JPH01108172A - 超伝導材の製造方法 - Google Patents
超伝導材の製造方法Info
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- JPH01108172A JPH01108172A JP62262526A JP26252687A JPH01108172A JP H01108172 A JPH01108172 A JP H01108172A JP 62262526 A JP62262526 A JP 62262526A JP 26252687 A JP26252687 A JP 26252687A JP H01108172 A JPH01108172 A JP H01108172A
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- oxide
- yttrium
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産!、1−の利用分野J
本発明は超伝導材の製造方法に関し、さらに詳しくは、
特に超伝導物質の板材たとえばシート。
特に超伝導物質の板材たとえばシート。
テープなどの製造に道を開く超伝導材の製造方法に関す
る。
る。
[従来の技術およびその問題点]
近年、超伝導物質はそのマイスナー効果、臨界温度に達
すると抵抗が0になること、およびジョセフソン効果に
よって、注目され、その1i的生産方法およびその用途
の開発が行なわれている。
すると抵抗が0になること、およびジョセフソン効果に
よって、注目され、その1i的生産方法およびその用途
の開発が行なわれている。
特に、工X的用途に使用することができる超伝導物質と
して、臨界温度が高く、加工の容易な超伝導物質が探索
されていると共に、セラミックス系超伝導物質について
は、その加工性の容易な物質、あるいはその成形加工方
法の開発が日夜研究されている。
して、臨界温度が高く、加工の容易な超伝導物質が探索
されていると共に、セラミックス系超伝導物質について
は、その加工性の容易な物質、あるいはその成形加工方
法の開発が日夜研究されている。
現状においては、超伝導物質を簡単な形状の成形体にし
、これを焼結する技術が模索されていると言っても過言
ではない。
、これを焼結する技術が模索されていると言っても過言
ではない。
超伝導物質が産業界で広範に使用されるようになるため
には、単に超伝導材が成形回部であると言うだけでは足
らず、その接合、切削、薄膜化などの加工技術が開発さ
れねばならない、特に、超伝導物質の板材が開発される
と、電気分野での広範囲な利用が期待される。
には、単に超伝導材が成形回部であると言うだけでは足
らず、その接合、切削、薄膜化などの加工技術が開発さ
れねばならない、特に、超伝導物質の板材が開発される
と、電気分野での広範囲な利用が期待される。
しかるに、たとえば超伝導性物質を用いた板材を製造す
る技術に未だ1−分なものが見当たらない。
る技術に未だ1−分なものが見当たらない。
ところで、近縁の技術にセラミックスと金属との接合技
術がある。
術がある。
そこで、この接合技術を応用して、超伝導膜の板材を製
造することが考えられる。
造することが考えられる。
しかしながら、前記接合技術には、接合面を互いに鏡面
に近づく程の表面精度が要求されると共に、接合1m
1iftに金属インサートが必要であるなどの繁雑な問
題点を抱えている。
に近づく程の表面精度が要求されると共に、接合1m
1iftに金属インサートが必要であるなどの繁雑な問
題点を抱えている。
したがって、前記接合技術とをそのまま超伝導物質の板
材製造技術に応用することはできない。
材製造技術に応用することはできない。
この発明は前記jlG情にノ^いてなされたものである
。
。
未発IJIの目的は、超伝導能を右する物質の板材とす
ることかでさる超伝導材の製造方法を提供することであ
る。
ることかでさる超伝導材の製造方法を提供することであ
る。
[前記目的を達成するための手段]
前記目的を達成するためにこの発明者が研究したところ
、金属表面とセラミックス表面との一般的な接合におい
ては表面精度の高い接合面を高圧で押圧するのが一般常
識であったところ、ffi<ことには、特定の物質の成
形体表面と金属表面またはセラミックス表面とをわずか
の加圧状態で加熱することによって、超伝導材を形成す
ることができることを見出してこの発明に到達した。
、金属表面とセラミックス表面との一般的な接合におい
ては表面精度の高い接合面を高圧で押圧するのが一般常
識であったところ、ffi<ことには、特定の物質の成
形体表面と金属表面またはセラミックス表面とをわずか
の加圧状態で加熱することによって、超伝導材を形成す
ることができることを見出してこの発明に到達した。
すなわち、本発明の構成は、加圧および加熱下に、超伝
導膜を有する物質の成形体表面と金属表面またはセラミ
ックス表面とを接合することを特徴とする超伝導材の製
造方法である。
導膜を有する物質の成形体表面と金属表面またはセラミ
ックス表面とを接合することを特徴とする超伝導材の製
造方法である。
前記超伝導能を有する物質とは、第1図に示すように、
対象となる物質の粉末から形成した芯材をコイル中に挿
入したときのインダクタンスLを示す第1式において、 L=K (ILwa2 ) N/l (1)(た
だし、前記第1式において、Kは定数であり、終は透磁
率であり、aはコイルの半径であり、Nはコイルの巻き
数であり、!lはコイルの長さである。) aが4mmであり、Nが50であり、愛が10m−であ
るときのインダクタンスLの低下(芯材を挿入しないと
きに比較して)がIJLH以−Lとなるような性質を有
する物質である。
対象となる物質の粉末から形成した芯材をコイル中に挿
入したときのインダクタンスLを示す第1式において、 L=K (ILwa2 ) N/l (1)(た
だし、前記第1式において、Kは定数であり、終は透磁
率であり、aはコイルの半径であり、Nはコイルの巻き
数であり、!lはコイルの長さである。) aが4mmであり、Nが50であり、愛が10m−であ
るときのインダクタンスLの低下(芯材を挿入しないと
きに比較して)がIJLH以−Lとなるような性質を有
する物質である。
Iγi記超伝導俺を有する物質としては、たとえば鋼含
有酸化物が挙げられ、具体的には、イツトリウム系酸化
物、ストロンチウム系酸化物、ユーロピウム系酸化物、
ランタン系酸化物などが挙げられる。
有酸化物が挙げられ、具体的には、イツトリウム系酸化
物、ストロンチウム系酸化物、ユーロピウム系酸化物、
ランタン系酸化物などが挙げられる。
いずれの酸化物がこの発IJJに好適であるかは実験に
より適宜に決定することができるのであるが、イツトリ
ウム系酸化物が好適な酸化物の一つである。
より適宜に決定することができるのであるが、イツトリ
ウム系酸化物が好適な酸化物の一つである。
超伝導膜を有する前記イツトリウム系酸化物は、通常、
Y Ba2CuzO7−Xとして表わされる(ただし
、又は7−Xが6.5〜6.8の範囲となるような数で
ある。)のであるが、前記式中においてBaの全部また
は一部がストロンチウムなどの原子で置換されていても
良い。
Y Ba2CuzO7−Xとして表わされる(ただし
、又は7−Xが6.5〜6.8の範囲となるような数で
ある。)のであるが、前記式中においてBaの全部また
は一部がストロンチウムなどの原子で置換されていても
良い。
超伝導能を有する前記イツトリウム系酸化物は、酸化イ
ツトリウムと炭酸バリウムと酸化銅とをY:Ba:Cu
(原子比A)=l:2:3の割合で混合し、焼成す
ることにより得ることができる。
ツトリウムと炭酸バリウムと酸化銅とをY:Ba:Cu
(原子比A)=l:2:3の割合で混合し、焼成す
ることにより得ることができる。
なお、面形酸化イツトリウムと炭酸バリウムと酸化銅と
の混合物を焼成する場合、各成分の平均粒径を0.7〜
IBmの粒度に調製しておくのが好ましい。
の混合物を焼成する場合、各成分の平均粒径を0.7〜
IBmの粒度に調製しておくのが好ましい。
前記焼成としては、前記原料を前記組成式における組成
比となるような比率で配合し、その後、たとえば900
〜970℃の範囲内の温度で1時間〜10時間かけて加
熱処理をし、この加熱処理を2〜4回鰻り返すのが望ま
しい。
比となるような比率で配合し、その後、たとえば900
〜970℃の範囲内の温度で1時間〜10時間かけて加
熱処理をし、この加熱処理を2〜4回鰻り返すのが望ま
しい。
加熱処理の際の温度が900℃未満であると、超伝導能
を有するイツトリウム系酸化物を得ることができないこ
とがあり、また前記温度が970℃を超えると結晶構造
が変化して超伝導能を有するイツトリウム系酸化物を得
ることができないことがある。
を有するイツトリウム系酸化物を得ることができないこ
とがあり、また前記温度が970℃を超えると結晶構造
が変化して超伝導能を有するイツトリウム系酸化物を得
ることができないことがある。
この発明においては超伝導能を有する物質の成形体の表
面と金ビ表面またはセラミック表面とを接合する。
面と金ビ表面またはセラミック表面とを接合する。
ここで、+Wj記成形成形体ては、前記超伝導能を有す
る物質を特に板状たとえばシート状、フィルム状に成形
した焼結体もしくは未焼結体を使用することができる。
る物質を特に板状たとえばシート状、フィルム状に成形
した焼結体もしくは未焼結体を使用することができる。
超伝導能を有する物質の焼結体は、a伝導能を有する物
質を特に板状に成形してからこれを焼結することにより
得ることができる。
質を特に板状に成形してからこれを焼結することにより
得ることができる。
焼結方法としては、たとえば、常温焼結、加圧焼結、高
温等方加圧焼結などの方法を採用することができる。
温等方加圧焼結などの方法を採用することができる。
超伝導能を有する物質の未焼結体は、超伝導能を有する
物質を特に板状に成形して得ることかでさる。
物質を特に板状に成形して得ることかでさる。
その成形法としては、たとえば、圧延法、金型プレス成
形法、ラバープレス成形法、射出成形法、押出し成形法
、ホットプレス法などを採用することができる。
形法、ラバープレス成形法、射出成形法、押出し成形法
、ホットプレス法などを採用することができる。
一方、前記金屈としては、ニッケル、コバルト、鉄など
のニッケル系金属およびステンレスなどの合金、ならび
に銅などの銅系金属を使用することができる。
のニッケル系金属およびステンレスなどの合金、ならび
に銅などの銅系金属を使用することができる。
前記セラミックスとしては、ジルコニアおよびアルミナ
などの酸化物系セラミックス、ならびに炭化ケイ素およ
び窒化ケイ素などの非酸化物系セラミックスを使用する
ことができる。
などの酸化物系セラミックス、ならびに炭化ケイ素およ
び窒化ケイ素などの非酸化物系セラミックスを使用する
ことができる。
この発明において、板材としての超伝導材を形成するの
であれば、前記金属およびセラミックスはシート状ある
いはテープ状であるのが良い。
であれば、前記金属およびセラミックスはシート状ある
いはテープ状であるのが良い。
接合に際し、前記成形体、金属、セラミックスは、その
表面精度に特に制約がなく、たとえ表面精度が34m程
度であっても、この発明により良好に接合することがで
きる。この’lG実は、従来、金属とセラミックスとの
接合において、それぞれの接合面をlpm以下としなけ
ればならなかったことに比べると尼〈べきことである。
表面精度に特に制約がなく、たとえ表面精度が34m程
度であっても、この発明により良好に接合することがで
きる。この’lG実は、従来、金属とセラミックスとの
接合において、それぞれの接合面をlpm以下としなけ
ればならなかったことに比べると尼〈べきことである。
この発明の方法においては、接合に際し、接合面間に、
成形体を形成したのと同じ超伝導能を右する物質の粉末
、または成形体を形成したのと同じ超伝導能を有する物
質のペーストを存在させると、良好な接合結果を得るこ
とができる。
成形体を形成したのと同じ超伝導能を右する物質の粉末
、または成形体を形成したのと同じ超伝導能を有する物
質のペーストを存在させると、良好な接合結果を得るこ
とができる。
また、超伝導能を有する物質が銅含有酸化物である場合
、 J1i合面間に酸化第二銅の粉末または酸化第二銅
のペーストを存在させると、良好な接合結果を得ること
ができる。これは、接合時の加熱に際して生じる銅およ
び/または酸素の欠損を酸化第二銅が補うからであろう
と推定される。
、 J1i合面間に酸化第二銅の粉末または酸化第二銅
のペーストを存在させると、良好な接合結果を得ること
ができる。これは、接合時の加熱に際して生じる銅およ
び/または酸素の欠損を酸化第二銅が補うからであろう
と推定される。
この酸化第二銅は、何の前処理を施さない所謂グリーン
パウダーであっても良く、また、前処理としての加熱処
理をした酸化第二銅であっても良い、もっとも、好まし
いのは、加熱処理してなる酸化第二銅である。この加熱
処理の条件として、加熱温度は900〜970℃が好ま
しく、加熱時間は1〜10時間であり、加8雰囲気につ
いては特に制限がないが酸化性雰囲気であるのが好まし
い。
パウダーであっても良く、また、前処理としての加熱処
理をした酸化第二銅であっても良い、もっとも、好まし
いのは、加熱処理してなる酸化第二銅である。この加熱
処理の条件として、加熱温度は900〜970℃が好ま
しく、加熱時間は1〜10時間であり、加8雰囲気につ
いては特に制限がないが酸化性雰囲気であるのが好まし
い。
前記酸化第二銅の平均粒度としては、超伝導能を有する
物質の原料の平均粒度とほぼ同等のモ均粒径を有してい
るのが好ましいが、多くの場合、10μm以下であって
も良く、9Jましくは数gm以下である。
物質の原料の平均粒度とほぼ同等のモ均粒径を有してい
るのが好ましいが、多くの場合、10μm以下であって
も良く、9Jましくは数gm以下である。
接合面間に介在させる酸化第二銅の−1としては、酸化
第二銅の平均粒径にもよるが、接合学位面積(■膳?)
ちり(0,01〜0.1 ) Xl0−2g、好ましく
は(0,03〜0.06) X101gである。
第二銅の平均粒径にもよるが、接合学位面積(■膳?)
ちり(0,01〜0.1 ) Xl0−2g、好ましく
は(0,03〜0.06) X101gである。
超伝導能を有する物質がイツトリウム系酸化物である場
合、前記酸化第二銅の代りに、YBa2CLI307−
X (ただし、Xは前記と同じ意味を表わす、)で表
わされる銅含有縫過多のイツトリウム系酸化物を介在さ
せても良い。
合、前記酸化第二銅の代りに、YBa2CLI307−
X (ただし、Xは前記と同じ意味を表わす、)で表
わされる銅含有縫過多のイツトリウム系酸化物を介在さ
せても良い。
前記ペーストは、加熱により揮散する溶剤で面形酸化第
二銅あるいは超伝導能を有する物質などの粉末を練った
ものである。
二銅あるいは超伝導能を有する物質などの粉末を練った
ものである。
この発明では、接合面を加圧、加熱する。
接合圧としては、少なくとも0.1kg/■層2であれ
ば良く、より好ましくは0.3 kg/s+m2以上で
ある。
ば良く、より好ましくは0.3 kg/s+m2以上で
ある。
従来の金属とセラミックスとの接合においては、少なく
とも1 kg/■■2の圧力を要したのであるから、接
合圧においても本発明の優れた利点を認めることができ
る。
とも1 kg/■■2の圧力を要したのであるから、接
合圧においても本発明の優れた利点を認めることができ
る。
加熱温度および加圧時間としては、前記成形体が未焼結
の成形体である場合、その成形体と金属またはセラミッ
クスとを接合する場合、通常、900〜970℃で5時
間以上、好ましくは930〜950℃で5時間以上であ
る。なお、このとき、前記温度での加圧時間の経過後に
、酸素含有雰囲気下で350〜500℃で8時間程度の
後処理をしておくのが好ましい、また、前記成形体が焼
結体である場合、その成形体と金属またはセラミックス
との接合にあっては、加熱温度および加圧時間としては
1通常、 700〜1.000℃で10分以上、好まし
くは1時間程度である。
の成形体である場合、その成形体と金属またはセラミッ
クスとを接合する場合、通常、900〜970℃で5時
間以上、好ましくは930〜950℃で5時間以上であ
る。なお、このとき、前記温度での加圧時間の経過後に
、酸素含有雰囲気下で350〜500℃で8時間程度の
後処理をしておくのが好ましい、また、前記成形体が焼
結体である場合、その成形体と金属またはセラミックス
との接合にあっては、加熱温度および加圧時間としては
1通常、 700〜1.000℃で10分以上、好まし
くは1時間程度である。
加圧、加熱め際の雰囲気としては、特に制限がなく、大
気中、不活性ガス雰囲気中のいずれであっても良いので
ある。
気中、不活性ガス雰囲気中のいずれであっても良いので
ある。
加圧、加熱の際の雰囲気圧としては、特に制限がなく、
減圧、常圧、加圧のいずれであっても良い。
減圧、常圧、加圧のいずれであっても良い。
接合に際して、前記成形体の接合表面と金属の接合表面
またはセラミックスの接合表面とは、l:lの同一面積
でなくても良い。
またはセラミックスの接合表面とは、l:lの同一面積
でなくても良い。
たとえば、:52図に示すように、大面積を有する金属
lの表面に小接合面積の前記板材2を重ねて接合しても
よい、このような手法によると、小接合面積を有する複
数の油温板材2を大面積の金属lの表面に並べて超伝導
材の大面積板材を製造することができる。
lの表面に小接合面積の前記板材2を重ねて接合しても
よい、このような手法によると、小接合面積を有する複
数の油温板材2を大面積の金属lの表面に並べて超伝導
材の大面積板材を製造することができる。
また、第3図に示すように、長尺のテープ状なの金属3
あるいはセラミックスの表面に短いテープ状の超伝導物
質の板材4を一列に並べ接合すると、超伝導材を製造す
ることができる。
あるいはセラミックスの表面に短いテープ状の超伝導物
質の板材4を一列に並べ接合すると、超伝導材を製造す
ることができる。
なお、超伝導能を有する前記板を並べる場合。
前記板材の端面同士を、加圧加熱して接合することによ
り大面積の超伝導材を形成することができる。
り大面積の超伝導材を形成することができる。
このときの接合条件は、前記板材の端面に酸化第二銅あ
るいは超伝導能を有する粉末またはペーストを含ませて
おくことのが良い。
るいは超伝導能を有する粉末またはペーストを含ませて
おくことのが良い。
以E詳述したこの発明の方法に従って、超伝導能を有す
る物質の成形体と金属またはセラミックスとを接合する
ことにより、長尺の板材たとえばシート、テープ竿を得
ることができる。
る物質の成形体と金属またはセラミックスとを接合する
ことにより、長尺の板材たとえばシート、テープ竿を得
ることができる。
この版材たとえばシート、テープ等は、複雑形状の各種
部材の製造、電子機器おける回路の製造を実現すること
ができる。
部材の製造、電子機器おける回路の製造を実現すること
ができる。
[実施例]
次に本発明の実施例および比較例を示して本発明をさら
に具体的に説明する。
に具体的に説明する。
(実施例1)
モ均粒PF−I JL mの酸化第一銅、モ均粒径0.
7終mの酸化イツトリウムおよびモ均粒径0.7gmの
炭酸バリウムとをY:Ba:Cu (原子比A)=1
:2:3の;1合で混合した。この混合物を950℃で
8時間かけて加熱する高温熱処理を2回行なった。
7終mの酸化イツトリウムおよびモ均粒径0.7gmの
炭酸バリウムとをY:Ba:Cu (原子比A)=1
:2:3の;1合で混合した。この混合物を950℃で
8時間かけて加熱する高温熱処理を2回行なった。
高温熱処理後の混合物を細長のガラス容器に詰めてこれ
を芯材とし、第1図に示すコイル装置により、芯材を入
れないときと入れたときとのインダクタンスの変化を調
べたところ、3.2 、Hのインダクタンス低下があっ
た。
を芯材とし、第1図に示すコイル装置により、芯材を入
れないときと入れたときとのインダクタンスの変化を調
べたところ、3.2 、Hのインダクタンス低下があっ
た。
すなわち、熱処理後のこの素材は超伝導能を有する。
この超伝導能を有する前記素材を静水圧プレス成形して
厚み2謬層の板状体を製造した。
厚み2謬層の板状体を製造した。
一方、950℃で8時間の高温処理を行ない、かつt均
粒径が32〜53#Lmとなるように分級して酸化第二
銅の焼成粉末を得た。
粒径が32〜53#Lmとなるように分級して酸化第二
銅の焼成粉末を得た。
次いで、前記板状体の表面と銅板表面との間に0.35
X 10−7gの前記酸化第二銅の焼成粉末を介在させ
て前記板状体と銅板とを重ねた。
X 10−7gの前記酸化第二銅の焼成粉末を介在させ
て前記板状体と銅板とを重ねた。
高周波誘導加熱方式の拡散接合炉巾で、重犯板材と前記
銅板とを重ね合せたものを、板の表面に対して0.5
kg/cm2の圧力を付与し、そのままの状態で8時間
の間1(1’丁orr以下の真空雰囲気下にて950℃
に加熱し続けた。
銅板とを重ね合せたものを、板の表面に対して0.5
kg/cm2の圧力を付与し、そのままの状態で8時間
の間1(1’丁orr以下の真空雰囲気下にて950℃
に加熱し続けた。
その結果、超伝導能を有する板材と銅板とが接合した接
合積層体を得た。
合積層体を得た。
前記接合積層体の接合強力は、インストロン試験機にて
測定したところ、前記板状体の強力とほぼ同じであった
。
測定したところ、前記板状体の強力とほぼ同じであった
。
また、第1図に示すコイル装置によりINiNi合接合
板状体れた場合と入れない場合とのインダクタンスの変
化を調べたところ、 2.9 JLHのインダクタンス
低下が観測された。接合前の円筒体の前記と同様のイン
ダクタンスの変化は3.41LHである。
板状体れた場合と入れない場合とのインダクタンスの変
化を調べたところ、 2.9 JLHのインダクタンス
低下が観測された。接合前の円筒体の前記と同様のイン
ダクタンスの変化は3.41LHである。
[発明の効果]
本発明によると、超伝導能を有する物質の成形体と金属
またはセラミックスとを接合して、たとえば板状の超伝
導物質を有するシート、テープなどの板材等を製造する
ことができる。
またはセラミックスとを接合して、たとえば板状の超伝
導物質を有するシート、テープなどの板材等を製造する
ことができる。
本発明は、Jtc合面の表面精度および接合圧について
特に制限が少ないので簡便な手順の製膜方法である。
特に制限が少ないので簡便な手順の製膜方法である。
第1図はインダクタンスを測定するコイル装置の説明図
、第2図および第3図はこの発明の実施例を示す説明図
である。 1・・・金属、2拳・・板材、3・・・テープ状金属、
4・会・板材。 特許出願人 口機装株式会社 第1図
、第2図および第3図はこの発明の実施例を示す説明図
である。 1・・・金属、2拳・・板材、3・・・テープ状金属、
4・会・板材。 特許出願人 口機装株式会社 第1図
Claims (7)
- (1)加圧および加熱下に、超伝導能を有する物質の成
形体表面と金属表面またはセラミックス表面とを接合す
ることを特徴とする超伝導材の製造方法。 - (2)前記超伝導能を有する物質が銅含有物質である前
記特許請求の範囲第1項に記載の超伝導材の製造方法。 - (3)前記超伝導能を有する物質がイットリウム系酸化
物である前記特許請求の範囲第1項に記載の超伝導材の
製造方法。 - (4)前記超伝導能を有する物質が、酸化イットリウム
、炭酸バリウムおよび酸化銅をY:Ba:Cu(原子比
A):1:2:3の割合で配合した混合物を熱処理して
なるイットリウム系酸化物である前記特許請求の範囲第
1項に記載の超伝導材の製造方法。 - (5)B伝導能を有する物質の成形体表面と金属表面ま
たはセラミックス表面とを、前記超伝導能を有する物質
の粉末または前記超伝導能を有する物質のペーストを介
して、接触させる前記特許請求の範囲第1項〜第4項の
いずれかに記載の超伝導材の製造方法。 - (6)前記超伝導能を有する物質の成形体表面と金属表
面またはセラミックス表面とを、酸化第二銅の粉末また
は酸化第二銅のペーストを介して、接触させる前記特許
請求の範囲第2項〜第4項のいずれかに記載の超伝導材
の製造方法。 - (7)前記酸化第二銅が加熱処理されたものである前記
特許請求の範囲第6項に記載の超伝導材のの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262526A JPH01108172A (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | 超伝導材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262526A JPH01108172A (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | 超伝導材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108172A true JPH01108172A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17377020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262526A Pending JPH01108172A (ja) | 1987-10-17 | 1987-10-17 | 超伝導材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108172A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252974A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導体の接続方法 |
| JPS6418981A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Ceramic high-temperature superconductor |
| JPS6428284A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-30 | Toshiba Corp | Oxide superconducting joint |
-
1987
- 1987-10-17 JP JP62262526A patent/JPH01108172A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252974A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導体の接続方法 |
| JPS6418981A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Ceramic high-temperature superconductor |
| JPS6428284A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-30 | Toshiba Corp | Oxide superconducting joint |
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