JP2000307072A - 強誘電体装置 - Google Patents
強誘電体装置Info
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- JP2000307072A JP2000307072A JP2000127806A JP2000127806A JP2000307072A JP 2000307072 A JP2000307072 A JP 2000307072A JP 2000127806 A JP2000127806 A JP 2000127806A JP 2000127806 A JP2000127806 A JP 2000127806A JP 2000307072 A JP2000307072 A JP 2000307072A
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- ferroelectric
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- ferroelectric device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｐｔ電極を用いなくても良い強誘電体装置の強
誘電体と電極との界面構造を提供する。 【解決手段】強誘電体膜の一主面又は二主面にはＳｉ3
Ｎ4膜を介した電極が形成されてなる強誘電体装置。
誘電体と電極との界面構造を提供する。 【解決手段】強誘電体膜の一主面又は二主面にはＳｉ3
Ｎ4膜を介した電極が形成されてなる強誘電体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用の分野】本発明は強誘電体装置の構造に
係り、主として電極材料と強誘電体膜界面構造に関す
る。
係り、主として電極材料と強誘電体膜界面構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＰＺＴ（Ｐｂ−Ｚｒ−Ｔｉ酸化
物）に代表される強誘電体装置を例えば半導体装置に組
み込む場合は、Ｐｔ電極膜上にＰＺＴ膜等の強誘電体膜
を形成し、更に上部電極もＰｔ電極膜を用いる場合もあ
った。
物）に代表される強誘電体装置を例えば半導体装置に組
み込む場合は、Ｐｔ電極膜上にＰＺＴ膜等の強誘電体膜
を形成し、更に上部電極もＰｔ電極膜を用いる場合もあ
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると強誘電体膜の少なくとも一主面には高価なＰｔ
電極を用いなければならないと言う課題があった。
によると強誘電体膜の少なくとも一主面には高価なＰｔ
電極を用いなければならないと言う課題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、Ｐｔ電極を用いなくても良い強誘電体装置の強誘電
体と電極との界面構造を提供する事を目的とする。
し、Ｐｔ電極を用いなくても良い強誘電体装置の強誘電
体と電極との界面構造を提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における強誘電体
装置は、トランジスタと、強誘電体膜を上部電極及び下
部電極で挟んだ構造からなる強誘電体キャパシタと、を
有する強誘電体装置であって、前記トランジスタと前記
強誘電体キャパシタとの間には前記両者を離間する絶縁
層が形成されてなるとともに、前記強誘電体キャパシタ
は前記絶縁層の上層で且つ前記トランジスタの配置され
た位置の上方に位置してなることを特徴とする。
装置は、トランジスタと、強誘電体膜を上部電極及び下
部電極で挟んだ構造からなる強誘電体キャパシタと、を
有する強誘電体装置であって、前記トランジスタと前記
強誘電体キャパシタとの間には前記両者を離間する絶縁
層が形成されてなるとともに、前記強誘電体キャパシタ
は前記絶縁層の上層で且つ前記トランジスタの配置され
た位置の上方に位置してなることを特徴とする。
【０００６】また、前記絶縁層と前記強誘電体膜との間
には、シリコン窒化膜が形成されてなることを特徴とす
る。
には、シリコン窒化膜が形成されてなることを特徴とす
る。
【０００７】
【実施例】以下、実施例により発明を詳述する。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示すＣ−ＭＯＳ
半導体装置に組み込んだ強誘電体装置の断面図である。
半導体装置に組み込んだ強誘電体装置の断面図である。
【０００９】いま、Ｃ−ＭＯＳ半導体基板が、Ｓｉ基板
１，Ｐウエル又はＮウエル２，ソース３，ドレイン４，
ＳｉO2５，ゲート６及びガラス（１）７から成り、該基
板上に下部電極８としてＰｔ以外のＰｏｌｙＳｉやＴ
ｉ，Ｗ，ＴｉＮ，ＷＳｉ，Ａｌ等をスパッタ法等により
形成し、該下部電極８の上にプラズマＣＶＤ法等により
Ｓｉ3Ｎ4（１）９の膜を形成後、ＰＺＴやＢａＴｉ
Ｏ3，Ｐｂ5Ｇｅ3Ｏ11，Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12等の強誘電体１
０をスパッタ法やゾル・ゲル法により膜として形成し、
更に、Ｓｉ3Ｎ4（２）１１を形成後上部電極１２を下部
電極１１と同様の方法，材料にて形成し、ガラス（２）
１３を介してＡｌ14等の金属電極を前記下部電極８及び
上部電極１２と接続して成る。
１，Ｐウエル又はＮウエル２，ソース３，ドレイン４，
ＳｉO2５，ゲート６及びガラス（１）７から成り、該基
板上に下部電極８としてＰｔ以外のＰｏｌｙＳｉやＴ
ｉ，Ｗ，ＴｉＮ，ＷＳｉ，Ａｌ等をスパッタ法等により
形成し、該下部電極８の上にプラズマＣＶＤ法等により
Ｓｉ3Ｎ4（１）９の膜を形成後、ＰＺＴやＢａＴｉ
Ｏ3，Ｐｂ5Ｇｅ3Ｏ11，Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12等の強誘電体１
０をスパッタ法やゾル・ゲル法により膜として形成し、
更に、Ｓｉ3Ｎ4（２）１１を形成後上部電極１２を下部
電極１１と同様の方法，材料にて形成し、ガラス（２）
１３を介してＡｌ14等の金属電極を前記下部電極８及び
上部電極１２と接続して成る。
【００１０】本発明によるＳｉ3Ｎ4膜の作用は強誘電体
膜と電極との反応による強誘電体膜特性の劣化、とりわ
けリーク電流の防止であり、Ｓｉ3Ｎ4膜と強誘電体膜と
の反応はＰｔと強誘電体膜との反応と同等又はそれ以下
に押さえることができる作用がある。
膜と電極との反応による強誘電体膜特性の劣化、とりわ
けリーク電流の防止であり、Ｓｉ3Ｎ4膜と強誘電体膜と
の反応はＰｔと強誘電体膜との反応と同等又はそれ以下
に押さえることができる作用がある。
【００１１】
【発明の効果】本発明により、低コストで劣化の無い強
誘電体装置を提供することができる効果がある。
誘電体装置を提供することができる効果がある。
【図１】 本発明の一実施例を示すＣ−ＭＯＳ半導体装
置に組み込んだ強誘電体装置の断面図である。
置に組み込んだ強誘電体装置の断面図である。
１・・・・・・・・・Ｓｉ基板 ２・・・・・・・・・Ｐウエル又はＮウエル ３・・・・・・・・・ソース ４・・・・・・・・・ドレイン ５・・・・・・・・・ＳｉＯ2 ６・・・・・・・・・ゲート ７・・・・・・・・・ガラス（１） ８・・・・・・・・・下部電極 ９・・・・・・・・・Ｓｉ3Ｎ4（２） １０・・・・・・・強誘電体 １１・・・・・・・Ｓｉ3Ｎ4（２） １２・・・・・・・上部電極 １３・・・・・・・ガラス（２） １２・・・・・・・Ａｌ
Claims (2)
- 【請求項１】 トランジスタと、強誘電体膜を上部電極
及び下部電極で挟んだ構造からなる強誘電体キャパシタ
と、を有する強誘電体装置であって、 前記トランジスタと前記強誘電体キャパシタとの間には
前記両者を離間する絶縁層が形成されてなるとともに、
前記強誘電体キャパシタは前記絶縁層の上層で且つ前記
トランジスタの配置された位置の上方に位置してなるこ
とを特徴とする強誘電体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁層と前記強誘電体膜との間に
は、シリコン窒化膜が形成されてなることを特徴とする
請求項１記載の強誘電体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000127806A JP2000307072A (ja) | 2000-01-01 | 2000-04-27 | 強誘電体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000127806A JP2000307072A (ja) | 2000-01-01 | 2000-04-27 | 強誘電体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP873090A Division JPH03212969A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 強誘電体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000307072A true JP2000307072A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=18637339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000127806A Pending JP2000307072A (ja) | 2000-01-01 | 2000-04-27 | 強誘電体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000307072A (ja) |
-
2000
- 2000-04-27 JP JP2000127806A patent/JP2000307072A/ja active Pending
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