WO1992021956A1 - Procede et dispositif d'evaluation de quantites d'impuretes adsorbees - Google Patents

Procede et dispositif d'evaluation de quantites d'impuretes adsorbees Download PDF

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WO1992021956A1
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    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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    • G01J5/0066—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for hot spots detection
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    • Y10T436/108331—Preservative, buffer, anticoagulant or diluent

Definitions

  • the present invention relates to an evaluation method and an apparatus for knowing, for example, the amount of impurities adsorbed on various materials of a general gas (eg, argon gas) for semiconductor production.
  • a general gas eg, argon gas
  • a microanalyzer atmospheric pressure ionization mass spectrometer
  • an ultrahigh-pressure gas from a gas purifier is inserted into the pipe. It is known that a gas having a purity is allowed to flow and the amount of impurities in the gas flowing out of the pipe end is measured.
  • the present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, and has an impurity adsorption amount capable of coping with the adsorption amount of impurities contained in gas to a gas flow path made of various materials even at the PPt level.
  • An object is to provide an evaluation method and an evaluation device. Disclosure of the invention
  • the invention according to claim 1 includes a first step of flowing an ultrahigh-purity inert gas into a sample tube, and at least a background in the sample tube.
  • a second step of baking the sample tube to a purity level a third step of setting the inside of the sample tube to an atmosphere of a predetermined temperature, and a fourth step of starting the flow of a predetermined concentration of the sample gas into the sample tube at a predetermined flow rate.
  • the sample tube can be replaced with a tube made of various materials or those having been subjected to various internal surface treatments, it is suitable for evaluating the amount of adsorbed impurities.
  • the inert gas and the sample gas be argon gas.
  • the invention of claim 4 includes a first gas supply source for supplying an ultra-high-purity inert gas and a sample gas capable of adjusting the addition amount of impurities.
  • a second gas supply source for supplying the gas through the gas flow controller, and a gas supply source which can selectively switch the inert gas or the sample gas into the sample tube.
  • a switching valve connected to the opening, holding means for holding the sample tube, a microanalyzer connected to the opening on the other end of the sample tube, and an optional constant temperature in the sample tube. And a controllable heating means.
  • the inert gas and the sample gas are configured so as to pass through at least the gas contact portion where the released gas is regulated so as not to lower the maximum purity level of each gas.
  • micro analyzer is an atmospheric pressure ion mass spectrometer. Action
  • an ultrahigh-purity gas ie, an argon gas having a ppt level purity
  • the heating means is operated to perform a backup at a predetermined high temperature in order to make the inside of the sample tube at least an atmosphere of the knock ground level.
  • impurities adhering to the inner wall of the sample tube are eliminated.
  • the heating means is controlled so that the inside of the sample tube has a predetermined temperature atmosphere.
  • a sample gas having a predetermined impurity concentration level flows into the sample tube at a predetermined flow rate.
  • FIG. 1 is a gas flow configuration diagram showing an embodiment of an apparatus for performing the evaluation method according to the present invention.
  • FIG. 2 is a graph showing the results measured by the apparatus shown in FIG.
  • FIG. 1 shows an embodiment of an apparatus for performing the evaluation method according to the present invention.
  • a supply source (not shown) of a source gas of an inert gas, such as argon, is connected to the gas inlet side of the pure ionizer 1 via a gas joint 1a.
  • First to third gas supply lines 2 to 4 are connected to the gas outlet side.
  • a first gas flow controller (MFC) 5 is connected to the first gas supply line 2, and a cylinder 6 as a supply source of water as an impurity, a regulator 7, and a second gas supply line 3 are connected to the second gas supply line 3. And the second MFC 8 is connected from the upstream side in that order. Further, a first valve 9 is connected to the third gas supply line 4, and a second valve 10 and a third valve 11 are located downstream of the first and second MFCs 5, 8. The fourth valve 12 is connected downstream of the third valve 11. The cylinder 6 is provided with a fifth valve 13. The fifth valve 13 is connected to the upstream side of the regulator 7 and is connected to the second gas supply line 3. Connected upstream of regulator 7.
  • an ultra-high-purity (7 K concentration, for example, at least about 300 ppt) argon gas can be obtained, while the cylinder 6 is, for example, 20 to 20 O 2.
  • Argon gas with a water concentration of ppm is filled, and by adjusting the control valve 7, etc., the junction of the first gas supply line 2 and the second gas supply line 3 has an arbitrary water concentration (for example, 3 ⁇ m).
  • OO ppt ⁇ Ar gas of L500 ppb) can be obtained.
  • the first, second and third valves 9, 10 and 11 constitute an integrated switching valve, wherein the first and third valves 9, 11 and the second ⁇ Valve opening and closing with Rev 10 are performed exclusively.
  • the first and second knobs 9, 10 are connected to one end of a sample tube 16 via a first joint 15 as a holding means, and the other end of the sample tube 16 is connected to another end.
  • the sample tube 16 is provided with an appropriate number of heaters I 9 to 21 arranged for each zone along the tube length direction, and each heater 19 to 21 is provided with a sample tube 14.
  • the temperature of the atmosphere in the zone can be accurately controlled.
  • temperature detectors 22 to 24 for temperature control are provided for each of the zones.
  • An atmospheric pressure ionization mass spectrometer (APIMS) 25 as a microanalyzer is connected to the relay pipe 18, and an exhaust means is connected to a detection section of the APIMS 25 via a flow meter 26. Have been.
  • APIMS atmospheric pressure ionization mass spectrometer
  • the fourth valve 12 is connected to the exhaust means, while the relay pipe 18 is provided with a small heater 27.
  • gas contact parts such as valves 9, 10 and 11, gas joints and the like are regulated to release gas to the extent that the purity of passing gas is not reduced.
  • the sample tube 16 to be evaluated is, for example, a stainless steel tube having a diameter of 1 Z4 inch (1 inch is 2.54 cm) and a length of 2 meters, and the inner surface is electrolytically polished. And an oxide film is formed. Attach between hooks 15 and 17.
  • the second valve 10 is closed, while the first valve 9, the third to sixth valves 11 to 14 are opened, and the first and third valves are opened with ultra-high purity argon gas.
  • Gas supply line 2, 4 Sample tube 16 is purged.
  • the heaters 19 to 21 are controlled to set the inside of the sample tube 14 to a high temperature atmosphere of, for example, 450 ° C., that is, to perform the peaking.
  • the ultrapure water content
  • the ultrapure water content
  • the second gas supply line 3 and the third gas supply Argon gas adjusted to a predetermined moisture concentration is exhausted through the line 4 by the exhaust means.
  • the argon gas having the water concentration can be supplied to the sample tube 16 at a predetermined flow rate (for example, 1.2 I / min). Adjustment for setting the predetermined flow rate can be performed by the first and second MFCs 5 and 8.
  • the baking is performed at least until the purity of the background in the sample tube 16 is reached, and whether or not the purity has been reached is checked by APIMS 25. After it is confirmed that the inside of the sample tube 14 has reached the purity of the background, the inside of the sample tube 14 is cooled to a desired constant temperature atmosphere (for example, 23 ° C.).
  • the heaters 19 to 21 are controlled based on the outputs of the detectors 20 to 22. In this case, the small heater 27 is controlled so that the inside of the relay pipe 16 is adapted to the constant temperature atmosphere.
  • the second valve 10 is opened from the open / closed state of each of the valves, and the first valve 9 and the third and fourth valves 11 and 12 are closed.
  • the argon gas having the predetermined moisture concentration flows through the second valve 10 into the sample tube 14 at the predetermined flow rate. Due to this inflow, moisture starts to be adsorbed on the inner wall of the sample tube 16, so the start of the inflow is recorded.
  • the saturated adsorption amount of water can be measured.
  • the second knob 10 When the adsorption of moisture is saturated, the second knob 10 is closed and the first valve 9, and the third and fourth valves 11 and 12 are opened from the open / closed state of each valve. . Then, the heaters 19 to 21 are controlled again to perform the baking, thereby removing moisture adhering to the inner surface of the sample tube 14.
  • FIG. 2 shows the results of the water adsorption evaluation of the sample tube performed by such a method.
  • the vertical axis represents time T
  • the horizontal axis represents the water concentration C in the sample gas (argon gas). That is, the time point of saturation of the moisture adsorption substantially coincides with the time point when the concentration Cm of the inflowing argon gas was confirmed at the end of the sample tube 16. Further, it can be understood that the higher the ambient temperature in the sample tube 16 is, the shorter the time required for the adsorption to reach saturation is.
  • a first step of flowing an ultra-high purity inert gas into the sample tube, and a second step of baking the inside of the sample tube to at least the background purity level A third step of bringing the inside of the sample tube to an atmosphere of a predetermined temperature, a fourth step of starting to flow a sample gas of a predetermined concentration into the sample tube at a predetermined flow rate, and And a fifth step in which the inflow of the sample gas is replaced with the inflow of an inert gas when the adsorption of impurities in the sample becomes saturated.
  • the amount of adsorption can be easily evaluated, and it can contribute particularly to the manufacture of a semiconductor having an ultrafine structure.
  • the adsorption evaluation of various evaluation objects can be easily performed by exchanging the sample tubes.
  • the sample gas and the carrier gas for purging can be shared, and the measurement and handling are performed because the argon gas is physically and logically stable. Easy.
  • the method of the first to third aspects can be easily and accurately performed by using the conventional apparatus.

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Description

明細書
不純物吸着量の評価方法及びその評価用装置 技術分野
本発明は、例えば半導体製造用の一般ガス （アルゴンガス等） の各種材料に対 する不純物の吸着量等を知るための評価方法及びその装置に関するものである。 背景技術
近年の半導体製造技術の進展は著しく超微細構造への追求は急務となつている が、 それに伴い製造装置の環境も超高純度 （いわゆる p p tレベルの純度） に保 たれる必要が生じる。 その結果、 例えば超高純度の一般ガス （例えばアルゴンガ ス） をガス流路たる配管系を介して供給しょうとする場合、該ガスに含まれる水 分等の不純物と各種材料から成る配管内面に対する吸着の程度を P P tレベルで 詳細に知る必要が生じる。
従来より知られている吸着量検出の手法としては、 測定対象である配管の管端 部に微量分析計 （大気圧イオン化質量分析計） を接続し、該配管内にガス純化器 からの超高純度のガスを流し、 前記管端部から流出するガス中の不純物量を測定 するようにしたものが知られている。
しかしながら、上記従来の手法では、金属表面に吸着している水分量について の考察が無視されており、 ガス流路たる配管系を介してのガス純度の測定が行わ れているに過ぎないので、 ガス系内表面の品質につ t、ては詳細な判断がなされて いないというのが実状であつた。
本発明は、 上記従来の課題を解決するべくなされたものであり、 ガス中に含ま れる不純物の各種材料から成るガス流路への吸着量を P P tレベルでも対応する ことができる不純物吸着量の評価方法及びその評価用装置を提供することを目的 とする。 発明の開示
上記目的を達成するべく、 請求項 1の発明は、 サンプル管内に超高純度の不活 性ガスを流入する第 1の工程と、該サンプル管内を少なくともバックグラゥンド の純度レベルまでベーキングする第 2の工程と、該サンプル管内を所定温度の雰 囲気にする第 3の工程と、該サンプル管内に所定濃度の試料ガスを所定流量で流 入を開始する第 4の工程と、該サンプル管の内面に前記試料ガス中の不純物の吸 着が飽和したとき前記試料ガスの流入を不活性ガスの流入に代える第 5の工程 と、から成る構成としている。
この場合、前記サンプル管は、各種材料または各種内面処理が施されたものか ら成るものと交換可能であると不純物吸着量の評価に好適である。
また、前記不活性ガス及び試料ガスは、 アルゴンガスであると好適である。 請求項 4の発明は、請求項 1〜3の発明を実施すべく、超高純度の不活性ガス を供給するための第 1のガス供給源と、不純物の添加量を調整可能な試料ガスを ガス流量制御計を介して供給するための第 2のガス供給源と、前記不活性ガスま たは試料ガスをサンプル管内に流すベく選択的に切り替え可能であり、該サンプ ル管の一端側開口部に接続される切り替えバルブと、該サンプル管を保持するた めの保持手段と、前記サンプル管の他端側開口部に接続される微量分析計と、前 記サンプル管内を任意の一定温度に制御可能な加熱手段とを備える構成としてい る。
この場合、前記不活性ガス及び試料ガスは、 少なくとも各ガスの最高純度レべ ルを低下させない程度に放出ガスが規制された接ガス部を通過するように構成さ れると好適である。
また、前記微量分析計は、大気圧イオン質量分析計であると好適である。 作用
まず、被評価対象としてのサンプル管内に超高純度のガス （すなわち p p tレ ベルの純度を有するアルゴンガス等） を流すことにより、該サンプル管内を予め 所定の高純度レベルの雰囲気にする。 次いで、加熱手段を作動させ該サンプル管 内を少なくともそのノ ックグラゥンド程度の雰囲気にすべく所定の高温度でベ一 キングする。 これにより該サンプル管の内壁に付着した不純物は脱離する。 続い て、該サンプル管内を所定の温度雰囲気にするべく前記加熱手段を制御する。 そ の後、 該サンプル管内に所定の不純物濃度レベルの試料ガスを所定流量で流入 し、 該不純物の吸着が飽和に達するまでの時間だけ流入する。該飽和に達したら 前記試料ガスの流入を停止し、前記加熱手段によりサンプル管内を前記超高純度 レベルに至るまでべ一キングを行 、、 該サンプル管から脱離した不純物量を検出 する。 図面の簡単な説明
図 1は本発明に係る評価方法を実施するための装置の一実施例を示すガスフ ロー構成図である。 図 2は図 1に示す装置により測定された結果を示すグラフで ある。
(符号の説明）
1 ガス純化器 （第 1のガス供給源）
6 ボンべ （第 2のガス供給源）
9、 1 0、 1 1 第 1、第 2、 第 3のバルブ （切り替えバルブ）
1 5 , 1 7 第 1、 第 2の継ぎ手 （保持手段）
1 6 サンプル管
2 5 A P I M S (微量分析計）
1 9、 2 0、 2 1 加熱ヒータ （加熱手段） 発明を実施するための最良の形態
図 1は本発明に係る評価方法を実施するための装置の一実施例を示すものであ る。 同図に示すように、純ィヒ器 1のガス流入側には例えばアルゴンのような不活 性ガスの原料ガスの供給源 （図示省略） がガス継ぎ手 1 aを介して接続され、 そ のガス流出側には第 1〜第 3のガス供給ライン 2〜 4が接続されている。
第 1のガス供給ライン 2には第 1のガス流量制御計 （MF C) 5が接続され、 第 2のガス供給ライン 3には不純物たる水分の供給源としてのボンべ 6、 レギュ レータ 7、 及び第 2の M F C 8がその順序で上流側から接続されている。 さら に、 第 3のガス供給ライン 4には第 1のバルブ 9が接続され、 前記第 1及び第 2 の M F C 5、 8の下流側には第 2のバルブ 1 0及び第 3のバルブ 1 1が接続さ れ、 該第 3のバルブ 1 1の下流側には第 4のバルブ 1 2が接続されている。 なお、前記ボンべ 6には第 5のバルブ 1 3が設けられ、該第 5のノ レブ 1 3は 前記レギュレータ 7の上流側に接続されると共に、第 2のガス供給ライン 3にお ける前記レギュレータ 7の上流側に接続されている。
ここで、前記純化器 6を設けることにより超高純度 （7K分濃度が例えば少なく とも 3 0 0 p p t程度） のアルゴンガスが得られる一方、前記ボンべ 6には例え ば 2 0〜2 0 O p pmの水分濃度のアルゴンガスが充填されており、調整バルブ 7の調整等により、第 1のガス供給ライン 2及び第 2のガス供給ライン 3の合流 部には、任意の水分濃度 （例えば 3 O O p p t〜： L 5 0 0 p p b ) のアルゴンガ スが得られるようになつている。 - 前記第 1、第 2、第 3のバルブ 9、 1 0、 1 1は集積化された切り替えノくルブ を構成しており、第 1及び第 3のバルブ 9、 1 1と第 2のノ · レブ 1 0との開弁、 閉弁は排他的に行われる。 また、第 1及び第 2のノ 'ルブ 9、 1 0は保持手段たる 第 1の継ぎ手 1 5を介してサンプル管 1 6の一端部に接続され、 該サンプル管 1 6の他端部は他の保持手段たる第 2の継ぎ手 1 7を介して中継管 1 8に連結さ れている。 また、前記サンプル管 1 6にはその管長方向に沿うゾーン毎に配置さ れた適数の加熱ヒータ I 9〜2 1が付設されており、各ヒータ 1 9〜2 1は夫々 サンプル管 1 4の当該ゾーン内雰囲気を精度良く温度制御可能になっている。 さ らに、 当該各ゾーン毎に温度制御用の温度検出器 2 2〜2 4が設けられている。 前記中継管 1 8には微量分析計としての大気圧イオン化質量分析計 (A P I M S ) 2 5が接続されており、該 A P I M S 2 5の検出部には流況計 2 6を介して排気手段が接続されている。
なお、前記第 4のバルブ 1 2には排気手段力接続されている一方、 前記中継管 1 8には小加熱ヒータ 2 7が付設されている。 また、各バルブ 9、 1 0、 1 1等 やガス継ぎ手等の接ガス部は通過するガスの純度を低下させない程度の放出ガス 規制がなされている。
次に、上記のように構成された本実施例による評価方法につき説明する。
まず、被評価対象たるサンプル管 1 6は、例えば、 管径が 1 Z4インチ （1ィ ンチは 2. 5 4センチメートル） で管長が 2メートルのステンレス管であり、 さ らに内面が電解研磨され、 かつ、酸化皮膜が形成されたものであり、 これを両継 ぎ手 1 5、 1 7の間に取り付ける。
続いて、第 2のバルブ 1 0を閉弁する一方、 第 1のバルブ 9、 第 3〜第 6のバ ルブ 1 1〜1 4を開弁し超高純度のアルゴンガスにより第 1、第 3のガス供給ラ イン 2、 4サンプル管 1 6内がパージされる。 その後、前記ヒータ 1 9〜2 1を 制御し、該サンプル管 1 4内を、 例えば 4 5 0 °Cの高温度雰囲気に設定、 すなわ ちべ一キングを行う。
この場合、 第 1のバルブ 9は開弁し、第 2のバルブ 1 0は閉弁しているので、 サンプル管 1 6内には第 1のガス供給ライン 2を介して超高純度 （水分濃度が例 えば少なくとも 3 0 0 p p t程度） のアルゴンガスが流れる。
また、 このとき第 3及び第 4のバルブ 1 1、 1 2並びに第 5及び第 6のバルブ 1 3、 1 4は開弁しているので、 第 2のガス供給ライン 3及び第 3のガス供給ラ イン 4を介して所定の水分濃度に調整されたアルゴンガスが排気手段により排出 される。換言すれば、該水分濃度のアルゴンガスが前記サンプル管 1 6に所定流 量 （例えば 1 . 2 I /m i n) で供給され得るようになつている。 該所定流量に 設するための調整は前記第 1及び第 2の MF C 5、 8により行える。
前記べ一キングは、少なくともサンプル管 1 6内のバックグラゥンドの純度に 至るまで行うが、 この純度に至ったか否かの確認は A P I M S 2 5により行う。 サンプル管 1 4内が前記バックグラゥンドの純度に至ったことが確認された 後、該サンプ 管 1 4内を所望の一定の温度雰囲気 （例えば 2 3 °C) に冷却する ベく、 前記温度検出器 2 0〜2 2の出力に基づき、 前記加熱ヒータ 1 9〜2 1を 制御する。 この場合、 前記中継管 1 6内も前記一定の温度雰囲気に適合させるベ く小加熱ヒータ 2 7を制御する。
次いで、 前記各バルブの開閉状態から第 2のバルブ 1 0を開弁し、 第 1のバル ブ 9、並びに第 3及び第 4のバルブ 1 1、 1 2を閉弁する。 これにより、 前記所 定の水分濃度のアルゴンガスが第 2のバルブ 1 0を介してサンプル管 1 4内に前 記所定流量で流入する。 この流入により、 サンプル管 1 6の内壁には水分が吸着 をし始めるので、 該流入開始時を記録しておく。
前記水分の吸着はサンプル管 1 6の内壁面積が決まっているので、一定量で飽 和に達する。 したがって、 前記所定水分濃度のアルゴンガスの流入開始後時から 前記 A P I MS 2 5が該所定水分濃度のアルゴンガスを検知するまでの時間を計 測すれば、水分の飽和吸着量が測定できる。
水分の吸着が飽和したら、前記各バルブの開閉状態から第 2のノくルブ 1 0を閉 弁し、第 1のバルブ 9、並びに第 3及び第 4のバルブ 1 1、 1 2を開弁する。 そ して、再び前記加熱ヒータ 1 9〜2 1を制御して前記べ一キングを行いサンプル 管 1 4の内面に付着した水分を脱離させる。
以下、他の雰囲気温度（例えば 4 0 °C、 6 0 °C、 8 0 °C等） での測定を行うベ く上記手順を繰り返す。
図 2はかかる手法により前記サンプル管の水分吸着評価を行つた結果を示すも のであり、縦軸は時間 Tを、横軸は試料ガス （アルゴンガス） 中の水分濃度 Cを 示している。 すなわち、 水分吸着の飽和の時点は流入したアルゴンガスの濃度 Cmがサンプル管 1 6の端部で確認された時点と略一致する。 また、 サンプル管 1 6内の雰囲気温度が高くなるほど、吸着の飽和に達する時間が早くなることが 理解できる。
前記サンプル管 1 6の材料あるいは内面処理の手法 （皮膜の材質等） を変更す ることにより、超高純度領域における各種材料についての水分吸着 （他の不純物 についても同様） の評価が行える。 産業上の利用可能性
以上のように請求項 1の発明によれば、 サンプル管内に超高純度の不活性ガス を流入する第 1の工程と、該サンプル管内を少なくともバックグラウンドの純度 レベルまでベーキングする第 2の工程と、該サンプル管内を所定温度の雰囲気に する第3の工程と、該サンプル管内に所定濃度の試料ガスを所定流量で流入を開 始する第 4の工程と、該サンプル管の内面に前記試料ガス中の不純物の吸着が飽 和したとき該試料ガスの流入を不活性ガスの流入に代える第 5の工程と、 から成 る構成としたので、特定の材料について超高純度レべゾレの不純物吸着量の評価を 容易に行うことができ、特に超微細構造の半導体製造等に貢献できる。
また、請求項 2の発明によれば、各種評価対象についての吸着評価をサンプル 管の交換により容易に行うことができる。 さらに、請求項 3の発明によれば、試料ガスとパージ用キャリアガスとを共用 することができ、 また、 アルゴンガスは物理的、ィヒ学的に安定したものであるか ら測定や取扱が容易である。
請求項 4〜請求項 6の発明によれば、請求項 1〜請求項 3の方法を従前の装置 を流用して容易にしかも高精度で実施することができる。

Claims

請求の範囲
1 . サンプル管内に超高純度の不活性ガスを流入する第 1の工程と、該サンプ ル管内を所定の超高純度レベルまでベーキングする第 2の工程と、該サンプル管 内を所定温度の雰囲気にする第 3の工程と、該サンプル管内に所定濃度の試料ガ スを所定流量で流入を開始する第 4の工程と、該サンプル管の内面に前記試料ガ ス中の不純物の吸着が飽和したとき前記試料ガスの流入を不活性ガスの流入に代 える第 5の工程と、 から成ることを特徴とする不純物吸着量の評価方法。
2. 前記サンプル管を、 各種材料から成りまたは各種内面処理が施されたもの から成るものと交換する工程を含むことを特徴とする請求項 1記載の不純物吸着 量の評価方法。
3. 前記不活性ガス及び試料ガスは、 アルゴンガスである請求項 1または請求 項 2記載の不純物吸着量の評価方法。
4. 超高純度の不活性ガスを供給するための第 1のガス供給源と、不純物の添 加量を調整可能な試料ガスをガス流量制御計を介して供給するための第 2のガス 供給源と、前記不活性ガスまたは試料ガスをサンプル管内に流すべく選択的に切 り替え可能であり、該サンプル管の一端側開口部に接続される切り替えバルブ と、該サンプル管を保持するための保持手段と、前記サンプル管の他端側開口部 に接続される微量分析計と、前記サンプル管内を任意の一定温度に制御可能な加 熱手段とを備えたことを特徵とする不純物吸着量の評価用装置。
5. 前記不活性ガス及び試料ガスは、少なくとも各ガスの純度レベルを低下さ せない程度に放出ガスが規制された接ガス部を通過することを特徵とする請求項 4に記載の不純物吸着量の評価用装置。
6. 前記微量分析計は、大気圧イオン質量分析計であることを特徴とする請求 項 4または請求項 5に記載の不純物吸着量の評価用装置。
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