JP2000347382A - レジストマスク及びその形成方法 - Google Patents
レジストマスク及びその形成方法Info
- Publication number
- JP2000347382A JP2000347382A JP15551399A JP15551399A JP2000347382A JP 2000347382 A JP2000347382 A JP 2000347382A JP 15551399 A JP15551399 A JP 15551399A JP 15551399 A JP15551399 A JP 15551399A JP 2000347382 A JP2000347382 A JP 2000347382A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- mask
- thickness
- forming
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク基板のレジスト塗布均一性を改善した
レジストマスクを得る。 【解決手段】 マスク基板上に、レジストを塗布し乾燥
させて所定膜厚のレジスト層を形成する工程を、複数回
繰り返して所望の積層膜厚のレジスト膜を形成する。
レジストマスクを得る。 【解決手段】 マスク基板上に、レジストを塗布し乾燥
させて所定膜厚のレジスト層を形成する工程を、複数回
繰り返して所望の積層膜厚のレジスト膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程等で用いられるパターン形成用マスクとその形成方法
に関するものである。さらに詳しくは、マスクレジスト
塗布方法に関するものであり、特にロータリーカップ
（密閉式）方式のマスクレジスト塗布において、目標と
するレジスト膜厚の形成のばらつきを小さくするマスク
レジスト塗布方法に関する。
程等で用いられるパターン形成用マスクとその形成方法
に関するものである。さらに詳しくは、マスクレジスト
塗布方法に関するものであり、特にロータリーカップ
（密閉式）方式のマスクレジスト塗布において、目標と
するレジスト膜厚の形成のばらつきを小さくするマスク
レジスト塗布方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マスクのレジスト塗布方法として
はオープンカップ方式のものあるいはロータリーカップ
（密閉式）方式のものがあった。オープンカップ方式で
のレジスト塗布においては、円周方向にレジストが広が
るとともにレジストが乾燥するために四角いマスク基板
を均一に塗布するために風きり板を経験にもとづき製作
することが必要であった。
はオープンカップ方式のものあるいはロータリーカップ
（密閉式）方式のものがあった。オープンカップ方式で
のレジスト塗布においては、円周方向にレジストが広が
るとともにレジストが乾燥するために四角いマスク基板
を均一に塗布するために風きり板を経験にもとづき製作
することが必要であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】また、ロータリーカッ
プ（密閉式）方式でのレジスト塗布においては、塗布時
に風きりが生じないために四角いマスク基板を均一に塗
布することができるが、レジストを乾燥させる場合には
ロータリーカップの上ふたを開けて、オープンカップ方
式と同様にマスク基板を回転させて乾燥を行なう。この
乾燥において、均一に塗布されたレジスト層がゆらされ
ることによってランダムな膜厚バラツキが生じるという
問題があった。
プ（密閉式）方式でのレジスト塗布においては、塗布時
に風きりが生じないために四角いマスク基板を均一に塗
布することができるが、レジストを乾燥させる場合には
ロータリーカップの上ふたを開けて、オープンカップ方
式と同様にマスク基板を回転させて乾燥を行なう。この
乾燥において、均一に塗布されたレジスト層がゆらされ
ることによってランダムな膜厚バラツキが生じるという
問題があった。
【０００４】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、マスクレジスト塗布方法におい
て、ロータリーカップ（密閉式）方式などでのレジスト
膜厚形成を複数回の塗布に分けることより、レジストの
乾燥において生じる膜厚バラツキを小さくして目標の膜
厚のレジスト膜を形成したレジストマスク及びその形成
方法を提供しようとするものである。
ためになされたもので、マスクレジスト塗布方法におい
て、ロータリーカップ（密閉式）方式などでのレジスト
膜厚形成を複数回の塗布に分けることより、レジストの
乾燥において生じる膜厚バラツキを小さくして目標の膜
厚のレジスト膜を形成したレジストマスク及びその形成
方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストマスク
は、複数のレジスト層を積層し所望の積層膜厚に形成さ
れたレジスト膜を備えたことを特徴とするものである。
また、本発明のレジストマスクの形成方法は、ロータリ
ーカップ（密閉式）方式などによって、マスク基板上
に、レジストを塗布し乾燥させて所定膜厚のレジスト層
を形成する工程を複数回繰り返して、所望の積層膜厚の
レジスト膜を形成するようにしたことを特徴とするもの
である。これにより、所望の膜厚で膜厚バラツキが小さ
く制御されたレジスト膜を有するレジストマスクを得る
ことができる。
は、複数のレジスト層を積層し所望の積層膜厚に形成さ
れたレジスト膜を備えたことを特徴とするものである。
また、本発明のレジストマスクの形成方法は、ロータリ
ーカップ（密閉式）方式などによって、マスク基板上
に、レジストを塗布し乾燥させて所定膜厚のレジスト層
を形成する工程を複数回繰り返して、所望の積層膜厚の
レジスト膜を形成するようにしたことを特徴とするもの
である。これにより、所望の膜厚で膜厚バラツキが小さ
く制御されたレジスト膜を有するレジストマスクを得る
ことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態によ
り形成されたレジストマスクを示す断面図、図２はその
レジストマスクの形成方法を説明するための図である。
本発明により形成されたマスクは、図１に一例を示すよ
うに、マスク基板１が石英ガラス２とその上に積層され
た遮光膜３とから構成されている。また、レジスト膜４
は、マスク基板１の上に形成され、第１〜第３のレジス
ト層４ａ，４ｂ，４ｃが積層されて構成されている。こ
の実施の形態では、レジスト膜４が、複数のレジスト層
から形成されていることと、各レジスト層の膜厚が制御
されて形成されていることに特徴がある。
り形成されたレジストマスクを示す断面図、図２はその
レジストマスクの形成方法を説明するための図である。
本発明により形成されたマスクは、図１に一例を示すよ
うに、マスク基板１が石英ガラス２とその上に積層され
た遮光膜３とから構成されている。また、レジスト膜４
は、マスク基板１の上に形成され、第１〜第３のレジス
ト層４ａ，４ｂ，４ｃが積層されて構成されている。こ
の実施の形態では、レジスト膜４が、複数のレジスト層
から形成されていることと、各レジスト層の膜厚が制御
されて形成されていることに特徴がある。
【０００７】図２は、そのレジストマスクの形成方法を
工程に沿って示した断面図である。以下、レジスト層４
を例えば３００ｎｍの膜厚に形成する場合について、そ
の形成方法を説明する。図２において、１１はロータリ
ーカップ方式のチャンバー、１２はそのふた（蓋）、１
３はマスク基板１を載せて固定しあるいは回転する回転
台を模式的に示す。マスク製作の工程は、はじめに図２
（ａ）に示すように、ロータリーカップ方式で１００ｎ
ｍのレジスト膜厚となるようにレジスト基板１の上にレ
ジスト塗布をおこなう。塗布したレジストを乾燥させる
ためにロータリーカップの上部ふた１２を開けて回転乾
燥を行ない第1のレジスト層４ａを形成する。レジスト
層の膜厚は、塗布回転速度が同じ場合、塗布回転時間に
より任意の塗布膜厚とすることができる。したがって、
塗布回転時間の制御により塗布膜厚を制御する。
工程に沿って示した断面図である。以下、レジスト層４
を例えば３００ｎｍの膜厚に形成する場合について、そ
の形成方法を説明する。図２において、１１はロータリ
ーカップ方式のチャンバー、１２はそのふた（蓋）、１
３はマスク基板１を載せて固定しあるいは回転する回転
台を模式的に示す。マスク製作の工程は、はじめに図２
（ａ）に示すように、ロータリーカップ方式で１００ｎ
ｍのレジスト膜厚となるようにレジスト基板１の上にレ
ジスト塗布をおこなう。塗布したレジストを乾燥させる
ためにロータリーカップの上部ふた１２を開けて回転乾
燥を行ない第1のレジスト層４ａを形成する。レジスト
層の膜厚は、塗布回転速度が同じ場合、塗布回転時間に
より任意の塗布膜厚とすることができる。したがって、
塗布回転時間の制御により塗布膜厚を制御する。
【０００８】つぎに図２（ｂ）に示すように、第１のレ
ジスト層４ａの上にロータリーカップ方式で１００ｎｍ
のレジスト膜厚となるようにレジスト塗布をおこなう。
塗布したレジストを乾燥させるためにロータリーカップ
の上部ふた１２を開けて回転乾燥を行ない第２のレジス
ト層４ｂを形成する。これにより、レジスト層４ａ，４
ｂの積層膜厚を２００ｎｍにする。
ジスト層４ａの上にロータリーカップ方式で１００ｎｍ
のレジスト膜厚となるようにレジスト塗布をおこなう。
塗布したレジストを乾燥させるためにロータリーカップ
の上部ふた１２を開けて回転乾燥を行ない第２のレジス
ト層４ｂを形成する。これにより、レジスト層４ａ，４
ｂの積層膜厚を２００ｎｍにする。
【０００９】最後に図２（ｃ）に示すように、第２のレ
ジスト層４ｂの上にロータリーカップ方式で１００ｎｍ
のレジスト膜厚となるようにレジスト塗布をおこなう。
塗布したレジストを乾燥させるためにロータリーカップ
の上部ふた１２を開けて回転乾燥を行ない、第３のレジ
スト層４ｃを形成する。以上により、レジスト層４ａ，
４ｂ，４ｃを積層して、レジスト膜４の積算膜厚を３０
０ｎｍに形成する。
ジスト層４ｂの上にロータリーカップ方式で１００ｎｍ
のレジスト膜厚となるようにレジスト塗布をおこなう。
塗布したレジストを乾燥させるためにロータリーカップ
の上部ふた１２を開けて回転乾燥を行ない、第３のレジ
スト層４ｃを形成する。以上により、レジスト層４ａ，
４ｂ，４ｃを積層して、レジスト膜４の積算膜厚を３０
０ｎｍに形成する。
【００１０】ロータリーカップ方式でのレジスト膜厚の
バラツキは塗布したレジストの乾燥時に起因しており、
さらに膜厚のバラツキは塗布膜厚に比例する。したがっ
て、レジスト膜厚３００ｎｍを一回で塗布した場合よ
り、３回に分けて各回１００ｎｍで塗布した場合の方が
塗布バラツキを小さくすることができる。例えば仕上り
３００ｎｍの膜厚の場合、１回塗布では１５nmのバラツ
キとなるところを、３回塗布では１０ｎｍ以下のバラツ
キとすることができる。
バラツキは塗布したレジストの乾燥時に起因しており、
さらに膜厚のバラツキは塗布膜厚に比例する。したがっ
て、レジスト膜厚３００ｎｍを一回で塗布した場合よ
り、３回に分けて各回１００ｎｍで塗布した場合の方が
塗布バラツキを小さくすることができる。例えば仕上り
３００ｎｍの膜厚の場合、１回塗布では１５nmのバラツ
キとなるところを、３回塗布では１０ｎｍ以下のバラツ
キとすることができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によるレジストマスクおよびその
形成方法以上のような構成よりなるものであり、例えば
ロータリーカップ（密閉式）方式で、レジスト膜厚形成
を複数回のレジスト塗布・乾燥に分ける容易な方法で均
一性の良い塗布膜が得られ、高精度マスクの製作に寄与
することができる。
形成方法以上のような構成よりなるものであり、例えば
ロータリーカップ（密閉式）方式で、レジスト膜厚形成
を複数回のレジスト塗布・乾燥に分ける容易な方法で均
一性の良い塗布膜が得られ、高精度マスクの製作に寄与
することができる。
【図１】 本発明のレジストマスクを示す断面図。
【図２】 本発明のレジストマスクの形成方法を工程に
沿って示した断面図。
沿って示した断面図。
１‥‥マスク基板、 ２‥‥石英ガラス、 ３‥‥遮光
膜、 ４‥‥レジスト膜、 ４ａ、４ｂ，４ｃ‥‥レジ
スト層。
膜、 ４‥‥レジスト膜、 ４ａ、４ｂ，４ｃ‥‥レジ
スト層。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年３月２７日（２０００．３．２
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のレジスト層を積層し所望の積層膜
厚に形成されたレジスト膜を備えたことを特徴とするレ
ジストマスク。 - 【請求項２】 マスク基板上に、レジストを塗布し乾燥
させて所定膜厚のレジスト層を形成する工程を複数回繰
り返して所望の積層膜厚のレジスト膜を形成するように
したことを特徴とするレジストマスクの形成方法。 - 【請求項３】 レジストの塗布および乾燥をロータリー
カップ（密閉式）方式により行うことを特徴とする請求
項２に記載のレジストマスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15551399A JP2000347382A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | レジストマスク及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15551399A JP2000347382A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | レジストマスク及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000347382A true JP2000347382A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15607706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15551399A Pending JP2000347382A (ja) | 1999-06-02 | 1999-06-02 | レジストマスク及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000347382A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272802A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布処理方法及びレジストパターンの形成方法。 |
-
1999
- 1999-06-02 JP JP15551399A patent/JP2000347382A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272802A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Tokyo Electron Ltd | レジスト塗布処理方法及びレジストパターンの形成方法。 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4748053A (en) | Method of forming a uniform resist film by selecting a duration of rotation | |
| US8927058B2 (en) | Photoresist coating process | |
| JP2000347382A (ja) | レジストマスク及びその形成方法 | |
| CN111509123A (zh) | 一种有机单晶微型器件制备方法 | |
| JPS63185028A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08194316A (ja) | フォトレジストの塗布方法 | |
| JP7820830B2 (ja) | 成膜方法、デバイスの製造方法、および成膜装置 | |
| JPS6137774B2 (ja) | ||
| US5736276A (en) | Method for fabricating phase inverted mask | |
| JPH02100313A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6362323A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0240914A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02280875A (ja) | 均質なポリ‐メチルメタクリレート層の製造方法 | |
| JPS60115224A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS6116522A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JP2003093955A (ja) | 薄膜コーティング方法および薄膜コーティング装置 | |
| KR101175809B1 (ko) | 평판 디스플레이용 패턴마스터 제작방법 | |
| JPH06275508A (ja) | レジスト層の形成方法 | |
| JPH04168442A (ja) | フォトレジスト塗布方法 | |
| JPS6334925A (ja) | フオトレジスト膜の形成方法 | |
| JPH0797547B2 (ja) | レジストコーティング方法 | |
| KR100384877B1 (ko) | 포토레지스트 도포 방법 | |
| JPH02115855A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03108314A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2005084312A (ja) | レジストパターニング方法及び半導体装置の製造方法 |