكورة عبارة عن فلوريد ويكون الآخر من الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن كلوريد ‎chloride‏ ؛ بروميد ‎bromide‏ أو يوديد ©0010 ؛ أو (ب) يكون واحد من الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن يوديد ويكون الآخر من الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن فلوريد أو كلوريد. نمطيّاء ‎IX]‏ تكون اثنين من ‎oo‏ أنيونات الهاليد المختلفة ‎cle XC X‏ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع»؛ يكون كاتيون الفلز المذكور ثنائي التكافؤ عبارة عن (502+). على نحو بديل؛ في الجهاز ‎SEN‏ ‏البصري الخاص بالاختراع» يمكن أن يكون كاتيون الفلز المذكور ثنائي التكافؤ عبارة عن ‎(+Pd2)‏ ‏تشتمل المنطقة من النوع 7 في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على واحدة أو أكثر ‎٠‏ .من طبقات من نوع ‎WE WN‏ تكون المنطقة من النوع 7 عبارة عن طبقة من نوع ؛ أي؛ طبقة فردية من نوع 7. في نماذج أخرى؛ مع ‎cll‏ يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع ‎١‏ على طبقة من نوع ‎١7‏ وطبقة معيقة للإكسيتون من نوع 7. في الحالات حيث يتم استخدام طبقة معيقة للإكسيتون من نوع ؛ عادةً ما يتم وضع الطبقة المعيقة للإكسيتون من النوع ‎Nis‏ فيما بين الطبقة من النوع ‎n‏ والطبقة (الطبقات) المشتملة على المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. ‎V0‏ تكون طبقة معيقة للإكسيتون عبارة عن ‎Bale‏ ذات فجوةٍ نطاق أوسع من البروفسكيت؛ ولكن يتطابق إما نطاق التوصيل أو نطاق التكافؤ الخاص بها على نحو وثيق مع تلك الخاصة بالبروفسكيت. إذا كان نطاق التوصيل (أو مستويات الطاقة النطاقية الجزيئية غير المشغولة الدنيا) للطبقة المعيقة للإكسيتون ‎exciton‏ متحاذيًا على نحو وثيق مع نطاق التوصيل الخاص بالبروفسكيت؛ فإنه يمكن أن تمر الإلكترونات من البروفسكيت إلى ومن خلال الطبقة المعيقة للإكسيتون؛ أو من خلال ‎٠‏ - الطبقة المعيقة للإكسيتون ‎Jy‏ البروفسكيت؛ ويُطلق على هذا طبقة معيقة للإكسيتون من نوع ‎MN‏ ‏يمكن مثال عليها في باثوأوكيوبروين ‎cbathocuproine‏ كما هو موصف في : ‎{P.
Peumans, A.
Yakimov, and 5. R.
Forrest, “Small molecular weight‏ ‎organic thin—film photodetectors and solar cells” J.
Appl.
Phys. 93, 3693‏ ‎and {Masaya Hirade, and Chihaya Adachi, “Small molecular‏ })2001(
— ¢ ¢ —
organic photovoltaic cells with exciton blocking layer at anode interface for improved device performance” Appl.
Phys.
Lett. 99, 153302 (2011)}}.
تكون طبقة من نوع ‎Ble ٠‏ عن طبقة من مادة ناقلة للإلكترون (أي؛ النوع 0). يمكن أن تكون
المادة من نوع © ‎Ble‏ عن مركب من نوع © فردي أو مادة أساسية؛ أو خليط من اثنين أو أكثر
من المركبات من ‎ngs‏ أو المواد الأساسية؛ يمكن أن تكون غير مشابة أو مشابة بواحد أو أكثر
من عناصر الإشابة.
يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع © المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع
على ‎sake‏ من نوع ‎n‏ غير ‎iy gua‏ أو عضوية.
يمكن اختيار ‎Af‏ مادة من نوع ‎١‏ غير عضوية من أكسيد فلز ‎cmetal oxide‏ سلفيد فلز ‎metal‏ ‎sulphide.‏ سيلينيد فلز ‎«metal selenide‏ تيلوريد فلز ‎«metal telluride‏ بروفسكيت
‎(perovskite‏ سيلكون لابلوري ؛ شبه موصل من المجموعة ‎IV‏ من نوع ‎iN‏ شبه موصل من
‏المجموعة /١-ااا‏ من نوع 9 شبه موصل من المجموعة |/١-اا‏ من نوع 0 شبه موصل من
‏المجموعة ‎[VI]‏ من نوع 9 شبه موصل من المجموعة ‎VV‏ من نوع 0 شبه موصل من
‏المجموعة |/ا-/ا من نوع ‎iN‏ وشبه موصل من المجموعة /١-اا١‏ من نوع يمكن أن تكون أية ‎le Vo‏ مشابة أو غير مشابة.
‏يمكن اختيار المادة من نوع © من أكسيد فلزء سلفيد فلزء سيلينيد فلزء تيلوريد فلزء سيلكون
‏لابلوري» شبه موصل من المجموعة ‎IV‏ من نوع ‎iN‏ شبه موصل من المجموعة ‎-١/‏ ||| من ‎Nes‏
‏شبه موصل من المجموعة |/١-ا!‏ من نوع ‎iN‏ شبه موصل من المجموعة ‎I-VI‏ من نوع ‎nN‏ شبه
‏موصل من المجموعة |/١-/ا‏ من نوع ‎in‏ شبه موصل من المجموعة ‎VV‏ من نوع 0 وشبه ‎٠٠‏ موصل من المجموعة /١-اا‏ من نوع ©؛ يمكن أن تكون أية منها مشابة أو غير مشابة.
‏بصورة أكثر نمطية؛ يتم اختيار المادة من نوع © من أكسيد فلزء سلفيد فلزء سيلينيد فلزء وتيلوريد
‏فلز.
‏وبالتالي؛ يمكن أن يشتمل الطبقة من النوع ‎N‏ على مادة غير عضوية مختارة من أكسيد تيتانيوم
‎« tantalum ‏؛ نيوبيوم 010517 تانتالوم‎ Zine ‏؛ قصدير 100 ؛ زنك‎ oxide titanium
‎CARR gon ‏؛ بالاديوم‎ neodinium ‏؛ نيوداينيوم‎ gallium ‏جاليوم‎ ¢ indium ‏إنديوم‎ ¢ tungsten ‏تنجستين‎ ‏أو أكسيد خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة.‎ cadmium ‏؛ أو كادميوم‎ palladium ‏على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الطبقة من النوع © على 7102 (5002)؛ (200)؛ خامس‎
Tantalum ‏خامس أكسيد التنتالوم‎ (Niobium pentoxide (Nb2035) ‏أكسيد النيوبيوم‎
Third tungsten oxide ‏ثالث أكسيد التنجستن‎ (pentoxide (Ta205) oo ‏)؛ ثالث أكسيد الانديوم‎ W205 Fifth tungsten oxide ‏)؛ خامس أكسيد التنجستن‎ 1/03 ( ‏ثالث‎ «Gallium(lll) oxide (Ga203) ‏ثالث أكسيد الجاليوم‎ «ndium(lll) oxide (In203) .(CdO) ‏أو‎ «(Pbo) (Neodymium(lil) oxide (Nd203) ‏أكسيد النيوديميوم‎ ‏من‎ sulphides ‏الملائمة الأخرى التي يمكن استخدامها مركبات سلفيد‎ ٠“ ‏تتضمن المواد من نوع‎ ‏؛ بما في ذلك مركبات‎ Zine ‏أو زنك‎ « copper ‏نحاس‎ ¢ tin ‏؛ القصدير‎ cadmium ‏كادميوم‎ ٠ ‏سلفيد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة. على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون السلفيد‎
Cadmium sulfide ‏كبريد الكادميوم‎ )652( Iron disulfide ‏عبارة عن ثاني كبريتيد الحديد‎ .Cu2ZnSnS4 ‏أو‎ Zinc sulfide (ZnS) ‏كبريت الزنك‎ (CdS) ‏من كادميوم‎ selenide ‏يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع © على سيلينيد‎ ‏من‎ selenide ‏أو سيلينيد‎ gallium ‏أو جاليوم‎ «indium ‏إنديوم‎ ¢ zine ‏؛ زنك‎ cadmium Yo ‏؛‎ cadmium ‏من كادميوم‎ telluride ‏خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة؛ أو تيلوريد‎ ‏من خليط من اثنين أو‎ telluride ‏أو قصدير 10 ؛ أو تيلوريد‎ cadmium ‏؛ كادميوم‎ zine ‏زنك‎ ‏عبارة عن‎ selenide ‏يمكن أن يكون السيلينيد‎ (JED ‏أكثر من الفلزات المذكورة. على سبيل‎ ‏من كادميوم‎ telluride ‏عبارة عن تيلوريد‎ telluride ‏تمطيًاء يكون التيلوريد‎ .Cu(In,Ga)Se2 ‏يمكن أ؛‎ (JB ‏أو قصدير 110. على سبيل‎ cadmium ‏؛ كادميوم‎ zine ‏؛ زنك‎ cadmium | ٠ .(CdTe ) cadmium telluride ‏عبارة عن كادميوم تيلوريد‎ telluride ‏يكون التيلوريد‎ ‏يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع © على مادة غير عضوية مختارة من أكسيد‎ ‏جاليوم؛ نيوداينيوم؛ بالاديوم؛ كادميوم؛‎ canal) ‏نيوبيوم؛ تانتالوم؛ تنجستين؛‎ cli) ‏تيتانيوم» قصدير؛‎ ‏زنك‎ lad ‏أو أكسيد خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة؛ سلفيد من كادميوم؛ قصدير؛‎
— أ ¢ —
أو سلفيد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة؛ سيلينيد من كادميوم؛ زنك؛ إنديوم؛
جاليوم أو سيلينيد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة؛ أو تيلوريد من كادميوم؛ زنك؛
كادميوم أو قصديرء أو تيلوريد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة.
تتضمن أمثلة على مواد شبه موصلة أخرى يمكن أن تكون عبارة عن مواد من نوع ‎AN‏ على
© سبيل المثال إذا كانت مشابة ‎no‏ مواد شبه موصلة لمركب من المجموعة /ا؛ أ5 لابلوري؛ مواد
شبه موصلة من المجموعة /١-ااا‏ (على سبيل المثال؛ أرسنيد جاليوم ‎¢(gallium arsenide‏ مواد
شبه موصلة من المجموعة ا/١-اا‏ (على سبيل ‎(JB‏ سيلينيد كادميوم ‎¢(cadmium selenide‏
مواد شبه موصلة من المجموعة ‎Je) [VIE‏ سبيل ‎(JB‏ كلوريد كبروس ‎cuprous‏
6 مواد شبه موصلة من المجموعة ١/١-/ا‏ (على سبيل المثال؛ سيلينيد الرصاص ‎lead‏ ‎¢(selenide ٠‏ مواد شبه موصلة من المجموعة ا/ا-/ا ‎Je)‏ سبيل المثال؛ تيلوريد البزموت
‎¢(bismuth telluride‏ ومواد شبه موصلة من المجموعة /١-اا‏ (على سبيل المثال؛ أرسنيد
‎.(cadmium arsenide ‏كادميوم‎
‎.1102 ‏على ثاني أكسيد التيتانيوم‎ Nn ‏تشتمل الطبقة من النوع‎ las
‎Laie‏ تكون الطبقة من النوع © عبارة عن مادة غير عضوية؛ على سبيل المثال 1102 أو أي من ‎Vo‏ المواد الأخرى المذكورة ‎Lad‏ سبق؛ فإنها قد تكون طبقة مضغوطة من المادة غير العضوية
‏المذكورة. يُفضل تكون الطبقة من النوع ‎N‏ عبارة عن طبقة مضغوطة من 1102.
‏يمكن أيضنًا استخدام المواد الأخرى من نوع 0 متضمنة المواد الناقلة للإلكترون العضوية
‏والبوليمرية؛ ومواد الإلكتروليت. تتضمن الأمثلة الملائمة؛ إلا أن الأمر ليس قاصرًا على فوليرين
‎organic electron ‏؛ مادة ناقلة للإلكترون عضوية‎ fullerene ‏أو مشتق فوليرين‎ fullerene : ‏أو مشتق منه؛ أو‎ perylene ‏مشتملة على بيرلين‎ ٠
‎poly{[N,NO-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-
‎2,6-diyl]-alt-5,50-(2,20-bithiophene)} (P(NDI2OD-T2)).
‏تشتمل المنطقة من النوع م في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على واحدة أو أكثر
‏من الطبقات من نوع م. غالبًا؛ تكون المنطقة من النوع م عبارة عن طبقة من نوع 0؛ أي؛ طبقة
‎CARR
فردية من نوع 0. في نماذج ‎(al‏ مع ذلك؛ يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع م على طبقة من نوع ‎Pp‏ وطبقة معيقة للإكسيتون ‎exciton blocking layer‏ من نوع ‎Ap‏ الحالات ‎dus‏ يتم استخدام طبقة معيقة للإكسيتون من نوع ‎Bale oP‏ ما يتم وضع الطبقة المعيقة للإكسيتون من النوع م فيما بين الطبقة من النوع م والطبقة (الطبقات) المشتملة على المادة شبه الموصلة من © البروفسكيت. إذا كان نطاق التكافؤ (أو مستويات الطاقة النطاقية الجزيئية المشغولة الأعلى)
للطبقة المعيقة للإكسيتون متحاذيًا على نحو وثيق مع نطاق التكافؤ الخاص بالبروفسكيت؛ فإنه يمكن أن تمر الثقوب من البروفسكيت إلى ومن خلال الطبقة المعيقة للإكسيتون؛ أو من خلال ‎a; |‏ 4 ,43 > & ون والى البروة - ت؛ ويُطلق على هذا طبقة ‎A > 4 a‏ ون من نوع ‎٠ p‏ يكمن مثال عليها في ك
‎dris[4-(5-phenylthiophen—2-yl)phenyllamine Va‏ كما هو موصف في: ‎{Masaya Hirade, and Chihaya Adachi, “Small molecular organic‏ ‎photovoltaic cells with exciton blocking layer at anode interface for‏ ‎improved device performance” Appl.
Phys.
Lett. 99, 153302 (2011)}.‏ يمكن أن تكون طبقة من نوع م عبارة عن طبقة من مادة ناقلة للثقب (أي؛ نوع م). يمكن أن تكون
‎Vo‏ المادة من نوع م ‎Ble‏ عن مركب فردي من نوع ‎SP‏ مادة أساسية؛ أو خليط من اثنين أو أكثر من المركبات من نوع 8ح أو المواد الأساسية؛ التي قد تكون غير مشابة أو مشابة بواحد أو أكثر من عناصر الإشابة. يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على مادة من نوع م غير ‎iy gua‏ أو عضوية.
‎Yo‏ _يمكن اختيار المواد من نوع م الملائمة من مواد ناقلة للثقب بوليمرية أو جزيئية. يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع م المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على : ‎spiro-OMeTAD (2,2°,7,7’ —tetrakis—(N,N-di-p—methoxyphenylamine)9,9’ -‏ ‎spirobifluorene)), P3HT (poly(3-hexylthiophene)), PCPDTBT (Poly[2,1,3-‏ benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1- b:3,4-b'ldithiophene-2,6-diyl]l), PVK (poly(N-vinylcarbazole)), HTM-TFSI (1-hexyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), Li-TFSI (lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide) or tBP (tert-butylpyridine
Wally PCPDTBT (P3HT (spiro-OMeTAD ‏عادة ؛ يتم اختيار المادة من نوع م من‎ © ‏يُفضل؛ تشتمل الطبقة من النوع م المستخدمة في الجهاز الإلكتروني‎ (PVK ‏الفلطائية الضوئية‎ .spiro-OMeTAD ‏البصري الخاص بالاختراع على‎ : ‏يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع م على‎ spiro-OMeTAD (2,2°,7,7’ —tetrakis—(N,N-di-p—methoxyphenylamine)9,9’ - spirobifluorene)), P3HT (poly(3-hexylthiophene)), PCPDTBT (Poly[2,1,3- ٠ benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1- (b:3,4-b'ldithiophene-2,6-diyl]]), or PVK (poly(N-vinylcarbazole ‏جزيئية ¢ مواد‎ hole transporters ‏تتضمن المواد من نوع م الملائمة أيضنًا مواد ناقلة للتقب‎ ‏ومواد ناقلة للثقب من بوليمر مشترك +©0/اا0000. يمكن أن‎ polymeric ‏ناقلة للثقب بوليمرية‎ ‏جزيئية؛ بوليمر أو بوليمر‎ QE ‏عبارة عن مادة ناقلة‎ JB ‏تكون المادة من نوع م على سبيل‎ Vo ‏مشترك مشتمل على واحد أو أكثر من الشقوق التالية:‎ ‏؛ بنزو ثيازوليل‎ dithiazolyl ‏؛ داي ثيازوليل‎ phenelenyl ‏؛ فينيلينيل‎ thiophenyl ‏تيو فينيل‎ ‏؛ إيثوكسي داي ثيو‎ diketopyrrolopyrrolyl ‏داي كيتو بيرولو بيروليل‎ « benzothiazolyl « triphenyl amino sil ‏تراي فينيل‎ « amino sud ‏؛‎ ethoxydithiophenyl ‏فينيل‎ ‏داي‎ « ethylene dioxythiophenyl ‏؛ إيثيلين داي أوكسي ثيو فينيل‎ carbozolyl ‏كاربوزوليل‎ ٠ ‏وبالتالي؛ يمكن على سبيل المثال‎ fluorenyl ‏؛ أو فلورنيل‎ dioxythiophenyl ‏أوكسي ثيو فينيل‎ ‏أن تشتمل الطبقة من النوع م المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على‎ ‏أي من المواد الناقلة للتقب الجزيئية المذكورة فيما سبقء البوليمرات أو البوليمرات المشتركة.تتضمن‎ : Lad ‏الملائمة‎ p ‏المواد من نوع‎ m-MTDATA (4,4',4"—tris(methylphenylphenylamino)triphenylamine),
MeOTPD (N,N,N’,N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine), BP2T (5,5'- di(biphenyl-4-yl)-2,2'-bithiophene), Di-NPB (N,N'-Di-[(1-naphthyl)-
N,N'=diphenyl]-1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine), o—NPB (N,N di(naphthalen—1-yl)-N,N’—diphenyl-benzidine), TNATA (4,4, 4'-tris—(N- © (naphthylen—2-yl)-N-phenylamine)triphenylamine), BPAPF (9,9-bis[4- (N,N-bis—biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene), spiro-NPB (N2,N7-
Di—1-naphthalenyl-N2 ,N7-diphenyl-9,9'-spirobi[9H—-fluorene]-2,7- diamine), 4P-TPD (4,4'-bis—(N,N-diphenylamino)-tetraphenyl),
PEDOT:PSS and spiro-OMeTAD. ٠ ‏يمكن أن تكون الطبقة من النوع 0 مشابة بملح أيوني أو قاعدة. يمكن أن تكون الطبقة من النوع م‎ : ‏على سبيل المثال مشابة بملح أيوني مختار من‎
HMI-TFSI (1-hexyl-3-methylimidazolium bistrifluoromethylsulfonyl)imide) ‏أو بقاعدة هي:‎ «(and Li-TFSI (lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide tBP (tert-butylpyridine) ٠١ ‏بشكل إضافي أو على نحو بديل؛ يمكن أن تكون الطبقة من النوع م مشابة لزيادة كثافة الثقب.‎
Nitrosonium ‏أن تكون الطبقة من النوع م مشابة ب‎ JG ‏على سبيل‎ Seo ‏لزيادة كثافة الثقب.‎ ctetrafluoroborate (NOBF4) ‏في نماذج أخرى؛ يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للتقب غير عضوية. على‎ ‏سبيل المثال» يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للثقب غير عضوية مشتملة على‎ Yo ‏أو موليبدنيوم‎ copper ‏نحاس‎ « vanadium ‏؛ فاناديوم‎ oxide nickel ‏أكسيد نيكل‎
Copper ‏؛ بروميد النحاس‎ Copper iodide (Cul) ‏؛ أيدوديد النحاس‎ molybdenum ‏أكسيد النحاس‎ (Copper thiocyanate (CuSCN) ‏(00580)؛ ثيوسينات النحاس‎ bromide
م8 ‎«Copper oxide (Cu20)‏ أكسيد النحاس ‎Copper oxide (CuO)‏ ؛ بروفسكيت؛ سيلكون لابلوري ‎silicon amorphous‏ ؛ ‎33k‏ شبه موصلة من المجموعة ‎IV‏ من النوع ‎p‏ مادة شبه موصلة من المجموعة /١-ااا‏ من النوع ‎p‏ مادة شبه موصلة من المجموعة |/١-اا‏ من النوع م؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎I-VI‏ من النوع 0؛ مادة شبه ‎Alia go‏ من المجموعة ‎VV‏ من © النوع ©؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ا/١-/ا‏ من النوع ‎op‏ ومادة شبه موصلة من المجموعة /-اا من النوع ‎op‏ يمكن أن تكون هذه المادة غير العضوية مشابة أو غير مشابة. يمكن أن تكون الطبقة من النوع م عبارة عن طبقة مضغوطة من المادة الناقلة للثقب غير العضوية المذكورة. يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع ‎P‏ على مادة ناقلة للثقب غير عضوية مشتملة على أكسيد نيكل؛ فاناديوم؛ نحاس أو موليبدنيوم؛ ‎CuO «Cu20 CuSCN (CuBr (Cul)‏ أو ‎«CIS ٠‏ سيلكون لابلوري؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎IV‏ من النوع ‎(Pp‏ مادة شبه موصلة من المجموعة /١-ااا‏ من النوع ‎Pp‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎II-VI‏ من النوع ©؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎I-VI‏ من النوع 0؛ مادة شبه موصلة من المجموعة |/1-/ا من النوع م؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎VV‏ من النوع ©؛ ومادة شبه موصلة من المجموعة /١-اا‏ من النوع ‎op‏ يمكن أن تكون هذه ‎sald)‏ غير العضوية مشابة أو غير مشابة. يمكن على سبيل المثال ‎٠‏ أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للثقب غير عضوية مختارة من (ان0) ‎«CuBr‏ ‎CuO (Cu20 (CuSCN‏ يمكن أن تكون الطبقة من النوع م عبارة عن طبقة مضغوطة من المادة الناقلة ‎CEN‏ غير العضوية المذكورة. ‎(Glas‏ تشتمل الطبقة من النوع © على مادة ناقلة للثقب بوليمرية أو جزيئية؛ وتشتمل الطبقة من النوع ‎١‏ على مادة من نوع © غير عضوية. يمكن أن تكون المادة الناقلة للتقب البوليمرية أو ‎Yo‏ الجزيئية من النوع م عبارة عن أية مادة ناقلة للثقب بوليمرية أو جزيئية ملائمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة فيما سبق. بالمثل؛ يمكن أن تكون المادة من نوع © غير العضوية عبارة عن أية مادة من نوع ‎١‏ غير عضوية ملائمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة فيما سبق. في أحد النماذج؛» على سبيل المثال؛ تشتمل الطبقة من النوع م على ‎spiro-OMeTAD‏ وتشتمل الطبقة من النوع ‎١‏ على 1102. نمطيّاء في ذلك النموذج؛ تكون الطبقة من النوع ‎Ahn‏ تشتمل ‎Yo‏ على 1102 عبارة عن طبقة مضغوطة من 1102. ‎CARR‏
-وه- في نماذج أخرى؛ تشتمل كل من الطبقة من النوع ‎٠“‏ والطبقة من النوع م على مواد غير عضوية. وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع 7 على مادة من نوع ‎١‏ غير عضوية ويمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة من نوع 0 غير عضوية. يمكن أن تكون المادة من النوع م غير العضوية عبارة عن ‎Al‏ مادة من نوع م غير عضوية ملائمة؛ على سبيل ‎JB‏ أي من تلك © المذكورة ‎Led‏ سبق. بالمثل؛ يمكن أن تكون المادة من نوع © غير العضوية عبارة عن أية مادة من نوع ‎١‏ غير عضوية ملاثئمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة فيما سبق. في نماذج أخرى ‎(laf‏ تشتمل الطبقة من النوع م على مادة من نوع 0 غير عضوية (أي؛ مادة ناقلة للتقب غير عضوية) وتشتمل الطبقة من النوع © على مادة ناقلة للثقب بوليمرية أو جزيئية. يمكن أن تكون المادة من النوع م غير العضوية عبارة عن أية مادة من نوع م غير عضوية ‎AD ٠‏ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة فيما سبق. ‎(Jilly‏ يمكن أن تكون المادة الناقلة ‎El‏ البوليمرية أو الجزيئية من النوع عبارة عن أية مادة ناقلة للثقب بوليمرية أو جزيئية من النوع ‎٠‏ ملائمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة فيما سبق. على سبيل المثال؛ يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للتقب غير عضوية ويمكن أن تشتمل الطبقة من النوع © على مادة ناقلة للإلكترون؛ حيث تشتمل المادة الناقلة للإلكترون على ‎No‏ فوليرين أو مشتق فوليرين؛ إلكتروليت؛ أو مادة ناقلة للإلكترون عضوية؛ يُفضل حيث تشتمل المادة الناقلة للإلكترون العضوية على بيرلين ‎perylene‏ أو مشتق منه؛ أو : ‎poly{[N,NO-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-‏ ‎2,6—diyl]-alt-5,50-(2,20-bithiophene)} (P(NDI2OD-T2)).‏ يمكن على سبيل المثال أن تشتمل المادة الناقلة للتقب غير العضوية على أكسيد نيكل؛ فاناديوم؛ ‎٠‏ نحاس أو موليبدنيوم؛ ‎CUO 0020 «CUSCN (CuBr (Cul)‏ أو ‎¢CIS‏ بروفسكيت؛ سيلكون لابلوري؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎IV‏ من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة /١-ا!!‏ من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎II-VI‏ من النوع 0؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎[VI‏ من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة |/١-/ا‏ من النوع م؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎VV‏ من النوع 0؛ ومادة شبه موصلة من المجموعة /١-اا‏ من النوع ‎p‏ يمكن أن ‎ER‏
هن تكون هذه المادة غير العضوية مشابة أو غير مشابة. بصورة ‎JS‏ نمطية؛ تشتمل المادة الناقلة ‎cdl‏ غير العضوية على أكسيد نيكل؛ فاناديوم»؛ نحاس أو موليبدنيوم؛ (ان6) +08ن0؛ ‎(CuSCN‏ 6020؛ ‎CuO‏ أو ‎¢CIS‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎IV‏ من النوع ؛ مادة شبه موصلة من المجموعة /١-ااا‏ من النوع 0؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎I-VI‏ من النوع ‎P‏ ‏© مادة شبه موصلة من المجموعة ‎I-VI‏ من النوع ‎oP‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎IV-VI‏ من النوع 0؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎VV‏ من النوع ‎Pp‏ ومادة شبه موصلة من المجموعة /-اا من النوع 0؛ يمكن أن تكون هذه المادة غير العضوية مشابة أو غير مشابة. وبالتالي؛ المادة الناقلة للتقب غير العضوية يمكن أن يشتمل على أكسيد ‎(JS‏ فاناديوم؛ نحاس أو موليبدنيوم؛ را ‎CuO 0020 (CuSCN (CuBr‏ . ‎٠‏ تتعلق الفقرات التالية باستخدام بروفسكيت ثان من نوع ‎(BP‏ الطبقة من النوع ‎gp‏ بروفسكيت ثان من نوع ©؛ في الطبقة من النوع 0. (في نماذج مفضلة؛ بالرغم من أن؛ لا تشتمل الطبقة من النوع م أو الطبقة من النوع ‎١‏ على بروفسكيت. وبالتالي؛ يُفضل؛ ألا تشتمل المنطقة من النوع م أو المنطقة من النوع 7 على بروفسكيت.) عندما تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للتقب غير عضوية تكون بروفسكيت؛ يكون ‎١‏ البروفسكيت مختلقًا عن البروفسكيت المستخدم في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و؛ عند وجوده؛ في "الطبقة الأولى” المذكورة التي تشتمل أيضًا على مادة الدعم المؤقتة. وبالتالي؛ عندما تشتمل الطبقة من النوع م على ‎sale‏ ناقلة للثقب غير عضوية تكون بروفسكيت؛ يُطلق على البروفسكيت الخاص بالطبقة من النوع م في هذا الطلب مسمى 'بروفسكيت ثان" (والبروفسكيت في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت ‎Yo‏ بدون مسام مفتوحة؛ و؛ عند وجوده؛ في الطبقة الأولى المذكورة؛ تتم الإشارة إلأيه في هذا الطلب باعتباره "البروفسكيت الأول"). بالمثل؛ عندما تشتمل الطبقة من النوع 7 على مادة ناقلة للإلكترون غير عضوية تكون بروفسكيت؛ سيكون البروفسكيت مختلقًا عن البروفسكيت المستخدم في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و؛ عند وجوده؛ في "الطبقة الأولى” المذكورة التي تشتمل أيضنًا ‎Yo‏ على مادة الدعم المؤقتة. وبالتالي» ‎Lie‏ تشتمل الطبقة من النوع 9 على مادة ناقلة للإلكترون ‎CARN‏
الج غير عضوية تكون بروفسكيت؛ يُطلق على البروفسكيت في هذا الطلب مسمى "بروفسكيت ثان" (والبروفسكيت في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ 5( عند وجوده؛ في "الطبقة الأولى" المذكورة؛ تتم الإشارة إليه في هذا الطلب باعتباره "البروفسكيت الأول").
0 سيدرك أحد ذوي المهارة أنه يمكن استخدام إضافة عامل إشابة إلى البروفسكيت للتحكم في خصائص تقل الشحنة الخاصة بذلك البروفسكيت. وبالتالي؛ على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون بروفسكيت يعتبر مادة متأصلة مشابًا لتكوين ‎Bale‏ من نوع 7 أو من نوع ‎oP‏ بناءً على ذلك؛ يمكن أن يشتمل البروفسكيت الأول و / أو البروفسكيت الثاني على واحد أو أكثر من عوامل الإشابة. ‎La‏ يكون عامل الإشابة عبارة عن عنصر إشابة.
يمكن أن تؤدي إضافة عوامل الإشابة المختلفة إلى عينات مختلفة من نفس المادة إلى العينات المختلفة التي لها خصائص نقل شحنة مختلفة. على سبيل ‎(Jia‏ يمكن أن تؤدي إضافة عامل إشابة واحد إلى عينة أولى من مادة البروفسكيت إلى أن تصبح العينة الأولى ‎Bale‏ من نوع ‎en‏ بينما يمكن أن تؤدي إضافة عامل إشابة مختلف إلى عينة ثانية من نفس المادة البروفسكيت إلى أن تصبح العينة الثانية مادة من نوع م.
‎Vo‏ وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل واحدة على الأقل من مواد البروفسكيت الأولى والثانية على عامل إشابة. يمكن على سبيل المثال أن يشتمل البروفسكيت الأول على عامل إشابة غير موجود في البروفسكيت الثاني أو كل بروفسكيت ثان. بشكل إضافي أو على نحو بديل؛ يمكن أن تشتمل مواد البروفسكيت الثانية أو واحدة ‎cleo‏ على عامل إشابة غير موجود في البروفسكيت الأول. ومن ثم؛ قد يكون الفارق فيما بين مواد البروفسكيت الأولى والثانية هو وجود أو عدم وجود عامل إشابة؛ أو
‎٠١‏ .قد يكون استخدام عامل إشابة مختلف في كل بروفسكيت. على نحو بديل؛ قد لا يكمن الفارق فيما بين مواد البروفسكيت الأولى والثانية في عامل الإشابة ولكن بدلاً من ذلك قد يكمن الفارق في إجمالي بنية مواد البروفسكيت الأولى والثانية. قد يكون البروفسكيت الثاني؛ عند وجوده؛ ‎Sle‏ عن بروفسكيت مشتمل على كاتيون ‎cation‏ أول؛ كاتيون ثان» وأنيون 80101 واحد على الأقل.
‎CARN
_ جم في بعض النماذج؛ يكون البروفسكيت الثاني الذي يتم استخدامه في الطبقة من نوع م أو الطبقة من النوع ‎in‏ الذي يكون مختلقًا عن البروفسكيت الأول؛ عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة ‎:(IB)‏ ‎(IB)‏ 8[]03][م] 8 حيث: ‎[A]‏ تكون كاتيون عضوي ‎cation‏ 021981010 واحد على الأقل أو كاتيون فلز من المجموعة | واحد على الأقل؛
[8] تكون كاتيون فلزي واحد على الأقل؛ و ‎IX]‏ تكون أنيون واحد على الأقل. ‎٠‏ كما سيدرك أحد ذوي المهارة؛ ‎[A]‏ يمكن أن تشتمل على +05. ‎dale‏ [8] تشتمل على +052 أو (502+). بصورة أكثر ‎(+Pd2) ]8[ «dha‏ ‎Jas [X] Glas‏ على أنيون ‎halide anion alla‏ أو العديد من أنيونات هاليد مختلفة. ‎[X] dale‏ تشتمل على ‎d=‏ ‏في بعض النماذج؛ ‎[X]‏ تكون اثنين أو أكثر أنيونات مختلفة؛ على سبيل المثال؛ اثنين أو أكثر من ‎١‏ أنيونات هاليد مختلفة. على سبيل المثال؛ ‎[X]‏ يمكن أن تشتمل على -ا ‎Fy‏ -ا و-82 أو -ا لس ‎Cl‏ . ‎dale‏ يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎IB‏ عبارة عن ‎CsPbI3‏ أو 085013. على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ عبارة عن ‎.CsPbI3‏ ‏على نحو بديل؛ يمكن أن يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ عبارة عن: ‎«CsPblIBr2 (CsPbl2Br (CsPblF2 (CsPbl2F (CsPbICI2 (CsPbI2Cl ٠٠‏ ‎CsSnl2Br (CsSnIF2 (CsSnlI2F (CsSnICI2 (CsSnl2Cl‏ أو ‎.CsSnIBr2‏ على سبيل ‎CARN‏
المثال؛ يمكن أن يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ عبارة عن ‎CSPBI2CI‏ أو ‎.CsPDICI2‏ ‏نمطيًّاء يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ هو ‎.CSPBICI2‏ ‏في مركب البروفسكيت بالصيغة (18): ‎[X]‏ يمكن أن تكون عبارة عن واحد؛ اثنين أو أكثر أنيونات مختلفة كما هو معرّف في هذا الطلب؛ على سبيل المثال؛ اثنين أو أكثر أنيونات مختلفة كما هو © معزّف في هذا الطلب للبروفسكيت الأول؛ ‎Sale [A]‏ تشتمل على كاتيون عضوي كما هو ‎Cire‏ ‏في هذا الطلب؛ للبروفسكيت الأول؛ و[8] ‎Ghat‏ تشتمل على كاتيون فلز كما هو معرّف في هذا الطلب. يمكن تعريف كاتيون الفلز كما هو موضح فيما سبق في هذا الطلب للبروفسكيت الأول. في بعض النماذج؛ يكون البروفسكيت الثاني عبارة عن بروفسكيت كما هو معرّف للبروفسكيت الأول فيما سبق في هذا الطلب؛ شريطة أن يكون البروفسكيت الثاني مختلقًا عن البروفسكيت ‎٠‏ الأول. يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة التي يتم استخدامها في النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع الذي يشتمل على الطبقة الأولى المذكورة؛ عبارة عن مادة دعم مؤقتة عازلة. ‎dale‏ يكون ‎ald‏ الدعم المؤقتة العازلة فجوة نطاق تساوي أو أكبر من £0 إلكترون فولط. ‎ole‏ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص ‎LEAVY‏ تشتمل مادة الدعم المؤقتة العازلة على ‎١٠‏ أكسيد ألومنيوم ‎aluminium oxide‏ زركونيوم ‎zirconium‏ ¢ سيليكون . ‎silicon‏ إتريوم ‎yttrium‏ أو إيتربيوم 0461510/77ل. على سبيل ‎(Jl)‏ يمكن أن تشتمل ‎sale‏ الدعم المؤقتة العازلة على أكسيد زركونيوم ‎zirconium oxide‏ « سيليكا ‎silica‏ ؛ ألومينا ‎alumina‏ ؛ أكسيد إيتربيوم ‎ytterbium oxide‏ أو أكسيد إتريوم ‎yttrium oxide‏ ؛ أو سيليكات ألومينا ‎.alumina silicate‏ ‎(We‏ تشتمل المادة العازلة دعم مؤقتة على سيليكا ‎csilica‏ أو ألومينا 8100001078. بصورة أكثر ‎٠‏ - نمطية؛ تشتمل ‎sale‏ الدعم المؤقتة العازلة على ألومينا مسامية ‎.porous alumina‏ نمطيًاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» تكون مادة الدعم المؤقتة العازلة متوسطة المسام. وبالتالي؛ نمطيًاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ تشتمل مادة الدعم المؤقتة العازلة على ألومينا ‎alumina‏ متوسطة المسام. ‎IR‏
‎h —‏ جم على نحو بديل» يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة عبارة عن مادة ناقلة لإلكترون غير عضوية؛ ‎«Ja‏ على سبيل ‎JE‏ التيتانيا ‎titania‏ وبالتالي؛ على سبيل ‎JE‏ يمكن أن تشتمل مادة الدعم المؤقتة على أكسيد تيتانيوم ؛ قصديرء زنك ¢ نيوبيوم؛ تانتالوم » تنجستين؛ إنديوم جاليوم نيوداينيوم ‘ بالاديوم أو كادميوم. على سبيل المثال؛ يمكن أن تشتمل ‎sale‏ الدعم المؤقتة على 1102 ثاني ‎«ZnO sno2 ©‏ (205طلا) 1205 ‎W205 WO3‏ 203و 68203 0203لا ‎«(Pbo)‏ أو ‎{FS .(CdO)‏ تشتمل مادة الدعم المؤقتة على أكسيد تيتانيوم؛ قصديرء زنك نيوبيوم» تانتالوم ¢ تنجستين ؛ إنديوم ¢ جاليوم ¢ نيوداينيوم ¢ بالاديوم أو كادميوم متوسط المسام أو خليط منها. يتم تفضيل التيتانياء التيتانيا المسامية؛ وتيتانيا متوسطة المسامية. ‎Ula‏ في هذه النماذج؛ تشتمل مادة الدعم المؤقتة على التيتانيا المسامية؛ يُفضل تيتانيا متوسطة المسامية. يمكن على سبيل المثال أن تشتمل ‎sale‏ الدعم المؤقتة على مادة ناقلة للتقب غير عضوية. يمكن أن تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة على الجانب الآخر عبارة عن مادة ناقلة ‎Cll‏ غير عضوية. وبالتالي؛ يمكن على سبيل المثال أن تشتمل مادة الدعم المؤقتة على أكسيد نيكل؛ فاناديوم» نحاس أى موليبدنير ‎CUO 0020 (CUSCN (CuBr ¢(Cul)‏ . تكون المسامية الخاصة بمادة الدعم المؤقتة المستخدمة في النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني ‎Vo‏ البصري الخاص بالاختراع الذي يشتمل على الطبقة الأولى المذكورة؛ ‎fale‏ مساوية ل أو أكبر من . على سبيل ‎(JE‏ قد تبلغ المسامية حوالي 7976. في أحد النماذج؛ تكون المسامية مساوية ‎J‏ أو أكبر من ‎A Te‏ ¢ على سبيل المثال تساوي أو أكبر من ‎A Ye‏ . نمطيّاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» يكون ‎ld‏ المنطقة المتفاعلة ‎pn‏ ‏من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎Yeon‏ نانو مثرء؛ على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎Yoon‏ نانو ‎٠‏ | مثرء أو على سبيل المثال قد يبلغ ‎Sled‏ من ‎Vee‏ نانو متر إلى 5 ‎i‏ متر. ‎We‏ ¢ يكون ‎old‏ الطبقة المتفاعلة ضوئيًا من 5060 نانو متر إلى 100 نانو متر. ‎Gd ale‏ تبلغ حوالي ‎٠‏ ناأنو متر.
—ov-—
عادةً ما يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على إلكترود أول والكترود ثان. وبالتالي؛ نمطيًا يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على إلكترود أول؛ إلكترود
ثان؛ و» يتم فيما بين الإلكترودات الأول والثاني وضع؛ المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. تكون الإلكترودات الأول والثاني عبارة عن آنود وكاثود؛ ‎Bales‏ يكون واحد من أو كلا الآنود © والكاثود شفاقًا للسماح بدخول الضوء. ‎fale‏ ما يكون واحد على الأقل من الإلكترودات شبه شفاف عبر المنطقة المرئية حتى القريبة من الأشعة تحت الحمراء من الطيف الشمسي. يكون شبه الشفاف بشفافية نمطيًا ‎dA‏ وتتراوح من 50 إلى ‎L790‏ قد يعتمد اختيار الإلكترودات الأول والثاني للأجهزة الإلكترونية البصرية الخاصة بالاختراع الحالي على نوع البنية. ‎ha‏ يتم ترسيب الطبقة الأولى الخاصة بالجهاز على الإلكترود الأول الذي يشتمل على اكسيد القصدير ؛ بصورة fluorine—doped tin oxide ‏من أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ ag] ‏أكثر نمطية على‎ ٠ ‏يكون الإلكترود الأول‎ Bale ‏يكون مادة شفافة أو شبه شفافة. وبالتالي؛‎ Bale fale ‏(10)؛‎ ‎dd ‏يكون‎ Bile (FTO) ‏على أكسيد قصديرء بصورة أكثر نمطية‎ daisy Gas, Gls 5060 ‏بصورة أكثر نمطية من 00 إلى‎ ie ‏نانو‎ 0٠0 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏الإلكترود الأول من‎ ‏على لوح من‎ FTO ‏يتم طلاء‎ (Bhai ‏نانو متر.‎ 5٠080 Glad) ‏على سبيل المثال قد يبلغ‎ jie ‏نانو‎
‎Vo‏ الزجاج. عادةً؛ يشتمل الإلكترود الثاني على فلز وظيفي ‎Jeo‏ التشغيل؛ على سبيل المثال ذهب ‎gold‏ ؛ فضة ‎silver‏ ؛ نيكل ‎nickel‏ ؛ بالاديوم ‎palladium‏ أو بلاتين ‎platinum‏ ؛ ‎aay‏ ‏فضة. ‎dale‏ يكون لمك الإلكترود الثاني من ‎٠٠‏ نانو متر إلى ‎You‏ نانو مترء بصورة أكثر اعتيادية من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى 700 نانو متر. على سبيل ‎(JB‏ قد يبلغ مثمك الإلكترود الثاني ‎٠*٠‏ نانو متر.
‎Wl ٠‏ سوف يشتمل الإلكترود الأول على ‎sale‏ موصلة كهربائيًا شفافة أو شبه شفافة. على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على أكسيد موصل شفاف. تتضمن الأكاسيد الموصلة الشفافة أكسيد قصديرء أكسيد زنك؛ اكسيد قصدير ‎doped tin oxide lie‏ واكسيد زنك مشاب ‎doped zinc oxide‏ . على سبيل ‎«JB‏ يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على انديوم اكسيد القصدير ‎«indium tin oxide (ITO)‏ اكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎fluorine—doped tin‏
‎aluminium-doped tin oxide (AZO) ‏أو اكسيد قصدير مشاب بألومنيوم‎ oxide (FTO) Yo
‎CARN
‎A —_‏ جم
‏« يفضل ‎FTO‏ + يمكن أن يشمل الإلكترود الأول من 0 إلى ‎7٠٠١8‏ بالوزن من ‎FTO dTO‏ أو
‎(AZO‏ وفي بعض الحالات يمكن أن يتكون الإلكترود الأول بشكل أساسي من 110 ‎FTO‏ أو
‎dae AZO‏ يكون ‎Slaw‏ الإلكترود الأول من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎Tan‏ نانو مترء بصورة أكثر
‏نمطية من ‎٠٠١‏ إلى 6 نانو متر. على سبيل المثال» قد يبلغ الملمك ©؟ تثاأنو متر. سيتم
‎We ©‏ ترسيب الإلكترود الأول على طبقة تحتية من الزجاج. على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل
‏الإلكترود الأول على ‎FTO‏ ويمكن ترسيبه على طبقة تحتية من الزجاج. في الأجهزة الإلكترونية
‏البصرية الخاصة بالاختراع؛ يحدث دخول و / أو خروج الضوء نمطيًا من خلال الإلكترود الأول
‏إذا أنه ‎Ble‏ ما يكون شفاقًا أو شبه شفاف. قد يكون من الممكن للضوء الدخول إلى جهاز من
‏خلال إلكترود من فلز (مثل الإلكترود الثاني غالبًا ما يكون كذلك)؛ تحديدًا إذا كوّ؛ الإلكترود من فلز طبقة رفيعة ‎SLL‏
‎Sle ‏يشتمل الإلكترود الثاني على فلز وظيفي‎ dale ‏يشتمل الإلكترود الثاني على فلز.‎ (lle
‏التشغيل على سبيل المثال ألومنيوم ‎J‏ هب ¢ فضة نيكل ‎Lo‏ لاديوم أو بلاثين؛ ونمطيًا ‎Aad‏ أو
‏ذهب. عادةً؛ يكون ‎eld‏ الإلكترود الثاني من ‎5٠‏ نانو متر إلى ‎You‏ نانو مترء بصورة أكثر
‏اعتيادية من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى 700 نانو متر. على سبيل المثال؛ قد يبلغ لمك الإلكترود الثاني ‎glide.
Vo‏ متر.
‏في أحد النماذج الخاصة بالاختراع» يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع
‏على إلكترود ‎JS‏ إلكترود ثان؛ ‎op‏ يتم فيما بين الإلكترودات الأول والثاني وضع المنطقة
‏المتفاعلة ضوئيًا المذكورة؛ حيث يكون الإلكترود الأول في ‎Alla‏ تلامس مع المنطقة من النوع ©
‏الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة ويكون الإلكترود الثاني في ‎Alla‏ تلامس مع المنطقة ‎p pal) (pe Yo‏ الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة.
‏بناءً على ذلك؛ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري وفقًا للاختراع على المناطق التالية
‏بالترتيب التالي:
‎.١‏ إلكترود أول؛
‎N ‏تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع‎ ١ ‏منطقة من نوع‎ LY
‎CARN
‎q —‏ جم ‎LY‏ طبقة من مادة شبه ‎ia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ‎Lf‏ منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و ‎Le‏ إلكترود ثان. يعني المصطلح "المناطق التالية بالترتيب ‎CIE‏ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ أن كل من 0 المناطق المدرجة ستوجد؛ وأن ترتيب كل من الطبقات الموجودة سيكون بالترتيب المحدد. على سبيل المثال؛ في الحالة السابقة (اء ‎eV ell ell‏ /ا)؛ ‎١١‏ يخلف ا ويسبق ‎lll‏ واا بمفرده يكون ‎Led‏ بين ‎١‏ وااا (أي؛ لا يكون أي من ‎VF IV‏ فيما بين ‎ell ١‏ ولكن ‎١!‏ تكون كذلك). يعتبر هذا هو الإدراك الطبيغي ‎J‏ "بالترتيب التالي". لا يحدد الترتيب؛ مع ‎ella‏ الاتجاه في حيز من ‎de gana‏ من المناطق: اء ‎ell‏ !اا تكون مكافئة ل ‎Tell ell‏ (أي؛ يتم تعريف "أعلى” و"أسفل” أو "على اليسار" ‎٠‏ و"على اليمين"). قد توجد طبقات أو مناطق إضافية ‎lad‏ بين كل من هذه المناطق. على سبيل ‎"cll «<l JE‏ تتضمن |« ‎<I <la‏ قااء ‎os ١١١‏ قا ‎laa .١١١ <Ib‏ ¢ مع ذلك تكون كل منطقة (على سبيل المثال؛ من ‎١‏ إلى /ا) في حالة تلامس مع كل من المنطقة السابقة والمنطقة التالية. قد توجد طبقات أو مناطق إضافية الطبقات ‎Led‏ بين كل من هذه المناطق. ‎Ghai‏ مع ذلك؛ تكون ‎VO‏ كل منطقة من | إلى ‎١/‏ في حالة تلامس مع كل من المنطقة السابقة والمنطقة التالية. قد تكون كل من المناطق (إلكترود أول منطقة من نوع 9؛ طبقة من مادة شبه ‎Alia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ منطقة من نوع 8 والكترود ثان) كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري ‎Gy‏ للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١ | ٠‏ إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف؛ يفضل ‎(FTO‏ ‏"- منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ ‎Aa -*‏ من ‎Bale‏ شبه ‎Alia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ — منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و
ل 5- إلكترود ثان يشتمل على ‎Gl‏ يُفضل فضة أو ذهب. في بعض النماذج؛ يمكن على نحو بديل أن يشتمل الإلكترود الثاني على أكسيد موصل شفاف. على سبيل المثال يمكن اختيار كل من الإلكترود الأول والإلكترود الثاني من ‎indium tin‏ ‎FTO (ITO)‏ و ‎LAZO‏ إذا ‎Jas)‏ الإلكترود الثاني على فلز ‎Bie‏ فضة أو ذهب؛ قد يبلغ ‎Sl‏ ‏0 الإلكترود الثاني ‎Bled‏ من ‎١‏ إلى ‎٠١‏ نانو متر. على سبيل ‎JB‏ يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على ‎١10‏ أو ‎FTO‏ ويمكن أن يشتمل الإلكترود الثاني على طبقة من فضة ‎dy‏ يبلغ من ‎١‏ إلى ‎٠١‏ تانو مترء على سبيل المثال من © إلى ‎٠١‏ نانو متر. يمكن أن تكون طبقة رفيعة ‎cll)‏ من الفضة شبه شفافة. يوفر الاختراع ‎Blea Und‏ من بروفسكيت بغشاء رقيق رفيع ‎AL‏ به وصلة غير متجانسة ‎٠‏ معكوسة. ‎did‏ في أحد النماذج» يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على إلكترود أول؛ إلكترود ثان؛ ‎os‏ يتم فيما بين الإلكترودات الأول ‎(SE‏ وضع؛ المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة؛ حيث يكون الإلكترود الثاني في حالة تلامس مع المنطقة من النوع © الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة ويكون الإلكترود الأول في ‎Alla‏ تلامس مع المنطقة من النوع م الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. تؤدي هذه البنية إلى ما هو معروف ‎Vo‏ باعتباره جهاز معكوس. يمكن أن يكون لهذه الأجهزة التصميم المعروض على نحو تخطيطي في الشكل 8. في بعض الظروف قد يكون من المرغوب فيه توافر بنية جهاز معكوس حيث يتم تجميع التقوب من خلال جانب الطبقة التحتية من الجهاز. بشكل محدد؛ قد تكون بنى الجهاز المعكوس مطلوبة للتطبيقات المترادفة. تتضمن التطبيقات المترادفة الاستخدام مع عدد من الخلايا ذات فجوة النطاق المنخفضة الفلطائية الضوئية غير العضوية ‎Jie‏ 0165. لقد قم المخترعون بتطوير خلية ‎٠‏ فلطائية ضوئية منخفضة الحرارة يمكن الوصول إليها من الهواء المحيط ومحلول اعتمادًا على ‎sale‏ ‏ماصة للبروفسكيت شبه موصلة. ‎(lle‏ يمكن أن تكون مواد التلامس من نوع م ومن نوع ‎N‏ ‏الانتقائية في صورة : ‎poly(3,4—ethylenedioxythiophene): poly (styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)‏ و ‎PC60BM‏ على التوالي. جدير بالملاحظة؛ يكون تصميم الإلكترود النهائي مشابهًا للغاية لذلك ‎Yo‏ المستخدم في الخلايا الشمسية من البوليمر ذات "الوصلة غير المتجانسة ‎CHK‏ حتى مع تبديل ‎CARN‏ ey ‏الطبقة المتفاعلة ضوئيًا حيث يتم استبدال الوصلة غير المتجانسة الكتلية بغشاء رقيق من‎ ‏بروفسكيت صلب ويتم تحقيق كفاءة تحويل قدرة شمسية تامة تبلغ 797,5 مع نطاق أكبر لتحسين‎ ‏إضافي.‎ ‏المعتمدة على تقنيات وصول من‎ lll ‏توفر الخلايا الفلطائية الضوئية ذات الغشاء الرقيق رفيع‎ ‏ضرورية لإشباع الاحتياجات‎ AS ‏خلال المحلول التعهد بأجهزة قابلة للتصنيع سهلة ومنخفضة‎ 5 ‏العالمية المتزايدة للطاقة. تعتبر البنى المرشحة الملائمة هي الخلايا الفلطائية الضوئية المعتمدة‎ ‏على بنى عضوية؛ غير عضوية؛ ومختلطة. تعاني الخلايا الفلطائية الضوئية المعتمدة على بنى‎ ‏عضوية؛ بينما تقدم تقنية قابلية للوصول يسيرة ومنخفضة التكلفة؛ من أداء منخفض مقارنة بتقنيات‎ ‏الأخرى بسبب حالات الفقد الأساسية في توليد الشحنة حيث تكون إزاحة‎ SL) ‏الغشاء الرقيق رفيع‎ ‏بين الواهب والمتلقي أمرًا ضروريًا لتحقيق فصل فعال للشحنة؛ ما يحد من أقصى‎ Led ‏كبيرة نوعًا‎ ٠ ‏مباشرة في وصلة فردية. يمكن أن تتطلب‎ #7 ١١ ‏كفاءة تحويل القدرة قابلة للتحقيق إلى ما دون‎ ‏المعتمدة على بنى غير عضوية استخدام‎ Sl) ‏الفلطائية الضوئية ذات الغشاء الرقيق رفيع‎ LAY ‏درجة مئوية؛ مما يجعلها غير‎ ٠٠0 ‏مذيبات عالية السمية ودرجات حرارة عالية تبلغ أعلى من‎ ‏مرغوب فيها للإنتاج الكتلي.‎ ‏اليذه الأسباب؛ تعتبر الخلايا الفلطائية الضوئية ذات البنى المختلطة التي أساسها البروفسكيت بديلاً‎ Vo ‏درجة مثوية؛ وتكون في حالة صلبة بشكل تام‎ ١5١ ‏إذ يمكن معالجتها في ظل درجة حرارة‎ Us ‏لقد تم استخدام المواد‎ LY ‏وتُظهر بالفعل قيم كفاءة تحوّل قدرة عالية تصل إلى أعلى من‎ ‏الماصة للبروفسكيت من قبل في لبخلايا الشمسية الحساسة إضافة إلى بنى الغشاء الرقيق ذي‎
CH3NH3PbI3-XCIX ‏أن يعمل البروفسكيت‎ (Say ‏الرفعيع. تحديدًاء في تصميم لاحق؛‎ Glo ‏على مادة دعم مؤقتة متوسطة البنية‎ dalled) ‏باعتباره عامل مثير للحساسية وناقل للإلكترون عند‎ ٠ ‏من الألومينا ؛ مما يؤدي إلى تقليل حالات فقد الطاقة إلى الحد الأدنى ببساطة لأنه يتم بشكل‎ ‏مباشر تقل الإلكترونات إلى الطبقة التحتية الموصلة من خلال نطاق ال توصيل الخاص‎
AL ‏بالبروفسكيت. بهذه الطريقة؛ يمكن تحقيق قيم الفلطية الخاصة بدائرة مفتوحة العالية للغاية‎ ‏فولط.‎ ٠,١ ‏أعلى من‎
CARN
— \ أ — ‎Ue‏ في الخلايا الفلطائية الضوئية المعتمدة على البروفسكيت؛ يتم تجميع الإلكترونات من الطبقة التطبيقات المترادفة حيث يتحتم تجميع التقوب عند سطح أكسيد موصل شفاف ‎transparent‏ ‎(TCO) conducting oxide‏ بيني . في هذا الطلب؛ يتم توضيح بنية جهاز معكوس جديدة. 0 غالبًاء؛ يعتمد على المواد من النوع 7 ومن النوع م المستخدمة على نحو شائع لتجميع الشحنة في الخلايا الفلطائية الضوئية العضوية؛ تحديدًا ‎[6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl‏ ‎ester (PC60BM)‏ و : ‎«poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)‏ إضافة إلى ‎١/205‏ رو ‎NiO‏ ‏في أحد النماذج؛ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على إلكترود أول؛ إلكترود ثان؛ وء يتم ‎Lad‏ بين الإلكترودات الأول والثاني وضع المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة؛ حيث يكون الإلكترود الثاني في حالة تلامس مع المنطقة من ‎ng ill‏ الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة ويكون الإلكترود الأول في حالة تلامس مع المنطقة من النوع م الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. حيث يشتمل الإلكترود الأول على ‎sale‏ موصلة كهربائيًا شفافة أو شبه ‎Yo‏ شفافة وحيث يشتمل الإلكترود الثاني على ألومنيوم "ع هب » فضة نيكل 3 بالاديوم أو بلاتين . ‎fly‏ على ذلك؛ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري ‎Gy‏ للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود ثان؛ "- منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ ‎Yo‏ ؟- طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ — منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و ‎—o‏ إلكترود أول. ‎CARR‏
ا يمكن أن تكون كل من المناطق (إلكترود ثان؛ منطقة من نوع 0 طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ منطقة من نوع م والكترود أول) كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. على سبيل المثال» يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري وفقًا للاختراع على المناطق التالية ‎oo‏ بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود ثان يشتمل على فلز؛ "- منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ ‎Aa -*‏ من ‎Bale‏ شبه ‎Alia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ — منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و ‎Y‏ #- إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف. على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري ‎Gy‏ للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود ثان يشتمل على فلزء يُفضل فضة أو ذهب؛ "- منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ *؟- طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ؛- منطقة من نوع 0 تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎SP‏ ‏0— إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف»؛ يفضل ‎FTO‏ ‏يمكن أن تكون أي من المكونات في جهاز معكوس وفقًا للاختراع كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت ‎By‏ لأي من ‎٠‏ الصيغ ‎dd‏ 8ا اا أو ‎Ha‏ السابقة. على سبيل ‎(JB)‏ يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت مختار من : ‎CARN‏ yg «CH3NH3PbF3 «CH3NH3PbCI3 «CH3NH3PbBr3 «CH3NH3PbI3 «CH3NH3PbICI2 (CH3NH3PbIBr2 (CH3NH3PbBrCl2 (CH3NH3PbBrI2 «CH3NH38nBrCl2 (CH3NH3SnBrl2 (CH3NH3PbI2Cl (CH3NH3PbCIBr2 «CH3NH3SnF2I (CH3NH3SnICI2 (CH3NH3SnIBr2 (CH3NH3SnF2Br .CH3NH3SnF2Cl CH3NH3SnI2Cl «CH3NH3SnCIBr2 ‏ه‎ في بعض النماذج؛ يمكن على نحو بديل أن يشتمل الإلكترود الثاني على أكسيد موصل شفاف. على سبيل المثال يمكن اختيار كل من الإلكترود الأول والإلكترود الثاني من ‎FTO (ITO‏ و ‎LAZO‏ إذا يشتمل الإلكترود الثاني على فلز ‎Jie‏ فضة أو ذهب؛ قد يبلغ لمك الإلكترود الثاني ‎la‏ من ‎١‏ إلى ‎٠١‏ نانو متر. على سبيل ‎eal‏ يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على ‎١10‏ أو ‎FTO ٠‏ ويمكن أن يشتمل الإلكترود الثاني على طبقة من فضة ‎ls‏ يبلغ من ‎١‏ إلى ‎٠١‏ انو متر؛ على سبيل ‎JB‏ من © إلى ‎٠١‏ نانو متر. يمكن أن تكون طبقة رفيعة ‎Sl‏ من الفضة يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع ‎١‏ في جهاز معكوس على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎N‏ ‏كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب لجهاز قياسي غير معكوس. على سبيل المثال؛ يمكن ‎Vo‏ أن تشتمل طبقة من نوع ‎n‏ على على 1102© (5002)؛ (200)؛ خامس أكسيد النيوبيوم ‎Niobium pentoxide (Nb205)‏ خامس أكسيد التنتالوم ‎Tantalum pentoxide‏ ‎(Ta205)‏ ثالث أكسيد التنجستن ‎WO3 ) Third tungsten oxide‏ )؛ خامس أكسيد التنجستن ‎W205 )Fifth tungsten oxide‏ (« ثالث أكسيد الانديوم (10203) ‎oxide‏ (االإصننفماء ثالث أكسيد الجاليوم ‎cE (Gallium(lll) oxide (Ga203)‏ أكسيد النيوديميوم .(CdO) ‏أو‎ «(Pbo) «(Neodymium(lll) oxide (Nd203) ٠٠٠ (dle .1102 ‏على طبقة مضغوطة من‎ ١ ‏في أحد النماذج؛ يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع‎ ٠ ‏على طبقة مضغوطة من 1102 وطبقة من ]60[ وصلة غير‎ ١ ‏يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع‎
Lie .([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) PCBM ‏متجانسة كتلية‎ ‏على طبقة من 1102وطبقة من ]00[ وصلة غير متجانسة كتلية‎ ١ ‏تشتمل المنطقة من النوع‎
01 تكون الطبقة المضغوطة من أكسيد التيتانيوم ‎Gla‏ مجاورة للإلكترود الثاني وتكون الطبقة الخاصة ب ]60[ وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ نمطيًا مجاورة للطبقة الخاصة بمادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة. يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع م في جهاز معكوس على طبقة واحدة على الأقل من نوع م كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب لجهاز قياسي غير معكوس. على سبيل المثال؛ يمكن أن ‎Ja‏ طبقة من نوع 0 على : spiro-OMeTAD (2,2°,7,7’ —tetrakis—(N,N-di-p—methoxyphenylamine)9,9’ - spirobifluorene)), P3HT (poly(3-hexylthiophene)), PCPDTBT (Poly[2,1,3- benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-
PVK (poly(N-igsnll ‏الفلطائية‎ Nalib:3,4-b'dithiophene-2,6-diyl]]), ٠١ vinylcarbazole)), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), or
PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)). ‏على نحو بديل؛ يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للثقب غير‎ ‏عضوية مشتملة على أكسيد نيكل؛ فاناديوم؛ نحاس أو موليبدنيوم . بشكل محدد؛ يمكن أن تشتمل‎ ‏في‎ -PEDOT:PSS ‏أو طبقة من‎ 5Spiro-OMeTAD ‏المنطقة من النوع م على طبقة من‎ Vo ‏على طبقة من 051001:055. إذا تشتمل المنطقة من‎ p ‏أحد النماذج؛ تشتمل المنطقة من النوع‎ ‏يمكن أن‎ «(PEDOT:PSS ‏أو‎ (PEDOT Ji) 0 ‏النوع م على طبقة من مادة بوليمرية من نوع‎ ‏من أجل الحد من مدى‎ BLE ‏تكون الطبقة مرتبطة‎ ULE ‏تكون الطبقة من النوع م مرتبطة‎ ‏أي؛ يكون البوليمر (على‎ lead) ‏ذوبانها في محلول المادة المنتجة للبروفسكيت أثناء تصنيع‎ ‏مرتبطًا تشابكيًا من أجل جعله غير قابل للذوبان. على سبيل‎ (PEDOT:PSS ‏سبيل المثال؛‎ ٠ pads ‏على مادة‎ dip ‏المنطقة من النوع م على طبقة من نوع‎ Jad ‏يمكن أن‎ (Jbl ‏حيث تكون الطبقة من النوع م مرتبطة تشابكيًا. في بعض الأحيان؛ يمكن أن تشتمل المنطقة من‎ ‏النوع م على طبقة من 05007:085 حيث تكون الطبقة مرتبطة تشابكيًا. يمكن أن تكون‎ .583+ ‏عن طريق استخدام حمض لويس؛ على سبيل المثال‎ USL ‏الطبقة من النوع م مرتبطة‎ oY
يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع م على طبقة من ‎PEDOT:PSS‏ حيث تكون الطبقة مرتبطة تشابكيًا باستخدام كلوريد الحديد ‎Iron (lll) chloride (FeCI3) SNE‏ يمكن أن يشتمل جهاز إلكتروني بصري ‎By‏ للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود ثان يشتمل على فلز؛ © ؟- منطقة من نوع ‎n‏ تشتمل على طبقة مضغوطة من 1102 وطبقة من [60]وصلة غير متجانسة كتلية ‎¢PCBM‏ ‏*- طبقة من ‎Bale‏ شبه ‎Abia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ؛- منطقة من نوع 0 تشتمل على طبقة من ‎PEDOTIPSS‏ اختياريًا حيث تكون الطبقة مرتبطة تشابكيًا؛ و ‎٠‏ #- إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف. يمكن أن يشتمل جهاز إلكتروني بصري ‎By‏ للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: = إلكترود ثان يشتمل على ‎Bit‏ يُفضل ألومنيوم » ‎Aad‏ أو 3 هب؛ ‎—Y‏ منطقة من نوع ‎N‏ تشتمل على طبقة مضغوطة من 1102 وطبقة من ]60[ وصلة غير متجانسة كتلية ‎¢PCBM‏ ‏5 *؟- طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ؛- منطقة من نوع 0 تشتمل على طبقة من ‎PEDOTIPSS‏ اختياريًا حيث تكون الطبقة مرتبطة تشابكيًا؛ و 0— إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل ‎(lid‏ يفضل ‎FTO‏ ‏على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل جهاز إلكتروني بصري ‎By‏ للاختراع على المناطق التالية ‎٠‏ بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود ثان يشتمل على ألومنيوم ‎aluminium‏ ؛
‎h 7 _‏ _ ‎—Y‏ طبقة مضغوطة من 1102؛ *- طبقة من ]60[ وصلة غير متجانسة كتلية /60681؛ ؛- طبقة من مادة شبه ‎Abia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ‎-٠‏ طبقة من ‎PEDOT:PSS‏ مرتبط تشابكيًا؛ و 0 +- إلكترود أول يشتمل ‎FTO‏ ‏يمكن أن تكون المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة هي المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الوحيدة في الجهاز ويمكن بناءً على هذا أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن جهاز بوصلة فردية. على نحو ‎diy‏ يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن جهاز ‎١١‏ إلكتروني بصري ‎Lag‏ ترادفية أو جهاز إلكتروني بصري متعدد الوصلات . ‎ely‏ على ذلك ‎Sas‏ أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على الكترود أول الكترود 50( يتم فيما بين الإلكترودات الأول والثاني وضع: المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة؛ و منطقة متفاعلة ضوئيًا أخرى واحدة على الأقل. ‎Vo‏ يمكن أن تكون المنطقة أو المناطق المتفاعلة ضوئيًا الأخرى متشابهة ‎Jie‏ أو مختلفة عن المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المعرّفة فيما سبق في هذا الطلب. في بعض النماذج؛ تكون المنطقة أو المناطق المتفاعلة ‎Won‏ الأخرى مشابهة ‎Jie‏ المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المعرّفة فيما سبق في هذا الطلب. وبالتالي» يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على: إلكترود أول؛ ‎٠‏ إلكترود ثانء ‎op‏ يتم ‎lad‏ بين الإلكترودات الأول والثاني وضع: العديد من المناطق المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. ‎CARN‏
_ h A —_
عندما يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع ‎Ble‏ عن جهاز بوصلة ترادفية أو
بوصلات متعددة؛ كما سيدرك أحد ذوي المهارة؛ يمكن أن يشتمل على واحدة أو أكثر من
الوصلات النفقية. ‎file‏ ما يتم وضع كل ‎Alay‏ نفقية ‎led‏ بين اثنتين من المناطق المتفاعلة
0 يمكن أن يشتمل ‎Sle‏ إلكتروني بصري ‎Alay‏ ترادفية (أو جهاز إلكتروني بصري متعدد
الوصلات) وفقًا للاختراع على تقنية الغشاء الرقيق رفيع ‎Sl‏ من البروفسكيت التي تم الكشف
عنها في هذا الطلب مع تقنيات معروفة لتوصيل الأداء الأمثل.
تكون خلية متعددة الوصلات "كلها من البروفسكيت" جاذبة للغاية؛ مع ذلك حتى بدون الحاجة إلى
تطوير مواد ماصة جديدة؛ يكون النظام الحالي الذي يستخدم ‎CH3NH3PDIZ-XCIX‏ مضبوط ‎٠‏ جِيدًا بالفعل ليتطابق مع تقنيات السيليكون المتبلّر والغشاء الرقيق رفيع السك الأخرى ‎CIS Jie‏
585 و©02155؛ إذا تم استخدامها باعتبارها خلية علوية في وصلة ترادفية. هناك إمكانية
لإنتاج أجهزة إلكترونية بصرية بقيم كفاءة تزيد عن ‎٠‏ 77. يتمثل الجانب الجدير بالملاحظة من هذا
الأمر في أنه لا يتطلب "قفزة كمية” في التقنية المقدمة ‎(Ulla‏ فقط القليل من الوصول إلى الحد
الأمثل والتكامل الفعال. هناك العديد من الفوائد المميزة الخاصة ب "التدعيم الكبير" على التقنيات ‎١٠‏ الموجودة؛ يصبح الانخفاض المستمر في تكلفة الخلايا الفلطائية الضوئية ‎Photovoltaics (PV)‏
الموجودة أمرًا مفيدًاء سيكون السوق أكثر ‎BLE‏ لاختيار ‎BE‏ سيليكون ‎Hie‏ بدلاً من تقنية
بروفسكيت جديدة ‎ila‏ وأخيرًا وليس ‎BAT‏ يكمن تحدي رئيسي لمجتمع الخلايا الفلطائية الضوئية
‎PV‏ أوسع في تطوير خلية علوية بفجوة واسعة لتقنيات السيليكون والغشاء الرقيق رفيع السسثمك. في
‏الأشكال ‎١‏ ولااء يتم توضيح رسومات تخطيطة لتصميمات جهاز ‎Lay‏ ترادفية محتملة؛ 9ص لبروفسكيت على سيلكون - © وبروفسكيت على غشاء رقيق رفيع الملمك تقليدي .
‏في أحد النماذ ج؛ يوفر الاختراع جهاز إلكتروني بصري يشتمل على إلكترود أول إلكترود ثان» وء
‏يتم فيما بين الإلكترودات الأول والثاني وضع:
‏المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة كما هو معرّف ‎led‏ سبق في هذا الطلب؛ و
‏منطقة متفاعلة ضوئيًا أخرى واحدة على الأقل,
‎CARN
‎q —‏ أ — حيث تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الأخرى الواحدة على الأقل على طبقة واحدة على الأقل من ‎sale‏ شبه موصلة. يمكن أن تكون المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الأخرى الواحدة على الأقل عبارة عن منطقة متفاعلة ضوئيًا أخرى واحدة على الأقل من المناطق المتفاعلة ضوئيًا المستخدمة في الأدوات الإلكترونية © البصرية أو الفلطائية الضوئية التقليدية التقليدية أو المعروفة. على سبيل ‎(JEN‏ قد تكون ‎She‏ ‏عن منطقة متفاعلة ضوئيًا من خلية فلطائية ضوئية من سيليكون متبأر ‎crystalline silicon‏ أو منطقة متفاعلة ضوئيًا من أداة فلطائية ضوئية ذات غشاء رقيق رفيع ‎SLL‏ تقليدي من أرسنيد جاليوم ‎CIS (CIGS » gallium arsenide‏ أو ‎.CZTSSe‏ ‏غالبًا؛ يشتمل جهاز إلكتروني بصري بوصلة ترادفية على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١ ٠‏ إلكترود أول؛ — منطقة متفاعلة ضوئيًا أولى كما هو معرّف في أي مكان ‎Led‏ سبق في هذا الطلب؛ "- تشتمل منطقة متفاعلة ضوئيًا ثانية على طبقة من مادة شبه موصلة؛ و ؛- إلكترود ثان. يمكن أن تكون ‎sald)‏ شبه الموصلة في المنطقة !اا ‎ple‏ عن أية مادة شبه موصلة. يشير ‎١‏ المصطلح 'مادة شبه موصلة"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى مادة بموصلية كهربائية متوسطة المقد ار فيما بين تاك الخاصة بموصل ‎dies‏ . نمطيًا تكون ‎sale‏ شبه ‎lage‏ عبارة عن مادة لها موصلية تبلغ من ‎٠١‏ ؟ إلى ‎Van 48-٠١‏ يمكن استخدام التقنيات القياسية ‎Jie‏ قياس موصلية بمسبار رباعي النقاط لقياس الموصلية. تتضمن أمثلة على المواد شبه الموصلة أكسيد أو كالكوجنيد من فلز أو عنصر شبيه بالفلز؛ مركب من المجموعة مجموعة /١ا؛‏ مركب مشتمل على ‎A)‏ عنصر من المجموعة ل وعنصر من المجموعة ‎Vv‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎I‏ ‏وعنصر من المجموعة ‎«VI‏ مركب مشتمل على ‎pale‏ من المجموعة | وعنصر من المجموعة ‎«VII‏ مركب مشتمل على ‎pale‏ من المجموعة ‎AY}‏ وعنصر من المجموعة ‎VI‏ مركب مشتمل
Vm
‎de send)‏ !اا وعنصر من المجموعة /ا؛ شبه موصل من مركب ثلاثي أو رباعي؛ مادة شبه موصلة من بروفسكيت أو شبه موصل عضوي. تتضمن أمثلة نمطية على المواد شبه الموصلة أكاسيد تيتانيوم ‎titanium‏ 01065 ؛ نيوبيوم ‎Niobium‏ ؛ قصدير ‎tin‏ زنك ‎ZINC‏ ؛ كادميوم ‎cadmium‏ « نحاس ‎copper‏ أو الرصاص ‎lead‏ ؛ مركبات كالكوجنيد ‎chalcogenides‏ من © أنتيمون ‎antimony‏ أو البزموت ‎bismuth‏ ؛ كبريتيد القصدير ‎tin sulphide‏ والزنك والنحاس ؛ سيلينيد القصدير ‎tin selenide‏ والزنك والنحاس ؛ كبريتيد سيلينيد القصدير ‎tin selenide‏ ‎sulphide‏ والزنك والنحاس ¢ سيلينيد الجاليوم ‎gallium selenide‏ والإنديوم ‎indium‏ والنحاس ؛ وداي سيلينيد الجاليوم ‎gallium diselenide‏ والإنديوم والنحاس. تتضمن الأمثلة الإضافية مواد شبه موصلة لمركب من المجموعة ‎Jo) IV‏ سبيل المثال؛ كربيد سيليكون ‎¢(silicon carbide‏ ‎٠‏ -_ مواد شبه موصلة من المجموعة ‎-١/‏ !!!ا (على سبيل المثال؛ أرسنيد جاليوم ‎¢(gallium arsenide‏ مواد شبه موصلة من المجموعة ‎Je) I-VI‏ سبيل المثال؛ سيلينيد كادميوم ‎cadmium‏ ‏506 )؛ مواد _ شبه موصلة من المجموعة ‎Je) [EVID‏ سبيل المثال؛ كلوريد كبروس ‎¢(cuprous chloride‏ مواد شبه موصلة من المجموعة ا/١-/ا ‎(Jo)‏ سبيل المثال؛ سيلينيد الرصاص ‎¢(lead selenide‏ مواد شبه موصلة من المجموعة ‎VV‏ (على سبيل المثال؛ تيلوريد ‎١‏ البزموت ‎¢(bismuth telluride‏ ومواد شبه موصلة من المجموعة /١-اا‏ (على سبيل المثال؛ أرسنيد كادميوم 8758010 ‎(cadmium‏ مواد شبه موصلة ثلاثية أو رباعية (على سبيل ‎JE‏ ‏سيلينيد الإتديوم ‎gallium diselenide‏ والنحاس » داي سيلينيد الجاليوم ‎gallium diselenide‏ والإنديوم والنحاس ؛ أو كبريتيد القصدير ‎tin sulphide‏ والزنتك والنحاس 2006 ‎¢(copper‏ ‏بروفسكيت المواد شبه الموصلة ‎perovskite semiconductor materials‏ (على سبيل المثال؛ ‎aud Jsly ¢(CH3NH3PDLI2Cl; CH3NH3PbI3 ٠‏ الموصلة العضوية | ‎organic‏ ‎Je) semiconductor materials‏ سبيل المثال؛ مركبات بوليمرية ‎polymeric‏ مترافقة متضمنة بوليمرات ‎Jie‏ مركبات بولي أسيتيلين ‎polyacetylenes‏ ؛ مركبات بولي فينيلين ‎polyphenylenes‏ ومركبات بولي ثيوفين ‎polythiophenes‏ ). تتضمن أمثلة على مواد شبه
‏موصلة عضوية:
‎CARR
-١/1- poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 2,2-17,7-tetrakis—N,N-di—-p— methoxyphenylamine-9,9-spirobifluorene (spiro—OMeTAD) ‏وبوليمرات عضوية مترافقة مثل مركبات بولي أسيتيلين؛ مركبات بولي فينيلين؛ مركبات بولي ثيوفين‎ ‏أو مركبات بولي أنيلين 78011065ا00. تتضمن أمثلة على مواد ليست مواد شبه موصلة؛ على‎
Sie ‏سبيل المثال فلزات طبيعية؛ تكون بالطبع موصلات؛ ومواد عازلة كهربائية أو مواد عازلة‎ © .0810116 ‏أو سيليكات‎ silica ‏سيليكا‎ ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى مركب مشتمل على أيون أكسيد‎ Cand) ‏يشير المصطلح‎ ‏ينبغي‎ .017/81601 oxygen atom ‏واحد على الأقل (أي؛ -02) أو 53 أكسجين ثنائية التكافؤ‎ ‏إدراك أن المصطلحات "أكسيد فلز" و”"عنصر أكسيد فلز” المستخدمة في هذا الطلب تشتمل على‎ ‏أكاسيد فلزية مختلطة. لتجنب الشك؛ يشير أكسيد‎ Windy candy ‏كل من أكاسيد مشتملة على فلز‎ ٠ ‏مشتمل على أكثر من عنصر فلز واحد.‎ single oxide ‏فلز مختلط إلى مركب أكسيد فردي‎ ‏تتضمن أمثلة على أكاسيد فلزية مختلطة أكسيد زنك قصدير وأكسيد إنديوم قصدير. بالمثل؛ ينبغي‎ ‏أكسيد شبه فلز” المستخدمة في هذا الطلب‎ pate’ ‏إدراك أن المصطلحات أكسيد شبه فلز"‎ ‏أكاسيد أشياء فازات مختلطة. لتجنب‎ Udy ‏تتضمن أكاسيد مشتملة على عنصر شبيه بالفلز واحد‎ ‏الشك؛ يشير أكسيد شبه فلز مختلط إلى مركب أكسيد فردي مشتمل على أكثر من عنصر شبيه‎ ٠ ‏بالفلز واحد.‎ ‏المستخدم في هذا الطلب؛ إلى مركب مشتمل على‎ " chalcogenide ayia SIT ‏يشير المصطلح‎ «ghtelluride ‏أو تيلوريد‎ selenide ‏؛ سيلينيد‎ sulphide ion ‏واحد على الأقل من أيون سلفيد‎ atom ‏ذرة سيلينيوم‎ divalent sulphur ‏أو -182) أو كبريت ثنائي التكافؤ‎ (Se2- )82- ‏أو 438 «ناداا. ينبغي إدراك أن المصطلحات 'كالكوجنيد فلز" و"عنصر‎ selenium ٠ ‏كالكوجنيد فلز” تشمل مركبات كالكوجنيد مشتملة على فلز واحد وأيضًا مركبات كالكوجنيد فلز‎ ‏مختلطة. لتجنب الشك؛ يشير كالكوجنيد فلز مختلط إلى مركب كالكوجنيد فردي مشتمل على أكثر‎ ‏و كالكوجنيد من‎ ad ain SIC ‏من عنصر فلز واحد. بالمثل؛ ينبغي إدراك أن المصطلحات‎ ‏عنصر شبه فلز" المستخدمة في هذا الطلب تشمل مركبات كالكوجنيد مشتملة على شبه فلز واحد‎
IR
دول
وأيضًامركبات كالكوجنيد من شبه فلز مختلطة. لتجنب الشك؛ يشير كالكوجنيد شبه فلز مختلط إلى
مركب كالكوجنيد فردي مشتمل على أكثر من عنصر شبيه بالفلز واحد.
في بعض الأحيان؛ تشتمل المادة شبه الموصلة على أكسيد أو كالكوجنيد من فلز أو عنصر شبيه
بالفلز. على سبيل المثال؛ تتكون المادة شبه الموصلة من أكسيد أو كالكوجنيد من فلز أو عنصر 0 شبيه بالفلز. على سبيل ‎(JB)‏ تشتمل المادة شبه الموصلة على أكسيد تيتانيوم؛ نيوبيوم» قصدير؛
زنك؛ ‎caged‏ نحاس أو الرصاص أو أية توليفة منها؛ أو كالكوجنيد من أنتيمون؛ البزموت أو
كادميوم أو أية توليفة منها. على سبيل المثال يمكن أن تشتمل المادة شبه الموصلة على أكسيد
زنك قصدير؛ كبريتيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ أو داي
سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس.
‎٠‏ في أحد النماذج يمكن أن تكون المادة شبه الموصلة عبارة عن شبه موصل مشاب؛ حيث يوجد عنصر شائبة بتركيز يتراوح فيما بين 509 حتى 450 5. إذا يعمل عنصر الشائبة باعتباره واهب إلكترون؛ فإن المادة شبه الموصلة ستكون مشابة لتصبح من النوع ‎on‏ إذا عمل عنصر الشائبة باعتباره متلقي إلكترون؛ فإن المادة شبه الموصلة ستكون مشابة لتصبح من النوع م. يُلاحظ أنه لأكاسيد فلز مشابة بعناصر أشباه فلزات بشائبة تحل محل العنصر الشبيه بالفلز الأساسي؛ إذا كان
‎Glia ‏تكافو عامل الإشابة أكبر من تكافؤ العنصر الشبيه بالفلز الأساسي فإن أكسيد الفلز سيكون‎ Vo ‏من ذلك الخاص بالعنصر‎ J ‏عامل الإشابة عنصر شبيه بالفلز‎ BS ‏من النوع ©؛ إذا كان‎ ‏يمكن استخدام أي من العناصر‎ op ‏من النوع‎ Glo ‏الأساسي فإن أكسيد الفلز سيكون‎ NIL ‏الشبيه‎ ‏سبق وصلاً إلى مستويات‎ Lad ‏المذكورة من قبل لإشابة أي من المواد شبه الموصلة المذكورة‎ ‏مختلفة من الكفاءة والتأثير.‎
‎Yo‏ بناءً على ذلك؛ في بعض الحالات تشتمل ‎sald)‏ شبه الموصلة على أكسيد أو كالكوجنيد من فلز أو عنصر شبيه بالفلز؛ مركب من المجموعة مجموعة ‎HV‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎HI‏ وعنصر من المجموعة /ا؛ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎ll‏ وعنصر من المجموعة ‎VI‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎١‏ وعنصر من المجموعة ‎VI‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎IV‏ وعنصر من المجموعة ‎$V]‏ مركب مشتمل على عنصر من
‎CARN
‎Ad —_‏ 7 _ المجموعة ‎V‏ وعنصر من المجموعة ‎«VI‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎I‏ وعنصر من المجموعة /ا؛ شبه موصل من مركب ثلاثي أو رباعي؛ أو شبه موصل عضوي. ‎(We‏ تشتمل المادة شبه الموصلة على سيليكون؛ أكسيد تيتانيوم ؛ نيوبيوم ‎+٠‏ قصديرء زنك كادميوم نحاس أو الرصاص؛ كالكوجنيد من أنتيمون أو البزموت؛ كبريتيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد القصدير والزنك والنحاس» كبريتيد سيلينيد القصدير والزنك والنحاس» سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ داي سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ كربيد سيليكون؛ ‎win‏ جاليوم؛ سيلينيد ‎(a pals‏ كلوريد كبروس» سيلينيد ‎(Galan‏ تيلوريد البزموت؛ أو أرسنيد كادميوم. إذا اشتملت ‎sald‏ شبه الموصلة على سيليكون ‎«silicon‏ يمكن أن يكون السيليكون أحادي ‎Sl‏ ‎monocrystalline‏ « متعدد ‎polycrystalline lal‏ أو غير ‎.amorphous Joie‏ يمكن أن تكون المنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎By‏ للاختراع مترادفة مع خلية شمسية من السيليكون تقليدية. على سبيل ‎JB‏ يمكن أن تشتمل المادة شبه الموصلة على طبقة من سيليكون متبلّر . في بعض النماذج يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود أول؛ — منطقة متفاعلة ضوئيًا أولى كما هو معزف “ا في أي مكان في هذا الطلب؛ ‎Vo‏ ؟- طبقة 0 من مادة شبه موصلة من نوع م؛ ‎daha —-¢‏ أولى من ‎sake‏ شبه موصلة أصيلة ¢ 0— طبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع ‎P‏ أو طبقة (ب) من مادة شبه موصلة من ‎N55‏ ‎daha =‏ ثانية من ‎sake‏ شبه موصلة أصيلة ¢ ‎-١‏ طبقة (ج) من مادة شبه موصلة من نوع ؛ و 9ص /- الكترود ثان . في بعض ‎(lal)‏ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على المناطق التالية بالترتيب التالي:
‎١ _‏ ‎-١‏ إلكترود أول؛ ‎Y‏ — هذ منطقة أولى؛ *- طبقة من بروفسكيت شبه موصل بدون مسام مفتوحة؛ ؛- منطقة ثالثة؛ 0 0— طبقة (أ) من مادة شبه موصلة من نوع م؛ ‎daha 1‏ أولى من مادة شبه موصلة أصيلة ¢ ‎-١‏ طبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع ‎P‏ أو طبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع ‎N‏ ‏- طبقة ثانية من مادة شبه موصلة أصيلة ¢ 4- طبقة (ج) من مادة شبه موصلة من نوع ؛ و ‎SA) Yo‏ إلكترود ثان؛ حيث تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎Sep‏ ‏تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م ‎Vo‏ وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع 9 تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0. يمكن أن تكون أي من المكونات ‎Je)‏ سبيل المثال؛ البروفسكيت؛ المنطقة الأولى أو المنطقة الثالثة) في هذا الجهاز المترادف كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. يمكن أن يشتمل أي شبه موصل من النوع 0؛ من النوع أو متأصل مشار إليه على أي شبه موصل معرزف في أي مكان في هذا الطلب قد يكون على نحو ملائم مشاب من النوع ‎op‏ مشاب من النوع © أو غير ‎Yo‏ مشابة. ‎CARN‏ yo ‏غالبًاء تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من‎ ‏نوع 0 وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع 7 تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من‎ ‏نوع 0. بناءً على ذلك؛ ستكون الطبقة من النوع م مجاورة للإلكترود الأول؛ وسيتم عكس المنطقة‎ ‏يكون الضوء الذي يسقط على الجهاز‎ lhe ‏المتفاعلة ضوئيًا من البروفسكيت وفقًا للاختراع.‎ ‏المشتملة على طبقة واحدة‎ nop gl ‏ساقطًً من خلال الإلكترود الأول. يمكن أن تكون المنطقة من‎ © ‏هو معرّف في هذا الطلب و / أو يمكن أن تكون المنطقة من النوع م‎ WSN ‏على الأقل من نوع‎ ‏المشتملة على طبقة واحدة على الأقل من نوع م كما هو معرّف في هذا الطلب.‎ ‏للاختراع؛ تكون الطبقة (أ) من مادة شبه موصلة من‎ By ‏غالبًاء في جهاز إلكتروني بصري ترادفي‎ ‏من النوع 0 و / أو تكون‎ amorphous silicon ‏نوع م عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري‎ .0 ‏الطبقة (ج) من مادة شبه موصلة من نوع © عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري من النوع‎ ٠ ‏نمطيًا؛ تكون الطبقة (أ) من مادة شبه موصلة من نوع م عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري من‎ ‏عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري‎ N ‏النوع 0 وتكون الطبقة (ج) من مادة شبه موصلة من نوع‎ ‏غالبًا؛ تكون الطبقة الأولى من مادة شبه موصلة أصيلة عبارة عن طبقة من سيليكون‎ ٠ ‏من النوع‎ ‏و | أو تكون الطبقة الثانية من مادة شبه‎ intrinsic amorphous silicon ‏لابلوري متأصل‎ ‏موصلة أصيلة عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري متأصل. في بعض الأحيان؛ تكون الطبقة‎ Vo ‏الأولى من مادة شبه موصلة أصيلة عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري متأصل وتكون الطبقة‎ ‏الثانية من مادة شبه موصلة أصيلة عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري متأصل. في الجهاز‎ sale ‏المترادف؛ يمكن أن تكون الطبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع م أو الطبقة (ب) من‎ ‏سيليكون‎ ٠ ‏عن طبقة من نوع م سيليكون متبلّر أو طبقة من نوع‎ Ble N ‏شبه موصلة من نوع‎ ‏متبأر.‎ ٠ ‏كما هو معرّف في أي مكان آخر في هذا الطلب؛ يشتمل الإلكترود الأول نمطيًا على أكسيد‎ ‏موصل شفاف و / أو يشتمل الإلكترود الثاني على فلز. غالبًا يشتمل الإلكترود الأول نمطي على‎ ‏أكسيد موصل شفاف ويشتمل الإلكترود الثاني على فلز. يمكن أن يكون الأكسيد الموصل الشفاف‎ ‏قد يكون الفاز‎ ITO Glas AZO ‏أو‎ dTo (FTO ‏سبق وغالبًا يكون‎ lad ‏كما هو معرّف‎ ‏؛ ذهب‎ silver ‏عبارة عن أي فلز. بشكل عام يشتمل الإلكترود الثاني على فلز مختار من فضة‎ YO
CARN
‎١ h —‏ 0 نحاس ‎copper‏ ؛ ألومنيوم ‎aluminium‏ « بلاديوم ‎palladium‏ » بلاتين ‎platinum‏ « أو تجنستين 01095160 . يمكن أن تنطبق هذه القائمة من الفلزات أيضنًا على حالات أخرى من الإلكترود الثاني في هذا الطلب. ‎cle‏ تشتمل ‎sale‏ الإلكترود الأول على ‎١10‏ و / أو يشتمل الإلكترود الثاني على فضة. نمطيّاء تشتمل ‎sale‏ الإلكترود الأول على ‎1To‏ ويشتمل الإلكترود الثاني على فضة. ‎Ya‏ من أن تكون المنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎Gy‏ للاختراع المشتملة على طبقة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة في حالة ترداف مع منطقة متفاعلة ضوئيًا من السيليكون؛ قد تكون في حالة ‎calf‏ ‏مع منطقة متفاعلة ضوئيًا لغشاء رقيق رفيع المثمك. على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١ ٠‏ إلكترود أول؛ "- منطقة متفاعلة ضوئيًا أولى كما هو معرّف في أي مكان ‎Led‏ سبق في هذا الطلب؛ "- تشتمل منطقة متفاعلة ضوئيًا ثانية على طبقة من مادة شبه موصلة؛ و ¢— إلكترود ثان؛ حيث تشتمل المادة شبه الموصلة على طبقة من كبريتيد القصدير ‎tin sulphide‏ والزنك ‎zinc‏ ‎١‏ والنحاس ‎ccopper‏ سيلينيد القصدير ‎tin selenide‏ والزنك ‎zine‏ والنحاس ‎copper‏ كبريتيد سيلينيد ‎selenide sulphide‏ القصدير ‎tin‏ والزنك 2106 والنحاس ‎ccopper‏ سيلينيد الجاليوم ‎gallium selenide‏ والإنديوم ‎indium‏ والنحاس ‎copper‏ ؛ داي سيلينيد الجاليوم ‎gallium‏ ‏6 156 والإنديوم ‎indium‏ والنحاس ‎copper‏ أو سيلينيد الإنديرم ‎indium selenide‏ والنحاس ‎cOpper‏ . يمكن أن تكون الطبقة الخاصة بمادة شبه موصلة عبارة عن غشاء رقيق رفيع ‎la) Yo‏ لمادة شبه موصلة. في أحد النماذج؛ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود أول؛ ‎CARR‏
١ ‏سبق في هذا الطلب؛‎ Led ‏منطقة متفاعلة ضوئيًا أولى كما هو معرّف‎ — ‏طبقة من أكسيد موصل شفاف؛‎ —¥ tN ‏؛؟- طبقة (د) من مادة شبه موصلة من نوع‎ ‏طبقة من كبريتيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ كبريتيد سيلينيد‎ -5 ‏والنحاس سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس» داي سيلينيد الجاليوم والإنديوم‎ ily ‏القصدير‎ 0
والنحاس أو سيلينيد الإنديوم والنحاس؛ و +- إلكترود ثان. على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري بناءً على ذلك على المناطق التالية بالترتيب التالي:
‎-١ ٠‏ إلكترود أول؛ "- منطقة أولى؛ *"- طبقة من بروفسكيت شبه موصل بدون مسام مفتوحة؛ ؛- منطقة ثالثة؛ 0— طبقة من أكسيد موصل شفاف؛
‎-١ |‏ طبقة (د) من مادة شبه موصلة من نوع ‎N‏ ‎-١‏ طبقة من كبريتيد القصدير والزنك والنحاسء سيلينيد القصدير والزتك والنحاس؛ كبريتيد سيلينيد القصدير والزنك والنحاس» سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ داي سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس أو سيلينيد الإنديوم والنحاس؛ و 8- إلكترود ثان؛
‎A —_‏ 7 _ حيث تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎Sep‏ ‏تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0. يمكن أن تشتمل الطبقة (د) من مادة شبه موصلة من نوع ‎١7‏ على أي شبه موصل من أكسيد فلز أو كالكوجنيد. غالبًا؛ تشتمل الطبقة (د) من مادة شبه موصلة من نوع 7 على سلفيد كادميوم. ‎Glas‏ في الجهاز المترادف المشتمل على غشاء رقيق رفيع ‎ld)‏ لشبه ‎(Junge‏ تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع ‎JATIN‏ على طبقة واحدة على الأقل من نوع 7 وتكون المنطقة ‎٠‏ الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م. يمكن أن تكون المنطقة من النوع ‎٠‏ المشتملة على طبقة واحدة على الأقل من نوع 7 كما هو معرّف في أي ‎Oe‏ ‏في هذا الطلب و / أو يمكن أن تكون المنطقة من النوع م المشتملة على طبقة واحدة على الأقل من نوع م كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. يمكن أن يكون الإلكترود الأول و / أو الإلكترود الثاني كما هو ‎aah‏ فيما سبق. نمطيًّاء يشتمل ‎١‏ الإلكترود الأول على أكسيد موصل شفاف و / أو يشتمل الإلكترود الثاني على فلز. ‎(Wie‏ يشتمل الإلكترود الأول على أكسيد موصل شفاف ويشتمل الإلكترود الثاني على فلز. ‎Ghai‏ يشتمل الإلكترود الأول على 110 و / أو يشتمل الإلكترود الثاني على تنجستين؛ أو يشتمل الإلكترود الأول على ‎[To‏ ويشتمل الإلكترود الثاني على تنجستين. يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن أداة فلطائية ضوئية؛ ‎Yo.‏ صمام ثنائي ذي موصلية ضوئية ¢ ترانزستور ضوئي ؛ مضاعف ضوئي ¢ مقاوم ضوئي ؛ كاشف ضوئي؛ كاشف حساس للضوء؛ صمام ثلاثي في حالة صلبة؛ إلكترود بطارية؛ أداة باعثة للضوء؛ صمام ثنائي باعث للضوء؛ ترانزستور؛ خلية شمسية؛ ليزر؛ أو ليزر حقن لصمام ثنائي. في نموذج ‎(Junie‏ يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن أداة فلطائية ضوئية؛ على سبيل المثال خلية شمسية. ‎CARN‏
‎q —_‏ 7 _ قد يكون الجهاز الإلكتروني البصري ‎Gay‏ للاختراع عبارة عن خلية شمسية. في نموذج ‎AT‏ مفضل؛ يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن أداة باعثة للضوء؛ على سبيل المثال صمام ثنائي باعث للضوء. يمكن إنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» في © الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و / أو في الطبقة الأولى المذكورة؛ بواسطة عملية مشتملة على خلط: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون أول 5 )7( أنيون أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(١)‏ أنيون ثان؛ حيث: تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو معرّف في هذا الطلب للبروفسكيت؛ و ‎Ys‏ يمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات متشابهة أو مختلفة. يمكن؛ على سبيل ‎(JB‏ مواد البروفسكيت التي تشتمل على أنيون واحد على الأقل مختار من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد؛ إنتاج عن طريق عملية مشتملة على خلط: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون أول 5 )7( أنيون أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(؟) أنيون ثان؛ حيث: تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو مُعرّف في هذا الطلب للبروفسكيت؛ و يمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات متشابهة أو مختلفة مختارة من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد. ‎(aa‏ تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة. بصورة أكثر نمطية؛ تكون ‎٠‏ - الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد. ‎CARN‏
_ A «=
يمكن أن يشتمل البروفسكيت المنتج بواسطة العملية على كاتيونات إضافية أو أنيونات إضافية.
على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت على اثنين» ثلاثة؛ أربعة من الكاتيونات المختلفة؛
أو اثنين؛ ثلاثة من أربعة من أنيونات مختلفة. يمكن ‎fly‏ على هذا أن تشتمل العملية لإنتاج
البروفسكيت على خلط مركبات إضافية مشتملة على كاتيون إضافي أو أنيون إضافي. بشكل
إضافي أو على نحو بديل؛ يمكن أن تشتمل العملية لإنتاج البروفسكيت على خلط (أ) و(ب) مع:
(ج) مركب ثالث مشتمل على ‎)١(‏ الكاتيون الأول و(7) الأنيون الثاني؛ أو (د) مركب رابع مشتمل
على ‎)١(‏ الكاتيون الثاني و(١)‏ الأنيون الأول.
‎ha‏ في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون الكاتيون الثاني في بروفسكيت الأنيون المختلط
‏عبارة عن كاتيون فلز. بصورة أكثر نمطية؛ يكون الكاتيون الثاني عبارة عن كاتيون فلز ثنائي ‎Ye‏ التكافؤ. على سبيل ‎JB‏ يمكن اختيار الكاتيون الثاني من
‏أيون الكالسيوم ‎Calcium ions (Ca2+)‏ أيون سترونتيوم ‎«Strontium lon (Sr2)‏ أيون
‏الكاديون ‎«Cadmium ion (Cd2+)‏ أيون النحاس ‎copper ion (Cu2+)‏ أيون النيتروجين
‎ferrous ‏أيون الحديدي‎ (Manganese ion (Mn2+) ‏أيون المنجنيز‎ cnitrogen ion (Ni2+)
‎«palladium ion (Pd2+) ‏أيون البالديوم‎ ccobaltion (Co2+) ‏أيون الكوبالت‎ 100 (Fe2+) ‏أيون الرصاص‎ ctinion (Sn2+) ‏أيون القصدير‎ (germanium ion (Ge2+) ‏أيون الجرمانيوم‎ Vo
‎Ytterbium (YB2+) ‏أيون الايتربيوم‎ tin ion (Sn2+) ‏أيون القصدير‎ dead ion (Pb2+)
‏0 وأيون الأوربيوم ‎europium (eu2+)‏ يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير 150
‎copper ion ‏و أيون النحاس‎ (Pd2+) palladium ion ‏أيون البالديوم‎ don (Sn2+)
‎Gale .)6027+(‏ يتم اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير ‎tin fon‏ +502 وأيون البالديوم ‎(+Pd2) palladium ion ٠‏
‎(We‏ في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون الكاتيون الأول في بروفسكيت الأنيون المختلط عبارة
‏عن كاتيون عضوي.
‎Gale‏ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R1 R2R3R4N)+‏ حيث:
‎IR
‎A \ —‏ — 1 تكون هيدروجين ‎hydrogen‏ « أو ‎alkyl 61 - C20‏ به استبدال أو ليس به استبدال» أو ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ 2 تكون هيدروجين ¢ أو 620 - 61 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال» أو ‎aaryl‏ ‏استبدال أو ليس به استبدال؛ © 83 تكون هيدروجين ¢ أو 620 - 61 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال» أو ‎aaryl‏ ‏استيدال أو ليس به استبدال؛ و 4 تكون هيدروجين ¢ أو 620 - 61 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال» أو ‎aaryl‏ ‏استبدال أو ليس به استبدال. بشكل أساسي؛ في الكاتيون العضوي ‎organic cation‏ ؛ 41 تكون هيدروجين ‎hydrogen‏ « ‎٠‏ _ ميثيل ‎methyl‏ أو ايثيل ‎R2 ethyl‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛ ‎R3‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل» ‎RA‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال 81 يمكن أن تكون هيدروجين أو ‎edie‏ 42 يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ 43 يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RA‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل. على نحو ‎ca‏ يمكن أن يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R5NH3)+‏ حيث: ‎R5‏ تكون ‎١٠‏ ميدروجين؛ أو ‎avalkyl 61 - C20‏ استبدال أو ليس به استبدال. على سبيل ‎RS Jd)‏ يمكن أن تكون ميثيل أو إيثيل. نمطيّاء 45 تكون ميثيل. على نحو ‎ca‏ يمكن أن يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R5R6N=CH-NRT7RS)+‏ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين» 620 - ‎alkyl C1‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل ‎aaryl‏ ‏استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RO‏ تكون هيدروجين» 620 - ‎alkyl C1‏ به استبدال أو ليس به ‎٠‏ استبدال» أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RT‏ تكون هيدروجين» ‎asalkyl C1 - C20‏ استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و48 تكون هيدروجين» ‎Cl‏ ‎alkyl - 0‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال. ‎CARR‏
نمطيًاء ‎RS‏ في الكاتيون ‎(RSRON=CH-NRTRB)+‏ تكون هيدروجين» ميثيل أو ‎R6 «Jit‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو ‎RT edi)‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛ و48 تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال ‎RS‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RE‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RT‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ و48 يمكن أن تكون هيدروجين أو © ميثيل.
يمكن أن يكون للكاتيون العضوي؛ على سبيل المثال؛ الصيغة ‎(H2N=CH-NH2)+‏ ‏في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ ‎Bale‏ ما يكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت لهاليد مختلط حيث يكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة.
‎٠‏ نمطيّاء في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة (): ‎[AIIBIIXI3 (1)‏ حيث: ‎[A]‏ تكون كاتيون عضوي واحد على الأقل؛
‎[B] ١‏ تكون كاتيون فلزي واحد على الأقل؛ و [] تكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة؛ و تشتمل العملية على خلط: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز ‎(Y) 5 metal cation‏ أنيون ‎anion‏ أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(؟) أنيون ثان؛
‎٠‏ احيث:
_ A Ad —_
تكون الأنيونات ‎anions‏ الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد
‎halide anions‏ أو أنيونات كالكوجنيد.
‏يمكن 3 على سبيل ‎JE‏ 3 أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة ) | ( على واحد 3 اثنين »+ ثلاث أربعة من
‏كاتيونات فلز مختلفة؛ نمطيًا واحد أو اثنين من كاتيونات فلز مختلفة. يمكن؛ على سبيل المثال» أن 2 يشتمل البروفسكيت بالصيغة ) | ( على ‎alg‏ اثنين »+ ثلاثة أربعة من كاتيونات ‎iy gua‏ مختلفة
‏نمطيًا واحد؛ اثنين من كاتيونات عضوية مختلفة. يمكن» على سبيل المثال؛ أن يشتمل البروفسكيت
‏بالصيغة ‎ol)‏ على اثنين؛ ثلاثة؛ أربعة من أنيونات مختلفة؛ نمطيًا اثنين أو ثلاثة من أنيونات
‏مختلفة. يمكن أن تشتمل العملية؛ بناءً على هذاء على خلط مركبات إضافية مشتملة على كاتيون
‏وأنيون .
‎[X] lass ٠‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. تكون الأنيونات الأول والثاني نمطي عبارة عن أنيونات هاليد. على نحو بديل [7] يمكن أن تكون ‎BE‏ أيونات هاليد مختلفة. ومن ثم؛ يمكن أن تشتمل العملية على خلط مركب ثالث مع المركب الأول والمركب ‎SE‏ حيث يشتمل المركب الثالث على ‎)١(‏ كاتيون و(١)‏ أنيون هاليد ثالث؛ حيث يكون الأنيون الثالث عبارة عن أنيون هاليد مختلف عن أنيونات الهاليد الأول والثاني.
‎Vo‏ غالبًاء في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة (ما): ‎AB[X]3 (IA)‏
‏حيث: ‏تكون كاتيون عضوي؛ ‎٠‏ 8 تكون كاتيون فلز؛ و ‎[X]‏ تكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة. تشتمل العملية على خلط: ‎CARN‏
AE
‏كاتيون فلز و(7) أنيون هاليد أول؛ مع‎ )١( ‏(أ) مركب أول مشتمل على‎ ‏كاتيون عضوي و(١) أنيون هاليد ثان:‎ )١( ‏(ب) مركب ثان مشتمل على‎ ‏حيث:‎ ‏تكون أنيونات الهاليد الأول والثاني عبارة عن أنيونات هاليد مختلفة.‎ ‏تكون اثنين أو ثلاثة من‎ [XT ‏تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. يُفضل؛‎ [X] Bale © أنيونات هاليد مختلفة. الأفضل؛ ‎[X]‏ تكون اثنين من أنيونات الهاليد المختلفة. في نموذج آخر ‎[X]‏ ‏تكون ثلاثة من أنيونات هاليد مختلفة. ‎Glad‏ في العملية لإنتاج البروفسكيت»؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة ‎(I)‏
ABX3-yX’y (I) ٠ ‏حيث:‎ ‏تكون كاتيون عضوي؛‎ ‏تكون كاتيون فلز؛‎ 8 ‏تكون أنيون هاليد أول؛‎ X ‎Vo‏ ”ل تكون أنيون هاليد ثان يكون مختلقًا عن أنيون الهاليد الأول؛ و لا تكون من ‎١.05‏ إلى ‎sae‏ ‏تشتمل العملية على خلط: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز 5 ‎eX (Y)‏ (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ 8*: ‎"٠‏ حيث تكون النسبة الخاصة ب ل إلى ”)ل في الخليط تساوي ‎(YF)‏ : لا ‎CARN
_ A ‏اج‎ من أجل تحقيق النسبة المذكورة الخاصة ب )ل إلى ”ل التي تساوي ‎YF)‏ - لا) : ‎ay‏ يمكن أن تشتمل العملية على خلطمركب إضافي مع المركب الأول والمركب الثاني. على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن تشتمل العملية على خلط مركب ثالث مع المركب الأول والمركب الثاني؛ حيث يشتمل المركب الثالث على ‎)١(‏ كاتيون الفلز و(7) ‎XT‏ على نحو بديل؛ يمكن أن تشتمل العملية على خلط 0 مركب ثالث مع المركب الأول والمركب الثاني؛ حيث يشتمل المركب الثالث على ‎)١(‏ الكاتيون
X (Y)s ‏العضوي‎ ١ ‏لا تكون من‎ ¢ laa .Y,¥0 ‏إلى م على سبيل المثال من دلت إلى‎ ٠,5 ‏لا تكون من‎ Bale
Ape نمطيًا؛ في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون المركب الأول عبارة عن ‎BX2‏ ويكون المركب الثاني ‎٠‏ عبارة عن ‎AX‏ ‎Wie‏ يتم إنتاج المركب الثاني عن طريق تفاعل مركب بالصيغة ‎(RSNH2)‏ حيث: ‎RS‏ تكون ‏هيدروجين؛ أو ‎alkyl 61 - C20‏ به استبدال أو ليس به استبدال» مع مركب بالصيغة ‎HX‏ ‎RS (lass‏ يمكن أن تكون ميثيل أو إيثيل؛ ‎RS We‏ تكون ميثيل. ‎: ١ ‏بنسبة مولارية‎ HX’ ‏والمركب بالصيغة‎ (R5NH2) ‏يتم إجراء تفاعل للمركب بالصيغة‎ Gale ‏في إيثانول لامائي‎ Sales nitrogen ‏يحدث التفاعل في جو من النيتروجين‎ (Ble .١ Vo ‎anhydrous ethanol‏ نمطيّاء يكون الإيثانول اللامائي حوالي ‎spe Yor‏ واقي. بصورة أكثر ‏نمطية يتم تفاعل من ‎١5‏ إلى ‎٠١‏ مل من المركب بالصيغة ‎(RONH2)‏ مع حوالي ‎١١‏ إلى ‎Yo‏ ‏مل من ‎HX‏ عادةً في جو من النيتروجين في من ‎٠٠‏ إلى ‎١5١‏ مل إيثانول لامائي . يمكن أن ‏تشتمل العملية أيضًا على خطوة لاستخلاص البروفسكيت لأنيون مختلط المذكور. غالبًا ما يتم ‎٠‏ استخدام مبخر دوّار لاستخلاص ‎AX‏ متبأر. ‎dale‏ تعتبر الخطوة الخاصة بخلط المركبات الأول والثاني خطوة لإذابة المركبات الأول والثاني ‏في مذيب. يمكن أن تكون المركبات الأول والثاني مذابة بنسبة من ‎٠١0 : ١‏ إلى ‎Ghat ١ : ٠١‏ ‏نسبة ‎.١ : ١‏ نمطيًا يكون المذيب عبارة عن داي ميثيل فورماميد ‎dimethylformamide‏ ‎(DMF) ‏ما يكون المذيب هو‎ fale 062+ ‏أو الماء. عندما يكون كاتيون الفلز هو‎ (DMF) ‎CARN
_ أ ‎A‏ _ عندما يكون كاتيون الفلز +502 عادةً ما يكون المذيب هو الماء. يكون استخدام ‎(DMF)‏ الماء كمذيب مفيدًا إذ أن هذه المذيبات تكون غير متطايرة لحدٍ كبير. يمكن تحضير المادة شبه الموصلة من طبقة البروفسكيت في الأجهزة المبتكرة عن طريق معالجة محلول أو عن طريق التبخير في وسط خوائي. تكون درجة حرارة المعالجة المنخفضة أمرًا مهمًا © لتقليل تكلفة التصنيع؛ مما يسمح بالمعالجة على طبقات أساسية من البلاستيك والمعالجة على قمة
الطبقات الأخرى للسماح بإنتاج خلايا شمسية مترادفة ومتعددة الوصلات. في هذا الطلب» يوضح المخترعون أن الأجهزة الخاصة بالاختراع يمكن أن تعمل مع كل الطبقات المعالجة عند درجة حرارة منخفضة متضمنة مادة الدعم المؤقتة القابلة للمعالجة بمحلول.
‎٠‏ المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على: منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ©؛ و» يتم فيما بين المنطقة من ‎nog gl‏ والمنطقة من النوع 0 وضع: طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة,
‎Vo‏ تشتمل هذه العملية على: (أ) توفير منطقة أولى؛ (ب) وضع منطقة ثانية على المنطقة الأولى؛ تشتمل المنطقة الثانية هذه على طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و (ج) وضع منطقة ثالثة على المنطقة الثانية؛
‎Yo‏ حيث:
‎CARN
‎A 7 _‏ _ تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع ‎Jilin‏ على طبقة واحدة على الأقل من نوع © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م؛ أو تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع 9 تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0. ‎lle‏ تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎P‏ ‏في العملية الخاصة بالاختراع؛ يمكن أن تكون المنطقة من النوع ‎in‏ الطبقة من النوع ‎in‏ المنطقة .من النوع م والطبقة من النوع م كما هو ‎Ge‏ بشكل إضافي في هذا الطلب من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. ‎(Wal‏ قد تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ والمادة شبه الموصلة من البروفسكيت نفسهاء كما هو ‎Cape‏ ‏بشكل إضافي فيما سبق في هذا الطلب. في أحد النماذج الخاصة بالعملية الخاصة بالاختراع؛ تشتمل الخطوة (ب)؛ الخاصة بوضع المنطقة ‎١‏ الثانية على المنطقة الأولى» على: إنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت على المنطقة الأولى عن طريق ترسيب البخار. في هذا النموذج؛ تشتمل الخطوة الخاصة بإنتاج طبقة صلبة عن طريق ترسيب البخار نمطيًا على: ‎)١(‏ تعريض المنطقة الأولى إلى بخارء يشتمل هذا البخار على البروفسكيت المذكور أو واحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور؛ و ‎(Y) ٠٠‏ السماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت المذكور عليها. ‎CARN‏
_ A A —_ يمكن أن يكون البروفسكيت في البخار عبارة عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا الطلب من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛» ويكون نمطيًا بروفسكيت بالصيغة (ا)؛ ‎(IA)‏ أو )11( كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب. يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور على أنواع المادة © المتفاعلة التي تمت مناقشتها ‎lad‏ سبق للعملية الخاصة بتخليق مركبات البروفسكيت. وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون أول و(7) أنيون أول؛ و (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(7) أنيون ثان؛ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز ‎٠‏ الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. بشكل أكثر تحديدًاء يمكن أن تشتمل الواحدة أو ‎SST‏ من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(؟) أنيون ثان؛ حيث تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد أو أنيونات ‎Vo‏ كالكوجنيد؛ كما هو معزف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون هاليد أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون هاليد ثان؛ حيث تكون أنيونات ‎٠‏ الهاليد الأول والثاني عبارة عن أنيونات ‎alle‏ مختلفة؛
CARN
‎A q —_‏ _ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة ‎Was‏ على (أ) يوديد الرصاص ‎Lead iodide‏ ‎Pbl2 ©‏ و(ب) ‎.CH3NH3CI‏ ‏بشكل عام تشتمل العملية بشكل إضافي على إنتاج البخار في المقام الأول عن ‎Gob‏ تبخير البروفسكيت المذكور أو تبخير الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة المذكورة لإنتاج البروفسكيت المذكور. في هذه الخطوة؛ يتم نمطيًا نقل البروفسكيت أو الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت إلى غرفة تبخير يتم تفريغها ‎Gal‏ بعد ذلك؛ يتم ‎Bae‏ تسخين البروفسكيت أو ‎٠‏ الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت. ثم يتم تعريض البخار الناتج إلى؛ ‎ally‏ ترسيبه على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت المذكور عليها. إذا تم استخدام المواد المتفاعلة؛ فإنها تتفاعل ‎le‏ في الموقع لإنتاج البروفسكيت على المنطقة الأولى. ‎Glas‏ يتم السماح لترسيب البخار بالاستمرار حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت مثمك ‎VO‏ مرغوب ‎cad‏ على سبيل المثال مثمك يبلغ من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء أو بصورة أكثر نمطية من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠١‏ ميكرو متر. يُفضل؛ يتم السماح لترسيب البخار بالاستمرار حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت مك يبلغ من ‎5٠‏ نانو متر إلى ‎٠٠٠١‏ نانو مترء أو على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎oll ٠‏ مثر. على سبيل ‎JE‏ يمكن الاستمرار في الترسيب حتى يتم ترسيب تقريبًا من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎70٠0‏ نانو ‎jie‏ من المسحوق على المنطقة الأولى. يمكن أن يستمر ترسيب البخار حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت مك يبلغ على الأقل ‎٠‏ ثانو متر. ‎(Glad‏ على سبيل ‎JE‏ يستمر حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎Sls‏ ‏يبلغمن ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء أو على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎70٠0‏ ‏نانو متر. ‎CARN‏
لقد المخترعون أن عملية ترسيب بخار مزدوج المصادر تسمح بترسيب طبقات متناسقة من البروفسكيت. يعتبر ترسيب البخار واحدًا من أكثر الطرق شيوعًا في التصنيع على صعيد كبير لترسيب أغشية رقيقة رفيعة السك ‎eld‏ مقنن ويشير تقليديًا إلى ترسيب أغشية رقيقة رفيعة ‎cli‏ عن طريق تكثيف صورة متبخرة من مادة الغشاء الرقيق المرغوب فيها على سطح في وسط 0 خوائي. لقد تم بحث طرق الترسيب الخاصة بالبروفسكيت غير العضوي ‎Jie din‏ الترسيب بالليزر النبضي وترسيب محلول كيميائي. لقد تم ترسيب البروفسكيت غير العضوي - العضوي المختلط» مثل ‎(COH5C2HANH3)2PbI4‏ أو ‎«(COHS5C2HANH3)2PbBr4‏ بنجاح من خلال الترسيب الحراري لمصدر فردي. مع ذلك؛ حيث إنه تم ذكر طرق الترسيب الخاصة بالبروفسكيت غير العضوي - العضوي المختلط على نحو نادر بسبب الاختلاف المؤثر ‎٠‏ الخصائص الفيزيائية والكيميائية فيما بين المواد غير العضوية والعضوية؛ تم تطبيق الترسيب الحراري مزدوج المصادر لتبخير المصدر العضوي والمصدر غير العضوي في نفس الوقت ولكن مع تحكم مستقل ‎(V.
K.
Dwivedi, J.
J.
Baumberg, and G.
V.
Prakash, “Direct deposition of‏ ‎inorganic—organic hybrid semiconductors and their template —assisted‏ م ‎microstructures,” Materials Chemistry and Physics, vol. 137, no. 3, pp.‏ ‎Jan. 2013).‏ ,941-946 حديثًً؛ تم اقتراح الترسيب الكهروكيميائي المعزز بقالب للحصول على فئة جديدة من بروفسكيت مختلط ‎(C12H25NH3)2PbI4‏ في بنى جيدة متعددة المقادير مع إنبعاث قوي للإكسيتون. لقد تم ‎Unf‏ اقتراح أنه يمكن بشكل مباشر قطع هذه المواد إلى بنى فوتونية ثنائية الأبعاد قد تكون ‎YS‏ مفيدة للغاية في الأدوات الفلطائية الضوئية. دائمًا ما ‎Jie‏ ترسيب مواد البروفسكيت العضوية - غير العضوية المختلطة ‎(Gand‏ لأن غاليبة المواد العضوية تكون متطايرة للغاية وتتحلل سريعًا؛ ويؤدي هذا إلى جعل التحكم في عملية الترسيب أكثر تعقيدًا. في أحد النماذج؛ تشتمل الخطوة (ب) الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على:
_ q \ —_
إنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت عن طريق ترسيب البخارء حيث يكون ترسيب البخار عبارة عن
ترسيب بخار مزدوج المصادر.
يشير المصطلح 'ترسيب بخار مزدوج المصادر"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب إلى عملية
ترسيب بخار ‎dua‏ يشتمل البخار الذي يتم ترسيبه على طبقة تحتية على اثنين أو أكثر من المكونات التي تنشاً من اثنين من المصادر المتميزة. ‎Ghat‏ سينتج مصدر أول بخارًا مشتملاً على
مكون أول وسينتج مصدر ثان ‎Bay‏ مشتملاً على مكون ثان. يمكن ‎Wad‏ أن يتم تمديد ترسيب
البخار مزدوج المصادر ليتضمن ترسيب بخار ثلاثي أو رباعي المصادر؛ بالرغم من أن الترسيب
مزدوج المصادر يكون مفضلاً بشكل طبيعي.
في أحد النماذج؛ تشتمل الخطوة (ب) الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على:
‎)١( ٠‏ تعريض المنطقة الأولى إلى بخارء يشتمل هذا البخار على اثنتين من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور؛ و
‎(Y)‏ السماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت المذكور
‏عليها؛
‏حيث ‎)١(‏ يشتمل بشكل إضافي على إنتاج البخار المذكور المشتمل على اثنتين من المواد ‎Vo‏ المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور عن طريق تبخير مادة متفاعلة أولى من مصدر أول وتبخير
‏مادة متفاعلة ثانية من مصدر ‎Ob‏
‏يمكن أن تكون المواد المتفاعلة كما هو معرّف في هذا الطلب لإنتاج بروفسكيت. يمكن أن يشتمل
‏البخار على نحو بديل على ثلاثة أو أكثر من المواد المتفاعلة. يتم ‎Gh‏ وضع الاثنين من
‏المصادر عند نفس المسافة من المنطقة الأولى؛ ‎Ble‏ من ‎٠١‏ إلى 560 سم.
‎We ٠‏ ما تشتمل ‎sold)‏ المتفاعلة الأولى على مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون أول و(7) أنيون أول؛ وتشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الثانية على مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(١)‏ أنيون ثان. في بعض الحالات؛ سيكون الكاتيون الأول هنا عبارة عن كاتيون فلز. في بعض الحالات سيكون الكاتيون الثاني هنا عبارة عن كاتيون عضوي. بناءً على ذلك؛ يمكن أن تشتمل المادة
‎CARN
المتفاعلة الأولى على مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز 5 ‎(V)‏ أنيون أول؛ ويمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الثانية على مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون ثان. يُفضل يكون كاتيون الفلز كاتيون فلز ثنائي التكافو. على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون مختار من : © أيون الكالسيوم ‎Calcium ions (Ca2+)‏ أيون سترونتيوم ‎«Strontium lon (Sr2)‏ أيون الكاديون ‎«Cadmium ion (Cd2+)‏ أيون النحاس ‎copper ion (Cu2+)‏ أيون النيتروجين ‎nitrogen ion (Ni2+)‏ أيون المنجنيز ‎(Manganese ion (Mn2+)‏ أيون الحديدي ‎ferrous‏ ‎dion (Fe2+)‏ أيون الكوبالت ‎ccobaltion (Co2+)‏ أيون ‎«palladium ion (Pd2+) asalldl‏ أيون الجرمانيوم ‎germanium ion (Ge2+)‏ أيون القصدير ‎ctinion (Sn2+)‏ أيون الرصاص
Ytterbium (YB2+) ‏صناء أيون الايتربيوم‎ ion )502+( ‏أيون القصدير‎ dead ion (Pb2+) ٠ tin ‏يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير‎ europium )602+( ‏وأيون الأوربيوم‎ 0 copper (Cu2+) ‏و أيون النحاس‎ (Pd2+) palladium ion ‏أيون البالديوم‎ don (Sn2+) ‏وأيون البالديوم‎ 502+ tin 109 ‏يتم اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير‎ dale Lion (+Pd2) palladium ion ‎oe 5‏ هذه الكاتيونات»؛ فإنه من المفضل أن يكون كاتيون الفلز ثنائي التكافؤ هو +552 أو أيون القصدير (502+). ‎We‏ ما يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R1 R2R3R4N)+‏ حيث: 1 تكون هيدروجين؛ أو ‎alkyl C1 - C20‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎٠‏ 42 تكون هيدروجين» أو ‎alkyl 61 - C20‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎R3‏ تكون هيدروجين؛ أو 620 - 61 الا»اا8 به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و ‎IR
اس 4 تكون هيدروجين» أو ‎alkyl C1 - C20‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال. يمكن أن يكون الكاتيون العضوي كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. ‎We‏ يكون للكاتيون العضوي الصيغة +(4510113)؛ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين أو ‎asalkyl C1 = C20‏ © استبدال أو ليس به استبدال. على سبيل المثال؛ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎((RINH3)+‏ ‏حيث: ‎RS‏ تكون ميثيل؛ إيثيل؛ بروبيل أو بيوتيل؛ يُفضل ميثيل أو إيثيل. في بعض الحالات يمكن أن يكون الكاتيون العضوي عبارة عن كاتيون ميثيل أمونيوم ‎.methylammonium cation‏ على نحو ‎cy‏ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎((RSRON=CH-NRTR8)+‏ حيث: 85 تكون هيدروجين؛ ‎alkyl C1 = C20‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس ‎Ys‏ به استبدال؛ ‎RE‏ تكون هيدروجين» ‎alkyl 61 - C20‏ به استبدال أو ليس به استبدال» أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RT‏ تكون ‎C20 «pag us‏ - 61 الا»اا8 به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و8 تكون هيدروجين» 620 - 61 ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال. نمطيًا؛ ‎R5‏ في الكاتيون ‎(RSRON=CH-NRTR8)+‏ تكون هيدروجين» ميثيل أو ‎RO «Ji‏ ‎Vo‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو ‎RT (Ji)‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو ‎(Ji‏ و48 تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال ‎RS‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ 46 يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RT‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ و48 يمكن أن تكون هيدروجين أو يمكن أن يكون للكاتيون العضوي؛ على سبيل ‎(Jad)‏ الصيغة ‎(H2N=CH-NH2)+‏ ‎©٠‏ _يمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن ‎A‏ أنيونات؛ ولكن يتم اختيارها نمطيًا من أيونات هاليد (على سبيل ‎(JB‏ فلوريد ؛ كلوريد ؛ بروميد و يوديد) أو أيونات كالكوجنيد ‎lo)‏ سبيل المثال؛ سلفيد؛ سيلينيد وتيلوريد). ‎Ble‏ سيكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت من هاليد مختلط أو كالكوجنيد مختلط وتكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أيونات اليد أو أيونات كالكوجنيد. يُفضل تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات هاليد. نمطيً؛ ‎CARN‏
‎q ¢ —_‏ _ تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد. على سبيل ‎(JRA‏ يكون الأنيون الأول والأنيون الثاني عبارة عن واحد من الأزواج التالية باعتبارها (الأنيون الأول : الأنيون الثاني) : (فلوريد : كلوريد)؛ (كلوريد : فلوريد)؛ (فلوريد : بروميد)؛ (بروميد : فلوريد)؛ (فلوريد : يوديد)؛ (يوديد : فلوريد)؛ (كلوريد : بروميد)؛ (بروميد : كلوريد)؛ (كلوريد : © _يوديد)؛ (يوديد : كلوريد)؛ (بروميد : يوديد) أو (يوديد : بروميد). في بعض النماذج؛ ستشتمل ‎sold)‏ المتفاعلة الأولى على داي هاليد ‎«Jl‏ وستشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الثانية على ملح ‎ala‏ من حمض عضوي. على سبيل المثال؛ يمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على مركب أول يكون عبارة عن ‎BX2‏ ويمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الثانية على مركب ثان يكون عبارة عن ‎AX‏ حيث 8 تكون كاتيون ‎Xd‏ تكون أنيون ‎A dd‏ تكون ‎٠‏ كاتيون ثان 5 ‎XC is‏ أنيون ثان. يمكن أن تكون كل من الكاتيونات والأنيونات كما هو مُعرّف فيما سبق. في بعض الأحيان؛ تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على مركب أول يكون عبار عن ‎BX2‏ ‏وتشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الثانية على مركب ثان يكون عبارة عن ‎AX‏ حيث 8 تكون كاتيون مختار من ‎«(Pd2+) ((Co2+) ((Fe2+) «(Mn2+) ((Ni2+) ((Cu2+) )602+( )92( ((Ca2+)‏ ‎(YB2+) (Sn2+) ((Pb2+) ((Sn2+) (Ge2+) ١٠‏ و (+6027). يمكن اختيار الكاتيون الثاني من (+5027)؛ (+002) و (+002). ‎dale‏ يتم اختيار الكاتيون الثاني من +502 و ‎(+Pd2)‏ ‏تكون أنيون مختار من ل -ان ‎Br-‏ و- ‎ol‏ ‎A‏ تكون كاتيون بالصيغة +(4511/13)؛ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين» أو ‎C1 = C20‏ المااة8 به استيدال أو ليس به استيدال, 9ص ‎xX‏ تكون أنيون مختار من ل -ان ‎Br-‏ و- | 6و ‎X05 X‏ تكون عبارة عن أنيونات مختلفة. يمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على هاليد رصاص ‎lead halide‏ أو ‎alla‏ قصدير ‎tin‏ ‏56 ويمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الثانية على هاليد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium‏ ‎CARN‏
— q ‏اج‎ halide ion ‏حيث أيون الهاليد‎ « ethyl ammonium halide ‏هاليد إيثيل أمونيوم‎ J halide
في ‎sald)‏ المتفاعلة الأولى والمادة المتفاعلة الثانية يكون مختلقًا. ‎(We‏ تشتمل المادة المتفاعلة
الأولى على فلوريد قصدير ‎tin fluoride‏ وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على كلوريد ميثيل
أمونيوم ‎methylammonium chloride‏ « بروميد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium‏
‎bromide ©‏ أو يوديد ميثيل ‎methylammonium iodide ass‏ ؛
‏تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على كلوريد رصاص ‎lead chloride‏ أو كلوريد قصدير ‎lead‏
‏16 وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على بروميد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium‏
‎bromide‏ أو يوديد ‎Jie‏ أمونيوم ‎methylammonium iodide‏ ؛
‏تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على بروميد رصاص ‎lead bromide‏ أو بروميد قصدير ‎tin‏ ‎bromide | ٠‏ وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على كلوريد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium‏
‎chloride‏ أو يوديد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium iodide‏ ؛ أو
‎fin ‏أو بروميد قصدير‎ lead iodide ‏المتفاعلة الأولى على يوديد رصاص‎ sald Jai
‎bromide‏ وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على كلوريد ميثيل أمونيوم أو بروميد ميثيل أمونيوم.
‎(Jud)‏ تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على كلوريد رصاص وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على ‎Vo‏ يوديد ميثيل أمونيوم.
‏تنطبق هذه الأزواج من المركب ‎Wad‏ على طرق الترسيب ‎GAY‏ الخاصة ببروفسكيت؛ على
‏سبيل المثال؛ ترسيب محلول.
‏على نحو بديل؛ ‎A‏ يمكن أن تكون كاتيون أحادي التكافؤ غير عضوي. على سبيل ‎A JB‏
‏يمكن أن تكون كاتيون من ‎JB‏ مجموعة ‎١‏ مثل +08. ‎ANY‏ كانت غير عضوية؛ يمكن أن يكون ‎YS‏ الاثنين من أنيونات الهاليد في كل ‎sale‏ متفاعلة متشابهين أو مختلفين. على سبيل ‎(JE‏ يمكن
‏أن تشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الأولى على مركب أول ‎BX2‏ ويمكن أن تشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الثانية
‏على مركب ثان يكون عبارة عن ‎AX‏ حيث
‎IR
_ أ ‎q‏ _ ‎((Co2+) (Fe2+) (Mn2+) ((Ni2+) ((Cu2+) «(Cd2+) )52( )682+(‏ (+602) ‎(YB2+) (Sn2+) ((Pb2+) «(Sn2+) (Gel+)‏ و (+6027). يمكن اختيار الكاتيون الثاني من (+5027)؛ (+002) و (+002). ‎dale‏ يتم اختيار الكاتيون الثاني من +502 و ‎(+Pd2)‏ ‎X‏ تكون أنيون مختار من ل ‎Br— (Cl-‏ و- ‎od‏ ‎Cs+ SA ©‏ ‎xX‏ تكون أنيون مختار من ل ‎Br— (Cl-‏ و-ا 9% ‎X‏ و 7 تكونا متشابهتين أو مختلفتين . يمكن أن ينتج ترسيب البخار المزدوج باستخدام هذه المواد المتفاعلة طبقات من بروفسكيت بالصيغة ‎(I B)‏ كما هو مُعزْف ‎(Gru lad‏ على سبيل المثال ‎.CsSnBr3‏ على نحو بديل ؛» يمكن ‎٠‏ إنتاج ‎CsSNBr3-yly‏ (حيث لا تكون كما هو ‎Coles‏ في الصيغة || السابقة). يسمح ترسيب البخار المزدوج بتقنين معدل التبخير (الموضح هنا بالنانومتر لكل ثانية) من كل مكون؛ وبالتالي يؤدي الأمر إلى ترسيب أكثر تقنيئًا. ‎(Baas‏ يكون معدل التبخير الخاص بالمادة المتفاعلة الأولى (اختياريًا المشتملة على كاتيون فلز) من ‎٠009‏ إلى ‎١‏ نانومتر / ثانية؛ أو من 0 إلى ‎١,5‏ نانومتر / ثانية ويكون معدل التبخير الخاص بالمادة المتفاعلة الثانية (اختياريً ‎١‏ المشتملة على كاتيون عضوي) من ‎٠,١‏ إلى 7 نانومتر / ثانية أو من ‎١١‏ إلى ‎١‏ نانومتر / ثانية. يمكن التحكم في مقدار البروفسكيت المترسب عن طريق تغيير مقدار الزمن الذي يتم تفعيل الترسيب له. ‎clas‏ يمكن إجراء ترسيب البخار (إما في الحالات ذات المصدر الفردي أو الحالات مزدوجة المصادر) لمدة من © إلى 60 دقيقة أو من ‎٠١‏ إلى £0 دقيقة. سيعتمد زمن الترسيب على معدل التبخير المستخدم. ‎(We‏ يتم تفضيل مقدار زائد من المكون الثاني؛ ويمكن أن تبلغ ‎٠‏ النسبة المولارية الخاصة بالمادة المتفاعلة الأولى والمادة المتفاعلة الثانية المترسبة من ‎١ : ١‏ إلى ‎11:١‏ أو من ‎NTs) JE : ١‏ يمكن إيقاف ترسيب البخار عندما يتم الحصول على ‎Ss‏ ‏الطبقة المرغوب فيه.
_qy-— ‏باسكال؛ على سبيل‎ 000٠ ‏يتم بشكل عام إجراء ترسيب البخار في غرفة بضغط يبلغ أقل من‎ ‏ما تشتمل الخطوة الخاصة بوضع المنطقة الثانية على‎ fale ‏المثال أقل من 0000801 باسكال.‎ ‏المنطقة الأولى عن طريق ترسيب البخار بشكل إضافي على: )7( تسخين الطبقة الصلبة من‎ ‏البروفسكيت المنتج.‎ ‏ما تشتمل الخطوة الخاصة بتسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت على تسخين الطبقة‎ fae © ‏الصلبة من البروفسكيت في جو خامل. نمطيّاء لا تتجاوز درجة الحرارة التي عندها يتم تسخين‎ ‏يمكن تسخين الطبقة الصلبة من‎ (Jilly ‏درجة مثوية.‎ ١5١0 ‏الطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ ‏درجة مئوية؛ ويُفضل أن يتم‎ ١5١0 ‏إلى‎ Asie ‏درجة‎ Tr ‏البروفسكيت عند درجة حرارة تبلغ من‎ ‏درجة مثوية. يمكن تسخين الطبقة‎ ٠١١ ‏التسخين عند درجة حرارة تبلغ من 50 درجة مثوية إلى‎ ‏الصلبة من البروفسكيت عند درجة الحرارة المذكورة حتى يكون لها الخصائص شبه الموصلة‎ ٠ ‏دقيقة؛‎ ١0 ‏على الأقل‎ sad ‏المرغوب فيها. عادةً؛ يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ ‏ساعة. في بعض النماذج؛ يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ ١ ‏يُفضل لمدة على الأقل‎ ‏التي يمكن قياسها بواسطة الطرق‎ led ‏حتى يتم الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب‎ ‏الروتينية لقياس الموصلية والمقاومية. يتم في بعض الحالات تسخين الطبقة الصلبة من‎ ‏البروفسكيت حتى تتم ملاحظة تغير في اللون؛ يدلل التغير في اللون على أنه تم الحصول على‎ Vo ‏الخصائص شبه الموصلة المرغوب فيها. في حالة البروفسكيت ا©01131111350512؛ يكون التغير‎ ‏من الأصفر إلى البني.‎ Glass ‏في اللون‎ ‏يمكن ترسيب المنطقة الثانية على المنطقة الأولى بواسطة طريقة مشتملة على وضع طبقة صلبة‎ ‏من مركب أول (مادة منتجة لبروفسكيت أولى) على المنطقة الأولى؛ ثم معالجة الطبقة المترسبة‎ ‏(مادة منتجة لبروفسكيت ثانية). يمكن الإشارة إلى هذا باعتباره "الطريقة‎ OF ‏بمحلول من مركب‎ - ٠ ‏منتجة لبروفسكيت أولى عن طريق الترسيب‎ sale ‏ذات الخطوتين”. يمكن ترسيب الطبقة الصلبة من‎ ‏في وسط خوائي. ثم تتم معالجة هذه الطبقة الصلبة بمحلول من مادة منتجة لبروفسكيت ثانية. بعد‎ ‏ذلك تتفاعل المادة المنتجة الثانية في المحلول مع الطبقة الصلبة الموجودة من المادة المنتجة‎ ‏للبروفسكيت الأولى لإنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت. يمكن معالجة الطبقة الصلبة من محلول‎ ‏مادة منتجة لبروفسكيت أولى باستخدام محلول مشتمل على المادة المنتجة للبروفسكيت الثانية؛‎ Yo
CARN
‎q A —_‏ _ على سبيل المثال عن طريق غمس الطبقة الصلبة من ‎sale‏ منتجة لبروفسكيت أولى في محلول مشتمل على ‎sald)‏ المنتجة للبروفسكيت الثانية. يمكن أيضنًا معالجة الطبقة الصلبة من مادة منتجة لبروفسكيت أولى عن طريق وضع المحلول المشتمل على المادة المنتجة للبروفسكيت الثانية على الطبقة الصلبة من المادة المنتجة للبروفسكيت الأولى. © تكون المادة المنتجة للبروفسكيت الأولى عبارة عن مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون أول ‎(Y)s‏
‏أنيون أول وتكون المادة المنتجة للبروفسكيت الثانية عبارة عن مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(7) أنيون ثان. ‎fale‏ ما تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو معرّف في هذا الطلب للبروفسكيت؛ ويمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني متشابهين أو مختلفين ويمكن أن تكون كما هو معرّف في هذا الطلب للأنيونات الأول والثاني.
‎Ys‏ في أحد النماذج؛ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على: ‎)١(‏ تعريض المنطقة الأولى إلى بخارء يشتمل هذا البخار على مركب منتج للبروفسكيت أول؛ والسماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من المركب المنتج للبروفسكيت الأول عليها ¢ و ‎(Y)‏ معالجة الطبقة الصلبة الناتجة من المركب المنتج للبروفسكيت الأول باستخدام محلول مشتمل
‎V0‏ على مركب منتج للبروفسكيت ‎(off‏ وبالتالي تفاعل المركبات المنتجة للبروفسكيت الأول والثاني لإنتاج الطبقة المذكورة من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة, حيث يشتمل المركب المنتج للبروفسكيت الأول على ‎)١(‏ كاتيون أول و(7) أنيون أول ويشتمل المركب المنتج للبروفسكيت الثاني على ‎)١(‏ كاتيون ثان ‎(Y)5‏ أنيون ثان. يمكن أن يكون الكاتيون الأول, الأنيون الأول الكاتيون الثاني والأنيون الثاني كما هو مؤصف في
‎٠‏ أي مكان في هذا الطلب للبروفسكيت. في بعض الحالات؛ سيكون الكاتيون الأول هنا عبارة عن كاتيون فلز. في بعض الحالات سيكون الكاتيون الثاني هنا عبارة عن كاتيون عضوي. بناءً على ذلك؛ يمكن أن يشتمل المركب الأول على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ ويمكن أن يشتمل المركب الثاني على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(7)
‎CARN
‎q q —_‏ _ أنيون ثان. يُفضل أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافؤ. على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون مختار من ‎«(Sr2) ((Ca2+)‏ (+002)؛ ‎«(Fe2+) «(Mn2+) ¢(Ni2+) )02-(‏ هذه الكاتيونات؛ من المفضل أن يكون كاتيون الفلز ثنائي التكافؤ هو +062 أو (502+).
‏0 يمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني؛ التي قد تكون متشابهة أو مختلفة؛ عبارة عن أية أنيونات؛ ولكن يتم ‎laa‏ اختيارها من أيونات هاليد (على سبيل المثال؛ فلوريد؛ كلوريد؛ بروميد ويوديد) أو أيونات كالكوجنيد (على سبيل المثال؛ سلفيد؛ سيلينيد وتيلوريد). ‎lle‏ سيكون البروفسكيت المنتج عبارة عن بروفسكيت من هاليد مختلط أو كالكوجنيد مختلط وتكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أيونات هاليد أو أيونات
‎٠‏ كالكوجنيد. يُفضل أن تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات هاليد. ‎las‏ تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد. على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون الأنيون الأول والأنيون الثاني عبارة عن واحد من الأزواج التالية باعتبارها (الأنيون الأول : الأنيون الثاني) : (فلوريد : كلوريد)؛ (كلوريد : فلوريد)؛ (فلوريد : بروميد)؛ (بروميد : فلوريد)؛ (فلوريد : ‎VO‏ يوديد)؛ (يوديد : فلوريد)؛ (كلوريد : بروميد)؛ (بروميد : كلوريد)؛ (كلوريد : يوديد)؛ (يوديد :
‏كلوريد)؛ (بروميد : يوديد) أو (يوديد : بروميد). يمكن اختيار الكاتيرن العضري من ‎((RSNH3)+ ((RIR2R3RAN)+‏ أر ‎(RSR6N=CH-‏ ‎NRTR8)+‏ حيث من ‎RT‏ إلى ‎R8‏ يمكن أن تكون كما هو مُعرّف فيما سبق. ‎(Ble‏ يكون للمركب الأول الصيغة ‎BX2‏ ويكون للمركب الثاني الصيغة ‎AX‏ حيث ‎Yo‏ 8 تكون كاتيون مختار من ‎(Fe2+ (Mn2+ (Ni2+ (Cu2+ (Cd2+ (Sr2+ (Ca2+‏ +2و ‎Eu2+ 5 Yb2+ (+Pd2) 502+ 662+ 002+‏ ‎X‏ تكون أنيون مختار من ل ‎Br— (Cl-‏ و-ا 3 ‎o¥Y‏
ا ‎-١‏ ‎A‏ تكون كاتيون بالصيغة +(4511/13)؛ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين» أو ‎C1 = C20‏ المااة8 به استيدال أو ليس به استيدال, ‎xX‏ تكون أنيون مختار من ل ‎(Cl-‏ -+8 و-ا 9% ‎X75 X‏ تكون عبارة عن أنيونات متشابهة أو مختلفة.
‎(Ble oo‏ يمكن اختيار المركب المنتج للبروفسكيت الأول من فلوريد رصاص؛ كلوريد رصاص؛ بروميد رصاص؛ يوديد ‎pala)‏ فلوريد قصدير؛ كلوريد قصديرء بروميد قصدير؛ أو يوديد ‎Bhat. aad‏ يكون كلوريد رصاص أو يوديد رصاص. ‎lle‏ يتم اختيار المركب المنتج للبروفسكيت الثاني من فلوريد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium fluoride‏ » كلوريد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium chloride‏ « بروميد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium‏
‎bromide ٠‏ « يوديد_ميثيل أمونيوم ‎methylammonium iodide‏ « فلوريد إيثيل أمونيوم ‎ethylammonium fluoride‏ كلوريد إيثيل أمونيوم ‎€thylammonium chloride‏ » بروميد ‎Ji‏ أمونيوم ‎ethylammonium bromide‏ « أو يوديد إيثيل أمونيوم ‎ethylammonium‏ ‎Ula iodide‏ يكون يوديد ميثيل أمونيوم ‎.methylammonium iodide‏ ‎(Glas‏ يتم السماح باستمرار ترسيب البخار من المركب المنتج للبروفسكيت الأول حتى يكون
‎٠‏ للطبقة الصلبة من المركب الأول سلمك مرغوب فيه؛ على سبيل المثال ‎Sd‏ يبلغ من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء أو بصورة أكثر نمطية من ‎٠١‏ نانومتر إلى ‎٠١‏ ميكرومتر. يُفضل؛ يتم السماح باستمرار ترسيب البخار حتى يكون للطبقة الصلبة من المركب الأول ‎es‏ يبلغ من 50 نانومتر إلى ‎٠١‏ نانومترء أو على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎You‏ نانو مثر. على سبيل المثال؛ يمكن الاستمرار في الترسيب حتى يتم ترسيب تقريبًا من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١8‏
‎٠‏ تثانو متر من المركب الأول على المنطقة الأولى. يمكن أن يستمر ترسيب البخار حتى يكون للطبقة الصلبة من المركب المنتج للبروفسكيت الأول سلمك يبلغ من ‎Yoo‏ نانو متر إلى ‎Yoo‏ ميكرو متر أو من ‎Ye‏ نانو متر إلى ‎Yao‏ نانو متر . يمكن أن يكون معدل التبخير الخاص بالمركب الأول من ‎٠0.01‏ إلى ‎١‏ نانومتر / ثانية؛ أو من ‎١‏ إلى ‎١,5‏ نانومتر / ثانية. يتم إجراء ترسيب البخار بشكل عام في غرفة بضغط يبلغ أقل من
‎ER yy ‏باسكال. قد تبلغ درجة الحرارة التي‎ eens) ‏باسكال؛ على سبيل المثال أقل من‎ 860 ‏درجة‎ You ‏درجة مئوية؛ أو من‎ ٠0٠0 ‏درجة مئوية إلى‎ Yoo ‏يتم ترسيب المركب الأول من‎ baie
Aggie ‏درجة‎ You ‏مثوية إلى‎ ‏نمطيًاء تشتمل الخطوة )1( الخاصة بتعريض الطبقة الصلبة الناتجة من المركب الأول إلى محلول‎ ‏مشتمل على مركب ثان للسماح بتكوين المنطقة الثانية على غمس الطبقة التحتية المشتملة على‎ © ‏الطبقة الصلبة من المركب الأول في المحلول المشتمل على المركب الثاني لوقت كافي لتكوين‎ ‏المنطقة الثانية؛ أي؛ الطبقة الخاصة ببروفسكيت شبه موصل بدون مسام مفتوحة. يمكن أن تشتمل‎ ‏الخطوة )7( على غمس الطبقة التحتية المشتملة على الطبقة الصلبة من المركب الأول في‎
Ka ‏دقيقة.‎ ١١5 ‏دقيقة؛ أو من © إلى‎ Te ‏إلى‎ ١ ‏المحلول المشتمل على المركب الثاني لمدة من‎ ‏الإشارة إلى غمس الطبقة التحتية المشتملة على الطبقة الصلبة من المركب الأول في المحلول‎ ٠ ‏المشتمل على المركب الثاني باعتباره طلاء بالغمس.‎ ‏يشتمل المحلول المشتمل على المركب المنتج للبروفسكيت الثاني على مذيب والمركب الثاني.‎ ‏يمكن أن يكون المذيب عبارة عن أي مذيب معرّف في هذا الطلب. يمكن أن يكون المذيب عبارة‎ ‏أو أيزو بروبانول‎ ethanol ‏إيثانول‎ + dimethylformamide ‏ميثيل فورماميد‎ glo ‏عن‎ ‏8001م150000. يمكن أن يكون المذيب عبارة عن أيزو بروبانول. يمكن أن يكون تركيز المركب‎ ١ ‏مجم / مل.‎ ٠ ‏إلى‎ ٠١ ‏مجم / مل أو من‎ ٠ ‏الثاني في المذيب من © إلى‎ ‏بعد تعريض الطبقة الصلبة الناتجة من المركب المنتج للبروفسكيت الأول إلى محلول مشتمل على‎ ‏عن طريق الطلاء بالغمس)؛ يمكن‎ JE ‏سبيل‎ lo) ‏مركب ثان للسماح بتكوين المنطقة الثانية‎ ‏إلى‎ Asie ‏درجة‎ Av ‏يمكن تسخين الطبقة التحتية عند من‎ (JB) ‏تلدين الطبقة التحتية. على سبيل‎ ‏درجة مئوية. يمكن تسخين الطبقات التحتية‎ ١٠5١ ‏درجة مئوية إلى‎ ٠٠١ ‏درجة مئوية أو من‎ 700 ٠ ‏دقيقة. يمكن تلدين الطبقات التحتية في جو من‎ Vo ‏دقيقة؛ أو من 5 إلى‎ ٠0 ‏إلى‎ ١ ‏لمدة من‎ ‏النيتروجين.‎ ‏يمكن استخدام طرق الترسيب بمحلول لترسيب المنطقة الثانية على المنطقة الأولى. وبالتالي؛ في‎ ‏بعض النماذج؛ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على:‎
CARN
_ \ ٠ \ —_
‎)١(‏ وضع واحد أو أكثر من محاليل المادة المنتجة على المنطقة الأولى؛ يشتمل الواحد أو أكثر
‏من محاليل ‎sald)‏ المنتجة هذا على: البروفسكيت المذكور المذاب في مذيب؛ أو واحدة أو أكثر من
‏المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور المذاب في واحد أو أكثر من المذيبات؛ و
‎(Y)‏ إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات لإنتاج على المنطقة الأولى طبقة صلبة من البروفسكيت.
‏0 مرة أخرى؛ يمكن أن يكون البروفسكيت ‎Ble‏ عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في
‏هذا الطلب من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛» ويكون نمطيًا بروفسكيت
‏بالصيغة (ا)؛ ‎(IA)‏ أو )11( كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب.
‎(Kay lay‏ أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور على أنواع
‏المادة المتفاعلة التي تمت مناقشتها فيما سبق للعملية الخاصة بتخليق مركبات البروفسكيت. وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على:
‏0 مركب أول مشتمل على ) ‎١‏ ( كاتيون أول و ) ‎Y‏ ( أنيون ‎Js‏ ¢ و
‏(ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(؟) أنيون ثان؛
‏كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز ‎Ve‏ بشكل أكثر تحديدًاء يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على:
‏(أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ مع
‏(ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(؟) أنيون ثان؛
‏حيث تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد أو أنيونات
‏كالكوجنيد؛ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم ‎٠‏ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. يمكن أن يكون الكاتيون العضوي كما هو
‏معرّف ‎Lad‏ سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج البروفسكيت.
‎CARN
‎٠ ".-‏ \ _ على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون هاليد أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون هاليد ثان؛ حيث تكون أنيونات الهاليد الأول ‎SBI‏ عبارة عن أنيونات هاليد مختلفة؛ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب 0 للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة نمطيًا على (أ) ‎Pbl2‏ و(ب) ‎.CH3NH3CI‏ ‎(Glas‏ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على: ‎)١(‏ وضع محلول مادة منتجة على المنطقة الأولى؛ يشتمل محلول ‎sald)‏ المنتجة هذا على ‎١ ٠‏ البروفسكيت المذكور المذاب في مذيب؛ 3 ‎A) (Y)‏ المذيب لإنتاج على المنطقة الأولى طبقة صلبة من البروفسكيت. يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا الطلب من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ويكون نمطيًا بروفسكيت بالصيغة ‎(I)‏ ‎(IA)‏ أو (ال) كما هو معرّف ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. ‎dale Vo‏ تشتمل الخطوات الخاصة ب ‎)١(‏ وضع محلول مادة منتجة على المنطقة الأولى» و() إزالة المذيب؛ على الطلاء المغزلي أو الطلاء بخضاب من خلال شق لمحلول أو محاليل المادة المنتجة على المنطقة الأولى؛ لإنتاج على المنطقة الأولى الطبقة الصلبة المذكورة من البروفسكيت. نمطيًّا؛ يتم إجراء عملية الطلاء المذكورة في جو ‎TEMES‏ على سبيل المثال في جو من النيتروجين . ‎Lae‏ ‏يتم إجراء الطلاء المغزلي عند سرعة تبلغ من ‎٠٠٠١‏ إلى ‎٠008٠0‏ لفة في الدقيقة. يتم نمطيًا إجراء ‎٠‏ _ الطلاء المغزلي لمدة من ‎١‏ ثانية إلى ؟ دقيقة. يمكن ترسيب محلول أو محاليل المادة المنتجة عن طريق الطلاء المغزلي على المنطقة الأولى لإنتاج على المنطقة الأولى الطبقة الصلبة المذكورة من البروفسكيت. ‎CARN‏ yee ‏يتم إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل المادة المنتجة على المنطقة الأولى وإزالة‎ ‏على سبيل‎ cad ‏مرغوب‎ dd ‏المذيب أو المذيبات حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ ‏متر‎ sil ٠١ ‏بصورة أكثر نمطية من‎ Jie ‏ميكرو‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠١ ‏يبلغ من‎ eld JE ‏يمكن إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل‎ JB ‏ميكرو متر. على سبيل‎ ٠١ ‏إلى‎ ‏المذيب أو المذيبات حتى يكون للطبقة الصلبة من‎ Aly JY) ‏المادة المنتجة على المنطقة‎ 5 ٠٠١ ‏نانو مترء أو على سبيل المثال من‎ ٠٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠٠ ‏يبلغ من‎ elds ‏البروفسكيت‎ ‏نانو متر.‎ 70١0 ‏متر إلى‎ gl ‏يمكن إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل المادة المنتجة على المنطقة الأولى وإزالة‎ ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏المذيب أو المذيبات حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت مك يبلغ من‎ ‏نانو متر.‎ 70١8 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏ميكرو مترء أو من‎ ٠١١ ٠ ‏ما تشتمل الخطوة الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى (عن طريق ترسيب‎ dale ‏محلول) بشكل إضافي على: )1( تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت المنتج.‎ ‏ما تشتمل الخطوة الخاصة بتسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت على تسخين الطبقة‎ ile ‏يتم تسخين‎ baie ‏الصلبة من البروفسكيت في جو خامل. نمطيًاء لا تتجاوز درجة الحرارة التي‎ ‏يمكن تسخين الطبقة الصلبة من‎ (Jilly ‏درجة مثوية.‎ ١560 ‏الطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ ١ ‏درجة مئوية؛ ويُفضل أن يتم‎ ١5١0 ‏إلى‎ Asie ‏درجة‎ Tr ‏البروفسكيت عند درجة حرارة تبلغ من‎ ‏درجة مثوية. يمكن تسخين الطبقة‎ ٠١١ ‏تسخين عند درجة حرارة تبلغ من 50 درجة مثوية إلى‎ ‏الصلبة من البروفسكيت عند درجة الحرارة المذكورة حتى يكون لها الخصائص شبه الموصلة‎ ‏دقيقة؛‎ ١0 ‏على الأقل‎ sad ‏المرغوب فيها. عادةً؛ يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ ‏ساعة. في بعض النماذج؛ يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ ١ ‏يُفضل لمدة على الأقل‎ ٠ ‏التي يمكن قياسها بواسطة الطرق‎ dled ‏حتى يتم الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب‎ ‏الروتينية لقياس الموصلية والمقاومية. يتم في بعض الحالات تسخين الطبقة الصلبة من‎ ‏البروفسكيت حتى تتم ملاحظة تغير في اللون؛ يدلل التغير في اللون على أنه يتم الحصول على‎ ‏الخصائص شبه الموصلة المرغوب فيها. في حالة البروفسكيت ا©01131111350512؛ يكون التغير‎ ‏في اللون نمطيًا من الأصفر إلى البني.‎ YO
CARN
مج \ _
في بعض النماذج الخاصة بالعملية الخاصة بالاختراع (على سبيل المثال؛ عندما ‏ لا يكون
بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا الخاصة بالجهاز التي يتم إنتاجها ‎Bale‏ دعم مؤقتة)؛ تتكون المنطقة
الثانية من الطبقة المذكورة من شبه الموصل من البروفسكيت المذكور بدون مسام مفتوحة.
في نموذج ‎AT‏ من العملية الخاصة بالاختراع» مع ذلك؛ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة
© على:
المنطقة من النوع ‎N‏ المذكورة؛
المنطقة من النوع م المذكورة؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من النوع 7 والمنطقة من النوع 0 وضع:
‎daha ( ١ )‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ؛و
‎(Y)‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى ‎Sad‏ حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة ‎٠‏ المذكورة من ‎Bale‏ شبه ‎Alia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛
‏حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه
‏الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى؛
‏ون تشتما 1 ا لعملية على:
‏(أ) توفير المنطقة الأولى المذكورة؛ ‎Vo‏ (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة الأولى؛ حيث تشتمل المنطقة الثانية على:
‎daha ( ١ )‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ؛و
‏)( طبقة تغطية على الطبقة الأولى ‎3S)‏ حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من
‏مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من
‏البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة ‎Yo‏ الأولى؛ و
‏)7( وضع المنطقة الثالثة المذكورة على المنطقة الثانية.
‎CARN
‎٠ h —_‏ \ _ بشكل عام؛ تكون مادة الدعم المؤقتة مسامية وتشتمل الطبقة الأولى المذكورة على شبه موصل من البروفسكيت المذكور موضوع في مسام مادة الدعم المؤقتة. وبالتالي؛ نمطيًا 3 في هذا النموذج؛ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة الأولى على: ‎(V)‏ وضع مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى؛ و ‎)١( ©‏ وضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع بشكل إضافي البروفسكيت المذكور على الطبقة الأولى لإنتاج طبقة التغطية المذكورة. ‎dale‏ يتم إجراء "وضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة واوضع بشكل إضافي" البروفسكيت المذكور على الطبقة الأولى ‎le‏ في خطوة فردية؛ على سبيل ‎JED‏ عن طريق ترسيب محلول الخطوة أو عن طريق ترسيب البخار. نمطيًا يتم إجراؤهما عن طريق ترسيب محلول. ‎٠‏ نمطيّاء تشتمل الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى على: وضع تركيبة مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى؛ تشتمل تركيبة ‎sale‏ الدعم المؤقتة هذه على ‎sake‏ الدعم المؤقتة؛ واحد أو أكثر من المذيبات؛ واختياريًا عامل ربط؛ و إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات و؛ عند وجوده؛ عامل الربط. نمطيًا يكون عامل الربط ‎Ble‏ عن بوليمر عامل ربط؛ ‎(Jie‏ على سبيل المثال؛ إيثيل سيليلوز. ‎Vo‏ تشتمل هذه اللخطوة نمطيًا على الطباعة من شاشة؛ تركيب النصال الخاصة بالأطباء؛ الطلاء بخضاب من خلال شق أو الطلاء المغزلي تركيبة مادة الدعم المؤقتة على المنطقة الأولى. يتم ‎Uae‏ تسخين الأغشية الرقيقة لاحقًاء إما وصولاً إلى درجة حرارة تبلغ حوالي ‎5٠٠‏ درجة مئوية (وعادةً ما يتم الحفاز عليها ‎sad‏ حوالي ‎9٠‏ دقيقة) من أجل تحليل وازالة أي أي عامل ربط من بوليمر موجود (التلبيد عند درجة حرارة عالية)؛ أو؛ في ظل غياب عامل ربط؛ تم تسخينها نمطي ‎٠‏ وصولاً لحوالي ‎١7١‏ درجة مئوية والحفاظ عليها لمدة حوالي ‎9٠0‏ دقيقة (التلبيد عند ‎Sha dap‏ منخفضة). ثم تم نمطيًا تبريد الطبقات التحتية لترسيب محلول البروفسكيت. ‎CARN‏
ل ‎٠‏ \ _ وبالتالي؛ تشتمل ‎Sale‏ الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع مادة الدعم المؤقتة على المنطقة الأولى بشكل إضافي على تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة. هناك أمر مهم فيما يتعلق بالمعالجة منخفضة درجة الحرارة لطبقة مادة الدعم المؤقتة متوسطة المسام يكمن في عدم وجود عامل ربط من بوليمر قابل للتحلل حراريًا في عحين بجسيمات بحجم النانو أثناء الترسيب. ‎Va‏ ن ذلك؛ يتم ترسيب الجسيمات بحجم النانو من مشتت غراوني في واحد أو أكثر من المذيبات. عند درجات حرارة منخفضة؛ يُعتقد أن الالتصاق فيما بين الجسيمات وبالطبقة التحتية يستمر عن طريق ‎AY)‏ الماء من مجموعات الهيدروكسيد السطحية ‎surface‏ ‎:hydroxide‏ ‎[T.
Miyasaka et al., Journal of the Electrochemical Society, vol. 154, p.‏ ‎A455, 2007]. ٠‏ عرض المخترعون أيضنًا أنه يمكن ضبط المسامية عن طريق خلط اثنين من المذيبات ‎solvents‏ ‏في المشتت ‎dispersion‏ بقيم لزوجة ونقاط غليان مختلفة. وبالتالي؛ في نموذج مفضل؛ لا تشتمل تركيبة مادة الدعم المؤقتة على عامل ربط ولا تتجاوز درجة الحرارة التي عندها يتم تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة ‎Yoo‏ درجة مثوية. ‎١‏ والتالي؛ نمطيًا؛ تشتمل الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى على: وضع تركيبة مادة دعم مؤقتة على المنطقة ‎(JY)‏ تشتمل تركيبة مادة الدعم المؤقتة هذه على مادة الدعم المؤقتة وواحد أو أكثر من المذيبات؛ و إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات. ‎dale‏ تشتمل الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع مادة الدعم المؤقتة على المنطقة الأولى بشكل إضافي ‎٠‏ على تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة وصولاً إلى درجة حرارة لا تتجاوز ‎١5١‏ درجة مئوية. نمطيّاء يتم تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة وصولاً إلى درجة حرارة تبلغ من 60 درجة مئوية إلى ‎٠‏ درجة مئوية. يتم تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة وصولاً إلى درجة الحرارة المذكورة لوقت ملاثم؛ على سبيل المثال حتى تتم إزالة كل المذيبات. ‎Ghat‏ يتم تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة
“yA ‏وصولاً إلى درجة الحرارة المذكورة لمدة على الأقل 0 دقيقة؛ بصورة أكثر نمطية لمدة على الأقل‎
Aad ٠0 ‏ساعة؛ أو لمدة على الأقل‎ ١ ‏الدعم المؤقتة على المنطقة الأولى حتى يكون‎ sale ‏الخاصة بوضع‎ )١( ‏يتم إجراء الخطوة‎ dale ‏الدعم المؤقتة التي يتم وضعها على المنطقة الأولى مثمك مرغوب فيه؛ على سبيل المثال‎ sald ‏نانو متر إلى 700 نانو متر.‎ Ye ‏من‎ dam fle ‏نانو‎ 50٠0 ‏يبلغ من © نانومتر إلى‎ elds 5 ‏يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة المستخدمة في تركيبة مادة الدعم المؤقتة كما هو معرّف فيما‎ ‏سبق للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. غالبًا؛ تكون مادة الدعم المؤقتة المستخدمة‎ alumina ‏أو ألومينا‎ titania ‏عبارة عن التيتانيا‎ ‏يمكن أن يشتمل الواحد أو أكثر من المذيبات المستخدمة في تركيبة مادة الدعم المؤقتة على خليط‎ ‏اثنين أو أكثر المذيبات بقيم لزوجة ونقاط غليان مختلفة؛ على سبيل المثال خليط من اثنين من‎ ge Ys ‏المذيبات بقيم لزوجة ونقاط غليان مختلفة. يكون استخدام اثنين أو أكثر المذيبات بقيم لزوجة ونقاط‎ ‏إذ قد عرض المخترعون أنه يمكن ضبط المسامية الخاصة بمادة الدعم‎ ibe ‏غليان مختلفة‎ ‏المؤقتة الموضوعة على المنطقة الأولى عن طريق تنويع النسبة الخاصة بالاثنين أو أكثر من‎ ‏المذيبات. يمكن على سبيل المثال أن يشتمل الاثنين أو أكثتر من المذيبات على اثنين أو أكثر من‎ ‏.مواد كحولية مختلفة؛ على سبيل المثال اثنين من مواد كحولية مختلفة. وبالتالي؛ على سبيل‎ ١ ‏يمكن أن يشتمل الاثنين أو أكثر من المذيبات على اثنين من المذيبات المختارة من إيثانول‎ (Jal ‏؛ أو من إيثانول‎ terpineol ‏وتربينيول‎ butanol ‏بيوتانول‎ « propanol ‏بروبانول‎ « ethanol ‏وتربينيول‎ tert-butanol ‏بيوتانول‎ - t « iso—propanol ‏؛ أيزو — بروبانول‎ ethanol . terpineol ‏الخاصة بوضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة‎ oY) ‏تمطيّاء يتم إجراء الخطوة‎ ٠ ‏من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع بشكل إضافي البروفسكيت المذكور على الطبقة‎ ‏على سبيل‎ cad ‏مرغوب‎ eles ‏الأولى لإنتاج طبقة التغطية المذكورة حتى يكون لطبقة التغطية‎ ٠١ ‏ميكرومتر»ء أو بصورة أكثر نمطية مثمك يبلغ من‎ ٠٠١ ‏نانومتر إلى‎ ٠١ ‏يبلغ من‎ old ‏المثال‎ ‎CARN
‎٠ q —_‏ \ _ نانو متر إلى ‎١١‏ ميكرومتر يُفضل من ‎Orv‏ نانو متر إلى ‎٠١‏ نانو متر 3 أو على سبيل المثال ‎Sle‏ يبلغ من ‎Yeo‏ نانو متر إلى ‎You‏ نانو متر. يمكن استخدام طرق الترسيب بمحلول لترسيب البروفسكيت المذكور في مسام ‎sale‏ الد عم المؤقتة من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع البروفسكيت المذكور الإضافي على الطبقة الأولى 0 الإنتاج طبقة التغطية المذكورة. وبالتالي» في بعض النماذج؛ تشتمل الخطوة ‎oY)‏ الخاصة بوضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع بشكل إضافي البروفسكيت المذكور على الطبقة الأولى لإنتاج طبقة التغطية المذكورة» على: وضع واحد أو أكثر من محاليل المادة المنتجة على مادة الدعم المؤقتة؛ يشتمل الواحد أو أكثر من محاليل المادة المنتجة هذا على: البروفسكيت المذكور المذاب في مذيب؛ أو واحدة أو أكثر من ‎٠‏ المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور المذاب في واحد أو أكثر من المذيبات؛ و إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات لإنتاج البروفسكيت الصلب في مسام مادة الدعم المؤقتة وطبقة تغطية صلبة من البروفسكيت موضوعة على الطبقة الأولى. يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا الطلب من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ويكون نمطيًا بروفسكيت بالصيغة ‎(I)‏ ‎(IA) ١‏ أو (ال) كما هو معرّف ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. أيضًاء ‎(Kay‏ أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور على أنواع المادة المتفاعلة التي تمت مناقشتها فيما سبق للعملية الخاصة بتخليق مركبات البروفسكيت. وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: 0 مركب أول مشتمل على ) ‎١‏ ( كاتيون أول و ) ‎Y‏ ( أنيون ‎Js‏ ¢ و ‎Yo‏ (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ‎(Y)s ob‏ أنيون ثانء كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز ‎CARN‏
_ \ \ «=
بشكل أكثر تحديدًاء يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على:
(أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ مع
(ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(؟) أنيون ثان؛
حيث تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد أو أنيونات © كالكوجنيد؛ كما هو معزف ‎lad‏ سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم
على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على:
(أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون هاليد أول؛ مع
(ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون هاليد ثان؛ حيث تكون أنيونات
‎٠‏ الهاليد الأول والثاني عبارة عن أنيونات ‎alle‏ مختلفة؛ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة نمطيًا على (أ) ‎PbI2‏ و(ب) ‎.CH3NH3CI‏
‎١‏ تمطيًاء تشتمل الخطوة (7)؛ الخاصة بوضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع بشكل إضافي البروفسكيت المذكور على الطبقة الأولى لإنتاج طبقة التغطية المذكورة؛ على: وضع محلول مادة منتجة على ‎ale‏ الدعم ‎Asal‏ يشتمل محلول المادة المنتجة هذا على
‎٠‏ إنالة المذيب لإنتاج البروفسكيت الصلب في مسام مادة الدعم المؤقتة وطبقة تغطية صلبة من البروفسكيت موضوعة على الطبقة الأولى.
‎CARN
ARR Es ‏يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا الطلب‎ (I) ‏من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ويكون نمطيًا بروفسكيت بالصيغة‎ ‏سبق في هذا الطلب.‎ Led ‏أو (ال) كما هو معرّف‎ (IA) ‏الدعم المؤقتة؛ وإزالة المذيب‎ sale ‏تشتمل الخطوات الخاصة بوضع محلول مادة منتجة على‎ dale ‏أو المذيبات؛ على الطلاء المغزلي أو الطلاء بخضاب من خلال شق لمحلول أو محاليل‎ solvent © ‏المذكور‎ solid perovskite ‏المادة المنتجة على مادة الدعم المؤقتة؛ لإنتاج البروفسكيت الصلب‎ ‏في مسام مادة الدعم المؤقتة وطبقة التغطية الصلبة المذكورة من البروفسكيت الموضوعة على‎ ‏يتم إجراء عملية الطلاء في جو خامل 1061 ؛ على سبيل المثال في جو‎ (Ghat ‏الطبقة الأولى.‎ ‏يمكن إجراء الطلاء المغزلي على سبيل المثال عند سرعة تبلغ من‎ nitrogen ‏من النيتروجين‎ ‏ثانية إلى ؟‎ Ye ‏إلى 70060 لفة في الدقيقة. الطلاء المغزلي يتم نمطيًا إجراء لمدة من‎ ٠١0١ ٠ ‏دقيقة.‎ ‏الدعم المؤقتة وإزالة‎ sale ‏يتم إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل المادة المنتجة على‎ ‏مرغوب فيه؛ على‎ dd ‏المذيب أو المذيبات حتى يكون لطبقة التغطية الصلبة من البروفسكيت‎ ٠١ ‏ميكرو مترء أو بصورة أكثر نمطية من‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠١ ‏سبيل المثال مثمك يبلغ من‎ ‏نانو مترء‎ ٠٠٠١ ‏متر إلى‎ glo ‏ميكرو مترء أو؛ على سبيل المثال؛ من‎ ٠١ ‏إلى‎ ie ‏نانو‎ Vo ‏نانو متر.‎ 0١0 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏يُفضل من‎ ‏تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة الأولى بشكل‎ dale ‏إضافي على: () تسخين البروفسكيت.‎ ‏الخطوة الخاصة بتسخين البروفسكيت على تسخين البروفسكيت في جو خامل؛‎ Jas ‏ما‎ fale ‏على سبيل المثال في جو من النيتروجين. نمطيًّاء لا تتجاوز درجة الحرارة التي عندها يتم تسخين‎ ٠
Vo ‏درجة مثوية. وبالتالي» يمكن تسخين البروفسكيت عند درجة حرارة تبلغ من‎ ١5١ ‏البروفسكيت‎ ‏درجة مئوية؛ ويُفضل أن يتم تسخينه عند درجة حرارة تبلغ من 50 درجة‎ ١٠5١ ‏درجة مئوية إلى‎ ‏يمكن تسخين البروفسكيت عند درجة الحرارة المذكورة حتى يكون لها‎ Aggie ‏درجة‎ ٠١١ ‏مثوية إلى‎
Vo ‏يتم تسخين البروفسكيت لمدة على الأقل‎ dale ‏الخصائص شبه الموصلة المرغوب فيها.‎
CARN
-١١١-
دقيقة؛ يُفضل ‎sad‏ على الأقل ‎١‏ ساعة. في بعض النماذج؛ يتم تسخين البروفسكيت حتى يتم
الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب ‎dled‏ التي يمكن قياسها بواسطة الطرق الروتينية
لقياس الموصلية والمقاومية. يتم في بعض الحالات تسخين البروفسكيت حتى تتم ملاحظة تغير
في اللون؛ يدلل التغير في اللون على أنه قد تم الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب © فيها. في حالة البروفسكيت ‎«CH3NH3PDI2CH‏ يكون التغير في اللون ‎aa‏ من الأصفر إلى
البني.
‎die‏ في العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري يتم وضع المنطقة الأولى على
‏إلكترود أول. أي؛ عادةً ما يتم وضع المنطقة الأولى بالفعل على إلكترود أول.
‏يمكن أن تشتمل العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري؛ مع ذلك؛ بشكل إضافي
‎٠‏ على خطوة ل: وضع المنطقة الأولى على إلكترود أول. يتم إجراء هذه الخطوة بشكل عام قبل الخطوة الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى. تكون الإلكترودات الأول والثاني عبارة عن آنود وكاثود؛ يكون واحد منهما أو كلاهما ‎Blas‏ للسماح بدخول الضوء. يمكن أن يعتمد اختيار الإلكترودات الأول والثاني على نوع البنية.
‎١5‏ تمطيّاء يكون الإلكترود الأول الذي يتم وضه المنطقة الثانية عليه عبارة عن أكسيد قصدير» بصورة أكثر نمطية ‎Lode (FTO)‏ يكون مادة شفافة أو شبه شفافة. وبالتالي؛ عادةً ما يكون الإلكترود الأول ‎Blas‏ أو شبه شفاف ونمطيًا يشتمل ‎Bale FTO‏ يكون ‎dl‏ الإلكترود الأول من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎Tee‏ نانو مثرء بصورة أكثر اعتيادية؛ من ‎٠٠١‏ إلى ‎Ou‏ نانو مثر. على سبيل المثال قد يبلغ المثمك 5080 نانو متر. ‎(haat‏ يتم طلاء ‎FTO‏ على لوح من الزجاج. ‎We‏ يتم تنميش
‏9ص الزجا ‎z‏ المطلي بألوا ‎z‏ رقيقة من ‎FTO‏ باستخد ‎a‏ مسحوق زنك وحمض لإنتا ‎z J ga z‏ الإلكترود المطلوب. ‎Sale‏ ما يكون الحمض هو حمض الهيدروكلوريك ‎.(HCI') Hydrochloric acid‏ ‎We‏ يبلغ تركيز حمض الهيدروكلوريك ا16. حوالي ؟ مولار. نمطيًاء يتم تنظيف الألواح الرقيقة ثم عادةً ما تتم معالجتها في جو من بلازما الأكسجين ‎oxygen plasma‏ لإزالة أية مواد متبقية عضوية. ‎Bale‏ تون المعالجة في جو من بلازما الأكسجين ‎sad‏ أقل من أو تساوي ‎١‏ ساعة؛
‎CARN
-١٠-
Oe ‏حوالي © دقائق. يمكن أن تكون الإلكترودات الأول والثاني كما هو مؤؤصف في أي‎ Glad
SITO FTO ‏في هذا الطلب من قبل؛ على سبيل المثال يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على‎
AZO
‏تشتمل الخطوات الخاصة بوضع المنطقة الأولى على إلكترود أول ووضع المنطقة الثالثة على‎ ‏أي؛ ترسيب الواحدة أو أكثر من‎ an ‏على ترسيب المناطق من النوع م ومن النوع‎ dul ‏المنطقة‎ ‏الطبقات من النوع 0 وترسيب الواحدة أو أكثر من الطبقات من النوع 0. قد تكون المناطق من‎ ‏والواحدة أو أكثر من الطبقات من النوع | والواحدة أو أكثر من الطبقات من‎ ng sill ‏النوع © ومن‎ ‏سبق في هذا الطلب.‎ Led ‏كما هو مُعرّف بشكل إضافي‎ en ‏النوع‎ ‏يمكن؛ على سبيل المثال؛ أن تشتمل الخطوة الخاصة بترسيب طبقة من مركب غير عضوي من‎ ‏نوع 0 أو من نوع 7 على ترسيب الطبقة عن طريق الطلاء المغزلي أو عن طريق الطلاء بخضاب‎ Ve ‏من خلال شق لمركب أو مادة منتجة له؛ أو عن طريق التحليل المائي بالرش. على سبيل المثال؛‎ ‏يمكن إنتاج طبقة مضغوطة من التيتانيا بواسطة الطلاء المغزلي لمحلول (معتدل) من تيتانيوم‎ .ethanol ‏حمض في مذيب ملائم؛ مثل إيثانول‎ isopropoxide ‏أيزو بروبوكسيد‎ — titanium ‏يمكن تحضير هذا المحلول عن طريق خلط تيتانيوم- أيزو بروبوكسيد وإيثانول لامائي مع‎ ‏في إيثانول لامائي. بعد الطلاء المغزلي؛ يتم نمطيًا تجفيف الطبقة عند درجة‎ WHOL ‏محلول من‎ Vo 5060 ‏درجة مئوية. اختياريًا» تم تسخين الطبقة المضغوطة لاحقًا وصولاً إلى‎ ٠5١ ‏حرارة لا تتجاوز‎ ‏درجة مئوية لمدة 30 دقيقة على طبق ساخن في الهواء. على نحو بديل؛ يمكن إنتاج هذه الطبقة‎ ‏المضغوطة عن طريق؛ الترسيب بالتحليل المائي بالرش. سيشتمل هذا نمطيًا على ترسيب محلول‎ titanium | ) ‏مشتمل على تيتانيوم داي أيزو بروبوكسيد بيس ( اسيتيل كتيونيات‎ ٠٠١0 ‏إلى‎ ٠٠9 ‏عند درجة حرارة تبلغ من‎ Sle «diisopropoxide bis(acetylacetonate) ٠ ‏يشتمل المحلول على‎ Ble ‏درجة مئوية.‎ You ‏عند درجة حرارة تبلغ حوالي‎ Wl ‏درجة مئوية؛‎ titanium diisopropoxide ) ‏تيتانيوم داي أيزو بروبوكسيد بيس ( اسيتيل كتيونيات‎ ‏بصورة‎ Yo : ١ ‏إلى‎ © : ١ ‏؛ نمطيًا بنسبة من‎ ethanol ‏و إيثانول‎ cbis(acetylacetonate) .٠١ : ١ ‏أكثر نمطية بنسبة حوالي‎
CARR
-١١4- ‏يمكن تطبيق هذه الطرق على مواد غير عضوية من النوع م أو من النوع © أخرى؛ لإنتاج طبقات‎ ‏ومن نوع م في الأجهزة الإلكترونية البصرية الخاصة بالاختراع.‎ N ‏من نوع‎ ‏ناقلة لإلكترون عضوية؛ جزيئية؛ أو بوليمرية عن طريق‎ Sale ‏يمكن تنفيذ ترسيب مادة ناقلة لتقب أو‎ ‏الطلاء المغزلي لمحلول من المادة في مذيب ملائم. تتم نمطيًا إذابة المادة الناقلة للتقب من النوع‎ ‏يبلغ‎ Sale chlorobenzene ‏على سبيل المثال؛ في كلورو بنزين‎ spiro-OMeTAD © © ‏مجم / مل؛ بصورة أكثر اعتيادية‎ YYO ‏إلى‎ ١5١ ‏في كلورو بنزين من‎ 5010-01/61/0 <j ‏ناقلة‎ sale ‏إضافة إلى مادة ناقلة للثقب أو‎ sale ‏مجم / مل. يمكن إضافة‎ ١88 ‏يبلغ التركيز حوالي‎ : ‏عبارة عن‎ (JE ‏الإضافة؛ على سبيل‎ sale ‏يمكن أن تكون‎ ٠ ‏لإلكترون‎ ‏أ175-ناء سائل أيوني أو سائل أيوني مع هاليد مختلط (مركبات‎ «BP (tert-butylpyridine) ‏هاليد مختلط).‎ ٠ ‏يمكن أن تشتمل العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري بشكل إضافي على: (د)‎ ‏وضع إلكترود ثان على المنطقة الثالثة.‎ amd ‏ذهب؛‎ JE ‏التشغيل؛ على سبيل‎ Je ‏يشتمل الإلكترود الثاني على فلز وظيفي‎ dale ‏نانو متر إلى‎ ٠٠ ‏يكون مك الإلكترود الثاني من‎ Bale ‏نيكل؛ بالاديوم أو بلاتين؛ ونمطيًا فضة.‎ ‏نانومتر. على سبيل المثال؛ قد‎ Yoo ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏0©؟ نانومتر؛ بصورة أكثر اعتيادية من‎ ١ ‏نانو متر.‎ ١5١ ‏الإلكترود الثاني‎ eles ‏يبلغ‎ ‏تشتمل‎ »٠ We . ‏يتم نمطيًا وضع الإلكترود الثاني على المنطقة الثالثة عن طريق ترسيب البخار‎ ‏الخطوة الخاصة بإنتاج إلكترود ثان على وضع غشاء رقيق مشتمل على المادة الناقلة للتقب في‎ ‏تشتمل الخطوة الخاصة بإنتاج إلكترود ثان على ترسيب الإلكترود الثاني من‎ dale ‏مبخر حراري.‎ . ‏خلال قناع إخفا ءِِ في وسط عالي التفريغ. نمطيًا 3 يبلغ الوسط الخوائي حوالي م :يي باسكال‎ Yo ٠٠١ ‏إلى‎ ٠٠١ ‏سبيل المثال» عبارة عن إلكترود بسُمك من‎ deo SEI ‏يمكن أن يكون الإلكترود‎ ‏نانومتر.‎ ١5١ ‏يبلغ‎ clan ‏نانو متر. نمطيًاء يكون الإلكترود الثاني عبارة عن إلكترود‎
CARR
اج \ \ _ على نحو بديل؛ يمكن أن تكون العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري عبارة عن عملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري معكوس. بناءً على ذلك؛ يوفر الاختراع عملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري معكوس يشتمل على منطقة متفاعلة ضوئيًا؛ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على: © منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛
منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ©؛ و يتم فيما بين المنطقة من ‎nog gl‏ والمنطقة من النوع 0 وضع: طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة, تشتمل هذه العملية على:
‎٠‏ () توفير منطقة أولى؛ (ب) وضع منطقة ثانية على المنطقة الأولى؛ تشتمل المنطقة الثانية هذه على طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و (ج) وضع منطقة ثالثة على المنطقة الثانية؛ حيث:
‎Vo‏ تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من ‎Nes‏ ‏والمنطقة الأولى يتم وضع على إلكترود أول. ‎Ga‏ يشتمل الإلكترود الأول على ‎sale‏ شفافة أو شبه شفافة. نمطيًّا؛ يشتمل الإلكترود الأول على أكسيد موصل شفاف؛ على سبيل المثال ‎ITO « FTO‏ أو ‎(Juni LAZO‏ يشتمل الإلكترود الأول
‎FTO YS‏ يمكن وضع الإلكترود الأول على طبقة تحتية من الزجاج.
‎CARN
-١١1- aie ‏يمكن أن تكون كل من الخطوات في العملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري معكوس كما هو‎ ‏للاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري. يمكن أن يكون‎ Bs dled ‏في أي مكان في هذا الطلب‎
By ‏كل من المكونات المستخدمة أو الموجودة في العملية كما هو معرّف لجهاز إلكتروني بصري‎ ‏للاختراع.‎ يمكن أن تكون المنطقة الأولى؛ التي تعتبر منطقة من نوع 0؛ كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب لمنطقة من نوع م. غالبًاء تشتمل المنطقة الأولى على ‎dada‏ من ‎.PEDOT:PSS‏ يمكن إجراء الترابط التشابكي لجعل المنطقة من النوع م غير قابلة للذوبان بحيث لا تتم إذابتها بشكل جزئي أثناء ترسيب المنطقة الثانية؛ إذا أدت عملية الترسيب إلى كون الطبقة من النوع م مذابة. في بعض الأحيان؛ لهذاء تشتمل الطبقة الخاصة ب ‎PEDOT:PSS‏ على ‎PEDOT:PSS‏ مرتبط
Jie ‏تشابكيًا. يمكن إجراء الترابط التشابكي باستخدام حمض لويس»؛ على سبيل المثال كاتيون فلز‎ ٠ ‏أو +1092. على سبيل المثال؛ (أ) يمكن أن يشتمل على‎ Fe3+ ‏و‎ PEDOT:PSS ‏توفير منطقة أولى مشتملة على طبقة من‎ )١( ‏مائي لإنتاج‎ Iron(lll) chloride (FeCI3) ‏معالجة الطبقة باستخدام كلوريد الحديد الثلاثي‎ )7( ‏مرتبط تشابكيًا.‎ PEDOT:PSS ‏مشتملة على‎ PEDOT:PSS ‏من‎ dah ‎VO‏ يمكن أن تكون المنطقة الثانية؛ تكون منطقة من نوع ‎WSN‏ هو معزف في أي مكان في هذا الطلب لمنطقة من نوع 0. غالبًا؛ تشتمل المنطقة من النوع © على طبقة مضغوطة من شبه موصل غير عضوي من نوع © مثل تلك التي تم تعريقها في هذا الطلب. نمطيًا؛ تشتمل المنطقة من النوع © على طبقة مضغوطة من 1102. في بعض النماذج؛ تشتمل المنطقة من النوع © بشكل إضافي على طبقة من ]60[ وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ ‎Yo‏ لهذا 3 في ‎an‏ النماذج؛ ‎(z)‏ تشتمل على ‎)١(‏ وضع على المنطقة الثانية طبقة من ]60[ وصلة غير متجانسة كتلية ‎tPCBM‏ و (7) وضع على الطبقة الخاصة ب ]60[ وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ طبقة مضغوطة من 02. ‎CARN
-١١-
في جهاز معكوس؛ يمكن وضع إلكترود ثان على المنطقة الثالثة التي تكون منطقة من نوع 7.
بناءً على ذلك؛ يمكن أن تشتمل العملية بشكل إضافي على
(د) وضع إلكترود ثان على المنطقة الثالثة.
يمكن ترسيب الإلكترود الثاني بشكل مباشر على المنطقة الثالثة؛ أو يمكن أن تكون بشكل إضافي © طبقات متداخلة. ‎cae‏ يكون الإلكترود الثاني في ‎Alla‏ تلامس مع المنطقة الثالثة. يمكن أن يكون
الإلكترود الثاني كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب ونمطيًا يشتمل على فلز. على سبيل
‎Sas ¢ JE‏ أن يشتمل الإلكترود الثاني على ألومنيوم ؛» ذهب؛ فضة نيكل بالاديوم أو بلاتين؛
‏ونمطيًا ألومنيوم ¢ ‎Aad‏ أو 3 هب. في أحد النماذ ‎z‏ يشتمل | لإلكترود الثاني على ‎(dad‏ ذ هب أو
‏ألومنيوم. على سبيل المثال؛ إذا اشتملت المنطقة من النوع ‎١‏ على طبقة مضغوطة من تيتانيوم
‎Fahy ٠‏ من ]60[ وصلة غير متجانسة كتلية ؛ يمكن أن يشتمل الإلكترود الثاني على ألومنيوم. يمكن ترسيب الإلكترود الثاني بواسطة أية تقنية ‎Jie‏ تلك الموصفة في هذا الطلب؛ بالرغم من أنه يتم ‎Baa‏ وضعه عن طريق الترسيب في وسط خوائي. بناءً على ذلك يمكن ترسيب الإلكترود الثاني عن طريق الترسيب في وسط خوائي. على نحو بديل؛ يمكن أن تكون العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري عبارة عن عملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري بوصلة
‎١‏ ترادفية أو ‎amie‏ الوصلات يشتمل بشكل إضافي على:
‏)9( وضع وصلة نفقية على المنطقة الثالثة؛
‏(ه) وضع منطقة متفاعلة ‎Wan‏ إضافية على الوصلة النفقية؛ تكون مشابهة ل أو مختلفة عن المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المعرّفة فيما سبق في هذا الطلب؛
‏(و) ‎Glas)‏ تكرار الخطوات (د) و(ه)؛ و
‎٠٠‏ (ز) وضع إلكترود ثان على المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الإضافية الموضوعة في الخطوة السابقة. في عملية لإنتاج جهاز بوصلة ترادفية أو متعدد الوصلات ‎By‏ للاختراع» يمكن أن تكون المنطقة المتفاعلة ‎Wan‏ الإضافية كما هو معرّف في أي مكان ‎led‏ سبق في هذا الطلب للأجهزة الإلكترونية البصرية ذات الوصلة الترادفية وفقًا للاختراع. بشكل محدد؛ يمكن أن تشتمل المنطقة
‎CARN
-١١ A- ‏أو يمكن أن تشتمل على غشاء رقيق‎ lie ‏المتفاعلة ضوئيًا الإضافية على طبقة من سيليكون‎ .CZTSSe ‏أو‎ CIS (CIGS ‏من‎ cll ‏رفيع‎ ‏في نموذج مفضل من العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري؛ يتم إجراء العملية‎ ‏درجة مئوية.‎ ٠5٠١ ‏لا تتجاوز‎ ha ‏بأكملها عند درجة حرارة أو درجات‎
في العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري؛ قد يكون الجهاز الإلكتروني البصري كما هو مُعرّف بشكل إضافي ‎led‏ سبق في هذا الطلب للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. يوفر الاختراع بشكل إضافي ‎Blea‏ إلكترونيًا بصريًا يمكن الحصول عليه بواسطة العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري.
‎٠‏ يتم بشكل إضافي توضيح الاختراع الحالي في الأمثلة التالية: الأمثلة الطريق التجريبية لتحضير الجهاز تحضير عجينة أكسيد الألومنيوم ‎aluminum oxide‏ باستخدام عامل ربط من بوليمر ثم شراء مشتت من ‎wll‏ الألومنيوم من ‎2٠١( Sigma-Aldrich‏ بالوزن في ماء) وتم غسيله ‎٠‏ بالطريقة التالية: تم إجراء طرد مركز ‎centrifuged‏ له عند ‎vou.‏ لفة في الدقيقة لمدة 1 ساعات؛ ولإعادة تشتيته في إيثانول مطلق ‎(Fisher Chemicals) Absolute Ethanol‏ باستخدام مسبار بالموجات فوق الصوتية؛ تم تشغيله لفترة ‎dallas‏ بالموجات الصوتية تبلغ * دقائق؛ التدوير ‎Y‏ ثانية 3 تشغيا ‎١‏ ثانية إيقاف ) تشغيا ‎ol‏ ثم تكرار هذه ‎١‏ لعملية 7 مرات . لكل ‎٠١‏ جم من المشتت الأصلي ‎١( original dispersion‏ جم من إجمالي أكسيد الألومنيوم) ‎٠‏ تمت إضافة ما يلي: 7,77 جم من ا0-16001060 و٠‏ جم من خليط ‎or : ٠٠‏ من إيثيل - سيليلوز ‎١.0٠ ethyl—cellulose‏ باسكال / ثانية و047١‏ باسكال/ ثانية تم شراؤه من مؤسسة ‎Aldrich‏ 519008 في إيثانول ‎7٠ ethanol‏ بالوزن. بعد إضافة كل مكون؛ تم تقليب الخليط ‎CARR‏
-؟4١١-‏ لمدة ¥ دقيقة ومعالجته بالموجات الصوتية باستخدام مسبار الموجات فوق الصوتية لمدة ‎١‏ دقيقة من المعالجة بالموجات الصوتية؛ باستخدام دورة من 7 ثانية تشغيل ‎Y‏ ثانية إيقاف تشغيل. ‎BAT‏ ‏تم إدخال الخليط الناتج في مبخر دوّار لإزالة الإيثانول الزائد وتحقيق الممك المطلوب عندما تركيب النصال الخاصة بالأطباء؛ الطلاء المغزلي أو الطباعة من شاشة. ‎lo}‏
تحضير عجينة 1102 باستخدام عامل ربط من بوليمر تم شراء مشتت من 1102 محتوي على عامل ربط من بوليمر ‎(DSL 18NR-T)‏ من ‎.Dyesol‏ ‏تم تخفيفه عند نسبة وزنية ؟ : ‎١‏ من إيثانول مطلق ‎absolute ethanol‏ 4-1ال18 ‎(Fisher Chemicals):DSL‏ باستخدام مسبار بالموجات فوق الصوتية
‎ultrasonic probe ٠‏ ؛ تم تشغيله لفترة معالجة بالموجات الصوتية تبلغ © دقائق؛ التدوير 7 ثانية تشغيل؛ ” ثانية إيقاف تشغيل. تحضير عجينة أكسيد الألومنيوم بدون عامل ربط من بوليمر تم شراء مشتت من أكسيد الألومنيوم من ‎ZY ١( Sigma-Aldrich‏ بالوزن في أيزو بروبانول). تم تخفيف هذا في ‎١6‏ حجم مكافئ من أيزو بروبانول.
‎Yo‏ تحضير عجينة 1102 بدون عامل ربط من بوليمر تم شراء مسحوق من ثاني أكسيد التيتانيوم ‎(P25)‏ 1102 من ‎(Degussa)‏ وتشتيته في إيثانول تحضير مادة منتجة ليوديد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium iodide‏ ومحلول مادة منتجةٌ ‎yu,‏
‎٠‏ تم تفاعل محلول ميثيل أمين ‎(CH3NH2) methylamine‏ 777 بالوزن في إيثانول مطلق ‎(Sigma-Aldrich)‏ مع حمض هيدرويوديك ‎oF hydroiodic acid‏ 7 بالوزن في ماء :
‎CARR
=« \ \ — ‎١ : ١ Ale ds (Sigma-Aldrich)‏ في جو من النيتروجين في إيثانول ‎SY‏ ‎٠٠0١ anhydrous ethanol‏ مرة واقي ‎(Sigma-Aldrich)‏ . كانت الكميات النمطية ‎YE‏ مل ميثيل أمين» ‎٠‏ مل حمض هيدرويوديك و١٠٠‏ مل إيثانول. تم تحقيق ‎Crystallisation a‏ ‎asl‏ ميثيل أمونيوم ‎methylammonium iodide‏ (001800131)_باستخدام مبخر دؤّار. تم تكوين راسب ملون بلون أبيض دلالة على التبلّر الناجح. يمكن استبدال الميثيل أمين بمركبات أمين ‎ : Jie «gal amines‏ تترا - بيوتيل امين ‎tert—‏ ‎butylamine‏ » 0 - بيوتيل امين ‎n—butylamine‏ ¢ ايثيل امين ‎ethylamine‏ إلى غير ذلك من أجل تغيير خصائص البروفسكيت التالي. بالإضافة إلى ذلك؛ يمكن استبدال حمض الهيدرويوديك ‎hydroiodic acid‏ بأحماض أخرى لتكوين مواد بروفسكيت مختلفة؛ ‎Jie‏ حمض ‎٠‏ | هيدروكلوريك ‎hydrochloric acid‏ لتحضير محلول المادة المنتجة تمت إذابة ناتج الترسيب من ‎(CHNH3I)‏ و ثاني كلوريد ‎(A (Sigma-Aldrich) lead (ll) chloride ala)‏ داي ‎die‏ فورماميد ‎(Sigma-Aldrich) (C3H7NO) dimethylformamide‏ بنسبة مولارية ‎١ : ١‏ عند ‎77٠١‏ ‏بالحجم. ‎Vo‏ تنظيف وتنميش الطبقة التحتية والإلكترود الشفاف تم تنميش لواح رقيقة من الزجاج المطلي بأكسيد قصدير مشاب بالفلورين (5002 / ‎TEC (FTO‏ د ‎Yo‏ أوم / المربع؛ ‎Pilkington USA‏ باستخدام مسحوق زنك وحمض الهيدروكلوريك ‎HCI‏ ‏(7 مولار) للحصول على نموذج الإلكترود المطلوب. تم بعد ذلك تنظيف الألواح الرقيقة باستخدام الصابون ‎Hellmanex/Y)‏ في ماء)؛ ماء تم نزع الأيونات منه؛ أسيتون» إيثانول وأخيرًا معالجته ‎٠‏ في جو من بلازما الأكسجين لمدة © دقائق ‎AY‏ أية مواد متبقية عضوية. ترسيب طبقة 1102 المضغوطة ثم تم طلاء الواح ‎FTO‏ الرقيقة ذات النموذج باستخدام طبقة مضغوطة من 1102 عن طريق الطلاء المغزلي باستخدام محلول تيتانيوم - أيزو بروبوكسيد ‎(Sigma-Aldrich)‏ معتدل الحمضية في إيثانول. تم تحضير المحلول عن طريق خلط تيتانيوم أيزو بروبوكسيد : إيثانول لامائي بنسبة ‎CARR‏
-١71- ‏؟ مولار : إيثانول لامائي بنسبة وزنية‎ LHC ‏باستخدام محلول حمضي من‎ 4 : 6,97١ ‏وزنية تبلغ‎ ‏تبلغ 09 : 4. بعد الطلاء المغزلي (السرعة = 7000 لفة في الدقيقة؛ التسارع - 7006 لفة في‎ ‏درجة مئوية على طبق‎ ١5١ ‏الدقيقة / ثانية؛ الزمن = 30 ثانية)؛ تم تجفيف الطبقات التحتية عند‎ ‏درجة‎ 50٠0 ‏دقائق. اختياريًا؛ تم بعد ذلك تسخين الطبقة المضغوطة وصولاً إلى‎ ٠١ ‏ساخن لمدة‎ ‏دقيقة على طبق ساخن في الهواء.‎ Te ‏مثوية لمدة‎ © ‏متوسطة المسام‎ lll) ‏ترسيب طبقة أكسيد الفلز رفيعة‎ ‏طبقة أكسيد‎ lef (A203 ‏عجينة‎ (JE ‏سبيل‎ lo) ‏تم وضع العجينة العازلة من أكسيد الفلز‎ ‏الفلز المضغوطة عبر الطباعة من شاشة؛ طلاء نصل طبي أو الطلاء المغزلي؛ من خلال شبكة‎ ٠٠١- ‏يبلغ‎ old ‏ملائمة؛ ارتفاع نصل طبي ملائم أو سرعة مغزلية ملائمة لتكوين غشاء رقيق‎ ‏درجة مئوية والحفاظ عليها عند‎ ٠٠١٠ ‏تانو متر. تم إما تسخين الأغشية الرقيقة بعد ذلك وصولاً إلى‎ ٠ ‏دقيقة من أجل التحلل وإزالة عامل الربط من البوليمر (التلبيد عند درجة‎ Yo ‏درجة الحرارة هذه لمدة‎ ‏والحفاظ‎ Gage ‏درجة‎ ٠٠١ ‏حرارة عالية)؛ أو في ظل غياب عامل الربط» تسخينها وصولاً إلى‎ ‏عليها عند درجة الحرارة هذه لمدة 50 دقيقة (التلبيد عند درجة حرارة منخفضة). ثم تم تبريد‎ ‏الطبقات التحتية بالفعل لترسيب محلول بروفسكيت.‎ ‏ترسيب محلول من المادة المنتجة للبروفسكيت وتكوين الغشاء الرقيق رفيع السمك من البروفسكيت‎ ١ ‏شبه الموصل‎ ‏تم تشتيت 560 ميكرو لتر من محلول المادة المنتجة للبروفسكيت في داي ميثيل فورماميد (يوديد‎ (methylammonium iodide lead (Il) chloride ala ‏ميثيل أمونيوم كلوريد‎ ‏إلى كل غشاء رقيق لإلكترود متوسط المسام‎ 7 Te ‏بتركيز حجم يبلغ‎ (CH3NH3PBCI2I) inert ‏ثائية في بيئة من النيتروجين الخامل‎ Te ‏لفة في الدقيقة لمدة‎ ١506 ‏وطلائه مغزليًا عند‎ ٠ ‏درجة‎ ٠٠١ ‏ثم تم وضع الأغشية الرقيقة المطلية على طبق ساخن تم ضبطه عند‎ nitrogen ٠٠١ ‏دقيقة في جو من النيتروجين؛ قبل التبريد. أثناء إجراء التجفيف عند‎ ١0 ‏وتركه لمدة‎ dy she ‏مثوية؛ تغير لون الإلكترود المطلي من الضوء الأصفر إلى البني الداكن؛ دلالة على تكوين الغشاء‎ ‏الرقيق من بروفسكيت المرغوب فيه بخصائص شبه الموصلية.‎
-١؟"-‎ الترسيب المتبخر للمادة المنتجة للبروفسكيت وتكوين الغشاء الرقيق رفيع ‎GL‏ من البروفسكيت شبه الموصل تم طحن نسبة مولارية ‎١ : ١‏ من 0012 و ‎0013111130١‏ باستخدام هاون ومدقة لمدة ‎Vo‏ دقيقة لتكوين مسحوق بروفسكيت كتلي. أدى هذا إلى تكوين مسحوق تم تجفيفه في بيئة نيتروجين لمدة > ‎١١ 5‏ ساعة. تم نقل بوتقة من مسحوق البروفسكيت إلى غرفة تبخير تم تفريغها ‎Lad‏ بعد. تم تسخين ‎ddl‏ ببطء وصولاً إلى 300 درجة مئوية. عندما وصلت درجة حرارة المصدر إلى ‎٠٠١‏ درجة مثوية؛ تم فتح أداة إغلاق لبدء الترسيب على الطبقات التحتية. تم إيقاف تشغيل دوريًا السخان للحفاظ على ضغط يبلغ ‎060١0١‏ باسكال في الغرفة. استمر التبخير حتى تم ترسيب غشاء رقيق رفيع ‎GL‏ يبلغ تقريبًا ‎٠٠١‏ - 300 نانو ‎fie‏ على الطبقات التحتية. بعد التبخير تم تسخين ‎٠‏ الطبقة التحتية بالمادة المتبخرة وصولاً إلى ‎5٠‏ درجة مئوية ‎١ sad‏ ساعة في بيئة من النيتروجين .nitrogen ‏كبديل‎ formamidinium cation ‏تحضير مواد البروفسكيت المشتملة على كاتيون فورماميدينيوم‎ ‏استخدام كاتيونات الفورماميدينيوم. تم تخليق يوديد‎ (Sey ‏؛‎ AMMONIUM 1005 ‏لأيونات الأمونيوم‎ formamidinium ‏وبروميد فورماميدينيوم‎ Formamidinium iodide (FOI) ‏فورماميدينيوم‎ ‏طريق تفاعل محلول 0,0 _مولار_ من أسيتات فورماميدينيوم‎ oe bromide (FOBr) ٠ ‏مولار زائدة عن حمض الهيدرويوديك‎ XV ‏في إيثانول بنسبة‎ formamidinium acetate ‏أو حمض هيدروبروميك‎ (Formamidinium iodide ‏(ليوديد فورماميدينيوم‎ hydroiodic acid ‏تمت إضافة‎ L(formamidinium bromide ‏(لبروميد فورماميدينيوم‎ hydrobromic acid ‏دقائق‎ ٠١ ‏الحمض قطرة بقطرة بينما يتم التقليب عند درجة حرارة الغرفة؛ ثم يتم ترك التقليب لمدة‎ ‏درجة مئوية؛ يتم تكوين مسحوق بلون أصفر - أبيض؛ يتم تجفيفه‎ ٠٠١ ‏أخرى. عند التجفيف عند‎ ٠
FOPDI3 ‏بعد ذلك طوال الليل في فرن خوائي قبل الاستخدام. لتكوين محاليل مواد منتجة ل‎
N,N-dimethylformamide ‏في‎ 081/42 FOI ‏و0512 أو‎ FOI ‏و 005883 تمت إذابة‎ ‏للحصول على محاليل مادة‎ co ‏مولارية؛ 74 ملي مول من كل منها لكل‎ ١ : ١ ‏بنسبة‎ SLY ‏تم إعداد‎ (FOPDI3ZBr3(1-z) ‏مولار. لتكوين مواد منتجة للبروفسكيت‎ +, AA ‏منتجة لبروفسكيت‎
CARR
ضف خلائط من محاليل 03ح و ‎FOPbBR3‏ ل مولار بالنسب المطلوبة؛ حيث و تتراوح من صفر إلى ‎.١‏ ‏تم طلاء الأغشية الرقيقة لتمييز أو تصنيع الجهاز ‎Whe‏ في صندوق قفازات ‎fae‏ بالنيتروجين؛ وملدن عند ‎١١7١‏ درجة ‎Aye‏ لمدة ‎YO‏ دقيقة في جو من النيتروجين. ترسيب المادة الناقلة للتقب وتجميعة الجهاز كانت المادة الناقلة للثقب المستخدمة هي : ‎2,2(,7,7(—tetrakis—(N,N-di-methoxyphenylamine)9,9(-spirobifluorene))‏ ‎(spiro-OMeTAD, Lumtec, Taiwan)‏ الذي تمت إذابتها في كلورو بنزين ‎chlorobenzene‏ عند تركيز نمطي يبلغ ‎YAY‏ مجم / مل. ‎٠‏ تمت إضافة 1 - بيوتيل بيريدين ‎Tertbutyl pyridine (BP)‏ بشكل مباشر إلى المحلول بنسبة حجم إلى كتلة تبلغ ‎١‏ : 1 ميكرولتر / مجم من : ‎(BP (tert-butylpyridine):spiro-MeOTAD‏ تمت ‎LY‏ عامل ‎LU)‏ أيوني ‎ionic‏ ‏1 ملح: ‎Lithium bis(trifluoromethylsulfonyl)amine salt (Li—TFSI)‏ مسبقًا في أسيتو نيتريل ‎acetonitrile Vo‏ عند ‎١70‏ مجم / مل؛ ثم إضافته إلى محلول ‎sald)‏ الناقلة للثقب عند ‎VY : ١‏ ميكرو لتر / مجم من محلول ا175-نا : ‎.spiro-MeOTAD‏ تم تشتيت كمية صغيرة ‎Av)‏ ‏ميكرو لتر) من محلول ‎spiro-OMeTAD‏ على كل غشاء رقيق مطلي بالبروفسكيت وطلاؤه ‎Uli‏ عند ‎١5٠١‏ لفة في الدقيقة ‎٠ sad‏ ثانية في الهواء. ثم تم وضع الأغشية الرقيقة في مبخر حراري ‎A dua‏ ترسيب ‎lag ASH‏ سميكة من الفضة ‎7٠0١0‏ نانو ‎fle‏ من خلال قناع إخفا في ‎Yo‏ وسط عالي التفريغ ‎vere)‏ باسكال). الصور المغايرة الخاصة بالجهاز التي تم فحصها
يتم عرض مخطط عام لبنية الجهاز في الشكل ١أ.‏ يمكن تركيب هذا الجهاز على أية مادة طبقة تحتية صلبة (من الزجاجء البلاستيك؛ رقاقة فلزء شبكة فلز... إلى غير ذلك). في الشكل ١أ‏ يتحتم أن يكون واحد على الأقل من الإلكترودات الفلزية شفاقًا / شبه شفاف ‎Jo)‏ سبيل المثال: أكسيد فلز مشاب أو غير ‎clin‏ بروفسكيت؛ بوليمر»؛ فلز رفيع الملمك؛ شبكة فلز. ‎.e‏ إلى غير ذلك) © بينما يمكن أن يكون الإلكترود المقابل شفاقًا / شبه شفاف أو انعكاسي. تتم إحاطة البروفسكيت الماص للضوء؛ يمكن أن يكون من النوع ‎en‏ من نوع ‎P‏ أو متأصل؛ فيما بين طبقة شبه موصلة واحدة من نوع 0 وطبقة شبه موصلة واحدة من نوع م (عضوية؛ غير عضوية؛ ‎JY Si‏ والتقب على التوالي. يمكن أن تكون البنية المعروضة معكوسة. يمكن إنتاج الخلايا متعددة ‎٠‏ الوصلات عن طريق رص بنية تكررة. يكون لنماذج معينة من الأجهزة الخاصة بالاختراع البنية النوعية المعروضة في الشكل ١ب.‏ عند الاستخدام»؛ تكون طبقة أكسيد الفلز رفيعة ‎GL)‏ بشكل عام قابلة للإنفاذ إلى البروفسكيت المعالج ‎oJ shally‏ لضمان التلامس المباشر للبروفسكيت مع التلامس الانتقائي للإلكترون. يتم تلخيص كل من الصور المغايرة لعملية التحضير الت يتم فحصها في هذا الطلب في جدول ‎.١‏ ‏5 جدول ‎.١‏ ملخص الصور المغايرة للطبقات التي تم فحصها. ‎cag‏ تسخين ٍ ظروف تلبيد عجينة من أكسيد فلز | طريقة ترسيب الطبقة المضغوطة أكسيد متوسط ‎dad‏ التغيير متوسط المسام البروفسكيت 102 المسام ‎A203‏ مع عامل ‎HT B-‏ ‎١ Ow‏ م ‎Own‏ م محلول ربط ‎A203‏ ‎HT B-‏ ‎Yoo‏ 1102 عامل ربط ‎Own‏ محلول 3 702 ‎CARN‏
اج \ \ — 2 دون عامل 6٠م‏ فم محلول ‎HT‏ 1102 ربط 3 بدون عامل ‎Yoo‏ م ‎١١٠‏ م محلول 23 ‎LT‏ ‏ربط ‏2 بدون عامل ‎You‏ م ‎١٠‏ م محلول ‎LT‏ 1102 ربط ٠م‏ + 220315067 بدون عامل ‎HT © / LT‏ ‎١ Y ٠‏ م محلول مم ربط 3م م ‎١ Ow‏ م + ‎Ov‏ ‏محلول ‎HT C‏ م ‎١ Ow‏ م + ‎Ov‏ ‏التبخير متبخر م النتائج والمناقشة التحكم في مسامية 1203 متوسط المسام الملبد عند درجة حرارة منخفضة يمكن التحكم في مسامية طبقة متوسطة المسام من 781203 عن طريق خلط اثنين من المذيبات بقيم لزوجة مختلفة ومعدلات تبخير مختلفة في عملية ترسيب الجسيمات بحجم النانو. بعد الترسيب 5 .من المشتت وازالة المذيب؛ يعتمد معامل الانكسار الخاص بالغشاء الرقيق رفيع ‎clea)‏ من المادة المركبة متوسطة المسام من ‎A203‏ والهواء على جزء الحجم الخاص بالمكونين أي؛ المسامية. يتم تقديم مؤشرات الانكسار الخاصة بالأغشية الرقيقة المتكونة عن طريق مشتتات الطلاء المغزلي بمحتوى متغير من تربينيول ‎terpineol‏ و1 - بيوتانول ‎t-butanol‏ على شرائح زجاجية في ‎CARR‏
-؟١-‏ الجدول 7 ‎Led‏ يلي؛ باعتبارها مكافئات حجمية. يكون معامل انكسار منخفض دالا على جزء حجم كبير من الهواء أي؛ غشاء رقيق أكثر مسامية. لقد وجد بشكل عام أن إضافة مذيب ثانوي تزيد من مسامية الغشاء الرقيق متوسط المسام الناتج. جدول ‎LY‏ ملخص التغير في المسامية بمقدار متغير من حجم مكافئ مضاف من مذيب ثانوي إلى © مشتت الألومينا كما هو موضح بواسطة معامل الانكسار المقاس الخاص بالغشاء الرقيق الناتج. ‎AR‏ بالوزن ‎t-butanol | terpineol IPA]‏ امعامل 3 في ‎IPA‏ |المضاف المضاف المضاف الانكسار (مكافئ) (مكافئ) (مكافئ) (مكافئ) ا ا حيود أشعة إكس يتم عرض نماذج حيود أشعة إكس ‎XRD‏ الخاصة بالأغشية الرقيقة رفيعة المسمك من البروفسكيت المعتمدة على الصور المغايرة للطبقة التحتية المختلفة التي تم فحصها في الشكل ؟أ. تم تحضير كل العينات على زجاج أملس و؛ حيث يتم تخصيص أكاسيد رفيعة ‎GL)‏ متوسطة المسام؛ بدون أ الطيقات المضغوطة. تكون كل من قمم البروفسكيت ‎١٠‏ و ‎YY.‏ بارزة بالتوافق مع التوضيح السابق لهذا البروفسكيت ‎Lee]‏ وآخرين» 2012 ‎Submitted‏ ,50160706]. يعرض ‎JEN‏ "ب ‎CARN‏
-١١١- نموذج حيود أشعة إكس ‎XRD‏ الخاص بالبروفسكيت عند تبخيره. توجد القمم التي تناظر البروفسكيت من الهاليد المختلط بالإضافة إلى تلك الحادثة من 6512. القياس الطيفي للأشعة فوق البنفسجية المرئية يتم عرض نماذج الأشعة فوق البنفسجية المرئية للأغشية الرقيقة رفيعة السك من البروفسكيت © المعتمدة على الصور المغايرة للطبقة التحتية المختلفة التي تم فحصها في الشكل 2. تم تحضير كل العينات على زجاج أملس و؛ حيث يتم تخصيص أكاسيد رفيعة ‎GL)‏ متوسطة المسام؛ بدون الطبقات المضغوطة. تعرض الأطياف الإخماد الطبيعي ([10910]10/11 = ع). تعرض كل الأطياف نقطة بداية امتصاص عند طول موجة يبلغ -800 نانو متر يؤكد وجود البروفسكيت. بالرغم من أنه تمت ملاحظة ‎ad‏ حيود ‎XRD‏ التي تناظر يوديد الرصاص 5512 للبروفسكيت ‎٠‏ المتبخرء يوضح طيف الأشعة فوق البنفسجية المرئي أنه تم امتصاص غالبية الضوء بواسطة البروفسكيت. تكون أشكال الأطياف متوافقة مع التوضيح السابق لهذا البروفسكيت ‎Lee .M]‏ .[Science, Submitted 2012 ‏وآخرين»‎ السمات المميزة لفلطية التيار ‎current-voltage characteristics‏ يتم تقديم سمات شدة - فلطية التيار (/1-ل) المميزة الخاصة ببعض من الأجهزة التي تمثل كل ‎٠‏ صورة مغايرة تم فحصها في الشكل 4. يتم تقديم ملخص للمتغيرات المستخلصة من هذه النتائج في جدول ‎WF‏ يتم أيضنًا عرض طبقة الأكسيد رفيعة السُمك ‎(tmesoporous)‏ وطبقة التغطية من البروفسكيت ‎(tperovskite cap)‏ كما هو مقاس باستخدام مقياس وعورة السطح في جدول ؟. لقياسات ‎eld)‏ تم تحضير العينات على زجاج أملس و؛ حيث يتم تخصيص أكاسيد رفيعة ‎Sl)‏ متوسطة المسام ¢ بدون الطبقات المضغوطة. تقترح النسبة الخاصة بقيم ‎cll)‏ هذه أن غالبية ‎٠‏ امتصاص الضوء سيحدث في طبقة التغطية التي تكوّن وصلة غير متجانسة مستوية مع المادة الناقلة للثقب. جدول “. ملخص المتغيرات المستخلصة من السمات المميزة ‎J-V‏ الخاصة بالأجهزة الأكثر فعالية
CARN
—\YA- tperovs tmesopo ‏معامل‎ Voc ‏(ملي‎ 6 kite cap
PCE / ‏أمبير‎ rous ‏بنية الجهاز‎
I ‏انث اث اس ال‎ 0 ‏(نانو متر) | صم‎ ‏متر)‎ ‎HT B- 7 Ve «,40 ١٠148 YY) AY
A203
HT B- ١ ‏تلم فتلي ند‎ YY. Yo) 1102
HT C / LT $00 YY ay 7 rR Al
A203 _ ١ “ou
AY ١ NAAN 2,7 ‏متبخر‎ ‎Ag “ou
CRE
-١؟4-‎
يتم عرض صور مامح الإلكترون الدقيق ‎scanning electron microscopy‏ ‎(SEM)‏ دقيقة للقطاعات العرضية لخلية شمسية في الشكل ‎o‏ 0 - (و). تكون الطبقات المتميزة المعروضة في القطاعات العرضية؛ من اليمين إلى اليسار: زجاج؛ ‎(FTO‏ طبقة مضغوطة؛ طبقة متوسطة المسام؛ طبقة تغطية من البروفسكيت» ‎spiro—OMeTAD‏ والفضة ‎silver (Ag)‏ يتم © عرض صور أفقية للطبقات متوسطة المسام في الشكل + 0 - (و) والشكل 7 0( و(ب). حيث يتم استخدام 1203/؛ مع وبدون عامل ربط وتلبيدها عند كل من درجات الحرارة العالية والمنخفضة؛ تعرض الصور بوضوح بنية متوسطة المسام تسمح بالارتشاح ووضع بذور تكوين البروفسكيت. تظهر الطبقات المضغوطة المعروضة في الأشكال 1(ه) و١‏ (و) بدون معالم عند تحليل الأداة. حيث يتم استخدام 1102؛ مع عامل الربط يبدو الغشاء الرقيق متوسط المسام. مع ذلك؛ في ظل pep ‏غياب عامل الربط تتكتل الجسيمات بحجم النانو مكونة طبقة أحادية‎ ٠ ‏الاستنتاج‎ ‏إلكترونية بصرية ببنية مستوية من مادة ماصة‎ Seal ‏تعرض الأمثلة أنه من الممكن تكوين‎ ‏من النوع 0. تم تحقيق نمو مادة ماصة للضوء من البروفسكيت على‎ / ٠ ‏للبروفسكيت من النوع‎ ‏يمكن معالجة‎ ٠ ‏الملمك أو في ظل غياب مادة دعم مؤقتة من ترسيب محلول‎ dad) ‏دعم مؤقتة‎ sale
١٠5١ ‏بشكل تام عند درجات حرارة لا تتجاوز‎ ol) ‏الأجهزة المتضمنة طبقة بذور تكوين رفيعة‎ Vo ‏مئوية التي تعتبر مهمة للأجهزة مترادفة الوصلات و / أو متعددة الوصلات المرنة. بشكل‎ dap ‏إضافي لقد تم عرض أنه يمكن تكوين البروفسكيت عن طريق التبخير من مسحوق كتلي.‎ ‏الخلايا الشمسية من البروفسكيت ذات الوصلة غير المتجانسة المعكوسة‎ ‏تحضير الطبقة التحتية:‎
‎٠‏ تم تنميش ‎(FTO)‏ ألواح رقيقة من الزجاج المطلي ‎(QO / 0 Pilkington Vv)‏ باستخدام مسحوق زنك ‎HCI 5 zinc powder‏ (؟ مولار) للحصول على نموذج الإلكترود المطلوب. ثم تم غسيل الألواح الرقيقة باستخدام الصابون (77 ‎Hellmanex‏ في ماء)؛ ماء تم نزع الأيونات -06 ‎ais ionized‏ أسيتون ‎acetone‏ « ميثانول ‎methanol‏ وأخيرًا معالجتها في جو من بلازما أكسجين ‎oxygen plasma‏ لمدة © دقائق لإزالة آخر بقايا للمواد المتبقية العضوية.
‎CARR
Ap.
TIOX ‏المنتجة للغشاء الرقيق المسطح من‎ salad) ‏محلول‎ ‏مولار تيتانيوم أيزو‎ +, YY ‏من‎ TIOX ‏المنتجة للغشاء الرقيق المسطح من‎ sold) ‏يتكون محلول‎ ‏مولار‎ ٠.0٠١ ‏ومحلول‎ (£94,494 (Sigma Aldrich) titanium isopropoxide ‏بروبوكسيد‎ ‏لتحضير هذا المحلول» تم تخفيف‎ (Fisher Chemicals 744,9 <) ‏في إيثانول‎ HCI ‏من‎ ‏مولار. على نحو منفصل؛ تم تخفيف محلول‎ ١47 ‏تيتانيوم أيزو بروبوكسيد في إيثانول عند‎ © "مولار ‎dail HCL‏ إيثانول لتحقيق تركيز 077 مولار. ‎Baal‏ تمت إضافة المحلول الحمضي ‎acidic solution‏ قطرة بقطرة محلول المادة المنتجة للتيتانيوم 11181111177 في ظل تقليب بطيء. تصنيع بنية منتظمة: تتم طلاء طبقات ‎FTO‏ التحتية التي تم تنميشها باستخدام طبقة مضغوطة من 1102 المترسبة عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول المادة المنتجة للغشاء الرقيق المسطح من ‎TIOX‏ عند ‎Ad ٠٠000‏ في الدقيقة ‎Te sad‏ ثانية وبناءً على ذلك تسخينها عند ‎©٠0٠0‏ درجة ‎Augie‏ لمدة ‎Ye‏ دقيقة لتكوين أناتاز تيتانيا متكافئ. بعد ذلك؛ تم ترسيب مادة الدعم المؤقتة متوسطة المسام عن طريق الطلاء المغزلي لمشتت غراوني من الجسيمات بحجم النانو من ‎Ye‏ نانو متر 81203 في أيزو ‎VO‏ بروبانول»؛ متبوعًا بالتجفيف عند ‎١5١‏ درجة مثوية لمدة ‎٠١‏ دقائق. بعد التبريد وصولاً إلى درجة حرارة الغرفة؛ تم ترسيب البروفسكيت عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول ‎DMF‏ من يوديد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium iodide‏ و ‎PbCI2‏ (النسبة المولارية ؟ : ١)؛‏ أدى لتكوين البروفسكيت بعد التسخين وصلاً إلى ‎٠٠١‏ درجة مئوية لمدة £0 دقيقة. تم ترسيب طبقة المادة الناقلة ‎dill‏ عن طريق الطلاء المغزلي ل ‎ZV‏ بالحجم من محلول : ‎spiro-OMeTAD (2,2',7,7'-tetrakis—(N,N-di-p-methoxyphenylamine)9,9'- ٠ spirobifluorene) ٠١و‎ tert-butylpyridine (BP) ‏بيوتيل بيريدين‎ - t ‏ملي مولار من‎ Av ‏في كلورو بنزين مع‎ lithium | ‏سلفونيل). إيميد‎ Ose ao Gl) ‏ليثيوم .بيس‎ Ye ‏ملي‎ ‏لفة في الدقيقة لمدة‎ ٠٠٠١ ‏المضاف عند‎ bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (LITFSI) ‎CARR
-١“١- ‏تم إكمال الأجهزة باستخدام التبخير في وسط عالي التفريغ من إلكترودات تلامس‎ pal ‏ثانية.‎ go ‏الفضة من خلال حاجز مثقب.‎ ‏تصنيع بنية معكوسة:‎ :PEDOT:PSS ‏التحتية التي تم تنميشها باستخدام غشاء‎ FTO ‏تم طلاء طبقات أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ © 775 : Yo ‏مترسب بواسطة الطلاء المغزلي لمحلول‎ PEDOT:PSS ‏رقيق رفيع السمك من‎
Fisher ‏45ر44‎ >( isopropanol Jl ‏أيزو‎ : (PEDOT:PSS (Clevios ‏بالحجم من‎
YEP ‏درجة‎ Yo. ‏وتلدينه بعد ذلك عند‎ aul Te ‏لفة في الدقيقة لمدة‎ ٠٠٠١ ‏عند‎ (Chemicals
Yo ‏دقيقة أو ترابطه تشابكيًّا عن طريق غمر الطبقات التحتية لمدة © دقائق في محلول‎ ٠١ ‏لمدة‎ ‏ا/الكلوريد الحديد الثلاثي 6013 مائي؛ ثم غسيلها في 7 من الحمامات المتتابعة من الماء الذي‎ IK
Nitrogen ‏تم نزع الأيونات منه ثم أخيرًا تجفيفه باستخدام النيتروجين‎ ‏من أكسيد النيكل من‎ Gl ‏تم تحضير الطلاء المغزلي للمادة المنتجة للغشاء الرقيق رفيع‎ nickel acetate ‏عن طريق إذابة أسيتات تترا هيدرات النيكل‎ Nickel(ll) oxide (NiO) ٠١ ‏في إيثانول عند تركيز يبلغ‎ monoethanolamine ‏ومونو إيثانول أمين‎ tetrahydrate
YEP ‏درجة‎ Ye ‏مولار مع التقليب في قارورة محكمة الإغلادق في الهوا ءِِ على طبق ساخن عند‎ Yo ‏لمدة ؛ ساعات. ظهر المحلول متجانسًا وبلون أخضر داكن.‎ :V205 ‏أكسيد الفاناديوم‎ ‏من خامس‎ Sl) ‏التحتية التي تم تنميشها باستخدام غشاء رقيق رفيع‎ FTO ‏تم طلاء طبقات‎ vanadium ‏بالحجم من فاناديوم‎ 270 : ١ ‏مترسب بواسطة الطلاء المغزلي لمحلول‎ 5 ‏في أيزو بروبانول‎ (Sigma Aldrich) oxitriisopropoxide ‏أوكسي تراي أيزو بروبوكسيد‎ (V) ٠ ‏درجة مثوية للحصول على طبقات أكسيد‎ ٠0٠0 ‏وتسخينه بعد ذلك وصولاً إلى‎ isopropanol .crystalline vanadium oxide layers ‏فاناديوم متبارة‎ :7 ‏بروفسكيت والترسيب بالتلامس من نوع‎
CARR
-١7- ‏لفة في‎ ٠00860 ‏عند‎ Bae ‏المنتجة للبروفسكيت‎ sald) ‏بعد التبريد / التجفيف؛ تم طلاء محلول‎ ‏درجة مثوية لمدة £0 دقيقة لتكوين البنية. تم‎ ٠٠١ ‏ثانية ثم تم تسخينه ليصل إلى‎ Ye ‏الدقيقة لمدة‎ ‏مجم / مل-٠١ من‎ ٠١ ‏ترسيب التلامس الانتقائي للإلكترون عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول‎
Anhydrous) chlorobenzene ‏في كلورو بنزين‎ PCBM ‏وصلة غير متجانسة كتلية‎ [60] ‏لفة في الدقيقة لمدة 45 ثانية. تم طلاء محلول المادة المنتجة‎ ٠٠٠١ ‏عند‎ (Sigma Aldrich © ‏ثانية وتم تلدين‎ Te ‏لفة في الدقيقة لمدة‎ Yee ‏مغزليًا عند‎ TIOX ‏للغشاء الرقيق المسطح من‎ ‏تم إكمال الأجهزة باستخدام التبخير‎ al ‏دقائق.‎ ٠١ sad ‏درجة مئوية‎ ١١ ‏الأغشية الرقيقة عند‎ ‏من خلال حاجز مثقب.‎ Al ‏في وسط عالي التفريغ لإلكترودات تلامس‎ ‏النتائج والمناقشة‎ ‏ببنية‎ Ban ‏تم توضيح الأدوات الفلطائية الضوئية ذات الغشاء الرقيق رفيع السك من البروفسكيت‎ Yo ‏ناشئة من الخلايا الشمسية الحساسة للأصباغ في الحالة الصلبة؛ حيث يتم تجميع الثقوب من‎ : FTO ‏أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ anode ‏خلال كاثود الفلز والإلكترونات من خلال آنود‎ (Ball, J. M.; Lee, M. M.; Hey, A.; Snaith, H. Low-Temperature Processed
Mesosuperstructured to Thin-Film Perovskite Solar Cells. Energy &
Environmental Science 2013). ‘eo ‏في هذا التصميم؛ يتم ترسيب غشاء رقيق رفيع السمك من ألومينا متوسطة المسام على طبقات‎ ‏مغطاة ب 1102 مضغوطة للمساعدة في تكوين الغشاء الرقيق من البروفسكيت؛‎ FTO ‏تحتية من‎ ‏ناقلة لللقب عضوية على البنية المتكونة لتوفير تلامس انتقائي لثقب. مع ذلك؛‎ Sale ‏ثم يتم ترسيب‎ ‏حيث إنه يتم تجميع الثقوب من خلال كاثود الفلز العلوي؛ يكون لهذا التصميم تطبيقات محدودة في‎ ‏الشمسية الترادفية؛ حيث يمكن تحقيق تحسينات فورية عن طريق استخدام مواد البروفسكيت‎ DANY : ‏ذات 'فجوة النطاق الواسعة" مع خلية سفلية غير عضوية بفجوة نطاق منخفضة؛‎ (Beiley, Z. M.; McGehee, M. D. Modeling low cost hybrid tandem photovoltaics with the potential for efficiencies exceeding 20%. Energy &
Environmental Science 2012, 5, 9173-9179)
١ ‏الم‎
يتم تكوينها بشكل عام في تصميم "طبقة ‎"dial‏ مع تجميع الإلكترونات عند إلكترودات التلامس
الفلزية العلوية.
تكون المواد النمطية المستخدمة في الخلايا الفلطائية الضوئية العضوية كمواد تلامس ‎lll AE‏
للخلائط عبارة عن ‎V205 (PEDOT:PSS‏ و ‎(NiO‏ بينما ‎Sale‏ ما يتم استخدام ‎PCO0BM‏
: Bang o poly[(9,9-bis(3' —(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-
dioctylfiuorene)] (PFN)
كمتلقيات للإلكترون ‎.electron acceptors‏ من أجل تحديد ما إذا كانت هذه المواد ستعمل في
جهاز تام « تتمثل خطوة أولى جيدة لفحص ما إذا كان نقل الشحنة إلى هذه لطبقات الداخلية ‎Bac‏ ‎٠‏ في قياس كفاءة الإخماد الخاصة باللمعان الضوئي ‎Photoluminescence (PL)‏ في الحالة
الثابتة؛ على نحو مشابه لما أصبح روتيئًا في كل الخلايا الشمسية العضوية. يتم تقديم هذه البيانات
في الشكل 9 ويتم تلخيص النتائج في جدول ؛. يمكن بوضوح رؤية أن كل الطبقات من النوع م
المختارة في هذا العمل تخمد بروفسكيت ‎PL‏ بكفاءة أكبر من نموذج ‎spiro-OMeTAD‏
النموذجي؛ بقيم مشابهة لأت ‎PEDOT:PSS‏ و ‎V205‏ التي تبلغ 794,81 من كفاءة الإخماد. ١ه‏ تظهر كل الطبقات من النوع © معدلات إخماد أعلى بصورة كبيرة من نظام 1102 النموذجي؛
الذي يُظهر فقط 40 7 من كفاءة الإخماد في الحالة الثابتة. تستخدم كل الخلايا المصنعة في هذا
العمل طبقة ‎he PCOOBM‏ مغزليًا باعتباره مادة التلامس من النوع 0 حيث إن ‎WAN‏
الشمسية المصنعة باستخدام طبقة ‎PEN‏ داخلية أدت إلى الحصول على أداء فلطائي ضوئي
وصلة . غير ‎PCBM| 4 NiO‏ 4 ‎CARR‏
-١4- 47 PFN| ‏ارح‎ V205 £0,V) TiO2 | 7 PEDOT:PSS
Spiro— 471 OMeTAD 7 ‏جدول 4. كفاءة إخماد وميض ضوئي في الحالة الثابتة لكل الطبقات من النوع م ومن النوع‎ ‏والمادة الماصة للبروفسكيت.‎ ‏باعتباره مادة التلامس من النوع م‎ PEDOT:PSS ‏الماصة‎ sald) ‏يستخدم المثال الأول على بنية عكسية باستخدام البروفسكيت باعتباره كل من‎ ‏رفيعة السلمك كمادة تلامس من نوع 0 وطبقة‎ PEDOT:PSS ‏للضوء والمادة الناقلة للشحنة طبقة‎ © ‏من أجل توافر القدرة على‎ on ‏مضغوط كمادة تلامس من النوع‎ TIOX ‏ثنائية من 006081 و‎ ‏معالجة هذه البنى في الهواء؛ كانت الطبقة البينية العلوية من *110 ضرورية لتحقيق تلامس جيد‎ ‏لقطاع عرضي‎ SEM ‏يتم تقديم صورة ماسح الإلكترون الدقيق‎ WAI ‏مع الآنود ©8000 العلوي من‎ .٠١ ‏في الشكل‎ JB ‏من البنية‎ ‏تتكون التغطية المنتظمة لبنية البروفسكيت أساسية لتصنيع أدوات فلطائية ضوئية مثلى ويتم التأثير‎ ‏عليها بصورة كبيرة بواسطة الطبقة التحتية التي يتم تكوينها عليها. عند التجميع على الطبقات‎
Yo ‏الملدن؛ يتم تكوين بلورات بحجم الماكرو من على مدى طول‎ PEDOT:PSS ‏التحتية من‎
Made ‏ميكرو متر من البروفسكيت؛ كما هو معروض في الشكل ١١ب) و١ ٠د). بينما قد يكون هذا‎ ‏لنقل الشحنة من خلال الطبقة؛ توجد فجوات بحجم أكبر نوعًا بحجم الميكرو فيما بين البلورات التي‎ ‏الأمر الذي‎ (PEDOT:PSS ‏تسمح بالتلامس المباشر فيما بين 506081 والطبقة التحتية من‎ ١ ‏ولهذا السبب تم‎ DMF ‏قابلاً للذوبان في‎ PEDOT:PSS ‏قد لا يكون مفيدًا لأداء الجهاز. يكون‎ ‘ FeCl3 ‏مولار من كلوريد الحديد الثلاثي‎ ٠ Yo le ‏ربطه تشابكيًا عن طريق الغمر في محلول‎ ‏عندما يكون‎ DMF ‏ذوبان الطبقة عندما يتم ترسيب المادة المنتجة للبروفسكيت في‎ Sale) ‏لتجنب‎ ‏من المثير للدهشة أن تغطية الغشاء الرقيق من البروفسكيت‎ (GSU Gas PEDOT:PSS an ‏الناتج تزداد بصورة كبيرة بينما يكون قد تم تقليل متوسط حجم البلورة / المعلم لهذه المادة إلى‎ Yo
CARN
—-yyo- + Av ‏كبير. يتم عرض حجم البلورة والتغطية الناتجين في الشكل ١١أ) و١١ج)؛ الذي وجد أنه‎ ‏للأغشية الرقيقة المرتبطة تشابكيًا‎ 7١ + ‏الملدن و97‎ PEDOT:PSS ‏للأغشية الرقيقة من‎ ١
Scanning electron microscopy ‏المقدر بشكل مباشر من صور ماسح الإلكترون الدقيق‎ .(SEM) ‏وجد أن الأجهزة المعالجة‎ (NY ‏عند مقارنة أداء الأجهزة الناتجة؛ كما هو معروض في الشكل‎ © على ‎PEDOT:PSS‏ مرتبط تشابكيًا تُظهر قيم فلطية لدائرة مفتوحة تبلغ تقريبًا ‎A‏ ,+ فولط؛ بينما حققت الأجهزة على ‎PEDOT:PSS‏ الملدن فقط حوالي 214 فولط. يكون هذا ‎Bilge‏ مع انخفاض ‎sale)‏ ارتباط الشحنة ‎Led‏ بين الشحنات في طبقة وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ ‏والطبقة ‎PEDOT:PSS‏ بسبب تغطية الغشاء الرقيق من البروفسكيت المحسنة. تعرض الأجهزة ‎٠‏ التي تستخدم ‎PEDOT:PSS‏ مرتبط تشابكيًا تيار دائرة قصر منخفض ‎Bg‏ يبلغ 116,7 ملي أمبير / سم-؟ مقارنة بالأجهزة ذات ‎PEDOT:PSS‏ الملدن التي تُظهر ‎١7,7‏ ملي أمبير / سم- ل بالرغم من أن الفارق يكون صغيرًاء وفي حدود صورة مغايرة تجريبية. ‎ual‏ وصلت كفاءة تحويل القدرة الخاصة بالأجهزة ‎Bd‏ إلى قيم تبلغ أعلى من ‎ANY‏ الأجهزة ذات ‎PEDOT:PSS‏ الملدن فائقة الأداء الذي وصل إلى 75,1. ‎V205 Vo‏ و ‎NiO‏ مواد تلادمس من نوع م يكون كل من ‎V205‏ و ‎NIO‏ مواد من نوع م معتادة يتم استخدامها حاليًا للأدوات الفلطائية الضوئية العضوية عالية الكفاءة والثابتة. هناء قام المخترعون بتصنيع ‎Seal)‏ عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول المادة المنتجة الملائم ‎FTO‏ مع خطوة تلبيد تالية عند ‎٠٠٠0‏ درجة مئوية لضمان طبقة أكسيد فلز متبلّر بشكل تام. يمكن أن تكون التغطية السطحية لمحلول البروفسكيت أمرًا لهذه ‎AY ‏الخاصة بالشكل‎ (SEM) ‏الموادء كما يمكن أن يُشاهد في صور ماسح الإلكترون الدقيق‎ ٠ ‏الطبقات في الشكل‎ hese ‏يتم عرض الأداء الفلطائية الضوئية الخاصة بالأجهزة المتضمنة هذه‎
Ne ‏المقارنة مع البنى المنتظمة‎ ‎CARN
“v= ‏باعتباره الطبقة المتقبلة‎ PEDOT:PSS ‏أخيرًا؛ تتم مقارنة الجهاز المعكوس الممتازء الذي يتضمن‎ ‏كطبقة استخلاص الإلكترون؛ في مقابل جهاز ببنية منتظمة متكون من طبقة‎ PCOOBM 5 ‏للثقب‎ ‎.)ب١١ ‏باعتباره الطبقة الناقلة للتقب في الشكل‎ sPiIro—OMe TAD 5 1102 ‏متقبلة للإلكترون من‎ ‏وقيم فلطية‎ Yoon / ‏ملي أمبير‎ ١7,5 ‏من‎ lof ‏يحقق كلا الجهازين تيارات دائرة قصر مذهلة‎ ‏من 0,9 فولط. يعتبر الفارق الأساسي في كفاءة تحويل القدرة‎ lef ‏عالية لدائرة مفتوحة تبلغ‎ ‏البالغة 771,8 للبنية المنتظمة و4 797,5 للأجهزة المعكوسة؛ هو معاملات التعبئة المنخفضة‎ ‏بين‎ led ‏محتملاً بسبب إما الأمور المتعلقة بالتسرّب‎ Bd ‏الخاصة بالأخيرة. يكون هذا‎ ‏حالات‎ flo Jal ‏كما هو معروض في‎ PCBM ‏ووصلة غير متجانسة كتلية‎ PEDOT:PSS ‏على الأرجح بسبب ضرورة استخدام طبقة علوية من ثاني أكسيد التيتانيوم‎ (Js ‏الفقد في مقاومة‎ ‏من أجل توافر القدرة على معالجة الأجهزة في ظروف الهواء المحيط.‎ TIOX ٠ ‏توفر الأجهزة الممثلة التي تم الكشف عنها أسلوب جديد بشكل تام لتصميم بنية؛ تحديدًا حيث إنه‎
Wal ‏ما يتم استخدام المواد المستخدمة وانتاجها على نحو كتلي في الوقت الحالي لصناعة‎ dale ‏الفلطائية الضوئية العضوية وينبغي بناءً على هذا زيادة بصورة كبيرة تطوير نظام قابل للإنتاج‎ ‏الاستنتاج‎ Ye ‏ضرورية للتطبيقات‎ FTO ‏من خلال‎ sil) ‏تكون بنى الأجهزة المعكوسة؛ حيث يتم تجميع‎ ‏المترادفة للاستخدام مع خلايا سفلية فلطائية ضوئية غير عضوية. في هذا الطلب يتم عرض خلية‎ ‏فلطائية ضوئية منخفضة الحرارة يمكن الوصول إليها من الهواء المحيط ومحلول اعتماذًا على مادة‎ ‏ومن نوع م الانتقائية في صورة‎ N ‏ماصة للبروفسكيت شبه موصلة ومواد التلامس من نوع‎ ‏و[60] وصلة غير متجانسة كتلية /0081. يتم تحقيق 71,5 من كفاءة تحويل‎ PEDOT:PSS ٠ ‏القدرة لهذه البنية المعكوسة. في هذا المفهوم يوضح هذا تنوّع تقنية الغشاء الرقيق رفيع السك من‎ ‏البروفسكيت لمجموعة واسعة التنوع من تصميمات الجهاز الممكنة؛ وعلى نحو مهم بشكل مساوي؛‎ ‏يؤدي هذا إلى إزالة أية عوائق لاختيار تقنية البروفسكيت بواسطة المجموعة الفلطائية الضوئية‎ ‏العضوية.‎ ‎CARN
-لا ‎١‏ ‏ترسيب بخار ‎SU‏ المصادر تحضير الطبقة التحتية تم إجراء عملية تحضير الطبقة التحتية في الهواء. تم وضع نموذج للزجاج المطلي ‎(FTO)‏ عن طريق التنميش باستخدام مسحوق فلز 20 و ‎HCI‏ ؟ مولار مخفف في ماء ‎milliQ‏ ثم تم تنظيفه © باستخدام محلول ‎ZY‏ من ‎hellmanex‏ مخفف في ماء ‎MilliQ‏ شطفه باستخدام ماء ‎MilliQ‏ ‏أسيتون وايثانول وتجفقيفه باستخدام هواء جاف نظيف. تمت لاحقًا معالجة بلازما أكسجين لمدة ‎٠‏ دقائق. تم طلاء طبقة مضغوطة من 1102 مغزليًا بمحلول حمضي من تيتانيوم أيزو برويبوكسيد في ‎Jat‏ ثم تلبيده عند ‎You‏ درجة ‎YEP‏ لمدة ‎٠١‏ دقائق ثم 5.4 درجة ‎YEP‏ لمدة ‎Ye‏ دقيقة. ‎٠‏ ترسيب البخار يكون النظام المستخدم عبارة عن تبخير مزدوج المصادر للتعامل بصورة أفضل مع المصدر العضوي والمصدر غير العضوي على نحو منفصل. كان المبخر ‎Kurt J.
Lesker Mini sa‏ ‎Deposition System‏ 5060005 _ببوتقات خزفية (مصادر الصمام الثاني باعث الضوء العضوي ‎¢(organic light-emitting diode (OLED)‏ مبيتة في صندوق قفازات جاف ‎Lae‏ ‎١٠‏ بالنيتروجين (الشكل ‎L(V A‏ لهذاء تم تشغيل كل عمليات في بيئة خالية من الأكسجين. يتم تصميم غرفة التشغيل للعمل تحت ضغط يبلغ 5560 - 00 باسكال حيث تكون جسيمات البخار قادرة على الانتقال بشكل مباشر إلى الطبقة التحتية. تم الحفاظ على العينات سطحها لأسفل في حامل أعلى البوتقات المحتوية على مساحيق المصدر. وحدة يتم وضع مراقبة باثنين من المستشعرات البلورية ‎٠١ crystal sensors‏ سم أعلى البوتقات مباشرة لمراقبة معدل الترسيب الخاص بكل ‎Ye‏ مصدر على نحو منفصل بدون التدخل من بعضها البعض. يتم اعتبار القياسات الخاصة بها بمثابة تغذية استرجاعية لضبط درجة حرارة التسخين للمواد الكيميائية الخاصة بالمصدر. يكون مستشعر بلوري آخر متاحًا بالقرب من حامل الطبقة التحتية الذي يمكن استخدامه لقياس إجمالي قياس معامل التشكيل ‎tooling factor measurement‏ ‎CARR‏
—\YA- ‏حيث إن المشافة من المصدر إلى وحدة المراقبة تكون مختلفة عن المسافة من المصدر إلى‎ ‏الطبقة التحتية؛. تمت معايرة معامل التشكيل (نسبة المواد المترسبة على المستشعرات إلى تلك على‎ ‏بسبب‎ Yaw / ‏جم‎ ١ ‏العينات) لكل مصدر بشكل فردي. تم افتراض أن كتافة 011301131 تبلغ‎ © ‏عدم إتاحتها. يتم عرض الإعداد والنتائج في جدول‎
SL
‏على معامل‎ ail ‏معدل زمن‎ ‏المصدر الكثافة الفعلى فى‎ ‏التشكيل‎ To ‏التبخير التبخير المستشعرات‎ ‏المتوسط‎ ‎VEA| ‏كيلو‎ FY YY | ‏أمبير‎ ١١ | ‏جم/‎ ١: 0١ ردصملا‎
APRN
‏سم / ثانية دقيقة أمبير ميكرو متر‎ CH3NH3I ‏نانو‎ ١85 | ‏كيلو‎ ٠ YY |] ‏المصدر 7 5,85 جم/ | ه أمبير‎ 0,¢) ‏سم ثانية دقيقة أمبير متر‎ 2 ‏قياس معامل التشكيل‎ zo ‏جدول‎ 0 ‏لاحظ أنه كان من العسير تبخير المصدر العضوي 0113101131 على نحو ثابت بسبب عدم ثباته‎ ‏أثناء عملية التبخير وتضمن معدل ترسيبه ما يصل إلى + / - 770 من الاشتقاق من قيمة‎ ‏الغشاء الرقيق‎ ele ‏بواسطة مسبار‎ physical thickness ‏الفيزيائي‎ elds ‏المجموعة. تم قياس‎ .Veeco DekTak 150 ‏ترسيب البروفسكيت ثنائي المصادر‎ A ‏شمسية من البروفسكيت ذات الوصلة المسطحة عن طريق‎ WIA ‏يهدف المخترعون إلى فحص‎ ‏التبخير في نظام الترسيب مزدوج المصادر. يمكن ترسيب البروفسكيت المتبخر أعلى الطبقة‎ (zY¥ ٠و ‏“ب‎ ٠ ‏متوسطة المسام (الشكل‎ daha ‏مباشر بدون‎ J, TiO2 ‏المضغوطة من‎
ER
-١؟4-‎
تم وزن المصدر العضوي 0113001131 والمصدر غير العضوي 06012 تقريبًا عند ‎٠٠١‏ مجم
و١١٠٠‏ مجم؛ ووضعهما في الاثنين من البوتقات على التوالي. تم إدخال العينات مع وضع سطحها
لأسفل في حامل الطبقة التحتية. بمجرد أن تم تفريغ الضغط في الغرفة وصولاً إلى ‎Toe = oun‏
باسكال؛ تم فتح وسائل إغلاق الاثنين من مصادر الصمام الثاني باعث الضوء العضوي ‎OLED‏
© بينما يتم تسخين المصادر. بمجرد أن حقق الاثنين من المصادر قيم المجموعة؛ تم فتح وسيلة
الإغلاق الخاصة بالطبقة التحتية عن طريق تدوير الحامل من أجل الحصول على غشاء رقيق
رفيع ‎SLL)‏ منتظم.
بعد استكمال التبخيرء تم تغيير لون العينات التي تناظر تركيبة الاثنين من المصادر. ثم تم وضع
كل العينات عند طبق ساخن للتجفيف عند ‎٠٠١‏ درجة مئوية ‎٠٠ sad‏ دقيقة لتبلّر بلورة بروفسكيت ‎٠‏ قبل الطلاء المغزلي لطبقة المادة الناقلة للتقب. يعرض الشكل ‎7١‏ صورة السطح بعد تلدين بلورة
البروفسكيت على الطبق الساخن. حتى الآن في التجربة؛ تم استخدام 79 ‎spiro—OMeTAD‏ في
محلول كلورو بنزين مع إضافة ‎lithium, tert-butylpyridine (tBP) - t‏
‎bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (Li-TFSI)‏ باعتباره المادة الناقلة ‎dill‏ وتم طلاؤه
‏مغزليًا عند ‎٠00860‏ لفة في الدقيقة ‎sad‏ £0 ثانية. في النهاية؛ تم إكمال الأجهزة بتبخير إلكترودات ‎Vo‏ تلامس من الفضة (الشكل ‎(IY‏
‏بمقارنة البروفسكيت المتبخر مع بروفسكيت ‎hall‏ مغزليًا التقليدي؛ كان للبروفسكيت المتبخر
‏سطح أكثر انتظامًا وتسطيحًا مع ثقوب أقل (الشكل ‎L(V)‏ تتلامس التغطية التامة للبروفسكيت
‏المتبخر بشكل تام فقط مع الطبقة المضغوطة من 1102؛ ولكن أيضنًا تعزل طبقة المادة الناقلة
‏للثقب عن الطبقة المضغوطة. بالتأكيد سيساعد هذا الخلية الكهروضوئية إضافة إلى الفلطية خلال ‎٠‏ النظام.
‏تمييز الجهاز : بدأت التجربة بتركيبة متغيرة ‎CH3NH3I‏ الى 055612 من 4 : ‎١‏ إلى ‎١٠١‏ :
‎١‏ بنسبة مولارية أقل من إجمالي مثمك ثابت. بمجرد أن يتم الوصول بالتركيبة إلى المستوى
‎ca)‏ تم فحص ‎SL‏ المرغوب فيه في ظل أفضل تركيبة.
‎CARN vg ‏لقد تم تحقيق أفضل أداء وصولاً إلى 717 من كفاءة القدرة الكهربائية مع ضبط معدل الترسيب‎ ‏نانومتر / ثانية 06612 الذي ينبغي بصورة‎ ١,١ ‏و‎ CH3NH3I ‏على 07+ نانومتر / ثانية ل‎ ‏بنسبة مولارية إذا تم أخذ معامل التشكيل في الاعتبار. مع ذلك؛ كما هو‎ ١ : 9,9 ‏مثالية إعطاؤه‎ ‏انحراف»؛ بلغ‎ CH3NH3I ‏ما يكون لتبخير المصدر العضوي‎ Wh ‏مذكور من قبل؛ حيث إنه‎ 4,7 4 ‏نانومتر بدلاً من المتوقع‎ 5,44 CHANH3I ‏ل‎ ١ ‏النهائي المعروض على المستشعر‎ lll © +,01 CH3NH3I ‏ينبغي أن يبلغ متوسط معدل الترسيب الفعلي ل‎ «opal ‏نانومتر. بصياغة‎ ‏نانومتر/ ثانية. في هذه الحالة؛ تم ترسيب الغشاء‎ ١,57 ‏نانومتر / ثانية بدلاً من قيمة الضبط‎ ‏تؤدي للحصول‎ ١ : 9,8 05012 ‏إلى‎ CH3NH3I ‏الرقيق بالفعل في ظل نسبة مولارية خاصة ب‎
DekTak ‏بواسطة مسبار‎ Lilie ‏نانومتر‎ 77١0 ‏فيزيائي يبلغ‎ olds ‏على‎ ‏ملي‎ YY, EV ‏أدى أفضل أداء إلى الحصول على تيار الخلية الكهروضوئية لدائرة قصر 56ل يبلغ‎ ٠ ‏فولط ومعامل‎ ٠,097 ‏تبلغ‎ VOC ‏فلطية دائرة مفتوحة المركبات العضوية المتطايرة‎ (Yous / ‏أمبير‎ ‏مما يؤدي إلى الحصول على كفاءة تحويل كهربائي للقدرة تصل إلى‎ ١,719 ‏يبلغ‎ (FF) ‏تعبئة‎ ‎: ‏قياس السمات المميزة للتيار - الفلطية‎ YY ‏كما هو معروض في الشكل‎ 9 7 ‏في ظل ضوء الشمس مستحث‎ )2400 Series SourceMeter, Keithley Instruments) ‏ملي واط ©٠سم-؟ وتم إخفاء الخلايا الشمسية باستخدام فتحة فلز‎ ٠٠١ ‏عند إشعاع‎ 6١,5 ‏صباحًا‎ ١ ‏لتحديد المساحة النشطة بلغت نمطيًا 0,071 سم؟ وقياسها في حامل عينة محكمة الضوء لتقليل‎ ‏أية تأثيرات حدية.‎
XRD ‏تم قياس نموذج حيود أشعة إكس‎ and) ‏من أجل تحديد المحتويات في الغشاء الرقيق‎ ‏التقليدي للبروفسكيت‎ XRD ‏لسطح البروفسكيت المتبخر ثم مقارنته مع نموذج حيود أشعة إكس‎
YOKE ‏المطلي مغزليًا والمواد الكيميائية الأساسية الأخرى كما هو معروض في‎ ٠
Bilao ‏فإنها تعرض بوضوح أن البروفسكيت المتبخر يكون‎ XRD ‏وفقً لنماذج حيود أشعة إكس‎ ‏في الغالب للمحلول المعالج الخاص بالغشاء الرقيق من البروفسكيت المعالج من المواد المنتجة‎ ‏(التذي يُطلق عليه 330») الذي يوضح أن البروفسكيت‎ DMF ‏في‎ PbCI2 ‏و‎ CH3NH3I ‏البروفسكيت المطلي مغزليًا.‎ Jie ‏المتبخر له نفس البنية البلورية‎
AEA
تمت مقارنة القياس الأخير في الشكل ‎YE‏ بالامتصاص ‎led‏ بين ‎٠0١60‏ نانو متر للغشاء الرقيق المتبخر والغشاء الرقيق المطلي مغزليًا. يكون للامتصاص الخاص بالاثنين من مواد البروفسكيت المتبخر ذي "الوصلة المسطحة” 700 نانو ‎jie‏ الشكل المشابه للامتصاص مثل البروفسكيت الذي تم طلاؤه مغزليًا ذي "الوصلة المسطحة” ‎٠٠١‏ نانو مترء ولكن يكون للبروفسكيت المتبخر وحدات أكبر في الامتصاص. الاستنتا ج: في هذا الطلب 6 يثم توضيح البروفسكيت المتبخر المختلط غير العضوي - العضوي على الخلايا الشمسية ذات الوصلة السطحة بأكثر من 715 كفاءة تحويل كهربائية للقدرة عن طريق التحكم بشكل ملائم في معدل الترسيب الخاص ب 6113117131 و 00012 والمثمك المترسب على الطبقة التحتية. يتغلب تحقيق استخدام تقنيات التبخير لإنتاج خلايا شمسية من البروفسكيت ‎Yo‏ على القيود الخاصة بعملية المحلول لإيجاد محلول ملائم لإذابة المواد الكيميائية ومن ثم تساعد ‎Lal‏ في التسويق التجاري للخلايا الشمسية المختلطة غير العضوية - العضوية. ‏بشكل عام؛ يعتبر من المفيد أن يتم الحفاظ على بنية بلورية ثلاثية الأبعاد في البروفسكيت؛ في ‏مقابل تكوين مواد بروفسكيت من طبقات التي ‎ia‏ سيكون لها قيم طاقة ربط إكسيتون أكبر : ‎energies (Journal of Luminescence 60861 (1994) 269 274).‏ يكون من المفيد ‎١‏ أيضًا أن تتوافر القدرة على ضبط ‎sad‏ النطاق الخاصة بالبروفسكيت. يمكن تغيير فجوة النطاق إما ‏عن طريق تغيير الكاتيونات الفلزية أو الهاليدات الخاصة بهاء الأمر الذي يؤثر بشكل مباشر على ‏كل من المدارات الإلكترونية والبنية البلورية. على نحو بديل؛ عن طريق تعديل الكاتيون العضوي ‎methylammonium cation ‏(على سبيل المثال من كاتيون ميثيل أمونيوم‎ organic cation ‏إلى كاتيون فورماميدينيوم ‎(formamidinium cation (FO)‏ يمكن تبديل البنية البلورية. مع ‎٠‏ ذلك»؛ من أجل المواعمة داخل بلورة البروفسكيت؛ يتحتم الإيفاء بالحالة الهندسية التالية: ‎(Rg + ‏قاذ يط = زر‎ +R; ‏حيث تكون ‎RABEX‏ هي أنصاف الأقطار الأيونية لأيونات ‎LABX‏ لقد وجد المخترع على نحو ‏غير متوقع أن كاتيون فورماميدينيوم ‎(FO)‏ لا يحتاج تكوين بنية البروفسكيت في بنية بلورية ثلاثية ‎CARN
الأبعاد في بروفسكيت ‎FOPPBR3‏ (بلورة رباعية ‎(tetragonal crystal‏ أو 53 (بلورة مكعبة ‎(cubic crystal‏ ومواد بروفسكيت من هاليد منها. إنتاج طبقة بروفسكيت من خطوتين تحضير الطبقة التحتية © تم تنميش نموذج إلكترود على طبقات تحتية من الزجاج مطلية باستخدام ( 7 ‎FTO, TEC‏
‎(Pilkington Glass‏ باستخدام خليط من مسحوق 2# و ‎HCI‏ ؟ مولار. ثم تم تنظيفها تتابعيًا في *080 18 ماء تم نزع أيونات منه ‎water‏ 46-1001560 ؛ أسيتون ‎acetone‏ ؛ بروبان -؟ - اول ‎propan—-2-ol‏ وبلازما ‎plasma‏ 02. ترسيب طبقة انتقائية للإلكترون
‎٠‏ تعمل طبقة رفيعة ‎٠٠ Td) clei‏ نانو ‎(ie‏ من 1102 باعتبارها الطبقة الانتقائية للإلكترون. يتم ترسيبها على الطبقة التحتية عن طريق الطلاء المغزلي (السرعة = ‎7٠00٠0‏ لفة في الدقيقة؛ التسارع = ‎7٠00١0‏ لفة في الدقيقة / ثانية؛ الزمن = ‎٠١‏ ثانية) من محلول مرشح (مرشح بولي تيترا فلورو إيثيلين ‎polytetrafluoroethylene‏ 40 ميكرومتر) محتوي على تيتانيوم - أيزو بروبوكسيد ‎dtitanium —isopropoxide‏ إيثانول ا810800 مع ‎HCI‏ مضاف. تم تسخين هذه
‎١٠‏ الأغشية الرقيقة وصولاً إلى ‎٠٠٠‏ درجة مئوية ‎9٠ sad‏ دقيقة. تبخير ‎(PbI2)‏ و 06012 : تم ترسيب الأغشية الرقيقة رفيعة ‎١5١ Gy) cll)‏ نانو متر) ‎of‏ ‏2 أو 05012 عن طريق التبخير الحراري من خلال قناع إخفاء على الطبقات التحتية عند ضغط يبلغ تقريبًا ‎١‏ جح حجر باسكال عند معدل يبلغ تقريبًا ‎Y‏ أنجستروم / ثانية . بلغت درجات حرارة التبخير تقريبًا ‎7١760‏ درجة مئوية و١٠‏ درجة ‎Ge‏ 0512 و 05012 على التوالي.
‎Ye.‏ تحويل البروفسكيت عن طريق الطلاء بالغمس للطلاء بالغمس»؛ تم غمر الطبقات التحتية المطلية مسبقًا في 0512 أو 05012 في محلول ‎٠١‏ ‏مجم / مل من يوديد ميثيل أمونيوم في لامائي بروبان ‎Y=‏ - اول في صندوق قفازات معبأ بنيتروجين. كان زمن الغمس ‎BE‏ لكل ‎Seay)‏ عند ‎٠١‏ دقائق. بعد الطلاء بالغمس؛ تم تلدين
‎CARR
الطبقات التحتية عند ‎١7١‏ درجة مئوية في جو من النيتروجين لمدة ‎٠١‏ دقائق. يمكن أن تتراوح أزمنة الغمس من ‎٠١‏ ثوان إلى 7 ساعة؛ للمثال المتوفر في هذه البراءة؛ بلغ زمن الغمس ‎٠١‏ ‏دقائق. ‏ترسيب مادة ناقلة للتقب ثم ترسيب المادة الناقلة القبء
2,2',7,7'-tetrakis—(N,N-di-pmethoxyphenylamine)9,9'-spirobifluorene = ‏لفة في الدقيقة؛ التسارع‎ ٠٠00١0 = ‏عن طريق الطلاء المغزلي (السرعة‎ ¢((spiro-OMeTAD ‏ملي مولار محتوي‎ A ‏لفة في الدقيقة / ثانية الزمن حا 51( من محلول كل و بنزين‎ ٠٠ ‏بالمول ليثيوم بيس‎ 77٠١و‎ tert-butylpyridine (tBP) ‏بيوتيل بيريدين‎ - t ‏على 7860 بالمول‎ lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide ‏فلورو ميثان سلفونيل) إيميد -نا)‎ gh) ٠ ‏بنيتروجين.‎ fre ‏كمواد إضافة في صندوق قفازات‎ TFSI) ‏ترسيب الإلكترود العلوي‎ ‏ميكر تور)‎ © Lyi ‏تم ترسيب الإلكترود العلوي من الفضة عن طريق التبخير الحراري (الضغط‎ ‏نانومتر / ثانية.‎ ١7 ‏نانومتر عند تقريبًا‎ ١٠١ ‏وصولاً لثمك يبلغ‎
‎Vo‏ تمييز التيار - الفلطية للجهاز لقياس أداء الخلايا الشمسية؛ تم توليد ضوء الشمس مستحث صباحًا 1,0 باستخدام محاكي شمسي من فئة ‎AAB ABET‏ معاير للحصول على مستحث صباحًا 5,٠؛‏ بإشعاع مكافئ ‎٠١6,5‏ ملي واط / ‎«Yau‏ باستخدام خلية مرجعية من سيليكون مرشح ‎KGS filtered silicon‏ معاير ب اع4الا. تم حساب معامل عدم التوافق ‎mismatch factor‏ ليكون ‎ld), Te‏ بين ‎٠٠9‏ إلى
‎dee ٠‏ نانو مترء التي تفوق نطاق التشغيل الخاص ‎JS‏ من خلية مرجعية من سيليكون مرشح ‎WIA, KGS‏ اختبار البروفسكيت. تم تسجيل منحنيات التيار - الفلطية باستخدام مقياس مصدر ‎(Keithley 2400, USA)‏ تم إخفاء ‎WAY‏ الشمسية باستخدام فتحة فلز تحدد المساحة النشطة ‎(Yau +, 2 1Y0)‏ للخلايا الشمسية. يتم عرض السمات المميزة لشدة - فلطية تيار خاصة بالأجهزة
‎CARR
في الشكل ‎YY‏ (0012 باعتباره الطبقة المتفاعلة ضوئيًا (الخط المتقطع) و ‎CH3NH3PDI3‏ بعد الطلاء بالغمس باعتباره الطبقة المتفاعلة ضوئيًا (الخط المصمت)) والشكل ‎vv‏ (56012 باعتباره الطبقة المتفاعلة ضوئيًا (الخط المتقطع) 5 ‎CH3NH3PbI3-XCIX‏ بعد الطلاء بالغمس باعتباره الطبقة المتفاعلة ضوئيًا (الخط المصمت ‎(solid line‏ ‎o‏ حيود أشعة إكس
تم الحصول على أطياف حيود أشعة إكس ‎(XRD)‏ من الأجهزة بدون إلكترودات من الفضة (زجاج مطلي ب ‎(TIO2 (FTO‏ الطبقة المتفاعلة ‎(Spiro—OMeTAD «li sun‏ باستخدام مقياس حيود لأشعة إكس من نوع ‎Pro‏ 260631 08081700681. يتم عرض النتائج في الشكل ‎TY‏
‎Ve‏ ثم الحصول على صور ‎aad)‏ المجهري الإلكتروني الماسح ‎(SEM)‏ من الأجهزة بدون إلكترودات من الفضة (زجاج ‎he‏ ب ‎(TiO2 FTO‏ الطبقة المتفاعلة ‎SpiIro— (Wea‏ ‎(OMeTAD‏ باستخدام 5-4300 ‎(Hitachi‏ يتم عرض الصور بالميكروسكوب الإلكتروني في الشكل ‎J) va‏ (أ) 05012 و(ب) ‎CH3NH3PbI3-XClIx‏ بعد الطلاء بالغمس) والشكل ‎٠0‏ (ل (أ) 0012 و(ب) 611311130513 بعد الطلاء بالغمس).
‎Vo‏ النتائج والمناقشة : تسمح الطريقة ذات الخطوتين بإنتاج أغشية رقيقة منتظمة من البروفسكيت باستخدام تقنيات اقتصادية التي تكون متاحة بالفعل في صناعة تركيب الألواح الزجاجية. بعد ترسيب أولي لداي هاليد فلز ‎metal dihalide‏ ؛ يمكن إنتاج أغشية رقيقة منتظمة مستوية من البروفسكيت بواسطة ترشيح داي هاليد الفلز مع الهاليد العضوي ‎halide‏ 0198116. يعرض الشكل ‎١‏ أطياف حيود أشعة إكس لأغشية ‎dad,‏ رفيعة ‎cll‏ من () 05012 (ب)
‎«CH3NH3PbI3-xCIx ٠‏ (ج) 512©؛ 5 )3( ‎LCH3NH3PbI3‏ بعد الطلاء بالغمس؛ تعرض الأغشية الرقيقة من كل المواد المنتجة انخفاض شدة نسبي للقمم التي تناظر شبكة المادة المنتجة وزيادة نسبية لشبكة البروفسكيت (غير موجود في أطياف حيود أشعة إكس ‎(XRD)‏ للمادة المنتجة) مما يدل على تحوّل سائد للأغشية الرقيقة من المادة المنتجة في البروفسكيت.
‎CARN
-هع١-‏ يعرض الشكل 74 صور دقيقة بالمسح بالإلكترون لقطاع عرضي من الأجهزة تعرض» من القاع إلى القمة؛ الطبقة التحتية من الزجاج» ‎(FTO‏ طبقة 1102 الحساسة للإلكترون, الطبقة المتفاعلة ‎.Spiro-OMeTAD (i sua‏ تكون الطبقات المتفاعلة ضوئيًا هي (أ) كلوريد الرصاص 65612؛ و(ب) ‎CH3NH3PbI3-XClX‏ بعد الطلاء بالغمس. يعرض الشكل ‎١0‏ صور دقيقة بالمسح 0 بالإلكترون لقطاع عرضي من الأجهزة تعرض؛ من القاع إلى القمة؛ الطبقة التحتية من الزجاج؛ ‎(FTO‏ طبقة 1102 الحساسة للإلكترون؛ الطبقة المتفاعلة ضوئيًا» ‎.Spiro—OMeTAD‏ تكون الطبقات المتفاعلة ضوئيًا هي (أ) ‎PbI2‏ و(ب) 0113101130513 بعد الطلاء بالغمس. في كلا الحالتين» تعرض مواد البروفسكيت المنتجة عن طريق الطلاء بالغمس انتظامًا نسبيًا. يتم عرض السمات المميزة لشدة - فلطية تيار خاصة بالأجهزة في الأشكال ‎TY‏ و؟3. في الشكل ‎FY).‏ يتم عرض السمات ‎hued)‏ لجهاز تم إعداده باستخدام ‎PbI2‏ باعتبارها الطبقة النشطة ‎Lal)‏ ‏المتقطع) وجهاز حيث تم تحويل 0012 المتبخر إلى 0113111130513 (الخط المصمت) عن طريق الطلاء بالغمس في محلول يوديد ميثيل أمونيوم ‎ methylammonium iodide‏ ‎.propan—2-ol‏ متغيرات الأداء 0612 تكون 6ل - ‎٠,1‏ ملي أمبير [ ‎PCE Yau‏ حنمن المركبات العضوية المتطايرة ‎١,597 = VOC‏ فولط؛ معامل التعبئة ‎FF‏ = 57,.. متغيرات الأداء ل ‎CH3NH3PbI3 ١٠‏ تكون 86ل = 5,9 ملي أمبير / ‎PCE (Yau‏ = 27,4 المركبات العضوية المتطايرة ‎AY = VOC‏ ,+ فولط؛ معامل التعبئة ‎..,11١ = FF‏ في الشكل ‎YY‏ يتم عرض سمات مميزة لشدة - فلطية تيار خاصة بجهاز تم إعداده باستخدام 06612 باعتبارها الطبقة النشطة (الخط المتقطع) وجهاز حيث تم تحويل 06012 المتبخر إلى *ا0*-113111130513© (الخط المصمت) عن طريق الطلاء بالغمس في محلول يوديد ميثيل ‎methylammonium asi sd‏ ‎iodide ٠‏ في ‎.propan-2-ol‏ متغيرات الأداء 05012 هي 56ل - ‎046١‏ ملي أمبير / ‎You‏ ‎PCE‏ = ...0 7< المركبات العضوية المتطايرة ‎١,79 = VOC‏ فولط؛ معامل التعبئة ‎FF‏ = ‎oo, YY‏ متغيرات الأداء ل ‎CH3NH3PbI3-xXClx‏ هي 56ل = ‎١5,٠‏ ملي أمبير / ‎PCE (Yau‏ = 77/,6, المركبات العضوية المتطايرة ‎١,8 = VOC‏ فولط؛ معامل التعبئة ‎FF‏ = 495,.. في كلا الحالتين» يتم عرض أنه يتم إنتاج الأجهزة القابلة للتطبيق بواسطة هذه الطريقة ذات الخطوتين. ‎Yo‏ تقدير طول انتشار ‎sald)‏ الحاملة للشحنة ‎CARN‏
لشحنة (إما إلكترون أو ثقب) سيتم توليدها من امتصاص الضوء وتجميعها بكفاءة من غشاء رقيق صلب رفيع ‎cll)‏ يتحتم أن تكون فترة عمر أنواع الشحنات (الوقت الذي ستستمر فيه قبل ‎sale)‏ ‏الدمج مع أنواع مشحونة على نحو مضاد) أطول من الزمن الذي تستغرقه للانتشار عبر الغشاء الرقيق وتتدفق إلى الإلكترود. يمكن استخدام المنتج الخاص بمعامل الانتشار ‎diffusion‏ ‎(De) ©‏ 00617001601 وفترة عمر (© + ) 61116]]| لتقييم طول الانتشار ‎diffusion length (LD)‏ بإتباع عق ‎Lo=‏ ‏لقد تم استخدام إخماد الوميض الضوئي ‎Photoluminescence (PL)‏ من قبل بنجاح مع مواد شبه موصلة عضوية؛ من أجل تحديد طول الانتشار الخاص بزوج الإلكترون - الثقب لرابطة الضوء المستحث (الإكسيتون01107»*© ). عن طريق تصنيع بشكل مبسط أغشية رقيقة صلبة رفيعة ‎Gel‏ وجود أو عدم وجود طبقة إخماد إكسيتون؛ وقولبة إضمحلال الوميض الضوئي على معادلة انتشارء من الممكن تحديد بدقة فترة عمر الإكسيتون؛ معدل الانتشار وطول الانتشار. يتم عرض صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ لقطاع عرضي من طبقة امتصاص هاليد مختلط ‎-”7١70 clay‏ نانو متر مع طبقة إخماد ثقب علوية من ‎Spiro—OMeTAD‏ في الشكل ‎FT‏ تمت قولبة ديناميكيات إضمحلال ‎PL‏ عن طريق حساب العدد والتوزيع الخاص بحالات الاستثارة في ‎١‏ الغشاء الرقيق ‎FER (Xt) n‏ لمعادلة الانتشار ‎1-D‏ (المعادلة ‎,)١‏ ‎k(Enlx‏ مقن ‎Tat‏ )0 حيث ‎D‏ تكون معامل الانتشار 5 ‎k(t)‏ تكون معدل الإضمحلال ‎PL‏ في ظل غياب أية ‎sale‏ إخماد. تم تحديد إجمالي معدل الإضمحلال ‎K‏ عن طريق مواعمة إضمحلال استثنائي ممدد مع بيانات ‎PL‏ ‏المقاسة من طبقات البروفسكيت المطلية ب ‎.Poly(methyl methacrylate) PMMA‏ & ‎٠‏ تضمين تأثير طبقة الإخماد عن طريق افتراض أنه يتم إخماد كل المواد الحاملة المتولدة ضوئيًا التي تصل إلى السطح البيني؛ مما يؤدي إلى الحصول على حالة الحد 1.,](7)- صفرء؛ حيث »« = صفر عند السطح البيني للزجاج / البروفسكيت وا تكون ‎Gl‏ الغشاء الرقيق من البروفسكيت. عندما تتم استثارة العينات ضوئيًا من جانب الطبقة التحتية من الزجاج الخاصة بالعينات؛ تم إعطاء التوزيع الأولي لحالات استثارة الضوء بواسطة (000-)008*0-(0),0؛ حيث © تكون ‎CARR‏
-١6ا/-‎ معامل الامتصاص. ثم تم تحديد طول الانتشار ‎LD‏ الخاص بالأنواع من ‎VDT‏ = 25؛ حيث + ‎١<‏ / »ا تكون فترة ‎jee‏ إعادة الاندماج في ظل غياب عامل إخماد. ‏إذا تم تكوين الشحنات المطلقة على نحو سائد عند استثارة ‎Jia opal)‏ إضمحلال ‎PL‏ تفكيك ‏مجموعات المواد الحاملة للشحنات ويمكن تقدير معاملات الانتشار للتقوب أو الإلكترونات اعتمادًا على أي طبقة إخماد يتم استخدامها. ‏يتم عرض النتائج من مواعمات نموذج الانتشار في الشكل 4 ؟ والشكل ‎Yo‏ والمتغيرات الملخصة ‏في جدول ‎١‏ (لا تكون ثابت الانتشار 5 ‎LD‏ طول الانتشار). ‏جدول 1 ‏7 ٍّ للا ‎٠١+ ٠54 EA I ‏الإلكترونات تك‎
CH3NH3Pbl 3-xClx ‏ب"‎ ‎11311135 3 ‎A‏ مقارنة ‎dee‏ البروفسكيت ‏ من ‎allay (CH3NH3PDI3) ays lp‏ مختلط ‎(CH3NH3PbI3-xClx) ٠‏ في الشكل ‎7١7‏ الذي ‎gap‏ إضمحلال ‎(amy‏ ضوئي لغشاء ‏بروفسكيت رقيق من تزاي هاليد ‎(aba)‏ عضوي 110806 ‎organolead‏ لياليد ‎halide‏ ‏مختلط ‎CH3NH3PbI3—xClx‏ (مربعات سوداء) وغشاء بروفسكيت رقيق من تراي يوديد ‏رصاص عضوي ‎CH3NH3PbLI3‏ 11100606 0098001680 (مربعات رمادية)؛ مطلي ب ‎CARR
-١؟م-‎
‎PMMA‏ فترات العمر ‎Te‏ المستشهد بها باعتبارها الزمن المستغرق للوصول إلى ‎١‏ / إلكترون
‏الخاص بالشدة الأولية.
‏بشكل مثير للدهشة؛ تكون أطوال الانتشار لكل من الإلكترونات والثقوب في البروفسكيت من
‏الهاليد المختلط أكبر من ‎١‏ ميكرو مترء الذي يكون إلى حدٍ كبير أطول من عمق الامتصاص
‏0 البالغ من ‎٠٠١‏ إلى 700 نانو متر. يوضح هذا أنه ينبغي ألا يكون هناك متطلبات للبنية متوسطة
‏المسام أو البنية بحجم النانو مع المادة الماصة للبروفسكيت النوعية هذه. يكون للأغشية الرقيقة من
‏تراي يوديد البروفسكيت ‎CH3NH3PbI3 triiodide perovskite‏ طول انتشار أقصر يبلغ
‎٠٠١ WE‏ نانو متر لكل من الإلكترونات والثقوب. تسمح أطوال الانتشار الأطول الخاصة
‏بالبروفسكيت من الهاليد المختلط بتكوين الأدوات الفلطائية الضوئية ذات الطبقات من البروفسكيت ‎٠‏ بقيم ‎elds‏ تزيد عن ‎٠٠١‏ نانو متر تُظهر سمات مميزة فائقة لجهاز.
‏الطرق
‏تحضير المادة المنتجة للبروفسكيت:
‏تم تحضير ميثيل أمين يوديد ‎Methylamine iodide (MAD)‏ عن طريق تفاعل ميثيل أمين
‎methylamine‏ « 777 بالوزن في إيثانول ‎(Sigma-Aldrich) ethanol‏ مع حمض ‎١٠‏ ميدرويوديك ‎hydroiodic acid (HI)‏ 7597 بالوزن في ماء ‎(Sigma-Aldrich)‏ عند درجة
‏حرارة الغرفة. تمت إضافة ‎(HI)‏ قطرة بقطرة بينما يتم التقليب. عند التجفيف عند ‎٠٠١‏ درجة
‏مئوية؛ تم تكوين مسحوق أبيض» تم تجفيفه طوال الليل في فرن خوائي وإجراء إعادة تبلّر له من
‏إيثانول .قبل الاستخدام. لتكوين ‎CH3NH3PbI3—XClx‏ أو محلول_ المادة المنتجة ل
‎«CH3NH3PbI3‏ تمت إذابة يوديد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium iodide‏ وإما كلوريد ‎٠‏ الرصاص ‎(Sigma-Aldrich) lead (ll) chloride‏ أو رصاص يوديد ‎lead (Il) iodide‏
‎N,N-Dimethylformamide ‏داي ميثيل فورماميد لامائي‎ - NN ‏في‎ (Sigma-Aldrich)
‎(DMF)‏ عند نسبة مولارية ؟ : ‎١‏ من ‎MAL‏ إلى 05012 / 0512؛ بتركيزات نهائية ‎AN‏ مولار
‏من كلوريد الرصاص ‎lead chloride‏ / يوديد 100106 و14,؟ مولار من يوديد ميثيل أمونيوم.
‏تحضير الطبقة التحتية:
‎CARR
—V£4- ‏تتابعيًا في 77 مظف من‎ PL TA ‏تم تنظيف الطبقات التحتية من الزجاج لقياسات الامتصاص»‎ ‏وبلازما أكسجين‎ propan-2-ol ‏اول‎ -Y - ‏بروبان‎ « acetone ‏أسيتون‎ challmanex .)١0- ‏لا أوم‎ (Pilkington) (FTO) ‏تم تصنيع الأجهزة على جهاز مطلي‎ .oxygen plasma ‏الأولي من المناطق تحت منطقة تلامس الآنود؛ لمنع الإغلاق عند التلامس مع‎ FTO ‏تمت إزالة‎ ‏باستخدام حمض الهيدروكلوريك ؟ مولار ومسحوق‎ (FTO) ‏عن طريق تنميش‎ could ‏أوتاد‎ © ‏الزنك. ثم تم تنظيف الطبقات التحتية وتنميشها بالبلازما كما هو موضح من قبل. تم ترسيب طبقة‎ ‏من أيزو‎ ine ‏إعاقة ثقب من 1102 مدمج عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول حمضي‎ ‏م لمدة‎ ٠٠0 ‏؛ وملدن عند‎ ethanol ‏في إيثانول‎ titanium isopropoXide ‏بروبوكسيد تيتانيوم‎ ‏ثانية.‎ Te ‏لفة في الدقيقة لمدة‎ ٠٠٠١ ‏دقيقة. ثم إجراء الطلاء المغزلي عند‎ Ye ‏ترسيب بروفسكيت:‎ Ye ‏على‎ Whe ‏تم طلاء المادة المنتجة غير المتكافثة‎ cabal) ‏لتكوين طبقة البروفسكيت لقياسات‎ ‏تم استخدام‎ «CH3NH3PbI3-XCIx ‏لفة في الدقيقة في الهواء. ل‎ Yo or ‏الطبقة التحتية عند‎ ١ : ١ ‏عند‎ DMF ‏تم تخفيف المادة المنتجة في‎ «CH3NH3PDI3 ‏المادة المنتجة كما هي؛ ل‎ ‏الطلاء المغزلي؛ تم تلدين الأغشية الرقيقة‎ ay DMF ‏منتجة إلى‎ sale ‏نسبة محلول‎
Vou ‏عند‎ CH3NH3PDI3 ‏درجة مثئوية لمدة £0 دقيقة. و‎ ٠٠١ ‏عند‎ CH3NH3PbI3—xCIx ١٠ ‏دقيقة. ثم تم ترسيب عوامل الإخماد العلوية في الهواء عبر الطلاء المغزلي‎ VO ‏درجة مئوية لمدة‎ ‏(ميثيل ميثاكريلات‎ Poly ‏بالشروط التالية: بولي‎ chlorobenzene ‏لمحاليل كلورو بنزين‎ ( methyl methacrylate ‏ميثيل إستر‎ - C61 - phenyl ‏عند ١٠مجم [ مل وفينيل‎ (Sigma-Aldrich) PMMA) ¢PCBM ‏(وصلة غير متجانسة كتلية‎ butyric acid methyl ester ‏الحمض بيوتيريك‎ ٠ ‏لفة في الدقيقة؛ و:‎ ٠٠٠١ ‏مجم / مل؛ كلاهما تم طلاؤه مغزليًا عند‎ ٠١ ‏عند‎ (V Solenne 8 2,2,7, —tetrakis—(N,N-di-p—methoxyphenylamine)9,9’-spirobifluorene ‏لفة في‎ ٠٠0 ‏مولار مطلي مغزليًا عند‎ ١,47 ‏عند‎ (Borun Chemicals ¢spiro—-OMeTAD) ‏الدقيقة.‎ ‎CARR
‎OW —‏ \ _ التمييز : صور ماسح الإلكترون الدقيق (/581). تم قياس قيم ‎Cll)‏ العينة باستخدام مقياس وعورة سطح ‎.Veeco DekTak 0‏ © قياسات الوميض الضوئي والمواعمات: تم الحصول على قياسات اللمعان الضوئي ا في الحالة الثابتة والمحللة ‎Ge)‏ باستخدام إعداد عد فوتون فردي مرتبط بالزمن ‎time-correlated single photon counting (TCSPC)‏ ‎(FluoTime 300, PicoQuant GmbH)‏ تمت استثارة عينات الغشاء الرقيق ضوئيًا باستخدام رأس ليزر ‎ov‏ نانو متر ‎(LDH-P-C-510, PicoQuant GmbH)‏ تصدر نبضات عند ‎A‏ ترددات فيما بين ا ‎٠١-‏ ميجا هرتزنء بفترة ‎ay‏ تبلغ اكيم وتدفق جسيمات يبلغ ؟ ‎nd‏ ‎Yau /‏ .8 تجميع ‎PL‏ باستخدام تجميعة كاشف بمضاعف ضوئي مختلط وأحادي اللون ‎Je‏ دقة الوضروح ‎.(PMA Hybrid 40, PicoQuant GmbH)‏ تعتبر المتغيرات التي تصف ديناميكيات الوميض الضوئي في ظل غياب أي عامل إخماد مدخلات مطلوبة في نموذج الانتشار. تم الحصول عليها عن طريق مواعمة اللمعان الضوئي ‎١‏ المصحح في الخلفية المقاس من أغشية رقيقة من البروفسكيت مغطاة ب ‎Poly(methyl‏ ‎methacrylate) PMMA‏ بدالة إضمحلال استثنائي ممدد لها الصورة, اط عير = ور تم تحديد الأخطاء في متغيرات المواءعمة عن طريق فحص الأسطح المختزلة 77 التي تم الحصول عليها عن طريق تغيير على نحو مستقل كل متغير مواعمة. تم استخدام ‎dad‏ اقتطاع تبلغ ‎٠‏ خاب (م) / 42 = ‎١١‏ في كل حالة للحصول على حدود عند مستوى ثقة يبلغ 48 7#. لسهولة مقارنة فترات العمر فيما بين العينات مع عوامل الإخماد المختلفة؛ يتم تعريف ‎Te‏ باعتبارها الزمن المستغرق بعد الاستثارة لشدة اللمعان الضوئي للانخفاض إلى ‎١‏ / إلكترون خاص بشدة القمة الخاصة بها. تم أخذ الخطأً في دقة فترة العمر هذه باعتباره نصف نطاق النقاط التي تكمن قيمتها ‎CARR‏
‎o \ —‏ \ — المتوسطة في انحراف قياسي لخط ‎١‏ / إلكترون. يتم عرض نتائج ديناميكيات الوميض الضوئي في الأشكال 74 35 ‎FY‏ ‏قولبة الانتشار: تمت قولبة ديناميكيات إضمحلال اللمعان الضوئي عن طريق حساب الرقم والتوزيع الخاص 0 بحالات الاستثارة في الغشاء الرقيق © ‎G5 (x)‏ لمعادلة الانتشار 1-0, )© مضعم - ‎TH‏ و هقلقة حيث 0 تكون معامل الانتشار 5 ‎k(t)‏ تكون معدل الإضمحلال اللمعان الضوئي في ظل غياب أية مادة إخماد. تم تحديد إجمالي معدل الإضمحلال» 818-1-+8 = ‎k= 1/kf + 1/0١‏ عن طريق مواءمة إضمحلال استثنائي ممدد لبيانات اللمعان الضوئي المقاسة من طبقات البروفسكيت ‎٠‏ مع ‎Poly(methyl methacrylate) PMMA‏ وافتراضها على نحو مستقل عن مادة التغطية. تم تضمين تأثير طبقة الإخماد عن طريق افتراض أنه يتم إخماد كل الإكسيتونات التي تصل إلى السطح البيني بكفاءة وحدة ‎(LN)‏ = صفرء حيث ‎X‏ = صفر عند السطح البيني للزجاج / البروفسكيت وا تكون ‎eld‏ الغشاء الرقيق من البروفسكيت). حيث إن نبضة الاستثارة كانت من جانب الطبقة التحتية من الزجاج_للعينات؛ تم أخذ التوزيع الأولي للإكسيتونات لتكون ‎(X,0)=nOexp(-ax) ١٠‏ حيث ‎AL = a‏ (الامتصاص عند ‎50١7‏ نانو متر / ‎eld‏ طبقة البروفسكيت). تم افتراض أي انحراف من هذا التوزيع بسبب انعكاس نبضة الليزر عند السطح البيني للبروفسكيت / عامل الإخماد يكون غير ذي أهمية. من أجل حساب طول الانتشار ؛ تم تنويع معامل الانتشار لتقليل ‎dad‏ مربعة ل ‎chi‏ المختزلة؛ ‎ES SS EC)‏ ‎aa Sr wie‏ ‎Yo‏ حيث ‎(Hye (Hy‏ تكون ‎a8‏ شدة اللمعان الضوئي المقاسة والمحسوبة عند الزمن أ 7 تكون عدد نقاط البيانات وم تكون عدد متغيرات المواءمة. تم حل المعادلة ‎Gd)‏ باستخدام اللوغاريتم ‎axes Crank-Nicholson‏ إكسيتونات المتكاملة عبر الغشاء الرقيق بأكمله من أجل تحديد إجمالي شدة اللمعان الضوئي عند الزمن ). تمت مواءمة كل من النماذج الاستثنائية الممدة ونماذج الانتشار 1-0 مع بيانات ‎TCSPC‏ التجريبية عن طريق إعادة الالتفاف المتكرر مع دالة استجابة ‎CARR‏
— \ o \ — الأداة ‎instrument response function (IRF)‏ الذي تم تسجيله على نحو منفصل؛ بحيث تكون شدة اللمعان الضوئي الملاحظة, 0 = {g{nfie— ae هي نتيجة منحنى الإضمحلال الفعلي ‎real decay curve‏ ؛ ‎(f(t)‏ الملتف مع دالة استجابة 0 الأداة ‎RF‏ 9)0. متوسط طول الانتشار يكون متوفر بواسطة ‎Fo = APT‏ حيث ‎Te‏ تكون الزمن المستغرق ل اللمعان الضوئي ليقع إلى ‎١‏ / إلكترون لشدته الأولية في ظل غياب أي عامل إخماد.
CARR

Claims (1)

  1. سرج ‎١‏ ‏عناصر الحماية ‎sid -١‏ فلطائية ضوئية ‎Jai photovoltaic device‏ على منطقة متفاعلة ضوئيً ‎photoactive region‏ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على: منطقة من نوع ‎١‏ تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ ويتم فيما بين المنطقة من النوع 0 © والمنطقة من النوع ‎Pp‏ وضع: طبقة من مادة شبه موصلة 561710017016107 من بروفسكيت ‎perovskite‏ بدون مسام مفتوحةء حيث تكون طبقة البروفسكيت ‎perovskite‏ شبه الموصلة ‎semiconductor‏ بدون المسام المفتوحة ‎AES‏ من ‎٠١‏ نانومتر إلى ‎٠٠١‏ ميكرومتر وتشكل ‎Alay‏ غير متجانسة ‎heterojunction‏ مستوية مع المنطقة من نوع 7 والمنطقة من النوع م.
    ye ‏الطبقة‎ eld ‏حيث يكون‎ ١ ‏لعنصر الحماية‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ -" ‏بدون المسام المفتوحة‎ perovskite ‏بروفسكيت‎ semiconductor ‏الخاصة بمادة شبه موصلة‎ ‏ميكرومتر.‎ ٠٠١ ‏نانومتر إلى‎ ٠٠١ ‏من‎
    Y ‏أو عنصر الحماية‎ ١ ‏وفقًا لعنصر الحماية‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ -#© | ١ ‏من بروفسكيت‎ Semiconductor ‏الطبقة الخاصة بمادة شبه موصلة‎ Sd ‏حيث يكون‎ ‏نانومتر.‎ Veo ‏نانومتر إلى‎ ٠٠١ ‏بدون المسام المفتوحة من‎ 0/56 ‏إلى ؟‎ ١ ‏لأي من عناصر الحماية من‎ Gy photovoltaic device ‏؛- أداة فلطائية ضوئية‎
    ‎Yo‏ حيث يكون للمادة شبه الموصلة ‎semiconductor‏ من البروفسكيت ‎perovskite‏ بنية بلورية ثلاثية الأبعاد ‎.three—dimensional crystal structure‏ ‎—o‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى ؛ حيث تُكوّن الطبقة الخاصة ‎sala‏ شبه موصلة ‎semiconductor‏ من بروفسكيت ‎perovskite‏
    ‎CARR
    —Voi- ‏شبه الموصل‎ perovskite ‏بدون المسام المفتوحة عبارة عن طبقة مكونة من البروفسكيت‎ .semiconductor ‏لعنصر الحماية دحيث تكون كثافة الطبقة‎ Gy photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ — 1 ‏بدون المسام المفتوحة‎ perovskite ‏بروفسكيت‎ semiconductor ‏شبه موصلة‎ sala ‏الخاصة‎ © ‏ميكرومتر.‎ ٠٠١ ‏نانومتر إلى‎ ٠٠١ ‏من‎ ‏لعنصر الحماية © حيث تكون كثافة الطبقة‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ -١ ‏بدون المسام المفتوحة‎ perovskite ‏بروفسكيت‎ semiconductor ‏الخاصة بمادة شبه موصلة‎ ‏نانومتر إلى 700 ميكرومتر.‎ ٠٠١ ‏من‎ ٠ ‏وفقًا لأي من عناصر الحماية السابقة حيث‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ -8 ‏_بدون المسام‎ perovskite ‏_من البروفسكيت‎ semiconductor ‏شبه الموصلة‎ sald ‏تكون‎ ‏و المنطقة من النوع م.‎ ٠ ‏المفتوحة في تلامس مع المنطقة من النوع‎ Vo ‏وفقًا لأي من عناصر الحماية السابقة حيث‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ -4 ‏بدون‎ perovskite ‏من بروفسكيت‎ semiconductor ‏شبه موصلة‎ sala ‏تكوّن الطبقة الخاصة‎ © ‏مستوية أولى مع المنطقة من النوع‎ heterojunction ‏المسام المفتوحة وصلة غير متجانسة‎ ‏ووصلة غير متجانسة مستوية ثانية مع المنطقة من النوع م.‎ ٠ V ‏إلى‎ ١ ‏وفقًا لأي من عناصر الحماية من‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ -٠ ‏على:‎ photoactive region ‏تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا‎ dua ‏المذكورة؛‎ N ‏المنطقة من النوع‎ ‏والمنطقة من النوع م0 وضع:‎ Ng gill ‏بين المنطقة من‎ Lad ‏المنطقة من النوع م المذكورة؛ ويتم‎ Lage ‏شبه‎ sik, scaffold material ‏على مادة مسامية‎ Jai ‏طبقة أولى‎ )١( Ye ‏موضوعة في مسام المادة المسامية؛ و‎ perovskite ‏من البروفسكيت‎ semiconductor CARR
    — 00 \ _ ‎(Y)‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة, حيث تكون طبقة التغطية ‎capping‏ ‎layer‏ هي الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة ‎semiconductor‏ بروفسكيت ‎perovskite‏ ‏بدون مسام مفتوحة, حيث تكون المادة شبه الموصلة ‎semiconductor‏ من البروفسكيت ‎perovskite‏ في طبقة © التغطية في ‎Alls‏ تلامس مع المادة شبه الموصلة ‎semiconductor‏ _من_البروفسكيت ‎perovskite‏ في الطبقة الأولى. ‎-١١‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎٠١‏ حيث تكون المادة المسامية ‎scaffold material‏ عبارة عن مادة مسامية متوسطة. ‏7" ‎-١‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎٠١‏ أو عنصر الحماية ‎١١‏ حيث تكون المادة المسامية ‎scaffold material‏ عبارة عن مادة عازلة كهربيًا ‎dielectric‏
    ‎.material‏ ‎-١“ Yo‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎٠١‏ أو عنصر الحماية ‎١١‏ حيث تكون المادة المسامية ‎scaffold material‏ عبارة عن مادة ناقلة للشحنة ‎charge—‏ ‎material‏ و011109م11805. 6- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎٠١‏ إلى ‎١7 Ye‏ حيث تلامس مادة شبه موصلة ‎semiconductor‏ من بروفسكيت ‎perovskite‏ في الطبقة الأولى واحدة من المنطقة من النوع م والمنطقة من نوع 0, وتلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية ‎capping layer‏ المنطقة الأخرى من المنطقة من النوع م والمنطقة من نوع ‎MN‏ ‎—Vo Yo‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎٠١‏ إلى 4 حيث ‎sake OSS‏ شبه موصلة ‎semiconductor‏ من بروفسكيت ‎perovskite‏ في طبقة ‎CARR
    ‎o 1-‏ \ — التغطية ‎dla ycapping layer‏ غير متجانسة ‎heterojunction‏ مستوية مع المنطقة من النوع م أو المنطقة من النوع 7. 7- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎٠١‏ ! ‎Ha A‏ 0 وفقا لذي من عناصر يه من ! ‎١١ 0‏ حيث يكون مثمك طبقة التغطية ‎capping layer‏ أكبر من ‎dl‏ الطبقة الأولى. ‎-١١‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎٠١‏ ! ‎Ha A‏ 0 وفقا لذي من عناصر يه من ! ‎١‏ حيث يبلغ ‎clan‏ طبقة التغطية ‎capping layer‏ من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎7٠0٠9‏ نانو متر. ‎١8# ٠‏ - أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأى من عناصر الحماية من ‎١٠١١‏ ‏يه ضوندٍ و ي من عناصر يه من ! ‎VY‏ حيث يبلغ ‎eld‏ الطبقة الأولى من © نانو متر إلى ‎٠٠٠١‏ تانو متر؛ يُفضل من ‎Ve‏ نانو ‎Jie‏ ‏إلى ‎٠‏ نانو متر. - أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية السابقة حيث تكون المنطقة من النوع ‎N‏ عبارة عن طبقة من ‎Nes‏ ‎-١‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى ‎VA‏ ‏حيث تشتمل المنطقة من النوع ‎١‏ على طبقة من نوع 7 وطبقة معيقة ‎layer‏ 010014179 للإكسيتون ‎exciton‏ نوع ‎N‏
    ‎Y.‏ ‎—Y)‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎٠١‏ حيث يتم وضع الطبقة المعيقة للإكسيتون من ‎Neal‏ فيما بين الطبقة من ‎n gall‏ والطبقة (الطبقات) المشتملة على المادة شبه الموصلة ‎semiconductor‏ من البروفسكيت ‎perovskite‏ ‎Yo‏ ؟7- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية السابقة حيث تكون المنطقة من النوع م عبارة عن طبقة من نوع 0. ‎CARR‏
    ل ‎o‏ \ — 3- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى ‎YY‏ ‏حيث تشتمل المنطقة من النوع م على طبقة من نوع 0 وطبقة معيقة ‎blocking layer‏ للإكسيتون 07 من نوع 0. ‎sid -7 4 ©‏ فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎YY‏ حيث يتم وضع الطبقة المعيقة للإكسيتون من النوع م ‎led‏ بين الطبقة من النوع م والطبقة (الطبقات) المشتملة على المادة شبه الموصلة ‎semiconductor‏ من البروفسكيت ‎perovskite‏ ‏© »- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية السابقة حيث ‎٠‏ تكون للمادة شبه الموصلة 561771001070601 من البروفسكيت ‎perovskite‏ فجوة نطاق ‎band‏ ‏0 تساوي أو أقل من ‎٠‏ .© إلكترون فولط. 7- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية السابقة حيث يشتمل البروفسكيت على أنيون واحد على الأقل مختار من أنيونات ‎halide anions als‏ أو ‎١٠‏ أنيونات كالكوجنيد ‎.chalcogenide anions‏ ‎-7١‏ أداة فلطائية ضوئية ‎GE, photovoltaic device‏ لعنصر الحماية 771 حيث يشتمل البروفسكيت ‎perovskite‏ على كاتيون ‎cation‏ أول, كاتيون 681100 ثان, والأنيون ‎anion‏ الواحد على الأقل المذكور.
    ‎Y.‏ ‎—Y A‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية 77 أو عنصر الحماية ‎YY‏ حيث يكون الكاتيون ‎cation‏ الثاني عبارة عن كاتيون فلز ‎metal cation‏ مختار من أيون القصدير ‎tin 100 (Sn2+),‏ أيون الرصاص ‎Lead(ll) ion (Pb2+)‏ وأيون النحاس ‎copper‏ ‎(Cu2+)‏ 100, حيث يُفضل أن يتم اختيار كاتيون الفلز من أيون القصدير ‎tin ion (Sn2+)‏ ‎Yo‏ وأيون الرصاص ‎Lead(ll) ion (Pb2+)‏ ‎CARR‏
    م6 ‎-١‏ ‏4- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎YY‏ أو عنصر الحماية ‎YA‏ حيث يكون الكاتيون ‎cation‏ الأول عبارة عن كاتيون عضوي ‎.organic cation‏ ‎vs‏ — أداة فلطائية ضوئية ‎Gi; photovoltaic device‏ لعنصر الحماية 74 ‎Gua‏ يكون للكاتيون © 081000 العضوي الصيغة ‎(RIR2R3RAN)+‏ حيث: 1 تكون هيدروجين ‎hydrogen‏ 61-620 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, أو أريل ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ 2 تكون هيدروجين ‎hydrogen‏ 61-620 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, أو أريل ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎٠‏ 83 تكون هيدروجين 7/2009©0, 61-020 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, أو أريل ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال؛ و 4 تكون هيدروجين ‎hydrogen‏ 61-620 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, أو أريل ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال. ‎-©١ Vo‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية 74 ‎Gua‏ يكون للكاتيون 00 العضوي الصيغة ‎RS dua (RSRON=CH-NRT7RB)+‏ تكون هيدروجين ‎hydrogen‏ 61-620 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, أو أريل ‎aryl‏ استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RE‏ تكون هيدروجين ‎,hydrogen‏ 61-620 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, أو أريل الا81 به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RT‏ تكون هيدروجين ‎hydrogen‏ ‎٠٠‏ 601-020 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, أو أريل ال817 به استبدال أو ليس به استبدال؛ و88 تكون هيدروجين ‎hydrogen‏ 61-620 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, أو أريل ‎aryl‏ به استبدال أو ليس به استبدال. ‎—vY‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ١؟‏ إلى ‎"١ Yo‏ حيث يكون البروفسكيت ‎Sue perovskite‏ عن بروفسكيت ‎perovskite‏ لأنيون ‎anion‏
    -١4- مختلط مشتمل على اثنين أو أكثر من الأنيونات 801005 المختلفة المختارة من أنيونات هاليد
    .chalcogenide anions ‏وأنيونات كالكوجنيد‎ halide anions ‎—v¥‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لعنصر الحماية ‎TY‏ حيث يكون ‏© البروفسكيت عبارة عن بروفضكيت ‎perovskite‏ لهاليد ‎halide‏ مختلط, حيث يكون الاثنين أو ‏أكثر من الأنيونات ‎anions‏ المختلفة المذكورة عبارة عن اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد ‎halide‏ ‏5 مختلفة. ‏؛؟- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎٠١‏ إلى ؟؟ حيث تكون المادة المسامية ‎scaffold material‏ عبارة عن مادة عازلة بها فجوة نطاق ‎band gap‏ تساوي أو أكبر من ‎5.٠‏ إلكترون فولط. ‎—¥o‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية السابقة تشتمل ‏على إلكترود ‎electrode‏ أول, إلكترود ©60000©_ثان, و, يتم ‎led‏ بين الإلكترودات ‎electrodes ١٠‏ الأول والثاني وضع, المنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎photoactive region‏ المذكورة. ‏- أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية السابقة تشتمل ‏على إلكترود ‎electrode‏ أول, إلكترود ©60000©_ثان, و, يتم ‎led‏ بين الإلكترودات ‎JY electrodes‏ والثاني وضع, المنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎photoactive region‏ المذكورة, ‎Ye‏ حيث يكون الإلكترود ‎electrode‏ الثاني في حالة تلامس مع المنطقة من النوع ‎n‏ الخاصة ‏بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎photoactive region‏ المذكورة ويكون الإلكترود ‎electrode‏ الأول ‏في حالة تلامس مع المنطقة من النوع م الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎photoactive‏ ‎region‏ المذكورة» حيث يشتمل الإلكترود ‎electrode‏ الأول على مادة موصلة كهربائيًا شفافة أو ‏شبه شفافة؛ و ‎Sua‏ يشتمل الإلكترود ‎electrode‏ الثاني على ‎Gl‏ اختياريًا حيث يتم اختيار الفلز ‎metal Yo‏ من ألومنيوم ‎aluminium‏ ذهب ‎gold‏ ¢ فضة ‎silver‏ ؛ نيكل ‎nickel‏ بالاديوم ‎platinum ‏بلاتين‎ J palladium ‎CARR
    -١١- ‏لأي من عناصر الحماية السابقة يكون‎ Gj photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ -؟١7‎ ‏عبارة عن جهاز إلكتروني بصري بوصلة ترادفية أو متعدد الوصلات, حيث يشتمل الجهاز على‎ electrodes ‏بين الإلكترودات‎ Lad ‏ثان, و, يتم‎ electrode ‏أول, إلكترود‎ electrode ‏إلكترود‎ ‏الأول والثاني وضع:‎ ‏المذكورة؛ و‎ photoactive region ‏المنطقة المتفاعلة ضوئيًا‎ © ‏أخرى واحدة على الأقل.‎ photoactive region ‏منطقة متفاعلة ضوئيًا‎ ‏يشتمل على إلكترود‎ FY ‏وفقًا لعنصر الحماية‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ — YA ‏الأول‎ electrodes ‏ثان, و, يتم فيما بين الإلكترودات‎ electrode ‏أول, إلكترود‎ electrode ‏والثاني وضع:‎ ٠ ‏المذكورة؛ و‎ photoactive region ‏المنطقة المتفاعلة ضوئيًا‎ ‏أخرى واحدة على الأقل»‎ photoactive region ‏منطقة متفاعلة ضوئيًا‎ ‏الأخرى الواحدة على الأقل على‎ photoactive region ‏تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا‎ Gua .semiconductor ila se ‏طبقة واحدة على الأقل من مادة شبه‎ Vo ‏حيث تشتمل المادة‎ YA ‏لعنصر الحماية‎ G8 photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ — v4 crystalline ‏على طبقة من سيليكون متبأر‎ semiconductor material ‏شبه الموصلة‎ 110 ‏سيلينيد القصدير‎ copper ‏والزنك ©2106 والنحاس‎ 110 sulphide ‏كبريتيد القصدير‎ silicon tin selenide sulphide ‏كبريتيد سيلينيد القصدير‎ copper ‏والزنك 2106 والنحاس‎ 561607106 indium ‏والإنديوم‎ gallium selenide ‏سيلينيد الجاليوم‎ copper ‏والنحاس‎ zine ‏والزتك‎ ٠ ‏والتحاس‎ indium ‏والإنديوم‎ gallium diselenide ‏داي سيلينيد الجاليوم‎ ,copper ‏والنحاس‎
    ‎.copper ‏والنحاس‎ indium selenide ‏أو سيلينيد الإنديوم‎ copper ‏أو عنصر الحماية‎ FA ‏وفقًا لعنصر الحماية‎ photovoltaic device ‏فلطائية ضوئية‎ sla —¢ ‏تشتمل على المناطق التالية بالترتيب التالي:‎ 79 Yo ‏أول؛‎ electrode ‏إلكترود‎ -١ CARR
    -١١١- ‏أولى كما هو مُعرّف في أي من عناصر‎ photoactive region ‏منطقة متفاعلة ضوئيًا‎ -" Ve ‏إلى‎ ١ ‏الحماية من‎ (Pp ‏من نوع‎ Semiconductor ‏شبه موصلة‎ sale ‏طبقة (أ) من‎ -* ‏أصيلة؛‎ semiconductor ‏شبه موصلة‎ sake ‏؟- طبقة أولى من‎ ‏شبه موصلة +560100000010 من نوع م أو طبقة (ب) من مادة شبه‎ sale ‏طبقة (ب) من‎ -* © tn ‏نوع‎ semiconductor material ‏موصلة‎ ‏أصيلة؛‎ semiconductor Alia se ‏شبه‎ sale ‏طبقة ثانية من‎ — 1 ‏و‎ ¢N ‏من نوع‎ semiconductor ‏طبقة (ج) من مادة شبه موصلة‎ -١ ‏ثان.‎ electrode ‏إلكترود‎ —A ye ‏أو عنصر الحماية‎ FA ‏وفقًا لعنصر الحماية‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ —¢ ‏تشتمل على المناطق التالية بالترتيب التالي:‎ 4 ‏أول؛‎ electrode ‏إلكترود‎ -١ ‏أولى كما هو مُعرّف في أي من عناصر‎ photoactive region ‏منطقة متفاعلة ضوئيًا‎ -" ‏إلى 4 ؟؛‎ ١ ‏الحماية من‎ ١ ‏طبقة من أكسيد موصل شفاف؛‎ —¥ tN ‏من نوع‎ semiconductor ‏؛؟- طبقة (د) من مادة شبه موصلة‎ ‏سيلينيد القصدير‎ copper ‏والنحاس‎ zine ‏والزنك‎ 17 sulphide ‏طبقة من كبريتيد القصدير‎ - 5 tin selenide ‏كبريتيد سيلينيد القصدير‎ copper ‏والنحاس‎ zine ‏والزنك‎ tin selenide ‏والإنديوم‎ gallium selenide ‏سيلينيد الجاليوم‎ copper ‏والزنك 2106 والنحاس‎ sulphide | ٠ indium ‏والإتديوم‎ gallium diselenide ‏داي سيلينيد الجاليوم‎ copper ‏والنحاس‎ 0 ‏و‎ tcopper ‏والنحاس‎ indium selenide ‏أو سيلينيد الإنديوم‎ copper ‏والنحاس‎ ‏ثان.‎ electrode ‏إلكترود‎ —1 CARR
    -١١7- ‏تشتمل على منطقة متفاعلة‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ -" ‏هذه‎ photoactive region ‏تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا‎ photoactive region ‏ضوئيًا‎ ‏على:‎ ‏تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛‎ ١ ‏منطقة من نوع‎ ‏منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ©؛ و يتم فيما بين المنطقة من النوع‎ © ‏والمنطقة من النوع 0 وضع:‎ ٠ ‏بدون مسام مفتوحةء‎ perovskite ‏طبقة من مادة شبه موصلة 561710017016107 من بروفسكيت‎ ‏بدون‎ perovskite ‏من بروفسكيت‎ semiconductor ‏شبه موصلة‎ sale ‏حيث تكون كثافة طبقة‎ ‏غير متجانسة‎ Alay ‏ميكرومتر وتكون‎ ٠٠١ ‏نانومتر إلى‎ ٠١ ge ‏المسام المفتوحة‎ ‏أو المنطقة من نوع م؛‎ ٠ ‏مستوية مع المنطقة من نوع‎ heterojunction | ٠ ‏تشتمل هذه العملية على:‎ ‏(أ) توفير منطقة أولى؛‎ ‏(ب) وضع منطقة ثانية على المنطقة الأولى؛ تشتمل المنطقة الثانية هذه على الطبقة المذكورة من‎ ‏بدون مسام مفتوحة؛ و‎ perovskite ‏من بروفسكيت‎ semiconductor ‏مادة شبه موصلة‎ ‏(ج) وضع منطقة ثالثة على المنطقة الثانية؛‎ VO ‏حيث:‎ ‏المذكورة تشتمل على طبقة واحدة على الأقل‎ ٠“ ‏تكون المنطقة الأولى عبارة عن المنطقة من نوع‎ ‏من نوع 7 وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن المنطقة من نوع م المذكورة تشتمل على طبقة واحدة‎ ‏على الأقل من نوع ©؛ أو‎ ‏تكون المنطقة الأولى عبارة عن المنطقة من نوع م المذكورة تشتمل على طبقة واحدة على الأقل‎ ٠ ‏وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع # المذكورة وتشتمل على طبقة واحدة‎ P ‏من نوع‎ Nes ‏على الأقل من‎ ‏حيث‎ £Y ‏لعنصر الحماية‎ la; photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ - ‏تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على:‎ Yo CARR
    -؟-
    إنتاج طبقة صلبة ‎solid layer‏ من البروفسكيت ‎perovskite‏ على المنطقة الأولى عن طريق
    ترسيب البخار.
    ؛- عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية £7 حيث
    © تشتمل الخطوة الخاصة بإنتاج طبقة صلبة ‎solid layer‏ من البروفسكيت ‎perovskite‏ على
    المنطقة الأولى عن طريق ترسيب البخار على:
    ‎)١(‏ تعريض المنطقة الأولى إلى بخار, يشتمل هذا البخار على البروفسكيت ‎perovskite‏ المذكور
    ‏أو واحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور؛ و
    ‎(Y)‏ السماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة ‎solid layer dla‏ من ‎Ye‏ البروفسكيت ‎perovskite‏ المذكور عليها.
    ‏5- عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية £7 أو
    ‏عنصر الحماية £0 حيث يتم السماح لترسيب البخار بالاستمرار حتى يكون للطبقة الصلبة من
    ‏البروفسكيت ‎lds‏ يبلغ من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو متر؛ يُفضل من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎Veo Yo‏ نانومتر.
    ‏£1 — عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية ‎£Y‏ أو
    ‏عنصر الحماية 45 تشتمل بشكل إضافي على إنتاج البخار عن طريق تبخير البروفسكيت
    ‏المذكور أو تبخير واحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت ‎perovskite‏ المذكور. ‎٠‏
    ‎١‏ - عملية ‎By‏ لأي من عناصر الحماية من ؟؛ إلى £7 حيث تشتمل الخطوة (ب) الخاصة
    ‏بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على:
    ‏إنتاج طبقة صلبة ‎solid layer‏ من البروفسكيت ‎perovskite‏ عن طريق ترسيب البخار, حيث
    ‏يكون ترسيب البخار عبارة عن ترسيب بخار مزدوج المصادر. ‎Yo‏
    ‎CARN
    -١١4- ‏تشتمل على:‎ £Y ‏لأي من عناصر الحماية من ؟؛ إلى‎ Ga ‏عملية‎ - 8 ‏تعريض المنطقة الأولى إلى بخار, يشتمل هذا البخار على اثنتين من المواد المتفاعلة لإنتاج‎ )١( ‏البروفسكيت المذكور؛ و‎ ‏من‎ solid layer dla ‏السماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة‎ (Y) ‏المذكور عليها؛‎ perovskite ‏البروفسكيت‎ 0 ‏يشتمل بشكل إضافي على إنتاج البخار المذكور المشتمل على اثنتين من المواد‎ )١( ‏حيث‎ ‏متفاعلة أولى من مصدر أول وتبخير‎ sale ‏المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور عن طريق تبخير‎ Ob ‏مادة متفاعلة ثانية من مصدر‎ ‏وفقاً لعنصر الحماية 4؛ حيث‎ photovoltaic device ‏9؛- عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ ٠ metal cation ‏كاتيون فلز‎ )١( ‏تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على مركب أول مشتمل على‎ ‏كاتيون‎ )١( ‏المتفاعلة الثانية على مركب ثان مشتمل على‎ sald) ‏أول؛ وتشتمل‎ anion ‏أنيون‎ (Y) ‏أنيون ثان.‎ )١(و‎ organic cation ‏عضوي‎ ‏وفقاً لعنصر الحماية £9 حيث‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ -#<١ Vo ua, (RIR2R3RAN)+ ‏العضوي الصيغة‎ cation ‏يكون للكاتيون‎ ‏به استبدال أو ليس به استبدال,‎ alkyl ‏أو 61-020 ألكيل‎ hydrogen ‏تكون هيدروجين‎ 1 ‏به استبدال أو ليس به استبدال؛‎ aryl ‏أو أريل‎ ‏به استبدال أو ليس به استبدال,‎ alkyl ‏أو 61-020 ألكيل‎ hydrogen ‏تكون هيدروجين‎ 2 ‏استبدال أو ليس به استبدال؛‎ aryl ‏أو أريل‎ ٠٠ ‏به استبدال أو ليس به استبدال,‎ alkyl ‏أو 61-020 ألكيل‎ hydrogen ‏تكون هيدروجين‎ 3 ‏به استبدال أو ليس به استبدال؛ و‎ aryl ‏أو أريل‎ ‏به استبدال أو ليس به استبدال,‎ alkyl ‏أو 61-020 ألكيل‎ hydrogen ‏تكون هيدروجين‎ 4 ‏به استبدال أو ليس به استبدال.‎ aryl ‏أو أريل‎ Yo CARN
    -١١8- ‏وفقاً لعنصر الحماية £9 أو‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ -5١ anions ‏الأول والثاني عبارة عن أنيونات‎ anions ‏حيث تكون الأنيونات‎ 5٠ ‏عنصر الحماية‎ .chalcogenide ions ‏أو أيونات كالكوجنيد‎ halide ions ‏مختلفة مختارة من أيونات هاليد‎ ‏الأول‎ anions ‏حيث تكون الأنيونات‎ 5٠ ‏عملية وفقًا لأي من عناصر الحماية من 9؛ إلى‎ —0Y 0 halide anions alla ‏مختلفة مختارة من أنيونات‎ anions ‏عبارة عن أنيونات‎ JG, ‏المتفاعلة الأولى‎ sald) ‏إلى 57؛ حيث تشتمل‎ A ‏عملية وفقًا لأي من عناصر الحماية من‎ —oY ‏وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على مركب ثان يكون عبارة‎ BX2 ‏على مركب أول يكون عبارة عن‎
    Cus AX ‏عن‎ Vo ‏أيون‎ «Strontium lon (Sr2) ‏أيون سترونتيوم‎ Calcium ions (Ca2+) ‏أيون الكالسيوم‎ ‏أيون النيتروجين‎ copper ion (Cu2+) ‏أيون النحاس‎ «Cadmium ion (Cd2+) ‏الكاديون‎ ‎ferrous ‏أيون الحديدي‎ (Manganese ion (Mn2+) ‏أيون المنجنيز‎ nitrogen ion (Ni2+) «palladium ion (Pd2+) asalldl ‏أيون‎ ccobaltion (Co2+) ‏أيون الكوبالت‎ dion (Fe2+)
    ‎Vo‏ أيون الجرمانيوم ‎(germanium ion (Ge2+)‏ أيون القصدير ‎ctinion (Sn2+)‏ أيون الرصاص ‎dead ion (Pb2+)‏ أيون القصدير ‎ion (Sn2+)‏ (ناء أيون الايتربيوم ‎Ytterbium (YB2+)‏ ‎ion‏ وأيون الأوربيوم ‎.europium (eu2+)‏ ‎X‏ تكون أنيون مختار من فلورين ‎(F — Fluorine‏ كلورين ‎«Cl- Chlorine‏ برومين ‎Br— Bromine‏ ولودين ‎lodine‏ -اء
    ‎٠‏ ل تكون كاتيون ‎cation‏ بالصيغة ‎((RSNH3)+‏ حيث: 45 تكون هيدروجين ‎chydrogen‏ أو 61-0 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال, ‎X‏ تكون أنيون مختار من فلورين ‎(F - Fluorine‏ كلورين ‎Chlorine‏ -ا0؛ برومين ‎Br— Bromine‏ ولودين ‎٠00176‏ -ا و ‎X‏ و ”)ل تكون عبارة عن أنيونات ‎anions‏ مختلفة.
    ‎Yo
    ‎IR
    -١16-
    4- عملية ‎Ey‏ لأي من عناصر الحماية من ؛؛ إلى ‎oF‏ حيث تشتمل الخطوة (ب) الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى بشكل إضافي على: () تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎perovskite‏
    © 00— عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية ‎£Y‏ حيث تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على: ‎)١(‏ تعريض المنطقة الأولى إلى بخارء يشتمل هذا البخار على مركب منتج للبروفسكيت ‎Jf perovskite‏ والسماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من المركب المنتج للبروفسكيت الأول عليها؛ و
    ‎)١( ٠‏ معالجة الطبقة الصلبة الناتجة من المركب المنتج للبروفسكيت ‎perovskite‏ الأول باستخدام محلول مشتمل على مركب منتج للبروفسكيت ‎(of‏ وبالتالي تفاعل المركبات المنتجة للبروفسكيت ‎perovskite‏ الأول والثاني لإنتاج الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة ‎semiconductor‏ من بروفسكيت ‎perovskite‏ بدون مسام مفتوحة, حيث يشتمل المركب المنتج للبروفسكيت ‎perovskite‏ الأول على ‎)١(‏ كاتيون ‎Js cation‏ و(7)
    ‎١‏ أنيون ‎anion‏ أول ويشتمل المركب المنتج للبروفسكيت ‎perovskite‏ الثاني على ‎)١(‏ كاتيون 000 ثان 5 ‎(Y)‏ أنيون ‎anion‏ ثان.
    ‏7- عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية 00 حيث تكون الكاتيونات ‎cations‏ الأول والثاني والأيونات ‎ions‏ الأول ‎atl‏ كما هو مُعرّف في أي من
    ‎OF ‏عناصر الحماية من 95؛ إلى‎ ٠ ‏وفقاً لعنصر الحماية 00 حيث‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ —oV ‏الأول الصيغة 8742 ويكون للمركب المنتج‎ perovskite ‏يكون للمركب المنتج للبروفسكيت‎ ‏مختار من أيون‎ cation ‏حيث 8 تكون كاتيون‎ (AX ‏الثاني الصيغة‎ perovskite ‏للبروفسكيت‎
    ‎Yo‏ الكالسيوم ‎«Calcium ions (Ca2+)‏ أيون سترونتيوم ‎¢Strontium lon (Sr2)‏ أيون الكاديون ‎«Cadmium ion (Cd2+)‏ أيون النحاس ‎ccopperion (Cu2+)‏ أيون النيتروجين ‎nitrogen‏
    ‎ER
    -١/-
    ferrous ion ‏أيون الحديدي‎ (Manganese ion (Mn2+) ‏أيون المنجنيز‎ con (Ni2+)
    «palladium ion (Pd2+) ‏أيون البالديوم‎ «cobalt ion (Co2+) ‏أيون الكوبالت‎ ((Fe2+)
    أيون الجرمانيوم ‎germanium ion (Ge2+)‏ أيون القصدير ‎ctinion (Sn2+)‏ أيون الرصاص
    Ytterbium (YB2+) ‏(ناء أيون الايتربيوم‎ ion (Sn2+) ‏أيون القصدير‎ dead ion (Pb2+)
    © (00اوأيون الأوربيوم ‎X europium (eu2+)‏ تكون مختار من فلورين ‎F - Fluorine‏ كلورين
    ‎Chlorine‏ -ان؛ برومين ‎Br— Bromine‏ ولودين 1001706 -ا ؛
    ‎A‏ تكون كاتيون ‎cation‏ بالصيغة ‎((RSNH3)+‏ حيث: 45 تكون هيدروجين ‎chydrogen‏ أو
    ‏61-0 ألكيل ‎alkyl‏ به استبدال أو ليس به استبدال,
    ‎Br— Bromine ‏برومين‎ «Cl- Chlorine ‏كلورين‎ (F - Fluorine ‏تكون مختار من فلورين‎ X ‏ولودين 100186 -اء؛ و‎ ٠
    ‎X‏ ول تكون عبارة عن أنيونات ‎ions‏ متشابهة أو مختلفة.
    ‎—0A‏ عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية ‎£Y‏ حيث
    ‏تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على: ‎)١( VO‏ وضع واحد أو أكثر من محاليل ‎sald)‏ المنتجة على المنطقة الأولى؛ يشتمل الواحد أو أكثر
    ‏من محاليل المادة المنتجة هذا على: البروفسكيت ‎perovskite‏ المذكور المذاب في مذيب
    ‎Sf csolvent‏ واحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور المذاب في واحد أو
    ‏أكثر من المذيبات ؛ و
    ‏(7) إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات ‎solvents‏ لإنتاج على المنطقة الأولى طبقة صلبة ‎solid‏ ‎٠٠‏ | 687لا2امن البروفسكيت ‎.perovskite‏
    ‏4- عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية ‎£Y‏ حيث
    ‏تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على:
    ‎)١(‏ وضع محلول ‎sale‏ منتجة ‎precursor‏ على المنطقة الأولى؛ يشتمل محلول ‎sald)‏ المنتجة هذا ‎Yo‏ على البروفسكيت المذكور المذاب في مذيب 7801ا50؛ و
    ‎CARR
    -١ ١م‎ ‎aly )7(‏ المذيب لإنتاج على المنطقة الأولى طبقة صلبة ‎solid layer‏ من البروفسكيت
    ‎.perovskite ‏- عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية 548 أو ‏© عنصر الحماية 59 تشتمل على الطلاء المغزلي ‎spin coating‏ لمحلول أو محاليل المادة ‏المنتجة على المنطقة الأولى « لإنتاج على المنطقة الأولى الطبقة الصلبة المذكورة من البروفسكيت
    ‎.perovskite ‎-7١‏ عملية ‎By‏ لأي من عناصر الحماية من ‎0A‏ إلى 10 حيث يتم إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل المادة المنتجة على المنطقة الأولى وإزالة المذيب ‎solvent‏ أو المذيبات ‏15 حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت 061017516 سلمك يبلغ من ‎٠٠١‏ نانو متر ‏إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء يُفضل من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى 700 نانو متر. ‏7"+- عملية ‎Gy‏ لأي من عناصر الحماية من ‎0A‏ إلى ‎TY‏ حيث تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) ‎VO‏ وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى بشكل إضافي على: ‏() تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎perovskite‏ ‏"+- عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية ‎Sot‏ ‏عنصر الحماية ‎dua TY‏ تشتمل الخطوة الخاصة بتسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎perovskite | ٠‏ على تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎perovskite‏ في جو خامل ‎inert‏
    ‎.atmosphere ‎le -4‏ وفقًا لأي من عناصر الحماية 84 ‎TY‏ و67 حيث لا تتجاوز درجة الحرارة التي ‏عندها يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎٠0 perovskite‏ ام. ‎Yo‏ ‎CARR
    -١١4-
    5- عملية ‎Ey‏ لأي من عناصر الحماية 08 ‎TY‏ 17 و14 حيث يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎perovskite‏ عند درجة حرارة تبلغ من ‎٠‏ م إلى ‎io) ov‏ يُفضل عند درجة حرارة تبلغ من ‎٠‏ ؛أم إلى ‎٠٠١١‏ م.
    © 11— عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية ‎£Y‏ حيث تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎photoactive region‏ المذكورة على : المنطقة من النوع ‎N‏ المذكورة؛ المنطقة من النوع م المذكورة؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من ‎Nog sill‏ والمنطقة من النوع م0 وضع: )0( طبقة أولى ‎Jai‏ على مادة مسامية ‎sik, scaffold material‏ شبه ‎Lage‏
    ‎semiconductor | ٠‏ من البروفسكيت ‎perovskite‏ موضوعة في ثقوب المادة المسامية و (7) طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة» حيث تكون طبقة التغطية ‎capping‏ ‎layer‏ هي الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite‏ في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى؛
    ‎Vo‏ حيث تشتمل العملية على: (أ) توفير المنطقة الأولى المذكورة؛ (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة الأولى؛ حيث تشتمل المنطقة الثانية على: ‎)١(‏ طبقة أولى تشتمل على ‎sale‏ مسامية ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ‎perovskite‏ ‏موضوعة في ثقوب المادة المسامية و
    ‎(Y) ٠‏ طبقة تغطية على الطبقة الأولى المذكورة؛ حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite‏ في طبقة التغطية في حالة تلامس مع ‎sald)‏ شبه الموصلة من البروفسكيت 0610175116 في الطبقة الأولى؛ و
    ‏(ج) وضع المنطقة الثالثة المذكورة على المنطقة الثانية. ‎Yo‏ ‎CARR‏
    AY ‏وفقاً لعنصر الحماية 717 حيث‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ —1V ‏تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة الأولى على:‎ ‏على المنطقة الأولى؛ و‎ scaffold material ‏وضع مادة مسامية‎ )١( ‏وضع البروفسكيت المذكور في مسام المادة المسامية من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة‎ )7( ‏المذكور على الطبقة الأولى لإنتاج طبقة التغطية‎ perovskite ‏ووضع بشكل إضافي البروفسكيت‎ © ‏المذكورة.‎ capping layer ‏حيث‎ TY ‏وفقاً لعنصر الحماية‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ —TA ‏ووضع بشكل‎ scaffold material ‏يتم إجراء وضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة مسامية‎ ‏في خطوة فردية.‎ lke ‏المذكور على الطبقة الأولى‎ perovskite ‏إضافي البروفسكيت‎ ٠ ‏وفقاً لعنصر الحماية 697 أو‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ -4 scaffold material ‏الخاصة بوضع مادة مسامية‎ )١( ‏حيث تشتمل الخطوة‎ TA ‏عنصر الحماية‎ : ‏على المنطقة الأولى على‎ sale ‏الدعم المؤقتة هذه على‎ sale ‏مسامية على المنطقة الأولى؛ تشتمل تركيبة‎ Sale ‏وضع تركيبة‎ VO ‏واختياريًا عامل ربط 510061؛ و‎ solvent cule ‏الدعم المؤقتة؛‎ . ‏إزالة المذيب و؛ عند وجوده؛ عامل الربط‎ ‏وفقاً لعنصر الحماية 74 حيث‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ -٠ ‏على المنطقة الأولى‎ scaffold material ‏المسامية‎ sald ‏الخاصة بوضع‎ )١( ‏تشتمل الخطوة‎ ٠ ‏الطلاء المغزلي‎ doctor blading ‏على الطباعة من شاشة؛ تركيب النصال الخاصة بالأطباء‎ ‏أو الطلاء بالرش تركيبة‎ slot—-dye—coating ‏الطلاء بخضاب من خلال شق‎ spin coating ‏المادة المسامية على المنطقة الأولى.‎ CARN
    AN ‏وفقاً لعنصر الحماية 69 أو‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ —V) scaffold material ‏الخاصة بوضع مادة مسامية‎ )١( ‏حيث تشتمل الخطوة‎ Ve ‏عنصر الحماية‎ ‏على المنطقة الأولى بشكل إضافي على تسخين تركيبة المادة المسامية.‎ ‏وفقاً لعنصر الحماية 149 حيث‎ photovoltaic device ‏؟ل7- عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ © ‏ولا تتجاوز درجة‎ binder ‏على عامل ربط‎ scaffold material ‏لا تشتمل تركيبة المادة المسامية‎ ‏المسامية 58 م.‎ Sal) ‏الحرارة التي عندها يتم تسخين تركيبة‎ ‏الخاصة‎ )١( ‏حيث يتم إجراء الخطوة‎ YY ‏لأي من عناصر الحماية من 14 إلى‎ By ‏عملية‎ -١7" ‏على المنطقة الأولى حتى يبلغ لمك المادة المسامية‎ scaffold material ‏بوضع المادة المسامية‎ Ve SEY ‏يُفضل من‎ gle ‏نانو‎ ٠٠٠١ ‏التي يتم وضعها على المنطقة الأولى من © نانو متر إلى‎ ‏نانو متر.‎ ٠0٠0 ‏متر إلى‎ ‏الخاصة‎ (Y) ‏حيث يتم إجراء الخطوة‎ YF ‏لأي من عناصر الحماية من 19 إلى‎ By ‏عملية‎ VE ‏من أجل إنتاج الطبقة‎ scaffold material ‏بوضع البروفسكيت المذكور في مسام المادة المسامية‎ VO ‏المذكور على الطبقة الأولى‎ perovskite ‏الأولى المذكورة ووضع بشكل إضافي البروفسكيت‎ ٠٠١ ‏المذكورة حتى يكون لطبقة التغطية سلمك يبلغ من‎ capping layer ‏لإنتاج طبقة التغطية‎ ‏نانو متر.‎ 70٠0 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏يُفضل من‎ fle ‏ميكرو‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎
    ‎٠‏ #ل- عملية وفقًا لأي من عناصر الحماية من 14 إلى ‎VE‏ حيث تشتمل الخطوة (7) على: وضع واحد أو أكثر من محاليل المادة المنتجة على ‎sale‏ مسامية ‎(scaffold material‏ يشتمل الواحد أو أكثر من محاليل المادة المنتجة هذا على: البروفسكيت ‎perovskite‏ المذكور المذاب في مذيب 7601ا80؛ أو واحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت ‎perovskite‏ المذكور المذاب في واحد أو أكثر من المذيبات ؛ و
    ‎CARR
    AR ‏في‎ solid perovskite ‏لإنتاج البروفسكيت الصلب‎ solvents ‏إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات‎ perovskite ‏وطبقة تغطية صلبة من البروفسكيت‎ scaffold material ‏مسام المادة المسامية‎ ‏موضوعة على الطبقة الأولى.‎ ‏حيث تشتمل الخطوة (7) على:‎ Vo ‏عملية وفقًا لأي من عناصر الحماية من 14 إلى‎ -726 0
    وضع محلول ‎sale‏ منتجة ‎precursor‏ على مادة مسامية ‎«scaffold material‏ يشتمل محلول المادة المنتجة هذا على البروفسكيت ‎perovskite‏ المذكور المذاب في مذيب 5017801؛ و إزالة المذيب لإنتاج البروفسكيت الصلب ‎solid perovskite‏ في مسام المادة المسامية وطبقة تغطية صلبة من البروفسكيت موضوعة على الطبقة الأولى.
    ye 5010 ‏لأي من عناصر الحماية من 64 إلى 776 تشتمل على الطلاء المغزلي‎ G5 ‏عملية‎ — VY ‏المنتجة على مادة مسامية‎ sald) ‏بخضاب من خلال شق محلول أو محاليل‎ Ulf coating ‏المذكور في مسام المادة‎ solid perovskite ‏لإنتاج البروفسكيت الصلب‎ (scaffold material perovskite ‏الصلبة المذكورة من البروفسكيت‎ capping layer ‏المسامية وطبقة التغطية‎
    ‎١‏ الموضوعة على الطبقة الأولى. 78- عملية ‎By‏ لأي من عناصر الحماية من 19 إلى ‎VY‏ حيث تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى بشكل إضافي على: )1( تسخين البروفسكيت 5610175/6116.
    ‎٠ ‏حيث‎ VA ‏وفقاً لعنصر الحماية‎ photovoltaic device ‏عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ -4 ‏في جو خامل‎ perovskite ‏تشتمل الخطوة الخاصة بتسخين البروفسكيت على تسخين البروفسكيت‎ .inert atmosphere
    ‎CARR
    Al ‏وفقاً لعنصر الحماية 78 أو‎ photovoltaic device ‏لإنتاج أداة فلطائية ضوئية‎ {le -٠ ‏عنصر الحماية 4 حيث لا تتجاوز درجة الحرارة التي عندها يتم تسخين البروفسكيت‎
    ‏ام.‎ 50 perovskite ‏لأي من عناصر الحماية من 78 إلى 860 حيث يتم تسخين البروفسكيت‎ EB ‏عملية‎ AY 0 18 عند درجة حرارة تبلغ من ‎٠‏ م إلى ‎ca You‏ يُفضل عند درجة حرارة تبلغ من ‎٠‏ م إلى ‎٠٠١‏ م. 7- عملية وفقًا لأي من عناصر الحماية من 7؛ إلى ‎AY‏ تكون عبارة عن عملية لإنتاج أداة ‎٠‏ فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ عكسية مشتملة على منطقة متفاعلة ‏ ضوئيًا ‎(photoactive region‏ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على: منطقة من نوع ‎١‏ تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ©؛ و يتم فيما بين المنطقة من النوع © والمنطقة من النوع 0 وضع: ‎١‏ طبقة من مادة شبه موصلة ‎semiconductor‏ من بروفسكيت ‎perovskite‏ بدون مسام مفتوحة, حيث تكون كثافة المادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون المسام المفتوحة من ‎٠١‏ نانومتر إلى ‎٠‏ ميكرومتر؛ وتكّون وصلة غير متجانسة ‎heterojunction‏ مستوية مع منطقة من نوع 7 أو منطقة من نوع م. تشتمل هذه العملية على: ‎٠‏ 0 توفير منطقة أولى؛ (ب) وضع منطقة ثانية على المنطقة الأولى؛ تشتمل المنطقة الثانية هذه على الطبقة المذكورة من مادة شبه ‎semiconductor dla ge‏ من بروفسكيت ‎perovskite‏ بدون مسام مفتوحة؛ و (ج) وضع منطقة ثالثة على المنطقة الثانية؛ حيث: ‎CARR
    -4ل١١-‏ تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م المذكورة تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0 وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع ‎N‏ المذكورة تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 7 و يتم وضع المنطقة الأولى على إلكترود ‎electrode‏ أول. ‎lo}‏ ‎—AY‏ عملية لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقاً لعنصر الحماية ‎AY‏ حيث يشتمل الإلكترود ‎JN) electrode‏ على مادة شفافة أو شبه شفافة. 4- عملية ‎Ey‏ لأي من عناصر الحماية من ؟؛ إلى ‎AY‏ لإنتاج أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device ٠‏ بوصلة ترادفية أو متعددة الوصلات تشتمل بشكل إضافي على: (د) وضع ‎Alay‏ نفقية على المنطقة الثالثة؛ (ه) وضع منطقة متفاعلة ضوئيًا ‎photoactive region‏ إضافية على الوصلة النفقية؛ تكون مشابهة ل أو مختلفة عن المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المعرّفة في عنصر الحماية ‎EY‏ عنصر الحماية 7 ؛ ‎٠‏ (و) ‎Gaal‏ تكرار الخطوات (د) و(ه)؛ و (ز) وضع إلكترود ‎electrode‏ ثان على المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الإضافية الموضوعة في الخطوة السابقة. 5- عملية وفقًا لأي من عناصر الحماية من ‎EY‏ إلى 84 حيث يتم إجراء العملية بأكملها عند ‎٠١‏ درجة حرارة أو درجات حرارة لا تتجاوز 90 م. 7- عملية ‎By‏ لأي من عناصر الحماية من ‎EY‏ إلى 85 حيث تكون الأداة الفلطائية الضوئية ‎photovoltaic device‏ كما هو مُعرّف في أي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى ‎AY‏ ‎CARR‏
    اج 7 \ _ الوا ال اا الوا ‎TITTY‏ ‏— الكترود قنز 1 ‎٠‏ شب موصل من النوج 17 ‎PRE = ] 3 oy‏ 1 اال اا انا ‎Eo Cage‏ : ‎go‏ والنسحيث : من الم ج 11 التو ‎z‏ ‏المتاضصل؟ ‎Ps Sa‏ ‎nit ud‏ من النوع ‎hit‏ ‏! اما قي 1 ‎h \ | \ | 4‏
    -١1- spiro -ONeTAD i 3 Sn Pedy) erm T3004 ALG; ‏على‎ aE ‏ابر ولسكت‎ ‏مضغوطة ض‎ TiO) ‏طقة‎ L — Wo 2
    {aed \ ‏ا‎ 3 Je
    شكل ١رب‏
    -\VV- 3 = 0 > i 1 3 1 8 3 1 : ht 1 h N : i i ; 1 3 : i Fh ES 3 Ty 3 3 ‏اا‎ 3 0 = J 1 i be. | i 3 | i ny i 6: 5 = ٍٍ ‏:ساقي واه ل ااا الس بيس سدس يه بحسب‎ 0 1 3 fA 3 : ‏ب"‎ { : § # " TREE. ‏ابي أ‎ ed ah : 1 i > 5 . 3 0 5 8 ‏ا ل مت ممت اس لا ا ليبا‎ ‏ان‎ : : rns - : 0 : i Eicon BS EE et ‏سسا لوي‎ . i 1 4 : ¥ : 0 : 0 ‏و اغا ةا دج» +" )و )جع حرح50 ءا‎ i oN 0 & i i LR (LEE £ ) : ‏مالحا‎ 8 i 5 2 1 i 3 3 1 \ 3 ّ
    3 . 3 by 2 8 3 0 A i i 3 i 4 8 3 i % HS 3 i ; 3 od 5 5 ًُ 8 ‏ا‎ i ies op 3 He 0 3 2 0 i 1 0 8 1 ‏ل د اب‎ i ‏ل‎ i} de i ST $F OR & Ge ho > ‏ا‎ 8 SR ay 5 3x Fi id Lu 8 : 5 id 3 3 1 i Ses 3 ‏ا‎ Lat RE ye 5 Side po § ow $i So SE me a Se PRE Re OR I ae tained Bena Ya Ta 8: ‏ا‎ ‏شكل ؟ ب‎ CARRS
    —\VA-
    \ ‏لبد 1 م تا‎ ‏ا‎ oA he WL sole MT BRL
    CARL ‏تا‎ Was, ‏هت‎ HT 8-710 3 | ‏م‎ Ry) 5 ge HT ALG ‏أ ب‎ BE ‏حاب 85 ملا‎ WT ‏ا(‎ ‏ورا 7 الو‎ Wa We : cea, rs hn h-4 Tia Si. cogs HT 0 pt The Tap OWN Sg Rm ge LTE «1 Sg 3 x ‏ل‎ 8 8 ~ og ] ‏يلا‎ LT i ‏ل‎ ‎— \ Tn ‏يتيك ائهة‎ © come LUT ALES, : ‏اب‎ gad uw mE ha * 8 & 0 ‏ا 7 مضه ا‎ "+ ‏يا ب امياد ,= بد‎ ِ ‏اي به ب‎ iN 4 Re We 0 1 ‏اللا‎ ‎* Cog, “3 Ny 7 ‏لا لام ضاي اا‎ Tg Coo0000%%% Seas Mw, : 8 ‏ب‎ ih Ei hk a - 8 : Bs Ces Tos Yao Avs 0 ‏معز‎ FY) ١ ّ & CARN
    0 ‏ااا ااا ااا & الجججهوي تالمح و‎ 3 kd ~ 3 ‏جب‎ ‎Ee renee RR ‏ال‎ ER T—— Seat Fi Pn wh pi BRR : ‏ال ا‎ SRR ERR : ‏ما‎ NE a DN wi LRT EE EY LR nol SA en ‏لحر‎ in 2 ‏لفن‎ RRR: ‏ا ل‎ i Tooke Fait ‏ب‎ : 8 : ‏ا ب 8 3.0 لالد ا‎ 3 2 H ‏ل ب-‎ Rpt 7 fee od i. al essed Ny H ‏الب ب" ا‎ - ‏الخ 7 الا‎ 8 i TE a ‏لخ‎ - FIR hE we, ERIE | I - For} - 2 1 wi ‏ب" اخ ب"‎ 1 Td LEE = H OE ad ‏ا‎ ‏معي ؟: 0 اكير‎ Fo ‏ل ب ا ا ااا‎ 0 LE : 4 * H Te Lt To FR nn nL ond § BREE ~ 5 ‏اا اي ا ا‎ 0 7 3 a BEd ¥ { 3 8 : ‏ب‎ ‏اليا ا 00 8 5 متسل 3 اس‎ 3 3 ‏له كم كدخ آي م‎ J ct Ce AEE CATR. SEITE CU ١| ‏.باحق‎ SEEN Eo SS SI ‏الل : ل‎ 5 : Nag? = Tala Pr ‏ات ل‎ gp Pons SER ‏اتج ل ل ا‎ ‏ا مي‎ 07 5 ١ ‏الام‎ ‏أ لحا 8 تين‎ pt ‏ا‎ PRR al LER ‏لخي يي 1 م‎ SRE FEE 1 TURE : HN fh PETER. N an i SI IRE Soe # ‏سج‎ HN i nL ‏ترا‎ FERRER N 47 i, Ned HERR - DR Vol - ‏ا‎ N + ‏الا ل ب‎ RE and hE { SN Hoa : N yo ‏ت- اا - ال ا‎ : 0 ‏ب- اللا ب‎ MN TREN pS Y TE = eT 0 ‏ا‎ ‏ل‎ 2 HES JN 0 HET 0 N in 3 8 1 8 . 0 ER 0 HEI i N i HE “ Nada - N Ey NS FA “i ‏ا م‎ \ > ‏ا الج‎ 2 3 H i N 7 H : I ‏ب" امام ماع‎ Ey 3 + ‏د‎ ‏م‎ . . H wed nn i I 7 : 0 N : ‏ا كات‎ ed ‏ا ال‎ CR SN SI OF ‏ا 4 اا‎ feo SO SANE ‏ال ا ااا هر 1 ان‎ CR SE SNES J, © 7 SES ‏الحة حة‎ rrr ein : ; 1 = 5 8, ١ 1 1 ‏اسيم‎ CHEE Ie SEL SES. 3 3 ‏بيع‎ SN SER: SU 1 ‏كد يض‎ vad od sR H 3 k . SR i LF Lh ne ‏ل‎ AAA IAA RAR RAR ‏لجست‎ EE EAA FAA AAA AAA AAS A RAS SSS SER oR) PRs ‏ا ا‎ Yee os faa RY ‏امه الا ل ا‎ BRS elk 8 FRET SFE em Be IR Sot 3 et in De] 4 3 TOME ‏ااا‎ J ‏حي ا ال‎ x RN Ta EB Xx 2 ‏ا : تا‎ AE “a ‏ت-_ ال ا الس‎ Hl TREY ERT : 1 +E 1 ‏اا‎ bs Eo N t SE 4 ‏الا : اين د‎ : SN bs 3 SERENE fo) perme ‏اتيت‎ Hl ES i SE A. ‏ا‎ “i ad : ‏ا‎ NE SHRI SER x SL BE. Se ‏ال الست ميا‎ 33 ‏اند " ب"‎ Hog N FRR IESE I ‏ب در يد‎ 1 ok - ‏ا‎ N ‏ل المت اال‎ # ‏اد اع‎ = LOE “i # N vd FOE] = Le YE Co 33 ‏ا‎ + i H Roy PONE ‏م‎ i oy N 3 Lok ad - i SE - iy : ik ‏كين ا ال‎ NE - ‏عقي‎ Lo A wn SE ‏ب‎ HEN Ed id = JERS TR ge 0 0 ٍ i i 0 Sl CE TE Hi Ee 7 7 ‏اتات‎ Ie EO : 0 H wen BE Rt IO : TE or. ‏فز‎ RN, TEAR ed TI Foose, i aa ow ARS t a + ‏أن‎ . Aha ow X LEN > ‏يا‎ ُ Wee ‏.نا‎ "ً ES * SX 5 8 x 3 E : ‏لمشي‎ 0 1 x E He Bg Sig 3 F 3 £ ‏تت ا‎
    -١ ‏حم‎
    ‎Er. re 8 MR \ ٍ NN . Vs Jes TE CL oe a a - Lo a Le a on 0 ‏ا‎ ‎fo ‏ل‎ LL Jeena . ‏سل‎ ‎& ‏لبا‎ > ‏امم لالس م‎ 0 ‏اا ا‎ \ Na EF ee ‏ا‎ ‎LE le ‏ا ا ا ا ا ا‎ ور 81“ لمشتس ‎oy‏ ا ا ا ا ‎J -‏ & ‎CARN‏
    -أم- ‎TT TT TTY‏ ‎EE‏ ‎Ll‏ = ‎a 0 RR LL NN Ce‏ : ‎Cs‏ ا ‎co‏ . ‎ho ed‏ ‎Ls es‏ ‎{oy pol‏ & ‎nN - a hd eh:::: : Se‏ ‎NaN . . ْ‏ \ اس ا ا ا 00 رف 3( ‎hy . } = 9 : *‏
    -07- ‏ا‎ ‎7 ‎0 ‏ا ا‎ 0 ‏ااا‎ ‎es a . . 8 2 So 8 Fa a \ a Sa RR 8 Ned RS NR PRN 1 ‏سن‎ 0 0 i a ‏الا لل‎ 0 _ Sy Ta a Nam ‏ا‎ ha 0 - ‏ا ا‎ Foi ha : . gdh = NN $ con = ou 8 ‏اا‎ NR RN Lo 0 Sn wo
    HE . ¢ Se Sa Ea Thala . Ca N : = oo ‏ا‎ R 2 . 5 . La : Foe on ‏ض ل ا ض‎ ‏ا ا ا ا اد‎ 0 ‏ب‎ oN LL 8 ‏ض اا‎ 2 - . 3 4 : > | 1 p: HOR an AN RR RN No : . - . ; = : 0 ‏اد ل‎ I nh Nn SN i We 2 0 0 ‏ااا ا ا‎ . = ; , ‏امنا ٍْ ا اا ذ ا‎ 0 ‏ااا ا اا‎ NN 0 ‏ا ا‎ 0 = * Le 1 8 ‏ل ا ا‎ 0 0 0 ْ > a RR aR N . 4 ‏ا‎ 7 is NY - NN
    Le . SEN wo 2 Sa 3 3 ND aN - SI - ; . i ir 8 ‏ا‎ 4x 3% SN . RN 8 ‏ا ل ا ا‎ 0 ‏ا‎ 8 NN i Nu . . 0 ‏اا‎ XX a 8 ‏ذ ا ا ه:ْ ا‎ ‏ا ا ا ااا اد‎ ‏ا ا ض‎ RN 5 ‏ا‎ IR Na 8 ‏ا ا‎ nN 0 ‏ا‎ ror RAR AR NG 3 > : ‏ا‎ NR 8 0 NERA a i 0 TR fen 0 ‏ا ا 0 ب‎ 8 1 N 0 ‏ااا‎ a ‏ا ٍ د‎ ‏ب‎ NN NN 0 8 ‏ا‎ 0 ِ 5 nt NS’ LL 0 ‏ا‎ ‎LL a ‏ض‎ ‎2 ‏ا ا‎ 8 NN IRN . . a SIN han LL nk N . ‏ا ل‎ ‏ا‎ a on A 0 8 8 nN 8 ِِ ‏ا ا اد ا ا‎ : - Do RE 8 ‏ل ا‎ 2 0 5 NN 53 2 3 a = : 0 ‏ا‎ ْ 0 2 RAR 8 AN na ‏ا‎ 8 8 8 8 a ee 3 NN : ٍ ‏ا ا ا‎ Nh NN ES : ‏ض‎ | ; - . LL oo 5 ‏د ا‎ Sh xo oa 2 x . oe 0 ‏ض ٍ 0 ا ا‎ ‏ا ا 0 ا ا ا :ْ ا اا‎ ‏ا‎ RS LL 3 oe CL = 0 ; 0 : . 0 ‏ا ا‎ = ] RN Ne oo oo 0 RN 8 ‏ا‎ Re . 0 : ey OO oo ‏اد ا‎ :
    EL . LL = ‏ا ا‎ ْ : a LL oe So Sn 8 XB LY wo 0 a . nn a . Nh a = ِ 0 fis 8 ‏اد 7 ا ا‎ BAR > RR RR XN nN ‏ا ا‎ ‏اا‎ = nN . Co 0 0 ‏ل 0 ذ‎ ‏ا‎ a . Ry , ‏ا ا‎ o> . No . : = . : Le 0 a R A . : . 0 ‏ا‎ AR 8 8 2 5 0 2 2 Se ‏ا 0 ا‎ ٍ : LL oo % . NR NN Xe 0 0 ِْ XN oo NN 0 ‏ا‎ ' ‏اا ا‎ 0 ‏اا ا‎ 0 ‏اا آ‎ ٍ aN . = fe 2) AS 2 SHEN ‏ب‎ 0 \ ‏ض‎ a () i ‏ا‎ ERR at LL 0 0883 ‏ل‎ ‎CARRS
    ‎SESE‏ ا ااا لل ‎os‏ ‎RE SR SERS SA FRAT‏ الت اي
    ‎i .‏ ض ‎coe a‏ ا ا ‎oa‏ ا ا ‎alin RR .‏
    ا .= ‎sini‏ ‎Sel‏ ل ااا 0 ‎Sra wn 5% CR‏ 8 ل ا 0 0 ا ‎Shana‏ : ‎en sda Then‏ ا ل ا ‎a as ESAS LM. Ha Res ERE Dine‏ ‎aa‏ 0000 العامة ‎aE‏ .: ‎Ha Crm SE‏ ال ‎Ea Ene iN GE NRE a‏ ‎maw mes al Cea I‏ ‎he PL nee aa aaa‏ ‎Ere iE Shiai ase La SINNER Wh‏ ‎add a‏ ا 0 ‎A RAR BRR RR RR ERAT‏ ا م ‎a‏ اذ 1 ‎ay Ba‏ ا ‎HT‏ ‏اا ل ا ‎TE‏ 3% ا ا ا ‎FEE EARER RRR X Shee UES a .‏ ‎hae hal > _Tha a. Na‏
    ‎a.‏ 3 . ‎bE RR ER ERR EIR aR Nha‏ ‎ERR a‏ . ‎La BERENS RR aE‏ ;
    ‎Sh. Shah‏ ا ا اا ‎BR‏ ‎ERR NRE SER RENEE RR Sa‏ ‎FN Nay REE NRE TEER SER NE‏ ‎So . aa‏ ا 8 ‎a‏ ‏ا ا :ْ : اد ا ا اد ا ‎ARERR LRAT Ree‏ اا د ‎he‏ ‎AEE ha RRR Rha‏ ‎a CHRON a‏ ‎Lh Nae RRR Tas SANE 0‏ ‎La Baa ANNE aE 0‏ 2 ‎SAREE SREEE Sonn RE‏ اا ‎RR NER Sai NN aa Sa‏ 3 الا ا ا واد 3 ‎See‏ ‎Thee EERE Sag AR NTE RRR RR‏ ‎Lap Slay Da‏ ‎RARER‏ ا ‎HAIER NR 3H‏ ‎Lia THREE aa LR Naas‏ ‎aa RRR RE Raa HRN‏ ‎EE Haas SRR SRE RE 188‏ ‎RE NRTA RS‏ ا اا ‎RTT Ra Ee ta Sn‏ ‎TR 9 Nh nN‏ جا ا ‎FERN ____ RRR at‏ ‎RY naa an STEN HEE TRE La‏ ا ‎Ba Nn an RRA NE NaN ERE‏ ا ٍ ا ‎BRN NEE EE NR‏ ‎NR‏ ‎a‏ | 5 الستعي ته ‎a‏ اا الا ا ‎a‏ ‎١ =‏ 3 ب" 3 ‎cna :‏ ‎i, ist Eh‏ ' ب ال م ا ‎Cad i‏ ‎ENN‏ ا 0 0 . ‎A‏ ولحي 5 3 ‎eye‏ ‎Toe Re Ra we \‏ ‎a Ny = pr 3‏ : : . : ض , ض ‎Se a EAN‏ دج 3 5 | " و - ‎i PTE Se Ti F SE 8# OWE‏ ّ مص لان ف 0 يد ب« ‎a 7 Tu, veo AF‏ ‎LE 3 |‏ 3 : ا ا : ا راج ب ا ال« ‎EJ‏ سس ‎Tyo fhe,‏ ‎Yok Nw LN‏ ا ب ‎LE SHR EHS‏ ‎Eres ewe 3 SY‏ ب ا ‎TRE 7: ay bp 1 : td‏ ما - ا 3 ‎Po. Na 3 Ny X‏ > 70 ‎rg reli 5‏ ا اللي اله 1 اا 8 # 3 لبا لاه با ءا الاي ا 1 ض ‎Rem! 0 Xo‏ اي ‎LR EH‏ & 5 : سي دك ا ما الل 4 . ‎Piss‏ ا - ا 5 .1 + ‎TOR‏ ا بن ‎rar. ot lg TIT Low‏ ض له عيض ‎ed‏ ا لو لال مو مان 2 ض ا ا ا ٍْ د لل وراش 3خ نا ا ال ا 3 ‎J‏ ب ‎ied Re 1 a‏ : ع م يي :
    ‎o . al a =n SR . + ne N‏ ‎ERICA i‏ { ] : ; ‎x & . wl + .‏ الغ ‎i RE‏ . ‎il | J ened )‏ ‎io Th‏ مس ‎Rea FE‏ ‎ail — & SE. NS ; i . . 1‏ ‎os I SE. 1 0 : 0 > |‏ ¥ ‎EH 4 7‏ + ‎yy 5‏ قا ‎ad‏ ا 2 ض ول الموحة ‎ail‏ ‏ض عاق ‎Lt‏ ‏0 ‎q a‏ ‎wh‏ ‎CARN‏
    Seis, Sada Nii Siam Sema TREES 8 ae Se naa SE 2 1 ‏ا اا ااا‎ ‏ا"‎ AY ‏اا‎ ‎and * Sian REEL i ‏بي‎ ; a : STR L ro Ea SEE EEN fr ‏جات الاق ال‎ 0 SEE FETIRERY CER i a SERRE i PERRI foo Gaba oa eo Shiv cats ERS SRL svn RE aman Saag Neu Sa ee SIE dod, Waa 8 ‏ا ار‎ EE Na. : TET ET Shi TREE NS Toa TS RE a ‏اال الت با‎ a Ni nam Gog EEE : HL aes as a a han 0 a Cele Shane 5 ih a LL 3 : SE Le “£1 Rk Eg ay Ne RR ee SARIN 8 : an RES Na Nn NRE : 0 0 ‏ان‎ = ae La eo Saab Gone NE RE .. Na nN RR.
    Nhe > ‏ا ا 8 لد‎ 3 RR NRE ae Sak 3 as a ARN Ne NANNY RARE Ra ‏ل‎ 5 BRR NX 0 ‏ل ا ا اد اا‎ 0 ‏ا‎ 3 LL Ta aaa Chan ‏ا‎ Nt San 8 ‏ا 1 ا‎ ٍ Nhe a Ran Nu NR 8 ‏ا‎ RAR NE SR ER RR Ra.
    RRNA 5 Lae > a Sea 8 ‏ااا ا‎ asta Nee Sa 3% a Ne aa ‏امو‎ RRR hh a La ‏اد اد‎ Naan ns GREE ER a A ‏ا ا اد‎ SERN a.
    ER RN NR RR Lo Ne Vaan AW RS To Ri RE WN LL NEN RR Nh SPAN Na 5 Shh NS RRS RRR NRE Raa 7% 0 RR NRE Na a A) RR d ROR JE aa TEES RR 1 nine SN a 8 Hanae: NR AR RRR a he Tn Co Rn a Ll Ca 8 ‏ا‎ aR TRE Nee TR RE a 0 Le Ra TREN 5 NN OAR NR aaa NR Le EER FON aE a AON RN SREREES LL Na RN aaa a RN NR ‏اا‎ HUAN 3 Nah on aE 8 ‏ا‎ 8 No 0 ‏اد‎ RRR Ga PAAR 8 SE PN 3 Nay San RNR RE Saou.
    AAR : ‏ا‎ \ NN ; . SHAR NN a.
    RR eRe RN RRR RE Sy SRD SE RE RAS Raia AAR faa Se hy . 8 0 RR sw Zo J Sa UN NEE Sa SE SAN NS RANE Rea AE 85 a a 55 Ne Nn 8 a ER Sex . vom 2 8 ‏اا‎ HR RR Ne a Si J ENR AE RN AE an RN NN oN § a RO EEN WR Ne aN 0 ‏ل‎ Sawa AR DN ‏ل‎ EX } 8 Ne RA iN NN NERS RANA SREY NN AEA 3 SH \ RY ‏ب‎ ‎NK RNR ERS Lg ih 8 BR SOAR 8 ٠ . IRI % faa \ ¥ 1 _s ‏الي تي‎ 5 A ‏لا‎ a NN ‏لال‎ ee a ThE’: a ‏الح‎ ٠ ‏ا‎ : ‏ا ا 0 ال‎ x ee x RN RIN ARR REE SN RRR x a AN SER : 1 1 ‏ا اا‎ WN Lo 1 a TAR SRA ERNE RN RES Sa ] BR Gra oN SE Ra Senin RN as ay 1 ‏ا ل‎ SY RY SE STEN RRR XT ay Ce a Na . N RN Nv ae ERR RR ROS SRI NN: SN an Ne Sia Raa i AIR oo a a AN N a LL nN RYN Na Soa 8 NE SNE iE RAEN aE ‏ا‎ ALANA 8 SEE SR Se 3 oo . Nl SN LL 0 SE a RE 8 ‏ا‎ COTE NER 8 Nid : TE SAR ARE Sa 3 8 ay Waa HR N RR a BAN RR NN RRR oF XR IRAE 0 RY RN #3 SAL SIR SRR 3 a Lea EE Ra waa ERR N Shuey 8 ‏ا ال ا‎ NE Sn SN ‏ا‎ OR na EA NN Na Ra SA Ra Ca a RSE Na SR haan SR ERX SNE ey Na EN SS & RD 23 San Ra ha LL a See “A ‏إ ا د"‎ Con aa : 8 San ] ESR 5 ‏ا‎ SR NN 1 5 ee BR TR Na § Balin Ne aay Sn 5 NO Na 2 TY RN ‏ا‎ ‎Fi 8 FRR PE Ra $5 SI 8 ‏اا‎ ER NN If amen RRR NR Rs An is mn SONY (Z aa 0 . ‏إ ا‎ TL ll 5 alts as 8 RR ns RNY or © NR TR NE STN NN SRR Soh Sa SN SoA aah Ran LOA 8 REE 5 ‏ل م‎ in ‏ا‎ ER Nh SAAN Na NN a SRNR AN RR SRR 5 = Nn REG ORIEN RRR RR Ne a A 3 Nn 8 0 To TRY RN 0 5 SORTA TREE AN NE Wy 1 ‏ا‎ TERR a SN Ne : Se a oan 8 ‏ا 8 ا ا‎ Na ‏ا ل‎ RAR Na NR Na he Ha 5 Na ‏ا‎ RN a Sit NY Tie EOE RR 8 SRE CE AEN 0 Saad 8 ARR Ha ns PI AR ER a RN NN 8 ‏اا ا اد ا" د ا‎ RS RRR 0 ‏ي‎ Rae an RRR ih 8 SE SEU 0 ‏ل‎ ‏ا‎ Na AAR TARR NN 3 cold Na 0 ‏ا اد‎ ‏ا‎ RRR E02 SR: AEA REY ERIN NE ne 8 ‏ا‎ RR Nd a ER RR a REN Nr ER He EA a SN ARAN i 0 Sa 0 =n NR SN . 0 SENN | &, 5 ‏ا‎ Ra \ CARN
    -١ ‏هم‎ - = { { } x > EE EA ot N ‏ب‎ iam * ? R ‏الح جيهي‎ 4 NE ‏نا بد‎ NEE bora 4 a ¥ ‏اد د‎ : a ‏“الله بنذ‎ 2 Ta ‏سي ور‎ EE ‏اب سمسهيسس‎ ‏ب‎ i LS ‏الل ا مت إن 5 اا 1 مط‎ he } Bo la dd oe Por EB Mg, " qo 38+ ‏د‎ %, 7 2 i i I, Si i 1 i LN PY ved | - ‏اسه لان‎ ‏جا ل“ ل‎ SE Ea Fe ‏تحايت‎ das 3 ‏ص‎ 5 LY ES 3 3 E t ‏بي‎ ّ ْ ٍ ١ x ae 0 : 8 8 § . Te 5 i ‏الل‎ Ne ‏وز ا ب الل‎ 1 ‏ا 8# ّ لقأ هصق اه‎ i ho 3 ‏ا ا ا‎ re ‏اا‎ her 2 4 A H ag LIE SU ge & A) 3 SOLIS | ‏اللا ع‎ bess ‏ا‎ 8 3 i i SH h ‏ا كك ا اح ااا اي‎ 4 0 i 1 I TE Fol IS 80 ‏ا‎ 1 |ّ Pray i Vacated | 172 %8 SEE ‏ذا ل‎ = (ollie (pe se ower as 17 rye ‏مووي‎ ٍ ‏د‎ j 5 7 5 : § a Eo ee. 0 T= : «= 1 A ١ K ae ‏اا‎ ae ‏يسو‎ ‎CAE pan to $e yw Tes ‏و سس‎ alah ‏اغالا جا القلطية‎ Aes Tp ‏طول الموجة رثات‎ ٠١ ‏نشكا‎ ‏لض‎ > : 0 ‏ا‎ aaa Ca 8 0 0 my es EMEC ERAN ‏ل ا‎ NUE ae Wy [i i a ‏ا ] مووي ا‎ ‏ا‎ ©» 0 NN SE ‏ا‎ aaa ‏اح ا‎ ‏ا ااا‎ ‏ا‎ 3 Na aan ‏ا‎ an La Co . aN Lo ‏ا ا ا ل‎ ‏اا ااا اا ا ال ا ا‎ ‏اا‎ aR Noni RR 8 ‏ل‎ SON Zana ‏اا‎ Tle NN Waa NASI RN NN SEY Nn Na So Naan NL NN aaa Na ‏ا‎ NaN i No NERA Na ‏ا‎ ‏ل ا ا ل ل‎ ‏ا ا ا ا‎ ْ ‏ا ااا ا‎ BESSA RR ‏ا‎ 3 QR Pa IPRA, RR = AIRES 5 ‏الأ ا اال‎ Cena AN Se an Laan X IRR mm RE ‏ا‎ ‎0 0 SN Es RR Ns ‏ا‎ ‎ha a ay ‏ا ا ال‎ ‏كا الا لاد الك د ال‎ © ‏اا ل‎ Eon an wm Nee i 3 ‏ل‎ WANNER WEE tian ‏ل ا ل‎ ‏ا و ا‎ ‏ل‎ SR RR AR NR Tr IR 8 Roe SS a RE Se NR C0 a asa Nea ‏ل الا‎ a haat aR Naa ‏الي ل اا ا‎ ‏ا ا‎ ‏اح ل ا ا ل ا ل ل‎ ‏ا ا ل اتا‎ a a a Rate a RR N RRR ANN GEA : NR TR SE a LL Sf Ne 3 ‏ا‎ ' HORT RR i UN NR RE AS ANA aN HERNAN SRR SHEE SO a ER Ne ZN ‏الا‎ SERRE She a Po BRINE 8 WF PE RN Si ae aa BR ee LN oe Ne “0 Ee ‏ا‎ aE Le PEE TI ‏ا ل‎ an ‏ل‎ ‏اا ا‎ a ‏ا 8 د الوم‎ i ‏ا بس د‎ 8 ١ — 4 7 CARRS
    -١5- 3 : : ’ F} 1 3 + : aN ‏اسهد 0لا‎ ‏ا‎ 3 3 = <> 3 ‏با سأ‎ MHD ‏بسح‎
    ‏ا .ا‎ " : 1 - ‏د‎ ‏ال‎ Sy ¥ ‏ل‎ 5 ‏الح‎ 1 Be ‏ل اليد‎ Se, TR ‏هاف‎ Br VCR. 1 _— 1 ‏ند‎ RE ‏لج وو‎ 1 i ‏الح‎ ‏لد‎ GRE ‏ال ا اتيت مسي لالش ا‎ ‏فر‎ 13 oF Sn ht oF Ea I OP: Load ‏لط‎ ody ‏المنطية‎ ‎\ v4 | 5 : ‏ا‎ ‎8 ‎(hy {Uns ‏تت‎ SE A | ‏ليا‎ ILA I A A Ea LL 3 ‏شق تداعا د ددا ا‎ oi ١ > ‏اوش س1‎ — J oF 3 o L i ‏اذ‎ ‎3 vl ‏ب- ا‎ 3 i ‏الأول التاق ا‎ > + & & 3 v § S Fi 0 5 ‏للَا‎ : —— SA i t ‏ب‎ 3 AE I Wy <7 ‏حم‎ 7 " = ® = 7 ‏ا الس‎ 1 ph Rn 4 L Ne 4 ‏لكر‎ 5 8: i a = 3 8 3 { a 8 + 3 ‏ا > ا ا‎ a ‏أ‎ ET LANE | ENN : a NEC ‏ا ل ل ا ا ا‎ EN i ¥ | Chie Doras ys Vere FL ua Bed 4 ‏ا ددا‎ EE ‏خلال‎ d i ‏صقر‎ oe) o,f 3 a, A 1 ‏رد مقر أ‎ i a xo i ‏ند‎ ‏مكو‎ : : Ca i ‏ذا‎ . 0 3. JOR. ‏م ني 1 1 م00‎ ‏لط و‎ ody ‏الفنطية فو لط الشاحلة‎ Vo ‏شكل‎ ‎CARRS
    الت ااانا دك ا ا ا اا الع مي فيد لجع ‎TE RR He ate |‏ 5 0 وجوج ا - 0 لض مدهي ا ‎id 1‏ تماد ‎ih‏ مسي 3 | ل ‎RRR‏ ‏0-0 ل اس دا ‎ree ENR‏ ل : ا ل ‎LL‏ ‏ووم ع اوتا وود انيه ‎a‏ لحو م ‎SHR TE‏ لوت ‎SE P‏ ‎Raa oe 0 aR Sa BEN HENNA SRE &‏ ‎I A ER RP RI SE a RR‏ ا ا ‎NR‏ ‎A ON PB‏ ‎BE a #‏ ‎A A A A A a DY RR‏ ‎EE ee‏ ‎Selb I SSE i aa‏ ‎BE Ns‏ ا ‎A Ey SN AA IT‏ ا ا لج له تح ا 1 ال م ‎Se‏ ل ‎A RRR SO A SR RAO‏ سوست أ الو ‎RANE FE Clan Fah LEER RNR‏ ‎Ny AL AAT‏ كل" دين ‎EX‏ تع 8 7 ‎PNM‏ ‎RR‏ > ال 8 ‎EE‏ فين 1 اج 3 ‎P‏ ل و 8 ‎RR‏ ‎RRR = A NR RR EE‏ ‎NERA‏ وا لج ص ا اا ا ا ‎ER‏ ‏م ‎NEE BR A A EE Se‏ ‎a re Ee ie‏ ‎any‏ لح امج مه بي المي ا ا ال ا ‎EE se‏ ل ‎A EN ae]‏ ا ل ‎Er‏ ‎I I‏ ال ‎EE A A‏ ‎RR A RR SI NN A aa a a NEN ERA‏ ل اخ ‎Ss i A NNN Tr 0 TE‏ ا ل ا ل ‎RETAIN:‏ ‏ال ل م 0 ‎Tl RRR‏ ا ع م ا ل ل ا كا أل ‎SOIREE IA‏ ‎Re ESA‏ ارك ارج ا ‎AL‏ ا ا ل ا ع ا ‎SRR a‏ ‎Sr SE‏ ا ل ا ا ابي ل ل ا ل ل ‎Rn‏ ا ‎ne‏ ا ل ل ل ا ‎ERR‏ ‏,3 [ * بد 3 : :[ ‎I | 8 rs J‏ 1 7 الع = ‎IR‏ 8 الب ‎SR‏ 1 3 ب ب ا : لو ا ا جاو م ا ‎ee date NY‏ ا د ‎EK 5 Nl a‏ ا ل ‎we‏ ال ااا ‎RN‏ ‏د فافع ‎sls‏ داراو ‎ed‏ الا ‎FER un NE sae RY‏ ‎a RE UEC SLURRY TE‏ كا ‎Ee J‏ فد اه ‎RE RE‏ ‎EE LTR IRON i‏ ‎DONE OED LBS‏ ا نا ا حي ‎Sats SENN a‏ ‎NR a av)‏ ل يت ‎BE‏ ‏ا اس د حي وح و ‎ge ag ay Ln‏ جو ‎te Te‏ ‎UE TR‏ ‎a BE ORs NE ia‏ ل 22 ‎re i nn EN A‏ ا ل ل ‎SE A SER‏ ‎A A Ry‏ ‎Ee RR‏ تسم ان احا ل وح ل ل ا ل ا ‎AE A A A A RRs‏ ‎LE NR a‏ ‎Rr‏ ‎I a Ran‏ ‎A OS NE‏ ‎Sa rE RR‏ ال 0 0 ا ب ا 5 ‎Be, SE 5 yf 3 = va S oy‏ 8 ا 5 ل ا ‎Sa mR‏ ب 5 0 ‎I ER A NN SS ee‏ ل ‎RR ES EE RN RE sy‏ ‎AA SE IR SRNR Sa A ed‏ ا ‎a I A A A SR EN RA ne‏ ‎ey‏ ل ا ا اه ‎A‏ اه لت ا ا ا ‎Sh Ra any‏ ل ا ل و ا ا ‎ey‏ ا ل امي خا ل ا م لاي ا ا ا ا ا ا ل ا تدا ا ا ا ‎ery‏ م ا ها لخم احج تمي ا يه ا جا اماع ام دوه اله أ ل ا ا ‎er‏ ل ا ال ات ا لا الج ‎A A a rR‏ ا مج ا تم مربي 8 - ا سي ا ال ‎dae‏ رن ل مرح حة ‎BE A ATA‏ ِ كا ادي ‎EAA ON FON SA‏ ‎ot 2‏ 3 ] 3 ‎CARN‏
    : ا يلا زم ‎ed Gent at‏ #افة ‎Sa RAR aa Jo PR‏ ‎NRE SE A Hr =‏ ‎SNR AR RR Tee a I‏ ‎ae Nn ae‏ ‎A a A RANDY i Sha int‏ ‎ROB dnd‏ ال لحا ‎RR A‏ ا ‎TE a Eee‏ ‎RESIN NE EER Sh‏ ‎Dh Ra 2 ASE SNE NA ON Ae‏ ‎RENEE NS roNT RANE‏ ‎Ea Nan Soa‏ ‎EE FE SEER ORS SN‏ ‎Na‏ ‎RE SR RO a‏ ا ‎AEE‏ ال ‎ode RRA‏ ‎i RE‏ ا ‎i] PRET hE‏ ‎I phd aie CE‏ ‎SERRE Goon ER: IN NER: SE.
    A wn a‏ ‎EE Ae‏ = ‎RE RR -‏ ‎Saad NE Ne TRE‏ ‎IN RN RR RT‏ الا ال وي ‎GN rae‏ ‎NA NR Re %‏ ‎NNN‏ ل ‎Raa i‏ ‎ER A A ao a RS RNR :‏ ‎NR NN a A‏ ‎DR ANON SRNR‏ ‎ees: ER a aaa 1‏ ا 0 = : ‎RON NA 2 a <‏ نات تع : ‎J CRN AN CREAR 0 0:‏ 1 تحتف 7< ا ‎WE‏ ب ا ا يق ا أ أ الس ‎y‏ ا ل الا الي ات ‎NAN NNN Na‏ ‎NE aN NN RN‏ ‎REE‏ ا ا ‎ERE‏ ‎AN RN NN a Re RE EN‏ 0 ا ا ‎SNE TER SEEN‏ ل ل ‎AR‏ ‏ال | ل ‎RR Sa EER‏ لل ‎oi‏ ‎RR eR hae a da SER ERR‏ ‎SEN‏ ا ل 5 ‎Fi x ”‏ ‎SU ——‏ ( ‎PTT,‏ ا ‎ESERIES‏ ‎The 1 2 1‏ الما لت 0 ل 1 ل ل ‎RE ERR LE‏ ا ‎be‏ ا ‎SRNR‏ ال ل ا ل ال ‎RR‏ ‎TE ney MORNE‏ ‎LI 5 ain 0‏ ل ا تدا اللاي ‎EYE pe Ne sain‏ ‎BEERS‏ ا ل ‎eR‏ بلج رتب .3 م ل ‎RIES ait quo] EEE‏ ‎“sy 9 SE ay Haga iy a pf csi‏ 1 : ل ‎ve, AE ERY a‏ ‎Bo HEHE {ee ne‏ 3 ‎T‏ 2 أله ‎Raa 3 Bh a‏ ‎a Ae‏ 0 5 ‎CHEE FRO‏ % ‎i «‏ ‎a‏ ل ‎Yq‏ ‎AF 3 = “‏ 0 يجا 1 3 ‎Sma‏ { 0 ‎Low ER‏ ا ل 5 ) 1 ( ‎i TT or RC ——— .‏ للشو رت تم جمد جح ل ‎me Bou BE A ER OSB‏ ال = اي ا 820 ‎HE NAAR SOR‏ ال ول ‎pe‏ لاا لطع الاي ‎SR ) EE EEA SNA aN EER Rp‏ ا ا 0 ‎oF‏ ‎Sa‏ ل ال ا ‎ee RRO TAR ; aN‏ ال ا ااا ‎at‏ ا ا ا ‎Ae SMR TARY NNN‏ الت ‎A Tr‏ ‎EE TE Cae i ١ SN NNER ENRON‏ ‎ve CEE RT 0 CIEE ONY RRR‏ ني ا ‎J TE‏ ‎CE Le, 1 3 aren Naa Naa NNER :‏ ل ‎NIN RN‏ ‎ANN SN‏ ا ااي ‎EE‏ ال ‎EONAR NL SAR Le‏ ‎NR DEA Aa‏ 1 : ْ ل ‎REE 2555500 Ee‏ ‎ba NG 3 - aN a‏ 3 الي ‎ERR BOER‏ ا 2 ‎BR NR RRR SNE RIE‏ ا ‎Bo a SEE RRS i‏ ‎SN ash pp] a Ge S58 N A So x‏ 005 الها ‎RR Re‏ ‎a NaN Mean 88‏ ا ‎THC‏ مجعو 17 3 لت الا ا ‎NON Wi‏ : ‎RR a a ne - RRNA SEA‏ ‎PARR BEN Ee 8 SRN EN NNR ENE RN ASA 2X‏ ‎Neyer Sn ae SER ANNAN SEAN NA‏ ‎CEN Mae ENE NE I.
    EE AN A AN A aA‏ ‎FR NN ARR NR Arena 5‏ م ‎BR dra SEE ER‏ ‎rN NNN NN‏ تخ ا ا اتا ل لشي ا ‎RES = TRE EER da NE NN SEN Nn 0 NE RR SEAN ANRR 8‏ ‎RENE 8 ya a 2a SK. >‏ الاك اا لالتخا ‎Nod‏ ‎H i a SR NR SONNE‏ 0 ‎Lae‏ ; ا ‎eran on A‏ ‎REE ANN AN NEE :‏ : ‎LR AS IRR OR NRA‏ 1 1 ‎Ey‏ ا [ * ‎CARN‏
    -١م4-‎ (r) 0 ‏الي‎ RG SERN ES ‏اد ا ا اا الجا‎ 3 i as ew ARR LL NN NEE NEN = SS LE 3 LD a LL La 2 po aE L a a g if iim : ‏ااا‎ . J ia ‏ا‎ LL he CX a La ‏ل‎ 2 =. “aha 2 #7 ‏ااا 1 ال ا‎ Na NA 2 ; Ni aan 3 Naa SENN NY LL AR aN SL a Sa CL ~ a LY t bos oo LL a a a ‏سم‎ he NE ‏ا‎ a LL TE oe Lae LL A Le a ‏ا اد اا د‎ LL Le a a. ae WR 0 RAR RX CAR X %) ON NE NY i LL 9 5 aN i” 2 a NE RENN £4 2 SER RR Sa La a = NAR RE Then a NA ‏ومسا‎ 4 Ea ‏حت‎ gn Na an ‏ا اا ال‎ 8 ‏ا ا‎ ‘ Na LL NN EEN NATE SAN ha 8 ‏ل ا‎ ans ER
    : . NN Naa La ; a LL LL 0 ‏ا ا ا‎ 3 LL a Ne $ > # Naa a Lg Na RR a 2A ‏(2ه‎ - Nn La La (=) Lon Ne a prea Fe 2 LL YY La La a ND LL a Eo NN . = Na Na TR a Sa Naa 1 ER No Mak ‏ا‎ ‏ا اج‎ NRE Na ‏ال‎ ‏با اا ال‎ 0 ‏ا ا‎ FE FIN : > RR HE RET pr Bos Tes gee 3 FE CT ES 3 ‏الس‎ ‎LY Sia ‏سم‎ ‎30 JN [SS ‏ا‎ ‎i aaa ee. Ny . : ich Ea ‏ب‎ ‏ل ع‎ Ye 3 % i % { AY De ‏؟‎ 6 = \ ‏على اراسي‎ 4 8 § ‏ما لا 0 ب تمر بجيو‎ Yoo % ‏ونيد‎ JN 5 3 : A Adi gd ! \ oo i ? 3 5 ‏يحلا‎ NE ‏جع‎ : : : Ce 8 1 ‏ب‎ ‏يه‎ : iy y ‏جا‎ til AR A ‏اا‎ Sacco: ‏ل‎ TIN 5 0 od L 7 \ Fe ST bod ‏انا‎ ١ a 1.5 ‏م‎ ‎’ i : ٠ 0 , ‏اا‎ 3 bi ¥ 3 3
    H . 7 ٍ : ‏اها لل‎ ١ : : K ¥ B § eo AF JX * ’ Tat Ta i : ‏ع‎ bd 3 ‏راو اول أرة صقر‎ adsl CONN j
    -١476- Fess ~~ " ‏بح تعيب‎ x PEI - 8 j ER ‏لس‎ ‎bi 1 ‏احفر‎ wo wed : ‏ب‎ R 1 : Fors pa j 4 Is wd : 3 R : 3 ; ‏عا‎ w oc} ] 1 : ‏ال ا‎ : » ْ ‏جدويبين مجان الت يدوي يجيو يجيه يبيد سم ابي ا‎ a assassins ti cen Rieder dedi ‏اه‎ x : ‏جا‎
    ‎. : pe BA i . ; H Ter ww —3 ; dct ered i : 0 1 j bs R 3 ‏يال ج‎ ax ie] i a R id ; ! Seaway 1 ps k Ei ; ~ hoc 3 I & 1 ‏لاط‎ ed AAA AAA AAA AAAS ‏يسيس‎ ‏ب‎ i Bk 0 ‏حي امد احم الاج‎ 4 i i N i i ER 4+ i 1 oo BR ae 1» 7 : cd + ‏د اد باج‎ 1 § 8 bi N 1 +, x Hd a ‏موف : لهي‎ Rina Ngan 1 i i 2 Bao TRON ‏فك‎ Shinde 3 k ‏"م‎ 1 SIDI WF YO. 9 a eck ‏ب‎ 4 SE 8 3 ks ‏عله‎ ‎AREER 4 ky AA IN 4 i 1 i LF SPORE i bi i i ® i Yee rand i 5 E] wn kt + = 1 0: E wn Hee - i § 3 ‏ل 3 4 يق‎ ‏ص‎ 0 wy, A A AA A A A ‏لدي‎ A A A A A A A A A AA AA AA A AA AAA AAI SA A AA AAA NAAN AA AN ANA NAAN AANA NAAR ARIANA, El : ‏ابا‎ Trad ‏اج ةمج‎ ~ SR FE £4 ‏ب‎ ‎Ei | SITS... = - : ‏اا مج جك‎ : i H i od : 1 ‏سم ألا .ضر‎ x j i 3 § 3 i 5 ‏ا‎ ‏امس ا يك‎ T ; ‏ال الس الس اس عا اا د‎ ‏ان‎ N 4 5 | 1 . kil ¥ & Fa - Ue ¥ ¥ # # at & ‏ا و"‎ a ES 4 Sore : * SEN ‏درج‎ HY Y ™ | 5 ‏ا‎ ‎3 0 8 rig CARN
    3 ام ا يل ا ل ل ع در لب غشاء رفق ‎ghar‏ لبك ‎Den ah Tr‏ ب ‎i R 7 :‏ : لجحلا عن الاج ا ل ا ااا 8 :8 ٍٍ ‎Vo oe FL BEE + Edd i‏ اجا انام رفبق مطلي ‎gh‏ يماك < + لانو مد ب ااا ا ات سنا : 0 ام \ ‎Je 5‏ 3 ‎a AS‏ - 4 ¥ £ ارد ‎ER Wer‏ ‎Ts‏ % ب 3“ ‎a, >‏ ‎Te‏ > ‎Sn fe‏ . 2 4 وج ا الس ‎“a EN‏ ‎SN‏ ‎Ha EN SRA Sma Go? rn‏ حيتت ‎a,‏ ب ‎Era,‏ احاح ايا . الال ا تا سوا 8 اا حا ب حت ‎[LE AME CoN sco‏ ‎LL a.‏ 0 1 : ا ‎Die Hox Nex Hide Yer Yar Ass‏ .تدج طول الموجة ناو هع ‎Cn‏ ‎jE i 2‏ 3 " ‘ ٍ اجا ما ‎١ Hw)‏ و ‎Cd‏ : 0 $ 3 ‎am ey A A Er‏ . “أ 8 ‎AE‏ ‎ae‏ ا ‎AME EEE TH‏ ‎SEE Nha. RN EEE‏ 8 ‎Na 0 HTH RN ht‏ ا 8 8 ‎AR WN RR a NN NN‏ ا إ_ أ _ ‎rR‏ ا 555 ‎RR NRRER RE a‏ ‎Nan Nh She‏ اد الا اا ‎x La RD an‏ ‎Raa nN RE TR RE SAE : TaN NW 8 NN RE 8 RR.‏ 2 ‎RR Shaan SRR = JN hh. DER RNR NIN‏ ل ا ا ا ال ال ل ا ‎EE‏ ‎BARRON 5 0 SHEE aE EES a RE NE‏ ‎RONEN EE ERR ETUC TR il iN A RR FR a TRE SEAN‏ ‎NN A 8 a 8‏ ل ‎YO‏ با ا ‎A a a ay NS RR‏ ‎RR RRR eae PORN RR NE Rr Tha...‏ ل ا ا ‎BERR RN: NH‏ ا ا ا أ 1 ‎Re mR AN‏ ‎RRR RRR NTR‏ ا ‎ARATE. BR RN NH‏ ‎HAN Nae ORY‏ ‎RR FERRE a Rh‏ ل 5 ا ا 8 حا 3 ‎SIE EE Nun TR RR a rR ra eee RRS 8‏ ‎ARN 2 RN Ra Rt RE RRR Rey R 5 ER‏ ‎RR = hE 8 NT I a‏ ‎A LR aa‏ ل ‎Ni 1 5 RN ARR RNR‏ ا 1 ‎Th Las Nh Jn‏ ا 0 0 ‎Ra NER RNS ER hl‏ ‎a‏ ا ا ا اا ا ا جا : ‎RN RRR‏ اج ا ا ا ا 8 ‎AAR 3 Ah RR‏ ‎SR La Naa ae‏ اا ا ااا ا ا ا ‎RR a‏ 5 “الم م 53 ا ‎RS REED NRE‏ ل ‎Le EER NE Nn ae Ln : aE SHIRES‏ ولا حت ال حمية اتا ‎RR‏ ال ‎RR: ER RR 2 RRR wa REI na RR‏ ‎RRR ARE MER EE ER Ea a RR a Rae‏ ل ‎Bae SRB RE RENE‏ ‎Yo |S‏ ‎ER EA Es se‏ ‎ea Nh ha Aas 1 Lea‏ ال ل ‎Rea‏ الاج ال حا ال لا ا ‎ER REE‏ ا ا ا ‎ae RR RR ARR ARR RRR RA ARR‏ ا ايان ااا اا ال ل ا ‎A‏ يك ا ‎ARR Rt 0) FR‏ 5 ‎a Sa RR Lae‏ اا ا ا ا ل ا ا ا ‎A Te‏ و و اك ور و ‎NA RRS‏ ‎a aR ET aE aa‏ ‎aa‏ ا ا ل ا ا م ل ‎RRC RE RE‏ ‎EE NUR RR RE ARE TRIAD EN A a a‏ ‎Naa A RE EA I RTI‏ ل ‎SETe AREER ER SEE TI ee ER ER eta SORE SERENE NN‏ الاج يجن ا ل 5 1 ‎Th ay‏ مح ا ل وحكي من ار جحي اج جني نوا ناج واج اموجه مجك جو جا را الج د اج كيني حا كج يا امج جا م ‎Nhe En aN aE‏ ل الال الي ‎REA 5 ay‏ ا ‎ITI aie an REE ES‏ ‎RR RRR Ea RRR Re‏ ل ‎RR Ree ATR‏ ‎LL a La‏ ا ا ا ا ا ل ل ا ل ‎RSA AR RE I AREY A RR‏ ا ‎Nas a RN‏ اا ‎AE A ET A RAN RT a Sey Raa RR RR a RE EEE 5‏ ‎A FR HER RE ERR Eran RE 8 RR RY NEN‏ ‎EERE HERE EES TR RR ND a...‏ ‎aa Sa‏ ‎Rt Ta TSS‏ ا ‎a‏ ا ‎SRI I ER‏ ‎a RRR‏ ا ال اجيج جا ات مت جا مر ا ا ا ‎A SR A Eo Daa dN‏ ا ل ل ا و ا اج لا ‎Ll aE‏ :الم جع موي ا اذ ل 3 ‎SEE 0 RR RE ERR ay‏
    ‎a.‏ ا ‎ay‏ ا ‎IE EE EE ET TE EC RY I EE AT‏ ‎Y 4 1 4 EY‏
    RRR tes ‏اج ا 3 ل‎ ica 5 5 ‏ل‎ ‏مج سج‎ AT BR aa - REI SRR A Se N Naa. aan ‏اليب ام سح مض‎ 0 : RR RR NaN 3 Ln SR BY tad RR RR RR RRR RRR ‏حب تحت‎ ERY aw I MIN ERTIES ER HARES im RE Shan REE aR ‏ومست ممح‎ SRE Nha. RRR." ahaha. : 8 Hn = La hh ‏ا اا‎ ‏ل ا اا‎ RX HRN RRR REAR REE RRR RAN SRR RN ARR Re 3 8B NRE NE Naa, She rma SRE Wha ER Nhe LL a - Naan Na RARE ES TITER Ata RRR 0 RR REN REN NEN Nal 3 La : a SRR SEES as a LL 0 ‏ا ا‎ 0 ‏اا لا اا ا‎ a. NE aaa SHER Lh a SRS SR Soa TREE RE rai RANE ‏ا ب‎ ha Ln Nh RAR ‏ا 5 ا‎ RAR TRICE TRERR RRS RAN AN Eo a an Ba Nas ER 8 ‏اا‎ Sa Eine FURAN RR SEE RR RRR RRR SEES RRR RR RRS ‏ل‎ ‎| - NN DIRE Sa NE aa SIRE RRS SEN RR SR RN AR RRA NE NE RI 0 Nae ‏ا ااا لا ال ا ا‎ NHR 0 ‏الا ال‎ RAL TIN RRS 8 ‏ال‎ EER RA BREE RR A RS aR 0 ‏ل ا ا‎ RE ‏ا‎ 8 Sn SERRE RR. RRR RRR AN NEE RAT RRS ae 5 Ny aaa Se ‏ا ا‎ RE EU REY ‏ل‎ Rh. SX nn a RE ER REE RN RR ARR RR. WR Sh 5 8 8 a 1 RENE TREE RRR CHEER Mktr RNG RRR EERE RSS HRN X Le NEAT REN Nk RNR RN HR RENE 5 RRR a SER 3 SRN a 4 ‏ا‎ TARE NR Tae RN RR RET ‏اتا‎ RANA SERRE Na Tae PRE EN NR RE SER DOTA REE maa ‏ا‎ ‎Nas Re aR NEE aE ahaa Nha ‏ا ااا‎ RRR : ‏ل‎ SATEEN SR REE RARER RE RRR ARR aaa RAR EY RRR RRR 0 1 - a ae 3 Lae The DIESER ‏سس‎ ‏ا اللا‎ as TREE AER ‏ا ل‎ ‏ا‎ FR ‏ا ا ا ل‎ FERRER REN SEER RN Si SERNA: RRR TREE NER NT SR ‏جحي اجا‎ RRR ERNE RENE aaa = pa. La Lb ‏ال‎ ARE RRR ENN RRR RR aR. RRR ‏داجن جد‎ RUN Nh a 3 SANE BARR RARER SEER Tha RN _ RR NRE ‏ا اد اال ا دل ا‎ 3 ‏ا ا‎ BAN 88 AEE SHER SERIA RE RR RNA 8 ‏ا‎ a RN TRARY LL Ni a LE ha a Te ‏ا ا ا‎ SEO ‏ا‎ aa NRHN Th aa hE. ENR AROS a RARE RN RRR HERR ‏ا ا 0 0 ا 0 ا‎ 8 Nia : = ha Lane SOTA ERNE ON IRENE 5 x ERR RS ‏ا اد‎ Ra SRT tiie 0 0 ‏ب ِ ا ٍ ا ا‎ ‏ا ال ا‎ LL RRO oR Sahara eR RRR hse 8 SREY RP URE a Ne a Hakan SEER NN ERENT Ee DRA fy Na RR Sh RRR AO 5 HE HIER ‏ل‎ 1 BN MRIS ERE SRE A SRvaiisd SRE SEER Rg a La a THEW 5 REARS ‏ض . : ض‎ ‏لمت ب ب ا‎ lon ‏مد‎ JG J. ‏أ سا كن ب ؛‎ clin ‏مس‎ ‎1 : ‏لجح جح ددح دح الت‎ ‏د ا‎ ‏ادح حك‎ Yo oa amy 3 ‏اج ا«‎ ‏با عم‎ ‏اج اا + ب‎ be GPE ‏دج ماي اج‎ ‏جناب انا‎ ‏الج د ا‎ | ne ro] 3 WD SP 8 : 4 1 % ‏نتححد. سبلي بيت‎ ١ + ‏ا : ام‎ yale sedges TRE - : i LEE 5 =a - i ‏وجججم جوج لمج جمد ججح بجا‎ x ohms] Ts I RE FA x 0 5 SCONES ‏من يروف‎ nds ‏سس حلي‎ ْ | | i a sl Red ‏يه ين ابن اليل‎ ‏الام ال ا‎ ‏اجام اج‎ £ ‏اجا‎ ox, a ‏لك‎ JE ‏جا‎ ‏اعقو‎ ‏اجاج يا‎ xX fo REESE AE TRIE ‏ض ا‎ ‏ض ض عام‎ ١ i ‏ض : : ض ض ¥ اج اج‎ 'ٍ ‏ا اح دج : ض‎ ~ | | by + ‏لاه‎ 2 4 + & 5 td . ١ ‏ء)‎ CE ‏د‎ ‎5 N ‏ض و‎ ّ | 5 i Pd Fg am 5 ; {3 Y } be 5 poy CARN
    _ SR 2 tt Na ‏سو‎ RRR NR - 1 RARE RRR Sr AN AR REAR Nk i CN NY 8 ‏ا ا‎ SEAN ‏وضع‎ ١ ‏ا ا‎ 1 RT aa [ ‏يا‎ ) oN 8 ae RAE SRE a J RR Nn ra FRI SS EEN SEN 0 : - LL 2 oe a —— a ARR RE TR a eat 0 a Nu Gia Se 8 SR a. = SHINY A aN RE SRR ‏ا‎ RR a FEE RANA nt 3 RE Saas 3 DER he NN SNS AEROS AR SRS TR NR Shee Ga = RRR . nN a SRR SR RR Ry ANG 2 As IN a 3 ND Ria XR Na SAAN RN Nas SRR i FY IRAN RI RA oo RE a Ne aaa NRE S Ha i } 8 8 ‏ا‎ CRIN NRA NT SESE ON RNa Sten 3 RAE LL SON 8 Ns RN SN WN NN RNR Rae Th 5 OS TRAE a Nee Nae 3 RRR Nee Saas RR NS Xu N ( aioe = NN a SEN Steg 8 NS Ra SEEN ae RR RR ]
    om . HR SSRN RN SRE Ss 0 8 ‏ا‎ Ry SN LL NAR RR Sd ARN Tl. ER OAR TR NER Ne 2a SE Nn Naa SRR 8 8 2 a HA RR NE REC SEA aN 1 ‏اد‎ REE Sa 8 Na RAR REE RR Sano SRR 8 ‏ل اد‎ SE Wo SRR SR So SUR HR a 5A SAE LL 8 8 ‏ل ا ل‎ IHR Nas 2 Ta NA No ZAIN RR a 0 RR . oa : 8 RR ~~ oo NY 8 ‏اد‎ 0 x WR NN 3 N 8 ‏ا‎ 0 3 3 SNE I a BENE ARR : WB ny ERR REN Na ASIAN =. RA a TORRY NN Lo CE as No LEON N AES - TR Na SAT RAR Nua uaa AR pi NAAR aan 5 ‏ا‎ Ne San SEY RD & Ho NN NN 8 nt NS SR an hy Se 5 Sn RR - SHIR RR ra a NN NEE Yen Ta 0 a IES 8 NR RR NL hn RRR NN TR INR RR TER oR FE SR SRN nn La LL NL Sa Ne a Lo nN a . Nh So ae a a 3% 3 NR GAIT CSR ha Sa TERS RRR RS hae SE RNAR EN A Sane NL ha a NN Sinan RNR WN COONAN Ne HEN NR va Wan SN Nhe aaa Na HA aan 0 ‏ااا‎ x Ne Ne NA ARN Ne SNES NN Na ARR pay 5 SR EIA RY RRR SR RRR
    Co . Ane Na . LL La § La 5 NN RS 5 ‏ا ا‎
    0 . aa San N = Na UN Na a LL 5 an SN 1 . ip R: SR NER 3 % had 8 0 3 b Co RRR q 1 a . 1 RRM. 5 0 SN ¥ 9 ‏ا‎ ‎- - ‏ا ا‎ ARR NRK Ne
    NR . NA Re ‏ا ووو‎ : ‏ووو ا ا‎ dR .. RR RN Na RN SAN RRR : ‏ا‎ aR NR . 8 8 8 ‏ا ا‎ NEN . ¥ NY SS = 00 IR 2D 8 SOARES sa SOAR REN 8 Si PRIN 3 AS NN Ne NE LL ae EE Son EER 3 Reon SRA: . RRR XR Nan RY RRR SR X 0 0 DIN 1 ‏ا‎ ‎eng = NN R ae EN ps | NN Nae oY NN RH Na 5 SN a NR 5 0 Baa 8 8 ‏ا‎ SN a 8 RR Lae SENN 2 SA RA ‏ا‎ AE RRL Sane Aan NON oa . he a lian ‏ا‎ ‏ا ا‎ asain NR NaS 8 ‏ا‎ SER RN NR No an 2 HEE . Tne Sh an NN Na oy UREN ANE Sear Seine RHR a. TRA Ln TERE al NR Sera aa Ra Ron oe 8 ‏ا‎ aa RR a AR RR RR 3 ; SRA DN Ne SR TNS 355 a SEA RR Nemo AN SHEEN . SEEN 8 Sa 3 ‏ا‎ 8 XN 3 HE es iy SERN NN RN LL NR Si ay RS aa Re an RN Ny SE ARS I RE YN NG Sa SEN Na ARAN Nae oan 0 8 ‏ا د‎ ARRAN RR Na SEAN RSS RD 8 CE 8 na ERR 8 ‏ل‎ LEANNA - EE oan ARR 8 RE 7 SER ED ER a Na ANN a SRE Nw 3 ay oe : Ree - NN a: A SE oN BR SARAR SAN Naa SE AE Na Sa Ne SHEE Na ‏ا‎ SRR No ER PRN RAR R NEES Na Nw SRE RN . aa es So TINEA RR Ne a wn . RR NN an ENE Nou Shan RN No a
    -. IN SRNR 5 Se SAN RRR 4 Sarton 8 Ro BRN Nh 35 SRE
    E . RR SE NN RK 8 Ns 8 ‏ل‎ N RR AR RTS E a aa 8 Lo DR aaa NaN 8 RRR SENN SRR . NN Rew Nh HR ENN NR Ra LL a Nha SY SRR RE eh EN TTA NN SER a NR LL RR AN 88 SRN
    Na . 8 Nh 2 Te SE AE SR SANE 3 AER SN TE SER a . NRE a ‏ل : ل‎ aa : TR . NN ‏ل‎ ‎2 a hE .. ANN 3 NaN Naa SNE SRR NS noua SR SRR . No XUN SRNR i FRA 8 Wad RRR Sa BOARS RAs ERATE 3 Shia RA a LL ; ae HR HE LL ARE RN 8 RA RA NER Na RR a | 5 ARN SORE Caan aa ae FEE RG SE [ ‏ا‎ REN of N 1 0 J (ARK
    -١86- ‏عاج‎ : pr I oI pg [ETT 3 ‏مغ‎ Ce : ‏7ج 7 ناعذج نا‎ ‏ا ااا الا 8 بج يرا‎ i ‏ال"‎ TTI ‏و‎ IA A ‏لدي ل‎ hal i = 4 by : ‏ب‎ + : k | 0 1 ‏ب‎ ~ ] Troe L 0:1 i y & + b 3 i
    Je. CF ve. : fi TA Cire om : Eo id : Yas ‏د‎ ٍ : 1 i ‏ب‎ wk : 1 % i H i 2 8 § : 8 1 i iH Pol ‏إٍْ‎ ‎Be : bo N La H 8 8 ‏و‎ HERG SU Pod ‏ل‎ 2 : : Hoa ‏ل‎ eRe adie reac i ‏الجا‎ WR ERNE TI ‏ل‎ ‏ج- ب‎ VE PE a FUER ga marl ‏ل اي ب وا‎ EUR ‏مام اواج جد لخاد‎ CRE ‏ارك‎ ‎1 } ay 1 Cf 0 ta OE "0 ‏ل‎ TRL BO ay ; N ) ‏ا‎ i i § " : 3 TE TET 2 ‏جا“‎ H ; 4 & ‏دا‎ i i : : i : i i : ‏ا‎ ٍْ : Lo : 0 ْ Co ; ْ ‏ااال‎ 0000 | 10 1000 : : ‏الممط ل‎ | | EO ; 2 : ! | ig ; : ; : fd : i i Lo ch : § 1 : ‏ا‎ : i Co : : Youd | | Lo dee | J ET : i . # i i 1 | 1 H ; by § : it i i ‏1ل‎ 10 1 ‏نل ل ال« ا ليك‎ Rng i Sid id i i 0" ‏لي ضف ا‎ IF UE ‏ليلا ااا ار‎ Lidl ih ‏ايت ل لت لايس‎ ‏ااا كارا مور لل حل ااا د اد حا ون لمات ا اد ل اد ل قا‎ TR ER Ta 1 85 gy \el \ 1 | _S : __ a 53 ‏ل لا‎ EA 1 FE ‏الج‎ ‎8 ‏رايا لاه حذاجه 1 .سيت‎ ٍْ a] ‏:راضخ لاجم 1 اليجنا‎ ‏اباك اردع .ب وات ا"‎ ! iin ‏ات اا اا‎ aa ‏بم > ا يجا‎ CO 0 ‏ا 0 8 93 ا‎ ‏نا ل‎ 0 i ‏أ‎ ‏ا‎ 1 ] ‏اتا‎ ‏ب ربب‎ [gS Ss 8 i Fai TTT i mr § ee § 8 : . i . 0 ‏رخ لبد 4ب ةا ص‎ 1 ‏ا ا ا‎ ‏دفو لطا‎ diel al ™ ¥ | 5 ِ ‏ب‎ ‎CARN
    -١8- 7 ٍ , ANAM mis : ‏ال ب ا ا‎ TT ٠٠ ER : - iy es ‏ل لال باج‎ OF Sy SET bY eat A X ‏أ‎ ‎1 ‏تتا ضفر‎ ٍ ' #4 an - TINT ‏بد‎ an 5 0 Tal ‏ك8 ً ع‎ ‏ب ف ةا اا‎ ً 3 0 > \ ٠ ‏له‎ EEUU UOC: ENO TUN ‏اسلمسسش‎ ‏أ 3+ <* 1 صغير‎ § ‏الطقة «قولط)‎ A A Ang 2 ١ 5 : ue ‏اا ا ام‎ ‏نإ 33# * = ةا ا‎ ‏اا وس ووو لجا ا انا‎ . Ee : : Sa = ‏ا‎ > Fo PMMA ‏تاف‎ ‎Eat) N Set er ge OW SRY RR 5 ‏القت اواو اورت اانا‎ .ٍ 24 RR ‏حيبت‎ 8 4 5 1 3 ‏دي ا 0 يحص‎ POEM ‏أ مير‎ EN, ‏نفل‎ PY 2 : - oA he. CREO ‏اا دام‎ E 1 2 - 8 ‏ابن‎ ARR 8 LR ‏دمر تيف ا ع‎ ‏ل حب 14 اع‎ 1 8 TR E ‏ا ءا‎ EE ‏الهجل‎ - - ٍ © ‏ا م‎ EE i. ad SE SRE J ‏خا لت ا‎ rs 4
    2. 0 ‏متتو نا ا‎ . 1 ‏ا‎ Ty, NI TT: ST I ae ei] ‏ونال لاني © الها ا‎ 3 da oe : SINE RPP Ch hd 8 ‏اذ ؟‎ Ty + ‏ل ا ا ل‎ 9 i 2 R ‏وهر ا § دي ف‎ To» £ 3 IE IE REC TO J: {de ¥ Wi) 2 3 oem ‏الومن‎ ‎ve ‏فشكا‎ ‎CARN
    1 الب ‎NH Phi‏ الب ورا * ‎i FO iy‏ ‎SE‏ 3 > ا ‎Ry :‏ ا ا الما ا اا ,5 وال ‎FRR‏ ‎Te =‏ الث 1 اما ‎JER Re‏ ‎an pe RRS Today 1‏ از 8 3 5 ‎po ERC Nd‏ > ‎mr FRIMA 1‏ جا مت 02 ٍ- ‎han 1‏ حا ل ا جب ‎Eons 0‏ 5 ل ل لير : ل مم اح م ‎Non ER‏ £3 أ ‎TAL ;‏ سا لصوام ا ‎Soe Ba WEE‏ ‎SRE TR 2 pa‏ أ ايخ ‎oN ho ok FN‏ 8 ] ‎o 4 £ OR > POEM‏ ‎[ian a.
    Be Bh MR LNs‏ ‎ER‏ ال يط * ‎١‏ ‏8 ا ‎i Wha Sah‏ § ‎pa RIN Sit‏ و ‎a.
    Ba CR Ted‏ جره ‎AT‏ اش :8 ‎Lid‏ ‎Rt 3‏ لك اادج 3 ‎Nha, Re‏ - ‎oe 5 ER BORE igs 4‏ افد 8# ‎i WR‏ 1 ‎ag =‏ الام اا ا" ‎BE ERE CORY We‏ رح ‎k= 3, EEN RE Lat JR‏ ‎pr Tadd 5 ha EN‏ بع ‎Po CRANE‏ ‎pe‏ المي حا أ ‎Ro‏ لمحت اذ | : ى ايت ا ايت ‎Be‏ »= ب 3 ما ا ا ل ال : 1 ال« 3 ‎I LL‏ ال ‎E NIE SNS‏ تسد لسالس لسك تحت ‎FEAR SSS SCOUT.
    J‏ . ‎Sa 4 ¥ & .‏ ‎Fas Ll 8‏ ‎ot [aS‏ ¥ ‎SER NET‏ ‎bik NES i I} |‏ ل من بعد الا اد ‎Phe $Y‏ أذ ‎i hed‏ #7 1 ‎il o { 4 8‏ \ بلا ا 3 1 ا امي اا ‎i AL EN‏ 1 مجنو دحج مجح سح جح جات ا ل 17 ا ل ااا 1 ل اا ‎RRR RTS AT LLL RE‏ ا ‎SOON A AR‏ حت 0 8 سف 8 ‎RR‏ دا لد و ان الس ‎oe‏ ع ب ل اا لي اا اميا ! ‎Sten. pS‏ ‎SIREN‏ ا ‎GTR TER TRAY Na WEEE RET‏ يا ‎Ee WRT NN.‏ ‎pas of : Sh ENN SAREE a Sand Senn CE en AE TE‏ بج 5 ‎TE‏ ‎Sei a Hwa ay Pita a He fo Ea‏ ل ل الم ل ا ا ل ا ‎SR EEN‏ ‎jE‏ 0 ا ا لاق جا اسمن ‎ER‏ ‎EOL NE u ee.‏ 2 : ا 5 ‎BES pi‏ ‎TRS‏ ا 1 ا ‎Ea Sa SEER a UR Ie‏ ‎aa‏ ا ا جا = برش ‎Se‏ ‎Ha EE Ee NT REE hn‏ ا ل ‎Cnn‏ 5 ا ل ‎HN Bl Leb .‏ ‎Na BEER ZR AID a RR AE ER na: NR a ae‏ : ‎aR‏ ا ل ‎XN‏ ل ‎RR‏ ‎NS Naa... SEs‏ بال ال اك اتات ال ‎NAS RAYE UE SSE aE 8‏ ا ل ‎a‏ 3 ا ‎aaa Na ahaa PN Naa‏ ‎BA SNE NNN AN Ro AEE AE RR ERS‏ ‎LL Ca Naa HN‏ ‎AR ee SEVEN RR RRteese es Ree RR A RNIN 8 8‏ ‎Re RRS aaa THR‏ ل ل ‎ZINN NN rR NEN Nees NE Naas‏ ‎N‏ ا ‎Renae ae RRR Te ORY‏ ‎RE a VO NS aa‏ ا ‎NN‏ ل ‎To‏ ‎aa RANGA Yaa 3 NR 8 RAS SIR RANE on RRR Na a RAR‏ ‎ses ERR NRE A AIA 8 AZ PAA RN EN ARRAS NRA NR‏ ‎BS ERE A TI SER ND RE RN NRE a RE Ve SONA‏ ‎RRR RR ht AR NR aa SER NY SS oy A‏ 88 ‎a LL ee NN‏ ‎ay‏ اس : ‎RENE‏ ا ا ا اا ا ل ل ‎REAL SENN‏ م 5 ‎RR‏ ا 0 ‎NE ee‏ اا جام © لانو جم 0 - - - | .»© ‎A‏ ‏ا ل ‎a‏ اا ل ا ا ا ا ل : ا ا ‎RRA BEE NE‏ أ تيت سس سس يي ‎ae‏ ل ل ا ا ا ‎EE J SE‏ ‎EEE HERE EN RE HE SE ARES SER‏ م ‎Re‏ . : ل ‎RRR‏ لج ا ا ‎A a a a‏ او اش ا( با 8 ‎CARN‏
    —\av- THe ks 3 diced ‏عاد‎ 2 ‏ا ا ال ا ا‎ : ‏اجا"‎ AG EW ‏لم72‎ J : 0 BL iy 8 0 1 ' oy ‏"م‎ 5 OH) ‏م‎ 0 = ‏اج‎ ha 4 bos Eo RG ‏ا‎ : = EE ‏لاا‎ ie : od ١ be 8 ‏محلا ون ب‎ 1 : ‏يا ايها ا اَي‎ 1 3 ~ . ‏اخ‎ : Xi } i ~ ‏لمسشاسلمسااسالمسنفس اسسالبمس السساتتسلسا احا‎ de Yo fas ee Ase Yeas ‏ال‎ 1 (Av #63 2 ‏من بعد‎ 3 EEE as A El 3 A Vv | 5 &
    مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب ‎TAT‏ الرياض 57؟؟١١‏ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: ‎patents @kacst.edu.sa‏
SA515360164A 2012-09-18 2015-03-18 جهاز إلكتروني بصري SA515360164B1 (ar)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB201216605A GB201216605D0 (en) 2012-09-18 2012-09-18 Optoelectronic device
GB201309409A GB201309409D0 (en) 2013-05-24 2013-05-24 Optoelectronic device
PCT/GB2013/052425 WO2014045021A1 (en) 2012-09-18 2013-09-17 Optoelectronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA515360164B1 true SA515360164B1 (ar) 2017-02-05

Family

ID=49237502

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA516371519A SA516371519B1 (ar) 2012-09-18 2015-03-18 جهاز إلكتروني بصري
SA515360164A SA515360164B1 (ar) 2012-09-18 2015-03-18 جهاز إلكتروني بصري

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA516371519A SA516371519B1 (ar) 2012-09-18 2015-03-18 جهاز إلكتروني بصري

Country Status (14)

Country Link
US (5) US10069025B2 (ar)
EP (5) EP2898553B1 (ar)
JP (5) JP6263186B2 (ar)
KR (5) KR102698732B1 (ar)
CN (3) CN104769736B (ar)
AU (3) AU2013319979B2 (ar)
BR (1) BR112015005926B1 (ar)
ES (4) ES2924644T5 (ar)
HU (1) HUE059781T2 (ar)
MY (1) MY170170A (ar)
PL (4) PL3413365T5 (ar)
SA (2) SA516371519B1 (ar)
WO (1) WO2014045021A1 (ar)
ZA (2) ZA201501707B (ar)

Families Citing this family (340)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013126385A1 (en) 2012-02-21 2013-08-29 Northwestern University Photoluminescent compounds
EP2850669B1 (en) 2012-05-18 2016-02-24 Isis Innovation Limited Photovoltaic device comprising perovskites
GB201208793D0 (en) 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
PL2850627T3 (pl) 2012-05-18 2016-10-31 Urządzenie optoelektroniczne zawierające porowaty materiał rusztowania oraz perowskity
AU2013319979B2 (en) 2012-09-18 2016-08-25 Oxford Photovoltaics Limited Optoelectronic device
JP6103183B2 (ja) * 2012-10-10 2017-03-29 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた電界発光素子
JP6099036B2 (ja) * 2012-10-17 2017-03-22 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた有機ｅｌ素子
AU2013365633B2 (en) * 2012-12-20 2017-07-27 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Perovskite schottky type solar cell
JP2014236045A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 積水化学工業株式会社 有機薄膜太陽電池
GB201310854D0 (en) * 2013-06-18 2013-07-31 Isis Innovation Photoactive layer production process
MX2016002767A (es) * 2013-09-04 2016-09-29 Dyesol Ltd Dispositivo fotovoltaico.
JP6304980B2 (ja) * 2013-09-10 2018-04-04 大阪瓦斯株式会社 ペロブスカイト系材料を用いた光電変換装置
EP3052470A1 (en) 2013-10-02 2016-08-10 Merck Patent GmbH Hole transport material
EP3058595A4 (en) * 2013-10-16 2017-03-08 Omnipv, Inc. Photovoltaic cells including halide materials
WO2015116297A2 (en) * 2013-11-12 2015-08-06 The Regents Of The University Of California Sequential processing with vapor treatment of thin films of organic-inorganic perovskite materials
US9416279B2 (en) 2013-11-26 2016-08-16 Hunt Energy Enterprises, L.L.C. Bi- and tri-layer interfacial layers in perovskite material devices
US9520512B2 (en) * 2013-11-26 2016-12-13 Hunt Energy Enterprises, L.L.C. Titanate interfacial layers in perovskite material devices
US9136408B2 (en) 2013-11-26 2015-09-15 Hunt Energy Enterprises, Llc Perovskite and other solar cell materials
US11180660B2 (en) 2013-11-26 2021-11-23 Cubic Perovskite Llc Mixed cation perovskite material devices
US9425396B2 (en) * 2013-11-26 2016-08-23 Hunt Energy Enterprises L.L.C. Perovskite material layer processing
PL3084854T3 (pl) 2013-12-17 2020-07-13 Oxford University Innovation Limited Urządzenie fotowoltaiczne zawierające perowskit halogenku metalu i środek pasywujący
CN106165137A (zh) * 2014-03-12 2016-11-23 阿克伦大学 超灵敏溶液处理的钙钛矿混合光电探测器
CN104979421B (zh) * 2014-04-11 2017-09-26 中国科学院大连化学物理研究所 一种叠层太阳能电池
US20170125171A1 (en) * 2014-04-23 2017-05-04 Lg Chem, Ltd. Organic-inorganic hybrid solar cell
WO2015164731A1 (en) * 2014-04-24 2015-10-29 Northwestern University Solar cells with perovskite-based light sensitization layers
EP3135633B1 (en) * 2014-04-28 2021-06-09 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Precursor for preparing perovskite, preparation method therefor, and perovskite solar cell, and manufacturing method therefor
TWI474992B (zh) * 2014-04-29 2015-03-01 Univ Nat Central 鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的製備方法
CN103956431B (zh) * 2014-04-30 2017-10-20 华南理工大学 一种溶液加工的有机‑无机平面异质结太阳电池及其制备
GB201407606D0 (en) * 2014-04-30 2014-06-11 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
CN106463625B (zh) * 2014-05-05 2019-04-26 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园 用于制造用于太阳能电池用途的钙钛矿膜的系统和方法
EP3595026A1 (en) 2014-05-28 2020-01-15 Alliance for Sustainable Energy, LLC Methods for producing and using perovskite materials and devices therefrom
GB2528831A (en) * 2014-06-05 2016-02-10 Univ Swansea Perovskite pigments for solar cells
US9564593B2 (en) * 2014-06-06 2017-02-07 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solar cells comprising 2d-perovskites
GB201410542D0 (en) * 2014-06-12 2014-07-30 Isis Innovation Heterojunction device
CN104051629B (zh) * 2014-06-28 2017-10-20 福州大学 一种基于喷涂工艺制备钙钛矿型太阳能电池的方法
US20160005987A1 (en) * 2014-07-01 2016-01-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. Planar Structure Solar Cell with Inorganic Hole Transporting Material
GB201412201D0 (en) * 2014-07-09 2014-08-20 Isis Innovation Two-step deposition process
EP2966703A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-13 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Template enhanced organic inorganic perovskite heterojunction photovoltaic device
US9349967B2 (en) 2014-07-16 2016-05-24 Industrial Technology Research Institute Solar cell and method for manufacturing the same
WO2016009450A2 (en) * 2014-07-17 2016-01-21 Indian Institute Of Technology Bombay Photonic devices by organo-metallic halides based perovskites material and its method of preparation
JP2016025170A (ja) * 2014-07-18 2016-02-08 学校法人桐蔭学園 有機無機ハイブリッド構造からなる光電変換素子
WO2016012274A1 (en) 2014-07-21 2016-01-28 Basf Se Organic-inorganic tandem solar cell
WO2016014845A1 (en) * 2014-07-23 2016-01-28 The University Of Akron Ultrasensitive solution-processed perovskite hybrid photodetectors
CN104124291B (zh) * 2014-07-24 2016-08-31 华中科技大学 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN104157786A (zh) * 2014-07-31 2014-11-19 清华大学 钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
US9305715B2 (en) 2014-08-01 2016-04-05 Hunt Energy Enterprises Llc Method of formulating perovskite solar cell materials
WO2016021112A1 (en) 2014-08-07 2016-02-11 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation System and method based on multi-source deposition for fabricating perovskite film
GB201414110D0 (en) * 2014-08-08 2014-09-24 Isis Innovation Thin film production
TWI527259B (zh) * 2014-08-13 2016-03-21 國立清華大學 鈣鈦礦太陽能電池的製造方法
KR101869212B1 (ko) 2014-08-21 2018-06-19 각코호진 오키나와가가쿠기쥬츠다이가쿠인 다이가쿠가쿠엔 페로브스카이트 필름 제작을 위한 저압 화학 증착에 기초한 시스템 및 방법
CN104201284B (zh) * 2014-08-29 2017-08-25 国家纳米科学中心 一种基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池及其制备方法
WO2016035832A1 (ja) * 2014-09-02 2016-03-10 国立大学法人東京大学 カーボンナノチューブ膜を有する透光性電極、太陽電池およびそれらの製造方法
CN104269452A (zh) * 2014-10-11 2015-01-07 中国科学院半导体研究所 硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法
JP2016082003A (ja) * 2014-10-14 2016-05-16 積水化学工業株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
US10916720B2 (en) 2014-10-21 2021-02-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic photoelectric conversion device and production method thereof
US10115918B2 (en) 2014-11-05 2018-10-30 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation Doping engineered hole transport layer for perovskite-based device
JP2016096277A (ja) * 2014-11-15 2016-05-26 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法
CN104409642B (zh) * 2014-11-21 2017-04-26 北京科技大学 一种钙钛矿/p型量子点复合结构太阳能电池的制备方法
BR122020016555B1 (pt) * 2014-11-21 2022-09-06 Hunt Perovskite Technologies, L.L.C. Método para produção de material de perovskita e material de perovskita
EP3249708A1 (en) * 2014-11-21 2017-11-29 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Pedot in perovskite solar cells
GB201421133D0 (en) 2014-11-28 2015-01-14 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
PL3227394T3 (pl) * 2014-12-03 2020-02-28 Saule Spółka Akcyjna Kompozycja powłokotwórcza oraz sposób wytwarzania powłoki fotoaktywnej
US10535791B2 (en) 2014-12-03 2020-01-14 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University 2-terminal metal halide semiconductor/C-silicon multijunction solar cell with tunnel junction
JP2016115880A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 積水化学工業株式会社 有機無機ハイブリッド太陽電池
JP2016119468A (ja) * 2014-12-17 2016-06-30 積水化学工業株式会社 有機無機ハイブリッド太陽電池
WO2016094966A1 (en) 2014-12-19 2016-06-23 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Process of forming a photoactive layer of an optoelectronic device
EP3238284B1 (en) * 2014-12-23 2021-10-06 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method of making an array of interconnected solar cells
NL2014097B1 (en) * 2015-01-08 2016-09-30 Univ Delft Tech Hole transport azomethine molecule.
WO2016117380A1 (ja) * 2015-01-22 2016-07-28 住友化学株式会社 光電変換素子およびその製造方法
CN107112420B (zh) 2015-01-29 2020-11-06 积水化学工业株式会社 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
EP3051600A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-03 Consejo Superior De Investigaciones Científicas Heterojunction device
JP2016149472A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法
US9997707B2 (en) * 2015-02-26 2018-06-12 Nanyang Technological University Perovskite thin films having large crystalline grains
US9701696B2 (en) 2015-02-27 2017-07-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods for producing single crystal mixed halide perovskites
JP6486719B2 (ja) * 2015-03-03 2019-03-20 株式会社東芝 光電変換素子の製造方法
US10693071B2 (en) * 2015-03-06 2020-06-23 The Regents Of The University Of California Efficient and stable perovskite solar cells with all solution processed metal oxide transporting layers
CN104733618A (zh) * 2015-03-06 2015-06-24 中国科学院大学 一种钙钛矿太阳电池吸收层的制备方法
JP6537850B2 (ja) * 2015-03-09 2019-07-03 大阪瓦斯株式会社 光電変換装置における光吸収層の形成方法
JP6339037B2 (ja) * 2015-03-18 2018-06-06 株式会社東芝 光電変換素子およびその製造方法
JP6486737B2 (ja) * 2015-03-19 2019-03-20 株式会社東芝 光電変換素子
JP6110993B2 (ja) * 2015-03-25 2017-04-05 積水化学工業株式会社 太陽電池
JP6554300B2 (ja) * 2015-03-27 2019-07-31 株式会社カネカ 光電変換装置の製造方法
CN107431135A (zh) * 2015-03-30 2017-12-01 住友化学株式会社 光电转换元件
WO2016157979A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社カネカ 光電変換装置および光電変換モジュール
JP6434847B2 (ja) * 2015-03-31 2018-12-05 株式会社東芝 光電変換素子の製造方法および製造装置
WO2016158838A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社カネカ 光電変換装置、光電変換装置の製造方法および光電変換モジュール
US10586659B2 (en) * 2015-04-06 2020-03-10 Board Of Trustees Of Northern Illinois University Perovskite photovoltaic device
US20180096796A1 (en) * 2015-04-20 2018-04-05 The Regents Of The University Of California Perovskite-based optoelectronic device employing non-doped small molecule hole transport materials
CN113257580A (zh) * 2015-05-13 2021-08-13 熙太阳能有限责任公司 在钙钛矿材料器件中的钛酸盐界面层
US10910569B2 (en) 2015-05-19 2021-02-02 Alliance For Sustainable Energy, Llc Organo-metal halide perovskites films and methods of making the same
CN104993059B (zh) * 2015-05-28 2017-11-10 中山大学 一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法
KR101693192B1 (ko) * 2015-05-29 2017-01-05 한국과학기술연구원 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법
WO2016200897A1 (en) * 2015-06-08 2016-12-15 The Florida State University Research Foundation, Inc. Single-layer light-emitting diodes using organometallic halide perovskite/ionic-conducting polymer composite
KR101654310B1 (ko) * 2015-06-09 2016-09-05 포항공과대학교 산학협력단 양극산화법을 이용한 전극 적층체의 제조방법, 및 그의 제조방법을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
JP6489950B2 (ja) * 2015-06-12 2019-03-27 シャープ株式会社 光電変換素子およびその製造方法
TR201904847T4 (tr) * 2015-06-12 2019-05-21 Oxford Photovoltaics Ltd Fotovoltai̇k ci̇haz
CN104934503B (zh) * 2015-06-12 2017-03-08 辽宁工业大学 一种钙钛矿太阳能电池光吸收层材料甲基胺溴化铅的制备方法
GB201510351D0 (en) * 2015-06-12 2015-07-29 Oxford Photovoltaics Ltd Method of depositioning a perovskite material
ES2977146T3 (es) * 2015-06-12 2024-08-19 Oxford Photovoltaics Ltd Dispositivo fotovoltaico multiunión
JP6419332B2 (ja) * 2015-06-26 2018-11-14 富士フイルム株式会社 光電変換素子、太陽電池、金属塩組成物および光電変換素子の製造方法
US10908318B2 (en) 2015-06-30 2021-02-02 Cambridge Enterprise Limited Luminescent device
JP6352223B2 (ja) * 2015-07-03 2018-07-04 国立大学法人京都大学 ペロブスカイト型太陽電池の製造方法
EP3741767A1 (en) * 2015-07-10 2020-11-25 Hunt Perovskite Technologies, L.L.C. Perovskite material layer processing
JP2017028028A (ja) * 2015-07-17 2017-02-02 積水化学工業株式会社 固体接合型光電変換素子および固体接合型光電変換素子用ｐ型半導体層
JP2017028027A (ja) * 2015-07-17 2017-02-02 積水化学工業株式会社 固体接合型光電変換素子および固体接合型光電変換素子用ｐ型半導体層
KR102323243B1 (ko) * 2015-07-22 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP6572039B2 (ja) * 2015-07-22 2019-09-04 積水化学工業株式会社 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法
JP2017028138A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 公立大学法人 滋賀県立大学 太陽電池およびその太陽電池の製造方法
JP6725221B2 (ja) * 2015-07-31 2020-07-15 積水化学工業株式会社 薄膜太陽電池
JP6725219B2 (ja) * 2015-07-31 2020-07-15 積水化学工業株式会社 太陽電池
WO2017022687A1 (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 積水化学工業株式会社 太陽電池
CN108026639A (zh) * 2015-08-20 2018-05-11 香港科技大学 有机-无机钙钛矿材料及其光电器件的近空间升华制备
CN105206749A (zh) * 2015-08-31 2015-12-30 中国电子科技集团公司第四十八研究所 钙钛矿太阳能电池及其制备工艺
KR101686342B1 (ko) * 2015-09-01 2016-12-14 연세대학교 산학협력단 반투명 페로브스카이트 태양전지 및 제조 방법
US9911935B2 (en) * 2015-09-04 2018-03-06 International Business Machines Corporation Transparent conducting oxide as top-electrode in perovskite solar cell by non-sputtering process
KR20170029370A (ko) 2015-09-07 2017-03-15 주식회사 레이언스 X선 디텍터
KR101629729B1 (ko) * 2015-09-07 2016-06-13 한국기계연구원 페로브스카이트 태양전지
WO2017043871A1 (ko) * 2015-09-07 2017-03-16 주식회사 레이언스 X선 디텍터
JP6382781B2 (ja) * 2015-09-15 2018-08-29 株式会社東芝 半導体素子の製造方法および製造装置
JP2017059647A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 株式会社東芝 光電変換素子および太陽電池
JP2017059651A (ja) 2015-09-16 2017-03-23 株式会社東芝 光電変換材料分散液とその製造方法、光電変換膜の製造方法と製造装置、および光電変換素子
CN108028263B (zh) * 2015-09-17 2022-10-21 皇家飞利浦有限公司 用于制造辐射探测器的方法和辐射探测器
EP3358637A4 (en) 2015-09-30 2019-06-19 Kaneka Corporation PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE WITH SEVERAL TRANSITIONS AND PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE
JP6552368B2 (ja) * 2015-10-02 2019-07-31 住友化学株式会社 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
US10476017B2 (en) 2015-10-11 2019-11-12 Northwestern University Phase-pure, two-dimensional, multilayered perovskites for optoelectronic applications
CN105374941B (zh) * 2015-10-13 2018-06-12 上海科技大学 一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法
EP3365921A4 (en) 2015-10-22 2019-07-10 The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University SOLAR CELL WITH AN OXID NANOPARTICLE BUFFER LAYER AND METHOD OF PREPARING THEREOF
CN106676476B (zh) * 2015-11-11 2019-10-25 清华大学 真空蒸镀方法
CN106676475B (zh) * 2015-11-11 2019-09-03 清华大学 真空蒸镀装置
CN106676474B (zh) * 2015-11-11 2019-09-13 清华大学 真空蒸镀方法
EP3168877B1 (en) 2015-11-13 2022-06-22 SCEYE Inc A wire shaped coaxial photovoltaic solar cell
CN105226187B (zh) * 2015-11-15 2018-01-30 河北工业大学 薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法
CN105449103B (zh) * 2015-11-15 2018-06-22 河北工业大学 一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法
CN105428535A (zh) * 2015-11-15 2016-03-23 河北工业大学 薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法
CN105244442A (zh) * 2015-11-15 2016-01-13 河北工业大学 一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法
CN105405974A (zh) * 2015-11-17 2016-03-16 华中科技大学 一种p型掺杂的钙钛矿光电功能材料及其应用
DE102015015017A1 (de) * 2015-11-19 2017-05-24 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit mehreren durch ladungsträgerselektive Kontakte miteinander verbundenen Absorbern
CN105470400B (zh) * 2015-11-19 2018-06-22 华北电力大学 一种钙钛矿膜的制备方法和应用
WO2017087611A1 (en) 2015-11-20 2017-05-26 Alliance For Sustainable Energy, Llc Multi-layered perovskites, devices, and methods of making the same
KR101853342B1 (ko) * 2015-11-25 2018-04-30 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법
GB201520972D0 (en) * 2015-11-27 2016-01-13 Isis Innovation Mixed cation perovskite
KR102651543B1 (ko) * 2015-12-10 2024-03-28 삼성전자주식회사 광 전자 장치와 이를 포함하는 스마트 윈도우
PL3182466T3 (pl) 2015-12-14 2020-11-02 Oxford Photovoltaics Limited Hermetyzacja modułu fotowoltaicznego
CN106910830A (zh) * 2015-12-23 2017-06-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP6431513B2 (ja) * 2015-12-24 2018-11-28 旭化成株式会社 組成物
US10622161B2 (en) 2016-01-06 2020-04-14 Nutech Ventures Narrow band perovskite single crystal photodetectors with tunable spectral response
CN108417720B (zh) * 2016-01-26 2020-03-27 南京工业大学 一种钙钛矿材料
US10714688B2 (en) 2016-02-25 2020-07-14 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Methods for forming a perovskite solar cell
US10937978B2 (en) * 2016-02-25 2021-03-02 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Methods for forming a perovskite solar cell
CN105742507B (zh) * 2016-02-29 2018-02-13 上海科技大学 具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法
CN105655443A (zh) * 2016-02-29 2016-06-08 苏州大学 一种基于光致场诱导效应增强太阳能电池效率的方法
GB201604050D0 (en) * 2016-03-09 2016-04-20 Isis Innovation A/M/X material production process with alkylamine
JP6722007B2 (ja) * 2016-03-14 2020-07-15 株式会社カネカ 積層型光電変換装置およびその製造方法
WO2017160955A1 (en) 2016-03-15 2017-09-21 Nutech Ventures Insulating tunneling contact for efficient and stable perovskite solar cells
CN105826476B (zh) * 2016-03-17 2018-07-31 华北电力大学 一种基于复合空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法
EP3223323A1 (en) * 2016-03-24 2017-09-27 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) High efficiency large area perovskite solar cells and process for producing the same
WO2017158551A2 (en) * 2016-03-18 2017-09-21 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) High efficiency large area perovskite solar cells and process for producing the same
WO2017165434A1 (en) 2016-03-21 2017-09-28 Nutech Ventures Sensitive x-ray and gamma-ray detectors including perovskite single crystals
EP3442037B1 (en) * 2016-04-07 2021-02-24 Kaneka Corporation Method for manufacturing multijunction photoelectric conversion device
US20170330693A1 (en) * 2016-05-11 2017-11-16 Board Of Trustees Of Michigan State University Interlayer Additives For Highly Efficient And Hysteresis-Free Perovskite-Based Photovoltaic Devices
CN105789449B (zh) * 2016-05-12 2019-07-26 西安穿越光电科技有限公司 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN105826473B (zh) * 2016-05-12 2019-06-21 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
US10892106B2 (en) 2016-05-13 2021-01-12 University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education Highly stable electronic device employing hydrophobic composite coating layer
US10453988B2 (en) * 2016-06-03 2019-10-22 University Of Utah Research Foundation Methods for creating cadmium telluride (CdTe) and related alloy film
CN105957975A (zh) * 2016-06-13 2016-09-21 云南大学 高效率串联oled器件
WO2018005749A1 (en) * 2016-06-29 2018-01-04 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods for making perovskite solar cells having improved hole-transport layers
JP6708493B2 (ja) * 2016-06-30 2020-06-10 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
TWI626768B (zh) * 2016-08-01 2018-06-11 國立成功大學 發光二極體及其製造方法
CN106229411A (zh) * 2016-08-02 2016-12-14 天津工业大学 一种背光基底的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN106252513A (zh) * 2016-08-02 2016-12-21 天津工业大学 基于绒面光管理结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法
JP6297242B1 (ja) * 2016-08-04 2018-03-20 花王株式会社 光吸収層、光電変換素子、分散液、光電変換素子、及び、太陽電池、並びに、光吸収層の製造方法
CN109699193A (zh) * 2016-08-05 2019-04-30 维深半导体公司 光电探测器和制造方法
CN108026445B (zh) * 2016-08-11 2022-06-21 凡泰姆股份公司 发光晶体和其制造
US20190214581A1 (en) 2016-08-22 2019-07-11 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
JP6843719B2 (ja) * 2016-09-06 2021-03-17 旭化成株式会社 有機無機金属化合物
CN106282922A (zh) * 2016-09-07 2017-01-04 中国工程物理研究院材料研究所 一种共蒸发制备无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的方法
US11296244B2 (en) 2016-09-20 2022-04-05 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solar cell comprising a metal-oxide buffer layer and method of fabrication
CN106252516B (zh) * 2016-09-20 2019-05-14 华南理工大学 一种平面倒置半透明有机/无机杂化钙钛矿太阳电池器件及制备方法
CN109661733A (zh) * 2016-09-21 2019-04-19 积水化学工业株式会社 太阳能电池
JP6530360B2 (ja) 2016-09-23 2019-06-12 株式会社東芝 光電変換素子
US10825996B2 (en) * 2016-09-27 2020-11-03 Massachusetts Institute Of Technology Tunable light emitting diodes utilizing quantum-confined layered perovskite emitters
KR102629585B1 (ko) * 2016-10-04 2024-01-25 삼성전자주식회사 광전 변환 소자 및 이를 포함하는 촬상 장치
US10991893B2 (en) 2016-10-05 2021-04-27 Raynergy Tek Incorporation Organic semiconducting compounds
EP3306690B1 (en) 2016-10-05 2022-09-07 Raynergy Tek Inc. Organic semiconducting compounds
EP3523836B1 (en) 2016-10-05 2024-09-11 Raynergy Tek Inc. Organic semiconducting compounds
WO2018068102A1 (en) * 2016-10-13 2018-04-19 Newsouth Innovations Pty Limited A photovoltaic cell and a method of forming a photovoltaic cell
GB2554908A (en) * 2016-10-13 2018-04-18 Univ Of Kent Photovoltaically active perovskite materials
EP3526818B1 (en) * 2016-10-14 2021-08-18 Alliance for Sustainable Energy, LLC Oriented perovskite crystals and methods of making the same
CN106549106A (zh) * 2016-10-21 2017-03-29 中国科学院上海应用物理研究所 一种基于层状钙钛矿结构材料的薄膜太阳能电池及其制备方法
WO2018078080A1 (en) 2016-10-31 2018-05-03 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
WO2018086114A1 (en) * 2016-11-14 2018-05-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Quantum dots light emitting diode and fabricating method thereof, display panel and display apparatus
EP3331029B1 (en) * 2016-12-02 2021-09-01 LG Electronics Inc. Tandem solar cell and method of manufacturing the same
EP3333170B1 (en) 2016-12-06 2020-04-29 Merck Patent GmbH Asymmetrical polycyclic compounds for use in organic semiconductors
CN106653927B (zh) * 2016-12-23 2018-01-02 济南大学 一种基于Cs2SnI6＆CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法
CN109478598A (zh) * 2016-12-28 2019-03-15 松下知识产权经营株式会社 太阳能电池、光吸收层以及光吸收层的形成方法
CN108305949A (zh) * 2017-01-11 2018-07-20 南京工业大学 一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法及其应用和器件
JP2018117008A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 積水化学工業株式会社 固体接合型光電変換素子および固体接合型光電変換素子用のｐ型半導体層
KR102732516B1 (ko) * 2017-02-02 2024-11-20 삼성전자주식회사 광 필터 및 이를 포함하는 광 분광기
GB2559800B (en) * 2017-02-20 2019-06-12 Oxford Photovoltaics Ltd Multijunction photovoltaic device
US10457148B2 (en) 2017-02-24 2019-10-29 Epic Battery Inc. Solar car
JP6378383B1 (ja) 2017-03-07 2018-08-22 株式会社東芝 半導体素子およびその製造方法
JP7116075B2 (ja) 2017-03-09 2022-08-09 レイナジー テック インコーポレイション 有機半導体化合物
CN106684247A (zh) * 2017-03-15 2017-05-17 中南大学 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107425122B (zh) * 2017-03-20 2019-08-16 中节能万润股份有限公司 一种掺杂型钙钛矿太阳能电池及其制备方法
US11271123B2 (en) 2017-03-27 2022-03-08 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Alloyed halide double perovskites as solar-cell absorbers
WO2018187384A1 (en) 2017-04-03 2018-10-11 Epic Battery Inc. Modular solar battery
US12046425B2 (en) 2017-04-14 2024-07-23 Cubicpv Inc. Photovoltaic device encapsulation
GB201706285D0 (en) 2017-04-20 2017-06-07 Univ Oxford Innovation Ltd Semiconductor device comprising halometallate
EP3401305A1 (en) 2017-05-12 2018-11-14 Dottikon Es Holding Ag Indane derivatives and their use in organic electronics
TWI774767B (zh) 2017-05-12 2022-08-21 瑞士商多蒂孔股份有限公司 茚烷衍生物及其在有機電子產品的用途
KR101895166B1 (ko) * 2017-05-19 2018-10-18 울산과학기술원 무납 페로브스카이트 기반 홀전도체 조성물, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
WO2018213658A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-22 Florida State University Research Foundation, Inc. Halide perovskite thin films and methods of production thereof
KR102457927B1 (ko) * 2017-05-29 2022-10-25 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 페로브스카이트 실리콘 텐덤 태양전지의 제조 방법
JP7113254B2 (ja) 2017-07-20 2022-08-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光吸収材料及びそれを用いた太陽電池
WO2019030382A1 (en) 2017-08-11 2019-02-14 Merck Patent Gmbh ORGANIC SEMICONDUCTOR POLYMER
EP3676885A1 (en) * 2017-09-01 2020-07-08 King Abdullah University Of Science And Technology Methods and apparatuses for fabricating perovskite-based devices on cost-effective flexible conductive substrates
WO2019052935A1 (en) 2017-09-13 2019-03-21 Merck Patent Gmbh ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOUNDS
KR102380360B1 (ko) 2017-09-28 2022-03-29 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치
US11249203B2 (en) 2017-09-29 2022-02-15 Northwestern University Thick alkali metal halide perovskite films for low dose flat panel x-ray imagers
CN107742661A (zh) * 2017-10-19 2018-02-27 辽宁科技大学 用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法
EP3474339B1 (en) * 2017-10-20 2024-11-06 Siemens Healthineers AG X-ray image sensor with adhesion promotive interlayer and soft-sintered perovskite active layer
KR102093718B1 (ko) * 2017-10-27 2020-03-26 이화여자대학교 산학협력단 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는 광 검출기
CN111315796B (zh) 2017-11-02 2023-11-24 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
CN107749432A (zh) * 2017-11-06 2018-03-02 成都中建材光电材料有限公司 一种CdTe薄膜太阳能电池及其制作方法
US12101992B2 (en) 2017-11-10 2024-09-24 Raynergy Tek Incorporation Organic semiconducting compounds
CN107768522A (zh) * 2017-11-29 2018-03-06 湖南师范大学 一种以石墨烯作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法
CN107871820A (zh) * 2017-12-11 2018-04-03 湖南师范大学 一种以硫化镉作为窗口材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法
GB201721066D0 (en) * 2017-12-15 2018-01-31 Oxford Photovoltaics Ltd Multi-function photovoltaic device
CN108023019B (zh) * 2017-12-19 2024-01-02 北京大学深圳研究生院 一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法
CN108230908A (zh) * 2018-01-03 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2019154973A1 (en) 2018-02-12 2019-08-15 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
CN108376745B (zh) * 2018-03-01 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板
KR102584087B1 (ko) * 2018-03-19 2023-10-04 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 텐덤 태양전지의 제조 방법
WO2019185578A1 (en) 2018-03-28 2019-10-03 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
US12532662B2 (en) 2018-03-28 2026-01-20 Raynergy Tek Incorporation Organic semiconducting compounds
CN108493341A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 苏州大学 以五氧化二钽作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备
WO2019210263A1 (en) * 2018-04-26 2019-10-31 California Institute Of Technology Multi-junction photovoltaic cell having wide bandgap oxide conductor between subcells and method of making same
WO2019206926A1 (en) 2018-04-27 2019-10-31 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting polymers
CN108649124B (zh) * 2018-05-23 2020-03-17 中南大学 一种高效率无机钙钛矿太阳电池及其制备方法
US12165815B2 (en) 2018-06-07 2024-12-10 The Governing Council Of The University Of Toronto Doped metal halide perovskites with improved stability and solar cells comprising same
CN108816641B (zh) * 2018-06-30 2024-05-14 浙江浙能科技环保集团股份有限公司 一种钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸光层的涂布工艺及装置
CN108855775A (zh) * 2018-06-30 2018-11-23 浙江浙能技术研究院有限公司 一种钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸光层的涂布工艺及装置
JP7304517B2 (ja) * 2018-07-10 2023-07-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池
GB201811537D0 (en) 2018-07-13 2018-08-29 Univ Oxford Innovation Ltd Turnable blue emitting lead halide perovskites
GB201811539D0 (en) 2018-07-13 2018-08-29 Univ Oxford Innovation Ltd Fabrication process for a/m/x materials
US12193317B2 (en) 2018-07-13 2025-01-07 Flexenable Technology Limited Organic semiconducting compounds
GB201811538D0 (en) 2018-07-13 2018-08-29 Univ Oxford Innovation Ltd Stabilised a/m/x materials
EP3824492A4 (en) 2018-07-18 2022-04-20 Massachusetts Institute of Technology Alternating multi-source vapor transport deposition
DE102018212305A1 (de) 2018-07-24 2020-01-30 Siemens Aktiengesellschaft Metallorganische Perowskit-Solarzelle, Tandem-Solarzelle sowie Herstellungsverfahren dazu
DE102018212304A1 (de) 2018-07-24 2020-01-30 Siemens Aktiengesellschaft Metallorganische Perowskit-Solarzelle, Tandem-Solarzelle sowie Herstellungsverfahren dazu
CN112955456A (zh) 2018-09-06 2021-06-11 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
US20200082995A1 (en) * 2018-09-06 2020-03-12 Ascent Solar Technologies, Inc. Chalcopyrite-perovskite pn-junction thin-film photovoltaic device
CN109346611B (zh) * 2018-09-26 2022-04-08 杭州电子科技大学 一种光探测器原型器件的制备方法
WO2020081412A1 (en) 2018-10-15 2020-04-23 Northwestern University Two-dimensional perovskites for stable and efficient photovoltaic cells
EP3650438A1 (en) 2018-11-09 2020-05-13 Dottikon Es Holding Ag Di-, tri- and tetraphenylindane derivatives and their use in organic electronics
US10907050B2 (en) 2018-11-21 2021-02-02 Hee Solar, L.L.C. Nickel oxide sol-gel ink
EP3896751A4 (en) * 2018-12-12 2022-03-09 JFE Steel Corporation METHOD OF MAKING A LAMINATE AND METHOD OF MAKING A PEROVSKITE SOLAR CELL
GB201820427D0 (en) * 2018-12-14 2019-01-30 Univ Oxford Innovation Ltd Device interlayer
ES2947010T3 (es) * 2018-12-20 2023-07-31 Totalenergies Onetech Unidad de generación solar en tándem de tres terminales
CN109904317A (zh) * 2018-12-27 2019-06-18 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种钙钛矿层的制备方法、应用及装置
FI130068B (en) * 2018-12-31 2023-01-31 Aalto Univ Foundation Sr Double-sided solar cell unit
US20220108847A1 (en) * 2019-01-30 2022-04-07 Nutech Ventures Conversion of halide perovskite surfaces to insoluble, wide-bandgap lead oxysalts for enhanced solar cell stability
CN109817731B (zh) * 2019-02-02 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种光电二极管及其制作方法、电子设备
WO2020161052A1 (en) 2019-02-06 2020-08-13 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting polymers
JP2019071496A (ja) * 2019-02-12 2019-05-09 株式会社東芝 光電変換素子とその製造方法
WO2020178298A1 (en) 2019-03-07 2020-09-10 Raynergy Tek Inc. Organic semiconducting composition
WO2020196288A1 (ja) 2019-03-22 2020-10-01 株式会社カネカ 太陽電池モジュール
PL429454A1 (pl) * 2019-04-02 2020-10-05 Saule Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób otrzymywania jodków organicznych, kompozycja perowskitotwórcza z jodkiem organicznym otrzymanym tym sposobem oraz ogniwo fotowoltaiczne z warstwą perowskitową wytworzoną z tej kompozycji
CN110010724B (zh) * 2019-04-03 2020-10-27 西安交通大学 一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法
IT201900005114A1 (it) 2019-04-04 2020-10-04 Carlo Aldo Di Doping con materiali 2D di dispositivi multi-giunzione fotovoltaici che includono un assorbitore con struttura a perovskite
KR102182388B1 (ko) * 2019-05-14 2020-11-24 한국화학연구원 와이드 밴드갭을 갖는 페로브스카이트 화합물 막의 후처리 방법
GB2583965A (en) * 2019-05-16 2020-11-18 Oxford Photovoltaics Ltd Photovoltaic device
JP2022537682A (ja) * 2019-06-12 2022-08-29 モウシ アスオ，アイヴィ ドープされた混合されたカチオンのペロブスカイト材料およびそれを利用したデバイス
RU2712151C1 (ru) * 2019-06-19 2020-01-24 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ получения полупроводниковой пленки на основе органо-неорганических комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой
CN110323303B (zh) * 2019-07-09 2021-05-11 北京镓族科技有限公司 一种Ga2O3-CuSCN核壳异质结日盲紫外探测器及其制备方法
EP3764406A1 (en) 2019-07-11 2021-01-13 Oxford Photovoltaics Limited Multi-junction photovoltaic device
US10608137B1 (en) * 2019-07-17 2020-03-31 Alfaisal University Method of making a perovskite solar cell using a nanocomposite
US11489082B2 (en) 2019-07-30 2022-11-01 Epic Battery Inc. Durable solar panels
US20220277902A1 (en) * 2019-07-31 2022-09-01 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma Dichalcogenide composite electrode and solar cell and uses
WO2021030491A1 (en) 2019-08-12 2021-02-18 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Perovskite/silicon tandem photovoltaic device
TWI690099B (zh) * 2019-08-23 2020-04-01 台灣中油股份有限公司 鈣鈦礦太陽能電池模組的製造方法及鈣鈦礦太陽能電池模組
US20210159022A1 (en) * 2019-11-26 2021-05-27 Hunt Perovskite Technologies, L.L.C. 2d perovskite tandem photovoltaic devices
KR102284040B1 (ko) * 2019-11-28 2021-07-29 광운대학교 산학협력단 이종접합 실리콘 태양전지 및 이를 제조하는 방법
JP7661674B2 (ja) 2019-12-03 2025-04-15 味の素株式会社 電子デバイスおよびペロブスカイト型太陽電池
KR102534569B1 (ko) * 2019-12-30 2023-05-22 한국전자통신연구원 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질 및 이의 제조방법
CN111370998A (zh) * 2020-01-06 2020-07-03 武汉大学 利用飞秒激光制备钙钛矿阵列微型谐振腔激光器的方法
CN111211228A (zh) * 2020-01-14 2020-05-29 天津大学 一种宽光谱探测器以及制备方法
US12112897B2 (en) 2020-02-19 2024-10-08 First Solar, Inc. Methods for perovskite device processing by vapor transport deposition
CN111293131B (zh) * 2020-02-20 2021-06-04 中国科学院深圳先进技术研究院 X射线探测器及其制备方法
JP7623714B2 (ja) * 2020-03-09 2025-01-29 株式会社エネコートテクノロジーズ 高純度化スズ含有ペロブスカイト半導体材料
WO2021187341A1 (ja) 2020-03-19 2021-09-23 キヤノン株式会社 光電変換素子、該光電変換素子を有する光電変換装置
KR102888697B1 (ko) * 2020-05-15 2025-11-19 주식회사 엘지화학 기둥형태 페로브스카이트의 제조 방법
CN111446385B (zh) * 2020-05-21 2022-05-17 中国科学技术大学 一种基于气刀和刮涂工艺制备钙钛矿发光二极管的方法
CN111628084A (zh) * 2020-05-28 2020-09-04 华中科技大学 一种钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法
CN111710780B (zh) * 2020-06-18 2022-03-01 西北工业大学 阴极原位修饰的无电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法
JP7662130B2 (ja) 2020-06-18 2025-04-15 オックスフォード フォトボルテイクス リミテッド 金属酸窒化物層を有する多接合型光起電デバイス
CN111883664B (zh) * 2020-06-30 2022-09-23 西安理工大学 一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法
CN111834487B (zh) * 2020-07-24 2022-06-03 西安电子科技大学 全无机钙钛矿纳米线自供能-短波光电探测器及制备方法
WO2022030888A1 (ko) * 2020-08-07 2022-02-10 주성엔지니어링(주) 페로브스카이트 화합물의 박막 형성 방법 및 그를 이용한 태양전지의 제조 방법
CN112151636B (zh) * 2020-08-21 2022-07-15 隆基绿能科技股份有限公司 硅基异质结太阳电池及其制备方法
WO2022066707A1 (en) * 2020-09-22 2022-03-31 Caelux Corporation Methods and devices for integrated tandem solar module fabrication
WO2022081461A1 (en) * 2020-10-12 2022-04-21 The Trustees Of Princeton University Uv-absorbing transparent perovskite
KR102496956B1 (ko) 2020-10-28 2023-02-06 포항공과대학교 산학협력단 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
US12147888B2 (en) 2020-11-12 2024-11-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Neural computer including image sensor capable of controlling photocurrent
CN112349849B (zh) * 2020-11-13 2023-06-23 新余学院 一种快速蒸镀钙钛矿太阳电池电极的方法及其器件制备
KR20220077980A (ko) 2020-12-02 2022-06-10 한화솔루션 주식회사 높은 효율을 갖는 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법
CN112242491B (zh) * 2020-12-18 2021-03-09 河南工学院 一种无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法
FR3118297B1 (fr) * 2020-12-18 2025-03-21 Commissariat Energie Atomique Structure simplifiee de cellules solaires tandem a deux terminaux
KR102647777B1 (ko) * 2020-12-24 2024-03-13 한화솔루션 주식회사 페로브스카이트 광전 변환 소자 제조방법, 이를 통해 제조된 페로브스카이트광전변환 소자, 및 이를 포함하는 태양전지
CN112736161B (zh) * 2020-12-30 2022-04-26 中山大学 一种具有循环类量子阱结构的铜锌锡硫基薄膜前驱体及其制备方法
CN115101602B (zh) * 2021-03-03 2023-09-01 隆基绿能科技股份有限公司 一种太阳能电池及光伏组件
CN113066889B (zh) * 2021-03-15 2022-12-06 中国科学院半导体研究所 基于硅基PIN探测器的n-p-i-n光电三极管及其制备方法
EP4068363B1 (en) 2021-03-30 2023-06-07 Siemens Healthcare GmbH Radiation detector with butted absorber tiles without dead areas
KR102729439B1 (ko) * 2021-04-07 2024-11-14 한화솔루션 주식회사 페로브스카이트 태양 전지 및 이를 포함하는 탠덤 태양 전지
KR102792265B1 (ko) * 2021-04-12 2025-04-09 주성엔지니어링(주) 태양 전지 및 그 제조 방법
GB202114040D0 (en) 2021-09-30 2021-11-17 Oxford Photovoltaics Ltd Perovskite materials and their use in photocoltaic devices
EP4426679A1 (en) 2021-11-04 2024-09-11 Dottikon Es Holding Ag Spiro-(indane-fluorene) type compounds and their use in organic electronics
EP4180845A1 (en) 2021-11-11 2023-05-17 Siemens Healthcare GmbH Radiation detector with laser cut absorber tiles
US12317741B2 (en) * 2021-11-12 2025-05-27 Kaunas University Of Technology Photovoltaic devices containing cyclobutane-based hole transporting materials
US20250212674A1 (en) 2022-03-11 2025-06-26 Oxford Photovoltaics Limited Process for making multicomponent perovskites
GB202203452D0 (en) 2022-03-11 2022-04-27 Oxford Photovoltaics Ltd Sequential deposition of perovskites
CN114695669A (zh) * 2022-03-24 2022-07-01 江苏科技大学 引入pmma插层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN119836039A (zh) * 2022-03-25 2025-04-15 安徽华晟新能源科技股份有限公司 一种异质结电池及其制备方法
TWI825657B (zh) * 2022-04-07 2023-12-11 中華學校財團法人中華科技大學 鈣鈦礦平面太陽能電池製作方法
US20250354061A1 (en) * 2022-06-06 2025-11-20 New York University Lead-free ytterbium-doped double perovskite thin films
WO2023247416A1 (en) 2022-06-21 2023-12-28 Dottikon Es Holding Ag Tetraarylbenzidine type compounds and their use in organic electronics
IL297568B2 (en) * 2022-10-23 2024-06-01 Green Capsula Solution Ltd Optically Concentrated Thermally Stabilized Photovoltaic System And Method
KR102736960B1 (ko) * 2022-12-30 2024-12-03 영남대학교 산학협력단 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법
CN116056471A (zh) * 2023-02-16 2023-05-02 四川大学 一种硫属化合物/钙钛矿薄膜双异质结太阳电池
KR102921202B1 (ko) * 2023-05-04 2026-01-30 명지대학교 산학협력단 다공성 나노복합체, 이를 이용한 광전 시냅틱 소자 및 광전 시냅틱 소자를 제조하는 방법
KR20250033541A (ko) * 2023-08-31 2025-03-10 한화솔루션 주식회사 탠덤 태양전지
WO2025047718A1 (ja) * 2023-08-31 2025-03-06 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法
US20250133947A1 (en) * 2023-10-18 2025-04-24 Georgia Tech Research Corporation Thermal Evaporation-Growth of Halide Perovskites Through Phosphonic Acid Addition
KR102749964B1 (ko) * 2023-10-26 2025-01-03 인천대학교 산학협력단 비정질상을 갖는 광검출기용 필름의 제조방법, 이에 의해 제조된 광검출기용 필름 및 이를 포함하는 광검출기 소자
CN117794259A (zh) * 2023-11-27 2024-03-29 南京航空航天大学 一种3d/2d混合钙钛矿太阳能电池及其制备方法
US20250255082A1 (en) * 2024-02-05 2025-08-07 Swift Solar Inc. Strong Oxide Transport Layer with Clusters and Gap Fill Layer
US12588349B2 (en) * 2024-04-26 2026-03-24 Brite Hellas Sa All-printed bifacial carbon-based perovskite solar module with tailorable optoelectrical characteristics made under ambient air
WO2025249421A1 (ja) * 2024-05-30 2025-12-04 京セラ株式会社 太陽電池モジュール
JP2026070333A (ja) 2024-10-15 2026-04-27 トヨタ自動車株式会社 太陽電池の製造方法及びペロブスカイト化合物の前駆体溶液
KR102836034B1 (ko) * 2025-03-18 2025-07-17 국립군산대학교산학협력단 할라이드 페로브스카이트 박막을 이용한 상보성 반도체 소자

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3323324B2 (ja) 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
EP0895512B1 (de) 1996-04-26 1999-10-20 Forschungszentrum Jülich Gmbh Pin-schichtenfolge auf einem perowskiten
US5721634A (en) 1996-10-09 1998-02-24 Boeing North American, Inc. Cesium-germanium halide salts forming nonlinear optical crystals
US5882548A (en) 1997-05-08 1999-03-16 International Business Machines Corporation Luminescent organic-inorganic perovskites with a divalent rare earth metal halide framework
JP3693468B2 (ja) 1997-07-23 2005-09-07 シャープ株式会社 半導体発光素子
US5871579A (en) 1997-09-25 1999-02-16 International Business Machines Corporation Two-step dipping technique for the preparation of organic-inorganic perovskite thin films
US6027666A (en) 1998-06-05 2000-02-22 The Governing Council Of The University Of Toronto Fast luminescent silicon
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6420056B1 (en) 1999-07-08 2002-07-16 International Business Machines Corporation Electroluminescent device with dye-containing organic-inorganic hybrid materials as an emitting layer
US6150536A (en) 1999-07-08 2000-11-21 International Business Machines Corporation Dye doped organic-inorganic hybrid materials
EP1075005B1 (en) * 1999-08-04 2006-04-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electrolyte composition, and photo-electro-chemical cell
EP1087412B1 (en) 1999-09-24 2008-10-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrolyte composition, photosensitized solar cell using said electrolyte composition, and method of manufacturing photosensitized solar cell
JP2001148491A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Fuji Xerox Co Ltd 光電変換素子
JP3505568B2 (ja) 1999-11-29 2004-03-08 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽電池の光吸収層形成用材料
US6429318B1 (en) * 2000-02-07 2002-08-06 International Business Machines Corporaiton Layered organic-inorganic perovskites having metal-deficient inorganic frameworks
US20050268962A1 (en) * 2000-04-27 2005-12-08 Russell Gaudiana Flexible Photovoltaic cells, systems and methods
JP3542077B2 (ja) 2000-09-08 2004-07-14 独立行政法人 科学技術振興機構 有機アンモニウム・無機層状ペロブスカイト化合物とその製造方法
JP4278080B2 (ja) 2000-09-27 2009-06-10 富士フイルム株式会社 高感度受光素子及びイメージセンサー
US6599447B2 (en) * 2000-11-29 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Zirconium-doped BST materials and MOCVD process forming same
JP2002198551A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換素子とそれを用いた光電変換装置及び光電変換素子の製造方法
JP2002299063A (ja) 2001-04-03 2002-10-11 Japan Science & Technology Corp 臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子
US6709929B2 (en) 2001-06-25 2004-03-23 North Carolina State University Methods of forming nano-scale electronic and optoelectronic devices using non-photolithographically defined nano-channel templates
JP4729203B2 (ja) * 2001-07-25 2011-07-20 独立行政法人科学技術振興機構 ハロゲン化鉛系層状ペロブスカイト化合物の燐光を利用した電界発光素子
JP3779596B2 (ja) 2001-11-16 2006-05-31 独立行政法人科学技術振興機構 ポジトロンエミッショントモグラフィ装置
US7105360B2 (en) * 2002-03-08 2006-09-12 International Business Machines Corporation Low temperature melt-processing of organic-inorganic hybrid
JP4010170B2 (ja) 2002-04-11 2007-11-21 ソニー株式会社 光電変換素子の製造方法
WO2003107471A1 (ja) 2002-06-14 2003-12-24 日立マクセル株式会社 光電変換素子及びその製造方法
US20060162767A1 (en) * 2002-08-16 2006-07-27 Angelo Mascarenhas Multi-junction, monolithic solar cell with active silicon substrate
AU2003268487A1 (en) * 2002-09-05 2004-03-29 Nanosys, Inc. Nanocomposites
JP2004134577A (ja) 2002-10-10 2004-04-30 Seiko Epson Corp 半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタ、半導体装置、薄膜太陽電池、複合半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP4259081B2 (ja) 2002-10-10 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
AU2003272969A1 (en) * 2002-10-10 2004-05-04 Kansai Paint Co., Ltd. Method for forming semiconductor film and use of semiconductor film
US6995445B2 (en) 2003-03-14 2006-02-07 The Trustees Of Princeton University Thin film organic position sensitive detectors
WO2004112440A1 (ja) 2003-06-13 2004-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光素子及びその製造方法、表示装置
JP4191566B2 (ja) 2003-09-12 2008-12-03 アトミック エナジー カウンセル − インスティトゥート オブ ニュークリアー エナジー リサーチ 電流ブロック構造を有する発光ダイオードおよびその製造方法
US7045205B1 (en) 2004-02-19 2006-05-16 Nanosolar, Inc. Device based on coated nanoporous structure
WO2005114748A2 (en) 2004-04-13 2005-12-01 Solaris Nanosciences, Inc. Plasmon enhanced sensitized photovoltaic cells
US8592680B2 (en) 2004-08-11 2013-11-26 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive devices
WO2006034561A1 (en) 2004-09-27 2006-04-06 The State Scientific Institution 'institute Of Molecular And Atomic Physics Of The National Academy Of Science Of Belarus' High-efficient small-aperture light converter
EP1724838A1 (en) 2005-05-17 2006-11-22 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Tandem photovoltaic conversion device
JP2007031178A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Utsunomiya Univ ＣｄＴｅ系酸化物薄膜及びその形成方法
US8034745B2 (en) 2005-08-01 2011-10-11 Amit Goyal High performance devices enabled by epitaxial, preferentially oriented, nanodots and/or nanorods
US20070028961A1 (en) 2005-08-04 2007-02-08 General Electric Company Organic dye compositions and use thereof in photovoltaic cells
JP2007095488A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Toshiba Corp 発光素子およびその製造方法
ATE450590T1 (de) 2006-04-03 2009-12-15 Koninkl Philips Electronics Nv Organische elektrolumineszenzvorrichtung
US20090242027A1 (en) 2006-07-05 2009-10-01 Teruhisa Inoue Dye-Sensitized Solar Cell
KR100838158B1 (ko) 2007-01-04 2008-06-13 한국과학기술연구원 메조 다공성 금속산화물 박막을 포함하는 염료감응태양전지용 광전극 및 이의 제조방법
JP2008189947A (ja) 2007-01-31 2008-08-21 National Institute For Materials Science ペロブスカイト薄膜及びその製造方法
KR20080079894A (ko) 2007-02-28 2008-09-02 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법
JP2009006548A (ja) 2007-06-27 2009-01-15 Saga Univ 有機無機層状ペロブスカイト化合物薄膜及びその作製方法
DE502008002569D1 (de) * 2007-07-23 2011-03-24 Basf Se Photovoltaische tandem-zelle
WO2009013285A1 (en) 2007-07-25 2009-01-29 Polymers Crc Ltd. Solar cell and method for preparation thereof
US20090032097A1 (en) 2007-07-31 2009-02-05 Bigioni Terry P Enhancement of dye-sensitized solar cells using colloidal metal nanoparticles
KR20090052696A (ko) 2007-11-21 2009-05-26 한국전자통신연구원 ｐ－ｎ 접합 다이오드를 포함하는 기판을 구비한 염료감응태양전지
JP5093694B2 (ja) * 2008-02-19 2012-12-12 独立行政法人産業技術総合研究所 酸化物ぺロブスカイト薄膜ｅｌ素子
WO2009116511A1 (ja) 2008-03-19 2009-09-24 シャープ株式会社 光増感素子及びそれを用いた太陽電池
JP2010009786A (ja) 2008-06-24 2010-01-14 Sharp Corp 色素増感型太陽電池および色素増感型太陽電池モジュール
CN101635203B (zh) 2008-07-27 2011-09-28 比亚迪股份有限公司 一种半导体电极及制法和含有该半导体电极的太阳能电池
CN102177599A (zh) † 2008-09-26 2011-09-07 密歇根大学董事会 有机叠层太阳电池
TW201032340A (en) 2009-02-26 2010-09-01 Nat Applied Res Laboratories A silicon quantum dot near-infrared phototransistor detector
WO2010118321A2 (en) 2009-04-10 2010-10-14 Clean Cell International Inc. Composite nanorod-based structures for generating electricity
KR101061970B1 (ko) 2009-05-25 2011-09-05 한국과학기술연구원 전도성 비금속 필름을 이용한 광전극 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지
GB0909818D0 (en) 2009-06-08 2009-07-22 Isis Innovation Device
KR101174088B1 (ko) 2009-06-25 2012-08-14 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
GB0916037D0 (en) 2009-09-11 2009-10-28 Isis Innovation Device
JP5489621B2 (ja) 2009-09-29 2014-05-14 ヤヱガキ醗酵技研株式会社 光電変換素子とその光電変換素子を用いた光発電装置
GB0920918D0 (en) 2009-11-27 2010-01-13 Isis Innovation Device
ES2648256T3 (es) 2009-12-08 2017-12-29 OmniPV, Inc. Materiales luminiscentes que emiten luz en el rango visible o en un rango cercano al de infrarrojos y métodos de formación de los mismos
JP2011139978A (ja) † 2010-01-06 2011-07-21 Panasonic Corp 光励起半導体及びそれを用いたデバイス
KR101168227B1 (ko) 2010-02-18 2012-07-30 한국화학연구원 나노구조 무기－유기 이종 접합 태양전지의 제조방법
GB201004106D0 (en) 2010-03-11 2010-04-28 Isis Innovation Device
JP5621488B2 (ja) 2010-03-17 2014-11-12 ソニー株式会社 光電変換装置
US8907205B2 (en) 2010-06-18 2014-12-09 Institut National De La Recherche Scientifique (Inrs) Combined Pn junction and bulk photovoltaic device
JP5548073B2 (ja) 2010-09-13 2014-07-16 パナソニック株式会社 太陽電池
CN102468413B (zh) 2010-11-09 2014-10-29 四川新力光源股份有限公司 一种交流led发光装置
GB201020209D0 (en) 2010-11-29 2011-01-12 Isis Innovation Device
KR101172374B1 (ko) 2011-02-14 2012-08-08 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트계 염료를 이용한 염료감응 태양 전지 및 이의 제조방법
US20120048329A1 (en) * 2011-06-02 2012-03-01 Lalita Manchanda Charge-coupled photovoltaic devices
US9484475B2 (en) * 2011-10-11 2016-11-01 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Semiconductor ferroelectric compositions and their use in photovoltaic devices
WO2013126385A1 (en) 2012-02-21 2013-08-29 Northwestern University Photoluminescent compounds
GB201203881D0 (en) 2012-03-05 2012-04-18 Isis Innovation Mesoporous single crystal semiconductore
EP2850669B1 (en) 2012-05-18 2016-02-24 Isis Innovation Limited Photovoltaic device comprising perovskites
GB201208793D0 (en) * 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
PL2850627T3 (pl) 2012-05-18 2016-10-31 Urządzenie optoelektroniczne zawierające porowaty materiał rusztowania oraz perowskity
EP2693503A1 (en) † 2012-08-03 2014-02-05 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Organo metal halide perovskite heterojunction solar cell and fabrication thereof
WO2014042449A2 (ko) * 2012-09-12 2014-03-20 한국화학연구원 광흡수 구조체가 구비된 태양전지
AU2013319979B2 (en) 2012-09-18 2016-08-25 Oxford Photovoltaics Limited Optoelectronic device
GB201309409D0 (en) 2013-05-24 2013-07-10 Isis Innovation Optoelectronic device
GB201216605D0 (en) 2012-09-18 2012-10-31 Isis Innovation Optoelectronic device
WO2015117123A1 (en) 2014-02-03 2015-08-06 The Curators Of The University Of Missouri Synthesis of amine boranes and polyhedral boranes
GB2528831A (en) * 2014-06-05 2016-02-10 Univ Swansea Perovskite pigments for solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020074485A (ja) 2020-05-14
US20230197869A1 (en) 2023-06-22
BR112015005926A8 (pt) 2018-01-02
SA516371519B1 (ar) 2018-02-28
AU2013319979A1 (en) 2015-03-19
AU2013319979B2 (en) 2016-08-25
AU2017203629B2 (en) 2018-12-20
KR102296283B1 (ko) 2021-08-31
US20180315870A1 (en) 2018-11-01
EP4089753B1 (en) 2024-11-06
MY170170A (en) 2019-07-09
EP4089753A1 (en) 2022-11-16
EP3413365A1 (en) 2018-12-12
WO2014045021A1 (en) 2014-03-27
JP2018041987A (ja) 2018-03-15
JP2015535390A (ja) 2015-12-10
US20150249170A1 (en) 2015-09-03
PL3413365T5 (pl) 2025-06-02
CN106206952B (zh) 2019-09-06
EP4465802A1 (en) 2024-11-20
CN106684246B (zh) 2020-01-21
CN106684246A (zh) 2017-05-17
PL3413365T3 (pl) 2022-10-31
EP2898553A1 (en) 2015-07-29
AU2016204753A1 (en) 2016-07-28
PL4102586T3 (pl) 2024-11-12
EP4102586B1 (en) 2024-09-11
JP6263186B2 (ja) 2018-01-17
KR102607292B1 (ko) 2023-11-29
ES2924644T3 (es) 2022-10-10
JP2025107338A (ja) 2025-07-17
EP3413365B1 (en) 2022-06-29
US20200365748A1 (en) 2020-11-19
ES2707296T3 (es) 2019-04-03
KR20240129238A (ko) 2024-08-27
ES3001333T3 (en) 2025-03-05
AU2016204753B2 (en) 2017-04-20
KR20150056851A (ko) 2015-05-27
US10069025B2 (en) 2018-09-04
CN106206952A (zh) 2016-12-07
JP2023081962A (ja) 2023-06-13
CN104769736A (zh) 2015-07-08
EP4102586A1 (en) 2022-12-14
ZA201604518B (en) 2018-11-28
ZA201501707B (en) 2021-09-29
AU2017203629A1 (en) 2017-06-15
JP6660930B2 (ja) 2020-03-11
CN104769736B (zh) 2016-08-24
EP2898553B1 (en) 2018-11-14
KR20180100722A (ko) 2018-09-11
HUE059781T2 (hu) 2022-12-28
JP7681336B2 (ja) 2025-05-22
PL2898553T3 (pl) 2019-05-31
ES2989735T3 (es) 2024-11-27
JP7245527B2 (ja) 2023-03-24
US11527663B2 (en) 2022-12-13
EP4102586A3 (en) 2023-05-03
KR20210095243A (ko) 2021-07-30
BR112015005926B1 (pt) 2022-01-25
BR112015005926A2 (pt) 2017-07-04
KR20220123732A (ko) 2022-09-08
PL4089753T3 (pl) 2025-02-03
ES2924644T5 (en) 2025-05-20
US20220393048A1 (en) 2022-12-08
KR102118475B1 (ko) 2020-06-03
KR102698732B1 (ko) 2024-08-27
US11469338B2 (en) 2022-10-11
EP3413365B2 (en) 2025-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA515360164B1 (ar) جهاز إلكتروني بصري
Kung et al. Lead‐free double perovskites for perovskite solar cells
Juarez-Perez et al. Degradation mechanism and relative stability of methylammonium halide based perovskites analyzed on the basis of acid–base theory
KR101740654B1 (ko) 유무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 태양전지
WO2017037448A1 (en) Double perovskite
KR20230149852A (ko) 혼합 음이온을 갖는 유기금속 페로브스카이트를 갖는 광전자 장치
Niu et al. Molecularly engineered interfaces in metal halide perovskite solar cells
Yi et al. Improving FAPbBr3 perovskite crystal quality via additive engineering for high voltage solar cell over 1.5 V
Jiang et al. Nondestructive and controllable anion exchange of halide perovskite films through Finkelstein reaction
Shivarudraiah Materials Chemistry and Device Design: Improving the Functionality of Perovskite Optoelectronic Devices
Parea Fluorinated organic spacers in the design of new low-dimensional hybrid halide perovskites: synthesis and structural characterization
HK40082705B (en) Optoelectronic device
Roy et al. Recent Advancements and Future Insight on Perovskite Solar Cells: A Review
HK40082705A (en) Optoelectronic device
HK40112791A (en) Optoelectronic device