JPH0593071U - 基板接続構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】異方性導電膜を用いた基板接続構造を導体パタ
ーンの狭ピッチ化に対応させる。 【構成】この基板接続構造はフレキシブル配線基板１に
複数設けた導体パターン２と、ガラエポ基板３に導体パ
ターン２と対応させて設けた導体パターン４とを熱可塑
性異方性導電膜６を介して対向させ、これらの基板１、
３を加熱加圧することにより対応する導体パターン２と
導体パターン４とを電気的に接続してなる基板接続構造
であって、ガラエポ基板３の導体パターン４間に、フレ
キシブル配線基板１の導体パターン２間に嵌入する突出
部５を形成している。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、例えば2 つの基板に設けられたそれぞれの導体パターンなどを異方 性導電膜を用いて接続する基板接続構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来から、異方性導電膜を用いた基板接続構造はよく知られている。

【０００３】 近年、基板に形成される導体パターンは狭ピッチ化の傾向にあり、異方性導電 膜を用いた基板接続構造においても高密度化への対応が急務となっている。

【０００４】 ここで、図３を参照して従来の異方性導電膜を用いた基板接続構造について説 明する。

【０００５】 同図において、３１はフレキシブル配線基板、３２はガラス・エポキシ基板 （以下ガラエポ基板と称す）である。互いの基板３１、３２には、それぞれ対応 して接続用の導体パターン３３ａ、３３ｂ、３４ａ、３４ｂが形成されている。 なお、隣り合う導体パターン、例えば導体パターン３３ａと導体パターン３３ｂ との間隔をW とする。これらの導体パターン３３ａ、３３ｂ、３４ａ、３４ｂは 、異方性導電膜３５により接着および接続されている。なお、互いの基板３１、 ３２間には、例えば導体パターン３３ａ、３４ａなどが挟まれているため、最低 でも約70μｍの隙間t が生じている。

【０００６】 この基板接続構造の場合、2 つの基板３１、３２の導体パターン間には、通常 、厚さ約35μｍ程度の異方性導電膜３５が配置され、互いの基板３１、３２が加 熱加圧されることにより、異方性導電膜３５は溶融して基板間の隙間に充填され る。このときに、異方性導電膜３５の中に分散配置されている導電粒子が導体パ ターン３３ａ、３３ｂと導体パターン３４ａ、３４ｂとの間に残りその面が電気 的に接続される。この場合、1 mmあたりに形成できる導体パターン数は5 本（0. 2mm ピッチ）である。

【０００７】 ところで、図４に示すように、導体パターンを狭ピッチ化、例えば1 mmあたり 10本（0.1mm ピッチ）とした場合、それぞれ隣り合う導体パターン間、例えば導 体パターン４１ａ、４１ｂ間の間隔は1/2Wになるが、基板間の隙間t は導体パタ ーン自体の厚みであるために約70μｍと変わらない。したがって、この隙間t に 合わせて通常と同じ膜厚（約35μｍ）の異方性導電膜３５を用いる必要がある。 この状態で対向する基板間に異方性導電膜３５を挟み加熱加圧すると、流れ出た 導電粒子は狭くされた隙間1/2Wに密集しその密度が高くなるため絶縁性が低下す る。最悪の場合、隣り合う導体パターン間で絶縁不良を招くことにもなる。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】

このように上述した従来の基板接続構造では、導体パターンを狭ピッチ化する と、異方性導電膜内の導電粒子が狭い隙間1/2Wに密集して隣り合う導体パターン 間の絶縁性が低下するという問題があった。

【０００９】 本考案はこのような課題を解決するためになされたもので、導体パターンの狭 ピッチ化に対応して異方性導電膜を用いた基板間接続ができる基板接続構造を提 供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

本考案の基板接続構造は上記した目的を達成するために、第１の基板に複数形 成した第１の導体パターンと、第２の基板に前記第１の導体パターンと対応させ て形成した第２の導体パターンとを熱可塑性異方性導電膜を介して対向させ、こ れらの基板を加熱加圧することにより対応する第１、第２の導体パターンを電気 的に接続してなる基板接続構造において、前記第１の基板および前記第２の基板 の少なくとも一方の導体パターン間に、他方の導体パターン間に嵌入する突出部 を形成している。

【００１１】

【作用】

本考案では、第１の基板に複数形成した第１の導体パターンと、第２の基板に 前記第１の導体パターンと対応させて形成した第２の導体パターンとを熱可塑性 異方性導電膜を介して対向させ、これらの基板を加熱加圧することにより第１の 基板および第２の基板の少なくとも一方の導体パターン間に、他方の導体パター ン間に形成された突出部が嵌入されるので、その嵌入部分に異方性導電膜を充填 しなくて済むようになる。

【００１２】 これにより、膜厚の薄い異方性導電膜を用いて基板間接続が行えるようになり 、狭ピッチ化した導体パターン間の導電粒子密度を低密度に維持できるようにな る。

【００１３】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図面を参照して詳細に説明する。

【００１４】 図１は本考案に係る一実施例の基板接続構造を示す図である。

【００１５】 同図において、１は第１の基板としてのフレキシブル配線基板である。このフ レキシブル配線基板１には、複数の導体パターン２が高さ約35μｍで形成されて いる。

【００１６】 このフレキシブル配線基板１には、ガラス・エポキシ基板（以下ガラエポ基板 と称す）３が対向配置されている。このガラエポ基板３には、導体パターン２に 対応する導体パターン４が高さ約35μｍで形成されている。つまり、互いの基板 間隔t は、約70μｍほどになる。また、このガラエポ基板３の導体パターン４の 各間隔は、従来（図３に示した間隔W ）と比較してほぼ半分の間隔1/2Wで形成さ れている。この導体パターン４の間隔1/2Wには、導体パターン２の間に嵌入する 突出部５が形成されている。この突出部５は導体パターン４の高さ1/2tよりも高 く、かつ導体パターン２と導体パターン４とを合わせた高さt よりも低く形成さ れている。このガラエポ基板３とフレキシブル配線基板１とは、導体パターン２ に突出部５が嵌入した部分（導体パターン４の上面よりも上の隙間部分）に熱可 塑性の異方性導電膜６が充填されて接着されている。また、互いの基板の導体パ ターン２、４は、その対向面間で異方性導電膜６の中に分散配置されていた微細 な導電粒子により電気的に接続されている。

【００１７】 次に、図２を参照してこの基板接続構造の基板接続過程について説明する。

【００１８】 同図に示すように、この基板接続構造では、まず、フレキシブル配線基板１と ガラエポ基板３とを互いの導体パターン２、４が対応するように異方性導電膜６ を介して対向させ、続いて、フレキシブル配線基板１およびガラエポ基板３を加 熱加圧（矢印ａの方向）することにより、異方性導電膜６が溶融し、図１に示す ように、異方性導電膜６は、フレキシブル配線基板１とガラエポ基板３との隙間 に充填される。その後、冷却に伴って異方性導電膜６が硬化し互いの基板は接着 される。このとき、対応する導体パターン２、４の対向面に、異方性導電膜５の 微細な導電粒子が残存するので、それぞれ対応する導体パターン２、４が電気的 に接続される。

【００１９】 一方、導体パターン間に溶融充填された異方性導電膜６は、膜厚が薄い分、充 填量も少なく、異方性導電膜６の中に存在する導電粒子の密度も従来の0.2mm ピ ッチのときとほぼ変わらなくなり、隣り合う導体パターン間の絶縁性は維持され る。

【００２０】 このように本実施例の基板接続構造によれば、導体パターン４間に、導体パタ ーン２に嵌入する突出部５を形成すると共に膜厚の薄い（約20μｍ）異方性導電 膜６を用いることにより、隣り合う導体パターン間の導電粒子密度を高くするこ となく（絶縁性が維持された状態で）基板間接続を行うことができる。

【００２１】 この結果、1 mmあたり10本の導体パターン４を形成するような導体パターンの 狭ピッチ化に異方性導電膜を用いた基板接続構造を対応させることができるよう になる。

【００２２】 なお、本実施例では、ガラエポ基板側に突出部を設けたが、フレキシブル配線 基板側でもよいことは言うまでもない。また、この突出部は、基板に取り付ける ようにして形成してもよく、厚みのある基板を母材として切削加工により形成し てもよい。さらに、本実施例では、フレキシブル配線基板とガラエポ基板との接 続について説明したが、本考案は、この他、フレキシブル配線基板とＴＡＢ、ガ ラエポ基板とＴＡＢなどさまざまな組み合わせにも用いることができる。

【００２３】

【考案の効果】

以上説明したように本考案の基板接続構造によれば、第１の基板および第２の 基板の少なくとも一方の導体パターン間に形成した突起部により、基板間接続に 用いる異方性導電膜の充填量が少なく済むようになるので、膜厚の薄い異方性導 電膜を用いて、隣り合う導体パターン間の導電粒子密度を維持した基板間接続が できる。

【００２４】 この結果、導体パターンの狭ピッチ化に異方性導電膜を用いた基板接続構造を 対応させることができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る一実施例の基板接続構造を示す断
面図である。

【図２】この実施例おける基板接続過程を示す図であ
る。

【図３】従来の基板接続構造を示す図である。

【図４】従来の基板接続構造において導体パターンを狭
ピッチ化した図である。

【符号の説明】

１…フレキシブル配線基板、２、４…導体パターン、３
…ガラス・エポキシ基板、５…突出部、６…異方性導電
膜。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板に複数形成した第１の導体パ
   ターンと、第２の基板に前記第１の導体パターンと対応
   させて形成した第２の導体パターンとを熱可塑性異方性
   導電膜を介して対向させ、これらの基板を加熱加圧する
   ことにより対応する第１、第２の導体パターンを電気的
   に接続してなる基板接続構造において、 前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方
   の導体パターン間に、他方の導体パターン間に嵌入する
   突出部を形成してなることを特徴とする基板接続構造。