JPH02256192A - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPH02256192A JPH02256192A JP1276718A JP27671889A JPH02256192A JP H02256192 A JPH02256192 A JP H02256192A JP 1276718 A JP1276718 A JP 1276718A JP 27671889 A JP27671889 A JP 27671889A JP H02256192 A JPH02256192 A JP H02256192A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、交流電界の印加により発光する薄膜エレクト
ロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し。
ロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関し。
電極材料の改良により素子の絶縁耐圧および歩留りの向
上をはかった薄膜ＥＬ素子に関するものである。
上をはかった薄膜ＥＬ素子に関するものである。
〈従来の技術〉
第８図は発光層を挟んで形成した２重絶縁構造の薄膜Ｅ
Ｌ素子の一例を示す断面図である。図において、１は
ガラス基板、２は酸化インジウム（Ｉｎ２０３）あるい
はインジウムと錫との酸化物（Ｔ ｉ’ Ｏ）などから
なる透明な第１電極、３はＳ ｉ ０２やＡ ｌ ２０
３などからなる第１絶縁層である。上記ＩＴＯは透明度
、比抵抗、スペクトル吸収、パターン形成の容易さなど
他の材質に比較してずぐれているのでＥＬ素子の電極と
して広く用いられている。４はＭｎあるいは希土類化合
物を添加したＺｎＳ発光層、５は第１絶縁層と同様の材
質からなる第２絶縁層、６はＡＩなどからなる第２電極
である。
Ｌ素子の一例を示す断面図である。図において、１は
ガラス基板、２は酸化インジウム（Ｉｎ２０３）あるい
はインジウムと錫との酸化物（Ｔ ｉ’ Ｏ）などから
なる透明な第１電極、３はＳ ｉ ０２やＡ ｌ ２０
３などからなる第１絶縁層である。上記ＩＴＯは透明度
、比抵抗、スペクトル吸収、パターン形成の容易さなど
他の材質に比較してずぐれているのでＥＬ素子の電極と
して広く用いられている。４はＭｎあるいは希土類化合
物を添加したＺｎＳ発光層、５は第１絶縁層と同様の材
質からなる第２絶縁層、６はＡＩなどからなる第２電極
である。
上記構成のＥＬ素子は第１電極２と第２電極６との間に
交流電源１５により交流電界を印加すると、１〜２Ｘ１
０’Ｖ／ｃｍ程度の電界により発光する。
交流電源１５により交流電界を印加すると、１〜２Ｘ１
０’Ｖ／ｃｍ程度の電界により発光する。
〈発明が解決しようとする課題〉
近年航空機のフラットパネル等に用いるために第８図に
示す第２電極を第１電極と同様のＩ Ｔ’ ０からなる
透明電極で形成し、その上に更に異なる色の発光層を積
層した多色ＥＬパネルを実現することが試みられている
。
示す第２電極を第１電極と同様のＩ Ｔ’ ０からなる
透明電極で形成し、その上に更に異なる色の発光層を積
層した多色ＥＬパネルを実現することが試みられている
。
しかしながら１発光層を発光させるために電極に電圧を
印加すると、膜のピンホールやゴミ、欠陥等を中心に局
部的に絶縁破壊が発生し、その破壊がＥＬ画素全体に波
及（伝搬型破壊と呼ばれる）して画素欠けを生し、パネ
ルの表示品質を著しく損うという問題があった。
印加すると、膜のピンホールやゴミ、欠陥等を中心に局
部的に絶縁破壊が発生し、その破壊がＥＬ画素全体に波
及（伝搬型破壊と呼ばれる）して画素欠けを生し、パネ
ルの表示品質を著しく損うという問題があった。
本発明は上記従来の問題点に鑑みて成されたもので、絶
縁破壊のメカニズムを検討し、適当な電極材質を選択す
ることにより、絶縁耐圧の高い信頼性のある透明型ＥＬ
パネルや多色ＥＬパネルを実現することを目的とする。
縁破壊のメカニズムを検討し、適当な電極材質を選択す
ることにより、絶縁耐圧の高い信頼性のある透明型ＥＬ
パネルや多色ＥＬパネルを実現することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記従来技術の課題を解決する為の本発明の構成は、請
求項１においては絶縁性基板上に少なくとも一層のＥＬ
発光層および絶縁層を挟んで積層された電極からなり、
前記電極に交流電圧を印加することにより前記発光層を
発光させる様にした薄膜ＥＬ素子において、前記電極の
内の少なくとも一層は透明で、かつ、前記発光層および
絶縁層からなる部分の融点より低融点の部材を用いたこ
とを特徴とするものであり。
求項１においては絶縁性基板上に少なくとも一層のＥＬ
発光層および絶縁層を挟んで積層された電極からなり、
前記電極に交流電圧を印加することにより前記発光層を
発光させる様にした薄膜ＥＬ素子において、前記電極の
内の少なくとも一層は透明で、かつ、前記発光層および
絶縁層からなる部分の融点より低融点の部材を用いたこ
とを特徴とするものであり。
請求項２においては請求項１記載の薄膜ＥＬ素子におい
て、低融点の部材はＣＴＯとされ、そのＣＴＯは５ｎ０
２または５ｎ０２に添加物を加えた薄膜で挟まれている
ことを特徴とするものであり。
て、低融点の部材はＣＴＯとされ、そのＣＴＯは５ｎ０
２または５ｎ０２に添加物を加えた薄膜で挟まれている
ことを特徴とするものであり。
請求項３においては請求項１記載の薄膜ＥＬ素子におい
て９発光層を２Ｎとし基板側からの電極を第１．第２．
第３電極とした場合、少なくとも前記第１．第２電極を
Ｃ’ｌ’ Ｏとしたことを特徴とするものであり 請求項４においては請求項１記載の薄膜ＥＬ素子におい
て１発光層を２層とし基板側からの電極を第１．第２．
第３電極とした場合、少なくとも前記第２電極をＣＴＯ
とし、前記ＥＬ素子完成後前記第２電極に負の電位、他
の電極に正の直流電圧を印加した後、交流電圧を印加す
る様にしたことを特徴とするものであり。
て９発光層を２Ｎとし基板側からの電極を第１．第２．
第３電極とした場合、少なくとも前記第１．第２電極を
Ｃ’ｌ’ Ｏとしたことを特徴とするものであり 請求項４においては請求項１記載の薄膜ＥＬ素子におい
て１発光層を２層とし基板側からの電極を第１．第２．
第３電極とした場合、少なくとも前記第２電極をＣＴＯ
とし、前記ＥＬ素子完成後前記第２電極に負の電位、他
の電極に正の直流電圧を印加した後、交流電圧を印加す
る様にしたことを特徴とするものであり。
請求項５においては請求項１記載の薄膜Ｅｌ素子におい
て１発光層を上部発光層と下部発光層の２層とし基板側
からの電極を第１．第２．第３電極とした場合、少なく
とも前記第１電極をＣＴＯ。
て１発光層を上部発光層と下部発光層の２層とし基板側
からの電極を第１．第２．第３電極とした場合、少なく
とも前記第１電極をＣＴＯ。
第２電極をＩ’ｆ”Ｏとし、前記ＥＬ素子完成後前記第
２電極に正の電位、他の電極に負の直流電圧を印加した
後、交流電圧を印加する様にしたことを特徴とするもの
であり。
２電極に正の電位、他の電極に負の直流電圧を印加した
後、交流電圧を印加する様にしたことを特徴とするもの
であり。
請求項６においては請求項１記載の薄膜ＥＬ素子におい
て、少なくとも２層の発光層を形成する場合は、第１層
の発光が可能な状態まで製作した時点で一旦発光試験を
行った後、以降の製造工程を実行することを特徴とする
ものである。
て、少なくとも２層の発光層を形成する場合は、第１層
の発光が可能な状態まで製作した時点で一旦発光試験を
行った後、以降の製造工程を実行することを特徴とする
ものである。
く作用〉
請求項１．３項において、電極の一方に発光層および絶
縁層からなる部分の融点より低融点の部材を用いれば１
発光層や絶縁層に欠陥があり、電圧印加によりその部分
が溶融しても一方の電極が溶融し、そこで発光層の溶融
はストップする（もし９両方の電極とも発光層および絶
縁層の融点より高融点の部材を用いた場合は溶融が全体
に拡がり発光か不可能になる）。
縁層からなる部分の融点より低融点の部材を用いれば１
発光層や絶縁層に欠陥があり、電圧印加によりその部分
が溶融しても一方の電極が溶融し、そこで発光層の溶融
はストップする（もし９両方の電極とも発光層および絶
縁層の融点より高融点の部材を用いた場合は溶融が全体
に拡がり発光か不可能になる）。
請求項２において、ＣＴＯは絶縁層からの酸素の影響で
抵抗が増大する。ＳｎＯ２やこれに添加物を加えたもの
は低抵抗のものを形成するのは雑しいが酸素や水への耐
性が強いのでこれでＣＴＯを挾む事により抵抗の増大を
阻止することが出来る。
抵抗が増大する。ＳｎＯ２やこれに添加物を加えたもの
は低抵抗のものを形成するのは雑しいが酸素や水への耐
性が強いのでこれでＣＴＯを挾む事により抵抗の増大を
阻止することが出来る。
請求項４において、第２の電極であるＣＴＯに負の電圧
を他の電極に正の電圧を印加することにより予め局部的
な破壊を起こしておけば、破壊が全体に広がる事がない
。
を他の電極に正の電圧を印加することにより予め局部的
な破壊を起こしておけば、破壊が全体に広がる事がない
。
請求項５において第２電極であるＩＴＯに正の電位、他
の電極に負の直流電圧を印加することにより予め局部的
な破壊を起こしておけば、破壊が全体に広がる事がない
。
の電極に負の直流電圧を印加することにより予め局部的
な破壊を起こしておけば、破壊が全体に広がる事がない
。
請求項６において、下部発光層を製作した時点で破壊検
査をすれば、下部発光層の破壊の影響が上部発光層まで
及ぶことかない。
査をすれば、下部発光層の破壊の影響が上部発光層まで
及ぶことかない。
〈実施例〉
以下１図面に従い本発明の一実施例を説明する。
はじめに第１電極をＩＴＯとし、第２電極としてＡＩを
用いた場合とＩＴＯを用いた場合における絶縁破壊の原
因について説明する。薄膜ＥＬ素子はガラス基板上にＴ
ＴＯ電極、絶縁層９発光層。
用いた場合とＩＴＯを用いた場合における絶縁破壊の原
因について説明する。薄膜ＥＬ素子はガラス基板上にＴ
ＴＯ電極、絶縁層９発光層。
絶縁層およびＡｊ７電極をスパッタ法や蒸着等の薄膜形
成手段により形成するか１発光層を発光させようとして
これを挾む電極に電圧を印加した場合。
成手段により形成するか１発光層を発光させようとして
これを挾む電極に電圧を印加した場合。
各層のいずれかにゴミや欠陥等があると局所的に絶縁破
壊が発生し、第１電極、絶縁層１発光層および第２電極
が溶融する（この溶融状態においては絶縁層および発光
層の絶縁性が低下し導通状態となる）。
壊が発生し、第１電極、絶縁層１発光層および第２電極
が溶融する（この溶融状態においては絶縁層および発光
層の絶縁性が低下し導通状態となる）。
第９図は第１電極をＩＴＯ，第２電極をＡＩとして電圧
を印加した場合の破壊の状態を示す拡大断面図である。
を印加した場合の破壊の状態を示す拡大断面図である。
電圧を次第に上昇させていくと膜に欠陥等があった場合
、絶縁材料の本来有する絶縁耐圧値より低い電圧でＡＩ
電極、絶縁層および発光層が破壊されて導通した状態と
なり１局部的に溶融するが、絶縁層やＩ’ｆ’Ｏより融
点の低いＡＩがはじめに溶解、蒸発する（即ち、絶縁層
を残したままその上のＡＩ（Ａで示す部分））が溶融す
る。従ってその部分の絶縁状態はすぐ回復し。
、絶縁材料の本来有する絶縁耐圧値より低い電圧でＡＩ
電極、絶縁層および発光層が破壊されて導通した状態と
なり１局部的に溶融するが、絶縁層やＩ’ｆ’Ｏより融
点の低いＡＩがはじめに溶解、蒸発する（即ち、絶縁層
を残したままその上のＡＩ（Ａで示す部分））が溶融す
る。従ってその部分の絶縁状態はすぐ回復し。
絶縁層の溶融は持続せず局所的に止まって画素全体に波
及しない。そのため、ＥＬデイスプレィとしての機能は
持続される。
及しない。そのため、ＥＬデイスプレィとしての機能は
持続される。
第１０図は第１．第２電極をＩＴＯとした場合の破壊の
状態を示す拡大断面図である。この場合も、絶縁層中に
存在するゴミや欠陥によりＩＴＯおよび発光層を含む絶
縁層が溶融するが、Ｉ’ｌ’０の溶融温度が絶縁層と等
しいかそれよりも高いので、その溶解、蒸発の速度は絶
縁層よりも遅くなる。そのため、絶縁層は高温による導
通状態を維持したまま矢印方向に溶解による破壊が次々
と連続して発生し、ついにはその画素が破壊してしよつ 第１１図はガラス基板の上に第１．電極としてＩＴｏを
使用し、絶縁層としてＳ ｉ ０２ 、 Ｔａ２０５、
Ａｌ２ｏｚの各絶縁層を０．３〜０．５μｍ程度に形成
し、第２電極としてＡＩまたはＩＴＯを使用して伝搬型
破壊に至る電界強度を試験した結果を示すものである。
状態を示す拡大断面図である。この場合も、絶縁層中に
存在するゴミや欠陥によりＩＴＯおよび発光層を含む絶
縁層が溶融するが、Ｉ’ｌ’０の溶融温度が絶縁層と等
しいかそれよりも高いので、その溶解、蒸発の速度は絶
縁層よりも遅くなる。そのため、絶縁層は高温による導
通状態を維持したまま矢印方向に溶解による破壊が次々
と連続して発生し、ついにはその画素が破壊してしよつ 第１１図はガラス基板の上に第１．電極としてＩＴｏを
使用し、絶縁層としてＳ ｉ ０２ 、 Ｔａ２０５、
Ａｌ２ｏｚの各絶縁層を０．３〜０．５μｍ程度に形成
し、第２電極としてＡＩまたはＩＴＯを使用して伝搬型
破壊に至る電界強度を試験した結果を示すものである。
図によれば、絶縁層としてＳｉＯ２を使用し第２電極と
してＡＩを使用した場合は７．６Ｘ１０’Ｖ／ｃｍ程度
の耐圧があり、ＩＴＯを使用した場合は２．ｌＸ１０’
Ｖ／ｃｍ程度の耐圧しかない。また、絶縁層としてＴａ
２０５を使用した場合はＡＩの場合はＩＸｌ ０６Ｖ／
ｃｍ、ＩＴｏの場合は０ 、５ Ｘ １０ ’ Ｖ ／
ｃ ｍ程度、また、絶縁層としてＡ１１２０３を使用
した場合はＡＩの場合は４．８Ｘ１０’ Ｖ／ｃｍ、Ｉ
ＴＯの場合は０８Ｘ１０’Ｖ／ｃｍ程度の耐圧しかない
。先に述べた様に発光層を発光させるためには１〜２×
ＩＱ’Ｖ／ｃｍ程度の電界が必要なので、絶縁層の絶縁
耐圧としては充分な余裕が必要である。従って第２電極
をＩＴＯとした場合はいずれの絶縁層を使用しても伝搬
型破壊が生ずることになる。
してＡＩを使用した場合は７．６Ｘ１０’Ｖ／ｃｍ程度
の耐圧があり、ＩＴＯを使用した場合は２．ｌＸ１０’
Ｖ／ｃｍ程度の耐圧しかない。また、絶縁層としてＴａ
２０５を使用した場合はＡＩの場合はＩＸｌ ０６Ｖ／
ｃｍ、ＩＴｏの場合は０ 、５ Ｘ １０ ’ Ｖ ／
ｃ ｍ程度、また、絶縁層としてＡ１１２０３を使用
した場合はＡＩの場合は４．８Ｘ１０’ Ｖ／ｃｍ、Ｉ
ＴＯの場合は０８Ｘ１０’Ｖ／ｃｍ程度の耐圧しかない
。先に述べた様に発光層を発光させるためには１〜２×
ＩＱ’Ｖ／ｃｍ程度の電界が必要なので、絶縁層の絶縁
耐圧としては充分な余裕が必要である。従って第２電極
をＩＴＯとした場合はいずれの絶縁層を使用しても伝搬
型破壊が生ずることになる。
ここで Ａ１．ＩＴＯ，発光層および絶縁層の融点につ
いてみるとＡＩの融点は６６０℃、ＩＴＯの融点は１６
００〜２０００℃であり、ＺｎＳを主成分とする発光層
の昇華点（ＺｎＳは昇華性物質なので）は１１８０℃程
度、また。絶縁層の５ｉ０２の融点は１６１０〜１７１
０℃、Ｔａ２０５は１４７０℃、Ａｌ２Ｏ３は２０５０
℃である。
いてみるとＡＩの融点は６６０℃、ＩＴＯの融点は１６
００〜２０００℃であり、ＺｎＳを主成分とする発光層
の昇華点（ＺｎＳは昇華性物質なので）は１１８０℃程
度、また。絶縁層の５ｉ０２の融点は１６１０〜１７１
０℃、Ｔａ２０５は１４７０℃、Ａｌ２Ｏ３は２０５０
℃である。
以上のことから第１．第２電極を共にＩＴＯとした場合
は９発光層および絶縁層からなる部分より電極の方が融
点が高いので伝搬型破壊が進行することが分る。
は９発光層および絶縁層からなる部分より電極の方が融
点が高いので伝搬型破壊が進行することが分る。
本出願人は以上の事実を実験により確認し９発光層およ
び絶縁層からなる部分より融点が低く。
び絶縁層からなる部分より融点が低く。
かつ、透明性があり、比抵抗か小さく、スペクトルの吸
収が少なく、パターン形成か容易な物質について種々検
討した。その結果Ｃｄ Ｏおよび５ｎ０２を主成分とす
る混合物（Ｃｄ２Ｓｎ０４やＣｄ５ｎ０３・・・以下、
共にＣＴＯという）か透明型ＥＬ電極としてずぐれてい
ることを発見した。
収が少なく、パターン形成か容易な物質について種々検
討した。その結果Ｃｄ Ｏおよび５ｎ０２を主成分とす
る混合物（Ｃｄ２Ｓｎ０４やＣｄ５ｎ０３・・・以下、
共にＣＴＯという）か透明型ＥＬ電極としてずぐれてい
ることを発見した。
第１図は本発明の請求項１における一実施例を示すＥＬ
発光素子の要部断面図であり、第２電極としてＣＴＯを
用いている他は第８図の従来例と同様である。
発光素子の要部断面図であり、第２電極としてＣＴＯを
用いている他は第８図の従来例と同様である。
ＣＴＯの融点は１１３０℃程度であり、これを第２電極
として前記第１１図に示す３種の絶縁層を用いて実験し
た所いずれもＩ Ｔ Ｏの場合に比較して２〜３倍の伝
搬型破壊の電界強度を得ることが出来、透明型フラット
パネルを実現することが出来た。
として前記第１１図に示す３種の絶縁層を用いて実験し
た所いずれもＩ Ｔ Ｏの場合に比較して２〜３倍の伝
搬型破壊の電界強度を得ることが出来、透明型フラット
パネルを実現することが出来た。
なお、第２電極としては上記ｃ ’ｒ ｏに限ることな
く例えば酸化膜としての１００％ＣｄＯ（７００℃で昇
華）、ＳｎＯ２（１１２７℃で溶融）も可能であり、ま
た、５ｎ０２に添加物を加えたものも可能である。例え
ば、Ｓｂを加えたもの（ＡＴｏ）やＦを加えたもの（Ｆ
ＴＯ）や、同じく５ｎ０２に添加物としてＰまなはＴｅ
またはＣ１を加えたもの等である。その他ＣｕＩ、Ｃｕ
２ Ｓχ等も用いることが可能であり、要は透明性があ
り。
く例えば酸化膜としての１００％ＣｄＯ（７００℃で昇
華）、ＳｎＯ２（１１２７℃で溶融）も可能であり、ま
た、５ｎ０２に添加物を加えたものも可能である。例え
ば、Ｓｂを加えたもの（ＡＴｏ）やＦを加えたもの（Ｆ
ＴＯ）や、同じく５ｎ０２に添加物としてＰまなはＴｅ
またはＣ１を加えたもの等である。その他ＣｕＩ、Ｃｕ
２ Ｓχ等も用いることが可能であり、要は透明性があ
り。
比抵抗が小さく発光層および絶縁層からなる部分の融点
より低融点の部材であればよい。
より低融点の部材であればよい。
第２図は請求項１における他の実施例を示すもので１本
発明を２層の発光層を有するＥＬ素子に適用した断面図
である。図において１はガラス基板、２は第１電極（Ｃ
ＴＯ）、３，５，７．９は絶縁層、４は下部発光層、６
は第２電極（ＩＴＯ）、８は上部発光層、１０は第３電
極（ＣＴＯ）である。ここで上部発光層８は例えばＺｎ
Ｓ ：ＴｂＦ３などの緑色のＥＬ素子が用いられ、下部
発光層４はＺｎＳ ： ＳｍＦ３等の赤色ＥＬ素子が用
いられる。
発明を２層の発光層を有するＥＬ素子に適用した断面図
である。図において１はガラス基板、２は第１電極（Ｃ
ＴＯ）、３，５，７．９は絶縁層、４は下部発光層、６
は第２電極（ＩＴＯ）、８は上部発光層、１０は第３電
極（ＣＴＯ）である。ここで上部発光層８は例えばＺｎ
Ｓ ：ＴｂＦ３などの緑色のＥＬ素子が用いられ、下部
発光層４はＺｎＳ ： ＳｍＦ３等の赤色ＥＬ素子が用
いられる。
上記構成によればＩＴＯからなる第２電極を挟んでＣＴ
Ｏからなる第１．第３電極か形成されているので、絶縁
破壊があってもその破壊は局部的に押えることが出来る
ので、透明なパネルに多色の発光素子を発光させること
が可能となる。
Ｏからなる第１．第３電極か形成されているので、絶縁
破壊があってもその破壊は局部的に押えることが出来る
ので、透明なパネルに多色の発光素子を発光させること
が可能となる。
第３図は請求項２における実施例を示すものである。本
出願人の実験によればＣＴＯは融点の低い電極としては
優れているか、絶縁層等からの酸素の影響を受けやすく
（酸素を吸収したり放出する）抵抗値の上昇や透明度が
低下するという問題がある。一方５ｎ０２またはＳｎＯ
２に添加物を加えた（以下、ＡＴＯという）部材は融点
はＣＴＯ並で、酸素や水への耐性が強いという利点があ
るが低抵抗のものを形成しにくいという問題かある。そ
こで１本発明ではＣＴＯを〜２０００Ａ程度とし、これ
を〜５００Ａ程度のＡＴＯで挟んだものである。
出願人の実験によればＣＴＯは融点の低い電極としては
優れているか、絶縁層等からの酸素の影響を受けやすく
（酸素を吸収したり放出する）抵抗値の上昇や透明度が
低下するという問題がある。一方５ｎ０２またはＳｎＯ
２に添加物を加えた（以下、ＡＴＯという）部材は融点
はＣＴＯ並で、酸素や水への耐性が強いという利点があ
るが低抵抗のものを形成しにくいという問題かある。そ
こで１本発明ではＣＴＯを〜２０００Ａ程度とし、これ
を〜５００Ａ程度のＡＴＯで挟んだものである。
上記構成によれば低抵抗が得やすいＣＴＯを低抵抗は得
にくいが酸素や水への耐性の強いＡ ’Ｉ” ０で保護
するので抵抗値の上昇や透明度の低下のない電極を得る
ことが出来る。
にくいが酸素や水への耐性の強いＡ ’Ｉ” ０で保護
するので抵抗値の上昇や透明度の低下のない電極を得る
ことが出来る。
第４図は請求項３における一実施例を示すもので、第２
図に示す２層のＥＬ素子において第１電極、第２電極を
ＣＴＯとしたものである。
図に示す２層のＥＬ素子において第１電極、第２電極を
ＣＴＯとしたものである。
−１−記梢成によれば第２図の例に比較して絶縁破壊は
さらに局部的となる。
さらに局部的となる。
第５図は請求項４における一実施例を示すもので、第２
図に示す２層のＥ Ｌ素子において第２電極をＣＴＯと
し、第１．第３電極をＩＴＯ電極としたものであり１本
発明ではＥＬ素子完成後第２電極に負の電圧を他の電極
に正の電圧を印加することにより絶縁破壊があってもそ
の破壊を局部的にとどめる様にしたものである。
図に示す２層のＥ Ｌ素子において第２電極をＣＴＯと
し、第１．第３電極をＩＴＯ電極としたものであり１本
発明ではＥＬ素子完成後第２電極に負の電圧を他の電極
に正の電圧を印加することにより絶縁破壊があってもそ
の破壊を局部的にとどめる様にしたものである。
第６図は請求項５における一実施例を示すもので、第２
図に示す２層のＥＬ素子において第２電極を工ＴＯとし
、第１．第３電極をＣＴＯ電極としたものであり１本発
明ではＥＬ素子完成後第２電極に正の電圧を他の電極に
負の電圧を印加することにより絶縁破壊があってもその
破壊を局部的にとどめる様にしたものである。
図に示す２層のＥＬ素子において第２電極を工ＴＯとし
、第１．第３電極をＣＴＯ電極としたものであり１本発
明ではＥＬ素子完成後第２電極に正の電圧を他の電極に
負の電圧を印加することにより絶縁破壊があってもその
破壊を局部的にとどめる様にしたものである。
なお、請求項４．５における電極の組み合わせと印加電
圧の関係については本出願人が実験により確認したこと
であるが、理論的な解明までにはいたっていない。
圧の関係については本出願人が実験により確認したこと
であるが、理論的な解明までにはいたっていない。
第７図は請求項６の説明に用いる図であり、ここでは第
１電極をＴＴＯ，第２電極をＣＴ Ｏとしここまで製作
した時点で第１電極に距、第２電極に負の電圧を印加し
て破壊試験を行う。その破壊試験によりゴミや欠陥があ
る部分は局部的に破壊する（１２は下部発光層の破壊に
より生じた穴を示している）。その後第２電極（ＣＴＯ
）の全体に絶縁層を施して破壊した部分を埋めるととも
に分離平坦化層１３を形成する。その後は従来と同様節
２の発光層８を挟んで絶縁層７．９および第２電極６ａ
、第３ｔ′Ｆｉ１１０を形成する。その場合第２電極２
ａと第３電極１０のいずれかはＣＴ Ｏを用いたほうか
望ましい。」−記製造方法によれは第１発光層の破壊の
影響か第２発光層まで及んで破壊されることかなくなる
ので表示品質の向」二をはかることか出来る。
１電極をＴＴＯ，第２電極をＣＴ Ｏとしここまで製作
した時点で第１電極に距、第２電極に負の電圧を印加し
て破壊試験を行う。その破壊試験によりゴミや欠陥があ
る部分は局部的に破壊する（１２は下部発光層の破壊に
より生じた穴を示している）。その後第２電極（ＣＴＯ
）の全体に絶縁層を施して破壊した部分を埋めるととも
に分離平坦化層１３を形成する。その後は従来と同様節
２の発光層８を挟んで絶縁層７．９および第２電極６ａ
、第３ｔ′Ｆｉ１１０を形成する。その場合第２電極２
ａと第３電極１０のいずれかはＣＴ Ｏを用いたほうか
望ましい。」−記製造方法によれは第１発光層の破壊の
影響か第２発光層まで及んで破壊されることかなくなる
ので表示品質の向」二をはかることか出来る。
なお９発光層を３層とする場合も電極をすべてＣＴＯと
することにより絶縁破壊を局部的に押えることか出来る
。更に２発光層は２層または３層であるか透明性を必要
としない場合は最端の電極（背面型＠ｌ）はＡＩ電極を
用いることか出来る。
することにより絶縁破壊を局部的に押えることか出来る
。更に２発光層は２層または３層であるか透明性を必要
としない場合は最端の電極（背面型＠ｌ）はＡＩ電極を
用いることか出来る。
〈発明の効果〉
以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば１発光層を挾む電極の内の少なくとも一層は透明で、
かつ１発光層および絶縁層からなる融点より低融点の部
材を用いたので、フラットパネル全体に絶縁破壊が広が
らない透明パネルを実現することか出来る。また、ＣＴ
Ｏの配置や予め直流電圧を印加したり、工程の途中に試
験工程を設けることにより信頼性の高いＥＬ発光素子を
実現する事が出来る。
ば１発光層を挾む電極の内の少なくとも一層は透明で、
かつ１発光層および絶縁層からなる融点より低融点の部
材を用いたので、フラットパネル全体に絶縁破壊が広が
らない透明パネルを実現することか出来る。また、ＣＴ
Ｏの配置や予め直流電圧を印加したり、工程の途中に試
験工程を設けることにより信頼性の高いＥＬ発光素子を
実現する事が出来る。
第１図は本発明の請求項１に関する薄膜ＥＬ素子の一実
施例を示す断面図、第２図は請求項１に関する他の実施
例を示す断面図、第３図は本発明の請求項２に関する薄
膜ＥＬ素子の一実施例を示す断面図、第４図は本発明の
請求項３に関する薄膜Ｅ Ｌ、素子の一実施例を示す断
面図、第５図は本発明の請求項４に関する薄膜ＥＩ−素
子の一実施例を示す断面図、第６図は本発明の請求項５
に関する薄膜ＥＬ素子の一実施例を示す断面図、第７図
は本発明の請求項６に関する薄膜Ｅ Ｌ素子の一実施例
を示す断面図、第８図は従来のＥＩ−薄膜素子を示す断
面図、第９図、第１０図は電圧印加により局部的に溶融
か発生した状態を示す断面図、第１１図は絶縁層の材質
と伝搬型破壊の電界強度の関係を示す図である。
施例を示す断面図、第２図は請求項１に関する他の実施
例を示す断面図、第３図は本発明の請求項２に関する薄
膜ＥＬ素子の一実施例を示す断面図、第４図は本発明の
請求項３に関する薄膜Ｅ Ｌ、素子の一実施例を示す断
面図、第５図は本発明の請求項４に関する薄膜ＥＩ−素
子の一実施例を示す断面図、第６図は本発明の請求項５
に関する薄膜ＥＬ素子の一実施例を示す断面図、第７図
は本発明の請求項６に関する薄膜Ｅ Ｌ素子の一実施例
を示す断面図、第８図は従来のＥＩ−薄膜素子を示す断
面図、第９図、第１０図は電圧印加により局部的に溶融
か発生した状態を示す断面図、第１１図は絶縁層の材質
と伝搬型破壊の電界強度の関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）絶縁性基板上に少なくとも一層のＥＬ発光層および
絶縁層を挟んで積層された電極からなり，前記電極に交
流電圧を印加することにより前記発光層を発光させる様
にした薄膜ＥＬ素子において前記電極の内の少なくとも
一層は透明で，かつ，前記発光層および絶縁層からなる
部分の融点より低融点の部材を用いたことを特徴とする
薄膜ＥＬ素子。 ２）請求項１記載の薄膜ＥＬ素子において，低融点の部
材はＣＴＯとされ，そのＣＴＯはＳｎＯ＿２またはＳｎ
Ｏ＿２に添加物を加えた薄膜で挟まれていることを特徴
とする薄膜ＥＬ素子。 ３）請求項１記載の薄膜ＥＬ素子において，発光層を上
部発光層と下部発光層の２層とし基板側からの電極を第
１，第２，第３電極とした場合，少なくとも前記第１，
第２電極をＣＴＯとしたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子
。 ４）請求項１記載の薄膜ＥＬ素子において，発光層を上
部発光層と下部発光層の２層とし基板側からの電極を第
１，第２，第３電極とした場合，少なくとも前記第２電
極をＣＴＯとし，前記ＥＬ素子完成後前記第２電極に負
の電位，他の電極に正の直流電圧を印加した後，交流電
圧を印加する様にしたことを特徴とする薄膜ＥＬ素子の
製造方法。 ５）請求項１記載の薄膜ＥＬ素子において，発光層を上
部発光層と下部発光層の２層とし基板側からの電極を第
１，第２，第３電極とした場合，少なくとも前記第１電
極をＣＴＯ，第２電極をＩＴＯとし，前記ＥＬ素子完成
後前記第２電極に正の電位，他の電極に負の直流電圧を
印加した後，交流電圧を印加する様にしたことを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ６）請求項１記載の薄膜ＥＬ素子において，少なくとも
２層の発光層を形成する場合は，第１層の発光が可能な
状態まで製作した時点で一旦発光試験を行った後，以降
の製造工程を実行することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1276718A JP2838111B2 (ja) | 1988-12-02 | 1989-10-24 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30580788 | 1988-12-02 | ||
| JP63-305807 | 1988-12-02 | ||
| JP1276718A JP2838111B2 (ja) | 1988-12-02 | 1989-10-24 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02256192A true JPH02256192A (ja) | 1990-10-16 |
| JP2838111B2 JP2838111B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=26552075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1276718A Expired - Fee Related JP2838111B2 (ja) | 1988-12-02 | 1989-10-24 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2838111B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343563A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sony Corp | 真空成膜方法および真空成膜装置 |
| WO2006077767A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Pioneer Corporation | 有機ｅｌ素子の製造方法およびこれにより得られた有機ｅｌ素子 |
Citations (10)
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| JPS5630288A (en) * | 1979-08-20 | 1981-03-26 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing el display element |
| JPS61273807A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-04 | 鐘淵化学工業株式会社 | 酸化物透明導電性薄膜 |
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| JPS62264591A (ja) * | 1986-05-09 | 1987-11-17 | 富士通株式会社 | 薄膜エレクトロ・ルミネツセンス・パネルの製造方法 |
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| JPH01146288A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Ricoh Co Ltd | 多色薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP1276718A patent/JP2838111B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2006077767A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Pioneer Corporation | 有機ｅｌ素子の製造方法およびこれにより得られた有機ｅｌ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2838111B2 (ja) | 1998-12-16 |
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|---|---|---|---|
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