JP3579923B2 - 脂環式ジケトン化合物の製造方法 - Google Patents

脂環式ジケトン化合物の製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、脂環式ジケトン化合物を安価に高収率、高純度で製造する方法に関する。本発明によって得られる脂環式ジケトン化合物は、医薬品原料、工業薬品原料、ポリマー原料、重合開始剤原料、酸化防止剤、耐熱向上剤などの中間体として有用な化合物である。
【0002】
【従来の技術】
脂環式ジケトン化合物を製造する方法としては、脂環式ジオールを試薬酸化する方法、例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパンをクロム酸で酸化したり(Bull.Chem.Soc.Japan,39(10),2194(1966))、次亜塩素酸で酸化する方法(特開平4−59742号)が知られている。しかしながら、これらの方法では、目的物の収率、純度ともに満足しうるものでなく、しかも多量の廃棄物が副生するため、工業的製造方法としては問題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来方法の問題点を解消し、脂環式ジケトン化合物を安価で且つ高収率、高純度で製造する方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、脂環式ジオール化合物を特定の種類の触媒の存在下、特定の溶媒中で脱水素反応することにより、所期の目的を達成し得ることを見いだし、かかる知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【0005】
即ち、本発明に係る一般式(2)で表される脂環式ジケトン化合物の製造方法は、一般式(1)で表される脂環式ジオール化合物を銅系触媒及びラネー系触媒よりなる群から選ばれる1種若しくは2種以上の触媒の存在下、特定の溶媒中で脱水素することを特徴とする。
【0006】
Figure 0003579923
[式中、Xは単結合、−CH−、−C(CH−、−O−又は−SO−を表す。R、Rは同一又は異なって、水素又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。m、nは同一又は異なって、0〜2の整数を表す。]
【0007】
Figure 0003579923
[式中、X、R、R、m及びnは一般式(1)と同義である。]
【0008】
一般式(1)で表される脂環式ジオールとして、具体的には、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)、ビス(2−メチル−4−ヒドロキシシクロヘキシル)、ビス(2−ヒドロキシシクロヘキシル)、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、ビス(2−エチル−4−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、ビス(2−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン、2−ヒドロキシシクロヘキシル−4−ヒドロキシシクロヘキシルメタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(2−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン、2−(2−ヒドロキシシクロヘキシル)−2−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エーテル、ビス(2−ヒドロキシシクロヘキシル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)スルホン、ビス(2ーメチル−4−ヒドロキシシクロヘキシル)スルホンなどが例示され、特にビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)、2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)スルホンなどが効果的な原料として推奨される。
【0009】
本発明に係る脱水素用触媒は、特に銅系触媒及びラネー系触媒よりなる群から選ばれる1種若しくは2種以上の触媒である。ちなみに、パラジウム系触媒、ルテニウム系触媒及びロジウム系触媒は高価であり、しかも副生物が多量に生成し、満足できる収率を得ることができない。
【0010】
銅系触媒としては、銅、銅−亜鉛、銅−クロム、亜鉛−銅−クロム及びこれらの酸化物から選ばれた1種又は2種以上の混合触媒、並びにこれら銅系触媒にモリブデン、タングステン、マグネシウム、バリウム、アルミニウム、カルシウム、ジルコニウム、コバルト、マンガン、ニッケル及びこれらの酸化物などを添加した変性触媒が例示される。
【0011】
より具体的には、銅酸化物、亜鉛−クロム−銅酸化物、亜鉛−クロム−銅−マグネシウム酸化物、亜鉛−クロム−銅−バリウム酸化物、亜鉛−銅酸化物、亜鉛−銅−マグネシウム酸化物、亜鉛−銅−アルミニウム酸化物、銅−クロム酸化物、銅−クロム−マグネシウム酸化物、銅−クロム−バリウム酸化物、銅−クロム−マンガン酸化物、銅−クロム−バリウム−マンガン酸化物などが例示される。
【0012】
更に、上記金属及び金属酸化物以外に、シリカ、アルミナ、ケイソウ土、白土、カーボン、グラファイトなどの担体に担持した触媒も使用できる。
【0013】
一方、ラネー系触媒としては、工業的に製造されているラネーニッケル、ラネーコバルト、ラネーコバルト・マンガン及びラネー銅などが例示される。これらのラネー触媒は、当該金属成分とアルミニウムとの合金をアルカリ(例えば、水酸化ナトリウム)にて常法により展開して製造される。
【0014】
これら銅系触媒及びラネー系触媒は、そのまま用いることもできるが、特に銅系触媒は、使用する前に還元処理(還元剤としては、水素、水素化ホウ素ナトリウム、水素化アルミニウムリチウム、水素化アルミニウムナトリウムなどが例示される。)などの適当な活性化処理を施した後に反応に供することもできる。
【0015】
触媒の形態は、特に限定されず、その反応形態に応じて粉末状、タブレット状など適宜選択して使用される。特に、銅系触媒は、固定床触媒としてタブレット状で適用することが推奨される。
【0016】
触媒の使用量としては、原料の脂環式ジオールに対して0.1〜30重量%、好ましくは1〜20重量%が推奨される。0.1重量%未満では実用的な反応速度が得られにくく、30重量%を越えて適用しても顕著な効果の向上は認められず、経済的に不利である。
【0017】
触媒は、繰り返し使用も可能である。
【0018】
本発明に係る脱水素化反応は、触媒の活性を維持し、目的の脂環式ジケトンの収率を向上させるために特定の溶媒系で反応する。特に原料や生成物の融点が高いときは、取り扱いを容易にする。
【0019】
使用できる溶媒としては、反応に不活性で原料や生成物が溶解しやすい溶媒であれば足り、具体的にはエーテル類及び炭化水素類が例示される。
【0020】
エーテル類としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルなどが挙げられ、特に工業的に入手が容易で、溶解性が大きいエチレングリコールジメチルエーテル及びジエチレングリコールジメチルエーテルが推奨される。
【0021】
炭化水素類としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ポリアルキルベンゼンなどの芳香族炭化水素;シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン及びポリアルキルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素が挙げられ、特に工業的に入手が容易で、高沸点で取り扱いが容易なポリアルキルベンゼン及びポリアルキルシクロヘキサンが推奨される。
【0023】
溶媒の適当な使用量は、脂環式ジオール化合物に対して0.05〜10重量倍、好ましくは0.2〜3重量倍程度である。使用量が0.05重量倍未満では触媒の活性維持及び高融点原料の溶解性の面で不利となる傾向があり、一方、10重量倍を越える場合には経済的に不利となる傾向がある。
【0024】
脱水素反応の温度としては、160〜300℃、特に200〜240℃が推奨される。160℃未満では実用的な反応速度が得られにくく、300℃を越える温度では副反応が顕著となり好ましくない。
【0025】
反応圧力の適正範囲は、使用溶媒の種類により異なる。
【0026】
反応に付随して発生してくる水素は反応を阻害する因子となるため、特に加圧系においては水素分圧が高くならないように系外に連続的又は間欠的に追い出すことが好ましい。
【0027】
溶媒系反応の場合、その適正圧力は設定温度、溶媒、原料及び生成物の種類により異なるが、基本的には加圧系となり、具体的には0.1〜20kg/cmGが推奨される。0.1kg/cmG未満では反応温度が上がらないため実用的な反応速度が得られにくく、20kg/cmGを越える圧力では溶媒の種類に拘らず水素分圧が大きくなる可能性があるとともに副反応が顕著となり好ましくない。このときも生成してくる水素の分圧が大きくならないように溶媒とともに水素を系外に連続的又は間欠的に追い出すことが好ましい。
【0028】
反応に伴って生成する水素を追い出すに際し、窒素などの不活性ガスをキャリヤーガスとして使用することは、反応を促進する上で好ましい。
【0029】
尚、不活性ガスの導入量は、所定の効果を奏する限り特に限定されないが、単位時間当たりの平均水素発生容量の0.01〜50倍容量、好ましくは0.1〜10倍容量程度が推奨される。0.1倍容量未満では水素の追い出し効果が非常に小さく、50倍容量を越えて使用してもその効果は頭打ちであり、経済的でない。しかも原料や生成物の同伴が顕著となり工業的に不利である。
【0030】
反応時間は、条件によって変動するが、通常、0.5〜20時間程度である。
【0031】
脱水素反応の形態としては、粉末触媒による回分式又は連続式の懸濁反応及びタブレット触媒などを用いた固定床反応としても行うことができる。
【0032】
かくして得られた反応粗物は、必要に応じて蒸留や再結晶にて精製し、製品化される。
【0033】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を詳しく説明する。尚、各例において得られた生成物は、ガスクロマトグラフィー(GC)による内部標準法により目的物の純度を求めた。
【0034】
実施例1
電磁攪拌機を備えた500mlのオートクレーブに、原料としてビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)50g、反応溶媒としてジエチレングリコールジメチルエーテル150g及び展開ラネーコバルト−マンガン触媒2g[展開前合金組成(重量%);Co:Mn:Al=30:4:66]を仕込み、系内を水素で置換後、230℃に昇温し、1.8kg/cmGの条件下、生成してくる水素を連続的に追い出しながら8時間脱水素反応した。又、同伴留出してきたジエチレングリコールジメチルエーテルは、反応中ほぼ一定となるように補充した。反応終了後、反応物を冷却してオートクレーブより取り出し、上記反応溶媒で希釈溶解し、触媒を濾別した後、減圧下で溶媒を除去して反応粗物48.0gを得た。得られた反応粗物中のビス(4−オキソシクロヘキシル)の純度を分析したところ、88.5%(収率86.7%)であった。
【0035】
実施例2
原料として2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン50gを用い、触媒として展開ラネーコバルト触媒[展開前合金組成(重量%);Co:Al=49:51]5gを用いた以外は実施例1と同様にして6時間脱水素反応をし、次いで後処理を施し、反応粗物47.0gを得た。分析の結果、反応粗物中の2,2−ビス(4−オキソシクロヘキシル)プロパンの純度は92.2%(収率88.1%)であった。
【0036】
実施例3
原料として2,2−ビス(2−メチル−4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパン50g、反応溶媒としてアルキルベンゼン(商品名「ソルベッソ150」、炭素数10〜11成分の含量=92%、東邦化学社製)100g及び銅−クロム酸化物触媒[触媒組成(重量%);CuO:Cr:BaO:MnO=45:43:2:4]3gを用い、220℃、0.3kg/cmGの条件下、実施例1と同様にして6時間脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物47.5gを得た。分析の結果、反応粗物中の2,2−ビス(2−メチル−4−オキソシクロヘキシル)プロパンの純度は86.5%(収率83.3%)であった。
【0037】
実施例4
原料としてビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)メタン50gを使用した以外は実施例2と同様にして7時間脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物47.8gを得た。分析の結果、反応粗物中のビス(4−オキソシクロヘキシル)メタンの純度は85.6%(収率83.4%)であった。
【0038】
実施例5
原料としてビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エーテル50gを使用した以外は実施例2と同様にして5時間脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物47.3gを得た。分析の結果、反応粗物中のビス(4−オキソシクロヘキシル)エーテルの純度は92.5%(収率89.2%)であった。
【0039】
実施例6
原料としてビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)スルホン50g及び触媒として亜鉛−銅酸化物[触媒組成(重量%);ZnO:CuO=48:52]3gを使用した以外は、実施例1と同様にして9時間脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物46.2gを得た。分析の結果、反応粗物中のビス(4−オキソシクロヘキシル)スルホンの純度は82.0%(収率76.9%)であった。
【0043】
実施例7
反応圧力を5kg/cmGとした以外は実施例2と同様にして脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物46.1gを得た。分析の結果、反応粗物中の2,2−ビス(4−オキソシクロヘキシル)プロパンの純度は75.2%(収率70.5%)であった。
【0044】
実施例8
反応温度を270℃とした以外は実施例2と同様にして脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物43.2gを得た。分析の結果、反応粗物中の2,2−ビス(4−オキソシクロヘキシル)プロパンの純度は72.5%(収率63.7%)であった。
【0045】
比較例1
触媒として5%Ru/Alを使用した以外は実施例2と同様にして脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物47.2gを得た。分析の結果、反応粗物中の2,2−ビス(4−オキソシクロヘキシル)プロパンの純度は60.2%(収率57.7%)と低かった。
【0046】
比較例2
触媒として5%Pd/カーボンを使用した以外は実施例2と同様にして脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物44.2gを得た。分析の結果、反応粗物中の2,2−ビス(4−オキソシクロヘキシル)プロパンの純度は35.3%(収率31.7%)と低かった。
【0047】
比較例3
触媒として5%Rh/カーボンを使用した以外は実施例2と同様にして脱水素反応し、次いで後処理を施し、反応粗物46.3gを得た。分析の結果、反応粗物中の2,2−ビス(4−オキソシクロヘキシル)プロパンの純度は45.3%(収率42.6%)と低かった。
【0048】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、現在、工業的に用いられている試薬酸化法と異なって副生廃棄物が発生せず、しかも安価に高選択、高収率で目的とする脂環式ジケトン化合物を工業的に有利な条件下で製造することができる。

Claims (1)

  1. 一般式(1)で表される脂環式ジオール化合物を銅系触媒及びラネー系触媒よりなる群から選ばれる1種若しくは2種以上の触媒の存在下、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、アルキルベンゼン(炭素数10〜11)、ポリアルキルベンゼン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン及びポリアルキルシクロヘキサンからなる群より選ばれる1種若しくは2種以上の溶媒中で、脱水素することを特徴とする一般式(2)で表される脂環式ジケトン化合物の製造方法。
    Figure 0003579923
    [式中、Xは単結合、−CH−、−C(CH−、−O−又は−SO−を表す。R、Rは同一又は異なって、水素又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。m、nは同一又は異なって、0〜2の整数を表す。]
    Figure 0003579923
    [式中、X、R、R、m及びnは一般式(1)と同義である。]
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