JP3435637B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JP3435637B2 JP3435637B2 JP2000193298A JP2000193298A JP3435637B2 JP 3435637 B2 JP3435637 B2 JP 3435637B2 JP 2000193298 A JP2000193298 A JP 2000193298A JP 2000193298 A JP2000193298 A JP 2000193298A JP 3435637 B2 JP3435637 B2 JP 3435637B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- piezoelectric
- electronic component
- exterior resin
- solder resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/071—Mounting of piezoelectric or electrostrictive parts together with semiconductor elements, or other circuit elements, on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばエネルギー
閉じ込め型圧電共振子のような振動を妨げないための空
洞が外装樹脂層中に設けられている電子部品の製造方法
に関し、より詳細には、空洞形成方法が改良された電子
部品の製造方法に関する。
閉じ込め型圧電共振子のような振動を妨げないための空
洞が外装樹脂層中に設けられている電子部品の製造方法
に関し、より詳細には、空洞形成方法が改良された電子
部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、共振子や帯域フィルタとして、エ
ネルギー閉じ込め型の圧電共振部品が広く用いられてい
る。エネルギー閉じ込め型の圧電共振部品では、圧電振
動部の振動を妨げないようにパッケージを構成する必要
がある。そこで、外装樹脂層を有する圧電共振部品で
は、圧電振動部の振動を妨げないための空洞が外装樹脂
層内に形成されている。
ネルギー閉じ込め型の圧電共振部品が広く用いられてい
る。エネルギー閉じ込め型の圧電共振部品では、圧電振
動部の振動を妨げないようにパッケージを構成する必要
がある。そこで、外装樹脂層を有する圧電共振部品で
は、圧電振動部の振動を妨げないための空洞が外装樹脂
層内に形成されている。
【０００３】上記のような空洞を有する圧電共振部品の
製造に際しては、まず、圧電基板の両主面に振動電極及
び振動電極に連ねられた引出し電極を形成する。このよ
うにして得られた圧電共振素子に、リード端子を接合す
る。次に、圧電振動部に、ワックスを付与する。次に、
外装樹脂を付与し、加熱により硬化させる。この外装樹
脂の加熱硬化時に、ワックスが外装樹脂側に吸収され、
空洞が形成される。
製造に際しては、まず、圧電基板の両主面に振動電極及
び振動電極に連ねられた引出し電極を形成する。このよ
うにして得られた圧電共振素子に、リード端子を接合す
る。次に、圧電振動部に、ワックスを付与する。次に、
外装樹脂を付与し、加熱により硬化させる。この外装樹
脂の加熱硬化時に、ワックスが外装樹脂側に吸収され、
空洞が形成される。
【０００４】ところで、圧電共振部品では、中心周波数
のばらつきを小さくすることが求められている。従っ
て、周波数調整を図るためにソルダーレジストインクな
どの有機材料を圧電共振素子の振動電極上に塗布する方
法が用いられている。
のばらつきを小さくすることが求められている。従っ
て、周波数調整を図るためにソルダーレジストインクな
どの有機材料を圧電共振素子の振動電極上に塗布する方
法が用いられている。
【０００５】上記ソルダーレジストインクを振動電極上
に塗布する場合には、空洞形成用のワックスはソルダー
レジストインクを付与した後にソルダーレジストインク
上に塗布されることになる。
に塗布する場合には、空洞形成用のワックスはソルダー
レジストインクを付与した後にソルダーレジストインク
上に塗布されることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、塗布
されたワックスは、外装樹脂の熱硬化時に溶融し、外装
樹脂に毛細管現象により吸収されていく。しかしなが
ら、ソルダーレジストインク上にワックスが塗布されて
いる場合には、溶融ワックスとソルダーレジストインク
との濡れ性が悪く、ワックスの外装樹脂側への吸収が不
完全となりがちであった。そのため、外装樹脂を熱硬化
し、外装樹脂層を形成した後において、ワックスの一部
がソルダーレジストインクを介して振動電極上に残留
し、電気的特性が低下することがあった。
されたワックスは、外装樹脂の熱硬化時に溶融し、外装
樹脂に毛細管現象により吸収されていく。しかしなが
ら、ソルダーレジストインク上にワックスが塗布されて
いる場合には、溶融ワックスとソルダーレジストインク
との濡れ性が悪く、ワックスの外装樹脂側への吸収が不
完全となりがちであった。そのため、外装樹脂を熱硬化
し、外装樹脂層を形成した後において、ワックスの一部
がソルダーレジストインクを介して振動電極上に残留
し、電気的特性が低下することがあった。
【０００７】上記のような問題は、環境の変動や外装樹
脂材料自体の変動等により生じるが、ソルダーレジスト
インクが付与された圧電共振部品の比率が高いため、圧
電共振部品の歩溜まりの低下の大きな原因となってい
た。
脂材料自体の変動等により生じるが、ソルダーレジスト
インクが付与された圧電共振部品の比率が高いため、圧
電共振部品の歩溜まりの低下の大きな原因となってい
た。
【０００８】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、ソルダーレジストインクなどの有機材料を用
いて周波数調整を行った場合においても、外装樹脂層に
空洞形成材を確実に吸収させることができ、空洞形成材
の残留を効果的に抑制し得る電子部品の製造方法を提供
することにある。
を解消し、ソルダーレジストインクなどの有機材料を用
いて周波数調整を行った場合においても、外装樹脂層に
空洞形成材を確実に吸収させることができ、空洞形成材
の残留を効果的に抑制し得る電子部品の製造方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、加熱硬化時に空洞形成材を吸収することにより形成
された空洞を有する外装樹脂層を備える電子部品の製造
方法であって、電子部品素子を用意する工程と、前記電
子部品素子の外周面の少なくとも一部にソルダーレジス
トインク層を形成する工程と、前記ソルダーレジストイ
ンク層上において、少なくとも前記空洞が形成される領
域にソルダーレジストインクに対する濡れ性が空洞形成
材よりも高く、外装樹脂の熱硬化時に外装樹脂層に吸収
される材料を付与する工程と、前記空洞が形成される領
域において外装樹脂の熱硬化に際して吸収される空洞形
成材を付与する工程と、前記空洞形成材を付与した後
に、電子部品素子の外表面を覆うように外装樹脂を塗布
し、加熱により硬化させる工程とを備えることを特徴と
する、電子部品の製造方法が提供される。
ば、加熱硬化時に空洞形成材を吸収することにより形成
された空洞を有する外装樹脂層を備える電子部品の製造
方法であって、電子部品素子を用意する工程と、前記電
子部品素子の外周面の少なくとも一部にソルダーレジス
トインク層を形成する工程と、前記ソルダーレジストイ
ンク層上において、少なくとも前記空洞が形成される領
域にソルダーレジストインクに対する濡れ性が空洞形成
材よりも高く、外装樹脂の熱硬化時に外装樹脂層に吸収
される材料を付与する工程と、前記空洞が形成される領
域において外装樹脂の熱硬化に際して吸収される空洞形
成材を付与する工程と、前記空洞形成材を付与した後
に、電子部品素子の外表面を覆うように外装樹脂を塗布
し、加熱により硬化させる工程とを備えることを特徴と
する、電子部品の製造方法が提供される。
【００１０】本発明の特定の局面では、ソルダーレジス
トインクに対する濡れ性が空洞形成材よりも高く、かつ
外装樹脂の熱硬化に際して吸収される材料として、非イ
オン性のハロゲン系活性剤を含むフラックスが用いられ
る。このような非イオン性のハロゲン性活性剤として
は、例えば、ハロゲン化芳香族炭化水素などをを挙げる
ことができる。
トインクに対する濡れ性が空洞形成材よりも高く、かつ
外装樹脂の熱硬化に際して吸収される材料として、非イ
オン性のハロゲン系活性剤を含むフラックスが用いられ
る。このような非イオン性のハロゲン性活性剤として
は、例えば、ハロゲン化芳香族炭化水素などをを挙げる
ことができる。
【００１１】また、本発明の特定の局面では、上記電子
部品素子が、圧電基板と、圧電基板を介して対向するよ
うに形成された第１，第２の振動電極とを備える圧電共
振素子であり、第１，第２の振動電極が対向している部
分がエネルギー閉じ込め型の圧電振動部を構成してお
り、該圧電振動部の振動を妨げないように上記空洞が形
成される。
部品素子が、圧電基板と、圧電基板を介して対向するよ
うに形成された第１，第２の振動電極とを備える圧電共
振素子であり、第１，第２の振動電極が対向している部
分がエネルギー閉じ込め型の圧電振動部を構成してお
り、該圧電振動部の振動を妨げないように上記空洞が形
成される。
【００１２】また、本発明のさらに、特定の局面では、
振動電極に連ねられた引出し電極がさらに備えられてお
り、ソルダーレジストインクが、圧電振動部だけでな
く、上記引出し電極にも至るように付与される。
振動電極に連ねられた引出し電極がさらに備えられてお
り、ソルダーレジストインクが、圧電振動部だけでな
く、上記引出し電極にも至るように付与される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００１４】図１〜図４を参照して、本発明の一実施例
に係る圧電共振部品の製造方法を説明する。まず、図１
（ａ）に示す圧電共振素子１を用意する。圧電共振素子
１はバンドパスフィルタを構成するものであり、矩形板
状の圧電基板２を有する。圧電基板２は、チタン酸ジル
コンサ鉛系セラミックスのような圧電セラミックス、あ
るいは水晶などの圧電単結晶により構成される。
に係る圧電共振部品の製造方法を説明する。まず、図１
（ａ）に示す圧電共振素子１を用意する。圧電共振素子
１はバンドパスフィルタを構成するものであり、矩形板
状の圧電基板２を有する。圧電基板２は、チタン酸ジル
コンサ鉛系セラミックスのような圧電セラミックス、あ
るいは水晶などの圧電単結晶により構成される。
【００１５】圧電基板２の上面には、第１，第２の圧電
振動部３，４が構成されている。圧電振動部３では、圧
電基板２の上面において、ギャップを隔てて、一対の第
１の振動電極３ａ，３ｂが形成されている。図２に底面
図で示すように、圧電基板２の下面には、振動電極３
ａ，３ｂと対向する位置に、第２の振動電極３ｃが形成
されている。
振動部３，４が構成されている。圧電振動部３では、圧
電基板２の上面において、ギャップを隔てて、一対の第
１の振動電極３ａ，３ｂが形成されている。図２に底面
図で示すように、圧電基板２の下面には、振動電極３
ａ，３ｂと対向する位置に、第２の振動電極３ｃが形成
されている。
【００１６】同様に、第２の圧電振動部４においては、
圧電基板２の上面に一対の第１の振動電極４ａ，４ｂが
形成されており、圧電基板２の下面に振動電極４ａ，４
ｂと対向するように第２の振動電極４ｃが形成されてい
る。
圧電基板２の上面に一対の第１の振動電極４ａ，４ｂが
形成されており、圧電基板２の下面に振動電極４ａ，４
ｂと対向するように第２の振動電極４ｃが形成されてい
る。
【００１７】振動電極３ｂに連ねられた引出し電極３ｄ
が形成されている。また、振動電極３ａ，４ａは、接続
導電部５により電気的に接続されている。接続導電部５
には、容量電極６が接続されている。
が形成されている。また、振動電極３ａ，４ａは、接続
導電部５により電気的に接続されている。接続導電部５
には、容量電極６が接続されている。
【００１８】第２の圧電振動部４では、接続導電部５に
振動電極４ａが接続されている。また、振動電極４ｂに
連ねられた引出し電極４ｄが形成されている。圧電基板
２の下面においては、第２の振動電極３ｃ，４ｃが接続
導電部７により電気的に接続されており、かつ接続導電
部７に容量電極８が電気的に接続されている。容量電極
８は、圧電基板２を介して容量電極６と対向されてお
り、それによって中継容量を構成している。
振動電極４ａが接続されている。また、振動電極４ｂに
連ねられた引出し電極４ｄが形成されている。圧電基板
２の下面においては、第２の振動電極３ｃ，４ｃが接続
導電部７により電気的に接続されており、かつ接続導電
部７に容量電極８が電気的に接続されている。容量電極
８は、圧電基板２を介して容量電極６と対向されてお
り、それによって中継容量を構成している。
【００１９】本実施例では、まず、圧電基板２の上面及
び下面に上記各電極が形成された圧電共振素子１を用意
する。次に、周波数調整を図るために、第１，第２の圧
電振動部３，４を覆うようにソルダーレジストインク層
９ａ，９ｂを形成する。図１（ａ）に示すように、ソル
ダーレジストインク層９ａ，９ｂは、第１，第２の圧電
振動部３，４を被覆するように形成されている。また、
圧電基板２の下面においても、第１，第２の圧電振動部
を被覆するように、すなわち図２に示した振動電極３
ｃ，４ｃを被覆するようにソルダーレジストインク層９
ｃ，９ｄ（図１（ｂ））が形成される。
び下面に上記各電極が形成された圧電共振素子１を用意
する。次に、周波数調整を図るために、第１，第２の圧
電振動部３，４を覆うようにソルダーレジストインク層
９ａ，９ｂを形成する。図１（ａ）に示すように、ソル
ダーレジストインク層９ａ，９ｂは、第１，第２の圧電
振動部３，４を被覆するように形成されている。また、
圧電基板２の下面においても、第１，第２の圧電振動部
を被覆するように、すなわち図２に示した振動電極３
ｃ，４ｃを被覆するようにソルダーレジストインク層９
ｃ，９ｄ（図１（ｂ））が形成される。
【００２０】図１（ｂ）は、図１の矢印Ａ−Ａに沿う部
分を拡大して示す部分切欠断面図であり、圧電基板２の
上下において、ソルダーレジストインク層９ａ，９ｃが
形成されている状態が示されている。
分を拡大して示す部分切欠断面図であり、圧電基板２の
上下において、ソルダーレジストインク層９ａ，９ｃが
形成されている状態が示されている。
【００２１】次に、圧電基板２の上面において、ソルダ
ーレジストインクに対する濡れ性が、後述の空洞形成材
よりも高く、かつ外装樹脂の熱硬化に際して吸収される
材料として、非イオン性のハロゲン系活性剤を含むフラ
ックス１０ａが塗布される。このフラックス１０ａは、
ソルダーレジストインク層９ａ，９ｂ上に塗布される。
この場合、フラックス１０ａは、後述のリード端子の半
田付けに際してのフラックスとしても用いられるもので
あるため、本実施例では、引出し電極３ｄ，４ｄ及び容
量電極６上にも至るように、すなわち圧電振動部だけで
なく、引出し電極３ｄ，４ｄにも至るように付与されて
いる。
ーレジストインクに対する濡れ性が、後述の空洞形成材
よりも高く、かつ外装樹脂の熱硬化に際して吸収される
材料として、非イオン性のハロゲン系活性剤を含むフラ
ックス１０ａが塗布される。このフラックス１０ａは、
ソルダーレジストインク層９ａ，９ｂ上に塗布される。
この場合、フラックス１０ａは、後述のリード端子の半
田付けに際してのフラックスとしても用いられるもので
あるため、本実施例では、引出し電極３ｄ，４ｄ及び容
量電極６上にも至るように、すなわち圧電振動部だけで
なく、引出し電極３ｄ，４ｄにも至るように付与されて
いる。
【００２２】圧電基板２の下面においても、同様に、ソ
ルダーレジストインク層９ｃ，９ｄ上を覆うようにフラ
ックス１０ｂが塗布される。なお、下面におけるフラッ
クス１０ｂの塗布領域は、上面におけるフラックス１０
ａの塗布領域と圧電基板２を介して対向するように選択
されている。もっとも、圧電基板の上面及び下面におい
てフラックスの塗布領域は異なっていてもよい。
ルダーレジストインク層９ｃ，９ｄ上を覆うようにフラ
ックス１０ｂが塗布される。なお、下面におけるフラッ
クス１０ｂの塗布領域は、上面におけるフラックス１０
ａの塗布領域と圧電基板２を介して対向するように選択
されている。もっとも、圧電基板の上面及び下面におい
てフラックスの塗布領域は異なっていてもよい。
【００２３】次に、図１のソルダーレジストインク層９
ａ，９ｂが塗布されている領域上において、前述したフ
ラックス１０ａ上に、パラフィンワックス、マイクロク
リスタリンワックスなどの空洞形成材を塗布する。圧電
基板２の下面においても、同様に、ソルダーレジストイ
ンク層９ｃの上方においてフラックス１０ｂ上に空洞形
成材を塗布する。この状態を、図３（ａ）に部分切欠拡
大断面図で示す。図３（ａ）において、１２ａ，１２ｂ
は空洞形成材を示す。空洞形成材１２ａ，１２ｂは、空
洞を形成する領域に付与されている。すなわち、少なく
とも、共振７極４ａ，４ｂ，４ｃが対向している領域に
付与される。
ａ，９ｂが塗布されている領域上において、前述したフ
ラックス１０ａ上に、パラフィンワックス、マイクロク
リスタリンワックスなどの空洞形成材を塗布する。圧電
基板２の下面においても、同様に、ソルダーレジストイ
ンク層９ｃの上方においてフラックス１０ｂ上に空洞形
成材を塗布する。この状態を、図３（ａ）に部分切欠拡
大断面図で示す。図３（ａ）において、１２ａ，１２ｂ
は空洞形成材を示す。空洞形成材１２ａ，１２ｂは、空
洞を形成する領域に付与されている。すなわち、少なく
とも、共振７極４ａ，４ｂ，４ｃが対向している領域に
付与される。
【００２４】しかる後、図４に略図的斜視図で示すよう
に、リード端子１３〜１５を半田付けにより接合する。
なお、図４では、ソルダーレジストインク層９ａ，９ｂ
及びフラックス１０ａは図示が省略されている。リード
端子１３，１５は、引出し電極３ｄ，４ｄに接続され、
リード端子１４は圧電基板２の下面の容量電極８に電気
的に接続される。
に、リード端子１３〜１５を半田付けにより接合する。
なお、図４では、ソルダーレジストインク層９ａ，９ｂ
及びフラックス１０ａは図示が省略されている。リード
端子１３，１５は、引出し電極３ｄ，４ｄに接続され、
リード端子１４は圧電基板２の下面の容量電極８に電気
的に接続される。
【００２５】この場合、前述したフラックス１０ａ，１
０ｂが引出し電極３ｄ，４ｄ及び容量電極８上にも付与
されているので、半田付けに際してフラックスを塗布す
る工程を別途実施する必要はない。
０ｂが引出し電極３ｄ，４ｄ及び容量電極８上にも付与
されているので、半田付けに際してフラックスを塗布す
る工程を別途実施する必要はない。
【００２６】また、圧電共振部品によっては、中継容量
を構成する容量電極６上に、半田を塗布し、不要振動を
抑制する構造も知られている。このように、容量電極６
上に半田膜を形成する場合にも、容量電極６上にフラッ
クス１０ａが付与されているので、半田膜を容易に形成
することができる。
を構成する容量電極６上に、半田を塗布し、不要振動を
抑制する構造も知られている。このように、容量電極６
上に半田膜を形成する場合にも、容量電極６上にフラッ
クス１０ａが付与されているので、半田膜を容易に形成
することができる。
【００２７】すなわち、半田付けのためのフラックス塗
布装置、例えばフラックス塗布用点滴コテを用いて、フ
ラックス１０ａ，１０ｂの塗布を容易に行うことができ
る。従って、ソルダーレジストインク層９ａ，９ｂ，９
ｃ上に空洞形成材１２ａ，１２ｂが残留することを防止
するためのフラックス１０ａ，１０ｂの塗布と、半田付
けのためのフラックスの塗布と同じ工程で容易に行うこ
とができる。
布装置、例えばフラックス塗布用点滴コテを用いて、フ
ラックス１０ａ，１０ｂの塗布を容易に行うことができ
る。従って、ソルダーレジストインク層９ａ，９ｂ，９
ｃ上に空洞形成材１２ａ，１２ｂが残留することを防止
するためのフラックス１０ａ，１０ｂの塗布と、半田付
けのためのフラックスの塗布と同じ工程で容易に行うこ
とができる。
【００２８】次に、リード端子１３〜１５を接合した
後、図４の一点鎖線Ａで示すように外装樹脂を塗布す
る。外装樹脂としては、熱硬化型のフィラー入りのエポ
キシ樹脂など、従来より加熱により硬化される適宜の熱
硬化型合成樹脂を用いることができる。
後、図４の一点鎖線Ａで示すように外装樹脂を塗布す
る。外装樹脂としては、熱硬化型のフィラー入りのエポ
キシ樹脂など、従来より加熱により硬化される適宜の熱
硬化型合成樹脂を用いることができる。
【００２９】さらに、外装樹脂を塗布した後、加熱し、
硬化させることにより、外装樹脂層Ａが形成される。こ
の場合、外装樹脂の熱硬化に際し、空洞形成材１２ａ，
１２ｂが溶融し、外装樹脂層Ａに吸収される。しかも、
溶融空洞形成材とフラックス１０ａ，１０ｂとの濡れ性
が溶融空洞形成材とソルダーレジストインクとの濡れ性
よりも良好であり、フラックス１０ａ，１０ｂが空洞形
成材と共に外装樹脂に吸収されるので、圧電振動部３，
４においては、図３（ｂ）に示す空洞Ｘが確実に形成さ
れる。
硬化させることにより、外装樹脂層Ａが形成される。こ
の場合、外装樹脂の熱硬化に際し、空洞形成材１２ａ，
１２ｂが溶融し、外装樹脂層Ａに吸収される。しかも、
溶融空洞形成材とフラックス１０ａ，１０ｂとの濡れ性
が溶融空洞形成材とソルダーレジストインクとの濡れ性
よりも良好であり、フラックス１０ａ，１０ｂが空洞形
成材と共に外装樹脂に吸収されるので、圧電振動部３，
４においては、図３（ｂ）に示す空洞Ｘが確実に形成さ
れる。
【００３０】よって、空洞における空洞形成材の残留が
生じ難く、かつフラックス１０ａ，１０ｂの残留も生じ
難い。よって、ソルダーレジストインク層９ａ，９ｃに
よる周波数調整を行っている圧電共振素子１において、
空洞形成に際しての空洞形成材の残留等に起因する電気
的特性の低下を確実に抑制することができる。
生じ難く、かつフラックス１０ａ，１０ｂの残留も生じ
難い。よって、ソルダーレジストインク層９ａ，９ｃに
よる周波数調整を行っている圧電共振素子１において、
空洞形成に際しての空洞形成材の残留等に起因する電気
的特性の低下を確実に抑制することができる。
【００３１】なお、本実施例では、圧電基板２に第１，
第２の圧電振動部の，４と中継容量部とが構成されてい
る圧電フィルタの製造方法につき説明したが、本発明
は、エネルギー閉じ込め型の圧電共振子を用いた圧電発
振子などのさまざまなエネルギー閉じ込め型の圧電共振
部品の製造に適用することができる。また、圧電共振部
品だけでなく、振動を妨げないための空洞が必要とされ
る電子部品素子を用いた樹脂外装付きの電子部品に一般
的に適用することができる。
第２の圧電振動部の，４と中継容量部とが構成されてい
る圧電フィルタの製造方法につき説明したが、本発明
は、エネルギー閉じ込め型の圧電共振子を用いた圧電発
振子などのさまざまなエネルギー閉じ込め型の圧電共振
部品の製造に適用することができる。また、圧電共振部
品だけでなく、振動を妨げないための空洞が必要とされ
る電子部品素子を用いた樹脂外装付きの電子部品に一般
的に適用することができる。
【００３２】また、本実施例においては、空洞形成材と
して、ワックスを用いたが、シロキサンやナフタリンな
どの昇華性物質であってもよい。
して、ワックスを用いたが、シロキサンやナフタリンな
どの昇華性物質であってもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明に係る電子部品の製造方法では、
ソルダーレジストインク層を形成した後、少なくとも空
洞が形成される領域に、ソルダーレジストインクに対す
る濡れ性が空洞形成材よりも高く、外装樹脂層に吸収さ
れる材料が付与され、空洞が形成される領域において外
装樹脂の熱硬化に際して吸収される空洞形成材が付与さ
れ、該空洞形成材付与後に外装樹脂を塗布し、加熱によ
り外装樹脂が硬化される。従って、外装樹脂の加熱によ
る硬化時に、空洞形成材が溶融し、溶融空洞形成材が、
前記ソルダーレジストインクに対する濡れ性が溶融空洞
形成材よりも高い材料とともに外装樹脂側に確実に吸収
される。よって、ソルダーレジストインク層を形成して
例えば周波数調整を行った場合においても、空洞形成材
の空洞における残留を確実に抑制することができ、電気
的特性の安定な電子部品を確実に提供することができ
る。
ソルダーレジストインク層を形成した後、少なくとも空
洞が形成される領域に、ソルダーレジストインクに対す
る濡れ性が空洞形成材よりも高く、外装樹脂層に吸収さ
れる材料が付与され、空洞が形成される領域において外
装樹脂の熱硬化に際して吸収される空洞形成材が付与さ
れ、該空洞形成材付与後に外装樹脂を塗布し、加熱によ
り外装樹脂が硬化される。従って、外装樹脂の加熱によ
る硬化時に、空洞形成材が溶融し、溶融空洞形成材が、
前記ソルダーレジストインクに対する濡れ性が溶融空洞
形成材よりも高い材料とともに外装樹脂側に確実に吸収
される。よって、ソルダーレジストインク層を形成して
例えば周波数調整を行った場合においても、空洞形成材
の空洞における残留を確実に抑制することができ、電気
的特性の安定な電子部品を確実に提供することができ
る。
【００３４】ソルダーレジストインクに対する濡れ性が
空洞形成材よりも高く、かつ外装樹脂の熱硬化に際して
吸収される材料が、非イオン性のハロゲン系活性剤を含
むフラックスである場合には、リード端子等の半田付け
に際してのフラックスとしても利用し得るので、製造工
程を増加させることなく、本発明に係る電子部品を提供
することができる。
空洞形成材よりも高く、かつ外装樹脂の熱硬化に際して
吸収される材料が、非イオン性のハロゲン系活性剤を含
むフラックスである場合には、リード端子等の半田付け
に際してのフラックスとしても利用し得るので、製造工
程を増加させることなく、本発明に係る電子部品を提供
することができる。
【００３５】本発明は、外装樹脂中に空洞を設ける必要
があるさまざまな電子部品の製造に用いるが、電子部品
素子として第１，第２の振動電極が対向されている圧電
振動部を有する圧電共振素子を用いた場合には、本発明
に従って、圧電振動部の振動を妨げないための空洞を確
実に形成することができ、特性の安定な圧電共振部品を
提供することができる。
があるさまざまな電子部品の製造に用いるが、電子部品
素子として第１，第２の振動電極が対向されている圧電
振動部を有する圧電共振素子を用いた場合には、本発明
に従って、圧電振動部の振動を妨げないための空洞を確
実に形成することができ、特性の安定な圧電共振部品を
提供することができる。
【００３６】振動電極に連ねられた引出し電極がさらに
備えられており、前記フラックスが、圧電振動部だけで
なく引出し電極にも至るように付与されている場合に
は、該フラックスを利用してリード端子の引出し電極へ
の半田付けを容易に行うことができる。
備えられており、前記フラックスが、圧電振動部だけで
なく引出し電極にも至るように付与されている場合に
は、該フラックスを利用してリード端子の引出し電極へ
の半田付けを容易に行うことができる。
【図１】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例において
用意される圧電フィルタ素子及び（ａ）におけるＡ−Ａ
線に沿う部分を拡大して占めす部分切欠断面図。
用意される圧電フィルタ素子及び（ａ）におけるＡ−Ａ
線に沿う部分を拡大して占めす部分切欠断面図。
【図２】本発明の一実施例において圧電フィルタ素子の
図面に形成される電極構造を説明するための底面図。
図面に形成される電極構造を説明するための底面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施例におい
て、空洞形成材を塗布した状態及び加熱により空洞が形
成された状態を説明するための各部分切欠拡大断面図。
て、空洞形成材を塗布した状態及び加熱により空洞が形
成された状態を説明するための各部分切欠拡大断面図。
【図４】本発明の一実施例において、圧電フィルタ素子
に接合されるリード端子及び外装樹脂層を説明するため
の略図的斜視図。
に接合されるリード端子及び外装樹脂層を説明するため
の略図的斜視図。
１…電子部品素子としての圧電フィルタ素子
２…圧電基板
３，４…第１，第２の圧電振動部
３ａ，３ｂ…第１の振動電極
３ｃ…第２の振動電極
３ｄ…引出し電極
４ａ，４ｂ…第１の振動電極
４ｃ…第２の振動電極
４ｄ…引出し電極
６…容量電極
８…容量電極
９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ…ソルダーレジストインク層
１０ａ，１０ｂ…フラックス
１２ａ，１２ｂ…空洞形成材
１３〜１５…リード端子
Ａ…外装樹脂層
Ｘ…空洞
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 3/00 - 3/10
H03H 9/00 - 9/215
H01L 21/56
H01L 23/28 - 23/31
Claims (4)
- 【請求項１】 加熱硬化時に空洞形成材を吸収すること
により形成された空洞を有する外装樹脂層を備える電子
部品の製造方法であって、 電子部品素子を用意する工程と、 前記電子部品素子の外周面の少なくとも一部にソルダー
レジストインク層を形成する工程と、 前記ソルダーレジストインク層上において、少なくとも
前記空洞が形成される領域にソルダーレジストインクに
対する濡れ性が空洞形成材よりも高く、外装樹脂の熱硬
化時に外装樹脂層に吸収される材料を付与する工程と、 前記空洞が形成される領域において外装樹脂の熱硬化に
際して吸収される空洞形成材を付与する工程と、 前記空洞形成材を付与した後に、電子部品素子の外表面
を覆うように外装樹脂を塗布し、加熱により硬化させる
工程とを備えることを特徴とする、電子部品の製造方
法。 - 【請求項２】 前記ソルダーレジストインクに対する濡
れ性が空洞形成材よりも高く、かつ外装樹脂の熱硬化に
際して吸収される材料が、非イオン性のハロゲン系活性
剤を含むフラックスである，請求項１に記載の電子部品
の製造方法。 - 【請求項３】 前記電子部品素子が、圧電基板と、圧電
基板を介して対向するように形成された第１，第２の振
動電極とを備える圧電共振素子であり、第１，第２の振
動電極が対向している部分が圧電振動部を構成してお
り、該圧電振動部の振動を妨げないように前記空洞が形
成される、請求項１または２に記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項４】 前記振動電極に連ねられた引出し電極を
さらに備え、前記フラックスが、前記圧電振動部だけで
なく、引出し電極にも至るように付与されている、請求
項３に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000193298A JP3435637B2 (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 電子部品の製造方法 |
| KR10-2001-0036551A KR100394453B1 (ko) | 2000-06-27 | 2001-06-26 | 전자부품의 제조방법 |
| CNB011226633A CN1161833C (zh) | 2000-06-27 | 2001-06-27 | 电子元件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000193298A JP3435637B2 (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016464A JP2002016464A (ja) | 2002-01-18 |
| JP3435637B2 true JP3435637B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=18692314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000193298A Expired - Fee Related JP3435637B2 (ja) | 2000-06-27 | 2000-06-27 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3435637B2 (ja) |
| KR (1) | KR100394453B1 (ja) |
| CN (1) | CN1161833C (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3438709B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2003-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法と圧電発振器の製造方法 |
| KR100667164B1 (ko) * | 2004-07-06 | 2007-01-12 | (주)한국해외기술공사 | 체결봉이 매설된 피.에스.시(psc)빔의 제작방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110760A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JPH04256209A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその外装形成方法 |
| JPH04337912A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品の製造方法 |
| JP3214212B2 (ja) * | 1994-02-03 | 2001-10-02 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
-
2000
- 2000-06-27 JP JP2000193298A patent/JP3435637B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-26 KR KR10-2001-0036551A patent/KR100394453B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-27 CN CNB011226633A patent/CN1161833C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100394453B1 (ko) | 2003-08-14 |
| CN1161833C (zh) | 2004-08-11 |
| KR20020001606A (ko) | 2002-01-09 |
| CN1331512A (zh) | 2002-01-16 |
| JP2002016464A (ja) | 2002-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3222220B2 (ja) | チップ型圧電共振子の製造方法 | |
| CA2310504C (en) | Electronic component to be mounted on a circuit board having electronic circuit device sealed therein and method of manufacturing the same | |
| US4485325A (en) | Housing and mounting for a chip-like piezoelectric vibrator component | |
| JP3435637B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| TWI862658B (zh) | 壓電振動元件及其製造方法 | |
| JPH11284485A (ja) | 圧電振動子 | |
| JPH034131B2 (ja) | ||
| JPS6367908A (ja) | ２端子形圧電共振素子を有する電子部品 | |
| JPS61288506A (ja) | 圧電部品素子およびそれを用いた圧電部品の製造方法 | |
| JP2998462B2 (ja) | 圧電共振子の製造方法 | |
| KR100284537B1 (ko) | 압전 세라믹 레조네이터 및 제조 방법 | |
| JP2981910B2 (ja) | 樹脂封止型圧電共振子の製造方法 | |
| JPH08204496A (ja) | 圧電振動部品 | |
| JP2000269768A (ja) | 圧電共振部品 | |
| JPH0115229Y2 (ja) | ||
| JP2001521314A (ja) | 圧電セラミック共振器及びその製造方法 | |
| JP3190508B2 (ja) | 圧電共振部品の空隙形成方法 | |
| JPH04337912A (ja) | 圧電部品の製造方法 | |
| JPH04264808A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP3290736B2 (ja) | 圧電共振部品 | |
| JPH0580027U (ja) | 圧電部品 | |
| JPS6357965B2 (ja) | ||
| JPH06209221A (ja) | チップ型圧電共振子の製造方法 | |
| JPH03151706A (ja) | 圧電部品 | |
| JPH05259788A (ja) | 圧電部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3435637 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080606 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090606 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100606 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130606 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |