SE510818C2 - Förfarande för framställning av finkornigt metall- och keramikpulver - Google Patents

Förfarande för framställning av finkornigt metall- och keramikpulver

Info

Publication number
SE510818C2
SE510818C2 SE9301466A SE9301466A SE510818C2 SE 510818 C2 SE510818 C2 SE 510818C2 SE 9301466 A SE9301466 A SE 9301466A SE 9301466 A SE9301466 A SE 9301466A SE 510818 C2 SE510818 C2 SE 510818C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
metal
reaction
reactor
gas
reactants
Prior art date
Application number
SE9301466A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9301466D0 (sv
SE9301466L (sv
Inventor
Theo Koenig
Original Assignee
Starck H C Gmbh Co Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Starck H C Gmbh Co Kg filed Critical Starck H C Gmbh Co Kg
Publication of SE9301466D0 publication Critical patent/SE9301466D0/sv
Publication of SE9301466L publication Critical patent/SE9301466L/sv
Publication of SE510818C2 publication Critical patent/SE510818C2/sv

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/12—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from gaseous material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/914—Carbides of single elements
    • C01B32/921—Titanium carbide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/28—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from gaseous metal compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/20—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state
    • C01B13/22—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/076—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with titanium or zirconium or hafnium
    • C01B21/0763—Preparation from titanium, zirconium or hafnium halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G25/00—Compounds of zirconium
    • C01G25/02—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G33/00—Compounds of niobium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
    • C01P2004/52—Particles with a specific particle size distribution highly monodisperse size distribution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12—Surface area
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

10 15 20 25 30 35 510 819 2 Förutom de nu kända pulverframställningsförfarandena i stor teknisk skala är det knappast eller endast med svårighet möjligt att framställa pulver med genomsnittskornstorlekar av mindre än 0,5 um, uppmätt enligt FSSS (och ej enskilda partikelstorlekar). För dessa konventionellt framställda fina pulver kan man i praktiken inte utesluta, att en viss procentsats av grövre korn ingår i materialet, vilket har en skadlig inverkan på de mekaniska egenskaperna hos därav framställda byggdelar. Vid traditionella malningsförhållanden erhåller man även en mycket bred kornstorleksfördelning, som för dessa pulver inte ens med siktningssteg väsentligt kan göras snävare.
Hittills kända förfaranden för framställning av mycket fina pulver via gasfas arbetar delvis i två steg, varvid det andra steget tjänar till att överföra den mer eller mindre amorfa mellanprodukten till kristallin form och avskilja oönskade biprodukter från reaktionen.
Andra gasfasförfaranden arbetar inte med en strömnings- tekniskt optimerad varmväggreaktor utan tillämpar för omsättningen en plasmalåga eller andra energibärare såsom laserstrålar. Nackdelar med dessa förfaranden är i huvudsak de i praxis ej kontrollerbara reaktionsbetingelserna i olika områden av reaktionszonen med mycket stora temperatur- gradienter och/eller turbulenta strömningar. Därigenom bildas pulver med bred kornstorleksfördelning.
Talrika förslag till förfaranden för framställning av mycket fina hårdsubstanspulver och mycket fina metallpulver har framlagts, vilka emellertid samtliga är behäftade med nack- delar. Således uppvisar t ex även det i US-A 4 994 107 bekantgjorda förfarandet, där en rörreaktor för framställning av likformiga, ej agglomererade pulver beskrives, betydande praktiska nackdelar. P g a blandningen av alla reaktions- komponenter före den varma zonen sker ingen definierad början av groddbildningsreaktionen. Inte heller kan väggreaktioner förhindras. Därigenom förstoras faran för att stora partiklar 10 15 20 25 30 35 510 5818 3 kommer in i det i övrigt fina pulvret och ej längre kan av- lägsnas.
I EP-A O 379 910 beskrives ett tvåstegsförfarande för framställning av Si3N4 från gasfas, enligt vilket utgångs- halogeniden inblåses i flytande form via en tvåsubstansdysa i reaktorrummet. Inte heller enligt detta förfarande är det möjligt att ställa till förfogande ett godtagbart och tillfredsställande pulver.
Andra förslag för framställning av mycket fina enhetliga pulver är omsättning vid undertryck men även olika sol-gel- -förfaranden. Även dessa förslag uppvisar nackdelar såsom arbeten i flera steg, dålig reglerbarhet för kornstorleken, kornstorleksfördelning och satsdrift. Även de föreslagna plasma-, laser- eller explosions- förfarandena (EP-A 0 290 177, EP-A 0 151 490) uppvisar de nämnda nackdelarna.
Ett ytterligare förslag (EP-A 0 290 177) arbetar med karbonylsönderdelning för framställning av fina metall- pulver. Även framställning av fina pulver genom speciellt genomförd magnesiotermisk omsättning av motsvarande metallklorider för framställning av t ex TiN eller TiC åstadkommer inte finheten och enhetligheten hos de i enlighet med det före- slagna förfarandet framställda pulvret (G.W. Elger, Met.
Transactions 20 B, 8, 1989, sid. 493-497).
Inte heller de i US-A 4 642 207, US-A 4 689 075, EP-A 152 957 och EP-A 151 490 beskrivna förfarandena, som avser för- ångning av metall genom ljusbåge- eller elektronstrålning samt reaktion av gasformiga reaktionskomponenter i en glimurladdning, motsvarar fordringarna på ett ekonomiskt genomfört förfarande för framställning av mycket jämna och mycket fina pulver. 10 15 20 25 30 35 510 818 Syftet med föreliggande uppfinning är således att ställa till förfogande ett förfarande, som ej uppvisar de beskrivna nackdelarna hos förfarandena enligt känd teknik.
Man har funnit ett förfarande, som uppfyller dessa fordring- ar. Detta förfarande är föremålet för föreliggande upp- finning.
Det rör sig enligt uppfinningen om ett förfarande för fram- ställning av finkorniga metall- och/eller keramikpulver genom reaktion av motsvarande metallföreningar och motsvarande reaktionskomponenter i gasfas, varvid metallföreningen resp. -föreningarna och den ytterligare eller de ytterligare reak- tionskomponenterna får reagera i gasformigt tillstånd i en rörreaktor, slutkondenseras direkt från gasfas homogent under uteslutning av varje väggreaktion och därefter avskiljes från reaktionsmediet, vilket förfarande kännetecknas av att me- tallföreningarna och reaktionskomponenten eller -komponenter- na var för sig med åtminstone reaktionstemperatur införes i rörreaktorn som koaxiella, laminära, likalöpande delströmmar.
För det fall, att flera metallföreningar och/eller reaktions- komponenter skall införas väljes resp. gasblandningar så, att ingen reaktion uppträder under värmningsförloppet, vilka leder till fasta reaktionsprodukter. Det är speciellt gynn- samt om metallföreningarna, reaktionskomponenterna och pro- duktpartiklarna genomströmmar reaktorn laminärt.
Genom den skilda förvärmningen av processgaserna till åt- minstone reaktionstemperatur kan stället för grodd- eller kärnbildning begränsas. Den laminära strömningen i reaktions- behållaren säkerställer en snäv tidsuppehållsfördelning för groddarna resp. kärnorna resp. partiklarna. Även på detta sätt kan en mycket snäv kornstorleksfördelning uppnås. 10 15 20 25 30 35 510 818 För att emellertid säkerställa en genomblandning av de båda koaxiella delströmmarna uppnås genom inbyggnad av en störningskropp i den annars strängt laminära strömningen en till sin intensitet och utbredning definierad Karmansk 5 virvelväg.
En föredragen utföringsform av förfarandet enligt upp- finningen består alltså i att de koaxiella, laminära delströmmarna av metallföreningen resp. -föreningarna och reaktionskomponenterna blandas på ett definierat sätt medelst en virvelväg enligt Karman.
Reaktionsmediet avskärmas från reaktionsväggen genom att en inertgasström införes genom speciellt utformade ringspalter i reaktorväggen, vilken gasström via en Coanda-effekt ligger emot reaktorväggen. De i reaktionskärlet genom en homogen avskiljning från gasfas vid typiska uppehållstider mellan 10 och 300 msek bildade metall- eller keramikpulverpartiklarna lämnar reaktionsbehållaren gemensamt med de gasformiga reak- tionsprodukterna (t ex HCl), ej omsatta reaktionskomponenter och inertgaserna, vilka inblåses som bärargas, spolningsgas och i syfte att minska HCl-adsorption. I enlighet med för- farandet enligt uppfinningen kan man uppnå utbyten, räknat på metallkomponenten, av upp till 100%.
Avskiljningen av metall- eller keramikpulvren företas därvid företrädesvis vid temperaturer över kok- resp. sublimerings- temperaturerna för de insatta metallföreningarna, reaktions- komponenterna och/eller under reaktionen bildade ofrånkomliga produkterna. Avskiljningen kan därvid med fördel företas i ett återblåsningsfilter. Om detta drivs vid höga temperaturer av t ex 600°C kan adsorptionen av gaserna, speciellt de ej inerta gaserna såsom HCl, NH3, TiCl4 osv, hållas ringa på de mycket stora ytorna hos keramik- eller metallpulvren.
Speciellt förhindras vid framställning av nitrider bildning av NH4Cl (över 350°C). 10 15 20 25 30 35 510 818 6 De fortfarande kvarvarande, på pulverytan adsorberade störande substanserna kan åter avlägsnas i en efterkopplad vakuumbehållare, företrädesvis ånyo vid temperaturer av ca 600°C. De färdiga pulvren bör därefter avdragas från anläggningen under uteslutning av luft.
Föredragna metallföreningar inom uppfinningens ram är en eller flera från gruppen BCI3, borsyraestrar, boraner, SiCl4, andra klorsilaner, silaner, metallhalogenider, delvis hydrer- ade metallhalogenider, metallhydrider, metallalkoholater, metallalkyler, metallamider, metallazider, metallboranater och metallkarbonyler.
Föredragna ytterligare reaktionskomponenter är en eller flera från gruppen H2, NH3, hydrazin, aminer, CH4, andra alkaner, alkener, alkyner, aryler, 02, luft, BCl3, borsyra- estrar, boraner, SiCl4, andra klorsilaner och silaner.
I enlighet med förfarandet enligt uppfinningen kan nano- eller mikrodispersa (kristallina eller amorfa) metall- och/eller keramikpulver framställas, varvid föredragna metall- och/eller keramikpulver är karbider, nitrider, borider, silicider, fosfiter, sulfider, oxider och/eller kombination därav av elementen B, Al, Si, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, La, Y, Fe, Co, Ni eller dessa element ensamma eller i kombination med varandra.
Det är möjligt att i enlighet med förfarandet enligt upp- finningen framställa metall- och keramikpulver med en in- ställbar partikelstorlek av mellan 3 och 3 000 nm (3 um), vilka uppvisar en extremt snäv partikelstorleksfördelning.
Karaktäristiskt för de således framställda partiklarna är en fullständig frånvaro av partiklar, som är väsentligt större än genomsnittskornstorleken. Således uppvisar de i enlighet med förfarandet enligt uppfinningen framställda pulvren i allmänhet mindre än 1% enskilda partiklar, som avviker mer än 20% från medelkornstorleken. Partiklar, som avviker med mer än 50%, föreligger inte. 10 15 20 25 30 35 510lis1s 7 De icke-oxidiska pulvren uppvisar ytterst ringa syre- halter (mindre än 1 000 ppm). Ytterligare karaktäristika för pulvren är deras höga renhet, höga ytrenhet och goda reproducerbarhet.
Beroende av kornstorlek och substans kan de icke-oxidiska pulvren vara mycket luftkänsliga till pyrofora. För undan- röjande av denna egenskap kan dessa pulver på ett definierat sätt ytmodifieras genom behandling med gas/ångblandningar.
Fig. 1 visar schematiskt en anordning, med vilken förfarandet enligt uppfinningen kan genomföras. Med hänvisning till Fig. 1 belyses i det följande genomföringen av förfarandet enligt uppfinningen. De därvid explicit omnämnda förfarings-, substans- och/eller anordningsparametrarna utgör därvid endast valda möjligheter av många och är således inte begränsande för uppfinningen.
De fasta, flytande eller gasformiga metallföreningarna in- doseras i en utanför anordnad förångare 1 eller i en inom högtemperaturugnen anordnad förångare la, där de förångas vid temperaturer av 200-2 000°C och transporteras medelst en inert bärargas (N2, Ar eller He) till gasförvärmaren 2a.
De ytterligare reaktionskomponenterna 3 såsom H2, NH3 och CH4 eller för framställningen av metalloxider och/eller syre, värmes likaledes i en gasförvärmare 2. Före inträdet i reaktionsreaktorn 4 formas de från gasförvärmarna 2 ut- strömmande turbulenta enskilda strömtrådarna i en dysa 5 till två koaxiella, laminära och rotationssymmetriska ström- trådar eller -strängar. I rörreaktorn 4 genomblandas den mellerstra strömsträngen 6, som innehåller metallkomponenten, och den omhöljande strömsträngen 7, som innehåller resten av reaktionskomponenterna, under definierade betingelser.
Därvid inträffar reaktionen vid temperaturer mellan 500 och 2 000°C enligt t ex följande exempel på fall: 10 15 20 25 30 35 510 818 8 Ticl4 + NH: + 1/2 H2 > 'riN + 4 Hcl eller TiCl4 + CH4 > TiC + 4 HCl eller AlCl3 + NH3 > AlN + 3 HCl eller TiCl4 + 2BCl3 + 5H2 > TiB2 + 10 HCl eller TaCl5 + CH4 + 1/2 H2 > TaC + 5 HCl eller 4BCl3 + CH4 + 4H2 > B4C + 12 HCl eller WCI6 + + 3H2 > W + 6 HCl eller M0Cl5 + 2SiCl4 + 6 1/2 H2 > M0Si2 + 13 HCl eller 2NbCl5 + 2 1/2 02 > Nb2O5 + 5 C12 eller 3SiH4 + 4NH3 > Si3N4 + 12 H2 eller ZrCl4 + 202 > ZrO2 + 2 C12 eller Niclz + H2 > Ni + 2 Hcl För att säkerställa en genomblandning av de båda koaxiella strömningssträngarna kan man genom inbyggnad av en störnings- kropp 17 i den i övrigt strängt laminära strömningen åstad- komma en virvelväg enligt Karman. De båda koaxiella ström- ningssträngarna separeras vid dysutloppet medelst en svag inertgasström 16 för att förhindra pålagningar vid dysan 5.
För att förhindra den energetiskt starkt föredragna hetero- gena avskiljningen av dessa substanser vid den varma reaktor- väggen spolas denna genom ringspalten 8 med en inertgasström 9 (NZ, Ar eller He), som genom Coanda-effekt ligger emot reaktorväggen. De i reaktorn genom en homogen avskiljning från gasfasen bildade metall- eller keramikpulverpartiklarna lämnar denna gemensamt med de gasformiga reaktionsprodukterna (t ex HCI), inertgasen och ej omsatta reaktanter och kommer direkt till ett återblåsningsfilter 10, där de avskiljes. Ãterblåsningsfiltret 10 drivs vid temperaturer mellan 300 och 1 O00°C, varigenom adsorptionen av gaserna, speciellt 3 och TiCl4, mycket stora ytan hos dessa pulver hålles vid en låg nivå.
Dessutom förhindras bildning av NH4Cl från överskott av de icke-inerta gaserna såsom HCl, NH på den NH3 (vid framställning av metallnitrider) och HCl. I en efterföljande behållare 11 minskas ytterligare rester av adsorberade gaser på pulvren genom företrädesvis växelvis anläggning av vakuum och spolning med olika gaser vid 10 15 20 25 30 35 510 818 9 300-1 0O0°C. Goda effekter uppnås om gaser såsom N2, Ar eller Kr insättes. Med speciell fördel insättes SF6.
I enlighet med förfarandet enligt uppfinningen är det även möjligt att framställa metastabila ämnessystem och partiklar med kärn/mantel-strukturer. Därvid erhålles metastabila substanssystem genom inställning av mycket höga kylnings- hastigheter i den undre delen av reaktorn.
Partiklarna med kärn/mantel-struktur erhålles genom att man i den undre delen av reaktorn inför ytterligare reaktionsgaser.
Från evakueringsbehållaren 11 kommer pulvren till kylnings- behållaren 12, innan de via slussen 13 kommer till upp- samlings- och försändningsbehållaren 14. I kylningsbehållaren 12 kan genom inblåsning av olika gas/ånga-blandningar partikelytan på ett definierat sätt ytmodifieras.
Som material för sådana byggdelar, som utsättes för tempe- raturer av upp till 2 000°C och högre, t ex värmeväxlare 2 och 3, dysa 5, reaktor 4 och reaktoromhöljningsrör 15, kan man företrädesvis insätta belagd grafit, speciellt finkorn- grafit. En beläggning kan t ex vara nödvändig om den nöd- vändiga kemiska beständigheten för grafiten mot de insatta gaserna såsom metallklorider, HCl, H2, NH3, N2 och 02 vid de givna temperaturerna ej är tillräcklig eller om erosionen vid högre strömningshastigheter (0,5-50 m/sek) är mycket betydande eller om gasdensiteten hos grafiten därigenom kan höjas eller om ytskrovligheten hos reaktorbyggdelarna kan nedsättas därmed.
Som skikt kan man insätta t ex SiC, B4C, TiN, TiC, Al2O3, Ta2O3 och Ni (endast upp till 1 200°C). Även kombinationer av olika skikt, t ex med "arteget" täckskikt, är möjliga.
Dessa skikt kan med fördel anbringas medelst CVD, plasma- sprutning och elektrolys (Ni). 10 15 20 25 30 35 510 818 10 För framställning av oxider erbjuder sig för dessa delar oxidkeramiska material. Om endast låga temperaturer erfordras är en insats av metalliska material även möjlig.
För inställning av partikelstorleken hos keramik- och metallpulvren kan samtidigt tre tillvägagångssätt insättas: - Inställning av ett bestämt förhållande för reaktions- och inertgaserna.
- Inställning av ett bestämt tryck.
- Inställning av en bestämd temperatur-uppehållstid-profil längsmed reaktoraxeln.
Temperatur-uppehållstid-profilen inställes enligt följande: - Genom två eller flera värmningszoner från början av gasförvärmaren 2 fram till änden av rörreaktorn 4.
- Genom variation av reaktortvärsnittet längsmed dess längdaxel.
- Genom variation av gasgenomströmningen och därmed vid givet reaktortvärsnitt strömningshastigheterna.
En väsentlig fördel med varierbarheten för temperatur- -uppehållstid-profilen enligt uppfinningen är möjligheten att frånkoppla kärnbildningszonen från kärntillväxtzonen.
Därmed är det enligt uppfinningen möjligt att för fram- ställning av "grövre" pulver (t ex inom området 0,1-3 pm för TiN) vid mycket låg temperatur och kort uppehållstid (d v s mindre reaktortvärsnitt för en bestämd längd) tillåta bildning av endast få groddar eller kärnor, som därefter vid hög temperatur och lång uppehållstid (stort reaktortvärsnitt) kan växa till "grövre" partiklar. Det är även möjligt att framställa "fina" pulver (t ex för TiN inom området från 3 nm till 100 nm): i ett område med hög temperatur och relativt lång uppehållstid uppnås bildning 10 15 20 25 30 35 ll av ett stort antal kärnor, som i den fortsatta reaktorn vid låga temperaturer och kort uppehållstid (mindre reaktor- tvärsnitt) tillväxer endast i ringa omfång. En inställning av samtliga övergångar mellan de här kvalitativt visade gränsfallen är möjlig.
I kylningsbehållaren 12 är genom inblåsning av en lämplig gas/ånga-blandning en passivering av delvis mycket luft- känsliga till pyrofora pulver möjlig. Partikelytorna hos dessa keramikpulver kan beläggas såväl med ett oxidskikt med definierad tjocklek som med lämpliga organiska föreningar såsom högre alkoholer, aminer eller sintringshjälpmedel såsom paraffiner i en inert bärargasström. Beläggningen kan även genomföras med avseende på den fortsatta bearbetnings- möjligheten för pulvret.
Oxidskikten kan anbringas t ex med en definierad fuktad inertgas-luft-ström liksom även med en inertgas/C02-ström (företrädesvis lämpad för karbider).
Uppfinningen belyses nedan ytterligare medelst exempel utan att dessa begränsar uppfinningens skyddsomfång.
Exempel 1 TiN framställdes enligt följande reaktionslikhet TiCl4 + NH3 + 1/2 H2 > TiN + 4HC1 i en apparatur enligt Fig. 1, varvid ett överskott av NH3 och H2 upprätthölls.
Man tilldoserade 100 g/min TiCl4 (flytande, kokpunkt 136°C) i förångaren 1, varvid man förångade och tillsammans med 50 Nl/min N2 värmde till 800°C. Denna gasblandning leddes in i gasförvärmaren 2a. Reaktionskomponenterna H2 (200 Nl/min) och NH3 (95 Nl/min) infördes i gasförvärmaren 2. Reaktions- komponenterna förvärmdes skilt för sig till en temperatur av ca 1 OOO°C. Temperaturmätningen gjordes därvid medelst 10 15 20 25 30 35 510 818 12 ett W5Re-W26Re-termoelement 18 på det i Fig. 1 visade stället (1 175°C). Före inträdet i reaktionsröret 4 formades de från gasförvärmarna 2 utströmmande turbulenta enkelströmsträngar- na i den yttre delen av dysan 5 till en homogen, rotations- symmetrisk och laminär ringström. Den från gasförvärmaren 2a utströmmande gasströmmen laminariserades likaledes i dysan 5 och infördes i ringströmningen. Dysan 5 bestod därvid av tre koaxiellt i förhållande till varandra anordnade deldysor.
Från mitt-deldysan utströmmade en inertgasström 16, som förflyttade stället för reaktionens början, d v s samman- träffandet av de båda delströmmarna 6 och 7 bort från dysan i reaktionsröret. I den inre strömningssträngen åstadkoms medelst störningskroppen 17 med ett kännetecknande mått av 3,0 mm (anordnad i dysans längdaxel) en virvelväg enligt Karman. Reaktionsröret hade vid en total längd av 1 100 mm vid dysutloppet en innerdiameter av 40 mm, 200 mm under dysan en innerdiameter av 30 mm och vid utloppet 50 mm. Därvid förändrades innertvärsnittet ständigt under beaktande av strömningslagarna. Reaktionsröret 4 var sammansatt av 18 segment, varvid segmenten genomgående var förenade medelst en distans- och centreringsring. På dessa ställen åstadkoms även en ringspalt 8. Som temperatur för reaktionsröret 4 inställdes 1 O80°C, uppmätt vid reaktorytterväggen, 400 mm under dysan, medelst W5Re-W26Re-termoelementet 19. Trycket i reaktionsröret 4 var praktiskt identiskt med trycket i återblåsningsfiltret 10. Detta uppgick till 250 mbar över- tryck. Reaktorväggen genomspolades genom 18 ringspalter 8 med 200 Nl/min N2. Om spolningen av reaktorväggen med en inertgas utelämnas kan tillväxter ske, vilka delvis kan leda snabbt till en reaktortilltäppning och därmed till avbrott av processen. I varje fall erhålles emellertid, p g a den sig ändrande reaktorgeometrin, en sig likaledes förändrande produkt. För att minska HCl-partialtrycket inblåstes genom den sjätte ringspalten nedifrån medelst en ytterligare gas- inloppsanordning 200 Nl/min N2 i reaktionsröret 4. Produkten (TiN med en enhetlig partikelstorlek av ca 10 nm) avskildes i återblåsningsfiltret 10 vid en temperatur av 600°C från gaserna (H2, NH3, HCl, N2). 10 15 20 25 30 35 510 181811' 13 Valet av denna temperatur gjordes å ena sidan med syfte att förhindra bildning av NH4Cl (över 350°C) och å andra sidan med tanke på att hålla den primära beläggningen av de mycket stora partikelytorna (115 m2/g) med HCl på en låg Ni-nivå (ca 1,5% Cl).
Den således framställda TiN uppsamlades under 40 minuter (d v s 1 300 g) i återblåsningsfiltret för att sedan över- föras till evakueringsbehållaren ll. I denna behållare genomströmmade under ett tidsrum av 35 minuter åtta pump- -genomflödescykler med slutvakuum 0,1 mbar abs. Behållaren genomströmmades med Ar till ett tryck av 1 100 mbar abs.
Efter 35 minuter överfördes det således behandlade TiN- -pulvret till kylningsbehållaren 12. I denna behållare är genom inblåsning av olika gas/ång-blandningar även en målmedveten ytbeskaffenhet möjlig. Efter kylning av pulvret till under 50°C överfördes detta utan kontakt med den yttre luften genom slussen 13 till uppsamlings- och försändnings- behållaren.
Det pyrofora TiN-pulvret uppvisade vid en specifik yta av 115 m2/g, enligt BET, uppmätt enligt N2-1-punkt- -metoden (DIN 66 131), motsvarande 10 nm, en extremt snäv kornstorleksfördelning.
En REM-upptagning av detta TiN-pulver med en specifik yta av 115 m2/g visade den mycket snäva fördelningen av partikel- måtten och frihet från korn med överdriven storlek. Mindre än 1% av de enskilda partiklarna uppvisar därefter en avvikelse av mer än 10% och inga enkelpartiklar en avvikelse med mer än 40% från medelkornstorleken. Enligt nuvarande mätteknik kan en tillförlitlig utsaga beträffande en partikelstorleks- fördelning för sådana extremt fina pulver erhållas endast medelst bildalstrande metoder (t ex REM, TEM).
Analys av detta TiN-pulver gav en syrehalt av 95 ppm och summan av icke-oxidiska föroreningar uppgick till 800 ppm. 10 15 20 25 30 35 510 818 14 Exempel 2 TiN framställdes enligt reaktionslikheten TiCl4 + NH3 + 1/2 H2 > TiN + 4HC1 i en apparatur enligt Fig. 1, varvid man upprätthöll ett överskott av NH3 och H2.
Till förångaren 1 doserade man härvid 100 g/min TiCl4 (flyt- ande, kokpunkt l36°C), varvid förångades och tillsammans med 50 Nl/min N2 värmde till 950°C. Denna gasblandning leddes in i gasförvärmaren 2a. Reaktionskomponenterna H2 (200 Nl/min) och NH3 (95 Nl/min) infördes i gasförvärmaren 2. Reaktions- komponenterna förvärmdes var för sig till en temperatur av ca 700°C. Temperaturmätningen skedde därvid medelst ett W5Re-W26Re-termoelement 18 på det i Fig. 1 betecknade stället (850°C). Före inträdet i reaktionsröret 4 formades de från gasförvärmaren 2 utströmmande turbulenta enkelströmsträngar- na i den yttre delen av dysan 5 till en homogen, rotations- symmetrisk och laminär ringström. Den från gasförvärmaren 2a utströmmande gasströmmen laminariserades likaledes i dysan 5 och infördes i ringströmningen. Dysan 5 bestod därvid av tre koaxiellt i förhållande till varandra anordnade deldysor.
Från den mellersta deldysan utströmmade en inertgasström 16, vilken försköt stället för reaktionens början, d v s samman- träffandet av de båda delströmmarna 6 och 7 bort från dysan i reaktionsröret. I den inre strömsträngen åstadkoms medelst störningskroppen 17 med ett kännetecknande mått av 4,0 mm (anordnad i dysans längdaxel) en virvelväg enligt Karman.
Reaktionsröret hade vid en total längd av 1 320 mm vid dys- utloppet en innerdiameter av 25 mm, från 120 till 180 mm under dysan en utvidgning av innerdiametern till 48 mm. Vid utloppet uppgick innerdiametern till 65 mm. Därvid ändrades innertvärsnittet ständigt under beaktande av strömningslagar- na. Reaktionsröret 4 var sammansatt av 22 segment, varvid de var för sig var inbördes förenade medelst en distans- och centreringsring. På dessa ställen åstadkoms en ringspalt 8. 10 15 20 25 30 35 510 (8185 15 Som temperatur för reaktionsröret 4 inställdes 1 570°C, uppmätt vid reaktorytterväggen, 400 mm under dysan medelst W5Re-W26Re-termoelementet 19. Trycket i reaktionsröret 4 var praktiskt taget identiskt med trycket i återblåsnings- filtret 10. Detta uppgick till 250 mbar övertryck. Reaktor- väggen spolades genom 22 ringspalter 8 med 200 Nl/min N2.
Om denna spolning av reaktorväggen med en inertgas ute- lämnades kunde tillväxter ske, vilka delvis mycket snabbt kan leda till reaktortilltäppning och därmed till avbrott av processen. I varje fall åstadkommes emellertid, genom den sig ändrande reaktorgeometrin, en sig likaledes ändrande produkt. För att minska HCl-partialtrycket inblåstes genom en ytterligare ringspalt i det sjätte segmentet underifrån medelst en ytterligare gasinloppsanordning 200 Nl/min Ar i reaktionsröret 4. Produkten (TiN med en enhetlig partikel- storlek av ca 50 nm) avskildes i återblåsningsfiltret 10 vid en temperatur av 600°C från gaserna (H2, NH3, HCl, N2).
Valet av denna temperatur gjordes å ena sidan för att förhindra bildning av NH4Cl (över 350°C) och å andra sidan för att hålla den primära beläggningen av de mycket stora partikelytorna (41,5 m2/g) med HCl på en låg nivå (ca 1% Cl).
Det således framställda TiN uppsamlades under 40 minuter (d v s 1 300 g) i återblåsningsfiltret för att sedan över- föras till evakueringsbehållaren 11. I denna behållare genom- blåstes under en tid av 35 minuter åtta pump-genomströmnings- cykler med ett slutvakuum av 0,1 mbar abs. Behållaren genom- spolades med Ar till ett tryck av 1 100 mbar abs. Efter 35 minuter överfördes det således behandlade TiN-pulvret till kylningsbehållaren 12. I denna behållare är genom in- blåsning av olika gas/ång-blandningar även en målmedveten ytutformning möjlig. Efter kylning av pulvret till under 50°C överfördes detta utan kontakt med den yttre luften förmedelst slussen 13 till uppsamlings- och försändnings- behållaren. 10 15 20 25 30 35 510 818 16 Det pyrofora TiN-pulvret uppvisade vid en specifik yta av 41,5 m2/g, enligt BET, uppmätt enligt N2-1-punkt- -metoden (DIN 66 131), motsvarande 50 nm, en extremt snäv kornstorleksfördelning.
En REM-upptagning av detta TiN-pulver med en specifik yta av 41,5 m2/g visade den mycket snäva fördelningen av partikelmåtten och avsaknad av korn med överdriven storlek.
Mindre än 1% av de enskilda partiklarna uppvisar i enlighet därmed en avvikelse av mer än 10% och inga enskilda partiklar uppvisar en avvikelse med mer än 40% från medelkornstorleken.
Enligt nuvarande mätteknik kan en tillförlitlig utsaga be- träffande partikelstorleksfördelningen för sådana extremt fina pulver erhållas endast medelst bildalstrande metoder (f. ex REM, TEM) .
Analys av detta TiN-pulver gav en syrehalt av 70 ppm och en summa av icke-oxidiska föroreningar av 820 ppm.
Exempel 3 TiC framställdes enligt följande reaktionslikhet TiCl4 + CH4 > TiC + 4HCl i en apparatur enligt Fig. 1, varvid ett ringa överskott av CH 4 upprätthölls och dessutom H2 tillsattes.
Härvid satte man till förångaren la 90 g/min TiCl4 (flyt- ande, kokpunkt 136°C), varvid förångades och tillsammans med 50 Nl/min Ar värmdes till 1 200°C i gasförvärmaren 2a.
Reaktionskomponenterna H2 (170 Nl/min) och CH4 (25 Nl/min) infördes i gasförvärmaren 2. Reaktionskomponenterna för- värmdes var för sig till en temperatur av ca 1 050°C.
Temperaturmätningen gjordes därvid medelst ett W5Re-W26Re- -termoelement 18 på det i Fig. 1 betecknade stället (1 200°C). Före inträdet i reaktionsröret 4 formades de från gasförvärmaren 2 utströmmande turbulenta enskilda 10 15 20 25 30 35 5100 81821 17 strömsträngarna i den yttre delen av dysan 5 till en homogen, rotationssymmetrisk och laminär ringström. Den från gas- förvärmaren 2a utströmmande gasströmmen laminariserades likaledes i dysan 5 och infördes i ringströmningen. I denna mellersta strängström åstadkoms medelst störningskroppen 17 med ett kännetecknande mått av 4,0 mm i dysans längdaxel en virvelväg enligt Karman. Reaktionsröret hade vid en total längd av 1 320 mm vid dysutloppet en diameter av 25 mm, från 120 till 180 mm under dysan en utvidgad diameter av 48 mm och vid utloppet uppgick diametern till 65 mm. Därvid ändra- des innertvärsnittet ständigt under beaktande av strömnings- lagarna. Reaktionsröret 4 var sammansatt av 22 segment, var- vid segment sammanbands medelst en distans- och centrerings- ring. På dessa ställen åstadkoms en ringspalt 8.
Som temperatur för reaktionsröret 4 inställdes 1 700°C, uppmätt vid reaktorytterväggen, 400 mm under dysan, medelst W5Re-W26Re-termoelementet 19. Trycket i reaktionsröret 4 var praktiskt taget identiskt med trycket i återblåsnings- filtret 10. Detta uppgick till 250 mbar övertryck. Reaktor- väggen spolades genom 22 ringspalter 8 med 200 Nl/min Ar.
Om spolningen av reaktorväggen med en inertgas utelämnades kunde tillväxter ske, som delvis mycket snabbt kan leda till reaktortilltäppning och därmed till ett avbrott av processen.
I varje fall åstadkommes emellertid, p g a den sig föränder- liga reaktorgeometrin, en sig likaledes förändrande produkt.
För att minska HCl-partialtrycket inblåstes genom en ytter- ligare ringspalt i det sjätte segmentet nedifrån medelst en ytterligare gasinloppsanordning 200 Nl/min Ar i reaktions- röret 4. Produkten (TiC med en enhetlig partikelstorlek av ca 50 nm) avskildes i återblåsningsfiltret 10 vid en temperatur av 600°C från gaserna (H2, CH4, HCl, Ar).
Valet av denna temperatur gjordes för att hålla den primära beläggningen av de mycket stora partikelytorna (45,6 m2/g) med HCl på en låg nivå (ca 1% Cl).
Den således framställda TiC uppsamlades under 40 minuter (d v s 1 300 g) i återblåsningsfiltret för att sedan 10 15 20 25 30 510 818 18 överföras till evakueringsbehållaren 11. Genom denna behållare passerade under en tid av 35 minuter åtta pump- -genomströmningscykler med ett slutvakuum av 0,1 mbar abs.
Behållaren genomströmmades med Ar till ett tryck av 1 100 mbar abs. Efter 35 minuter överfördes det således behandlade TiC-pulvret till kylningsbehållaren 12. I denna behållare är genom inblåsning av olika gas/ång-blandning- ar även en målmedveten ytutformning möjlig. Efter kylning av pulvret till under 50°C överfördes detta utan kontakt med den yttre luften förmedelst slussen 13 till uppsamlings- och försändningsbehållaren.
Det pyrofora TiC-pulvret uppvisade vid en specifik yta av 45,6 m2/g enligt BET, uppmätt enligt N2-l-punkt- -metoden (DIN 66 131), motsvarande 10 nm, en extremt snäv kornstorleksfördelning.
En REM-upptagning av detta TiC-pulver med en specifik yta av 45,6 m2/g visade den mycket snäva fördelningen av partikelmåtten och frihet från korn med överdriven storlek. Mindre än 1% av de enskilda partiklarna uppvisar i enlighet därmed en avvikelse med mer än 10% och inga enskilda partiklar en avvikelse med mer än 40% från medel- kornstorleken. Enligt nuvarande mätteknik kan en till- förlitlig utsaga över partikelstorleksfördelningen för ett sådant extremt fint pulver erhållas endast medelst bildalstrande metoder (t ex REM, TEM).
Analys av detta TiC-pulver gav en syrehalt av 80 ppm och en summa av icke-oxidiska föroreningar av 890 ppm. 10 15 20 25 30 35 5 ífoiïåsd ' 19 Exempel 4 Ta framställdes enligt följande reaktionslikhet TaCl5 + 2 1/2 H > Ta + 5HCl 2 i en apparatur enligt Fig. 1, varvid man upprätthöll ett överskott av H2.
Härvid doserade man till förângaren la 100 g/min TaCl5 (fast, kokpunkt 142°C), förångade och värmde tillsammans med 50 Nl/min Ar i gasförvärmaren 2a till 1 300°C. Reaktions- komponenten H2 (200 Nl/min) infördes i gasförvärmaren 2.
Reaktionskomponenterna förvärmdes var för sig till en tempe- ratur av ca 1 300°C. Temperaturmätningen gjordes därvid med- elst ett W5Re-W26Re-termoelement 18 på det i Fig. 1 visade stället (1 450°C). Före inträdet i reaktionsröret 4 forma- des de från gasförvärmaren 2 utströmmande turbulenta enkel- strömsträngarna i den yttre delen av dysan 5 till en homogen, rotationssymmetrisk och laminär ringström. Den från gas- förvärmaren 2a utströmmande gasströmmen laminariserades likaledes i dysan 5 och infördes i ringströmningen. Dysan 5 bestod därvid av tre koaxiellt i förhållande till varandra anordnade deldysor. Från den mellersta deldysan utströmmade en inertgasström 16, som försköt stället för reaktionens början, d v s sammanträffandet för de båda delströmmarna 6 och 7 bort från dysan i reaktionsröret. I den inre ström- strängen åstadkoms medelst störningskroppen 17 med ett känne- tecknande mått av 3,0 mm (anordnad i dysans längdaxel) en virvelväg enligt Karman. Rörreaktorn hade vid en total längd av 1 100 mm vid dysutloppet en innerdiameter av 40 mm, 200 mm under dysan en innerdiameter av 30 mm och vid utloppet 50 mm.
Därvid ändrades innertvärsnittet ständigt under beaktande av strömningslagarna. Reaktionsröret 4 var sammansatt av 18 segment, varvid segmenten var förenade medelst en distans- och centreringsring. På dessa ställen åstadkoms en ringspalt 8. Som temperatur för reaktionsröret 4 inställdes 1 230°C, uppmätt vid reaktorytterväggen, 400 mm under dysan, medelst W5Re-W26Re-termoelementet 19. Trycket i reaktionsröret 4 10 15 20 25 30 35 510 818 20 var praktiskt taget identiskt med trycket i återblåsnings- filtret 10. Detta uppgick till 250 mbar övertryck. Reaktor- väggen genomspolades genom 18 ringspalter 8 med 200 Nl/min Ar. Om denna spolning av reaktorväggen med en inertgas ute- lämnades kan tillväxter uppstå, vilka delvis mycket snabbt kan leda till reaktortilltäppning och därmed till avbrott av processen. I varje fall åstadkommes emellertid, genom den sig ändrande reaktorgeometrin, en sig likaledes ändran- de produkt. För att minska HCI-partialtrycket inblåstes i reaktionsröret 4 genom den sjätte ringspalten nedifrån medelst en ytterligare gasinloppsanordning 200 Nl/min Ar.
Produkten (Ta med en enhetlig partikelstorlek av ca 25 nm) avskildes i återblåsningsfiltret 10 vid en temperatur av 600°C från gaserna (H2, HCl, Ar).
Valet av denna temperatur gjordes i syfte att hålla den primära beläggningen av de mycket stora partikelytorna (18 m2/g) med HCl på en låg nivå (ca 0,8% Cl).
Det således framställda Ta uppsamlades under 40 minuter (d v s 2 000 g) i återblåsningsfiltret för att sedan överföras till evakueringsbehållaren 11. Denna behållare genomströmmades under ett tidsrum av 35 minuter av åtta pump-genomströmningscykler med ett slutvakuum av 0,1 mbar abs. Behållaren genomströmmades med Ar till ett tryck av 1 100 mbar abs. Efter 35 minuter överfördes det således behandlade Ta-pulvret till kylningsbehållaren 12. I denna behållare är genom inblåsning av olika gas/ång-blandningar även en målmedveten ytutformning möjlig. Efter kylning av pulvret till under 50°C överfördes detta utan kontakt med den yttre luften förmedelst slussen 13 till uppsamlings- och försändningsbehållaren.
Det pyrofora Ta-pulvret uppvisade vid en specifik yta av 17 m2/g enligt EET, uppmätt enligt N2-1-punkt- -metoden (DIN 66 131), motsvarande 25 nm, en extremt snäv kornstorleksfördelning. 10 15 20 25 30 35 ànbiiswsiw 21 En REM-upptagning av detta Ta-pulver med en specifik yta av 25 m2/g visade den mycket snäva fördelningen av partikel- måtten och friheten från korn med överstorlek. Mindre än 1% av de enskilda partiklarna uppvisar en avvikelse med mer än 10% och inga enskilda partiklar uppvisar en avvikelse av mer än 40% från medelkornstorleken. Enligt nuvarande mät- teknik kan en tillförlitlig utsaga över en partikelstorleks- fördelning för sådan extremt fina pulver erhållas endast via bildalstrande metoder (t ex REM, TEM).
Analys av detta Ta-pulver gav en syrehalt av 70 ppm och summan av icke-oxidiska föroreningar uppgick till 430 ppm.
Exempel 5 Nb2O5 framställdes enligt följande reaktionslikhet 2 NbCl5 + 2 1/2 02 > Nb2O5 + 5Cl2 i en apparatur enligt Pig. l. Som syrebärare insattes luft i överskott.
Härvid doserade man till förångaren la 100 g/min NbCl5 (fast, kokpunkt 254°C), förångade och värmde tillsammans med 50 Nl/min N2 i gasförvärmaren 2a till l 250°C. Luft (400 Nl/min) infördes i gasförvärmaren 2. Reaktionskomponent- erna förvärmdes var för sig till en temperatur av ca 1 200°C.
Temperaturmätningen gjordes därvid medelst ett W5Re-W26Re- -termoelement 18 på det i Fig. 1 visade stället (1 450°C).
Före inträdet i reaktionsröret 4 formades de från gas- förvärmaren 2 utströmmande turbulenta enkelströmsträngarna i den yttre delen av dysan 5 till en homogen, rotations- symmetrisk och laminär ringström. Den från gasförvärmaren 2a utströmmande gasströmmen laminariserades likaledes i dysan 5 och infördes i ringströmningen. Dysan 5 bestod därvid av tre koaxiellt i förhållande till varandra anordnade deldysor.
Från den mellersta deldysan utströmmade en inertgasström 16, som försköt stället för reaktionens början, d v s samman- träffandet av de båda delströmmarna 6 och 7 bort från dysan 10 15 20 25 30 35 510 818 22 i reaktionsröret. I den inre strömsträngen åstadkoms med- elst störningskroppen 17 med ett kännetecknande mått av 4,0 mm (anordnad i dyslängdaxeln) en virvelväg enligt Karman.
Reaktionsröret hade vid en total längd av 1 100 mm vid dys- utloppet en innerdiameter av 45 mm, 200 mm under dysan en innerdiameter av 30 mm. Efter en utvidgning till 90 mm (vid 290 mm under dysan) uppgick innerdiametern vid utloppet till 105 mm.
Därvid ändrades innerdiametern under beaktande av strömnings- lagarna. Reaktionsröret 4 var sammansatt av 18 segment, varvid segmenten var förenade medelst en distans- och centreringsring. På dessa ställen åstadkoms genomgående en ringspalt 8.
Dysan 5, reaktionsröret 4 och värmeväxlaren 2 var tillverkade av oxidkeramik. Värmeväxlaren 2a bestod av skiktad grafit.
Den stora vidgningen av reaktorns tvärsnitt är nödvändig för att med lång uppehållstid överföra även biprodukten Nb02Cl till Nb205. som temperatur för reaktionsröret 4 inställdes 1 300°C, uppmätt vid reaktorytterväggen, 400 mm under dysan, medelst W5Re-W26Re-termoelementet 19. Trycket i reaktionsröret 4 var praktiskt taget identiskt med trycket i återblåsnings- filtret 10. Detta uppgick till 250 mbar övertryck. Reaktor- väggen spolades genom 18 ringspalter 8 med 200 Nl/min N2.
Om denna spolning av reaktorväggen med en inertgas utelämnas kan tillväxter ske, som delvis mycket snabbt kan leda till reaktortilltäppning och därmed till avbrott i processen. I varje fall åstadkommes emellertid, genom den sig förändrande reaktorgeometrin, en sig likaledes ändrande produkt. För att minska C12-partialtrycket inblåstes i reaktionsröret 4 genom den sjätte ringspalten nedifrån medelst en ytterligare gasinloppsanordning 200 Nl/min N2. Produkten (Nb205 med en enhetlig partikelstorlek av ca 45 nm) avskildes i åter- blåsningsfiltret 10 vid en temperatur av 600°C från gaserna (C12, NZ). 10 15 20 25 30 35 siåb is1š i 23 Valet av denna temperatur för att hålla den primära beläggningen av de mycket stora partikelytorna (42 m2/g) med C12 på en låg nivå.
Det således framställda Nb205 uppsamlades under 40 minuter (d v s 1 950 g) i återblåsningsfiltret för att därefter överföras till evakueringsbehållaren 11. Denna behållare genomlöptes under en tid av 35 minuter av åtta pump- -genomströmningscykler med ett slutvakuum av 0,1 mbar abs.
Behållaren genomströmmades med Ar till ett tryck av 1 100 mbar abs. Efter 35 minuter överfördes det således behandlade Nb205-pulvret till kylningsbehållaren 12. I denna behållare är genom inblåsning av olika gas/ång- -blandningar även en målmedveten ytutformning möjlig.
Efter kylning av pulvret till under 50°C överfördes detta utan kontakt med den yttre luften medelst slussen 13 till uppsamlings- och försändningsbehållaren.
Nb205-pulvret visade vid en specifik yta av 42 m2/g enligt BET, uppmätt enligt N2-1-punkt-metoden (DIN 66 131), mot- svarande 45 nm, en extremt snäv kornstorleksfördelning.
En REM-upptagning av detta Nb205-pulver med en specifik yta av 42 m2/g visade den mycket snäva fördelningen av partikel- måtten och friheten från korn med överstorlek. Mindre än 1% av de enskilda partiklarna uppvisar därmed en avvikelse med mer än 10% och inga enskilda partiklar uppvisar en avvikelse med mer än 40% från medelkornstorleken. Enligt nuvarande mätteknik kan en tillförlitlig utsaga beträffande en partikelstorleksfördelning för ett sådat extremt fint pulver erhållas endast medelst bildalstrande metoder (t ex REM, TEM).
Analys av detta Nb205-pulver gav som summa av de metalliska föroreningarna 700 ppm.

Claims (7)

    10 15 20 25 30 35 510 818 24 Patentkrav
  1. l. Förfarande för framställning av finkorniga metall- och/ eller keramikpulver genom reaktion av motsvarande metall- föreningar och ytterligare reaktionskomponenter i gasfas, varvid metallföreningen resp. -föreningarna och den ytter- ligare resp. de ytterligare reaktionskomponenterna får rea- gera i gasformigt tillstànd i en rörreaktor och därefter kon- denseras homogent direkt från gasfasen under uteslutning av varje väggreaktion genom avskärmning av reaktionsmediet från rörreaktorns vägg, och därefter avskiljes från reaktions- mediet, kännetecknat av att metallföreningarna och ytterli- gare reaktionskomponent eller -komponenter var för sig med åtminstone reaktionstemperatur, dvs med åtminstone en tempe- ratur, vid vilken de kan reagera, som koaxiella, laminära, i samma riktning strömmande delströmmar införes i rörreaktorn under avskärmning från reaktorväggen.
  2. 2. Förfarande enligt krav l, kännetecknat av att reaktions- komponenterna och produktpartiklarna genomströmmar reaktorn laminärt.
  3. 3. Förfarande enligt krav 2, kännetecknat av att de koaxiel- la, laminära delströmmarna av reaktionskomponenterna blandas på ett definierat sätt medelst en virvelväg enligt Kármán.
  4. 4. Förfarande enligt ett eller flera av krav 1-3, känne- tecknat av att avskiljningen av metall- eller keramikpulvret företas vid temperaturer som ligger över kok- resp sublime- ringstemperaturen för de insatta reaktionskomponenterna och/ eller för under reaktionen ofránkomligen bildade biprodukter.
  5. 5. Förfarande enligt krav 4, kännetecknat av att de avskilda metall- eller keramikpulvren renas genom växelvist anläggande av vakuum och genomströmning med olika gaser såsom N2, Ar och Kr, speciellt föredraget SF6. 10 510 818 25
  6. 6. Förfarande enligt ett av krav 4 eller 5, kânnetecknat av att de avskilda metall- eller keramikpulvren ytmodifieras genom behandling med gas/ånga-blandningar.
  7. 7. Förfarande enligt ett eller flera av krav 1-6, känneteck- nat av att som metallföreningar insättes en eller flera från gruppen BCl3, borsyraestrar, boraner, SiCl4, andra halogen- silaner, silaner, metallhalogenider, delvis hydrerade metall- halogenider, metallhydrider, metallalkoholater, metall- alkyler, metallamider, metallazider, metallboranater och metallkarbonyler.
SE9301466A 1992-05-04 1993-04-29 Förfarande för framställning av finkornigt metall- och keramikpulver SE510818C2 (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4214719A DE4214719C2 (de) 1992-05-04 1992-05-04 Verfahren zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9301466D0 SE9301466D0 (sv) 1993-04-29
SE9301466L SE9301466L (sv) 1993-11-05
SE510818C2 true SE510818C2 (sv) 1999-06-28

Family

ID=6458136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9301466A SE510818C2 (sv) 1992-05-04 1993-04-29 Förfarande för framställning av finkornigt metall- och keramikpulver

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5472477A (sv)
JP (1) JPH0649514A (sv)
KR (1) KR100251665B1 (sv)
AT (1) AT405723B (sv)
DE (1) DE4214719C2 (sv)
IL (1) IL105592A (sv)
SE (1) SE510818C2 (sv)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE9403581U1 (de) 1994-03-03 1994-04-28 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 76133 Karlsruhe Beschichtetes Nanopulver und Vorrichtung zu dessen Herstellung
DE4445205A1 (de) * 1994-12-17 1996-06-20 Degussa Zirkondioxidpulver, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung
US6524548B1 (en) 1994-12-17 2003-02-25 Degussa Ag Zirconium dioxide powder, method of its production and use
DE19623587A1 (de) * 1996-06-13 1997-12-18 Dlr Deutsche Forschungsanstalt Keramische Verdampfermaterialien
US6832735B2 (en) * 2002-01-03 2004-12-21 Nanoproducts Corporation Post-processed nanoscale powders and method for such post-processing
US5851507A (en) * 1996-09-03 1998-12-22 Nanomaterials Research Corporation Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders
US5905000A (en) * 1996-09-03 1999-05-18 Nanomaterials Research Corporation Nanostructured ion conducting solid electrolytes
US6933331B2 (en) 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
WO1998022539A1 (de) * 1996-11-15 1998-05-28 Bayer Aktiengesellschaft Uv-lichtabsorber, eine matrix, enthaltend diesen uv-lichtabsorber, ein verfahren zum herausfiltern ultravioletter strahlung und die verwendung von uv-lichtabsorbern
WO1998024576A1 (en) * 1996-12-05 1998-06-11 The University Of Connecticut Nanostructured metals, metal alloys, metal carbides and metal alloy carbides and chemical synthesis thereof
DE19746513A1 (de) * 1997-10-22 1999-04-29 Agfa Gevaert Ag Farbfotografisches Aufzeichnungsmaterial
DE19749082A1 (de) * 1997-11-06 1999-05-12 Bayer Ag Nanoskalige anorganische Pigmente enthaltende Ink-Jet-Tinten
DE19756740A1 (de) 1997-12-19 1999-06-24 Bayer Ag UV-geschützte elektrochrome Vorrichtung
JP4611464B2 (ja) * 1998-06-12 2011-01-12 東邦チタニウム株式会社 金属粉末の製造方法
ES2232177T3 (es) 1998-09-08 2005-05-16 Bayer Innovation Gmbh Dispositivo electrocromico con filtro amarillo.
DE19905797A1 (de) 1999-02-12 2000-08-17 Bayer Ag Elektrochrome Vorrichtung mit Nanoteilchen und UV-Absorber in der Schutzschicht
IL134891A0 (en) * 2000-03-06 2001-05-20 Yeda Res & Dev Reactors for production of tungsten disulfide hollow onion-like nanoparticles
KR100366774B1 (ko) * 2000-03-21 2003-01-09 이재성 초미립 금속분말제품 제조장치
US7241399B2 (en) * 2000-09-08 2007-07-10 Centrum Fuer Angewandte Nanotechnologie (Can) Gmbh Synthesis of nanoparticles
IL139266A0 (en) 2000-10-25 2001-11-25 Yeda Res & Dev A method and apparatus for producing inorganic fullerene-like nanoparticles
US6513728B1 (en) 2000-11-13 2003-02-04 Concept Alloys, L.L.C. Thermal spray apparatus and method having a wire electrode with core of multiplex composite powder its method of manufacture and use
US6674047B1 (en) 2000-11-13 2004-01-06 Concept Alloys, L.L.C. Wire electrode with core of multiplex composite powder, its method of manufacture and use
US6428596B1 (en) 2000-11-13 2002-08-06 Concept Alloys, L.L.C. Multiplex composite powder used in a core for thermal spraying and welding, its method of manufacture and use
JP3995082B2 (ja) * 2001-07-18 2007-10-24 日鉱金属株式会社 ゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法
US6855426B2 (en) 2001-08-08 2005-02-15 Nanoproducts Corporation Methods for producing composite nanoparticles
US7442227B2 (en) 2001-10-09 2008-10-28 Washington Unniversity Tightly agglomerated non-oxide particles and method for producing the same
CA2463444C (en) * 2001-11-06 2008-02-19 Cyprus Amax Minerals Company Apparatus and method for producing pigment nano-particles
US7029507B2 (en) * 2001-11-29 2006-04-18 Nanoproducts Corporation Polishing using multi-metal oxide nanopowders
US20050287925A1 (en) * 2003-02-07 2005-12-29 Nathan Proch Collectible item and code for interactive games
US7220793B2 (en) * 2002-02-20 2007-05-22 Ppg Industries Ohio, Inc. Curable film-forming composition exhibiting improved resistance to degradation by ultraviolet light
US7449044B2 (en) * 2002-09-30 2008-11-11 Toho Titanium Co., Ltd. Method and apparatus for producing metal powder
US7708974B2 (en) 2002-12-10 2010-05-04 Ppg Industries Ohio, Inc. Tungsten comprising nanomaterials and related nanotechnology
BRPI0400086A (pt) * 2004-03-09 2005-11-01 Cbmm Sa Catalisador de cobalto para sìntese de fischer-tropsch, suporte para o mesmo, processos de preparação do suporte e do catalisador e uso do catalisador
CA2512317A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-20 E.I. Dupont De Nemours And Company Process for making metal oxide nanoparticles
CN101151210B (zh) * 2005-03-30 2011-09-21 福冈县 碳化钛粉末和碳化钛-陶瓷复合粉末及其制造方法,以及碳化钛粉末的烧结体和碳化钛-陶瓷复合粉末的烧结体及其制造方法
DE102005035704A1 (de) * 2005-07-27 2007-02-01 Behr Gmbh & Co. Kg Zu verlötende Oberfläche
KR100869065B1 (ko) * 2006-09-21 2008-11-18 요업기술원 금속 나노 분말의 소결 방법 및 그 소결체, 금속 나노 분말의 제조 방법
JP7054391B2 (ja) * 2016-07-08 2022-04-13 アルコア ユーエスエイ コーポレイション セラミック粉末を製造するためのシステム及び方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT236133B (de) * 1961-05-03 1964-10-12 Union Carbide Corp Verfahren zur Herstellung ultrafeiner Metallteilchen
CH526333A (de) * 1967-05-19 1972-08-15 Bayer Ag Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung von Reaktionen zwischen Gasen
US3671220A (en) * 1969-05-19 1972-06-20 Nordstjernan Rederi Ab Process for the production of powdered metals
JPS597765B2 (ja) * 1980-09-13 1984-02-21 昭宣 吉澤 微粉末金属の製造方法
US4383853A (en) * 1981-02-18 1983-05-17 William J. McCollough Corrosion-resistant Fe-Cr-uranium238 pellet and method for making the same
JPS59227765A (ja) * 1983-06-04 1984-12-21 科学技術庁金属材料技術研究所長 セラミツクスの超微粒子の製造法
DE3581293D1 (de) * 1984-02-09 1991-02-21 Toyota Motor Co Ltd Verfahren zur herstellung von ultrafeinen keramikpartikeln.
JPS60175537A (ja) * 1984-02-22 1985-09-09 Toyota Motor Corp セラミツク超微粒子の製造方法
JPS6193828A (ja) * 1984-10-16 1986-05-12 Natl Res Inst For Metals 混合超微粉の製造法
US4994107A (en) * 1986-07-09 1991-02-19 California Institute Of Technology Aerosol reactor production of uniform submicron powders
US4808216A (en) * 1987-04-25 1989-02-28 Mitsubishi Petrochemical Company Limited Process for producing ultrafine metal powder
GB8809651D0 (en) * 1988-04-23 1988-05-25 Tioxide Group Plc Nitrogen compounds
DE3924300A1 (de) * 1989-01-21 1991-01-31 Basf Ag Verfahren zur herstellung von pulverfoermigen metallnitriden
US5178844A (en) * 1990-04-03 1993-01-12 Phillips Petroleum Company Method and apparatus for producing nitride products

Also Published As

Publication number Publication date
SE9301466D0 (sv) 1993-04-29
IL105592A0 (en) 1993-09-22
AT405723B (de) 1999-11-25
IL105592A (en) 1996-12-05
DE4214719C2 (de) 1995-02-02
JPH0649514A (ja) 1994-02-22
KR100251665B1 (ko) 2000-04-15
DE4214719A1 (de) 1993-11-11
KR930023096A (ko) 1993-12-18
ATA83493A (de) 1999-03-15
US5472477A (en) 1995-12-05
SE9301466L (sv) 1993-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5356120A (en) Device for producing finely-divided metal and ceramic powder
KR100251665B1 (ko) 미립자 금속 및 세라믹 분말의 제조 방법
JP3356323B2 (ja) 微粒子金属粉
KR100251664B1 (ko) 미립자 금속 분말
KR100254065B1 (ko) 미립자 산화물 세라믹 분말
US5855678A (en) Fluidized bed reactor to deposit a material on a surface by chemical vapor deposition, and methods of forming a coated substrate therewith
EP0650791B1 (de) Feinteilige Metall-, Legierungs- und Metallverbindungspulver
US5389585A (en) Fine non-oxide ceramic powders
US3848068A (en) Method for producing metal compounds
US6416862B1 (en) Ultrafine particulate zinc oxide and production process thereof
EP1215174B1 (en) Highly white zinc oxide fine particles and method for preparation thereof
US3429661A (en) Process for the preparation of finely divided,non-pyrophoric nitrides of zirconium,hafnium,niobium,and tantalum
JPH06127923A (ja) 多結晶シリコン製造用流動層反応器
JPS6250466A (ja) 窒化珪素膜を有する物品の製造法

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 9301466-0

Format of ref document f/p: F