JP2000292927A5 - - Google Patents
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Description
【発明の名称】パタン形成方法
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置等の微細加工に用いられるパタン形成方法に係り、特にＸ線、電子線等の電離放射線のパタン露光によりパタン潜像形成部に酸を生成せしめ、この酸を触媒とする反応によって、照射部と未照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とする現像工程によりパタンを現出させるパタン形成方法に関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置等の微細加工に用いられるパタン形成方法に係り、特にＸ線、電子線等の電離放射線のパタン露光によりパタン潜像形成部に酸を生成せしめ、この酸を触媒とする反応によって、照射部と未照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とする現像工程によりパタンを現出させるパタン形成方法に関する。
【０００６】
本発明の目的は、高感度で高解像度のレジストパタンを形成できるパタン形成方法を提供することにある。
本発明の目的は、高感度で高解像度のレジストパタンを形成できるパタン形成方法を提供することにある。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、その他の活性放射線に対して高感度で高解像度に優れたレジストパタンを形成できる。
【発明の効果】
本発明によれば、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、その他の活性放射線に対して高感度で高解像度に優れたレジストパタンを形成できる。
Claims (7)
- （ａ）カルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を含有するバインダ樹脂を、１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を含有する化合物と酸触媒付加反応させて得られる樹脂と、（ｂ）放射線照射により酸を生じる化合物とを含むレジスト液を基板に塗布し、塗膜を形成する工程と、
放射線を用いて前記塗膜に所定のパタン潜像を形成する工程と、
アルカリ水溶液を現像液としてパタンを現出させる現像工程とを有することを特徴とするパタン形成方法。 - 請求項１に記載のパタン形成方法において、上記成分（ａ）のバインダ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が、１．０〜２．０の範囲にあることを特徴とするパタン形成方法。
- 請求項１または２に記載のパタン形成方法において、上記成分（ａ）のバインダ樹脂が、ベンゼン環を３つ以上、水酸基を３つ以上有し、かつ１つのベンゼン環に有する水酸基が２つ以下であるポリヒドロキシ化合物であることを特徴とするパタン形成方法。
- 請求項１に記載のパタン形成方法において、上記成分（ａ）のビニルエーテル基を有する化合物が、少なくとも２個の水酸基を有する化合物の水酸基部分にビニルエーテル基が直接または連結基を介して結合している構造を有することを特徴とするパタン形成方法。
- アルカリ可溶性バインダ樹脂に含まれるカルボキシル基またはフェノール性水酸基と、ビニルエーテルとの付加により生じる架橋構造の樹脂を含む化学増幅系レジスト液を準備する工程と、
前記レジスト液を基板上に塗布する工程と、その後、
前記基板に放射線を照射、アルカリ水溶液で現像することにより所望のレジストパタンを得ることを特徴とするパタン形成方法。 - 請求項５記載のパタン形成方法において、前記アルカリ可溶性バインダ樹脂は、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜２００００の範囲であることを特徴とするパタン形成方法。
- 請求項６記載のパタン形成方法において、前記アルカリ可溶性バインダ樹脂は、前記重量平均分子量に対する数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０〜２．０の範囲であることを特徴とするパタン形成方法。
Priority Applications (1)
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| JP10371299A JP3903638B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | パタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371299A JP3903638B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | パタン形成方法 |
Publications (3)
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|---|---|
| JP2000292927A JP2000292927A (ja) | 2000-10-20 |
| JP2000292927A5 true JP2000292927A5 (ja) | 2004-10-07 |
| JP3903638B2 JP3903638B2 (ja) | 2007-04-11 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10371299A Expired - Fee Related JP3903638B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | パタン形成方法 |
Country Status (1)
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- 1999-04-12 JP JP10371299A patent/JP3903638B2/ja not_active Expired - Fee Related
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