TH70549A - ฟินเฟตแบบหลายความสูง - Google Patents
ฟินเฟตแบบหลายความสูงInfo
- Publication number
- TH70549A TH70549A TH401001505A TH0401001505A TH70549A TH 70549 A TH70549 A TH 70549A TH 401001505 A TH401001505 A TH 401001505A TH 0401001505 A TH0401001505 A TH 0401001505A TH 70549 A TH70549 A TH 70549A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- fin
- fins
- ratio
- height
- channel
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
Abstract
DC60 (26/07/47) การประดิษฐ์นี้จะจัดเตรียมไว้ด้วย อุปกรณ์ฟินเฟต ที่มีครีบที่หนึ่งและครีบที่สอง แต่ละครีบ นั้น จะมีบริเวณแชนเนล และ บริเวณซอร์สและเดรนที่ต่อขยายออกจากบริเวณแชนเนลนั้น ครีบ เหล่า นั้นจะมีความสูงที่แตกต่างกัน การประดิษฐ์นี้จะมีตัว นำเกตที่ได้รับการกำหนดตำแหน่งอยู่ติดกับครีบ เหล่านั้น ตัว นำเกตจะตั้งฉากกับครีบเหล่านั้นและไขว้ข้ามบริเวณแชนเนลของ แต่ละครีบของครีบที่ หนึ่งและครีบที่สองนั้น ครีบเหล่านั้น จะขนานซึ่งกันและกัน อัตราส่วนของความสูงของครีบที่หนึ่ง ต่อความสูงของครีบที่สอง จะประกอบรวมด้วย อัตราส่วนของ หนึ่งต่อ 2/3 อัตราส่วนนั้นจะได้รับ การนำมาใช้เพื่อที่จะ ปรับตั้งสมรรถนะของทรานซิสเตอร์ และพิจารณาหาค่า ความกว้างแชนเนลทั้ง หมดของทรานซิสเตอร์นั้น การประดิษฐ์นี้จะจัดเตรียมไว้ด้วย อุปกรณ์ฟินเฟต ที่มีครีบที่หนึ่งและครีบที่สอง แต่ละครีบ นั้น จะมีบริเวณแชนเนล และ บริเวณซอร์สและเดรนที่ต่อขยายออกจากบริเวณแชนเนลนั้น ครีบ เหล่า นั้นจะมีความสูงที่แตกต่างกัน การประดิษฐ์นี้จะมีตัว นำเกตที่ได้รับการกำหนดตำแหน่งอยู่ติดกับครีบ เหล่านั้น ตัว นำเกตจะตั้งฉากกับครีบเหล่านั้นและไขว้ข้ามบริเวณแชนเนลของ แต่ละครีบของครีบที่ หนึ่งและครีบที่สองนั้น ครีบเหล่านั้น จะขนานซึ่งกันและกัน อัตราส่วนของความสูงของครีบที่หนึ่ง ต่อความสูงของครีบที่สอง จะประกอบรวมด้วย อัตราส่วนของ หนึ่งต่อ 2/3 อัตราส่วนนั้นจะได้รับ การนำมาใช้เพื่อที่จะ ปรับตั้งสมรรถนะของทรานซิสเตอร์ และพิจารณาหาค่า ความกว้างแชนเนลทั้ง หมดของทรานซิสเตอร์นั้น
Claims (2)
1.อุปกรณ์ฟินเฟต ประกอบรวมด้วย: ครีบที่หนึ่งและครีบที่สอง แต่ละครีบนั้นประกอบรวมด้วย บริเวณแชนแนล และบริเวณ ซอร์สและเตรนที่ต่อขยายออกจากบริเวณ แชนเนลดังกล่าว ที่ซึ่งครีบที่หนึ่งดังกล่าวและครีบที่สองดังกล่าวมีความ สูงที่แตกต่างกัน
2. อุปกรณ์ฟินเฟต ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ประกอบรวมต่อไปอีก ด้วย ตัวนำเกตที่ไดรับการ กำหนดตำแหน่งอยู่ติดกับครีบที่ หนึ่งดังกล่าวและครีบที่สองดังกล่าว ที่ซึ่งตัวนำเกตดัง กล่าวจะอยู่ที่ ค่ามุมขนาดหกสิบเจ็ดองศาครึ่ง เมื่อเทียบกับ ครีบทึ่หนึ่งแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH70549A true TH70549A (th) | 2005-09-14 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE602004015592D1 (de) | Methode zur herstellung von finfets mit mehreren höhen | |
| ATE404996T1 (de) | Verfahren zur herstellung von paaren paralleler finfets | |
| ATE461526T1 (de) | Hochdichtes finfet-integrationsverfahren | |
| EP4220719A3 (en) | Fin patterning for advanced integrated circuit structure fabrication | |
| ATE544182T1 (de) | Feldeffekttransistor des fin-typs | |
| WO2009012295A3 (en) | Fin-type field effect transistor structure with merged source/drain silicide and method of forming the structure | |
| WO2005057615A3 (en) | Closed cell trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor | |
| ATE437449T1 (de) | Hochleistungsfähiger mosfet mit einer verspannten gate-metallsilizidschicht und herstellungsverfahren dafür | |
| ATE546837T1 (de) | Vertikal fin-fet-mos-vorrichtungen | |
| de Andrade et al. | Behavior of triple-gate Bulk FinFETs with and without DTMOS operation | |
| ATE492912T1 (de) | Organische halbleiteranordnung | |
| EP2725620A3 (en) | Field effect transistor and related devices | |
| WO2005081323A3 (en) | Trench-gate semiconductor devices and the manufacture thereof | |
| US10665676B2 (en) | Body contact layouts for semiconductor structures | |
| US10685982B2 (en) | Semiconductor structure | |
| WO2003015182A3 (de) | Steg-feldeffekttransistor und verfahren zum herstellen eines steg-feldeffekttransistors | |
| ATE534140T1 (de) | Finfet-basierte nichtflüchtige speichervorrichtung | |
| TH70549A (th) | ฟินเฟตแบบหลายความสูง | |
| KR101616490B1 (ko) | 반도체 디바이스 | |
| US11171139B2 (en) | Transistors with various threshold voltages and method for manufacturing the same | |
| JP2014187290A5 (th) | ||
| CN101599505A (zh) | 高密度高效能功率晶体管布局方式 | |
| TW200610151A (en) | MOS transistor and a semiconductor IC apparatus having the same | |
| ATE456155T1 (de) | Feldeffekttransistor-halbleiterbauelement | |
| Plikat et al. | Impact of cell layout on the characteristics of 60 V low on-resistance lateral NMOS for power ICs |