SE519461C2 - Elektronisk komponent och radioterminal utnyttjande denna - Google Patents

Description

35 519 461 2 komponentens längd Ll i en riktning mot uttagsparet (den längsgående riktningen) och längdema P5 och P6 i tvärsnitt i den längsgående riktningen hos uttagsparet motsvarar följande samband : 0,07 < P5/Ll < 0,35 0,07 < P6/L1 < 0,35 Radioterrninalen enligt föreliggande uppfinning använder sig av ovanstående elektroniska komponent enligt föreliggande uppfinning i minst en svängningskrets, fllterkrets, antenn, anpassningskrets mellan steg, och deras perifera kretsar.

KORT beskrivning av figurema Figur 1 (a) och 1 (b) visar ett induktionselement enligt en föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning.

Figur 2 är en tvärsnittsvy av induktionselementet enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 3 är en perspektivvy av ett substrat som används som induktionselementet enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 4 är ett diagram som illustrerar sambandet mellan substratets ytråhet och uppträdandet av avflagning hos den ledande filmen som används som induktionselement enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 5 är ett diagram som illustrerar sambandet mellan fiekvensen och Q-värdet gentemot ytråheten hos substratet som används som induktionselement i enlighet med den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 6 är ett diagram som illustrerar sambandet mellan frekvensen och Q gentemot ytråheten hos den ledande filmen som används som induktionselement enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 7 är en förstorad tvärsnittsvy av en del i vilken ett skyddsmaterial för induktionselementet är anordnat enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 8 illustrerar ett förfarande med anordnande av skyddsmaterialet på induktionselementet enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 9 illustrerar den s k "Manhattan-defekten".

Figur 10 ett diagram som illustrerar sambandet mellan filmtjockleken hos ett uttag hos en elektronisk komponent och uppträdandet av lodurlaknng enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 11 ett diagram som illustrerar sambandet mellan filmtjockleken hos induktionselementets uttag och Q hos induktionselementet vid den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 12 är en perspektivvy av en radioterminal i överensstämmelse med en föredragen utföringsformen av föreliggande uppfinning. 10 15 20 25 30 35 . . » - i n 519461 3 Figur 13 är ett blockschema för radioterminalen enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning Figur 14 är ett schema som illustrerar ett förfarande för mätning av trycket i den elektroniska komponenten.

Figur 15 är ett diagram som illustrerar sambandet mellan filmtjockleken hos ett isolerande lager i den elektroniska komponenten och uppträdandet av fel enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 16 är ett diagram som illustrerar sambandet mellan filmtjockleken hos det isolerande lagret i induktionselementet och ytans form enligt den föredragna utföringsforrnen av föreliggande uppfinning.

Figur 17 är en sidovy av ett klassiskt induktionselement.

Beskrivning av den FÖREDRAGNA UTFÖRINGSFORMEN Här nedan beskrivs föredragna utföringsforrner av en elektronisk komponent och en radioterrninal enligt föreliggande uppfinning, varvid ett induktorelement väljs som exempel.

Enligt vad som visas i figurema 1(a) och l(b) är ett substrat 11 på typiskt sätt uppbyggt som vid pressning och strängpressning av ett isolerande material.

En ledande film 12 har bildats på substratet 11 genom plätering, förstofining, CVD- teknik (Chemicals Vapour Deposition = kemisk ångavsättning), vakuumavsättning eller liknande.

Ett spår 13 skapas på substratet 11 och den ledande filmen 12 genom tillämpning av en laserstråle, genom mekanisk urskärning med användning av en brynsten, eller bildas genom selektiv etsning med användning av en etsningsresist eller liknande på den ledande filmen 12.

Ett skyddsmaterial 14 som anbringas på substratet och på spåret av den ledande filmen 12 består av två skikt 14a och 14b.

Uttagen 15 och 16 är bildade på substratets 11 båda ändar.

Induktionselementet vid den föredragna utföringsforrnen av föreliggande uppfinning har ett praktiskt användbart frekvensband från 1 till 6 GHz, vilket är ett högfrekvensband, och har även ett extremt högt Q-värde (20 eller mer : 800 MHz).

Detta induktionselement har företrädesvis en längd L1, en bredd L2 och höjd L3 enligt följande : Ll = 0,2-2,0 mm (företrädesvis 0,3-0,8 mm) L2 = O,1-l,0 mm (företrädesvis 0,1-0,4 mm) L3 = 0,1-1,0 mm (företrädesvis 0,1-0,4 mm) (Dimensionstoleransen hos L1, L2 och LS motsvarar företrädesvis 0,2 mm eller mindre för vardera).

Om 1.1 motsvarar 0,2 mm eller mindre kan det hända att den nödvändiga induktansen inte uppnås. Å andra sidan, om L1 överstiger 2,0 mm kan elementens storlek 10 15 20 25 30 35 . . , . i v 519 461 4 vara alltför betydande för att möjliggöra miniatyrisering av mönsterkort på vilka elektroniska kretsar eller liknande (hädanefter hänvisas till dessa som till mönsterkorten) bildas, och kan även leda till en omöjlighet att minska storleken hos elektriska apparater där sådana mönsterkort används.

Om L2 och L3 motsvarar 0,1 mm eller mindre blir den mekaniska hållfastheten hos själva elementet alltför låg, och detta kan resultera i att elementet bryts av om det monteras på mönsterkort. Om L2 och L3 motsvarar 0,1 mm eller mer blir storleken hos elementet alltför betydande för att möjliggöra miniatyrisering av mönsterkorten och apparatema.

Hädan följer en detaljbeskrivning av varje del av induktionselementet som konfigurerats här ovan.

Först kommer substratets 11 form att beskrivas.

Substratet 11 har företrädesvis en prismatisk eller cylindrisk form. Det prismatiska substratet 11, enligt vad som visas i figurema 1(a), 1(b) och 2, förbättrar monterbarheten och förhindrar att elementet tippar. Särskilt det kvadratiska primsubstratet 11 i prismatiska substrat förbättrar i hög grad monterbarheten och underlättar inriktningen av substratet 1 1 på mönsterkorten. Det prismatiska substratet ll har företrädesvis en bottenyta med en rätvinklig fyrkant för att ytterligare förbättra monterbarheten. Det prismatiska substratet ll ger även en ytterst enkel konfiguration, vilket ökar produktiviteten och i hög grad minskar kostnaden.

Det cylindriska substratet ll gör det möjligt att exakt ställa in dimensionema som t ex djupet hos ett spår som skall skapas på den ledande filmen 12 vilken är bildad på substratet 11, enligt vad som beskrivs här nedan, som t ex genom tillämpning av en laser på den ledande filmen 12. Detta minskar avvikelserna från lindningsegenskapema.

Här nedan beskrivs med hänvisning till figur 3 avfasningen av substratet 11.

Figur 3 är en perspektivvy av substratet 11. Substratets ll höm llb och llc är avfasade, varvid kurvradien Rl hos det avfasade hörnen llb och llc, och kurvradien R2 hos hömet 1 la uppfyller företrädesvis följande villkor : 0,01 < Rl < 0,15 (enhet:mm); och 0,01 < R2 (enhet:mm); Om Rl motsvarar 0,01 mm eller mindre kan de skarpa hömen l lb och llc avskavas med bara ett litet slag. Sådan avskavning kan försämra egenskaperna. Om R1 motsvarar 0,15 mm eller mer kan överdrivet runda höm llb och llc förorsaka den s k "Manhattan-defekten" (beskrivs i detalj här nedan), vilken leder till en defekt. Vidare om R2 motsvarar 0,01 mm eller mindre kan sannolikt grader uppstå på hömet lla. Detta kan leda till en mycket stor skillnad i tjocklek hos den ledande filmen 12 som har ett stort inflytande på egenskaper för elementet mellan ett höm 11a och en plan zon llf, vilket ökar variationema hos elementens egenskaper.

Här följer nu en beskrivning av materialen i substratet 1 1.

Substratet ll tillverkas företrädesvis av material som tippvisar följande egenskaper 2 Volymresistivitet : 1013 ohmøm min (företrädesvis 10" ohmøm eller mer); 10 15 20 25 30 35 1 . . , . w .,:.» 519 461 5 Värmeutvidgningskoefficient : 5 x 104 m/°C max (företrädesvis z 2 x l0'5/°C eller mindre).

[Värrneutvidgningskoefficient vid 20°C till 500°C] Dielektrisk konstant : max 12 vid 1 MHz (företrädesvis 10 eller mindre); Böjhållfasthet : minst 1300 kg/cmz min (företrädesvis 2000 kg/cmz eller mer); och Densitet : 2-5 g/cm3 (företrädesvis 3-4 g/cms ).

Om volymresistiviteten hos materialet i substratet 11 motsvarar 10" ohmøm eller mindre går en ström även till substratet l l förutom till den ledande filmen 12, vilket leder till en parallell krets. Detta minskar självsvängningsfrekvensen fo och Q, vilket är olämpligt för ett högfrekvenselement.

Om värmeutvidgningskoefficienten motsvarar 5 x l0'4/°C eller mer, kan substratet ll spricka genom värmepåkänningen. Närmare bestämt kan en värmeutvidgningskoefficient på 5 x l0'4/°C eller mer förorsaka en lokal temperaturstigning i substratet ll och kan förorsaka en spricka eflersom spåret 13 har bildats med hjälp av en laserstråle eller en brynsten enligt vad som beskrivits här ovan. Förekomsten av sprickor kan drastiskt elimineras genom användning av ett material med en värmeutvidgningskoefficient som uppfyller ovan nämnda villkor för substratet 1 1.

Om den dielektriska konstanten motsvarar 12 eller mer vid 1 MHz minskas självsvängningsfrekvensen fo och Q, vilket är olämpligt för högfrekvenselement.

Om böjhållfastheten motsvarar 1300 kg/cmz eller mindre kan elementet brytas av vid monteringen på mönsterkretsar med hjälp av en monteringsmaskin.

Om densiteten motsvarar 2 g/cm3 eller mindre ökar vattenabsorptionen hos substratet 11 vilket leder till en påtaglig försämring av substratets 11 egenskaper, vilket försämrar elementets egenskaper.

Om densiteten motsvarar 5 g/cm3 eller mer blir substratets ll vikt alltför hög, vilket förorsakar problem med avseende på monterbarheten. Särskilt om densiteten ställs in inom det ovan nämnda området har substratet 11 en liten vattenabsorption, vilket förhindrar inträngande vatten i substratet 11 och det har låg vikt vilket passar för montering på ett mönsterkort där man på typiskt sätt använder sig av en chipmonteringsmaskin.

Genom att specificera resistivitetsvolymen, värmeutvidgningskoefficienten, den dielektriska konstanten, böjhållfastheten och densiteten hos substratet ll kan en minskning av självsvängningsfrekvensen fo och Q förhindras, vilket möjliggör användning av elementet för tillämpningar med högfrekvens. Dessutom kan uppträdandet av sprickor i substratet 11 genom värmestötar elimineras. Detta gör det möjligt att minska defektvärdet och att montera elementet på mönsterkort med hjälp av monteringsmaskiner eller liknande och att således uppnå signifikanta effekter inkl en förbättring av produktiviteten.

Ett av de material som motsvarar ovanstående egenskaper är ett keramiskt material som huvudsakligen består av aluminiumoxid. Ett keramiskt material som huvudsakligen består av aluminiumoxid är emellertid inte alltid i stånd att uppnå ovanstående egenskaper. 10 15 20 25 30 35 , . i . - . 519 461 6 Med andra ord kan egenskapema skilja sig p g a presstyck, bränntemperatur och liknande och måste Specifika tillverkningsprocessen, samt genom tillsatsämnen. Följaktligen enligt vad nödvändigt. tillverkningsförhållanden för behandling av substratet 11 innefattar : pressningstemperatur av tillverkningsförhållandena justeras som är 2-5 ton, bränntemperatur av 1500-l600°C och en bränntid av 1-3 timmar. Ett exemplariskt aluminiumoxidmaterial innehåller 92 vikt-% eller mer av AlgOg, 6 vikt-% eller mindre av SiOg, 1,5 vikt-% eller mindre av MgO, 0,1 vikt-% eller mindre av FeO; och 0,3 vikt-% eller mindre av NazO.

Substratet 11 kan även tillverkas av ett magnetiskt material såsom ferrit eller liknande material. Om substratet 11 tillverkas av ett magnetiskt material såsom ferrit kan ett element med hög induktans (18 nH-50 nH) erhållas. 1 detta fall används företrädesvis ferrit med hög resistans vars resistivitetsvolym uppfyller det ovan nämnda villkoret.

Nu följer en beskrivning av substratets ll ytråhet.

Termen "ytråhet" i den följande beskrivningen refererar i samtliga fall till den genomsnittliga ytråheten. Beskrivningarna av råheten hos den ledande filmen 12 refererar likaledes till den genomsnittliga ytråheten.

Ytråheten hos substratet 11 motsvarar approximativt 0,15 till 0,5 um, företrädesvis 0,2 till 0,3 um. Figur 4 är ett diagram som illustrerar substratets 1 1 ytråhet och uppträdandet av avflagning hos den ledande filmen 12.

Figur 4 visar resultaten av följande experiment.

Substratet ll och den ledande filmen 12 tillverkas av aluminiumoxid respektive koppar. Flera prover av substratet ll med olika ytråheter prepareras och den ledande filmen 12 bildas på varje provbit under samma förhållanden. Provbitarna tvättas med hjälp av ultraljud och därefter granskas ytan hos den ledande filmen 12 för att identifiera avflagning hos densamma.

Substratets 11 ytråhet mäts med ett mätinstrument för ytråhet (modell 574A, Tokyo Seimitsu Surcom Co., Ltd.). Radien R hos mätnålens spets motsvarar 5 um. Av resultaten framgår att förekomsten av avflagning på den ledande filmen 12 som är bildad på substratet ll motsvarar ca 5 % eller mindre när medelytråheten (Ra) är 0,15 um eller mer och sålunda kan en tillfredsställande bindningsstyrka mellan substratet 11 och den ledande filmen 12 uppnås.

Vidare inträffar avflagning hos den ledande filmen 12 sällan när substratets 11 ytråhet motsvarar 0,2 um eller mer. Följaktligen motsvarar substratets ytråhet företrädesvis 0,2 um eller mer. Avflagning hos den ledande filmen 12 ökar markant försämringen av elementets egenskaper och uppträdande av avflagning bör på idealiskt sätt hållas vid 5 % eller mindre med hänsyn tagen till produktionsresultaten.

Figur 5 är ett diagram som illustrerar förhållandet mellan frekvensen och Q-värdet beroende på jftråheten hos det substrat ll som används i induktionselementet vid den föredragna utföringsfomien av föreliggande uppfinning. Figur 5 visar resultaten av nästa 10 15 20 25 30 35 519 461 experiment.

Först prepareras flera provbitar av substratet 11 med en ytråhet av 0,1 pm eller mindre, av substratet 11 med en ytråhet från 0,2 p till 0,3 pm och från ett substrat 11 med en ytråhet motsvarande 0,5 pm eller mer.

En ledande film som tillverkas av samma material (koppar) och som har samma tjocklek är bildad på varje provbit. Därefier mäts Q vid en förutbestämd frekvens F.

Av flgur 5 framgår att Q avtar, troligtvis förorsakat av en ändring i filmstrukturen hos den ledande filmen 12 när ytråheten hos substratet 11 är 0,5 pm eller mer. Q faller särskilt signifikant inom de höga frekvensbanden. Självsvängningsfrekvensen fo (Q är 0) ändras även till en låg frekvens när ytråheten hos substratet 11 motsvarar 0,5 pm. Följaktligen motsvarar substratets 11 ytråhet företrädesvis 0,5 pm eller mindre med hänsyn tagen till Q och självsvängningsfrekvensen fo.

Med beaktande av både bindningsstyrkan hos den ledande filmen 12 och substratet 11 och Q samt självsvängningsfrekvensen fo hos den ledande filmen 12 motsvarar substratets ll ytråhet företrädesvis från 0,15 pm till 0,5 pm och företrädesvis från 0,2 till 0,3 pm.

Vid föreliggande utföringsforrn justeras förbindningsstyrkan mellan den ledande filmen 12 och substratet 11 genom ändring av substratets 11 ytråhet. Förbindningsstyrkan mellan den ledande filmen 12 och substratet 11 kan även förbättras genom att man anordnar ett mellanskikt som innefattar minst något av ämnena: kol innehållande ett förutbestämt element, ett metalliskt material, endast Cr, eller en legering av Cr och en annan metall, utan att justera ytråheten. Ytterligare ökad förbindningsstyrka mellan den ledande filmen 12 och substratet 1 1 kan tydligen uppnås genom att justera substratets 1 1 ytråhet och laminera mellanskiktet och den ledande filmen 12 mot substratet 11.

Här följer nu en beskrivning av den ledande filmen 12.

Som ledande film 12 föredras ett material som har ett Q-värde motsvarande 20 eller mer vid högfrekvenssignalen överstigande 800 MHz, och som har en självsvängningsfrekvens från 1 till 6 GHz. För att erhålla en ledande film 12 med sådana egenskaper, kan det vara nödvändigt att specificera material och tillverkningsförfaranden.

Den ledande filmen 12 beskrivs i detalj här nedan.

För tillverkningen av den ledande filmen 12 kan material såsom koppar, silver, guld och nickel användas. Ett specifikt grundämne kan läggas till i dessa material för att förbättra vädermotståndet. En legering av ett ledande material och ett icke ledande material kan även användas. Med beaktande av kostnad, korrosionsbeständighet och formbarhet föredras koppar och dess legeringar. Om koppar eller liknande används som ledande film 12 bildas ett basskikt på substratet 11 genom en ej elektrisk plätering och därefter bildas en förutbestämd kopparfilm på basskiktet genom elektroplätering för att fullborda den ledande filmen 12. För användning av en legering som ledande film 12 kan förstofining, vakuumbeläggning, tryckning eller liknande företrädesvis användas.

Om den ledande filmen 12 är bildad av t ex koppar, som vid föreliggande 10 15 20 25 30 35 519 461 8 utföringsforin och filmen görs tjock för att undertrycka alstrande av självvämie uppfyller förhållandet mellan bredden Kl hos spåret 13 som skall bildas på den ledande filmen 12 och bredden K2 hos den ledande filmen 12 mellan spåren 13 företrädesvis följande villkor : 30 pm > Kl > 10 pm, och 300 pm > K2 > 10 pm.

Särskilt den elektriska resistansen kan göras mindre om induktionselementet uppfyller de ovan nämnda Kl- och K2-områdena och även följande villkor, enligt vad som beskrivits tidigare, med avseende på längden Ll, bredden L2 och höjden L3 : Ll = 0,2-2,0 mm (företrädesvis 0,3-0,8 mm) L2 = 0,1-1,0 mm (företrädesvis 0,1-0,4 mm) L3 = 0,1-1,0 mm (företrädesvis 0,1-0,4 mm) (Dimensionstoleransen hos var och en av Ll, L2 och L3 motsvarar företrädesvis 0,02 mm eller mindre).

Dessutom kan under ovan angivna förhållanden spåret 13 formas exakt på den ledande filmen 12, även om den ledande filmen 12 görs tjockare.

Den ledande filmen 12 kan utgöras av ett enda skikt, men den kan även vara konfigurerad med flera skikt. Med andra ord kan olika material lamineras för att bilda den ledande filmen. Först kan t ex en kopparfilm bildas på substratet 11 och därefier en metallfilm med god väderbeständighet (såsom nickel) lamineras på kopparfilmen för att förhindra korrosion av koppam för att förbättra väderbeständigheten.

Den (elektroplätering eller ellös plätering), förstoftning, CVD-förfarande, vakuumbeläggning eller ledande filmen 12 kan vara utformad genom tryckning, plätering, liknande. Vid dessa förfaranden är plätering att föredra med avseende på masstillverkning och mindre avvikelser hos filmtjockleken.

Ytråheten hos den ledande filmen 12 är företrädesvis 1 pm eller mindre och företrädesvis 0,2 pm eller mindre. Om den ledande filmens 12 ytråhet överstiger 1 pm minskas Q-värdet genom en yteffekt vid högfrekvensband. Figur 6 är ett diagram som illustrerar sambandet mellan frekvensen och Q gentemot ytråheten hos den ledande filmen som används som induktionselement enligt den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning.

Figur 6 visar resultaten av följande experiment.

Först bildas flera provbitar av den ledande filmen 12 som är tillverkad av koppar med olika ytråheter på substratet ll som är tillverkat av samma material med samma storlek och ytråhet. Därefler mäts frekvensen och Q för varje provbit. Av figur 6 framgår att Q faller vid höga frekvenser när ytråheten hos den ledande filmen 12 motsvarar 1 pm eller mer. F ö är Q särskilt vid höga frekvenser extremt högt när ytråheten hos den ledande filmen 12 motsvarar 0,2 pm eller mindre.

Följaktligen är ytråheten hos den ledande filmen 12 företrädesvis 1,0 pm eller mindre och företrädesvis 0,2 pm eller mindre för att minska yteffekten hos den ledande 10 15 20 25 30 35 - :nu 519 461 9 filmen 12. Q kan särskilt vid höga frekvenser förbättras när ytråheten hos den ledande filmen 12 motsvarar mindre än 0,2 pm.

Förbindningsstyrkan mellan den ledande filmen 12 och substratet ll ligger företrädesvis över den grad då ingen avflagning hos den ledande filmen 12 från substratet 11 inträffar efier uppvärmning av substratet ll till 400°C under några sekunder. Vanligtvis när elementet monteras på ett substrat kan en temperatur av 200°C eller högre tillämpas på elementet genom en självalstrad värme eller genom värme från andra komponenter.

Följaktligen, om ingen avflagning hos den ledande filmen 12 från substratet ll inträffar vid 400°C inträffar inte heller någon försämring av elementets egenskaper även om vännen anbringas mot detta element.

Här följer nu en beskrivning av skyddsmaterialet 14 med hänvisning till figurema 2 och 7.

Skyddsmaterialet 14 tillverkas företrädesvis genom laminering av flera isolerande skikt. Den galvaniskt utfällda filmen 14a bildas t ex direkt på den ledande filmen 12 och därefter bildas ett annat isolerande skikt 14b (t ex epoxiharts) på den galvaniskt utfällda filmen 14a. Denna konfiguration gör det möjligt att på ett säkert sätt täcka ett höm l2p som bildats på gränsen mellan den ledande filmen 12 och spåret 14 på ett relativt likformigt sätt, vilket gör det möjligt att minska försämringen av de elektriska egenskapema beroende på elektrisk urladdning eller kortslutning mellan hömen. Bildandet av enbart den galvaniskt utfällda filmen 14a kan emellertid medföra problem med avseende på styvhet eller livslängd hos själva den galvaniskt utfällda filmen 14a. För att komma till rätta med detta problem bildas det isolerande skiktet 14b med större styvhet och livslängd på den galvaniskt utfällda filmen 14a för att förbättra både elektriska egenskaper och livslängd.

Styvheten hos den galvaniskt utfällda filmen 14a kan förbättras genom spridande av partiklar av metalloxider (företrädesvis titaniumoxid), kolpartiklar eller liknande i den galvaniskt utfällda filmen 14a.

Tjockleken hos den galvaniskt utfällda filmen 14a motsvarar företrädesvis från 10 till 30 um. Om tjockleken är 10 pm eller mindre minskar isoleringsmotståndet gentemot närliggande komponenter efter monteringen och kan förorsaka ändringar i induktans. Om tjockleken överskrider 30 um kan planheten hos ytan på skyddsmaterialet 14 försämras, vilket förorsakar ett fall hos självsvängningsfrekvensen fo och Q.

Ett specifikt material för den galvaniskt utfällda filmen 14a utgörs av minst ett av följande hartsmaterial såsom akrylharts, epoxyharts, fluorkolharts, uretanharts och polyimidharts, eller deras modifierade hartser. När en katjontyp eller anjontyp väljs för den galvaniskt utfällda filmen 14a kan typen företrädesvis fastställas baserat på material som används för den ledande filmen 12, och ändamålet för användningen av induktionselementet.

Den galvaniskt utfällda filmen 14a kan konfigureras genom laminering av flera skikt av olika material eller e enda material. Dessutom kan flera galvaniskt utfällda filmer anordnas parallellt på spåret 13. Den galvaniskt utfällda filmen 14a har företrädesvis en 10 15 20 25 30 35 i p i » . c 1519 461 10 spänningstålighet motsvarande 20 V eller mer med en tjocklek av några tiotal pm. F ö uppvisar den galvaniskt utfällda filmen 14a företrädesvis sådana egenskaper att den inte bränns ut eller förångas vid 183°C som är smältpunkten hos eutektiskt lod. Inga defekter kan uppstå om den galvaniskt utfällda filmen 14a mjuknar vid en temperatur överstigande I83°C.

Enligt vad som visas i figur 7(a) är den galvaniskt utfällda filmen 14a företrädesvis anordnad så att den täcker minst en del av både den ledande filmen 12 och substratet 11.

Genom att placera skyddsmaterialet 14 på detta sätt kan den ledande filmen 12 for det mesta täckas och detta kan även påtagligt minska sannolikheten för att den kommer i kontakt med den omgivande luften. Detta resulterar i att korrosion hos den ledande filmen 12 och läckströmmar kan förhindras. Om den galvaniskt utfällda filmen 14a är anordnad enbart på den ledande filmen 12, enligt vad som visas i figur 7(b) kan ett höm 122 hos den ledande filmen 12 exponeras med hög sannolikhet, vilket förorsakar korrosion i vissa fall i den ledande filmen 12.

Följaktligen och enligt vad som visas i figur 7(a) är minst en del av substratet 11 inkl hömet 122 hos den ledande filmen 12 också täckt med den galvaniskt utfällda filmen 14a för att säkert skydda den ledande filmen 12. Enligt vad som visas i figur 7(a) är det även att föredra att bilda en del 142 av skyddsmaterialet 14 på ett yttre höm 12p hos den ledande filmen 12 som är tjockare än övrig yta. Genom att göra delen 142 tjockare kan man förhindra en elektrisk urladdning mellan hömet 12p och andra områden och på så sätt förhindras en försämring av induktionselementets egenskaper. För att göra delen 142 tjockare är det effektivt att justera strömdensiteten och avståndet till en motstående elektrod genom elektrisk avsättning.

När det gäller induktionselementet som används för speciella ändamål kan det vara viktigt att öka förbindningsstyrkan mellan den ledande filmen 12 och den galvaniskt utfällda filmen 14a. 1 detta fall ruggas ytan hos den ledande filmen 12 genom en kemisk etsning eller liknande och den galvaniskt utfällda filmen 14a anordnas företrädesvis på den ruggade ytan.

Värdet för Q kan falla genom ruggningen av ytan hos den ledande filmen 12, enligt vad som beskrivits här ovan, men det kan vara viktigare öka förbindningsstyrkan mellan den galvaniskt utfällda filmen 14a och den ledande filmen 12 än att upprätthålla samma Q för specialändamål. Råheten hos den ledande filmen 12 kan fastställas som något som lämpligen beror på de tilltänkta användningama.

Om den ledande filmen 12 är tillverkad av material som innehåller koppar är den galvaniskt utfällda filmen 14a ibland ojämnt bildad. I detta fall kan en metallfilm såsom Ni- film vara utformad på den ledande filmen 12 och därefter den galvaniskt utfallda filmen 14a på denna metallfilm.

Här följer nu en beskrivning av ett förfarande för bildande av den galvaniskt utfällda filmen 14a.

Enligt vad som visas i figur 3 lagras i en behållare 100 en lösning 101 som på typiskt sätt innehåller vatten, elektriskt avsättningsbart harts, ett konditioneringsämne såsom en pH- 10 15 20 25 30 35 i . 1 . . a 519 461 ll konditionerare och andra tillsatsämnen. Hållarelement 104 och 105 har ett respektive hål för instickning av båda ändama hos induktionselementet 103. Hållarelementet 105 har även en strömledning 106 vilken är i kontakt med induktionselementet 103.

När en förutbestämd spänning anbringas på en elektrod 102 och strömledningen 106 bildas en galvaniskt utfålld film på induktionselementet 103 förutom på dess båda ändar.

Detta beror på att induktionselementets 103 uttag 15 och 16 är ínstuckna i hållarelementeten 104 och 105 och kan således knappast komma i kontakt med lösningen 101. Vid denna föredragna utföringsform är uttagen 15 och 16 ínstuckna i hållarelementeten 104 och 105 men en mask såsom en fotoresist kan vara placerad på uttagen 15 och 16.

Efter tillverkningen av induktionselementet med den galvaniskt utfällda filmen 14a, enligt vad som beskrivits här ovan tillämpas företrädesvis en värinebehandling på detta element. Denna värrnebehandling jämnar ut ytan hos den galvaniskt utfällda filmen 14a, minskar ytråheten och gör det möjligt för den galvaniskt utfällda filmen 14a att på ett säkert sätt täcka den ledande filmen 12. Värmebehandlingen kan tunna ut den galvaniskt utfällda filmen 14a vid hömet 12p hos den ledande filmen 12. I detta fall kan isolerande partiklar (t ex metalloxider) blandas i lösningen 101 för att suspendera de isolerande partiklama i den galvaniskt utfällda filmen 14a för att förhindra förtunning av den galvaniskt utfallda filmen 14a på hömet 12p hos den ledande filmen 12.

Det isolerande skiktet 14b anbringas åter mot den galvaniskt utfällda filmen 14a enligt vad som visas här ovan. Det isolerande skiktet 14b utgörs företrädesvis av ett material som har en högre mekanisk hållfasthet (särskilt en högre styvhet) än den galvaniskt utfällda filmen 14a. Med denna konfiguration kan en tillräcklig mekanisk hållfasthet uppnås även om den galvaniskt utfallda filmen 14a med god elektrisk isolering utgörs av ett material med låg mekanisk hållfasthet.

Här motsvarar tjockleken hos det isolerande skiktet 14b företrädesvis från 5 pm till 20 pm. Om tjockleken är mindre än 5 pm har skyddsmaterialet 14 en dålig styrka och kan skada den lindade ledande filmen 13 vid montering. Detta kan förorsaka ett brott i den lindade ledande filmen 13, vilket försämrar egenskaperna. Om tjockleken överstiger 20 pm kan ytan hos skyddsmaterialet 14 bli rund. Detta kan förorsaka en sämre stabilitet vid inriktning av elementet efter montering och kan även förorsaka ett upplockningsfel under montering.

Här nedan anges med hänvisning till figurema 14-16 skälen för en begränsning av tjockleken hos det isolerande skiktet 14b.

Enligt vad som visas i figur 14 identifieras förekomstfrekvensen hos ett fel när en pinne 100 med en spetsradie av 0,05 mm pressas mot en elektronisk komponent 101 med ett tryck av 0,5 kg. Här är tjockleken hos den galvaniskt utfallda filmen 14a hos den elektroniska komponenten 101 20 pm och tjockleken hos det isolerande skiktet 14b ändras för experimentet. Det framgår av resultaten som visas i figur 15 att nästan inga defekter uppstår när isoleringsskiktet 14b är 5 pm tjockt eller mer. Orsaker till ovanstående defekter utgörs huvudsakligen av brott i de ledande filmerna och kortslutningar. 10 15 20 25 30 35 . r . . ~. w 519 461' 12 Enligt vad som visas i figur 16 motsvarar ytböjningen ungefär 0,15, vilket är nästan cylindriskt, när det isolerande skiktet l4b är 20 um eller mer i elektroniska komponenter som har en längd av 0,6 mm och en höjd och bredd av 0,3 mm. Detta försämrar i hög grad upplockningsegenskaper hos en monteringsmaskin.

Ett specifikt material för isoleringsskiktet l4b kan utgöras av ett epoxyharts eller ett akrylharts. Sådana material har en relativt hög styvhet för att åstadkomma skydd av den ledande filmen 13. Filmtjockleksförhållandet mellan den galvaniskt utfällda filmen 14a och det isolerande skiktet l4b motsvarar företrädesvis från 0,1 till 1,0 med avseende på det isolerande skiktet l4b när tjockleken hos den galvaniskt utfällda filmen 14a motsvarar 1. Om förhållandet är mindre än 0,1 blir det isolerande skiktet l4b alltför tunt för att erhålla en förutbestämd styrka. Om förhållandet är större än 1 kan isoleringsskiktet l4b uppvisa en dålig ytforin, vilket förorsakar upptagningsfel och resulterar i en dålig monterbarhet.

Ytråheten hos det isolerande skiktet l4b motsvarar företrädesvis 2 um eller mindre i genomsnitt. Om ytråheten överstiger 2 um kan upplockningsegenskapema (sugning) försämras.

F ö motsvarar styvheten hos det isolerande skiktet l4b företrädesvis från 4H till 9H i blyertshårdhet. Om styvheten hos det isolerande skiktet l4b är större än 4H kan den ledande filmen 12 inte skyddas på säkert sätt, enligt vad som beskrivits här ovan. Om styvheten överstiger 9H kan sprickor uppstå i det isolerande skiktet l4b vid upplockning genom sugning. lsoleringsmotståndet hos isoleringsskiktet l4b motsvarar företrädesvis 1010 ohmøm (företrädesvis 1012 ohmøm) eller mer. Om isoleringsmotståndet är mindre än 1010 ohmvm försämras Q. Tjockleken hos skyddsmaterialet 14 i ett höm av substratet 11 är minst 5 um eller mer och företrädesvis 10 um eller mer, och 50 um eller mindre.

Genom att bilda uttagen 15 och 16 direkt på substratet 11, enligt vad som visas i figur 2, kan förbindningsstyrkan mellan uttagen 15 och 16 och substratet 1 förbättras. Den ledande filmen 12 kan emellertid bildas på substratets 11 ändyta och uttagen 15 och 16 kan bildas på den ledande filmen 12 på dess ändyta. Vid denna konfiguration har den ledande filmen 12 en relativt tillfredsställande yta så att uttagen 15 och 16 på den ledande filmen 12 uppnår tillfredsställande egenskaper. Den ledande filmens 12 tjocklek ingår inte i längderna P1 till P8 hos uttagen 15 och 16 i nedanstående beskrivning.

Längdema P5 och P6 hos uttagen 15 respektive 16 i substratets 11 längsgående riktning uppfyller företrädesvis nedanstående villkor när L1 indikerar, enligt vad som beskrivs här ovan, elementets totala längd : 0,07 < P5/L1 < 0,35; och 0,07 < Pó/Ll < 0,35.

Om både P5/L1 och P6/L1 motsvarar 0,07 eller mindre blir förbindningsytan mellan elementet och en eiektrod på mönsterkortet liten. Detta kan förorsaka en försämrad förbindningsstyrka och leda till Manhattan-defekten. Om ovanstående förhållande är 0,35 10 15 20 25 30 35 519 461 13 eller större beñnner sig uttagen 15 och 16 för nära varandra, vilket i vissa fall förorsakar kortslutning när elementet är monterat på mönsterkort.

Uttagens 15 och 16 ytråhet motsvarar företrädesvis från 0,3 pm till 10 pm (företrädesvis från 0,5 pm till 3 pm). Om med andra ord uttagens 15 och 16 ytråhet är 0,3 pm eller mindre blir förbindelsesytan till en elektrod på ett mönsterkort liten, vilket minskar förbindningsstyrkan. Om ytråheten är 10 pm eller mer, försämras egenskapema hos den ledande filmen när andra filmer som en annan ledande film är bildad på uttagen 15 och 16.

Uttagens 15 och 16 specifika resistans kan ställas in på 5 x 104 ohmøcm eller mindre (företrädesvis 1 x 104 ohmøcm eller mindre) för att förbättra de elektriska egenskapema.

Vidare är partikeldiametem hos ledande material som används för uttagen 15 och 16 företrädesvis från 1 till 5 pm (företrädesvis från 2 till 3 pm) när flagpartiklar används. För sfäriska partiklar motsvarar diametem företrädesvis från 0,1 pm till 2,0 pm (mer företrädesvis från 0,2 pm till 1,0 pm).

Den maximala tjockleken P1 och P2 hos uttagen 15 respektive 16 som bildats vid ändarna av substratet 11 motsvarar företrädesvis från 10 pm till 40 pm (ännu mer företrädesvis från 20 pm till 35 pm). Om P1 och P2 motsvarar 10 pm eller mindre kan lodlakningstiden för uttagen 15 och 16 förkortas. Detta kan förorsaka lodurlakning hos uttagen 15 och 16 och därefter förorsaka en defekt förbindning mellan elementet och mönsterkorten om inte en påfyllningsprocess utförs inom kort genom omsmältningslödning av elementet som monterats på mönsterkorten. Detta resulterar i en minskning av uppvärmningstiden vid omsmältningsförfarandet. Om uppvärmningstiden förkortas vid omsmältningslödning kan förbindningsstyrkan försämras p g a otillräcklig smältning av förbindningsmaterialet som förbinder elementet med mönsterkorten.

Figur 10 visar sambandet mellan en lodupplösningtid T och längdema hos P1 och P2 (t) vid ett dopplödningstest (vid 350°C). Av figur 10 framgår att lodupplösning inträffar efier 7,5 sekunder eller mindre när P1 och P2 är 10 pm eller tunnare. Enligt vad som omnämnts här ovan, om lödningstiden minskas för att förhindra lodupplösning kan en tillräcklig förbindningsstyrka inte uppnås eftersom smältningen av lödnlngsmaterialet är otillräcklig.

Följaktligen motsvarar P1 och P2 företrädesvis 10 pm eller mer.

Om P1 och P2 motsvarar 40 pm eller mer behöver substratets ll längd förkortas eftersom ytterdimensionema hos de färdiga produktema är fast. Detta kan försämra Q. Enligt vad som visas i figur 11, om längdema Pl och P2 är ta blir längden hos substratet 11 naturligtvis kortare allteftersom ta ökar och alltså försämras Q. Följaktligen motsvarar P1 och P2 företrädesvis 40 pm eller mindre.

De maximala längdema P3 och P4 hos uttagen 15 och 16 som är bildade på skyddsmaterialet 14 motsvarar företrädesvis från 10 pm till 40 pm (ännu mer företrädesvis från 15 pm till 30 pm). Om P3 och P4 motsvarar 10 pm eller mindre, enligt vad som visas i figur 10, inträffar lodupplösningen efter en kortare tid. Dessutom, enligt vad som visas i figur 11, om P3 och P4 (tb i figur 11) görs tjockare måste substratet 11 förtunnas, vilket försämrar 10 15 20 25 30 35 . . . . i n 519 461 14 Q. Följaktligen motsvarar P3 och P4 företrädesvis 40 um eller mindre.

Av figur 11 framgår att Q-värdet faller påtagligt, snarare än ta, när tb ökar.

Följaktligen görs P3 och P4 företrädesvis tunnare än P1 och P2 för att förhindra försämringen av Q. Närmare bestämt, om Pl och P2 motsvarar 30 um, motsvarar P3 och P4 företrädesvis 10 um till 30 um.

Uttagens 15 och 16 längder P7 och P8 som bildats på ett höm hos substratets 11 ändyta motsvarar företrädesvis från 7 um till 38 um. Om P7 och P8 är mindre än 7 um inträffar lodupplösningen under en kortare period. Om P7 och P8 än P1-P4 tränger uttagen 15 och 16 på hömet inte ut, vilket gör det möjligt att förbättra monterbarheten. Med andra ord motsvarar P7 och P8 företrädesvis 38 um eller mindre.

Det är även att föredra att eliminera uppträdandet av rester genom att göra ett tvärsnitt hos uttagen 15 och 16 helt runt så att det inte finns något hörn på uttagen 15 och 16.

För att öka väderbeständigheten hos uttagen 15 och 16 kan ett korrosionsbeständigt skikt tillverkat av metall med hög korrosionsbeständigt såsom av Ti, Ni, W, och Cr, eller ett legeringsskikt av dessa metaller (t ex Ni-Cr) utformas på uttagen 15 och 16 med en tjocklek av 0,5-3 um. Anordnandet av ett enda Ni- eller Ni-legeringsskikt är särskilt fördelaktigt med avseende på egenskaper och kostnader.

För att förbättra uttagens 15 och 16 förbindningsförmåga mot mönsterkort kan ett förbindningsskikt på 5-30 um som utgörs av lod eller ett ledningsfritt förbindelsematerial (som t ex ett förbindelsefritt lod eller endast Sn eller Sn innehållande minst något av Ag, Cu, Zn, Bi och ln) bildas på uttagen 15 och 16 eller på det korrosionsbeständiga skiktet.

I allmänhet fastställs längdema Pl-P8 som hänför sig till uttagen 15 och 16 hos de elektroniska komponenterna utgående från den premissen att ett korrosionsbeständigt skikt och ett bindningsskikt bildas på uttagen 15 och 16. Om inte något korrosionsbeständigt skikt och bindningsskikt bildas och uttagen 15 och 16 bildas enbart på en färdig komponent är P1-P8. korrosionsbeständiga skiktet eller bindningsskiktet har bildats på uttagen 15 och 16 ingår produktionsdimensionerna lika med längdema Om minst antingen det tjockleken hos det korrosionsbeständiga skiktet eller bindningsskiktet i dimensionema P1-P8.

Med andra ord är P1-P8 den totala längden hos de laminerade skikten hos uttagen 15 och 16 och minst någotdera av det korrosionsbeständiga skiktet eller bindningsskiktet.

Ett förfarande för tillverkning av uttagen 15 och 16 är att anbringa en ledande pasta på substratets 11 ändytor och att bilda uttagen 15 och 16 genom värmebehandling eller liknande. Ett förfarande för bildande av uttagen genom anbringande av en pasta beskrivs nu här nedan.

Den ledande pastan innehåller åtminstone ett ledande material, ett hartsmaterial och ett lösningsmedel. Som ledande material kan metallpartiklar som uppvisar konduktivitet såsom guld, silver, koppar och nickel användas. Silverpartiklar är särskilt fördelaktiga med hänsyn tagen till egenskaperna, bearbetningsbarhet och kostnad. Om partiklar i form av metallflagor används motsvarar deras partikelstorlek företrädesvis från 1 till 5 um (ännu mer 10 15 20 25 30 35 . - ; . . . 519 461 15 företrädesvis från 2 till 3 pm). Om sfalriska partiklar används motsvarar partikelstorleken företrädesvis från 0,1 pm till 2,0 pm (företrädesvis från 0,2 pm till 0,5 pm). Som hartsmaterial kan fenolharts, akrylharts eller epoxyharts användas och som lösningsmedel butylkarbitol eller liknande lösningsmedel.

Blandningsförhållandet hos den ledande pastan motsvarar företrädesvis 50-70 vikt-% av ledande material, 10-20 vikt-% av hartsmaterial och 20-30 vikt-% av lösningsmedel. Ett konditioneringsämne såsom en viskositetskonditionerare kan läggas till i denna ledande pasta.

Den ledande pastan enligt ovanstående sammansättning anbringas på ändama av substratet ll genom doppning, rulltäckning eller liknande. l det fall då doppning används justeras viskositeten hos den ledande pastan till ca 10-30 Paøs, och 20-50 Pans om rulltäckning används.

Efter anbringande av den ledande pastan på substratet ll värmebehandlas detta vid temperaturer från l50°C till 230°C under 30-60 minuter för att bilda uttagen 15 och 16 med de tidigare nämna dimensionema P1-P8. Den korrosionsbeständiga filmen eller förbindelsefilmen bildas därefter på nödvändigt sätt.

Vidare, enligt vad som visas i figur 2, uppfyller höjdema Zl och Z2 hos uttagen 15 och 16 företrädesvis följ ande villkor: |Zl -Z2| < 80 pm (företrädesvis 50 pm).

Om höjdskillnaden mellan Zl och Z2 överskrider 80 pm dras elementet ut till en elektrod genom ytspänningen som hos ett lod och rättas upp när elementet monteras på ett mönsterkort och värms t ex genom lödning. Höjdskillnaden mellan Zl och Z2 är mer företrädesvis 50 pm eller mindre. En höjdskillnad överstigande 80 pm resulterar i en extremt hög risk för att en s.k. Manhattan-defekt förorsakas. Manhattan-defekten beskrivs nu med hänvisning till figur 9.

Enligt vad som visas i figur 9 är lod 201 och 202 anordnade mellan vart och ett av uttagen hos ett element eller ett substrat 200 när elementet är placerat på substratet 200. När loden 201 och 202 värms upp som t ex genom en omsmältningsugn kan ytspänningen hos de smälta loden 201 och 202 skilja sig åt mellan de båda uttagen vilket t ex beror på en skillnad i tillämpade volymer och smälttid. Detta resulterar i att elementet kan rotera centrerat kring det ena uttaget och, enligt vad som visas i figur 9, fällas upp. Detta fenomen kallas en "Manhattan-defekt".

Om höjdskillnaden mellan Zl och Z2 överstiger 80 pm kan elementet placeras på substratet på ett snedställt sätt, vilket ökar sannolikheten för att elementet kommer att resa sig.

Manhattan-defekten inträffar särskilt ofta med små och lätta elektroniska chipkomponenter (inkl chipinduktionselement).

Föreliggande uppfinning är fokuserad på den lutande placeringen av elementet på substratet 200 beroende på skillnaden i höjd mellan uttagen 15 och l6 som en av orsakema till Manhattan-defekten. Uppträdandet av Manhattan-defekten kan på så sätt drastiskt 10 15 20 25 30 35 519 461 16 elimineras genom behandling av uttagen 15 och 16 för att minska höjdskillnaden mellan Zl och Z2 till 80 um eller mindre (företrädesvis 50 um eller mindre). F ö kan Manhattan- defekten i stor utsträckning elimineras genom minskning av höjdskillnaden mellan Zl och Z2 till 50 um eller mindre.

Exempel på uttagskonfigurationer 15 och 16 visas här nedan. (1) Ett ledande skikt som utgörs av en stelnande ledande pasta innehållande silver eller liknande anbringas direkt på substratets ändytor; (2) Vid ( 1) anordnas den ledande filmen 12 ända upp till substratets ändytor och ett ledande skikt anordnas på den ledande filmen 12; (3) Vid (1) och (2) anbringas vidare ett korrosionsbeständigt skikt eller bindningsskikt, eller båda, på det ledande skiktet; och (4) Den ledande filmen 12 anordnas ända upp till substratets ändytor, och minst förbindelseskiktet eller det korrosionsbeständiga skiktet som bildats på den ledande filmen 12 används som uttag 15 och 16.

Förhållandet mellan uttagen 15 och 16 och en spirallindad ledande film 12 (lindning) som bildats med spåret 13 beskrivs nu här nedan.

Längden hos den spiralformade ledande filmen 12 kan göras längre genom att man upprättar en konfiguration som är sådan att uttagen 15 och 16 och ena änden av spåret 13 finns mittemot varandra med skyddsmaterialet 14 finns mellan dessa. Detta är effektivt för element som kräver högre induktans. Med andra ord befinner sig ytan hos det lindade ledande skiktet som är bildat med spåret 13 inte direkt i kontakt med uttagen 15 och 16, utan genom det skyddande materialet 14, och kommer i direkt kontakt med uttagen 15 och 16 enbart vid änden av den ledande filmen 12. Detta gör det möjligt att minska antalet varv hos ledaren för att erhålla en högre induktans.

Vid föreliggande utföringsfonn är uttagen 15 och 16 bildade genom användning av en ledande pasta. Uttagen 15 och 16 kan även utformas genom plätering av minst någotdera av elementen z terminalema, det korrosionsbeständiga skiktet och förbindningsskiktet.

Dessutom är vid föreliggande utföringsform uttagen 15 och 16 bildade på en hel ändyta hos substratet 11. Minst en del av uttagen på substratets 11 ändyta kan emellertid avlägsnas för erhållande av en s k "kälfri" elektronisk komponent.

Här följer nu en beskrivning av ett förfarande för tillverkning av det ovan konfigurerade induktionselementet.

Först bildas ett pelarformat substrat 11 för flera till flera tiotals element av ett isolerande material som t ex aluminiumoxid genom pressning eller strängpressning. Den ledande filmen 12 bildas därefter på nästan hela substratets 11 yta genom plätering, förstoftning eller liknande. Därefier anordnas ett antal spiralforrnade spår 13 med ett förutbestämt intervall på substratet ll på vilket den ledande filmen 12 bildas. Substratet 11 skärs upp mellan det spiralformade spåret 13 för att avsluta ett halvfärdigt element försett med den ledande filmen 12 och spåret 13 på substratet 11. 10 15 20 25 30 35 519 461 17 Spåret 13 skapas med en laserskärning eller genom en maskinskärning. Lasrar är idealiska för massproduktion och därför beskrivs nu ett laserförfarande.

Först placeras substratet 11 på en roterande apparat. En laserstråle anbringas mot substratet 11 medan substratet 11 roterar för att avlägsna en del av den ledande filmen 12 och substratets 11 yta, vilket på så sätt ger upphov till ett spiralformat spår. Här kan en YAG- laser, en excimerlaser, en gaslaser eller liknande användas, och laserstrålen anbringas mot substratet 1 1 genom fokusering av laserstrålen med hjälp av linser. Spårets 13 djup kan styras genomjustering av laserstrålens effekt och spårets 13 bredd kan styras genom justering av den lins som fokuserar laserstrålen. Laserabsorptionstalet beror på materialen på den ledande filmen 12 och således väljs företrädesvis typen av laser (laservåglängd) för att passa till materialet hos den ledande filmen 12. Spåret 13 kan även utformas genom användning av en brynsten i stället för en laser.

Efter bildandet av spåret 13 bildas en galvaniskt utfälld film l4a på den ledande filmen 12, som t ex genom galvanisk utfällning, och därefter bildas det isolerande skiktet 14b för att anordna det skyddande materialet 14 på substratet 11 förutom de båda ändytoma (dvs substratets 11 sidoytor).

Därefter anbringas den ledande pastan på substratets 11 båda ändytor och värmebehandlas, pläteras eller liknande för att bilda uttagen 15 och 16. På detta stadium har ett färdigt element avslutats; det korrosionsbeständiga skiktet eller förbindelseskiktet anordnas emellertid dessutom i enlighet med specifikationerna.

Vid den föredragna utföringsformen av föreliggande uppfinning beskrivs fallet med induktionselementet. Samma effekter kan emellertid uppnås för andra elektroniska komponenter i vilka den ledande filmen 12 är bildad på det isolerande substratet. Ett litet chipmotstånd kan tillverkas genom användning av den ledande filmen 12 som motståndsfilm.

En chipkondensator kan även tillverkas genom att anordna ett ringformat spår i stället för ett spiralformat spår 13 på den ledande filmen 12 för att dela upp den ledande filmen 12 i minst två delar.

Figur 12 är en perspektivvy och figur 13 ett blockschema för en radioterininal vid en föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning. 1 figurema 12 och 13 innefattar radioterminalen en mikrofon 29 för omvandling av ljudet till audiosignaler; en högtalare 30 for omvandling av audiosignaler till ljud; en kontrollpanel 31 innefattande nummerknappar eller liknande; ett visualiseringsorgan 32 som visar inkommande samtal; en antenn 33; och en sändningsenhet 34 för demodulering och omvandling av audiosignaler från mikrofonen 29 till sändningssignaler. Sändningssignalema som alstras i sändningsenheten 34 överförs via antennen 33. Radioterminalen innefattar även en mottagningsenhet 35 för omvandling av de mottagna signalema till audiosignaler, och audiosignaler från mottagningsenheten omvandlas till ljud av högtalaren 30. En kontroller 36 styr sändningsenheten 34, mottagningsenheten 35, kontrollpanelen 31 och visuaiiseringsorganen 32.

Här följer nu en beskrivning av dess funktionssätt. 10 15 20 25 30 35 519 461 18 När en radiotenninal tar emot ett meddelande matar mottagningsenheten 35 ut den inkommande anropsignalen till kontrollern 36. Kontroller 36 visar förutbestämda tecken eller liknande på visualiseringsorganet 32 i enlighet med den inkommande anropsignalen. När användaren trycker på en knapp på kontrollpanelen 31 för att godkänna anropet sänds signaler till kontrollem 36 för att ställa in båda delarna på mottagningssätt. Med andra ord omvandlas signaler som tas emot genom antennen 33 till audiosignaler i mottagningsenheten 35 och audiosignalema matas ut från högtalaren 30 i form av ljud, och samtidigt omvandlas ljudinmatningen till mikrofonen 29 till audiosignaler och överförs till yttervärlden genom sändningsenheten 34 och antennen 33.

Här följer nu en beskrivning av sändningsoperationen.

För sändning av signaler matas signaler som skall sändas först in i kontrollern 36 med hjälp av kontrollpanelen 31. Därefter sänds signaler motsvarande ett telefonnummer fi°ån kontrollpanelen 31 till kontrollem 36, vilket gör att kontrollern 36 sänder signaler motsvarande telefonnummer till yttervärlden från antennen 33 via sändningsenheten 34. Efier det att en kommunikationslinje har upprättats mellan en mottagare genom överföringssignalerna informeras kontrollem 36 genom antennen 33 och mottagningsenheten 35 om upprättandet av kommunikationslinjen, och därefter ställer kontrollem 36 in båda parter på sändningssätt.

Med andra ord omvandlas signaler som tas emot genom antennen 33 till audiosignaler i mottagningsenheten 35, audiosignaler matas ut från högtalaren 30 i form av ljud och samtidigt omvandlas ljudinmatning i mikrofonen 29 till audiosignaler, och sänds till yttervärlden genom sändningsenheten 34 och antennen 33.

Genom den föreliggande utföringsformen beskrivs fallet med sändning och mottagning av ljud. Det är emellertid självklart att föreliggande uppfinning inte är begränsad till sändning och mottagning av ljud. Samma effekter kan uppnås i apparater som åtminstone sänder eller tar emot andra data än lj ud, som t ex textdata.

Den elektroniska komponenten enligt föreliggande uppfinning (illustreras i figur 1) används i minst något av följande: oscillationskrets, filterkrets, antennkrets, anpassningskretsar mellan varje steg, och deras perifera kretsar där ett högt Q-värde krävs. Så t ex används upp till 40 elektroniska komponenter enligt föreliggande uppfinning i en och samma radioterminal. Genom användning av den elektroniska komponenten enligt föreliggande uppfinning kan ett mönsterkort inne i apparaten göras mindre och försämringen av den elektroniska komponentens egenskaper när den monteras på ett mönsterkort kan förhindras. På så sätt kan antalet defekta mönsterkort påtagligt minska, vilket gör det möjligt att tillverka radioterminaler med påtagligt bättre produktivitet.

Claims (27)

10 15 20 25 30 35 519 3461 19 Patentkrav

1. Elektronisk komponent innefattande : ett substrat; en på nämnda substrat anordnad ledande film; ett spår skapat på nämnda ledande film; och ett par uttag anordnade på båda ändytoma hos nämnda substrat; varvid längden L1 hos nämnda elektroniska komponent i en riktning så att nämnda uttagspar befinner sig mittemot varandra (längsgående riktning) och längdema P5 och P6 i ett snitt av vart och ett av nämnda terminalpar i längsgående riktning uppfyller följande villkor : 0,07 < P5/Ll < 0,35; och 0,07 < P6/L1 < 0,35

2. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid den genomsnittliga ytråheten hos nämnda terminaler motsvarar från 0,3 pm till 10 pm.

3. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid det ledande materialet som utgör nämnda uttag är ett flagmaterial, varvid nämnda flagmaterial har en partikelstorlek från 1 pm till 5 pm.

4. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid materialen som utgör nämnda substrat och nämnda uttag är sfäriska material, varvid nämnda sfariska material har en partikelstorlek från 0,1 pm till 2,0 pm.

5. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid tjockleken hos nämnda uttag vid ändytan av nämnda substrat är från 10 pm till 40 pm.

6. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid nämnda uttag är anordnade på en ändyta hos nämnda substrat och en sidoyta intill nämnda ändyta, och tjockleken hos nämnda uttag som är bildade på nämnda sidoyta är från 10 pm till 40 pm.

7. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid nämnda ledande film är anordnad på en ändyta hos nämnda substrat, och nämnda uttag är anordnade på nämnda ändyta genom nämnda ledande film.

8. Elektronisk komponent enligt patentkrav 7, varvid minst antingen ett korrosionsbeständigt skikt eller ett forbindningsskikt är dessutom bildat på nämnda terminaler.

9. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid minst antingen ett korrosionsbeständigt skikt eller ett forbindningsskikt är dessutom bildat på nämnda terminaler.

10. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid nämnda tenninaler är bildade av en ledande pasta.

11. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid substratets tvärsnitt är approximativt en kvadrat. 10 15 20 25 30 35 519 461 20

12. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid nämnda elektroniska komponents längd Ll, bredd L2 och höjd L3 uppfyller följande villkor : L1 = 0,2-2,0 mm (företrädesvis 0,3-0,8 mm); L2 = 0,1-1,0 mm (företrädesvis 0,1-0,4 mm); och L3 = 0,1-1,0 mm (företrädesvis 0,1-0,4 mm).

13. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid ett skyddsmaterial är anordnat för att täcka nämnda spår.

14. Elektronisk komponent enligt patentkrav 13, varvid nämnda uttag är anordnade från en ändyta hos nämnda substrat till nämnda skyddsmaterial som är anordnat på en sidoyta hos nämnda substrat och nämnda skyddsmaterial är inlagt mellan nämnda uttag och nämnda ledande film.

15. Elektronisk komponent enligt patentkrav 14, varvid nämnda uttag och ena änden av nämnda spår befinner sig mittemot varandra genom nämnda skyddsmaterial.

16. Elektronisk komponent enligt patentkrav 14, varvid ena änden av nämnda spår på ena sidan av nämnda uttag och nämnda uttag befinner sig mittemot varandra genom nämnda skyddsmaterial.

17. Elektronisk komponent enligt patentkrav 13, varvid nämnda skyddsmaterial innefattar en galvaniskt utfälld film som är anordnad på nämnda ledande film och ett isolerande skikt som är placerat ovanpå nämnda galvaniskt utfällda film.

18. Elektronisk komponent enligt patentkrav 17, varvid filmtjockleken hos nämnda galvaniskt utfällda film är från 10 pm till 30 pm.

19. Elektronisk komponent enligt patentkrav 17, varvid filmtjockleken hos nämnda isolerande skikt är från 5 um till 20 pm

20. Elektronisk komponent enligt patentkrav 17, varvid förhållandet mellan tjockleken hos nämnda galvaniskt utfällda film och tjockleken hos nämnda isolerande skikt är från 0,1 till 1,0.

21. Elektronisk komponent enligt patentkrav 17, varvid nämnda galvaniskt utfällda film utgörs av minst ett av ämnena akrylharts, epoxyharts, fluorkolharts, uretanharts och polyimidharts.

22. Elektronisk komponent enligt patentkrav 17, varvid nämnda isolerande skikt utgörs av minst antingen epoxyharts eller akrylharts.

23. Elektronisk komponent enligt patentkrav 17, varvid styvheten hos nämnda isolerande skikt är större än styvheten hos nämnda galvaniskt utfällda film.

24. Elektronisk komponent enligt patentkrav l, varvid nämnda elektroniska komponent är en induktor.

25. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid nämnda elektroniska komponent är ett motstånd.

26. Elektronisk komponent enligt patentkrav 1, varvid nämnda elektroniska komponent är försedd med ett spår som minst delar in nämnda ledande film i två delar. 10 15 20 519 461 21

27. Radioterminal innefattande : ett visualiseringsorgan; en oscillator; en antenn; och en kontroller for styrning av varje enhet; varvid nämnda radioterminal utnyttjar en elektronisk komponent för minst antingen en oscillationskrets, filterkrets, antenn, anpassningskrets mellan steg, eller dess perifera krets; och nämnda elektroniska komponent innefattar : ett substrat; en ledande film anordnad på nämnda substrat; ett spår som skapats på nämnda ledande film; och ett par uttag som anordnats på en ändsida hos nämnda substrat; varvid längden Ll hos nämnda elektroniska komponent i en sådan riktning att nämnda uttagspar befinner sig mittemot varandra (längsgående riktning) och längdema P5 och P6 i ett snitt av vart och ett av nämnda uttagspar i den längsgående riktningen uppfyller nedanstående villkor : 0,07 < PS/Ll < 0,35; och 0,07 < P6/Ll < 0,35