SU1178272A1 - Полупроводниковый свч диод - Google Patents

Полупроводниковый свч диод

Info

Publication number
SU1178272A1
SU1178272A1 SU3643961/25A SU3643961A SU1178272A1 SU 1178272 A1 SU1178272 A1 SU 1178272A1 SU 3643961/25 A SU3643961/25 A SU 3643961/25A SU 3643961 A SU3643961 A SU 3643961A SU 1178272 A1 SU1178272 A1 SU 1178272A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
diode
dielectric plate
semiconductor
mesa
film metal
Prior art date
Application number
SU3643961/25A
Other languages
English (en)
Inventor
Д.Г. Павельев
Original Assignee
Институт прикладной физики АН СССР
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт прикладной физики АН СССР filed Critical Институт прикладной физики АН СССР
Priority to SU3643961/25A priority Critical patent/SU1178272A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1178272A1 publication Critical patent/SU1178272A1/ru

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Полупроводниковый СВЧ диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих часто пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с меза-структурой, а барьерный и омический контакты выполнены в виде продолжения соответствующих пленочных металлических выводов и расположены между диэлектрической пластиной и меза-структурой.
SU3643961/25A 1983-09-15 1983-09-15 Полупроводниковый свч диод SU1178272A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3643961/25A SU1178272A1 (ru) 1983-09-15 1983-09-15 Полупроводниковый свч диод

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3643961/25A SU1178272A1 (ru) 1983-09-15 1983-09-15 Полупроводниковый свч диод

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1178272A1 true SU1178272A1 (ru) 1996-11-27

Family

ID=60539303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3643961/25A SU1178272A1 (ru) 1983-09-15 1983-09-15 Полупроводниковый свч диод

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1178272A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2280914C2 (ru) * 2004-11-03 2006-07-27 Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова Способ изготовления свч меза-диодов
RU2507544C2 (ru) * 2008-10-07 2014-02-20 Терасенс Груп, Инк. Устройство и способ для детектирования электромагнитного излучения

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2280914C2 (ru) * 2004-11-03 2006-07-27 Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова Способ изготовления свч меза-диодов
RU2507544C2 (ru) * 2008-10-07 2014-02-20 Терасенс Груп, Инк. Устройство и способ для детектирования электромагнитного излучения

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2960971D1 (en) Method for simultaneously forming schottky-barrier diodes and ohmic contacts on doped semiconductor regions
FR2386138B1 (ru)
IT1212711B (it) Dispositivo a semiconduttore aforma di scheda piana con contatti elettrici su ambedue le facce eprocedimento per la sua fabbricazione.
GB1099381A (en) Solid state field-effect devices
ATE123175T1 (de) Lateraler heterogrenzflächen-bipolartransistor.
IT8025035A0 (it) Procedimento per formare contatti ohmici di bassa resistenza su ossidi semiconduttori.
JPS55128901A (en) High frequency circuit device
JPS5658231A (en) Method of forming electric contact in gaas active region of semiconductor device
EP0022857A4 (en) REDUCTION OF THE RECOMBINATION CURRENT ON THE SURFACE IN GaAs DEVICES.
EP0348916A3 (en) Mosfet equivalent voltage drive semiconductor device
JPS544079A (en) Semiconductor device
FR2373879A1 (fr) Structure semiconductrice a dielectrique epais, procede de fabrication et dispositifs a tres haute frequence comportant une telle structure
GB1379270A (en) Integrated circuit manufacturing process
JPS5219083A (en) Field-effect tansistor
JPS5272570A (en) Formation of electrode of semiconductor deviced
JPS52114285A (en) Mis type semiconductor device
JPS5257786A (en) Field effect transistor
JPS5636159A (en) Schottky diode
JPS5324270A (en) Semiconductor device
DE3683731D1 (de) Kontaktdurchgaenge in halbleiteranordnungen.
JPS5413981A (en) Micro strip line
JPS5319766A (en) Preparation of field-effect type semiconductor device
JPS5361276A (en) Formation of lead frame for semiconductor device
JPS53108280A (en) Semiconductor device
JPS5361274A (en) Production of high frequency semiconductor devce