JP2000244100A - 溶射回路体及びその製造方法 - Google Patents
溶射回路体及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁基板自体の成形性及び軽量化に優れ、且
つ、下地処理工程を削減する。 【解決手段】 ポリアミド系樹脂基板10上に所定の回
路パターンと同形状の開口部11aを有するマスキング
板11を配置し、このマスキング板11を配置したポリ
アミド系樹脂基板10に導電性物質を溶射して所定の回
路部15を形成し、所定の回路部15を形成した後に、
所定の回路部15の上からポリアミド系樹脂基板10に
絶縁物質を溶射して絶縁部を形成した。
つ、下地処理工程を削減する。 【解決手段】 ポリアミド系樹脂基板10上に所定の回
路パターンと同形状の開口部11aを有するマスキング
板11を配置し、このマスキング板11を配置したポリ
アミド系樹脂基板10に導電性物質を溶射して所定の回
路部15を形成し、所定の回路部15を形成した後に、
所定の回路部15の上からポリアミド系樹脂基板10に
絶縁物質を溶射して絶縁部を形成した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性物質の溶射
により絶縁基板上に回路部を形成する溶射回路体の製造
方法、及び、溶射回路体に関する。
により絶縁基板上に回路部を形成する溶射回路体の製造
方法、及び、溶射回路体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の溶射回路体の製造方法において
は、絶縁基板としてセラミック被膜を形成した金属板、
セラミック板、又は、樹脂板が使用されていた。セラミ
ック被膜を形成した金属板やセラミック板を用いた絶縁
基板は、溶射被膜の密着性に優れているが、絶縁基板自
体の成形性及び軽量化の点で問題がある。反対に、樹脂
板を用いた絶縁基板は、絶縁基板自体の成形性及び軽量
化の点で優れているが、ABS(アクリルニトリル・ブ
タジエン・スチレン供重合体)やPP(ポリプロピレ
ン)等の主な樹脂では溶射被膜の密着性が非常に悪い。
そのため、従来では、絶縁基板による溶射被膜の密着性
を良くするために下地処理を施す必要があった。
は、絶縁基板としてセラミック被膜を形成した金属板、
セラミック板、又は、樹脂板が使用されていた。セラミ
ック被膜を形成した金属板やセラミック板を用いた絶縁
基板は、溶射被膜の密着性に優れているが、絶縁基板自
体の成形性及び軽量化の点で問題がある。反対に、樹脂
板を用いた絶縁基板は、絶縁基板自体の成形性及び軽量
化の点で優れているが、ABS(アクリルニトリル・ブ
タジエン・スチレン供重合体)やPP(ポリプロピレ
ン)等の主な樹脂では溶射被膜の密着性が非常に悪い。
そのため、従来では、絶縁基板による溶射被膜の密着性
を良くするために下地処理を施す必要があった。
【0003】下地処理を施す従来の溶射回路体の製造方
法としては、図6及び図7に示す特開平3−59913
号公報に開示されたものがある。この製造方法を簡単に
説明すると、図6に示すように、絶縁基板1上に接着剤
2を用いて印刷により所定の回路パターン2aを形成
し、この接着剤2の回路パターン2a上に金属粉等の密
着補強剤3(図7に示す)を吹き付け、その後に接着剤
2の回路パターン2aを硬化させる。このような下地処
理を行った後に、図7に示すように、溶射装置4を用い
て導電金属5を絶縁基板1上に溶射する。すると、溶射
された導電金属5が接着剤2の回路パターン2aにのみ
強固に密着し、これによって所定の回路部6が形成され
るものである。又、接着剤2の代わりに導電性ペースト
剤を、密着補強剤3に代わりに金属フィラーをそれぞれ
用いて下地処理を行っても良い。
法としては、図6及び図7に示す特開平3−59913
号公報に開示されたものがある。この製造方法を簡単に
説明すると、図6に示すように、絶縁基板1上に接着剤
2を用いて印刷により所定の回路パターン2aを形成
し、この接着剤2の回路パターン2a上に金属粉等の密
着補強剤3(図7に示す)を吹き付け、その後に接着剤
2の回路パターン2aを硬化させる。このような下地処
理を行った後に、図7に示すように、溶射装置4を用い
て導電金属5を絶縁基板1上に溶射する。すると、溶射
された導電金属5が接着剤2の回路パターン2aにのみ
強固に密着し、これによって所定の回路部6が形成され
るものである。又、接着剤2の代わりに導電性ペースト
剤を、密着補強剤3に代わりに金属フィラーをそれぞれ
用いて下地処理を行っても良い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の溶射回路体の製造方法では、絶縁基板として樹脂板
を用いたため、絶縁基板自体の成形性及び軽量化に優れ
ているが、下地処理をしなければならず面倒であった。
来の溶射回路体の製造方法では、絶縁基板として樹脂板
を用いたため、絶縁基板自体の成形性及び軽量化に優れ
ているが、下地処理をしなければならず面倒であった。
【0005】そこで、本発明は、前記した課題を解決す
べくなされたものであり、絶縁基板自体の成形性及び軽
量化に優れ、且つ、下地処理工程を削減できる溶射回路
体の製造方法、及び、溶射回路体を提供することを目的
とする。
べくなされたものであり、絶縁基板自体の成形性及び軽
量化に優れ、且つ、下地処理工程を削減できる溶射回路
体の製造方法、及び、溶射回路体を提供することを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、ポリ
アミド系樹脂基板上に所定の回路パターンと同形状の開
口部を有するマスキングを施し、このマスキングされた
前記ポリアミド系樹脂基板に導電性物質を溶射して所定
の回路部を形成したことを特徴とする。
アミド系樹脂基板上に所定の回路パターンと同形状の開
口部を有するマスキングを施し、このマスキングされた
前記ポリアミド系樹脂基板に導電性物質を溶射して所定
の回路部を形成したことを特徴とする。
【0007】この溶射回路体の製造方法では、絶縁基板
としてポリアミド系樹脂基板を用いたため、絶縁基板自
体の成形性及び軽量化に優れ、又、ポリアミド系樹脂基
板は溶射被膜の密着性に優れているため、ポリアミド系
樹脂基板に直接に導電性物質を溶射することによって導
電性被膜による回路部を形成できる。
としてポリアミド系樹脂基板を用いたため、絶縁基板自
体の成形性及び軽量化に優れ、又、ポリアミド系樹脂基
板は溶射被膜の密着性に優れているため、ポリアミド系
樹脂基板に直接に導電性物質を溶射することによって導
電性被膜による回路部を形成できる。
【0008】請求項2の発明は、請求項1記載の溶射回
路体の製造方法であって、前記所定の回路部を形成した
後に、前記所定の回路部の上から前記前記ポリアミド系
樹脂基板に絶縁物質を溶射して絶縁部を形成したことを
特徴とする。
路体の製造方法であって、前記所定の回路部を形成した
後に、前記所定の回路部の上から前記前記ポリアミド系
樹脂基板に絶縁物質を溶射して絶縁部を形成したことを
特徴とする。
【0009】この溶射回路体の製造方法では、請求項1
の発明の作用に加え、ポリアミド系樹脂基板は溶射被膜
の密着性に優れているため、導電性被膜による回路部の
上から絶縁物質を溶射することによって絶縁性被膜によ
る絶縁部を形成できる。
の発明の作用に加え、ポリアミド系樹脂基板は溶射被膜
の密着性に優れているため、導電性被膜による回路部の
上から絶縁物質を溶射することによって絶縁性被膜によ
る絶縁部を形成できる。
【0010】請求項3の発明は、請求項2記載の溶射回
路体の製造方法であって、導電性物質の溶射による前記
所定の回路部の形成と、絶縁物質の溶射による絶縁部の
形成とから成る工程を前記ポリアミド系樹脂基板の同一
面に少なくとも2回繰り返すことにより複数の回路部を
積層した。
路体の製造方法であって、導電性物質の溶射による前記
所定の回路部の形成と、絶縁物質の溶射による絶縁部の
形成とから成る工程を前記ポリアミド系樹脂基板の同一
面に少なくとも2回繰り返すことにより複数の回路部を
積層した。
【0011】この溶射回路体の製造方法では、請求項2
の発明の作用に加え、導電性被膜と絶縁被膜の形成工程
を繰り返すことによって積層回路を形成できる。
の発明の作用に加え、導電性被膜と絶縁被膜の形成工程
を繰り返すことによって積層回路を形成できる。
【0012】請求項4の発明は、ポリアミド系樹脂基板
上に直接に導電性物質の溶射による所定の回路部を形成
したことを特徴とする。
上に直接に導電性物質の溶射による所定の回路部を形成
したことを特徴とする。
【0013】この溶射回路体では、絶縁基板としてポリ
アミド系樹脂基板を用いたため、絶縁基板自体の成形性
及び軽量化に優れ、又、ポリアミド系樹脂基板は溶射被
膜の密着性に優れているため、下地処理工程を削減でき
る。
アミド系樹脂基板を用いたため、絶縁基板自体の成形性
及び軽量化に優れ、又、ポリアミド系樹脂基板は溶射被
膜の密着性に優れているため、下地処理工程を削減でき
る。
【0014】請求項5の発明は、請求項4記載の溶射回
路体であって、前記所定の回路部の上から前記ポリアミ
ド系樹脂基板に絶縁物質の溶射による絶縁部を形成した
ことを特徴とする。
路体であって、前記所定の回路部の上から前記ポリアミ
ド系樹脂基板に絶縁物質の溶射による絶縁部を形成した
ことを特徴とする。
【0015】この溶射回路体では、請求項4の発明の作
用に加え、ポリアミド系樹脂基板は溶射被膜の密着性に
優れているため、導電性被膜による回路部の上から絶縁
物質の溶射による絶縁部を形成できる。
用に加え、ポリアミド系樹脂基板は溶射被膜の密着性に
優れているため、導電性被膜による回路部の上から絶縁
物質の溶射による絶縁部を形成できる。
【0016】請求項6の発明は、請求項5記載の溶射回
路体であって、導電性物質の溶射による前記所定の回路
部と、絶縁物質の溶射による絶縁部とから成る層を複数
積層したことを特徴とする。
路体であって、導電性物質の溶射による前記所定の回路
部と、絶縁物質の溶射による絶縁部とから成る層を複数
積層したことを特徴とする。
【0017】この溶射回路体では、請求項5の発明の作
用に加え、導電性被膜の回路部と絶縁部とからなる層が
複数積層されている。
用に加え、導電性被膜の回路部と絶縁部とからなる層が
複数積層されている。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【0019】図1(A)は本発明の一実施形態に係り、
溶射装置12によって導電性物質を溶射している状態を
示す断面図、(B)はポリアミド系樹脂基板10の拡大
断面図、(C)はポリアミド系樹脂基板10上における
溶射被膜の形成状態を示す拡大断面図、図2は溶射装置
13によって絶縁性物質を溶射している状態を示す断面
図、図3は2層目の回路部20を形成するために溶射装
置12によって導電性物質を溶射している状態を示す断
面図である。
溶射装置12によって導電性物質を溶射している状態を
示す断面図、(B)はポリアミド系樹脂基板10の拡大
断面図、(C)はポリアミド系樹脂基板10上における
溶射被膜の形成状態を示す拡大断面図、図2は溶射装置
13によって絶縁性物質を溶射している状態を示す断面
図、図3は2層目の回路部20を形成するために溶射装
置12によって導電性物質を溶射している状態を示す断
面図である。
【0020】図1〜図3において、溶射回路体を製造す
るに際して、絶縁基板としてポリアミド系樹脂基板10
を用い、所定の回路パターンと同形状の開口部11aを
有するマスキング板11が用意されている。溶射装置と
しては銅材等の導電性物質を溶射する溶射装置12と、
樹脂、セラミック等の絶縁性物質を溶射する溶射装置1
3とが使用される。
るに際して、絶縁基板としてポリアミド系樹脂基板10
を用い、所定の回路パターンと同形状の開口部11aを
有するマスキング板11が用意されている。溶射装置と
しては銅材等の導電性物質を溶射する溶射装置12と、
樹脂、セラミック等の絶縁性物質を溶射する溶射装置1
3とが使用される。
【0021】次に、溶射回路体を製造方法について説明
する。図1(A)に示すように、ポリアミド系樹脂基板
10上にマスキング板11を配置し、溶射装置12によ
って導電性物質を溶射する。すると、導電性物質の溶融
金属粒子14がマスキング板11の開口部11aよりポ
リアミド系樹脂基板10上に吹き付けられる。
する。図1(A)に示すように、ポリアミド系樹脂基板
10上にマスキング板11を配置し、溶射装置12によ
って導電性物質を溶射する。すると、導電性物質の溶融
金属粒子14がマスキング板11の開口部11aよりポ
リアミド系樹脂基板10上に吹き付けられる。
【0022】次に、ポリアミド系樹脂基板10上よりマ
スキング板11を取り除くと、吹き付けられた溶融金属
粒子14によって溶射被膜がポリアミド系樹脂基板10
上に密着され、この溶射被膜によって一層目の回路部1
5がポリアミド系樹脂基板10上に形成される。
スキング板11を取り除くと、吹き付けられた溶融金属
粒子14によって溶射被膜がポリアミド系樹脂基板10
上に密着され、この溶射被膜によって一層目の回路部1
5がポリアミド系樹脂基板10上に形成される。
【0023】次に、図2に示すように、一層目の回路部
15を形成したポリアミド系樹脂基板10の全面に溶射
装置13によって絶縁性物質を溶射する。すると、絶縁
性物質の溶融絶縁粒子17が回路部15の上面を含めて
ポリアミド系樹脂基板10上に吹き付けられる。この吹
き付けられた溶融絶縁粒子17によって溶射被膜がポリ
アミド系樹脂基板10上に密着され、この溶射被膜によ
る一層目の絶縁部18がポリアミド系樹脂基板10上に
形成される。
15を形成したポリアミド系樹脂基板10の全面に溶射
装置13によって絶縁性物質を溶射する。すると、絶縁
性物質の溶融絶縁粒子17が回路部15の上面を含めて
ポリアミド系樹脂基板10上に吹き付けられる。この吹
き付けられた溶融絶縁粒子17によって溶射被膜がポリ
アミド系樹脂基板10上に密着され、この溶射被膜によ
る一層目の絶縁部18がポリアミド系樹脂基板10上に
形成される。
【0024】一層の回路部15のみを形成する場合に
は、上記したように一層目の回路部15、又は、一層目
の回路部15及び一層目の絶縁部18をポリアミド系樹
脂基板10上に形成すれば良いが、二層以上の回路部を
形成する場合には、図3に示すように、一層目の回路部
15及び一層目の絶縁部18を形成したポリアミド系樹
脂基板10上に二層目回路部用のマスキング板19を配
置し、溶射装置12によって導電性物質を溶射して二層
目の回路部20を形成する。その後に、上記と同様にし
て絶縁性物質を溶射することによって二層目の絶縁部
(図示せず)を形成する。これを繰り返すことによって
三層目、四層目というように積層回路を形成することが
できる。
は、上記したように一層目の回路部15、又は、一層目
の回路部15及び一層目の絶縁部18をポリアミド系樹
脂基板10上に形成すれば良いが、二層以上の回路部を
形成する場合には、図3に示すように、一層目の回路部
15及び一層目の絶縁部18を形成したポリアミド系樹
脂基板10上に二層目回路部用のマスキング板19を配
置し、溶射装置12によって導電性物質を溶射して二層
目の回路部20を形成する。その後に、上記と同様にし
て絶縁性物質を溶射することによって二層目の絶縁部
(図示せず)を形成する。これを繰り返すことによって
三層目、四層目というように積層回路を形成することが
できる。
【0025】このようにして製造された溶射回路体にお
ける溶射被膜のポリアミド系樹脂基板10に対する密着
力は、図4に示すように、ポリプロピレン(PP)樹脂
基板に比べて遥かに優れている。一般には樹脂基板の表
面は、図1(B)に示すように、多数の凹部10aを有
する粗面であるが、溶射時の熱変形による表面滑面化に
よって凹部10aが失われることで密着性が弱くなると
考えられる。しかし、ポリアミド系樹脂基板10は、他
の樹脂に比べて高融点(摂氏約250度)であるため
に、図1(C)に示すように、溶射時の熱変形による表
面滑面化が抑えられて凹部10aが失われず投錨効果が
維持できるためであると考えられる。
ける溶射被膜のポリアミド系樹脂基板10に対する密着
力は、図4に示すように、ポリプロピレン(PP)樹脂
基板に比べて遥かに優れている。一般には樹脂基板の表
面は、図1(B)に示すように、多数の凹部10aを有
する粗面であるが、溶射時の熱変形による表面滑面化に
よって凹部10aが失われることで密着性が弱くなると
考えられる。しかし、ポリアミド系樹脂基板10は、他
の樹脂に比べて高融点(摂氏約250度)であるため
に、図1(C)に示すように、溶射時の熱変形による表
面滑面化が抑えられて凹部10aが失われず投錨効果が
維持できるためであると考えられる。
【0026】以上、本発明によれば、絶縁基板としてポ
リアミド系樹脂基板10を用いたため、絶縁基板自体の
成形性及び軽量化に優れ、又、ポリアミド系樹脂基板1
0は溶射被膜の密着性に優れているため、ポリアミド系
樹脂基板10に直接に導電性物質を溶射することによっ
て導電性被膜による回路部15を形成でき、下地処理工
程を削減できる。
リアミド系樹脂基板10を用いたため、絶縁基板自体の
成形性及び軽量化に優れ、又、ポリアミド系樹脂基板1
0は溶射被膜の密着性に優れているため、ポリアミド系
樹脂基板10に直接に導電性物質を溶射することによっ
て導電性被膜による回路部15を形成でき、下地処理工
程を削減できる。
【0027】又、本発明によれば、ポリアミド系樹脂基
板10は溶射被膜の密着性に優れているため、導電性被
膜による回路部15の上から絶縁物質を溶射することに
よって絶縁部18を形成でき、回路部15と絶縁部18
とを共に溶射によって形成でき製造工程の簡素化・単純
化に供する。溶射被膜は被膜材料の汎用性が大きいた
め、回路部15と絶縁部18を同一工程で作成すること
もできる。
板10は溶射被膜の密着性に優れているため、導電性被
膜による回路部15の上から絶縁物質を溶射することに
よって絶縁部18を形成でき、回路部15と絶縁部18
とを共に溶射によって形成でき製造工程の簡素化・単純
化に供する。溶射被膜は被膜材料の汎用性が大きいた
め、回路部15と絶縁部18を同一工程で作成すること
もできる。
【0028】更に、本発明によれば、回路部15と絶縁
部18の形成工程を繰り返すことによって容易に積層回
路を形成できる。
部18の形成工程を繰り返すことによって容易に積層回
路を形成できる。
【0029】また、溶射被膜は図5に示すように、膜厚
が約1mmと他の被膜に比べて厚くすることができるた
め、狭い線幅で導体断面積を稼ぐことができるという利
点がある。例えば、線幅1mmで1sq相当の電線と同
等の導体断面積を得ることができる。
が約1mmと他の被膜に比べて厚くすることができるた
め、狭い線幅で導体断面積を稼ぐことができるという利
点がある。例えば、線幅1mmで1sq相当の電線と同
等の導体断面積を得ることができる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、ポリアミド系樹脂基板上に所定の回路パターン
と同形状の開口部を有するマスキングを施し、このマス
キングされた前記ポリアミド系樹脂基板に導電性物質を
溶射して所定の回路部を形成したので、絶縁基板として
ポリアミド系樹脂基板を用いたため、絶縁基板自体の成
形性及び軽量化に優れ、又、ポリアミド系樹脂基板は溶
射被膜の密着性に優れているため、ポリアミド系樹脂基
板に直接に導電性物質を溶射することによって導電性被
膜による回路部を形成でき、下地処理工程を削減でき
る。
よれば、ポリアミド系樹脂基板上に所定の回路パターン
と同形状の開口部を有するマスキングを施し、このマス
キングされた前記ポリアミド系樹脂基板に導電性物質を
溶射して所定の回路部を形成したので、絶縁基板として
ポリアミド系樹脂基板を用いたため、絶縁基板自体の成
形性及び軽量化に優れ、又、ポリアミド系樹脂基板は溶
射被膜の密着性に優れているため、ポリアミド系樹脂基
板に直接に導電性物質を溶射することによって導電性被
膜による回路部を形成でき、下地処理工程を削減でき
る。
【0031】請求項2の発明によれば、請求項1記載の
溶射回路体の製造方法であって、前記所定の回路部を形
成した後に、前記所定の回路部の上から前記前記ポリア
ミド系樹脂基板に絶縁物質を溶射して絶縁部を形成した
ので、請求項1の発明の効果に加え、ポリアミド系樹脂
基板は溶射被膜の密着性に優れているため、導電性被膜
による回路部の上から絶縁物質を溶射することによって
絶縁被膜による絶縁部を形成でき、回路部と絶縁部とを
共に溶射によって形成でき製造工程の簡素化・単純化に
供する。
溶射回路体の製造方法であって、前記所定の回路部を形
成した後に、前記所定の回路部の上から前記前記ポリア
ミド系樹脂基板に絶縁物質を溶射して絶縁部を形成した
ので、請求項1の発明の効果に加え、ポリアミド系樹脂
基板は溶射被膜の密着性に優れているため、導電性被膜
による回路部の上から絶縁物質を溶射することによって
絶縁被膜による絶縁部を形成でき、回路部と絶縁部とを
共に溶射によって形成でき製造工程の簡素化・単純化に
供する。
【0032】請求項3の発明によれば、請求項2記載の
溶射回路体の製造方法であって、導電性物質の溶射によ
る前記所定の回路部の形成と、絶縁物質の溶射による絶
縁部の形成とから成る工程を前記前記ポリアミド系樹脂
基板の同一面に少なくとも2回繰り返すことにより複数
の回路部を積層したので、請求項2の発明の効果に加
え、導電性被膜と絶縁被膜の形成工程を繰り返すことに
よって積層回路を形成できる。
溶射回路体の製造方法であって、導電性物質の溶射によ
る前記所定の回路部の形成と、絶縁物質の溶射による絶
縁部の形成とから成る工程を前記前記ポリアミド系樹脂
基板の同一面に少なくとも2回繰り返すことにより複数
の回路部を積層したので、請求項2の発明の効果に加
え、導電性被膜と絶縁被膜の形成工程を繰り返すことに
よって積層回路を形成できる。
【0033】請求項4の発明によれば、ポリアミド系樹
脂基板上に直接に導電性物質の溶射による所定の回路部
を形成したので、絶縁基板としてポリアミド系樹脂基板
を用いたため、絶縁基板自体の成形性及び軽量化に優
れ、又、ポリアミド系樹脂基板は溶射被膜の密着性に優
れているため、下地処理工程を削減できる。
脂基板上に直接に導電性物質の溶射による所定の回路部
を形成したので、絶縁基板としてポリアミド系樹脂基板
を用いたため、絶縁基板自体の成形性及び軽量化に優
れ、又、ポリアミド系樹脂基板は溶射被膜の密着性に優
れているため、下地処理工程を削減できる。
【0034】請求項5の発明によれば、請求項4記載の
溶射回路体であって、前記所定の回路部の上から前記ポ
リアミド系樹脂基板に絶縁物質の溶射による絶縁部を形
成したので、請求項4の発明の効果に加え、ポリアミド
系樹脂基板は溶射被膜の密着性に優れているため、導電
性被膜による回路部の上から絶縁物質の溶射による絶縁
部を形成でき、回路部と絶縁部とを共に溶射によって形
成でき製造工程の簡素化・単純化に供する。
溶射回路体であって、前記所定の回路部の上から前記ポ
リアミド系樹脂基板に絶縁物質の溶射による絶縁部を形
成したので、請求項4の発明の効果に加え、ポリアミド
系樹脂基板は溶射被膜の密着性に優れているため、導電
性被膜による回路部の上から絶縁物質の溶射による絶縁
部を形成でき、回路部と絶縁部とを共に溶射によって形
成でき製造工程の簡素化・単純化に供する。
【0035】請求項6の発明によれば、請求項5記載の
溶射回路体であって、導電性物質の溶射による前記所定
の回路部と、絶縁物質の溶射による絶縁部とから成る層
を複数積層したので、請求項5の発明の効果に加え、導
電性被膜の回路部と絶縁部とからなる層が複数積層され
ているため、積層回路を形成できる。
溶射回路体であって、導電性物質の溶射による前記所定
の回路部と、絶縁物質の溶射による絶縁部とから成る層
を複数積層したので、請求項5の発明の効果に加え、導
電性被膜の回路部と絶縁部とからなる層が複数積層され
ているため、積層回路を形成できる。
【図1】(A)は本発明の一実施形態に係り、溶射装置
によって導電性物質を溶射している状態を示す断面図、
(B)は本発明の一実施形態に係り、ポリアミド系樹脂
基板の拡大断面図、(C)は本発明の一実施形態に係
り、ポリアミド系樹脂基板上における溶射被膜の形成状
態を示す拡大断面図である。
によって導電性物質を溶射している状態を示す断面図、
(B)は本発明の一実施形態に係り、ポリアミド系樹脂
基板の拡大断面図、(C)は本発明の一実施形態に係
り、ポリアミド系樹脂基板上における溶射被膜の形成状
態を示す拡大断面図である。
【図2】本発明の一実施形態に係り、溶射装置によって
絶縁性物質を溶射している状態を示す断面図である。
絶縁性物質を溶射している状態を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係り、2層目の回路部を
形成するために溶射装置によって導電性物質を溶射して
いる状態を示す断面図である。
形成するために溶射装置によって導電性物質を溶射して
いる状態を示す断面図である。
【図4】ポリアミド(PA)系樹脂基板とポリプロピレ
ン(PP)樹脂基板との銅溶射被膜の密着力を示す図あ
る。
ン(PP)樹脂基板との銅溶射被膜の密着力を示す図あ
る。
【図5】各種被膜の厚さを示す図である。
【図6】従来の溶射回路体の製造方法を説明するための
斜視図である。
斜視図である。
【図7】従来の溶射回路体の製造方法を説明するための
斜視図である。
斜視図である。
10 ポリアミド系樹脂基板 15 一層目の回路部 18 絶縁部 20 二層目の回路部
Claims (6)
- 【請求項1】 ポリアミド系樹脂基板上に所定の回路パ
ターンと同形状の開口部を有するマスキングを施し、こ
のマスキングされた前記ポリアミド系樹脂基板に導電性
物質を溶射して所定の回路部を形成したことを特徴とす
る溶射回路体の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の溶射回路体の製造方法で
あって、 前記所定の回路部を形成した後に、前記所定の回路部の
上から前記ポリアミド系樹脂基板に絶縁物質を溶射して
絶縁部を形成したことを特徴とする溶射回路体の製造方
法。 - 【請求項3】 請求項2記載の溶射回路体の製造方法で
あって、 導電性物質の溶射による前記所定の回路部の形成と、絶
縁物質の溶射による絶縁部の形成とから成る工程を前記
前記ポリアミド系樹脂基板の同一面に少なくとも2回繰
り返すことにより複数の回路部を積層したことを特徴と
する溶射回路体の製造方法。 - 【請求項4】 ポリアミド系樹脂基板上に直接に導電性
物質の溶射による所定の回路部を形成したことを特徴と
する溶射回路体。 - 【請求項5】 請求項4記載の溶射回路体であって、 前記所定の回路部の上から前記ポリアミド系樹脂基板に
絶縁物質の溶射による絶縁部を形成したことを特徴とす
る溶射回路体。 - 【請求項6】 請求項5記載の溶射回路体であって、 導電性物質の溶射による前記所定の回路部と、絶縁物質
の溶射による絶縁部とから成る層を複数積層したことを
特徴とする溶射回路体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046921A JP2000244100A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 溶射回路体及びその製造方法 |
| DE2000107981 DE10007981A1 (de) | 1999-02-24 | 2000-02-22 | Gesprühtes Schaltungsmuster und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11046921A JP2000244100A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 溶射回路体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000244100A true JP2000244100A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12760808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11046921A Pending JP2000244100A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 溶射回路体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000244100A (ja) |
| DE (1) | DE10007981A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003115646A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Yazaki Corp | カードエッジ基板及びカードエッジ基板の製造方法 |
| KR100841237B1 (ko) | 2006-12-26 | 2008-06-25 | 영풍전자 주식회사 | 분사식 인쇄회로기판의 제조 방법 |
| KR101061518B1 (ko) | 2011-01-27 | 2011-09-02 | 한국기계연구원 | 인쇄 전자 소자 패터닝 장치 및 방법 |
| WO2018092798A1 (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 矢崎総業株式会社 | 回路体形成方法及び回路体 |
| JP2018088397A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-06-07 | 矢崎総業株式会社 | 回路体形成方法及び回路体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10065540A1 (de) * | 2000-12-28 | 2002-03-28 | Infineon Technologies Ag | Leiterbahn und Verfahren zur Herstellung |
| DE10207589A1 (de) * | 2002-02-22 | 2003-10-16 | Leoni Ag | Verfahren zum Erzeugen einer Leiterbahn auf einem Trägerbauteil sowie Trägerbauteil |
| DE10217214B4 (de) * | 2002-04-18 | 2004-03-11 | Hella Kg Hueck & Co. | Kühlanordnung für eine Schaltungsanordnung |
| US7709766B2 (en) * | 2002-08-05 | 2010-05-04 | Research Foundation Of The State University Of New York | System and method for manufacturing embedded conformal electronics |
| GB0325371D0 (en) * | 2003-10-30 | 2003-12-03 | Yazaki Europe Ltd | Method and apparatus for the manufacture of electric circuits |
| DE102004047357A1 (de) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Elektrische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Anordnung |
| DE102018214778A1 (de) | 2018-08-30 | 2020-03-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Fertigung von Leiterbahnen und Elektronikmodul |
-
1999
- 1999-02-24 JP JP11046921A patent/JP2000244100A/ja active Pending
-
2000
- 2000-02-22 DE DE2000107981 patent/DE10007981A1/de not_active Ceased
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003115646A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Yazaki Corp | カードエッジ基板及びカードエッジ基板の製造方法 |
| KR100841237B1 (ko) | 2006-12-26 | 2008-06-25 | 영풍전자 주식회사 | 분사식 인쇄회로기판의 제조 방법 |
| KR101061518B1 (ko) | 2011-01-27 | 2011-09-02 | 한국기계연구원 | 인쇄 전자 소자 패터닝 장치 및 방법 |
| WO2018092798A1 (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | 矢崎総業株式会社 | 回路体形成方法及び回路体 |
| JP2018088397A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-06-07 | 矢崎総業株式会社 | 回路体形成方法及び回路体 |
| US11306398B2 (en) | 2016-11-18 | 2022-04-19 | Yazaki Corporation | Method of forming circuit body and circuit body |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10007981A1 (de) | 2000-11-02 |
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