JP3143676B2 - 封止剤 - Google Patents
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- hydrogenated polymer
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- light emitting
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0001—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor characterised by the choice of material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2023/00—Use of polyalkenes or derivatives thereof as moulding material
- B29K2023/38—Polymers of cycloalkenes, e.g. norbornene or cyclopentene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを封止す
るのに好適な封止剤に関する。
るのに好適な封止剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品に用いられている半導体
チップの封止剤としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹
脂、ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂などが使用されて
おり、これらの熱硬化性樹脂はポッティング、シーリン
グ、コーティング、トランスファー成形法などによって
適用されていた。しかしながら、従来の封止剤を用いて
半導体を封止するためには、封止の前工程として熱硬化
性樹脂の予備硬化状態にすることが必要である、硬化時
間が長時間である、後硬化処理が必要であるなどの問題
があった。このような問題点を解決するために、半導体
をチップを金型に入れ、熱可塑性樹脂を直接射出成形す
ることにより生産性を高めようとすることが提案されて
いる。
チップの封止剤としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹
脂、ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂などが使用されて
おり、これらの熱硬化性樹脂はポッティング、シーリン
グ、コーティング、トランスファー成形法などによって
適用されていた。しかしながら、従来の封止剤を用いて
半導体を封止するためには、封止の前工程として熱硬化
性樹脂の予備硬化状態にすることが必要である、硬化時
間が長時間である、後硬化処理が必要であるなどの問題
があった。このような問題点を解決するために、半導体
をチップを金型に入れ、熱可塑性樹脂を直接射出成形す
ることにより生産性を高めようとすることが提案されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、熱可塑性樹脂
を射出成形により封止する方法は、２００℃以上の高温
と３００Ｋｇ／ｃｍ2以上の高圧を必要とするため、半
導体チップが破損するなどの問題点があった。また、熱
可塑性樹脂は一般的に耐熱性に劣るため、封止された半
導体チップに接続しているリードフレームを他の電子部
品にハンダ付する際、高温により一部熱可塑性樹脂が溶
融するという問題点があった。さらに、熱可塑性樹脂を
用いた発光ダイオードの場合には、長期信頼性に劣ると
いう問題点があった。
を射出成形により封止する方法は、２００℃以上の高温
と３００Ｋｇ／ｃｍ2以上の高圧を必要とするため、半
導体チップが破損するなどの問題点があった。また、熱
可塑性樹脂は一般的に耐熱性に劣るため、封止された半
導体チップに接続しているリードフレームを他の電子部
品にハンダ付する際、高温により一部熱可塑性樹脂が溶
融するという問題点があった。さらに、熱可塑性樹脂を
用いた発光ダイオードの場合には、長期信頼性に劣ると
いう問題点があった。
【０００４】本発明は、前記従来技術の課題を背景にな
されたもので、耐熱性、ヒートサイクル特性、光透過
性、長期信頼性およびリードフレームなどとの密着性に
優れた半導体チップ用封止剤を提供することを目的とす
る。
されたもので、耐熱性、ヒートサイクル特性、光透過
性、長期信頼性およびリードフレームなどとの密着性に
優れた半導体チップ用封止剤を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記式（Ｉ）
で表わされる少なくとも一種のノルボルネン誘導体より
なる単量体もしくはこの単量体およびこれと共重合可能
な共重合単量体を開環重合して得られる重合体をさらに
水素添加して得られる水素添加重合体からなる半導体チ
ップ用封止剤を提供するものである。
で表わされる少なくとも一種のノルボルネン誘導体より
なる単量体もしくはこの単量体およびこれと共重合可能
な共重合単量体を開環重合して得られる重合体をさらに
水素添加して得られる水素添加重合体からなる半導体チ
ップ用封止剤を提供するものである。
【化２】 （式中、ＡおよびＢは水素原子または炭素数１〜１０の
炭化水素基であり、ＸおよびＹは水素原子または一価の
有機基である。）
炭化水素基であり、ＸおよびＹは水素原子または一価の
有機基である。）
【０００６】本発明において使用される水添重合体とし
ては、例えば特開平１−２４０５１７号公報、特公昭５
７−８８１５号公報に記載されている熱可塑性樹脂など
を挙げることができる。
ては、例えば特開平１−２４０５１７号公報、特公昭５
７−８８１５号公報に記載されている熱可塑性樹脂など
を挙げることができる。
【０００７】前記式（Ｉ）で表されるテトラシクロドデ
セン誘導体において、ＢおよびＣのうちに極性基を含む
ことが透明導電性膜との密着性の点から好ましい。ここ
で、この極性基は−（ＣＨ2）nＣＯＯＲ1で表されるカ
ルボン酸エステル基であることが、得られる水添重合体
が高いガラス転移温度を有するものとなる点で好まし
い。特に、このカルボン酸エステル基よりなる極性置換
基は、式（Ｉ）のテトラシクロドデセン誘導体の１分子
あたりに１個含有されることが、得られる水添重合体の
高い耐熱性を保持したまま、吸湿性を低くできる点で好
ましい。また、−（ＣＨ2）nＣＯＯＲ1で表されるカル
ボン酸エステル基のうち、ｎの値が小さいものほど、得
られる水添重合体のガラス転移温度がさらに高くなるの
で好ましい。前記一般式において、 Ｒ1は炭素数１〜２
０の炭化水素基であるが、炭素数が多くなるほど得られ
る水添重合体の吸湿性が小さくなる点では好ましいが、
得られる水添重合体のガラス転移温度とのバランスの点
から、炭素数１〜４の鎖状アルキル基または炭素数５以
上の（多）環状アルキル基であることが好ましく、特に
メチル基、エチル基、シクロヘキシル基であることが好
ましい。
セン誘導体において、ＢおよびＣのうちに極性基を含む
ことが透明導電性膜との密着性の点から好ましい。ここ
で、この極性基は−（ＣＨ2）nＣＯＯＲ1で表されるカ
ルボン酸エステル基であることが、得られる水添重合体
が高いガラス転移温度を有するものとなる点で好まし
い。特に、このカルボン酸エステル基よりなる極性置換
基は、式（Ｉ）のテトラシクロドデセン誘導体の１分子
あたりに１個含有されることが、得られる水添重合体の
高い耐熱性を保持したまま、吸湿性を低くできる点で好
ましい。また、−（ＣＨ2）nＣＯＯＲ1で表されるカル
ボン酸エステル基のうち、ｎの値が小さいものほど、得
られる水添重合体のガラス転移温度がさらに高くなるの
で好ましい。前記一般式において、 Ｒ1は炭素数１〜２
０の炭化水素基であるが、炭素数が多くなるほど得られ
る水添重合体の吸湿性が小さくなる点では好ましいが、
得られる水添重合体のガラス転移温度とのバランスの点
から、炭素数１〜４の鎖状アルキル基または炭素数５以
上の（多）環状アルキル基であることが好ましく、特に
メチル基、エチル基、シクロヘキシル基であることが好
ましい。
【０００８】さらに、カルボン酸エステル基が結合した
炭素原子に、同時に炭素数１〜１０の炭化水素基が置換
基として結合されている式（Ｉ）のテトラシクロドデセ
ン誘導体は、得られる水添重合体のガラス転移温度を低
下させずに、吸湿性を低下させるので好ましい。特に、
この置換基がメチル基またはエチル基である式（Ｉ）の
テトラシクロドデセン誘導体は、その合成が容易な点で
好ましい。これらのテトラシクロドデセン誘導体、ある
いはこれと共重合可能な不飽和環状化合物の混合物は、
例えば特願平２−１８４２７１号明細書第１２頁第１２
行〜第２２頁第６行に記載された方法によって、メタセ
シス重合、水素添加され、本発明に使用される熱可塑性
樹脂とすることができる。
炭素原子に、同時に炭素数１〜１０の炭化水素基が置換
基として結合されている式（Ｉ）のテトラシクロドデセ
ン誘導体は、得られる水添重合体のガラス転移温度を低
下させずに、吸湿性を低下させるので好ましい。特に、
この置換基がメチル基またはエチル基である式（Ｉ）の
テトラシクロドデセン誘導体は、その合成が容易な点で
好ましい。これらのテトラシクロドデセン誘導体、ある
いはこれと共重合可能な不飽和環状化合物の混合物は、
例えば特願平２−１８４２７１号明細書第１２頁第１２
行〜第２２頁第６行に記載された方法によって、メタセ
シス重合、水素添加され、本発明に使用される熱可塑性
樹脂とすることができる。
【０００９】本発明において、水添重合体は、クロロホ
ルム中、３０℃で測定される固有粘度（〔η〕inh ）
が、０．３〜１．５dl／ｇの範囲であることが好まし
く、軟化温度は９０〜２００℃、ガラス転移温度は１０
０〜２１０℃であることが好ましい。また、本発明にお
いて、水添重合体は、充分な強度を得るために、重量平
均分子量は通常、５０００〜１００万、好ましくは８０
００〜２０万である。また、水添重合体の水素添加率
は、６０ＭＨｚ、 1Ｈ−ＮＭＲで測定した値が５０％以
上、好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９８％以
上である。水素添加率が高いほど、熱や光に対する安定
性が優れたものとなる。なお、本発明において使用され
る水添重合体は、該水添重合体中に含まれるゲル含有量
が５重量％以下であることが好ましく、さらに１重量％
以下であることが好ましい。
ルム中、３０℃で測定される固有粘度（〔η〕inh ）
が、０．３〜１．５dl／ｇの範囲であることが好まし
く、軟化温度は９０〜２００℃、ガラス転移温度は１０
０〜２１０℃であることが好ましい。また、本発明にお
いて、水添重合体は、充分な強度を得るために、重量平
均分子量は通常、５０００〜１００万、好ましくは８０
００〜２０万である。また、水添重合体の水素添加率
は、６０ＭＨｚ、 1Ｈ−ＮＭＲで測定した値が５０％以
上、好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９８％以
上である。水素添加率が高いほど、熱や光に対する安定
性が優れたものとなる。なお、本発明において使用され
る水添重合体は、該水添重合体中に含まれるゲル含有量
が５重量％以下であることが好ましく、さらに１重量％
以下であることが好ましい。
【００１０】本発明において使用される水添重合体に
は、必要に応じて他の熱可塑性樹脂を配合することもで
きる。上記水添重合体には、安定剤、酸化防止剤、滑
剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、蛍光増白剤、可塑剤、
離型剤などの添加剤や、石英ファイバー、ガラスファイ
バー、芳香族ポリアミド繊維、高強度高弾性ポリエチレ
ン繊維などの補強材を配合することもできる。本発明の
封止剤を用いて半導体チップを封止する方法としては、
例えば、射出成形用金型内に半導体チップをインサート
し、本発明の封止剤を射出し成形する方法があげられ
る。例えば、発光ダイオードは、金属リードフレームに
マウントされた半導体チップをインサートした射出成形
金型内に本発明の封止剤を射出し、成形することにより
封止することができる。なお、本発明の封止剤を射出成
形する場合の樹脂温度は、通常、Ｔｇ＋１００℃〜３９
０℃（ここで、Ｔｇ水添重合体のガラス転移温度を示
す。）、金型温度は、通常、（Ｔｇ−１２０）℃〜（Ｔ
ｇ−２０）℃である。
は、必要に応じて他の熱可塑性樹脂を配合することもで
きる。上記水添重合体には、安定剤、酸化防止剤、滑
剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、蛍光増白剤、可塑剤、
離型剤などの添加剤や、石英ファイバー、ガラスファイ
バー、芳香族ポリアミド繊維、高強度高弾性ポリエチレ
ン繊維などの補強材を配合することもできる。本発明の
封止剤を用いて半導体チップを封止する方法としては、
例えば、射出成形用金型内に半導体チップをインサート
し、本発明の封止剤を射出し成形する方法があげられ
る。例えば、発光ダイオードは、金属リードフレームに
マウントされた半導体チップをインサートした射出成形
金型内に本発明の封止剤を射出し、成形することにより
封止することができる。なお、本発明の封止剤を射出成
形する場合の樹脂温度は、通常、Ｔｇ＋１００℃〜３９
０℃（ここで、Ｔｇ水添重合体のガラス転移温度を示
す。）、金型温度は、通常、（Ｔｇ−１２０）℃〜（Ｔ
ｇ−２０）℃である。
【００１１】本発明の封止剤によって封止できる電子部
品としては、発光ダイオード（可視光ダイオード、赤外
発光ダイオード、光通信用発光ダイオード）、トランジ
スタ、集積回路（ＩＣ）などを挙げることができる。
品としては、発光ダイオード（可視光ダイオード、赤外
発光ダイオード、光通信用発光ダイオード）、トランジ
スタ、集積回路（ＩＣ）などを挙げることができる。
【００１２】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもの
ではない。なお、実施例中、部および％は、特に断らな
いかぎり重量基準である。また、実施例中の各種の測定
は、次のとおりである。
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもの
ではない。なお、実施例中、部および％は、特に断らな
いかぎり重量基準である。また、実施例中の各種の測定
は、次のとおりである。
【００１３】参考例１ ８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ
〔４．４．０．１2,5 ．１7,10〕ドデカ−３−エン１０
０ｇ、１，２−ジメトキシエタン６０ｇ、シクロヘキサ
ン２４０ｇ、１−ヘキセン２５ｇ、およびジエチルアル
ミニウムクロライド０．９６モル／ｌのトルエン溶液
３．４ｍｌを、内容積１リットルのオートクレーブに加
えた。一方、別のフラスコに、六塩化タングステンの
０．０５モル／ｌの１，２−ジメトキシエタン溶液２０
ｍｌとパラアルデヒドの０．１モル／ｌの１，２−ジメ
トキシエタン溶液１０ｍｌを混合した。この混合溶液
４．９ｍｌを、前記オートクレーブ中の混合物に添加し
た。密栓後、混合物を８０℃に加熱して３時間攪拌を行
った。得られた重合体溶液に、１，２−ジメトキシエタ
ンとシクロヘキサンの２／８（重量比）の混合溶媒を加
えて重合体／溶媒が１／１０（重量比）にしたのち、ト
リエタノールアミン２０ｇを加えて１０分間攪拌した。
〔４．４．０．１2,5 ．１7,10〕ドデカ−３−エン１０
０ｇ、１，２−ジメトキシエタン６０ｇ、シクロヘキサ
ン２４０ｇ、１−ヘキセン２５ｇ、およびジエチルアル
ミニウムクロライド０．９６モル／ｌのトルエン溶液
３．４ｍｌを、内容積１リットルのオートクレーブに加
えた。一方、別のフラスコに、六塩化タングステンの
０．０５モル／ｌの１，２−ジメトキシエタン溶液２０
ｍｌとパラアルデヒドの０．１モル／ｌの１，２−ジメ
トキシエタン溶液１０ｍｌを混合した。この混合溶液
４．９ｍｌを、前記オートクレーブ中の混合物に添加し
た。密栓後、混合物を８０℃に加熱して３時間攪拌を行
った。得られた重合体溶液に、１，２−ジメトキシエタ
ンとシクロヘキサンの２／８（重量比）の混合溶媒を加
えて重合体／溶媒が１／１０（重量比）にしたのち、ト
リエタノールアミン２０ｇを加えて１０分間攪拌した。
【００１５】この重合溶液に、メタノール５００ｇを加
えて３０分間攪拌して静置した。２層に分離した上層を
除き、再びメタノールを加えて攪拌、静置後、上層を除
いた。同様の操作をさらに２回行い、得られた下層をシ
クロヘキサン、１，２−ジメトキシエタンで適宜希釈
し、重合体濃度が１０％のシクロヘキサン−１，２−ジ
メトキシエタン溶液を得た。この溶液に２０ｇのパラジ
ウム／シリカマグネシア〔日揮化学（株）製、パラジウ
ム量＝５％〕を加えて、オートクレーブ中で水素圧４０
kg／cm2 として１６５℃で４時間反応させたのち、水添
触媒をろ過によって取り除き、水添重合体溶液を得た。
また、この水添重合体溶液に、酸化防止剤であるペンタ
エリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕を、
水添重合体に対して０．１％加えてから、３８０℃で減
圧下に脱溶媒を行った。次いで、溶融した樹脂を、チッ
素雰囲気下で押し出し機によりペレット化し、固有粘度
０．５dl／ｇ（３０℃、クロロホルム中）、水添率９
９．５％、ガラス転移温度１６８℃の水添重合体を得
た。
えて３０分間攪拌して静置した。２層に分離した上層を
除き、再びメタノールを加えて攪拌、静置後、上層を除
いた。同様の操作をさらに２回行い、得られた下層をシ
クロヘキサン、１，２−ジメトキシエタンで適宜希釈
し、重合体濃度が１０％のシクロヘキサン−１，２−ジ
メトキシエタン溶液を得た。この溶液に２０ｇのパラジ
ウム／シリカマグネシア〔日揮化学（株）製、パラジウ
ム量＝５％〕を加えて、オートクレーブ中で水素圧４０
kg／cm2 として１６５℃で４時間反応させたのち、水添
触媒をろ過によって取り除き、水添重合体溶液を得た。
また、この水添重合体溶液に、酸化防止剤であるペンタ
エリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕を、
水添重合体に対して０．１％加えてから、３８０℃で減
圧下に脱溶媒を行った。次いで、溶融した樹脂を、チッ
素雰囲気下で押し出し機によりペレット化し、固有粘度
０．５dl／ｇ（３０℃、クロロホルム中）、水添率９
９．５％、ガラス転移温度１６８℃の水添重合体を得
た。
【００１６】参考例２ ６−エチリデン−２−テトラシクロドデセンを、参考例
１と同様にメタセシス開環重合したのち、水添し、ペレ
ット化して、固有粘度０．５６dl／ｇ（３０℃、クロロ
ホルム中）、水添率９９％、ガラス転移温度１４０℃の
熱可塑性樹脂を得た。
１と同様にメタセシス開環重合したのち、水添し、ペレ
ット化して、固有粘度０．５６dl／ｇ（３０℃、クロロ
ホルム中）、水添率９９％、ガラス転移温度１４０℃の
熱可塑性樹脂を得た。
【００１７】参考例３ エチレン５５モル％と２−メチル−１，４，５，８−ジ
ヒドロナフタレン４５モル％とを付加重合し、ペレット
化して、固有粘度０．６４dl／ｇ（３５℃、デカリン
中）、ガラス転移温度１４０℃の熱可塑性樹脂を得た。
ヒドロナフタレン４５モル％とを付加重合し、ペレット
化して、固有粘度０．６４dl／ｇ（３５℃、デカリン
中）、ガラス転移温度１４０℃の熱可塑性樹脂を得た。
【００１８】実施例１および２ 金属リードフレームにマウントされた発光ダイオードチ
ップを射出成形用金型内にインサートし、参考例１およ
び２で得られた水添重合体を用いて、発光ダイオードを
封止した。なお、射出成形は、樹脂温度３２０℃、金型
温度は１００℃で行なった。得られた発光ダイオード
は、半導体チップ部および金属リードフレームの切断も
なく、発光ダイオードの機能を充分発揮した。得られた
発光ダイオードの密着性およびヒートサイクル特性を以
下の方法により試験した。結果を表１に示す。
ップを射出成形用金型内にインサートし、参考例１およ
び２で得られた水添重合体を用いて、発光ダイオードを
封止した。なお、射出成形は、樹脂温度３２０℃、金型
温度は１００℃で行なった。得られた発光ダイオード
は、半導体チップ部および金属リードフレームの切断も
なく、発光ダイオードの機能を充分発揮した。得られた
発光ダイオードの密着性およびヒートサイクル特性を以
下の方法により試験した。結果を表１に示す。
【００１９】密着性 発光ダイオードを赤インク液中に浸漬し、１時間沸騰し
た後、赤インク液中からとりだし、赤インクの封止部分
への浸入の度合を観察した。 全く浸入がみられない・・・○ ほとんど浸入がみられない・・・△ 封止部分の内部まで浸入した・・・×ヒートサイクル特性 発光ダイオードを温度−３０℃下および１００℃下の環
境下に３０分間づつ放置するサイクルを１０回繰り返し
た後、定角３０ｍＡの電流を通電させて通電状態を試験
した。 不良品の発生なし・・・○ 不良品の発生あり・・・×
た後、赤インク液中からとりだし、赤インクの封止部分
への浸入の度合を観察した。 全く浸入がみられない・・・○ ほとんど浸入がみられない・・・△ 封止部分の内部まで浸入した・・・×ヒートサイクル特性 発光ダイオードを温度−３０℃下および１００℃下の環
境下に３０分間づつ放置するサイクルを１０回繰り返し
た後、定角３０ｍＡの電流を通電させて通電状態を試験
した。 不良品の発生なし・・・○ 不良品の発生あり・・・×
【００２０】比較例１ 封止剤として水添重合体のかわりにポリカーボネート樹
脂を用い、射出成形時の樹脂温度を３１０℃とし、金型
温度を９０℃とした以外は実施例１と同様にして発光ダ
イオードを封止した。得られた発光ダイオードを実施例
１と同様にして試験した。結果を表１に示す。 比較例２ 封止剤として参考例３で得られた水添重合体を用いた以
外は実施例１と同様にして発光ダイオードを封止した。
得られた発光ダイオードを実施例１と同様にして試験し
た。結果を表１に示す。
脂を用い、射出成形時の樹脂温度を３１０℃とし、金型
温度を９０℃とした以外は実施例１と同様にして発光ダ
イオードを封止した。得られた発光ダイオードを実施例
１と同様にして試験した。結果を表１に示す。 比較例２ 封止剤として参考例３で得られた水添重合体を用いた以
外は実施例１と同様にして発光ダイオードを封止した。
得られた発光ダイオードを実施例１と同様にして試験し
た。結果を表１に示す。
【００２１】
【００２１】
【発明の効果】本発明の封止剤は耐熱性、ヒートサイク
ル特性、光透過性およびリードフレームなどとの密着性
に優れるので、本発明の封止剤を用いて封止した電子部
品は長期信頼性に優れるものである。
ル特性、光透過性およびリードフレームなどとの密着性
に優れるので、本発明の封止剤を用いて封止した電子部
品は長期信頼性に優れるものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 下記式（Ｉ）で表わされる少なくとも
一種のノルボルネン誘導体よりなる単量体もしくはこの
単量体およびこれと共重合可能な共重合単量体を開環重
合して得られる重合体をさらに水素添加して得られる水
素添加重合体からなる半導体チップ用封止剤。 【化１】 （式中、 ＡおよびＤは水素原子または炭素数１〜１０
の炭化水素基であり、ＢおよびＣは水素原子、炭素数１
〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ 2 ） n ＣＯＯＲ 1 、−（Ｃ
Ｈ 2 ） n ＯＣＯＲ 1 、−（ＣＨ 2 ） n ＣＮ、−（ＣＨ 2 ） n Ｃ
ＯＮＲ 2 Ｒ 3 、またはＢとＣから構成された−Ｃ（＝Ｏ）
−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−もしくは−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ 4 −Ｃ
（＝Ｏ）−）で、Ｂ、Ｃの少なくとも１つは、水素原子
または炭化水素基以外の基である。（Ｒ 1 は炭素数１〜
２０の炭化水素基、Ｒ 2 ，Ｒ 3 ，Ｒ 4 は水素原子または炭
素数１〜２０の炭化水素基、ｎは０〜１０の整数。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17166591A JP3143676B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 封止剤 |
| US07/990,744 US5286439A (en) | 1991-06-17 | 1992-12-15 | Packaging for semiconductors |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17166591A JP3143676B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 封止剤 |
| US07/990,744 US5286439A (en) | 1991-06-17 | 1992-12-15 | Packaging for semiconductors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551437A JPH0551437A (ja) | 1993-03-02 |
| JP3143676B2 true JP3143676B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=26494322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17166591A Expired - Lifetime JP3143676B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | 封止剤 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5286439A (ja) |
| JP (1) | JP3143676B2 (ja) |
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| JP3362466B2 (ja) * | 1993-07-16 | 2003-01-07 | 日本ゼオン株式会社 | エレクトロニクス素子封止体 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS62105610A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Nippon Zeon Co Ltd | 電子・電気部品の樹脂封止方法 |
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-
1991
- 1991-06-17 JP JP17166591A patent/JP3143676B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-12-15 US US07/990,744 patent/US5286439A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0551437A (ja) | 1993-03-02 |
| US5286439A (en) | 1994-02-15 |
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