JPH03112156A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH03112156A JPH03112156A JP1251520A JP25152089A JPH03112156A JP H03112156 A JPH03112156 A JP H03112156A JP 1251520 A JP1251520 A JP 1251520A JP 25152089 A JP25152089 A JP 25152089A JP H03112156 A JPH03112156 A JP H03112156A
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- JP
- Japan
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- pattern
- circuit board
- board
- lead frame
- circuit
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置に関するものである。
従来、この種の混成集積回路装置は第3図に示すように
金属製リードフレームのアイランド部11に、絶縁基板
の表裏両面に回路パターンを有する回路基板6と絶縁性
ダミー基板13を接着剤10を介し固着し、さらに回路
基板6に能動素子3゜受動素子4等を搭載し、金属細線
2を用いて電気的に接続した後、トランスファーモール
ド法により外装樹脂1で封止した構造となっている。
金属製リードフレームのアイランド部11に、絶縁基板
の表裏両面に回路パターンを有する回路基板6と絶縁性
ダミー基板13を接着剤10を介し固着し、さらに回路
基板6に能動素子3゜受動素子4等を搭載し、金属細線
2を用いて電気的に接続した後、トランスファーモール
ド法により外装樹脂1で封止した構造となっている。
上述した従来の混成集積回路装置は、金属性リードフレ
ームのアイランド部11へ、絶縁基板の表裏両面に凹凸
状の回路パターン7を有する回路基板6と、絶縁性ダミ
ー基板13と、接着剤10を介し160〜180℃の高
温および15〜30kg/rdの高圧プレスで固着して
いるため、裏面の凹凸パターンが回路基板6の表面に表
われグイポンディング、ワイヤーボンディング工程にお
いて素子搭載部の凹凸によるダイポンディング剤のなじ
み不足や、ワイヤーポンディング部の傾斜によるワイヤ
ーポンディング不良および認識パターン部の凹凸による
パターン認識不具合等の問題があった。
ームのアイランド部11へ、絶縁基板の表裏両面に凹凸
状の回路パターン7を有する回路基板6と、絶縁性ダミ
ー基板13と、接着剤10を介し160〜180℃の高
温および15〜30kg/rdの高圧プレスで固着して
いるため、裏面の凹凸パターンが回路基板6の表面に表
われグイポンディング、ワイヤーボンディング工程にお
いて素子搭載部の凹凸によるダイポンディング剤のなじ
み不足や、ワイヤーポンディング部の傾斜によるワイヤ
ーポンディング不良および認識パターン部の凹凸による
パターン認識不具合等の問題があった。
本発明の混成集積回路装置は、第1図および第2図に示
すように回路基板6の裏面回路パターン7にソルダーレ
ジスト9を塗布し、さらに回路パターンの凹凸部にソル
ダーレジストを馴しませることによって回路基板6の表
面を平滑化すると同時に電気的な絶縁を確保している。
すように回路基板6の裏面回路パターン7にソルダーレ
ジスト9を塗布し、さらに回路パターンの凹凸部にソル
ダーレジストを馴しませることによって回路基板6の表
面を平滑化すると同時に電気的な絶縁を確保している。
さらに接着剤10を介しリードフレームのアイランド部
11に固着した構造を備えている。
11に固着した構造を備えている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の混成集積回路装置の断面図
である。
である。
第1図は絶縁基板の表裏両面に回路パターン7を形成す
ると共にスルホール5により表裏のパターンを電気的に
接続し、さらに裏面パターンに30〜60μm程度のソ
ルダーレジスト9を塗布した回路基板6を、リードフレ
ームのアイランド部11に接着剤10を介して高温、高
圧のプレスで固着する。さらに回路基板6の平滑された
搭載面に能動素子3.受動素子4等を搭載すると共に、
金属細線2で前記素子と、傾斜のない安定した回路基板
6の表面およびリード端子8間とをワイヤーポンディン
グ法により電気的に接続し、さらに外装樹脂lで封止を
する。
ると共にスルホール5により表裏のパターンを電気的に
接続し、さらに裏面パターンに30〜60μm程度のソ
ルダーレジスト9を塗布した回路基板6を、リードフレ
ームのアイランド部11に接着剤10を介して高温、高
圧のプレスで固着する。さらに回路基板6の平滑された
搭載面に能動素子3.受動素子4等を搭載すると共に、
金属細線2で前記素子と、傾斜のない安定した回路基板
6の表面およびリード端子8間とをワイヤーポンディン
グ法により電気的に接続し、さらに外装樹脂lで封止を
する。
第2図は本発明の他の実施例2断面図である。。
本実施例はザグリ構造を特徴としたもので、回路基板6
にザグリ12を加工し能動素子3を搭載するため従来構
造より熱伝導を改善できる。また外装樹脂1の薄いパッ
ケージで能動素子3の厚みを薄く研摩する必要もない利
点がある。
にザグリ12を加工し能動素子3を搭載するため従来構
造より熱伝導を改善できる。また外装樹脂1の薄いパッ
ケージで能動素子3の厚みを薄く研摩する必要もない利
点がある。
以上説明したように本発明は、回路基板の裏面パターン
にソルダーレジストを馴じませ平滑化および電気的な絶
縁を確保し、さらにリードフレームのアイランド部とを
接着剤を介し高温・高圧の条件でプレス固着するときに
生ずる回路基板表面の凹凸を防止ができるので、ダイマ
ウント、ワイヤーポンディング工程に於けるマウント剤
不足。
にソルダーレジストを馴じませ平滑化および電気的な絶
縁を確保し、さらにリードフレームのアイランド部とを
接着剤を介し高温・高圧の条件でプレス固着するときに
生ずる回路基板表面の凹凸を防止ができるので、ダイマ
ウント、ワイヤーポンディング工程に於けるマウント剤
不足。
ワイヤーポンディング不具合およびパターン認識率を改
善できる。さらに回路基板の平滑化により接着剤間に生
ずるボイドを防止できるため密着強度を向上させる効果
もある。
善できる。さらに回路基板の平滑化により接着剤間に生
ずるボイドを防止できるため密着強度を向上させる効果
もある。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の混成集積回路装
置の実施例を示す断面図である。第3図は従来の混成集
積回路装置の一実施例の断面図である。 1・・・・・・外装樹脂、2・・・・・・金属細線、3
・・・・・・能動素子、4・・・・・・受動素子、5・
・・・・・スルホール、6・・・・・・回路基板、7・
・・・・・回路パターン、8・・・・・・リード端子、
9・・・・・・ソルダーレジスト、10・・・・・・接
着剤、11・・・・・・アイランド部、12・・・・・
・ザグリ、13・・・・・・絶縁性ダミー基板。
置の実施例を示す断面図である。第3図は従来の混成集
積回路装置の一実施例の断面図である。 1・・・・・・外装樹脂、2・・・・・・金属細線、3
・・・・・・能動素子、4・・・・・・受動素子、5・
・・・・・スルホール、6・・・・・・回路基板、7・
・・・・・回路パターン、8・・・・・・リード端子、
9・・・・・・ソルダーレジスト、10・・・・・・接
着剤、11・・・・・・アイランド部、12・・・・・
・ザグリ、13・・・・・・絶縁性ダミー基板。
Claims (2)
- (1)絶縁基板の表裏両面に回路パターンを形成し、前
記裏面パターンにソルダーレジストを塗布した回路基板
を、リードフレームのアイランド部へ接着剤を用いて固
着し、該回路基板上に1個以上の能動素子,受動素子等
を搭載し、前記素子および回路基板をリードフレームの
リード端子部と電気的に接続し、さらに外装樹脂で封止
したことを特徴とする混成集積回路装置。 - (2)回路基板には表裏両面の回路パターンと接続する
スルホールが形成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251520A JP2730212B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251520A JP2730212B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112156A true JPH03112156A (ja) | 1991-05-13 |
| JP2730212B2 JP2730212B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=17224035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1251520A Expired - Lifetime JP2730212B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730212B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157801A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールとその製造方法 |
| JP2008124136A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Denso Corp | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1251520A patent/JP2730212B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157801A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールとその製造方法 |
| JP2008124136A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Denso Corp | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2730212B2 (ja) | 1998-03-25 |
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