JP2000339680A - 磁気テープの製造方法及び磁気テープの製造装置 - Google Patents
磁気テープの製造方法及び磁気テープの製造装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ベースフィルム上に金属磁性薄膜を成膜した
時に生じるカッピングと2本シワを低減する。 【解決手段】 真空槽内で帯状のベースフィルムを冷却
キャンロールの周面に沿って走行させながら、冷却キャ
ンロールの下方に設置したルツボ内の金属磁性材料を蒸
発させて、ベースフィルム8の一方の面8aに金属磁性
薄膜Magを成膜した後に、大気中もしくは真空中でベ
ースフィルム8の一方の面と反対側の他方の面8bを加
熱ロール26に密着走行させたことを特徴とする磁気テ
ープの製造方法を提供する。
時に生じるカッピングと2本シワを低減する。 【解決手段】 真空槽内で帯状のベースフィルムを冷却
キャンロールの周面に沿って走行させながら、冷却キャ
ンロールの下方に設置したルツボ内の金属磁性材料を蒸
発させて、ベースフィルム8の一方の面8aに金属磁性
薄膜Magを成膜した後に、大気中もしくは真空中でベ
ースフィルム8の一方の面と反対側の他方の面8bを加
熱ロール26に密着走行させたことを特徴とする磁気テ
ープの製造方法を提供する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープの製造
方法及び磁気テープの製造装置に関するものである。
方法及び磁気テープの製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ディジタル・ビデオ・テープレコ
ーダなどに適用される磁気テープは、高密度及び薄膜化
を達成するために、とくに、薄膜磁気テープ,垂直磁気
テープが注目されている。
ーダなどに適用される磁気テープは、高密度及び薄膜化
を達成するために、とくに、薄膜磁気テープ,垂直磁気
テープが注目されている。
【0003】図6は斜方蒸着法を適用した一般的な薄膜
磁気テープ製造用蒸着装置の構成を示した構成図、図7
は一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置内の冷却キャ
ンロール近傍を示した斜視図、図8は一般的な薄膜磁気
テープ製造用蒸着装置によりベースフィルム上に金属磁
性薄膜を蒸着により成膜した時のフィルム位置に対する
温度を示した熱解析結果図、図9は一般的な薄膜磁気テ
ープ製造用蒸着装置によりベースフィルム上に金属磁性
薄膜を蒸着により成膜した時に生じるカッピングと2本
シワとを説明するための図である。
磁気テープ製造用蒸着装置の構成を示した構成図、図7
は一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置内の冷却キャ
ンロール近傍を示した斜視図、図8は一般的な薄膜磁気
テープ製造用蒸着装置によりベースフィルム上に金属磁
性薄膜を蒸着により成膜した時のフィルム位置に対する
温度を示した熱解析結果図、図9は一般的な薄膜磁気テ
ープ製造用蒸着装置によりベースフィルム上に金属磁性
薄膜を蒸着により成膜した時に生じるカッピングと2本
シワとを説明するための図である。
【0004】図6に示した如く、斜方蒸着法を適用した
一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置(以下、装置と
記す)1の真空槽2内は真空状態に保たれている。この
真空槽2内には、供給ロール3と、巻取ロール4と、ガ
イドロール5,6と、冷却キャンロール7とが回転自在
に配置されている。
一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置(以下、装置と
記す)1の真空槽2内は真空状態に保たれている。この
真空槽2内には、供給ロール3と、巻取ロール4と、ガ
イドロール5,6と、冷却キャンロール7とが回転自在
に配置されている。
【0005】そして、真空槽2内で、供給ロール3に巻
回した帯状のベースフィルム8は、供給側のガイドロー
ル5、冷却キャンロール7の周面、巻取側のガイドロー
ル5に沿いながら巻取ロール4に向かって矢印方向に走
行している。
回した帯状のベースフィルム8は、供給側のガイドロー
ル5、冷却キャンロール7の周面、巻取側のガイドロー
ル5に沿いながら巻取ロール4に向かって矢印方向に走
行している。
【0006】ここで、ベースフィルム8はポリエチレン
テレフタレート(PET)フィルムを使用しており、こ
のベースフィルム8は供給ロール3にロール状に数千〜
数万m巻いたものを真空槽2内にセットし、ベースフィ
ルム8の一方の面に冷却キャンロール7の下方に設置し
た後述のルツボ9から蒸発した金属磁性材料10を連続
して1ロール蒸着を行う方法が一般的に取られている。
テレフタレート(PET)フィルムを使用しており、こ
のベースフィルム8は供給ロール3にロール状に数千〜
数万m巻いたものを真空槽2内にセットし、ベースフィ
ルム8の一方の面に冷却キャンロール7の下方に設置し
た後述のルツボ9から蒸発した金属磁性材料10を連続
して1ロール蒸着を行う方法が一般的に取られている。
【0007】即ち、冷却キャンロール7の斜め下方に
は、ルツボ材料としてMgO(マグネシア)を用いて箱
状に形成したルツボ9が設置されている。このルツボ9
内には、Co又はCoNiなどの強磁性材料(以下、金
属磁性材料と記す)10が収容されている。
は、ルツボ材料としてMgO(マグネシア)を用いて箱
状に形成したルツボ9が設置されている。このルツボ9
内には、Co又はCoNiなどの強磁性材料(以下、金
属磁性材料と記す)10が収容されている。
【0008】また、真空槽2の側壁2aには、ルツボ9
内に収容した金属磁性材料10を溶融して蒸発させるピ
アス型電子銃11が取り付けられている。このピアス型
電子銃11は、ルツボ9内の金属磁性材料10に向かっ
て電子ビーム12が出射されており、金属磁性材料10
を溶融してベースフィルム8の一方の面側に蒸発させて
いる。
内に収容した金属磁性材料10を溶融して蒸発させるピ
アス型電子銃11が取り付けられている。このピアス型
電子銃11は、ルツボ9内の金属磁性材料10に向かっ
て電子ビーム12が出射されており、金属磁性材料10
を溶融してベースフィルム8の一方の面側に蒸発させて
いる。
【0009】また、冷却キャンロール7に沿って入射角
規制マスク部材13がルツボ9側に向かって取り付けら
れており、この入射角規制マスク部材13は、ベースフ
ィルム8の走行時にルツボ9から蒸着した金属磁性材料
10のベースフィルム8に対する最大入射角θmax及
び最小入射角θminを規制している。
規制マスク部材13がルツボ9側に向かって取り付けら
れており、この入射角規制マスク部材13は、ベースフ
ィルム8の走行時にルツボ9から蒸着した金属磁性材料
10のベースフィルム8に対する最大入射角θmax及
び最小入射角θminを規制している。
【0010】また、入射角規制マスク部材13のうちで
最小入射角θmin側の内側にはノズル14が取り付け
られており、このノズル14から酸素が蒸発した金属磁
性材料10に向かって射出されている。
最小入射角θmin側の内側にはノズル14が取り付け
られており、このノズル14から酸素が蒸発した金属磁
性材料10に向かって射出されている。
【0011】また、ピアス型電子銃11から出射される
電子ビーム12は、軌道に偏向磁界を印加するための偏
向マグネット15と、ルツボ9に近設した偏向マグネッ
ト16とにより制御されている。従って、ルツボ9の長
手方向に電子ビーム12を走査することによりベースフ
ィルム8の幅方向にスキャンされて、蒸発したCo又は
CoNiなどの金属磁性材料10がベースフィルム8の
幅方向にCoO又はCoNiOなどの金属磁性薄膜とし
て成膜され、これをベースフィルム8の長さ方向に繰り
返すことにより長尺な薄膜磁気テープ8が巻取ロール4
側に巻き取れている。
電子ビーム12は、軌道に偏向磁界を印加するための偏
向マグネット15と、ルツボ9に近設した偏向マグネッ
ト16とにより制御されている。従って、ルツボ9の長
手方向に電子ビーム12を走査することによりベースフ
ィルム8の幅方向にスキャンされて、蒸発したCo又は
CoNiなどの金属磁性材料10がベースフィルム8の
幅方向にCoO又はCoNiOなどの金属磁性薄膜とし
て成膜され、これをベースフィルム8の長さ方向に繰り
返すことにより長尺な薄膜磁気テープ8が巻取ロール4
側に巻き取れている。
【0012】ここで、ルツボ9から蒸発した金属磁性材
料10をベースフィルム8上に成膜する際、ベースフィ
ルム8への耐熱性を考慮して、図7に示したように、矢
印方向に回転する冷却キャンロール7の内部には、冷却
器(図示せず)が設置され、蒸着時にベースフィルム8
の温度上昇による変形などを抑制している。そして、こ
の様な斜方蒸着方法では、冷却した回転自在な冷却キャ
ンロール7の周面にルツボ9からの金属磁性材料10が
付着しない様に、ベースフィルム8のエッジ部分を入射
角規制マスク部材13によって覆っており、ベースフィ
ルム8の幅寸法に対して入射角規制マスク部材13の幅
方向の開口寸法が狭く設定されている。
料10をベースフィルム8上に成膜する際、ベースフィ
ルム8への耐熱性を考慮して、図7に示したように、矢
印方向に回転する冷却キャンロール7の内部には、冷却
器(図示せず)が設置され、蒸着時にベースフィルム8
の温度上昇による変形などを抑制している。そして、こ
の様な斜方蒸着方法では、冷却した回転自在な冷却キャ
ンロール7の周面にルツボ9からの金属磁性材料10が
付着しない様に、ベースフィルム8のエッジ部分を入射
角規制マスク部材13によって覆っており、ベースフィ
ルム8の幅寸法に対して入射角規制マスク部材13の幅
方向の開口寸法が狭く設定されている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところで、斜方蒸着法
を適用した一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置1を
用いて、ルツボ9から蒸発したCo又はCoNiなどの
金属磁性材料10をベースフィルム8上に金属磁性薄膜
を薄く成膜する際に、ベースフィルム8を冷却キャンロ
ール7の周面に沿わせながら冷却キャンロール7でベー
スフィルム8を冷却しているものの、図8に示したよう
に、金属磁性材料10の蒸着時にベースフィルム8が急
激に熱負荷を受けて金属磁性薄膜が成膜され、且つ、金
属磁性薄膜の内部応力も負荷されて、ベースフィルム8
の金属磁性薄膜形成面側の最表面のみが急激な熱収縮を
起こす。
を適用した一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置1を
用いて、ルツボ9から蒸発したCo又はCoNiなどの
金属磁性材料10をベースフィルム8上に金属磁性薄膜
を薄く成膜する際に、ベースフィルム8を冷却キャンロ
ール7の周面に沿わせながら冷却キャンロール7でベー
スフィルム8を冷却しているものの、図8に示したよう
に、金属磁性材料10の蒸着時にベースフィルム8が急
激に熱負荷を受けて金属磁性薄膜が成膜され、且つ、金
属磁性薄膜の内部応力も負荷されて、ベースフィルム8
の金属磁性薄膜形成面側の最表面のみが急激な熱収縮を
起こす。
【0014】とくに、ベースフィルム8の走行時に張力
の加わっていないフィルム幅方向の熱収縮は大きく、図
9(a),(b)に示したように金属磁性薄膜側が内側
に反ってベースフィルム8にカッピングが生じる。そし
て、ベースフィルム8上に金属磁性薄膜を成膜した後
に、保護膜層や潤滑層及びバックコート層等を形成し、
完成したベースフィルム8をスリッタにより所定の幅に
裁断して、磁気テープ化した時にカッピング(テープ幅
方向の反り)量が大きいことが問題であった。この際、
薄膜磁気テープに対して安定したヘッドタッチで良好な
電磁変換特性を得るために、蒸着時に生じたカッピング
量を一定値以内に抑える必要があった。
の加わっていないフィルム幅方向の熱収縮は大きく、図
9(a),(b)に示したように金属磁性薄膜側が内側
に反ってベースフィルム8にカッピングが生じる。そし
て、ベースフィルム8上に金属磁性薄膜を成膜した後
に、保護膜層や潤滑層及びバックコート層等を形成し、
完成したベースフィルム8をスリッタにより所定の幅に
裁断して、磁気テープ化した時にカッピング(テープ幅
方向の反り)量が大きいことが問題であった。この際、
薄膜磁気テープに対して安定したヘッドタッチで良好な
電磁変換特性を得るために、蒸着時に生じたカッピング
量を一定値以内に抑える必要があった。
【0015】また、近年の蒸着磁気記録テープ(MEテ
ープ)では金属磁性薄膜形成後、保護膜層や潤滑層及び
バックコート層等を形成する工程が後工程としてあり、
裁断して磁気テープ化するまでの後工程でも上記フィル
ム幅方向の最表面の熱収縮は経時的に解放されて動くた
めに、図9(c)に示したようにフィルム幅方向の両側
に2本シワが発生し、後工程の走行性や膜厚分布に多大
な悪影響を及ぼしていた。このため歩留まりはかなり悪
くなっていた。
ープ)では金属磁性薄膜形成後、保護膜層や潤滑層及び
バックコート層等を形成する工程が後工程としてあり、
裁断して磁気テープ化するまでの後工程でも上記フィル
ム幅方向の最表面の熱収縮は経時的に解放されて動くた
めに、図9(c)に示したようにフィルム幅方向の両側
に2本シワが発生し、後工程の走行性や膜厚分布に多大
な悪影響を及ぼしていた。このため歩留まりはかなり悪
くなっていた。
【0016】これらの問題を解決するために、ベースフ
ィルム8上に金属磁性薄膜を成膜した後、ベースフィル
ム8を加熱ロールに密着走行させることにより、ベース
フィルム8のガラス転移点Tg以上の温度で熱処理(ア
ニーリング)する方法が特開平6−295435号公報
に開示されている。しかしながら、この方法はベースフ
ィルム8の表面と加熱ロールの表面が密着走行すること
によるバンプ(密閉された気体が急激に膨張することに
よる気泡痕及び間に挟まれたゴミ等の異物やロール表面
突起の拡大痕)の発生原因にもなっていた。これらのバ
ンプは金属磁性薄膜の微小クラックを引き起こすことが
あり、これはドロップアウトの原因になっていた。また
安定したヘッドタッチで良好な電磁変換特性を得るため
には均一で微小なテープ表面粗さが求められ、これらの
不均一なバンプの発生を抑制する必要があった。
ィルム8上に金属磁性薄膜を成膜した後、ベースフィル
ム8を加熱ロールに密着走行させることにより、ベース
フィルム8のガラス転移点Tg以上の温度で熱処理(ア
ニーリング)する方法が特開平6−295435号公報
に開示されている。しかしながら、この方法はベースフ
ィルム8の表面と加熱ロールの表面が密着走行すること
によるバンプ(密閉された気体が急激に膨張することに
よる気泡痕及び間に挟まれたゴミ等の異物やロール表面
突起の拡大痕)の発生原因にもなっていた。これらのバ
ンプは金属磁性薄膜の微小クラックを引き起こすことが
あり、これはドロップアウトの原因になっていた。また
安定したヘッドタッチで良好な電磁変換特性を得るため
には均一で微小なテープ表面粗さが求められ、これらの
不均一なバンプの発生を抑制する必要があった。
【0017】そこで、バンプの発生を抑えたうえで2本
シワの発生を防ぎ、カッピング量を低減させることを目
的とした磁気テープの製造方法及び磁気テープの製造装
置が望まれている。
シワの発生を防ぎ、カッピング量を低減させることを目
的とした磁気テープの製造方法及び磁気テープの製造装
置が望まれている。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
てなされたものであり、第1の発明は、真空槽内で帯状
のベースフィルムを冷却キャンロールの周面に沿って走
行させながら、前記冷却キャンロールの下方に設置した
ルツボ内の金属磁性材料を蒸発させて、前記ベースフィ
ルムの一方の面に金属磁性薄膜を成膜した後に、大気中
もしくは真空中で前記ベースフィルムの一方の面と反対
側の他方の面を加熱ロールに密着走行させたことを特徴
とする磁気テープの製造方法である。
てなされたものであり、第1の発明は、真空槽内で帯状
のベースフィルムを冷却キャンロールの周面に沿って走
行させながら、前記冷却キャンロールの下方に設置した
ルツボ内の金属磁性材料を蒸発させて、前記ベースフィ
ルムの一方の面に金属磁性薄膜を成膜した後に、大気中
もしくは真空中で前記ベースフィルムの一方の面と反対
側の他方の面を加熱ロールに密着走行させたことを特徴
とする磁気テープの製造方法である。
【0019】また、上記第1の発明の磁気テープの製造
方法において、前記ベースフィルムの他方の面を前記加
熱ロールに密着走行させる直前に、前記ベースフィルム
の他方の面の帯電圧を0V〜−50Vに設定したことを
特徴とする磁気テープの製造方法である。
方法において、前記ベースフィルムの他方の面を前記加
熱ロールに密着走行させる直前に、前記ベースフィルム
の他方の面の帯電圧を0V〜−50Vに設定したことを
特徴とする磁気テープの製造方法である。
【0020】また、第2の発明は、真空槽内で帯状のベ
ースフィルムを冷却キャンロールの周面に沿って走行さ
せながら、前記冷却キャンロールの下方に設置したルツ
ボ内の金属磁性材料を蒸発させて、前記ベースフィルム
の一方の面に金属磁性薄膜を成膜する手段と、前記金属
磁性薄膜を成膜した後に、大気中もしくは真空中で前記
ベースフィルムの一方の面と反対側の他方の面を密着走
行させる加熱ロールとを備えたことを特徴とする磁気テ
ープの製造装置である。
ースフィルムを冷却キャンロールの周面に沿って走行さ
せながら、前記冷却キャンロールの下方に設置したルツ
ボ内の金属磁性材料を蒸発させて、前記ベースフィルム
の一方の面に金属磁性薄膜を成膜する手段と、前記金属
磁性薄膜を成膜した後に、大気中もしくは真空中で前記
ベースフィルムの一方の面と反対側の他方の面を密着走
行させる加熱ロールとを備えたことを特徴とする磁気テ
ープの製造装置である。
【0021】また、上記第2の発明の磁気テープの製造
装置において、前記ベースフィルムの他方の面を前記加
熱ロールに密着走行させる直前に、前記ベースフィルム
に帯電した静電気を除電する除電機を備えたことを特徴
とする磁気テープの製造装置である。
装置において、前記ベースフィルムの他方の面を前記加
熱ロールに密着走行させる直前に、前記ベースフィルム
に帯電した静電気を除電する除電機を備えたことを特徴
とする磁気テープの製造装置である。
【0022】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る磁気テープの
製造方法及び磁気テープの製造装置の一実施例を図1乃
至図5を参照して詳細に説明する。
製造方法及び磁気テープの製造装置の一実施例を図1乃
至図5を参照して詳細に説明する。
【0023】図1はベースフィルム上に金属磁性薄膜を
成膜した状態を示した図、図2は本発明に係る磁気テー
プの製造方法及び磁気テープの製造装置を説明するため
の図、図3は本発明に係る磁気テープの製造方法におい
て、実験1〜14の実験条件を示した図、図4は本発明
に係る磁気テープの製造方法において、実験1〜14の
実験結果を示した図、図5は本発明に係る磁気テープの
製造方法及び磁気テープの製造装置の変形例を説明する
ための図である。
成膜した状態を示した図、図2は本発明に係る磁気テー
プの製造方法及び磁気テープの製造装置を説明するため
の図、図3は本発明に係る磁気テープの製造方法におい
て、実験1〜14の実験条件を示した図、図4は本発明
に係る磁気テープの製造方法において、実験1〜14の
実験結果を示した図、図5は本発明に係る磁気テープの
製造方法及び磁気テープの製造装置の変形例を説明する
ための図である。
【0024】本発明に係る磁気テープの製造方法及び磁
気テープの製造装置では、先に図6で説明した一般的な
薄膜磁気テープ製造用蒸着装置を用いて、ベースフィル
ムの一方の面に金属磁性薄膜を成膜した直後に、大気中
もしくは真空中においてベースフィルムの一方の面と反
対側の他方の面(金属磁性薄膜が成膜されていない側の
面)を加熱ロールに密着走行させて加熱することを特徴
としたものである。
気テープの製造装置では、先に図6で説明した一般的な
薄膜磁気テープ製造用蒸着装置を用いて、ベースフィル
ムの一方の面に金属磁性薄膜を成膜した直後に、大気中
もしくは真空中においてベースフィルムの一方の面と反
対側の他方の面(金属磁性薄膜が成膜されていない側の
面)を加熱ロールに密着走行させて加熱することを特徴
としたものである。
【0025】尚、説明の都合上、先に従来例で説明した
一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置内の各構成部材
について同一の符号を付して適宜説明し、且つ、従来例
と異なる構成部材に新たな符号を付す共に、この実施例
では従来例と異なる点を中心に説明する。
一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置内の各構成部材
について同一の符号を付して適宜説明し、且つ、従来例
と異なる構成部材に新たな符号を付す共に、この実施例
では従来例と異なる点を中心に説明する。
【0026】まず、先に図6で説明した一般的な薄膜磁
気テープ製造用蒸着装置1を用いて、図2に示したよう
にベースフィルム8の一方の面8aに金属磁性薄膜Ma
gを成膜する際に、冷却キャンロール7の直径は100
0mm、冷却キャンロール7の幅は600mm、ベース
フィルム8の幅は560mm、ベースフィルム8上に成
膜した金属磁性薄膜Magの成膜幅は540mm、ルツ
ボ9の幅は700mm、ルツボ9内の金属磁性材料(純
コバルトCo)10の溶融、蒸着は出力300kWの9
0゜偏向のピアス型電子銃11を用いた。また、入射角
規制マスク部材13は15mm厚のステンレス製で水冷
しながら成膜エリア外周を囲んでいる。また、ルツボ9
の付近には、ピアス型電子銃11から出射された電子ビ
ーム12の適正な入射に必要な偏向マグネット16を設
置した。また、ルツボ9の片端部分からは連続的に金属
磁性材料(純コバルトCo)10が一定量供給されるよ
うに供給機(図示せず)を設置した。
気テープ製造用蒸着装置1を用いて、図2に示したよう
にベースフィルム8の一方の面8aに金属磁性薄膜Ma
gを成膜する際に、冷却キャンロール7の直径は100
0mm、冷却キャンロール7の幅は600mm、ベース
フィルム8の幅は560mm、ベースフィルム8上に成
膜した金属磁性薄膜Magの成膜幅は540mm、ルツ
ボ9の幅は700mm、ルツボ9内の金属磁性材料(純
コバルトCo)10の溶融、蒸着は出力300kWの9
0゜偏向のピアス型電子銃11を用いた。また、入射角
規制マスク部材13は15mm厚のステンレス製で水冷
しながら成膜エリア外周を囲んでいる。また、ルツボ9
の付近には、ピアス型電子銃11から出射された電子ビ
ーム12の適正な入射に必要な偏向マグネット16を設
置した。また、ルツボ9の片端部分からは連続的に金属
磁性材料(純コバルトCo)10が一定量供給されるよ
うに供給機(図示せず)を設置した。
【0027】ここで、真空槽2内で帯状のベースフィル
ム8を冷却キャンロール7の周面に沿って走行させなが
ら、冷却キャンロール8の下方に設置したルツボ9内の
金属磁性材料10を蒸発させて、帯状のベースフィルム
8の一方の面8aに金属磁性薄膜Magを成膜するにあ
たって、入射角規制マスク部材13の最小入射角θmi
n側から酸素ガス1800ccmを導入し、金属磁性薄
膜(CoO膜)の膜厚が0.18μmになるよう透過及
び反射型膜厚モニターで制御しながら、6.4μmPE
T(ポリエチレンテレフタレート)製のベースフィルム
8の一方の面8aにCoO膜を長手方向に2000mほ
ど成膜し、CoO膜を成膜したベースフィルム8を巻取
ロール4にロール状に巻き取った直後にこの巻取ロール
4を真空槽2から大気中に取り出した。
ム8を冷却キャンロール7の周面に沿って走行させなが
ら、冷却キャンロール8の下方に設置したルツボ9内の
金属磁性材料10を蒸発させて、帯状のベースフィルム
8の一方の面8aに金属磁性薄膜Magを成膜するにあ
たって、入射角規制マスク部材13の最小入射角θmi
n側から酸素ガス1800ccmを導入し、金属磁性薄
膜(CoO膜)の膜厚が0.18μmになるよう透過及
び反射型膜厚モニターで制御しながら、6.4μmPE
T(ポリエチレンテレフタレート)製のベースフィルム
8の一方の面8aにCoO膜を長手方向に2000mほ
ど成膜し、CoO膜を成膜したベースフィルム8を巻取
ロール4にロール状に巻き取った直後にこの巻取ロール
4を真空槽2から大気中に取り出した。
【0028】ここで、図2に示したように、本発明に係
る磁気テープの製造装置20が大気中に設置されてい
る。
る磁気テープの製造装置20が大気中に設置されてい
る。
【0029】上記した磁気テープの製造装置20では、
真空槽2から取り出した巻取ロール4を供給側にセット
して供給ロール21としている。従って、供給ロール2
1にはCoO膜(金属磁性薄膜)を成膜した直後のベー
スフィルム8がロール状に巻回されている。そして、供
給ロール21から送り出されたベースフィルム8はガイ
ドロール22,23を経由して除電機24内を通って、
この除電機24でベースフィルム8にたまった静電気を
除去している。ここで、ベースフィルム8が除電機24
を通過する際に、ベースフィルム8上で金属磁性薄膜M
agが形成されていない他方の面8b(図1)の帯電圧
を0V〜−50Vに設定することにより、ベースフィル
ム8にたまった静電気を良好に除去できる。
真空槽2から取り出した巻取ロール4を供給側にセット
して供給ロール21としている。従って、供給ロール2
1にはCoO膜(金属磁性薄膜)を成膜した直後のベー
スフィルム8がロール状に巻回されている。そして、供
給ロール21から送り出されたベースフィルム8はガイ
ドロール22,23を経由して除電機24内を通って、
この除電機24でベースフィルム8にたまった静電気を
除去している。ここで、ベースフィルム8が除電機24
を通過する際に、ベースフィルム8上で金属磁性薄膜M
agが形成されていない他方の面8b(図1)の帯電圧
を0V〜−50Vに設定することにより、ベースフィル
ム8にたまった静電気を良好に除去できる。
【0030】この後、静電気を除去したベースフィルム
8はガイドロール25を経て直径1000mmの加熱ロ
ール26に至る。ここで、加熱ロール26は80°C〜
120°Cに加熱されながら矢印方向に回転自在になっ
ており、本発明ではベースフィルム8上で金属磁性薄膜
Magが形成されていない側の他方の面8b(ベース裏
面)を加熱ロール26に密着走行させて加熱し、ガイド
ロール27,28を経由してベースフィルム8を巻取ロ
ール29に巻き取っている。
8はガイドロール25を経て直径1000mmの加熱ロ
ール26に至る。ここで、加熱ロール26は80°C〜
120°Cに加熱されながら矢印方向に回転自在になっ
ており、本発明ではベースフィルム8上で金属磁性薄膜
Magが形成されていない側の他方の面8b(ベース裏
面)を加熱ロール26に密着走行させて加熱し、ガイド
ロール27,28を経由してベースフィルム8を巻取ロ
ール29に巻き取っている。
【0031】次に、上記した磁気テープの製造装置20
を大気中に設置して、除電機24、加熱ロール26を用
いて以下の実験を行った後、バンプの発生の有無及び図
9(c)に示す2本シワの発生状況とベースフィルムの
熱負け状況を観察した。また、ベースフィルム8をスリ
ッターにより6.35mm幅に裁断して図9(a),
(b)に示すカッピング量の測定を行った。ベースフィ
ルム8上の金属磁性薄膜面側が凹状にカッピングしてい
る場合を正(+)、凸状にカッピングしている場合を負
(−)として評価した。
を大気中に設置して、除電機24、加熱ロール26を用
いて以下の実験を行った後、バンプの発生の有無及び図
9(c)に示す2本シワの発生状況とベースフィルムの
熱負け状況を観察した。また、ベースフィルム8をスリ
ッターにより6.35mm幅に裁断して図9(a),
(b)に示すカッピング量の測定を行った。ベースフィ
ルム8上の金属磁性薄膜面側が凹状にカッピングしてい
る場合を正(+)、凸状にカッピングしている場合を負
(−)として評価した。
【0032】図3に示した実験条件では、ベースフィル
ム8上で金属磁性薄膜Magが成膜されている一方の面
8aを加熱ロール26に密着走行させた場合を比較例
(実験1〜3)とし、ベースフィルム8上で金属磁性薄
膜Magが成膜されていない他方の面(一方の面と反対
側の面)8bを加熱ロール26に密着走行させた場合を
本発明(実験4〜14)とし、各実験ごとに加熱ロール
26の温度(°C)と、除電機24の静電気量(V)と
を振って実験条件を設定した。
ム8上で金属磁性薄膜Magが成膜されている一方の面
8aを加熱ロール26に密着走行させた場合を比較例
(実験1〜3)とし、ベースフィルム8上で金属磁性薄
膜Magが成膜されていない他方の面(一方の面と反対
側の面)8bを加熱ロール26に密着走行させた場合を
本発明(実験4〜14)とし、各実験ごとに加熱ロール
26の温度(°C)と、除電機24の静電気量(V)と
を振って実験条件を設定した。
【0033】<実験1(比較例)>加熱ロール26の温
度を100℃に設定し、ベースフィルム8で金属磁性薄
膜Magが成膜されている一方の面8aを加熱ロール2
6に密着走行させて2000mを熱処理した。熱処理走
行速度は50m/min.一定とした。
度を100℃に設定し、ベースフィルム8で金属磁性薄
膜Magが成膜されている一方の面8aを加熱ロール2
6に密着走行させて2000mを熱処理した。熱処理走
行速度は50m/min.一定とした。
【0034】<実験2(比較例)>加熱ロール26の温
度を125℃に設定し、あとは上記実験1と同条件で2
000mを熱処理した。
度を125℃に設定し、あとは上記実験1と同条件で2
000mを熱処理した。
【0035】<実験3(比較例)>加熱ロール26の温
度を150℃に設定し、あとは上記実験1と同条件で2
000mを熱処理した。
度を150℃に設定し、あとは上記実験1と同条件で2
000mを熱処理した。
【0036】<実験4(本発明)>加熱ロール26の温
度を80℃に設定し、ベースフィルム8上で金属磁性薄
膜Magが成膜されていない他方の面8bを加熱ロール
26に密着走行して2000mを熱処理した。熱処理走
行速度は50m/min.一定とした。
度を80℃に設定し、ベースフィルム8上で金属磁性薄
膜Magが成膜されていない他方の面8bを加熱ロール
26に密着走行して2000mを熱処理した。熱処理走
行速度は50m/min.一定とした。
【0037】<実験5(本発明)>加熱ロール26の温
度を100℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理した。
度を100℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理した。
【0038】<実験6(本発明)>加熱ロール26の温
度を120℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理した。
度を120℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理した。
【0039】<実験7(本発明)>加熱ロール26の温
度を140℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理した。
度を140℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理した。
【0040】<実験8(本発明)>加熱ロール26の温
度を150℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理した。
度を150℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理した。
【0041】<実験9(本発明)>加熱ロール26の温
度を120℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理する際、図2に示すように予め設置し
ておいた除電機24により、ベースフィルム8上で金属
磁性薄膜Magが成膜されていない他方の面8bが加熱
ロール26に密着走行する直前に、ベースフィルム8の
他方の面8bの帯電圧を−200Vに設定して静電気を
除去した。
度を120℃に設定し、あとは上記実験4と同条件で2
000mを熱処理する際、図2に示すように予め設置し
ておいた除電機24により、ベースフィルム8上で金属
磁性薄膜Magが成膜されていない他方の面8bが加熱
ロール26に密着走行する直前に、ベースフィルム8の
他方の面8bの帯電圧を−200Vに設定して静電気を
除去した。
【0042】<実験10(本発明)>ベースフィルム8
の他方の面8bの帯電圧を−100Vに設定して静電気
を除去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを
熱処理した。
の他方の面8bの帯電圧を−100Vに設定して静電気
を除去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを
熱処理した。
【0043】<実験11(本発明)>ベースフィルム8
の他方の面8bの帯電圧を−50Vに設定して静電気を
除去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを熱
処理した。
の他方の面8bの帯電圧を−50Vに設定して静電気を
除去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを熱
処理した。
【0044】<実験12(本発明)>ベースフィルム8
の他方の面8bの帯電圧を−30Vに設定して静電気を
除去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを熱
処理した。
の他方の面8bの帯電圧を−30Vに設定して静電気を
除去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを熱
処理した。
【0045】<実験13(本発明)>ベースフィルム8
の他方の面8bの帯電圧を−10Vに設定して静電気を
除去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを熱
処理した。
の他方の面8bの帯電圧を−10Vに設定して静電気を
除去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを熱
処理した。
【0046】<実験14(本発明)>ベースフィルム8
の他方の面8bの帯電圧を略0Vに設定して静電気を除
去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを熱処
理した。
の他方の面8bの帯電圧を略0Vに設定して静電気を除
去した以外は、上記実験9と同条件で2000mを熱処
理した。
【0047】次に、上記した実験1〜14の実験結果に
ついて、図4を用いて説明する。
ついて、図4を用いて説明する。
【0048】図4に示した如く、実験1〜3の比較例、
実験4〜14の本発明について、バンプの発生、2本シ
ワの発生、熱負け、カッピング量について観察評価し
た。この際、カッピング量は2本シワの内側の任意の箇
所(同10チャンネル分)をそれぞれ測定した時の最大
値を示している。
実験4〜14の本発明について、バンプの発生、2本シ
ワの発生、熱負け、カッピング量について観察評価し
た。この際、カッピング量は2本シワの内側の任意の箇
所(同10チャンネル分)をそれぞれ測定した時の最大
値を示している。
【0049】図4に示した実験結果から明らかなよう
に、ベースフィルム8の一方の面8aに金属磁性薄膜M
agを成膜した後に、金属磁性薄膜Magを形成してい
ない他方の面8bを適当な温度の加熱ロール26に密着
走行させた場合には、2本シワの発生を防ぐと共にカッ
ピング量を大幅に低減できることが判った。即ち、ベー
スフィルム8の一方の面8aに金属磁性材料10を蒸着
させた時に一方の面8aに熱負荷が加わり、これにより
カッピングと、2本シワの発生が起きるが、ベースフィ
ルム8の他方の面8bに加熱ロール26により適当な温
度を加えることにより、蒸着時に対して逆補正すること
になりカッピング量及び2本シワを相殺できる。
に、ベースフィルム8の一方の面8aに金属磁性薄膜M
agを成膜した後に、金属磁性薄膜Magを形成してい
ない他方の面8bを適当な温度の加熱ロール26に密着
走行させた場合には、2本シワの発生を防ぐと共にカッ
ピング量を大幅に低減できることが判った。即ち、ベー
スフィルム8の一方の面8aに金属磁性材料10を蒸着
させた時に一方の面8aに熱負荷が加わり、これにより
カッピングと、2本シワの発生が起きるが、ベースフィ
ルム8の他方の面8bに加熱ロール26により適当な温
度を加えることにより、蒸着時に対して逆補正すること
になりカッピング量及び2本シワを相殺できる。
【0050】また、ベースフィルム8の他方の面8bを
加熱ロール26に密着走行させる直前に、ベースフィル
ム8の他方の面8bの帯電圧を0V〜−50Vに設定し
て静電気除去することにより、より効果的に2本シワの
発生を防ぐと共にカッピング量を大幅低減でき、バンプ
の発生も抑制できることが判明した。
加熱ロール26に密着走行させる直前に、ベースフィル
ム8の他方の面8bの帯電圧を0V〜−50Vに設定し
て静電気除去することにより、より効果的に2本シワの
発生を防ぐと共にカッピング量を大幅低減でき、バンプ
の発生も抑制できることが判明した。
【0051】次に、本発明に係る磁気テープの製造方法
及び磁気テープの製造装置の変形例について、図5を用
いて簡略に説明する。尚、説明の都合上、先に示した構
成部材と同一の機能を備えた構成部材には同一の符号を
付して説明する。
及び磁気テープの製造装置の変形例について、図5を用
いて簡略に説明する。尚、説明の都合上、先に示した構
成部材と同一の機能を備えた構成部材には同一の符号を
付して説明する。
【0052】図5に示した如く、本発明に係る変形例の
磁気テープの製造装置30では、ベースフィルム8上に
金属磁性薄膜Magを成膜した後に、真空中でベースフ
ィルム8の他方の面8bを加熱ロール26に密着走行さ
せて加熱するものである。
磁気テープの製造装置30では、ベースフィルム8上に
金属磁性薄膜Magを成膜した後に、真空中でベースフ
ィルム8の他方の面8bを加熱ロール26に密着走行さ
せて加熱するものである。
【0053】即ち、変形例の磁気テープの製造装置30
は、先に図6を用いて説明した一般的な薄膜磁気テープ
製造用蒸着装置1の真空槽2内を改造して、ベースフィ
ルム8の巻取側に隔壁2bを設立して蒸着側と加熱側と
に2分させ、加熱側に新たに付加するものとして、巻取
側のガイドロール6により下流で図示左方にガイドロー
ル23、除電機24、ガイドロール25、加熱ロール2
6、ガイドロール27,28、巻取ロール29を順に配
設している。
は、先に図6を用いて説明した一般的な薄膜磁気テープ
製造用蒸着装置1の真空槽2内を改造して、ベースフィ
ルム8の巻取側に隔壁2bを設立して蒸着側と加熱側と
に2分させ、加熱側に新たに付加するものとして、巻取
側のガイドロール6により下流で図示左方にガイドロー
ル23、除電機24、ガイドロール25、加熱ロール2
6、ガイドロール27,28、巻取ロール29を順に配
設している。
【0054】この変形例では、ベースフィルム8の一方
の面8aに金属磁性薄膜Magを成膜した直後に、ベー
スフィルム8を真空槽2内から大気中に取り出すことな
く、真空槽2内で引き続いて、除電機24によりベース
フィルム8上で金属磁性薄膜Magが形成されていない
他方の面8b(図1)の帯電圧を0V〜−50Vに設定
にして静電気を除去し、この後、静電気を除去したベー
スフィルム8の他方の面8bを80°C〜120°Cに
加熱されながら矢印方向に回転自在な加熱ロール26に
密着走行させて加熱し、ガイドロール27,28を経由
してベースフィルム8を巻取ロール29に巻き取ってい
る。この方法でも先に大気中で実験した結果と同様の結
果が得られるものである。
の面8aに金属磁性薄膜Magを成膜した直後に、ベー
スフィルム8を真空槽2内から大気中に取り出すことな
く、真空槽2内で引き続いて、除電機24によりベース
フィルム8上で金属磁性薄膜Magが形成されていない
他方の面8b(図1)の帯電圧を0V〜−50Vに設定
にして静電気を除去し、この後、静電気を除去したベー
スフィルム8の他方の面8bを80°C〜120°Cに
加熱されながら矢印方向に回転自在な加熱ロール26に
密着走行させて加熱し、ガイドロール27,28を経由
してベースフィルム8を巻取ロール29に巻き取ってい
る。この方法でも先に大気中で実験した結果と同様の結
果が得られるものである。
【0055】
【発明の効果】以上詳述した本発明に係る磁気テープの
製造方法及び磁気テープの製造装置によれば、とくに、
ベースフィルムの一方の面に金属磁性薄膜を成膜した後
に、大気中もしくは真空中でベースフィルムの一方の面
と反対側の他方の面を加熱ロールに密着走行させたた
め、バンプ発生が無く、また、2本シワの発生を防ぐと
共にカッピング量を大幅に低減でき、安定した電磁変換
特性を有する良好な磁気テープが得られる。これは最終
的には磁気テープの製品歩留まりを向上せしめ、製品の
低コスト化に大きくつながるものである。
製造方法及び磁気テープの製造装置によれば、とくに、
ベースフィルムの一方の面に金属磁性薄膜を成膜した後
に、大気中もしくは真空中でベースフィルムの一方の面
と反対側の他方の面を加熱ロールに密着走行させたた
め、バンプ発生が無く、また、2本シワの発生を防ぐと
共にカッピング量を大幅に低減でき、安定した電磁変換
特性を有する良好な磁気テープが得られる。これは最終
的には磁気テープの製品歩留まりを向上せしめ、製品の
低コスト化に大きくつながるものである。
【0056】更に、ベースフィルムの他方の面を加熱ロ
ールに密着走行させる直前に、ベースフィルムの他方の
面の帯電圧を0V〜−50Vに設定して静電気除去する
ことにより、より効果的に2本シワの発生を防ぐと共に
カッピング量を大幅低減でき、バンプの発生も抑制でき
る。
ールに密着走行させる直前に、ベースフィルムの他方の
面の帯電圧を0V〜−50Vに設定して静電気除去する
ことにより、より効果的に2本シワの発生を防ぐと共に
カッピング量を大幅低減でき、バンプの発生も抑制でき
る。
【図1】ベースフィルム上に金属磁性薄膜を成膜した状
態を示した図である。
態を示した図である。
【図2】本発明に係る磁気テープの製造方法及び磁気テ
ープの製造装置を説明するための図である。
ープの製造装置を説明するための図である。
【図3】本発明に係る磁気テープの製造方法において、
実験1〜14の実験条件を示した図である。
実験1〜14の実験条件を示した図である。
【図4】本発明に係る磁気テープの製造方法において、
実験1〜14の実験結果を示した図である。
実験1〜14の実験結果を示した図である。
【図5】本発明に係る磁気テープの製造方法及び磁気テ
ープの製造装置の変形例を説明するための図である。
ープの製造装置の変形例を説明するための図である。
【図6】斜方蒸着法を適用した一般的な薄膜磁気テープ
製造用蒸着装置の構成を示した構成図である。
製造用蒸着装置の構成を示した構成図である。
【図7】一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置内の冷
却キャンロール近傍を示した斜視図である。
却キャンロール近傍を示した斜視図である。
【図8】一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置により
ベースフィルム上に金属磁性薄膜を蒸着により成膜した
時のフィルム位置に対する温度を示した熱解析結果図で
ある。
ベースフィルム上に金属磁性薄膜を蒸着により成膜した
時のフィルム位置に対する温度を示した熱解析結果図で
ある。
【図9】一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置により
ベースフィルム上に金属磁性薄膜を蒸着により成膜した
時に生じるカッピングと2本シワとを説明するための図
である。
ベースフィルム上に金属磁性薄膜を蒸着により成膜した
時に生じるカッピングと2本シワとを説明するための図
である。
1…一般的な薄膜磁気テープ製造用蒸着装置、2…真空
槽、7…冷却キャンロール、8…ベースフィルム、8a
…一方の面、8b…他方の面、9…ルツボ、10…金属
磁性材料、11…ピアス型電子銃、12…電子ビーム、
13…入射角規制マスク部材、20…本発明に係る磁気
テープの製造装置、24…除電機、26…加熱ロール、
30…本発明に係る変形例の磁気テープの製造装置、M
ag…金属磁性薄膜。
槽、7…冷却キャンロール、8…ベースフィルム、8a
…一方の面、8b…他方の面、9…ルツボ、10…金属
磁性材料、11…ピアス型電子銃、12…電子ビーム、
13…入射角規制マスク部材、20…本発明に係る磁気
テープの製造装置、24…除電機、26…加熱ロール、
30…本発明に係る変形例の磁気テープの製造装置、M
ag…金属磁性薄膜。
Claims (4)
- 【請求項1】真空槽内で帯状のベースフィルムを冷却キ
ャンロールの周面に沿って走行させながら、前記冷却キ
ャンロールの下方に設置したルツボ内の金属磁性材料を
蒸発させて、前記ベースフィルムの一方の面に金属磁性
薄膜を成膜した後に、大気中もしくは真空中で前記ベー
スフィルムの一方の面と反対側の他方の面を加熱ロール
に密着走行させたことを特徴とする磁気テープの製造方
法。 - 【請求項2】請求項1記載の磁気テープの製造方法にお
いて、 前記ベースフィルムの他方の面を前記加熱ロールに密着
走行させる直前に、前記ベースフィルムの他方の面の帯
電圧を0V〜−50Vに設定したことを特徴とする磁気
テープの製造方法。 - 【請求項3】真空槽内で帯状のベースフィルムを冷却キ
ャンロールの周面に沿って走行させながら、前記冷却キ
ャンロールの下方に設置したルツボ内の金属磁性材料を
蒸発させて、前記ベースフィルムの一方の面に金属磁性
薄膜を成膜する手段と、 前記金属磁性薄膜を成膜した後に、大気中もしくは真空
中で前記ベースフィルムの一方の面と反対側の他方の面
を密着走行させる加熱ロールとを備えたことを特徴とす
る磁気テープの製造装置。 - 【請求項4】請求項3記載の磁気テープの製造装置にお
いて、 前記ベースフィルムの他方の面を前記加熱ロールに密着
走行させる直前に、前記ベースフィルムに帯電した静電
気を除電する除電機を備えたことを特徴とする磁気テー
プの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144574A JP2000339680A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 磁気テープの製造方法及び磁気テープの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144574A JP2000339680A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 磁気テープの製造方法及び磁気テープの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000339680A true JP2000339680A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15365357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11144574A Pending JP2000339680A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 磁気テープの製造方法及び磁気テープの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000339680A (ja) |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP11144574A patent/JP2000339680A/ja active Pending
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