JP2000292927A - パタン形成材料およびそれを用いたパタン形成方法 - Google Patents
パタン形成材料およびそれを用いたパタン形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルカリ水溶液を用いて現像するパタン形成に
おいて、感度、解像度、パタンエッジの凹凸等の諸性能
に優れたポジ型パタン形成材料を提供する。 【解決手段】（ａ）カルボキシル基および／またはフェ
ノール性水酸基を含有するバインダ樹脂を１分子中に少
なくとも２個以上のビニルエーテル基を含有する化合物
と酸触媒付加反応させて得られる樹脂、（ｂ）放射線照
射により酸を生じる化合物を少なくとも含むパタン形成
材料を用いる。
おいて、感度、解像度、パタンエッジの凹凸等の諸性能
に優れたポジ型パタン形成材料を提供する。 【解決手段】（ａ）カルボキシル基および／またはフェ
ノール性水酸基を含有するバインダ樹脂を１分子中に少
なくとも２個以上のビニルエーテル基を含有する化合物
と酸触媒付加反応させて得られる樹脂、（ｂ）放射線照
射により酸を生じる化合物を少なくとも含むパタン形成
材料を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置等の微細
加工に用いられるパタン形成材料に係り、特にＸ線、電
子線等の電離放射線のパタン露光によりパタン潜像形成
部に酸を生成せしめ、この酸を触媒とする反応によっ
て、照射部と未照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性
を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とする現像工程に
よりパタンを現出させるパタン形成材料およびパタン形
成方法に関する。
加工に用いられるパタン形成材料に係り、特にＸ線、電
子線等の電離放射線のパタン露光によりパタン潜像形成
部に酸を生成せしめ、この酸を触媒とする反応によっ
て、照射部と未照射部のアルカリ水溶液に対する溶解性
を変化させ、アルカリ水溶液を現像液とする現像工程に
よりパタンを現出させるパタン形成材料およびパタン形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路については高集積
化に伴う微細化が進み、使用されるレジストにも高い解
像性や感度、良好なパタン形状が要求されるようになっ
てきた。このようなレジストとして、露光により生成し
た酸の触媒作用により、現像液に対する溶解性を変化さ
せる反応を起こす化学増幅系レジストが注目され、多数
の化学増幅系レジスト組成物が提案されている。ポジ型
レジストとしては、米国特許第３７７９７７８号公報、
特開昭５９−４５４３９号公報に記載の組成物が知られ
ている。これらの従来例の記載によれば、溶解性を変化
させる媒体として、たとえば、酸触媒により脱保護（分
離）する保護基（アセタール、ｔ−ブトキシカルボニル
基等）を含む化合物または重合体が開示されている。こ
のような媒体を含むレジストは、現像によって、露光部
が溶け、未露光部が残り、ポジ型のパタンを現出させる
ことができる。
化に伴う微細化が進み、使用されるレジストにも高い解
像性や感度、良好なパタン形状が要求されるようになっ
てきた。このようなレジストとして、露光により生成し
た酸の触媒作用により、現像液に対する溶解性を変化さ
せる反応を起こす化学増幅系レジストが注目され、多数
の化学増幅系レジスト組成物が提案されている。ポジ型
レジストとしては、米国特許第３７７９７７８号公報、
特開昭５９−４５４３９号公報に記載の組成物が知られ
ている。これらの従来例の記載によれば、溶解性を変化
させる媒体として、たとえば、酸触媒により脱保護（分
離）する保護基（アセタール、ｔ−ブトキシカルボニル
基等）を含む化合物または重合体が開示されている。こ
のような媒体を含むレジストは、現像によって、露光部
が溶け、未露光部が残り、ポジ型のパタンを現出させる
ことができる。
【０００３】この反応機構においては、酸前駆体から発
生する酸の分子サイズおよび酸前駆体のアルカリ現像液
に対する溶解阻害効果が感度、解像度を決める要素にな
っており、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスル
ホン酸等のアルキルスルホン酸を酸の種類に持つオニウ
ム塩、アルキルスルホン酸とピロガロールとのエステ
ル、Ｎ−ヒドロキシイミドのトリフルオロメタンスルホ
ン酸等が広く用いられている。
生する酸の分子サイズおよび酸前駆体のアルカリ現像液
に対する溶解阻害効果が感度、解像度を決める要素にな
っており、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスル
ホン酸等のアルキルスルホン酸を酸の種類に持つオニウ
ム塩、アルキルスルホン酸とピロガロールとのエステ
ル、Ｎ−ヒドロキシイミドのトリフルオロメタンスルホ
ン酸等が広く用いられている。
【０００４】最近では、半導体集積回路の最小寸法がク
ォーターミクロン以下となり、集積回路製造の歩留まり
を向上させる上で、寸法精度の高いレジストパタンを得
ることが重要な課題となっている。現在用いられている
化学増幅系ポジ型レジストは、主にアルカリ可溶性高分
子からなっている。これらの高分子は様々な分子量を有
する分子によって構成されている。分子量の異なる高分
子は、現像液に対する溶解性が異なるため、現像後のレ
ジストパタンのエッジに凹凸（ラフネス）形状を生じさ
せ、これが寸法精度低下の原因になることがわかってき
た。これを回避するパタン形成材料として特開平６−２
６６０９９号公報に記載のように、アルカリ可溶性高分
子の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、
および分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を制御する方法が知
られている。これにより、レジストパタンのラフネスを
ある程度改善することができる。
ォーターミクロン以下となり、集積回路製造の歩留まり
を向上させる上で、寸法精度の高いレジストパタンを得
ることが重要な課題となっている。現在用いられている
化学増幅系ポジ型レジストは、主にアルカリ可溶性高分
子からなっている。これらの高分子は様々な分子量を有
する分子によって構成されている。分子量の異なる高分
子は、現像液に対する溶解性が異なるため、現像後のレ
ジストパタンのエッジに凹凸（ラフネス）形状を生じさ
せ、これが寸法精度低下の原因になることがわかってき
た。これを回避するパタン形成材料として特開平６−２
６６０９９号公報に記載のように、アルカリ可溶性高分
子の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、
および分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を制御する方法が知
られている。これにより、レジストパタンのラフネスを
ある程度改善することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の分子量
特性を制御したアルカリ可溶性樹脂を含むレジストは、
アルカリ可溶性の高い低分子量成分の含有量が著しく制
限されるために、樹脂全体の溶解速度が低下し、その結
果レジスト感度を著しく低下させるという重大な欠点が
ある。
特性を制御したアルカリ可溶性樹脂を含むレジストは、
アルカリ可溶性の高い低分子量成分の含有量が著しく制
限されるために、樹脂全体の溶解速度が低下し、その結
果レジスト感度を著しく低下させるという重大な欠点が
ある。
【０００６】本発明の目的は、従来技術の問題を解決
し、高感度で高解像度のレジストパタンを形成できるパ
タン形成材料およびそのパタン形成方法を提供すること
にある。
し、高感度で高解像度のレジストパタンを形成できるパ
タン形成材料およびそのパタン形成方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
の結果、レジストパタンのラフネス制御とレジスト感度
の向上の両方を満たす新しいパタン形成材料として、ア
ルカリ可溶性のバインダ樹脂とある特定の構造を有する
ビニルエーテル基を含有する化合物とを酸触媒下で反応
させ、バインダ樹脂のカルボキシル基またはフェノール
性水酸基とビニルエーテル基との付加によって生じる架
橋構造の樹脂に着目した。
の結果、レジストパタンのラフネス制御とレジスト感度
の向上の両方を満たす新しいパタン形成材料として、ア
ルカリ可溶性のバインダ樹脂とある特定の構造を有する
ビニルエーテル基を含有する化合物とを酸触媒下で反応
させ、バインダ樹脂のカルボキシル基またはフェノール
性水酸基とビニルエーテル基との付加によって生じる架
橋構造の樹脂に着目した。
【０００８】この架橋構造の形成によって、バインダ樹
脂は分子量が増加し、アルカリ水溶液に対する溶解性が
低い樹脂に変性される。この樹脂を用いたレジストは、
放射線照射で発生する酸の触媒反応によって架橋構造が
切断されるため、元のバインダ樹脂を容易に現出させる
ことが可能である。
脂は分子量が増加し、アルカリ水溶液に対する溶解性が
低い樹脂に変性される。この樹脂を用いたレジストは、
放射線照射で発生する酸の触媒反応によって架橋構造が
切断されるため、元のバインダ樹脂を容易に現出させる
ことが可能である。
【０００９】したがって、本発明によれば、従来のレジ
ストのマトリックス樹脂として使用できなかった、アル
カリ可溶性に優れた低分子量の樹脂および単分散の樹脂
をバインダ樹脂として使用できるため、露光部の溶解性
の向上と共に露光部で現出する分子サイズの均一化が得
られるという新規な機能を有するポジ型パタン形成材料
となることを見出し、本発明の完成に至った。
ストのマトリックス樹脂として使用できなかった、アル
カリ可溶性に優れた低分子量の樹脂および単分散の樹脂
をバインダ樹脂として使用できるため、露光部の溶解性
の向上と共に露光部で現出する分子サイズの均一化が得
られるという新規な機能を有するポジ型パタン形成材料
となることを見出し、本発明の完成に至った。
【００１０】すなわち、本発明は（ａ）カルボキシル基
および／またはフェノール性水酸基を含有するバインダ
樹脂を１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル
基を含有する化合物と酸触媒付加反応させて得られる樹
脂、（ｂ）放射線照射により酸を生じる化合物を少なく
とも含むことを特徴とするパタン形成材料およびこの組
成を用いたパタン形成方法により達成される。
および／またはフェノール性水酸基を含有するバインダ
樹脂を１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル
基を含有する化合物と酸触媒付加反応させて得られる樹
脂、（ｂ）放射線照射により酸を生じる化合物を少なく
とも含むことを特徴とするパタン形成材料およびこの組
成を用いたパタン形成方法により達成される。
【００１１】本発明に用いられるカルボキシル基および
／またはフェノール性水酸基を含有するバインダ樹脂と
しては、たとえばフェノール性水酸基を１個以上有する
フェノール類にアルデヒド類を用いて重縮合させたノボ
ラック樹脂が挙げられる。すなわち、フェノール、ｏ−
クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３
−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシ
レノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノー
ル、２，３，５−トリメチルフェノールなどのフェノー
ル性水酸基を１個以上有するフェノール類、レゾルシノ
ール、カテコールなどのフェノール性水酸基を２個以上
有するフェノール類、フロログルシン、ピロガロール、
ヒドロキシヒドロキノン等のフェノール性水酸基を３個
以上有するフェノール類が挙げられる。これらのフェノ
ール類は、それぞれ１種類単独でまたは２種類以上を組
み合わせて用いてもよい。
／またはフェノール性水酸基を含有するバインダ樹脂と
しては、たとえばフェノール性水酸基を１個以上有する
フェノール類にアルデヒド類を用いて重縮合させたノボ
ラック樹脂が挙げられる。すなわち、フェノール、ｏ−
クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３
−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシ
レノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノー
ル、２，３，５−トリメチルフェノールなどのフェノー
ル性水酸基を１個以上有するフェノール類、レゾルシノ
ール、カテコールなどのフェノール性水酸基を２個以上
有するフェノール類、フロログルシン、ピロガロール、
ヒドロキシヒドロキノン等のフェノール性水酸基を３個
以上有するフェノール類が挙げられる。これらのフェノ
ール類は、それぞれ１種類単独でまたは２種類以上を組
み合わせて用いてもよい。
【００１２】さらに上記のノボラック樹脂は、分別沈殿
処理、たとえば、樹脂を良溶媒、メチルイソブチルケト
ン、酢酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート等に溶解し、次いでヘキサン、クロロベン
ゼン、キシレン、トルエン、ジエチルエーテルなどの貧
溶媒に注ぎ込むことによって、低分子量が除かれた樹脂
を析出し、得られた析出物をさらに分別処理することに
より、所望の分子量、重量平均分子量（Ｍｗ）に対する
数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ、以下多分散度
という）のものを得ることができる。
処理、たとえば、樹脂を良溶媒、メチルイソブチルケト
ン、酢酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート等に溶解し、次いでヘキサン、クロロベン
ゼン、キシレン、トルエン、ジエチルエーテルなどの貧
溶媒に注ぎ込むことによって、低分子量が除かれた樹脂
を析出し、得られた析出物をさらに分別処理することに
より、所望の分子量、重量平均分子量（Ｍｗ）に対する
数平均分子量（Ｍｎ）の比（Ｍｗ／Ｍｎ、以下多分散度
という）のものを得ることができる。
【００１３】また、ビニルフェノール系重合体、ハロゲ
ン化ビニルフェノール重合体、カルボキシル基含有重合
体等のアルカリ可溶性樹脂も用いることができる。
ン化ビニルフェノール重合体、カルボキシル基含有重合
体等のアルカリ可溶性樹脂も用いることができる。
【００１４】上記ビニルフェノール系重合体としては、
ビニルフェノールの単独重合体およびビニルフェノール
と共重合可能な成分との共重合体が好適である。共重合
可能な成分としては、たとえばアクリル酸誘導体、メタ
クリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイン酸、マ
レイン酸イミド誘導体、アクリロニトリルなどが挙げら
れる。
ビニルフェノールの単独重合体およびビニルフェノール
と共重合可能な成分との共重合体が好適である。共重合
可能な成分としては、たとえばアクリル酸誘導体、メタ
クリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイン酸、マ
レイン酸イミド誘導体、アクリロニトリルなどが挙げら
れる。
【００１５】上記ハロゲン化ビニルフェノール重合体の
例としては、４−ビニル−２−クロロフェノール、４−
ビニル−２，６−ジクロロフェノール、４−ビニル−２
−ブロモフェノール、４−ビニル−２，６−ジブロモフ
ェノール等のビニルフェノール類を単独または２種類以
上組み合わせた重合体が挙げられる。
例としては、４−ビニル−２−クロロフェノール、４−
ビニル−２，６−ジクロロフェノール、４−ビニル−２
−ブロモフェノール、４−ビニル−２，６−ジブロモフ
ェノール等のビニルフェノール類を単独または２種類以
上組み合わせた重合体が挙げられる。
【００１６】上記カルボキシル基含有重合体としては、
アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、クロトン酸、
イタコン酸等のカルボキシル基含有単量体の単独重合
体、２種類以上のカルボキシル基含有単量体による共重
合体、または、カルボキシル基含有単量体と他の共重合
可能な単量体との共重合体が好ましい。
アクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、クロトン酸、
イタコン酸等のカルボキシル基含有単量体の単独重合
体、２種類以上のカルボキシル基含有単量体による共重
合体、または、カルボキシル基含有単量体と他の共重合
可能な単量体との共重合体が好ましい。
【００１７】上記の方法で得られたアルカリ可溶性バイ
ンダ樹脂は、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜２０
０００、重量平均分子量（Ｍｗ）に対する数平均分子量
（Ｍｎ）の比（多分散度）が、１．０〜２．０の範囲、
好ましくは、１．０〜１．５の範囲がよい。重量平均分
子量が２０００未満では、現像特性、塗膜の均一性に難
点があり、また、重量平均分子量が２００００を超える
と、解像性が著しく低下する。さらに、多分散度が２．
０を超えると、ビニルエーテル基を含有する化合物によ
る架橋化度にばらつきを生じ、本発明の効果が得られな
い。
ンダ樹脂は、重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜２０
０００、重量平均分子量（Ｍｗ）に対する数平均分子量
（Ｍｎ）の比（多分散度）が、１．０〜２．０の範囲、
好ましくは、１．０〜１．５の範囲がよい。重量平均分
子量が２０００未満では、現像特性、塗膜の均一性に難
点があり、また、重量平均分子量が２００００を超える
と、解像性が著しく低下する。さらに、多分散度が２．
０を超えると、ビニルエーテル基を含有する化合物によ
る架橋化度にばらつきを生じ、本発明の効果が得られな
い。
【００１８】本発明においてアルカリ可溶性のバインダ
樹脂としては特定のポリヒドロキシ化合物を用いること
ができる。すなわち、ベンゼン環を３つ以上、水酸基を
３つ以上有し、かつ１つのベンゼン環に有する水酸基が
２つ以下の構造を有するものが好ましい。
樹脂としては特定のポリヒドロキシ化合物を用いること
ができる。すなわち、ベンゼン環を３つ以上、水酸基を
３つ以上有し、かつ１つのベンゼン環に有する水酸基が
２つ以下の構造を有するものが好ましい。
【００１９】上記構造の化合物として、たとえば、トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、α，α，α'−トリス（４−
ヒドロキシフェニル）−１−エチル−４−イソプロピル
ベンゼン、２，６−ビス〔（２−ヒドロキシ−５−メチ
ルフェニル）メチル〕−４−メチルフェノール、２，
２'−メチレンビス〔６−〔（２−ヒドロキシ−５−メ
チルフェニル）メチル〕−４−メチルフェノール〕、４
−〔ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル〕−２−メ
トキシフェノール、４，４'，４''，４'''−（１，２−
エタンジイリデン）テトラキスフェノール、４，４'，
４''，４'''−（１，２−エタンジイリデン）テトラキ
ス〔２−メチルフェノール〕、４，６−ビス〔（４−ヒ
ドロキシフェニル）メチル〕−１，３−ベンゼンジオ−
ル、２，６−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル−
４−メチルフェノール、４，４'，４''，４'''−（１，
４−フェニレンジメチリジン）テトラキスフェノール、
Ｃ−ウンデシルカリックス〔４〕レゾルシンアレーン、
メチルカリックス〔４〕レゾルシンアレーン、および上
記フェノール類にヒドロキシベンジル、ヒドロキシアル
キルベンジル、ジヒドロキシベンジル、ハロゲン、アル
キル、シクロアルキル、アルコキシ、アシル、アシロキ
シ、ニトロ、ヒドロキシル、シアノ、ハロゲン化アシ
ル、カルボキシル、アルコール、ハロゲン化アルキル等
から選ばれる少なくとも１種類の置換基を有する化合物
が挙げられる。
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン、α，α，α'−トリス（４−
ヒドロキシフェニル）−１−エチル−４−イソプロピル
ベンゼン、２，６−ビス〔（２−ヒドロキシ−５−メチ
ルフェニル）メチル〕−４−メチルフェノール、２，
２'−メチレンビス〔６−〔（２−ヒドロキシ−５−メ
チルフェニル）メチル〕−４−メチルフェノール〕、４
−〔ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル〕−２−メ
トキシフェノール、４，４'，４''，４'''−（１，２−
エタンジイリデン）テトラキスフェノール、４，４'，
４''，４'''−（１，２−エタンジイリデン）テトラキ
ス〔２−メチルフェノール〕、４，６−ビス〔（４−ヒ
ドロキシフェニル）メチル〕−１，３−ベンゼンジオ−
ル、２，６−ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル−
４−メチルフェノール、４，４'，４''，４'''−（１，
４−フェニレンジメチリジン）テトラキスフェノール、
Ｃ−ウンデシルカリックス〔４〕レゾルシンアレーン、
メチルカリックス〔４〕レゾルシンアレーン、および上
記フェノール類にヒドロキシベンジル、ヒドロキシアル
キルベンジル、ジヒドロキシベンジル、ハロゲン、アル
キル、シクロアルキル、アルコキシ、アシル、アシロキ
シ、ニトロ、ヒドロキシル、シアノ、ハロゲン化アシ
ル、カルボキシル、アルコール、ハロゲン化アルキル等
から選ばれる少なくとも１種類の置換基を有する化合物
が挙げられる。
【００２０】本発明に用いられるビニルエーテル基を含
有する化合物としては、１分子中に少なくとも２個以上
のビニルエーテル基を含有する化合物が好ましい。たと
えば、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノンなど
のフェノール性水酸基を２個以上有するフェノール類、
フロログルシン、ピロガロール、ヒドロキシヒドロキノ
ン等のフェノール性水酸基を３個以上有するフェノール
類、ビスフェノール類、トリスフェノール類、三核体の
フェノール類、テトラキスフェノール類のヒドロキシル
基の水素原子の一部または全部をエチルビニルエーテル
基、メチルビニルエーテル基、ビニルエーテル基から選
ばれる少なくとも１種類で置換された化合物が好まし
い。
有する化合物としては、１分子中に少なくとも２個以上
のビニルエーテル基を含有する化合物が好ましい。たと
えば、レゾルシノール、カテコール、ヒドロキノンなど
のフェノール性水酸基を２個以上有するフェノール類、
フロログルシン、ピロガロール、ヒドロキシヒドロキノ
ン等のフェノール性水酸基を３個以上有するフェノール
類、ビスフェノール類、トリスフェノール類、三核体の
フェノール類、テトラキスフェノール類のヒドロキシル
基の水素原子の一部または全部をエチルビニルエーテル
基、メチルビニルエーテル基、ビニルエーテル基から選
ばれる少なくとも１種類で置換された化合物が好まし
い。
【００２１】さらにシクロアルカン類、ビフェニル類、
ナフタレン類、およびアントラセン類でヒドロキシル基
またはグリコロイル基を２個以上有する化合物のヒドロ
キシル基の水素原子の一部または全部をエチルビニルエ
ーテル基、メチルビニルエーテル基、ビニルエーテル基
から選ばれる少なくとも１種類で置換された化合物も用
いることができる。
ナフタレン類、およびアントラセン類でヒドロキシル基
またはグリコロイル基を２個以上有する化合物のヒドロ
キシル基の水素原子の一部または全部をエチルビニルエ
ーテル基、メチルビニルエーテル基、ビニルエーテル基
から選ばれる少なくとも１種類で置換された化合物も用
いることができる。
【００２２】本発明のビニルエーテル基を含有する化合
物の含有量は、アルカリ可溶性バインダ樹脂１００重量
部に対して、１０重量部以上〜１００重量部以下である
ことが望ましい。含有量がこの範囲にあると、放射線に
対して十分な感度、ラフネスを抑制した良好なパタン形
状を与えることができる。含有量が１０重量部より少な
いと、本発明の効果が得られず、含有量が１００重量部
より多いと、感度の低下につながり好ましくない。
物の含有量は、アルカリ可溶性バインダ樹脂１００重量
部に対して、１０重量部以上〜１００重量部以下である
ことが望ましい。含有量がこの範囲にあると、放射線に
対して十分な感度、ラフネスを抑制した良好なパタン形
状を与えることができる。含有量が１０重量部より少な
いと、本発明の効果が得られず、含有量が１００重量部
より多いと、感度の低下につながり好ましくない。
【００２３】本発明のレジスト組成物には、たとえば、
ストリエーション（塗布ムラ）を防いだり、現像性をよ
くしたりするための界面活性剤、樹脂の溶解速度を調整
するためのビスフェノール類、トリスフェノールアルカ
ン類、三核体のフェノール類、テトラキスフェノール類
等の低分子フェノール化合物、酸触媒により脱保護（分
離）する保護基（アセタール基、ケタール基、ｔ−ブト
キシカルボニル基等）を含む化合物または重合体、レジ
スト溶液の保存安定剤、酸触媒の非露光部への拡散を抑
制するための塩基性化合物、オニウムハライド等のイオ
ン解離性化合物、テトラエチレングリコール等の保湿剤
を必要に応じて配合することができる。
ストリエーション（塗布ムラ）を防いだり、現像性をよ
くしたりするための界面活性剤、樹脂の溶解速度を調整
するためのビスフェノール類、トリスフェノールアルカ
ン類、三核体のフェノール類、テトラキスフェノール類
等の低分子フェノール化合物、酸触媒により脱保護（分
離）する保護基（アセタール基、ケタール基、ｔ−ブト
キシカルボニル基等）を含む化合物または重合体、レジ
スト溶液の保存安定剤、酸触媒の非露光部への拡散を抑
制するための塩基性化合物、オニウムハライド等のイオ
ン解離性化合物、テトラエチレングリコール等の保湿剤
を必要に応じて配合することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】次に、この発明の具体的な実施例
および比較例について説明する。なお、これらの実施例
は、本発明の範囲内の好適な特定の条件の下における単
なる例示にすぎず、本発明がこれらの実施例にのみ限定
されるものではない。
および比較例について説明する。なお、これらの実施例
は、本発明の範囲内の好適な特定の条件の下における単
なる例示にすぎず、本発明がこれらの実施例にのみ限定
されるものではない。
【００２５】（ビニルエーテル合成例１）ビニルエーテ
ル基を含有する化合物の合成例を以下にあげる。ジメチ
ルスルホキシド５０ml中にトリス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン：２．５ｇを溶解する。これに水素化ナト
リウム（５０％固形油中）１．８ｇに１０mlのヘキサン
を加えて分散媒を溶かし去ったものを注ぎ、２５℃で１
時間攪拌しながら反応させた。さらに、この反応液に２
−クロロエチルビニルエーテル１０ｇを滴下し、７０℃
で１２時間反応させた。反応混合液は水１０００ml中に
滴下して、生成物を析出させる。生成物を含む水溶液を
分液ロートに移し、ジエチルエーテル２００mlを加えて
抽出した。エーテル溶液は、２ＮのＮａＯＨ水溶液５０
mlを加えて洗浄し、中性になるまで水洗する。水洗した
エーテル溶液は、減圧下濃縮して、生成物を得た。この
生成物は、赤外吸収スペクトルおよびＮＭＲスペクトル
分析より、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタンが
有する３つの水酸基の水素原子のすべてがエチルビニル
エーテル基で置換していることを確認した。
ル基を含有する化合物の合成例を以下にあげる。ジメチ
ルスルホキシド５０ml中にトリス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン：２．５ｇを溶解する。これに水素化ナト
リウム（５０％固形油中）１．８ｇに１０mlのヘキサン
を加えて分散媒を溶かし去ったものを注ぎ、２５℃で１
時間攪拌しながら反応させた。さらに、この反応液に２
−クロロエチルビニルエーテル１０ｇを滴下し、７０℃
で１２時間反応させた。反応混合液は水１０００ml中に
滴下して、生成物を析出させる。生成物を含む水溶液を
分液ロートに移し、ジエチルエーテル２００mlを加えて
抽出した。エーテル溶液は、２ＮのＮａＯＨ水溶液５０
mlを加えて洗浄し、中性になるまで水洗する。水洗した
エーテル溶液は、減圧下濃縮して、生成物を得た。この
生成物は、赤外吸収スペクトルおよびＮＭＲスペクトル
分析より、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタンが
有する３つの水酸基の水素原子のすべてがエチルビニル
エーテル基で置換していることを確認した。
【００２６】（ビニルエーテル合成例２）上述のビニル
エーテル合成例１のトリス（４−ヒドロキシフェニル）
メタンの代わりにフロログルシンを用いて同様の結果を
得た。
エーテル合成例１のトリス（４−ヒドロキシフェニル）
メタンの代わりにフロログルシンを用いて同様の結果を
得た。
【００２７】（ビニルエーテル合成例３）上述のビニル
エーテル合成例１のトリス（４−ヒドロキシフェニル）
メタンの代わりにビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタ
ンを用いて同様の結果を得た。
エーテル合成例１のトリス（４−ヒドロキシフェニル）
メタンの代わりにビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタ
ンを用いて同様の結果を得た。
【００２８】（ビニルエーテル合成例４）上述のビニル
エーテル合成例１の２−クロロエチルビニルエーテルの
代わりにビニルクロライドを用いて同様の結果を得た。
エーテル合成例１の２−クロロエチルビニルエーテルの
代わりにビニルクロライドを用いて同様の結果を得た。
【００２９】（樹脂合成例１）アルカリ可溶性バインダ
樹脂とビニルエーテル基を含有する化合物とを酸触媒付
加反応させて得られる樹脂の合成例を以下にあげる。
樹脂とビニルエーテル基を含有する化合物とを酸触媒付
加反応させて得られる樹脂の合成例を以下にあげる。
【００３０】α，α，α'−トリス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−１−エチル−４−イソプロピルベンゼンの４
−ヒドロキシベンジル基ヘキサ置換体（４−ヒドロキシ
ベンジル基の４−ヒドロキシフェニル基に置換する位置
は２および６位）（分子量：１０６０）（水酸化テトラ
メチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液に対する溶
解速度：３μm／秒）：２．０ｇとビニルエーテル合成
例１の化合物：１．０ｇを１，４−ジオキサン５０mlに
溶解する。これに、ピリジニウムｐ−トルエンスルホネ
ート：０．０１ｇを加え、２５℃で６時間反応させた。
その後反応液は、減圧下濃縮して、白色固体を得た。こ
の固体を酢酸エチルに溶解し、分液ロートに移して、２
ＮのＮａＯＨ５０mlを加えて洗浄し、中性になるまで水
洗する。水洗した酢酸エチル溶液は、減圧下濃縮し、ヘ
キサン中に固体を析出させる。濾過後、真空乾燥して生
成物を得た。
ェニル）−１−エチル−４−イソプロピルベンゼンの４
−ヒドロキシベンジル基ヘキサ置換体（４−ヒドロキシ
ベンジル基の４−ヒドロキシフェニル基に置換する位置
は２および６位）（分子量：１０６０）（水酸化テトラ
メチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液に対する溶
解速度：３μm／秒）：２．０ｇとビニルエーテル合成
例１の化合物：１．０ｇを１，４−ジオキサン５０mlに
溶解する。これに、ピリジニウムｐ−トルエンスルホネ
ート：０．０１ｇを加え、２５℃で６時間反応させた。
その後反応液は、減圧下濃縮して、白色固体を得た。こ
の固体を酢酸エチルに溶解し、分液ロートに移して、２
ＮのＮａＯＨ５０mlを加えて洗浄し、中性になるまで水
洗する。水洗した酢酸エチル溶液は、減圧下濃縮し、ヘ
キサン中に固体を析出させる。濾過後、真空乾燥して生
成物を得た。
【００３１】この生成物は、ＧＰＣ（示差屈折率検出器
使用）により、重量平均分子量（Ｍｗ）：５１００、多
分散度：２．５の樹脂であることを確認した。また、水
酸化テトラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液
に対する樹脂の溶解速度は、０．１nm／秒と小さいこと
が分かった。
使用）により、重量平均分子量（Ｍｗ）：５１００、多
分散度：２．５の樹脂であることを確認した。また、水
酸化テトラメチルアンモニウムの２．３８重量％水溶液
に対する樹脂の溶解速度は、０．１nm／秒と小さいこと
が分かった。
【００３２】（樹脂合成例２）上述の樹脂合成例１のビ
ニルエーテル化合物（ビニルエーテル合成例１）：１．
０ｇの代わりに同ビニルエーテル化合物：０．６ｇを用
いて同様の結果を得た。
ニルエーテル化合物（ビニルエーテル合成例１）：１．
０ｇの代わりに同ビニルエーテル化合物：０．６ｇを用
いて同様の結果を得た。
【００３３】（樹脂合成例３）上述の樹脂合成例１のビ
ニルエーテル化合物の代わりに１，４−シクロヘキサン
ジメタノールジビニルエーテルを用いて同様の結果を得
た。
ニルエーテル化合物の代わりに１，４−シクロヘキサン
ジメタノールジビニルエーテルを用いて同様の結果を得
た。
【００３４】（樹脂合成例４）上述の樹脂合成例１のビ
ニルエーテル化合物の代わりにビニルエーテル合成例２
のビニルエーテル化合物を用いて同様の結果を得た。
ニルエーテル化合物の代わりにビニルエーテル合成例２
のビニルエーテル化合物を用いて同様の結果を得た。
【００３５】（樹脂合成例５）上述の樹脂合成例１のビ
ニルエーテル化合物の代わりにビニルエーテル合成例３
のビニルエーテル化合物を用いて同様の結果を得た。
ニルエーテル化合物の代わりにビニルエーテル合成例３
のビニルエーテル化合物を用いて同様の結果を得た。
【００３６】（樹脂合成例６）上述の樹脂合成例１の
α，α，α'−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−エチル−４−イソプロピルベンゼンの４−ヒドロキシ
ベンジル基ヘキサ置換体の代わりにポリ（メタクリル
酸）（Ｍｗ：７０００、多分散度：１．０７）を用いて
同様の結果を得た。
α，α，α'−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−エチル−４−イソプロピルベンゼンの４−ヒドロキシ
ベンジル基ヘキサ置換体の代わりにポリ（メタクリル
酸）（Ｍｗ：７０００、多分散度：１．０７）を用いて
同様の結果を得た。
【００３７】（樹脂合成例７）上述の樹脂合成例１の
α，α，α'−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−エチル−４−イソプロピルベンゼンの４−ヒドロキシ
ベンジル基ヘキサ置換体の代わりにメチルカリックス
〔４〕レゾルシンアレーンを用いて同様の結果を得た。
α，α，α'−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１
−エチル−４−イソプロピルベンゼンの４−ヒドロキシ
ベンジル基ヘキサ置換体の代わりにメチルカリックス
〔４〕レゾルシンアレーンを用いて同様の結果を得た。
【００３８】（実施例１）樹脂合成例１の樹脂：１００
重量部、酸前駆体として、ピロガロールとエタンスルホ
ン酸の三置換体エステル：４重量部を２−ヘプタノンに
溶解して、固形分濃度１５重量％の溶液を調合した。こ
の溶液を孔径０．２μmのテフロンメンブレムフィルタ
を用いて濾過し、レジスト溶液を得た。
重量部、酸前駆体として、ピロガロールとエタンスルホ
ン酸の三置換体エステル：４重量部を２−ヘプタノンに
溶解して、固形分濃度１５重量％の溶液を調合した。こ
の溶液を孔径０．２μmのテフロンメンブレムフィルタ
を用いて濾過し、レジスト溶液を得た。
【００３９】シリコンウェハ上に上述のレジスト液を滴
下し、回転塗布後１００℃、５分間熱処理して０．３５
μmの厚さのレジスト膜を得た。この基板に電子線描画
装置（電子線の加速電圧は３０ｋＶ）で、照射量を段階
的に変化させて電子線照射後、１００℃、２分間熱処理
してレジスト膜の潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶
解性を増加させる反応を促進した。
下し、回転塗布後１００℃、５分間熱処理して０．３５
μmの厚さのレジスト膜を得た。この基板に電子線描画
装置（電子線の加速電圧は３０ｋＶ）で、照射量を段階
的に変化させて電子線照射後、１００℃、２分間熱処理
してレジスト膜の潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶
解性を増加させる反応を促進した。
【００４０】上述の熱処理後、水酸化テトラメチルアン
モニウム２．３８重量％を含む水溶液を現像液に用いて
３０秒間浸漬し、照射部の残留膜厚を測定した。この残
留膜厚と電子線照射量の関係から電子線感度特性を求め
た。本発明の感度曲線は、７．０μＣ／cm2の高感度で
膜減りもなく、高コントラストを得た（図１）。
モニウム２．３８重量％を含む水溶液を現像液に用いて
３０秒間浸漬し、照射部の残留膜厚を測定した。この残
留膜厚と電子線照射量の関係から電子線感度特性を求め
た。本発明の感度曲線は、７．０μＣ／cm2の高感度で
膜減りもなく、高コントラストを得た（図１）。
【００４１】本発明のレジスト溶液を塗布した基板に電
子線描画装置（電子線の加速電圧は５０ｋＶ）を用い
て、１１．０μＣ／cm2の照射量で０．２μmのラインア
ンドスペースパタンを描画した。１００℃、２分間熱処
理して潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加
させる反応を促進した。上述の熱処理の後、水酸化テト
ラメチルアンモニウム２．３８重量％を含む水溶液を現
像液に用いて５０秒間浸漬し、レジストパタンを得た。
本発明のレジストパタンは断面形状が矩形で、パタンエ
ッッジの凹凸が１０nm以下と小さいことが分かった。
子線描画装置（電子線の加速電圧は５０ｋＶ）を用い
て、１１．０μＣ／cm2の照射量で０．２μmのラインア
ンドスペースパタンを描画した。１００℃、２分間熱処
理して潜像部分のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加
させる反応を促進した。上述の熱処理の後、水酸化テト
ラメチルアンモニウム２．３８重量％を含む水溶液を現
像液に用いて５０秒間浸漬し、レジストパタンを得た。
本発明のレジストパタンは断面形状が矩形で、パタンエ
ッッジの凹凸が１０nm以下と小さいことが分かった。
【００４２】（実施例２）樹脂合成例１の樹脂の代わり
に樹脂合成例３を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
に樹脂合成例３を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
【００４３】（実施例３）樹脂合成例１の樹脂の代わり
に樹脂合成例４を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
に樹脂合成例４を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
【００４４】（実施例４）樹脂合成例１の樹脂の代わり
に樹脂合成例５を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
に樹脂合成例５を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
【００４５】（実施例５）樹脂合成例１の樹脂の代わり
に樹脂合成例６を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
に樹脂合成例６を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
【００４６】（実施例６）樹脂合成例１の樹脂の代わり
に樹脂合成例７を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
に樹脂合成例７を用いた以外は、実施例１の方法に従っ
た。本実施例においても、上記実施例１と同様の結果を
得た。
【００４７】（比較例１）：従来例 実施例１において合成例５の樹脂：１００重量部の代わ
りに、ｍ、ｐ−クレゾールノボラック樹脂（Ｍｗ：７７
００、多分散度：４．９）（水酸化テトラメチルアンモ
ニウムの２．３８重量％水溶液に対する溶解速度：２２
nm／秒）：８５重量部、エトキシエチル基を酸分解性基
に持つポリ（ｐ−ビニルフェノール）（エトキシエチル
基の導入率８０％）：１５重量部を用いた以外は、実施
例１の方法に従って行った。その結果、上記レジスト
は、３．０μＣ／cm2の電子線感度を示したが、電子線
描画装置によって形成した０．２μmパタンの凹凸が２
０nm以上と大きいことが分かった。
りに、ｍ、ｐ−クレゾールノボラック樹脂（Ｍｗ：７７
００、多分散度：４．９）（水酸化テトラメチルアンモ
ニウムの２．３８重量％水溶液に対する溶解速度：２２
nm／秒）：８５重量部、エトキシエチル基を酸分解性基
に持つポリ（ｐ−ビニルフェノール）（エトキシエチル
基の導入率８０％）：１５重量部を用いた以外は、実施
例１の方法に従って行った。その結果、上記レジスト
は、３．０μＣ／cm2の電子線感度を示したが、電子線
描画装置によって形成した０．２μmパタンの凹凸が２
０nm以上と大きいことが分かった。
【００４８】（実施例７）電子線描画技術（電子線の加
速電圧は５０ｋＶ）を用いてフォトマスクを加工するプ
ロセスに、実施例１のレジスト組成物を適用した実施例
を以下に示す。
速電圧は５０ｋＶ）を用いてフォトマスクを加工するプ
ロセスに、実施例１のレジスト組成物を適用した実施例
を以下に示す。
【００４９】まず、石英基板上にクロム膜と酸化クロム
膜の２層構造の遮光膜を付けたフォトマスク用ブランク
ス（ＨＯＹＡ（株）製）に上述のレジストを滴下、回転
塗布後１００℃、７分間熱処理して、０．３μmの厚さ
のレジスト膜を得た。この基板に電子線描画装置（電子
線の加速電圧は５０ｋＶ）を用いて、０．２５μmのラ
インアンドスペースパタンを１１．０μＣ／cm2の照射
量で描画した後、１００℃、５分間熱処理して潜像部分
のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加させる反応を促
進した。
膜の２層構造の遮光膜を付けたフォトマスク用ブランク
ス（ＨＯＹＡ（株）製）に上述のレジストを滴下、回転
塗布後１００℃、７分間熱処理して、０．３μmの厚さ
のレジスト膜を得た。この基板に電子線描画装置（電子
線の加速電圧は５０ｋＶ）を用いて、０．２５μmのラ
インアンドスペースパタンを１１．０μＣ／cm2の照射
量で描画した後、１００℃、５分間熱処理して潜像部分
のアルカリ水溶液に対する溶解性を増加させる反応を促
進した。
【００５０】上記の熱処理の後、水酸化テトラメチルア
ンモニウム２．３８重量％を含む水溶液を現像液に用い
て５０秒間浸漬し、レジストパタンを得た。本発明のレ
ジストパタンは、断面形状が矩形で、設計寸法通りの
０．５μmの線幅であった。次に現像パタンをマスクと
して、ＣＨ2Ｃｌ2とＯ2の混合ガスで反応性イオンエッ
チングにより、クロム２層膜のドライエッチングを行っ
た。酢酸メチルセロソルブでレジストを除去し、電子顕
微鏡でクロム膜のエッチング形状を確認したところ、垂
直な断面形状のパタンが確認された。
ンモニウム２．３８重量％を含む水溶液を現像液に用い
て５０秒間浸漬し、レジストパタンを得た。本発明のレ
ジストパタンは、断面形状が矩形で、設計寸法通りの
０．５μmの線幅であった。次に現像パタンをマスクと
して、ＣＨ2Ｃｌ2とＯ2の混合ガスで反応性イオンエッ
チングにより、クロム２層膜のドライエッチングを行っ
た。酢酸メチルセロソルブでレジストを除去し、電子顕
微鏡でクロム膜のエッチング形状を確認したところ、垂
直な断面形状のパタンが確認された。
【００５１】上記実施例では、潜像形成に電子線を用い
た例を示したが、酸前駆体は電子線以外の活性放射線の
照射によっても電子線照射と同様に酸を生成するため、
本発明において電子線以外にＸ線などの活性放射線を用
いて潜像形成を行っても、上記実施例と同様の結果を得
ることができた。
た例を示したが、酸前駆体は電子線以外の活性放射線の
照射によっても電子線照射と同様に酸を生成するため、
本発明において電子線以外にＸ線などの活性放射線を用
いて潜像形成を行っても、上記実施例と同様の結果を得
ることができた。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、紫外線、遠紫外線、電
子線、Ｘ線、その他の活性放射線に対して高感度で高解
像度に優れたレジストパタンを形成でき、しかもアルカ
リ水溶液現像可能であるためＩＣ、ＬＳＩなどの半導体
デバイス製造において、超微細加工用レジストとして好
適に用いられる。さらに、本発明のパタン形成方法によ
れば、集積回路製作時のスループットおよび歩留まりが
向上する。
子線、Ｘ線、その他の活性放射線に対して高感度で高解
像度に優れたレジストパタンを形成でき、しかもアルカ
リ水溶液現像可能であるためＩＣ、ＬＳＩなどの半導体
デバイス製造において、超微細加工用レジストとして好
適に用いられる。さらに、本発明のパタン形成方法によ
れば、集積回路製作時のスループットおよび歩留まりが
向上する。
【図１】本発明の実施例１におけるレジストの電子線感
度特性を示すグラフ。
度特性を示すグラフ。
１…実施例１のパタン形成材料の感度特性曲線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 61/14 Ｃ０８Ｌ 61/14 ５Ｆ０４６ Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ Ｇ０３Ｆ 7/38 ５１１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｃ０８Ｇ 8/36 // Ｃ０８Ｇ 8/36 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ ５６９Ａ (72)発明者 新井 唯 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AA04 AB16 AB17 AC01 AC05 AC06 AD03 BE10 BJ10 CB20 CB21 CB29 CB41 CB43 CB55 CB56 FA01 FA12 FA17 2H096 AA25 AA27 BA11 DA01 EA06 EA07 FA01 GA08 4J002 BC121 BG011 CC041 CC051 CC061 EV236 EV246 FD206 GP03 4J033 CA01 CA12 CA13 CA42 HA12 HB10 4J100 AB02Q AB07P AJ01R AJ02Q AJ02R AJ02S AJ08R AJ09Q AM02Q AM43Q BA02S BA03P BA15S BB01P BB03P BC04H BC43H BC43S CA01 CA04 CA31 DA04 HA11 HA19 HA61 JA38 5F046 BA07 JA04 LA12 LA18
Claims (6)
- 【請求項１】（ａ）カルボキシル基および／またはフェ
ノール性水酸基を含有するバインダ樹脂を、１分子中に
少なくとも２個以上のビニルエーテル基を含有する化合
物と酸触媒付加反応させて得られる樹脂と、（ｂ）放射
線照射により酸を生じる化合物とを含むことを特徴とす
るパタン形成材料。 - 【請求項２】請求項１に記載のパタン形成材料におい
て、上記成分（ａ）のバインダ樹脂の重量平均分子量
（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）
が、１．０〜２．０の範囲にあることを特徴とするパタ
ン形成材料。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のパタン形成材料
において、上記成分（ａ）のバインダ樹脂が、ベンゼン
環を３つ以上、水酸基を３つ以上有し、かつ１つのベン
ゼン環に有する水酸基が２つ以下であるポリヒドロキシ
化合物であることを特徴とするパタン形成材料。 - 【請求項４】請求項１に記載のパタン形成材料におい
て、上記成分（ａ）のビニルエーテル基を有する化合物
が、少なくとも２個の水酸基を有する化合物の水酸基部
分にビニルエーテル基が直接または連結基を介して結合
している構造を有することを特徴とするパタン形成材
料。 - 【請求項５】請求項１から４のいずれかに記載のパタン
形成材料を、基板に塗布し塗膜を形成する工程、塗膜溶
媒を取り除くための熱処理工程、放射線を用いて上記塗
膜に所定のパタン潜像を形成する工程、酸触媒反応を促
進する工程、アルカリ水溶液を現像液としてパタンを現
出させる現像工程からなることを特徴とするパタン形成
方法。 - 【請求項６】請求項５に記載のパタン形成方法におい
て、放射線の線源として電子線またはＸ線を用いること
を特徴とするパタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371299A JP3903638B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | パタン形成方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371299A JP3903638B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | パタン形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000292927A true JP2000292927A (ja) | 2000-10-20 |
| JP2000292927A5 JP2000292927A5 (ja) | 2004-10-07 |
| JP3903638B2 JP3903638B2 (ja) | 2007-04-11 |
Family
ID=14361340
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10371299A Expired - Fee Related JP3903638B2 (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | パタン形成方法 |
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|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003050460A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化学増幅型ポジ型液晶素子用レジスト組成物 |
| WO2005050319A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | ポジ型フォトレジスト及び構造体の製造方法 |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| WO2009093419A1 (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法 |
| US7972763B2 (en) | 2006-11-29 | 2011-07-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Chemically amplified positive resist composition |
| JP2015052694A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | Jsr株式会社 | 感光性樹脂組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法、ならびに電子部品 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06230574A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPH0862844A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPH1031310A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH10207066A (ja) * | 1996-04-24 | 1998-08-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JPH10265524A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-10-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JPH10268508A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 部分水素化高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JPH10298236A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JPH1172928A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-03-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH1184661A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| WO1999015935A1 (en) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Clariant International Ltd. | Novel process for preparing resists |
-
1999
- 1999-04-12 JP JP10371299A patent/JP3903638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06230574A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPH0862844A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPH10207066A (ja) * | 1996-04-24 | 1998-08-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JPH1031310A (ja) * | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH10265524A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-10-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JPH10268508A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 部分水素化高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JPH10298236A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JPH1172928A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-03-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH1184661A (ja) * | 1997-09-01 | 1999-03-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| WO1999015935A1 (en) * | 1997-09-22 | 1999-04-01 | Clariant International Ltd. | Novel process for preparing resists |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003050460A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化学増幅型ポジ型液晶素子用レジスト組成物 |
| WO2005050319A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | ポジ型フォトレジスト及び構造体の製造方法 |
| GB2424649A (en) * | 2003-11-21 | 2006-10-04 | Sekisui Chemical Co Ltd | Positive photoresist and method for producing structure |
| US7105265B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-09-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for removing resist pattern |
| US7972763B2 (en) | 2006-11-29 | 2011-07-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Chemically amplified positive resist composition |
| WO2009093419A1 (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法 |
| JP2015052694A (ja) * | 2013-09-06 | 2015-03-19 | Jsr株式会社 | 感光性樹脂組成物、重合体、樹脂膜およびその製造方法、ならびに電子部品 |
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| Publication number | Publication date |
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