JP2006012992A - 回路基板の電極接続構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】 接着剤層を従来の電極接続構造より薄くすることにより導通不良発生を防止するとともに、熱応力による歪量を抑制することにより早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することにより、信頼性の高い回路基板の接続構造を提供する。
【解決手段】 第一の回路基板であるTCP41のアウターリード42と第二の回路基板であるアクチュエータ部材の外部回路接続用電極11との間の電極接続構造であって、TCP41のポリイミド基材43から突出したアウターリード42の厚さT1よりも小さい段差T2の凹部12底面に、アクチュエータ部材の外部回路接続用電極11が形成されており、接着剤層がおおよそアウターリード42の厚さT1と段差T2との差(T1−T2)の厚さで、アウターリード42と外部回路接続用電極11とが電気的機械的に接続されている。
【選択図】 図3

Description

本発明は、インクジェットヘッド、半導体装置、液晶ディスプレイパネルまたはMEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)デバイス等と、フレキシブル配線基板のような回路基板との電極接続構造または回路基板同士の電極接続構造に関する。
インクジェットヘッドとフレキシブル配線基板との電極接続構造が、特許文献5などに提案されている。
従来のインクジェットヘッドについて、図9(a)〜(b)を用いてその概要を説明する。
厚さ方向に分極処理を施した圧電材料を分極方向が相反する方向になるように貼り合わせ、この圧電材料に複数の溝が形成されてなるアクチュエータ部材100と、インク供給口111および共通インク室112が形成されたカバー部材110と、ノズル孔121が開けられたノズルプレート120とを貼り合わせることで、複数の溝によりインク室が形成されている。
インク室隔壁には、電界を印加するためのインク室電極101がインク室内に形成されている。
インク室の後端部102には、R形状に加工されたR形状部102が形成されており、さらに外部回路との接続のための電極引き出し部として平坦部103が形成されている。また、駆動用IC(Integrated Circuit)131が搭載されたフレキシブル配線基板130の接続電極132と平坦部103上に形成されたインクジェットヘッド外部回路接続用電極104とは、エポキシ系樹脂バインダー141中に導電粒子142が分散されたACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電フィルム)140を介在させて電気的および機械的に接続される。
このとき、図9(b)に示す電極接続部において、フレキシブル配線基板130の接続電極132は、ポリイミドからなる基板基材から接続電極132の厚さT7分だけ突出しており、また、インクジェットヘッド外部回路接続用電極104も、圧電材料からなるインクジェットヘッド基材からインクジェットヘッド外部回路接続用電極104の厚さT8分だけ突出している。したがって、従来のACF140などの接着剤を用いた電極接続構造では、隣接する電極間に介在するACF140の厚さはおおよそ(T7+T8)となり、正確には前記(T7+T8)にさらに接続状態のACF導電粒子厚が加えられた厚さとなる。
このように形成されたインクジェットヘッドモジュールは、インク室を形成する隔壁に形成された電極において、隔壁を介して向い合う電極に逆位相の電位を印加することでシェアモード駆動を行う。つまり、厚さ方向で分極方向を対称に貼り合わされたインク室隔壁の貼り合わせた境目でインク室隔壁が“く”の字に変形し、インク室内の体積変化、それに伴うインク室内のインク圧力変化を利用してインク室先端部に配置した微小なノズルからインク液滴が吐出されるものである。
次に、従来のインクジェットヘッドのインク室内電極を平坦部に延出させる方法について、図10〜図12を用いて説明する。
アクチュエータ部材の主表面にドライフィルムレジスト150をラミネートし、平坦部103(図12参照)の電極形成を行う部分のみをレジスト開口部151とするためにフォトリソグラフィ技術を用いて露光および現像工程を行う。次に、ダイサーのダイシングブレード160を矢印D101(図10参照)で示す方向に動かして圧電材料をハーフダイスすることにより、後にインク室になる溝を形成し、ダイシングブレード160を上昇させてダイシングブレードの直径に対応したインク室後端部のR形状部102を形成する。このとき、R形状部102は平坦部103のドライフィルムレジスト150の開口部151に達するようにする。このようにしてインク室アレイを形成した後に、インク室内にスパッタリング技術やめっき技術を用いてAl(アルミニウム)やCu(銅)、Ni(ニッケル)などの金属電極材料からなる金属膜を成膜して電極を形成する。また、インク室後端部のR形状部102および平坦部103のドライフィルムレジスト150のレジスト開口部151にも、同様に、金属膜を成膜して電極を形成し、外部回路との接続のためのインクジェットヘッド外部回路接続用電極104を形成する。
次に、従来のインクジェットヘッドの外部接続電極とフレキシブル配線基板との接続方法について図9を参照しつつ説明する。
上記インクジェットヘッドの平坦部103上に形成されたインクジェットヘッド外部回路接続用電極104と予めACF140を仮止めしたフレキシブル配線基板130の接続電極132との位置合わせを行った後に、図示しないヒートツールで加熱加圧を行い、インクジェットヘッド外部回路接続用電極104とフレキシブル配線基板130の接続電極132とを電気的機械的に接続し、ACF接続工程が完了する。
また、上記インクジェットヘッドとフレキシブル配線基板との接続のほかに、フレキシブル配線基板とリジッドのプリント配線基板との接続や半導体デバイスとフレキシブル配線基板との接続について下記特許文献1〜5に提案されているが、従来のインクジェットヘッドとフレキシブル配線基板との接続構造と同様に、電極接続部のACFなどの接着剤厚は、基板基材から突出した電極厚さ分かそれ以上の厚さに相当するものである。
特開平06−23996号公報 特開平10−44418号公報 特開平10−100403号公報 特開2000−127404号公報 特開2002−127422号公報
上記のような従来の回路基板の接続構造を用いてデバイスと回路基板を接続した場合または回路基板同士を接続した場合には、以下のような種々の問題がある。
すなわち、従来の接着剤を用いたインクジェットヘッドとフレキシブル配線基板との電極接続構造では、基板間のACFなどの接着剤厚さが、接続される双方の電極厚さ分以上になる。一般的に線膨張係数の大きな接着剤(60〜150ppm/℃)は電極接続部において、電極接続部の昇温で大きく膨張して電極間を広げる方向に熱応力がかかるため、導通不良を起こすといった問題があった。また、接着剤の温度変化における歪量が大きいために接着力劣化を起こし、温度サイクル信頼性においても早期不良発生を起こすといった問題もあった。
また、従来のフレキシブル配線基板とリジッド配線基板との間などの回路基板同士の電極接続構造についても、上記インクジェットヘッドの電極接続構造と同様に、昇温時の導通不良や温度サイクルによる早期信頼性劣化の問題があった。
本発明は係る実情に鑑みてなされたもので、その目的は、接着剤層を従来の電極接続構造より薄くすることにより導通不良発生を防止することや、熱応力による歪量を抑制することにより早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することにより、信頼性の高い回路基板の接続構造を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の回路基板の電極接続構造は、接着剤を用いた回路基板の電極接続構造において、該電極接続部における回路基板間の接着剤厚さが該回路基板の電極厚さよりも薄いことを特徴とする。
このような特徴を有する本発明によれば、回路基板基材(ガラスエポキシの線膨張率は10〜50ppm/℃であり、ポリイミドの線膨張率は12〜20ppm/℃である。)、Cuなどの電極金属材料(線膨張率は10〜20ppm/℃である。)、デバイス基材(圧電材料(PZT)の線膨張率は2〜6ppm/℃であり、半導体材料の線膨張率は3〜5ppm/℃である。)よりも一般的に線膨張率が大きなエポキシ系樹脂(線膨張率は60〜150ppm/℃である。)などの接着剤が、電極接続部に介在した状態で電気的機械的に回路基板を接続した場合でも、接着剤層が従来の電極接続構造より薄いため、接続された二つの回路基板間あるいはデバイスと回路基板との間での電極同士の引き剥がし方向にかかる昇温時における熱応力は、接続部構成部材を形成する際に用いられる様々な材料の中で接着剤以外の材料のうちの最も線膨張率の大きな材料に起因する割合が高くなるために抑制することができ、導通不良発生を防止できる。また、熱応力による歪量を抑制することができるために早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することができ、信頼性の高い回路基板接続構造を実現することができる。
また、本発明の回路基板の電極接続構造は、前記回路基板が第一の回路基板と第二の回路基板とからなり、前記第二の回路基板に凹部が形成されるとともに、該凹部の深さである段差T2が前記第一の回路基板の基板基材から突出した電極の厚さT1よりも小さく形成されており、前記凹部底面に前記第二の回路基板の電極が形成され、前記接着剤層の厚さが、前記第一の回路基板の基板基材から突出した電極の厚T1さと前記凹部の段差T2との差(T1−T2)の厚さで電気的機械的に接続されていることを特徴とする。
このような特徴を有する本発明によれば、従来の電極接続構造では厚さT1および厚さT3を有する電極同士の接続で必然的に接着剤層厚が(T1+T3)となるが、本願発明では、接続する二つの回路基板のうち少なくとも一方の電極表面を回路基板基材よりも一段(段差:T2)下がったところに配置した回路基板と電極厚さT1の回路基板との接続構造の場合、接着剤厚が電極厚T1と段差T2との差(T1‐T2)となる。すなわち、本願発明の回路基板の電極接続構造による接着剤厚(T1−T2)は、従来の回路基板の電極接続構造による接着剤厚(T1+T3)よりも小さくなるので、上記と同様、接続された二つの回路基板間あるいはデバイスと回路基板の間での電極同士の引き剥がし方向にかかる昇温時における熱応力は、接続部構成部材を形成する際に用いられる様々な材料の中で接着剤以外の材料のうちの最も線膨張率の大きな材料に起因する割合が高くなるために抑制することができ、導通不良発生を防止できる。また、熱応力による歪量を抑制することができるために早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することができ、信頼性の高い回路基板の接続構造を実現することができる。
また、本発明の回路基板の電極接続構造は、接着剤層厚さ(T1−T2)を10μm以下としたことを特徴とする。
従来の回路基板の電極接続構造によれば、電極厚は一般的に18μm(1/2oz.銅箔)〜36μm(1oz.銅箔)であり、回路基板同士の接続後の隣接電極間に介在する接着剤厚は36〜72μm以上となるが、本願発明の回路基板の電極接続構造によれば、昇温時の熱応力は単純に1/3〜1/7に抑制され、上記と同様、接続された二つの回路基板間あるいはデバイスと回路基板の間での電極同士の引き剥がし方向にかかる昇温時における熱応力は、接続部構成部材を形成する際に用いられる様々な材料の中で接着剤以外の材料のうちの最も線膨張率の大きな材料に起因する割合が高くなるために抑制することができ、導通不良発生を防止できる。また、熱応力による歪量を抑制することができるために早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することができ、従来構造の電極接続部よりも数倍以上の長期信頼性を確保した回路基板接続構造を実現することができる。
また、本発明の回路基板の電極接続構造は、電極接続部の接着剤厚さが回路基板の電極厚さよりも薄い電極接続構造において、被着体の一方がインクジェットヘッド、半導体装置、液晶ディスプレイパネルまたはMEMS等のデバイスであることを特徴とする。
このような特徴を有する本発明によれば、インクジェットデバイス等のデバイスのモジュール化において、上記と同様、回路基板と接続されたデバイスモジュールの電極同士の引き剥がし方向にかかる昇温時における熱応力は、接続部構成部材を形成する際に用いられる様々な材料の中で接着剤以外の材料のうちの最も線膨張率の大きな材料に起因する割合が高くなるために抑制することができ、導通不良発生を防止できる。また、熱応力による歪量を抑制することができるために早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することができ、信頼性の高い回路基板接続構造を実現することができる。
また、本発明の回路基板の電極接続構造は、電極接続部の接着剤厚さが回路基板の電極厚さよりも薄い電極接続構造において、接着剤が異方性導電接着剤であることを特徴とする。
このような特徴を有する本発明によれば、回路基板と接続されたデバイスモジュールの電極同士の引き剥がし方向にかかる昇温時における熱応力は、接続部構成部材を形成する際に用いられる様々な材料の中で接着剤以外の材料のうちの最も線膨張率の大きな材料に起因する割合が高くなるために抑制することができ、導通不良発生を防止できる。また、熱応力による歪量を抑制することができるために早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することができ、信頼性の高い回路基板接続構造を実現することができる。
また、接続する回路基板の一方の電極凹部段差(T2)の形成について、他方の電極厚さ(T1)よりも薄く段差形成しなければ直接接触することができないため、絶縁性の接着剤で本願電極接続構造を達成するためには、0<T2<T1で段差形成を行う必要がある。しかし、ACFなどの異方性導電接着剤を用いた場合には、プラスチックコアに導電性膜を形成した回路基板接続工程で弾性変形を起こすプラスチック導電粒子や回路基板接続工程で塑性変形を起こす金属導電粒子(導電粒子直径をT4とする。)が接続する電極間に介在するため、仮に前記電極凹部段差T2が相手電極厚さT1よりも深く形成(T1≦T2)されていても、凹部段差T2が接続する電極間に介在する導電粒子径以内(T2<(T1+T4))であれば、本願接続構造が実現できる。この場合、電極同士が導電粒子を介して接触する場合は導電粒子のつぶれ代T4´(0<T4´<T4)分を考慮して、凹部段差T2の形成条件は、(T4−T4´)<T2<(T1+T4)となり、より広い範囲で本願接続構造を実現することができるため、段差形成プロセスのマージンを大きくとることができ、凹部段差T2を形成する回路基板やデバイスの生産性向上を実現できる。
本発明の回路基板の電極接続構造によれば、回路基板基材、電極金属材料、デバイス基材といった接続部構成部材よりも一般的に線膨張率が大きなエポキシ系樹脂などの接着剤を、電極接続部に介在しさせた状態で電気的機械的に回路基板を接続した場合でも、接着剤層が従来の電極接続構造より薄いため、接続された二つの回路基板間あるいはデバイスと回路基板との間での電極同士の引き剥がし方向にかかる昇温時における熱応力は、接続部構成部材の中で最も線膨張率の大きな接着剤以外の材料に起因する割合が高くなるために抑制することができ、これにより導通不良の発生を防止することができる。また、熱応力による歪量を抑制することができるために早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することができ、信頼性の高い回路基板接続構造を実現することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
〔実施形態1〕
以下、本発明の実施形態1を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施形態1に係る回路基板の電極接続構造を示す平面より見た断面図であり、図2は図1のA−A線断面図、図3は図1のB−B線断面図である。
本実施形態1においては、被着体の一例として異方性導電接着剤を用いたインクジェットヘッドが用いられており、回路基板の一例としてフレキシブル配線基板(ここでは、TCP:Tape Carrier Package)が用いられている。
インクジェットヘッド10の電極接続構造は、図1〜図3に示すように、インクジェットヘッド駆動用IC40が搭載されたTCP41に、アウタリード42が形成されており、インクジェットヘッド10の外部回路接続用電極11とNi導電粒子31とエポキシ樹脂バインダー32とからなるACF30(Anisotropic Conductive Film:異方導電性フィルム)で電気的および機械的に接続された構造である。また、インクジェットヘッド10の上方には、インク供給口13が予め形成されているカバー部材14が、溝を形成したアクチュエータ部材15に接着され、さらにインクジェットヘッド10のインク吐出面には、微小なノズル16を有するノズルプレート17が接着されている。
このような構成で、アレイ状に並ぶインク室18は、圧電材料からなるインク室隔壁19によって仕切られており、各隔壁19の上部半分に配置した厚さ1μmの2つのCu電極20、21に同電位の電圧を印加し、インク室隔壁19の表裏で対向する電極20および21に逆位相の電圧印加を行うことによって、インク室隔壁19がシェアモードで駆動するアクチュエータの役目をして、インク室18内のインク圧力をコントロールすることにより、ノズル16からインク微小液滴を吐出させる。このとき2つのCu電極20,21は、インク室18の後端部のR形状部22で一つの電極に集約され、段差T2を有する凹部12に形成されている外部回路接続用電極11となる。
図3は、電極接続部の電極列方向の断面図であり、TCP41のアウタリード42は1oz.銅箔(36μm厚)配線上にNiおよびAu(金)めっきが施された構造でる。TCP41のポリイミド基材43からのトータル厚は40μm(T1)であり、インクジェットヘッド10の外部回路接続用電極11は、インクジェットヘッド10の圧電材料基材表面から37μm落ち込んだ凹部12に、厚さ約2μmで形成されており、外部回路接続用電極11表面から圧電材料基材表面までの凹部段差(T2)は35μmである。
また、対向する接続電極間(インクジェットヘッド10の外部回路接続用電極11とTCP41のアウタリード42との間の)ギャップが5μmになるように、図示しないボンディングツールによりTCP41の裏面(基材面)側からACF30の直径6μmのNi導電粒子31を加熱加圧することにより、ACF30のNi導電粒子31が外部回路接続用電極11とアウタリード42との間に介在して外部回路接続用電極11およびアウタリード42間を電気的に接続し、さらに、ACF30のエポキシ樹脂バインダー32を熱硬化させて外部回路接続用電極11とアウタリード42とを機械的に接続する。このとき、Ni導電粒子31は加圧されて塑性変形し、隣接電極間(インクジェットヘッド10の外部回路接続用電極11とTCP41のアウタリード42との間)の接着剤層厚(T1−T2+圧縮された導電粒子厚)は10μmになる。
このような構造を備えているため、本実施形態1の回路基板の電極接続構造によれば、接続されたインクジェットヘッド10とTCPアウタリード42との間の接着剤層厚は10μmとなり、アウタリード42の厚さ40μmとインクジェットヘッド10の外部回路接続用電極11の厚さ2μmとの和が42μmとなる接着剤層で接着される従来の電極接続構造と比較すると、電極同士の引き剥がし方向にかかる昇温時における熱応力は約1/4に抑制され、導通不良発生を防止できる。また、熱応力による歪量も約1/4に抑制することができるために早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することができ、信頼性の高い回路基板接続構造を実現することができる。このとき、従来の回路基板の電極接続構造において電極間に設けられていた接着剤層の代わりに介在する圧電材料の熱膨張率は、ACFなどといった接着剤の熱膨張率が約100ppm/℃であることに対して、2ppm/℃と非常に小さいため、熱応力発生部材としては無視できるレベルである。
また、本実施形態1では、直径6μmのNi導電粒子21を含む異方性導電接着剤(ACF30)で電極接続を行っているため、導電粒子を含まない絶縁性接着剤で電極同士を接触させて電気的接続を行う場合と比較して、凹部12の形成工程のプロセスマージンを広く確保することができる。絶縁性接着剤を利用した場合は、0<凹部段差<TCP電極厚で段差形成を行う必要があり、本実施例では、0<凹部段差<40μmとなるが、ACFなどの異方性導電接着剤を用いた場合では、{導電粒子径(6μm)−導電粒子つぶれ代(2〜5μm)}<凹部段差(T2)<{TCP電極厚(T1)+導電粒子径}、つまり最大範囲で1μm<凹部段差<46μmとなり、段差形成プロセスマージンを広く確保できるため、生産性向上が実現できる。
次に、インクジェットヘッド10の凹部12の段付き電極構造を形成する方法について、図面を参照しつつ説明する。
図4〜図6は、図1〜図3に示す回路基板の電極接続構造を形成する方法の一例を示す工程説明図である。
まず、厚さ方向に分極させた圧電材料ウエハ50の一表面にドライフィルムレジスト60をラミネートして硬化させる。
次に、図4中に矢印D1を用いて示されているように、ダイサーのダイシングブレード61を用いて圧電材料ウエハ50を深さ300μmでハーフダイスすることによりインク室18(図6参照)を形成するとともに、ダイシングブレード61を上昇させてダイシングブレードの直径に対応したインク室後端部のR形状溝22を形成し、その後に圧電材料50に深さ35μmで浅溝(凹部12(図6参照))を形成する。このようにしてインク室アレイを形成した後に、図5中に矢印D2を用いて示されているように、インク室18の長手方向に対して垂直方向斜め上方からAlやCuなどの電極材料になる金属を斜め蒸着する。この作業をインク室の長手方向に対して左右二方向から行うことでインク室隔壁19(図1参照)の表面にCu電極20が形成され、ドライフィルムレジスト60および各々のインク室隔壁19のシャドーイング効果により金属膜形成は、インク室18の深さ方向で約1/2まで行われ、深さ35μmの浅溝部(凹部12)には溝内ほぼ全面に金属膜(外部接続用電極11(図1〜図3参照)が形成される。その後、ドライフィルムレジスト60をリフトオフすることで、インク室隔壁19上には電極が形成されることはなく、各インク室18間での電気的な分離を確実に行うことができる。
次に、インク供給口13(図1〜図2参照)用の段付貫通穴52および外部接続用電極11を逃げるためのザグリ部53を形成した圧電材料からなるカバーウエハ51を用意する。このカバーウエハ51は、インクジェットヘッドに構成されたときにインク供給口13を形成し、インク室18の上部を封じるカバー部材14になる。通常、カバーウエハ51は、インク室を形成するアクチュエータとの熱膨張率のマッチングを良くするために、インク室18を構成する圧電材料と同じ材料を用いて形成されるが、熱膨張率の比較的近い安価なアルミナセラミックを用いても良い。インク室18アレイを形成した圧電材料ウエハ50とカバーウエハ51を市販の接着剤で接着する。このとき、外部接続用電極11部分がカバーウエハ51のザグリ部53の中央部にくるように、位置合わせを行い、図6の断面図にあるように、両者を貼り合わせる。
その後、図6に破線L1で示したダイシングラインで、圧電材料ウエハ50の外部接続用電極11部分上部のカバーウエハ51を、図示しないダイサーのダイシングブレードにより除去し、その後、圧電材料ウエハ50のインク室貼り合わせ中央部L2および外部接続用電極11中央部L3で個々のインクジェットヘッドに小片化し、インクジェットヘッドを完成させる。
なお、本発明は上記実施形態1のように、一方向の分極特性である圧電材料ウエハを用いたカンチレバータイプのインクジェットデバイスに限定されるものではなく、厚さ方向に分極処理を施して圧電材料を分極方向が相反する方向になるように貼り合わせた圧電材料を用いたシェブロンタイプのインクジェットヘッドにも適用することができる。また、このようなインクジェットデバイスだけでなく、半導体デバイス、液晶ディスプレイパネルやMEMSデバイスにも適用することができ、同様の効果が得られる。
〔実施形態2〕
次に、本発明の回路基板の電極接続構造の実施形態2について図面を参照しつつ説明する。
図7は、本発明の実施形態2に係る回路基板の電極接続構造を示す断面図である。
本実施形態2においては、2枚の回路基板を接着剤を用いて接続した場合の回路基板の電極接続構造について説明しており、一方の回路基板としてガラスエポキシ配線基板が用いられており、他方の回路基板としてフレキシブル配線基板が用いられている。
ガラスエポキシ配線基板70は、ガラスエポキシ基材71と電極72とから構成されており、電極72は、ガラスエポキシ基材71上に形成された1/2oz.銅箔(18μm厚)上にNiおよびAuめっきが施されてなるものであり、約20μmの厚さ(T5)分だけガラスエポキシ基板基材71から突出している。
一方、フレキシブル配線基板80は、ポリイミド基材81と、ポリイミド基材81上に複数本形成された厚さ6μmのCu配線82と、これらCu配線82の隣接配線間に形成された高さ16μmのポリイミド壁83とから構成されており、ポリイミド壁83表面から10μmの段差(T6)分だけ下がったところにCu配線82表面が形成されている。
また、前記隣接配線間には絶縁性接着剤90が満たされており、ガラスエポキシ配線基板70とフレキシブル配線基板80とを、ガラスエポキシ基板基材71とポリイミド壁83との間の接着剤層厚が10μm(T5−T6)となるように対向させることによって、電極72およびCu配線82同士を直接接触させて電気的に接続した状態にしておき、この状態で、ガラスエポキシ配線基板70およびフレキシブル配線基板80間に介在させた絶縁性接着剤90を硬化させて、ガラスエポキシ配線基板70およびフレキシブル配線基板80間の機械的な接続を実施している。
このような構造を備えているため、本実施形態2の回路基板の電極接続構造によれば、接続されたガラスエポキシ配線基板70の電極72の電極厚さ20μmとフレキシブル配線基板80のCu配線82の電極厚さ6μmとの和は26μmである。これを接着剤層で接着される従来の電極接続構造と比較すると、電極同士の引き剥がし方向にかかる昇温時における熱応力は、ポリイミドの線膨張率が約15ppm/℃で16μm厚介在し、約100ppm/℃の接着剤が10μm厚で介在し、26μm厚で100ppm/℃で介在するよりも熱膨張率と厚さの積で表される部材の1℃当りの膨張量が約1/2に抑制され、導通不良発生を防止できる。また、熱応力による歪量も約1/2に抑制することができるために表1に示すように早期の温度サイクル信頼性劣化を防止することができ、信頼性の高い回路基板接続構造を実現することができる。
Figure 2006012992
なお、表1は、縦軸が接着剤層厚であり、10μm、20μmおよび40μmとなっている。また、横軸は温度サイクルを示しており、ここでは、回路基板の周辺の温度を−40℃から100℃まで変化させ、続いて、100℃から−40℃まで変化させるところまでを1サイクルとしている。なお、電極接続部に異常が生じなかった条件については「OK」と記載しており、異常が生じた条件については「NG」と記載している。
次に、上記フレキシブル配線基板80の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
図8は、図7に示す回路基板の電極接続構造を構成するフレキシブル配線基板の製造方法の一例を示す工程断面説明図である。
まず、基材となるポリイミドフィルム(ポリイミド基材81)上にスパッタリング技術を用いてCu膜を薄く形成し、その後、フォトリソグラフィ技術を用いて配線パターニングを行ってCuシード層84を形成(図8(a)参照)し、感光性ポリイミド85を全面塗布(図8(b)参照)した後に、配線と配線の間(即ち、Cuシールド層84が形成されていない部位)だけに感光性ポリイミド85を残すことによってポリイミド壁83を形成する(図8(c)参照)。最後に、パターニングされたCuシード層84上のみにめっき技術を用いて厚さ6μmまでCu配線82を成長させて(図8(d)参照)、フレキシブル配線基板80を得ることができる。
なお、本発明は上記実施形態2に限定されるものではなく、ガラスエポキシ配線基板やポリイミド基材フレキシブル配線基板以外に、PET基材配線基板、セラミック配線基板、ガラス配線基板等の各種配線基板やデバイスについて同様に適用でき、同様の効果が得られる。
本発明の回路基板の電極接続構造は、温度変化が頻繁に起こりうる環境での使用に活用できる。
本発明の実施形態1に係る回路基板の電極接続構造を上面側より見た断面図である。 図1に示すA−A線断面図である。 図1に示すB−B線断面図である。 図1に示す回路基板の電極接続構造を形成する方法の一例を示す工程を説明する断面図である。 図1に示す回路基板の電極接続構造を形成する方法の一例を示す工程を説明する斜視図である。 図1に示す回路基板の電極接続構造を形成する方法の一例を示す工程を説明する断面図である。 本発明の実施形態2に係る回路基板の電極接続構造を示す断面図である。 図7に示す回路基板の電極接続構造を構成するフレキシブル配線基板の製造方法の一例を示す工程断面説明図である。 従来のインクジェットヘッドの一例を示す断面図である。 従来のインクジェットヘッドのインク室内電極を平坦部に延出させる方法の一例を示す工程を説明する断面図である。 従来のインクジェットヘッドのインク室内電極を平坦部に延出させる方法の一例を示す工程を説明する斜視図である。 従来のインクジェットヘッドのインク室内電極を平坦部に延出させる方法の一例を示す工程を説明する断面図である。
符号の説明
10 インクジェットヘッド
11 外部回路接続用電極
12 凹部
13 インク供給口
14 カバー部材
15 アクチュエータ部材
16 ノズル孔
17 ノズルプレート
18 インク室
19 インク室隔壁
20,21 Cu電極
22 R形状部
30 ACF
31 Ni導電粒子
32 エポキシ系樹脂バインダー
40 インクジェットヘッド駆動用IC
41 TCP
42 アウタリード
43 ポリイミド基材
50 圧電材料ウエハ
51 カバーウエハ
52 段付貫通穴
53 ザグリ部
60 ドライフィルムレジスト
61 ダイシングブレード
70 ガラスエポキシ配線基板
71 ガラスエポキシ基材
72 電極
80 フレキシブル配線基板
81 ポリイミド基材
82 Cu電極
83 ポリイミド壁
84 Cuシード層
85 感光性ポリイミド
90 絶縁性接着剤
100 アクチュエータ部材
101 インク室内電極
102 R形状部
103 平坦部
104 インクジェットヘッド外部回路接続用電極
110 カバー部材
111 インク供給口
112 共通インク室
120 ノズルプレート
121 ノズル孔
130 フレキシブル配線基板
131 駆動用IC
132 接続電極
140 ACF
150 ドライフィルムレジスト
151 レジスト開口部
160 ダイシングブレード

Claims (5)

  1. 接着剤を用いた回路基板の電極接続構造であって、
    前記回路基板の電極接続部における回路基板間の接着剤厚さが前記回路基板の電極厚さよりも薄いことを特徴とする回路基板の電極接続構造。
  2. 前記回路基板が第一の回路基板と第二の回路基板とからなり、前記第二の回路基板に凹部が形成されるとともに、該凹部の深さである段差が前記第一の回路基板の基板基材から突出した電極の厚さよりも小さく形成されており、前記凹部底面に前記第二の回路基板の電極が形成され、前記接着剤層の厚さが、前記第一の回路基板の基板基材から突出した電極の厚さと前記凹部の段差との差である請求項1記載の回路基板の電極接続構造。
  3. 前記接着剤層の厚さが10μm以下である請求項1または2記載の回路基板の電極接続構造。
  4. 前記第一の回路基板または第二の回路基板が、インクジェットヘッド、半導体装置、液晶ディスプレイパネルおよびマイクロ・エレクトロ・メカニカル・システムのうちの1つのシステムである請求項1、2または3記載の回路基板の電極接続構造。
  5. 前記接着剤層が、異方性導電接着剤を用いて形成されている請求項1、2、3または4記載の回路基板の電極接続構造。
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