JPH06272021A - ビスマス系酸化物超電導複合体の製造法 - Google Patents
ビスマス系酸化物超電導複合体の製造法Info
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- JPH06272021A JPH06272021A JP5062335A JP6233593A JPH06272021A JP H06272021 A JPH06272021 A JP H06272021A JP 5062335 A JP5062335 A JP 5062335A JP 6233593 A JP6233593 A JP 6233593A JP H06272021 A JPH06272021 A JP H06272021A
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- superconducting
- bismuth
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超電導体焼成時の基材と超電導体の反応がな
く、良好な超電導特性を示すビスマス系酸化物超電導複
合体の製造法を提供する。 【構成】 鉄−ニッケル系耐熱合金基板上に溶射法で貴
金属層を形成した後、該貴金層の表面を延伸し、次いで
延伸した貴金層の表面にビスマス系超電導前駆体又はビ
スマス系超電導体を形成し、焼成するビスマス系酸化物
超電導複合体の製造法。
く、良好な超電導特性を示すビスマス系酸化物超電導複
合体の製造法を提供する。 【構成】 鉄−ニッケル系耐熱合金基板上に溶射法で貴
金属層を形成した後、該貴金層の表面を延伸し、次いで
延伸した貴金層の表面にビスマス系超電導前駆体又はビ
スマス系超電導体を形成し、焼成するビスマス系酸化物
超電導複合体の製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビスマス系酸化物超電導
複合体の製造法に関する。
複合体の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスマス系酸化物超電導体（以下Ｂｉ系
超電導体とする）は機械的強度が低い。このため金属基
材上にＢｉ系超電導体を形成したものが一般的に知られ
ているが、この場合多くの金属材料とＢｉ系超電導体と
が反応して超電導特性が低下することから、ステンレ
ス、インコネル等の鉄−ニッケル系耐熱合金基板上に中
間層として貴金属層を設け、この中間層上にＢｉ系超電
導体を焼き付ける方法が行われている。
超電導体とする）は機械的強度が低い。このため金属基
材上にＢｉ系超電導体を形成したものが一般的に知られ
ているが、この場合多くの金属材料とＢｉ系超電導体と
が反応して超電導特性が低下することから、ステンレ
ス、インコネル等の鉄−ニッケル系耐熱合金基板上に中
間層として貴金属層を設け、この中間層上にＢｉ系超電
導体を焼き付ける方法が行われている。
【０００３】例えば特開平４−１９９７００号公報に示
されるように、鉄−ニッケル系合金基板上に中間層とし
て金、銀等の貴金属を熱間圧延により拡散接合して複合
基板を作製し、この複合基板上にＢｉ系超電導体を形成
する方法が考案されている。また特開平３−１９２６１
５号公報には、鉄−ニッケル系合金基板上に貴金属また
はそれらの合金層を９００℃以上の温度で溶融して厚さ
３０μｍ以上の中間層を形成し、次いで該中間層上にＢ
ｉ系超電導体を形成後焼成する方法が考案されている。
されるように、鉄−ニッケル系合金基板上に中間層とし
て金、銀等の貴金属を熱間圧延により拡散接合して複合
基板を作製し、この複合基板上にＢｉ系超電導体を形成
する方法が考案されている。また特開平３−１９２６１
５号公報には、鉄−ニッケル系合金基板上に貴金属また
はそれらの合金層を９００℃以上の温度で溶融して厚さ
３０μｍ以上の中間層を形成し、次いで該中間層上にＢ
ｉ系超電導体を形成後焼成する方法が考案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】超電導体を実用化する
場合、例えば磁気シールド体のような用途に利用する場
合、大型で三次元（立体）構造の超電導体が要求され
る。この場合小型の超電導体を機械的に組み合わせて大
型化しただけでは、接合部から磁気が漏洩する。このた
め、高い磁気シールド性能を得るには一体化した超電導
体が必要となる。
場合、例えば磁気シールド体のような用途に利用する場
合、大型で三次元（立体）構造の超電導体が要求され
る。この場合小型の超電導体を機械的に組み合わせて大
型化しただけでは、接合部から磁気が漏洩する。このた
め、高い磁気シールド性能を得るには一体化した超電導
体が必要となる。
【０００５】さらに、金属複合基材上に形成されたＢｉ
系超電導体には電気抵抗が零となる臨界温度（以下Ｔｃ
とする）、臨界電流密度（以下Ｊｃとする）の低い部分
等の欠陥がある場合、この欠陥部分から磁気が漏洩し、
高い磁気シールド性能を得るためには、特性を含めたＢ
ｉ系超電導体の均質さが要求される。
系超電導体には電気抵抗が零となる臨界温度（以下Ｔｃ
とする）、臨界電流密度（以下Ｊｃとする）の低い部分
等の欠陥がある場合、この欠陥部分から磁気が漏洩し、
高い磁気シールド性能を得るためには、特性を含めたＢ
ｉ系超電導体の均質さが要求される。
【０００６】しかしながら、前者の場合（特開昭４−１
９９７００号公報の場合）鉄−ニッケル系合金と貴金属
中間層を接合するためには還元雰囲気中で高温高圧下で
行わなければならず、大型で三次元の一体複合基板の作
製が困難なばかりでなく、装置も大型化し、製造法と共
にこのような構造体も工業的ではない。
９９７００号公報の場合）鉄−ニッケル系合金と貴金属
中間層を接合するためには還元雰囲気中で高温高圧下で
行わなければならず、大型で三次元の一体複合基板の作
製が困難なばかりでなく、装置も大型化し、製造法と共
にこのような構造体も工業的ではない。
【０００７】一方後者の場合（特開平３−１９２６１５
号公報の場合）、貴金属またはそれらの合金層からなる
中間層を９００℃以上の温度で金属基体上に溶融形成す
るため、前者と同様大型で三次元の一体複合基板の作製
が困難なばかりでなく、貴金属またはそれらの合金層の
厚さも不均一となり、目標とする貴金属またはそれらの
合金層の厚さが得られないほか、部分的に金属基材と超
電導体が反応し良好な超電導特性が得られない可能性が
ある。
号公報の場合）、貴金属またはそれらの合金層からなる
中間層を９００℃以上の温度で金属基体上に溶融形成す
るため、前者と同様大型で三次元の一体複合基板の作製
が困難なばかりでなく、貴金属またはそれらの合金層の
厚さも不均一となり、目標とする貴金属またはそれらの
合金層の厚さが得られないほか、部分的に金属基材と超
電導体が反応し良好な超電導特性が得られない可能性が
ある。
【０００８】また、鉄−ニッケル系合金基板表面に溶射
法により貴金属中間層を形成し、複合基材を作製する方
法もあるが、溶射膜表面に超電導体を形成すると、溶射
膜表面の凹凸が大きいため超電導体の厚さが不均一とな
り超電導特性のばらつきが大きくなり易い、極端な場合
には超電導特性の得られない部分が発生するなどの問題
がある。さらに、溶射膜中に気孔が多いためこの気孔を
通して基材と超電導体が反応し、溶射膜が剥離したり超
電導特性が得られない部分が生じるなどの欠点がある。
法により貴金属中間層を形成し、複合基材を作製する方
法もあるが、溶射膜表面に超電導体を形成すると、溶射
膜表面の凹凸が大きいため超電導体の厚さが不均一とな
り超電導特性のばらつきが大きくなり易い、極端な場合
には超電導特性の得られない部分が発生するなどの問題
がある。さらに、溶射膜中に気孔が多いためこの気孔を
通して基材と超電導体が反応し、溶射膜が剥離したり超
電導特性が得られない部分が生じるなどの欠点がある。
【０００９】本発明は、上記の欠点のない大型の鉄−ニ
ッケル系合金層、貴金属層及びＢｉ系超電導体層からな
るＢｉ系超電導複合体の製造法を提供するものである。
ッケル系合金層、貴金属層及びＢｉ系超電導体層からな
るＢｉ系超電導複合体の製造法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、超電導特
性が良好な大型超電導体が得られる鉄−ニッケル系合金
と銀の複合体基材の構造について、特に銀が延性・展性
に優れていることに着目し種々検討した結果、銀溶射膜
表面を研磨、切削等のような方法で延伸力を加えられる
機械加工を施すことにより溶射膜の銀粒子が延伸し銀溶
射膜表面の開孔部を塞ぐことができ、超電導特性の均一
なＢｉ系超電導複合体が得られることを見出した。また
研磨、切削等により表面が平滑となるため、Ｂｉ系超電
導体の配向性が向上し超電導特性のうち臨界電流密度も
向上させることができることも確認した。
性が良好な大型超電導体が得られる鉄−ニッケル系合金
と銀の複合体基材の構造について、特に銀が延性・展性
に優れていることに着目し種々検討した結果、銀溶射膜
表面を研磨、切削等のような方法で延伸力を加えられる
機械加工を施すことにより溶射膜の銀粒子が延伸し銀溶
射膜表面の開孔部を塞ぐことができ、超電導特性の均一
なＢｉ系超電導複合体が得られることを見出した。また
研磨、切削等により表面が平滑となるため、Ｂｉ系超電
導体の配向性が向上し超電導特性のうち臨界電流密度も
向上させることができることも確認した。
【００１１】本発明は鉄−ニッケル系耐熱合金基板上に
溶射法で貴金属層を形成した後、該貴金属層の表面を延
伸し、次いで延伸した貴金属層の表面にＢｉ系超電導前
駆体又はＢｉ系超電導体を形成し、焼成するＢｉ系超電
導複合体の製造法に関する。
溶射法で貴金属層を形成した後、該貴金属層の表面を延
伸し、次いで延伸した貴金属層の表面にＢｉ系超電導前
駆体又はＢｉ系超電導体を形成し、焼成するＢｉ系超電
導複合体の製造法に関する。
【００１２】本発明において、鉄−ニッケル系耐熱合金
の種類、組成については特に制限はないが、超電導体を
形成する過程で８００℃以上の温度で酸素を含む雰囲気
中にさらされるため、耐熱性及び耐酸化性の良い材料、
例えばステンレス３０４、同３１０Ｓ、ハステロイ、イ
ンコネル６００、同６２５等を用いることが好ましい。
の種類、組成については特に制限はないが、超電導体を
形成する過程で８００℃以上の温度で酸素を含む雰囲気
中にさらされるため、耐熱性及び耐酸化性の良い材料、
例えばステンレス３０４、同３１０Ｓ、ハステロイ、イ
ンコネル６００、同６２５等を用いることが好ましい。
【００１３】貴金属層形成の溶射の方法はガス式、アー
ク式、プラズマ式等の方法で行うことができる。貴金属
としては金、銀又は金と銀との合金を用いることが好ま
しい。貴金属層の形成は上記のような溶射法で形成する
ものとし、溶射法以外の方法では厚付け（２０μｍ以
上）及び立体構造の表面への形成が困難である。
ク式、プラズマ式等の方法で行うことができる。貴金属
としては金、銀又は金と銀との合金を用いることが好ま
しい。貴金属層の形成は上記のような溶射法で形成する
ものとし、溶射法以外の方法では厚付け（２０μｍ以
上）及び立体構造の表面への形成が困難である。
【００１４】また貴金属層の膜厚については特に制限は
ないが、膜厚が薄い場合、貴金属層を通して超電導体と
基材が反応し超電導特性が低下する可能性があるため、
５０μｍ以上であることが好ましく、１００〜２００μ
ｍの範囲であればさらに好ましい。
ないが、膜厚が薄い場合、貴金属層を通して超電導体と
基材が反応し超電導特性が低下する可能性があるため、
５０μｍ以上であることが好ましく、１００〜２００μ
ｍの範囲であればさらに好ましい。
【００１５】貴金属層の延伸方法は特に制限はなく、サ
ンドペーパ、ダイヤモンドホイール、バフ等の研磨によ
る方法、バイトを用い表面を研削する方法、ロール圧
延、一軸プレスによる方法等で行うことができる。
ンドペーパ、ダイヤモンドホイール、バフ等の研磨によ
る方法、バイトを用い表面を研削する方法、ロール圧
延、一軸プレスによる方法等で行うことができる。
【００１６】延伸後の貴金属層の表面粗さは特に制限は
ないが、表面粗さが十点平均粗さ（以下Ｒｚとする）で
１５μｍ以下であれば、超電導体の膜厚のばらつきが小
さく、またＪｃのばらつきが小さいので好ましい。
ないが、表面粗さが十点平均粗さ（以下Ｒｚとする）で
１５μｍ以下であれば、超電導体の膜厚のばらつきが小
さく、またＪｃのばらつきが小さいので好ましい。
【００１７】本発明においては必要に応じＢｉ系超電導
前駆体を形成する前に熱処理が行われる。この熱処理温
度は、９４０℃未満であることが好ましい。
前駆体を形成する前に熱処理が行われる。この熱処理温
度は、９４０℃未満であることが好ましい。
【００１８】Ｂｉ系超電導体の組成については特に制限
はなく、例えばＢｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃ
ａ2Ｃｕ3ＯY等が代表される組成として使用できる。ま
たＰｂ、Ｓｂ等を含有した組成、定比組成からずれた組
成、主要元素を他の元素で一部置換した組成等も使用で
きる。
はなく、例えばＢｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃ
ａ2Ｃｕ3ＯY等が代表される組成として使用できる。ま
たＰｂ、Ｓｂ等を含有した組成、定比組成からずれた組
成、主要元素を他の元素で一部置換した組成等も使用で
きる。
【００１９】Ｂｉ系超電導体の前駆体の形成法について
も制限はなく、例えばＢｉ系超電導体用粉末に有機結合
剤、可塑剤、溶媒等を添加し、これらを混合してスラリ
ーとし、これをドクターブレード法によりグリーンシー
トを作製し積層する方法、スクリーン印刷する方法、ス
プレーにより吹き付ける方法、さらには超電導体用粉末
又は超電導体用ロッドをガス式、アーク式、プラズマ式
等の溶射法で形成することができる。
も制限はなく、例えばＢｉ系超電導体用粉末に有機結合
剤、可塑剤、溶媒等を添加し、これらを混合してスラリ
ーとし、これをドクターブレード法によりグリーンシー
トを作製し積層する方法、スクリーン印刷する方法、ス
プレーにより吹き付ける方法、さらには超電導体用粉末
又は超電導体用ロッドをガス式、アーク式、プラズマ式
等の溶射法で形成することができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比率が
原子比で２：２：１：２の組成に成るように三酸化ビス
マス（高純度化学研究所製：純度９９．９％）２２８．
３ｇ、炭酸ストロンチウム（高純度化学研究所製、純度
９９．９％）１４４．７ｇ、炭酸カルシウム（高純度化
学研究所製、純度９９．９％）４９．０ｇ及び酸化第二
銅７７．９ｇ（高純度化学研究所製、純度９９．９％）
を秤量し、出発原料とした。
原子比で２：２：１：２の組成に成るように三酸化ビス
マス（高純度化学研究所製：純度９９．９％）２２８．
３ｇ、炭酸ストロンチウム（高純度化学研究所製、純度
９９．９％）１４４．７ｇ、炭酸カルシウム（高純度化
学研究所製、純度９９．９％）４９．０ｇ及び酸化第二
銅７７．９ｇ（高純度化学研究所製、純度９９．９％）
を秤量し、出発原料とした。
【００２１】上記の出発原料を合成樹脂製のボールミル
内に合成樹脂で被覆した鋼球ボール及び水と共に充てん
し、２４時間湿式混合した後、ボールミルから取り出し
１００℃で２４時間乾燥して混合粉末を作製した。この
混合粉末をアルミナ匣鉢に入れ、電気炉を用いて大気中
で８００℃で、１０時間仮焼し、次いでらいかい機で粉
砕し、仮焼粉末を得た。
内に合成樹脂で被覆した鋼球ボール及び水と共に充てん
し、２４時間湿式混合した後、ボールミルから取り出し
１００℃で２４時間乾燥して混合粉末を作製した。この
混合粉末をアルミナ匣鉢に入れ、電気炉を用いて大気中
で８００℃で、１０時間仮焼し、次いでらいかい機で粉
砕し、仮焼粉末を得た。
【００２２】次に、この仮焼粉末をアルミナ匣鉢に入
れ、電気炉を用いて大気中で８４０℃で５０時間焼成し
た後、合成樹脂製のボールミル内にジルコニア製ボール
及び酢酸エチルと共に充てんし、４８時間湿式粉砕し
て、平均粒径が５μｍのＢｉ系２２１２相超電導体粉末
を得た。
れ、電気炉を用いて大気中で８４０℃で５０時間焼成し
た後、合成樹脂製のボールミル内にジルコニア製ボール
及び酢酸エチルと共に充てんし、４８時間湿式粉砕し
て、平均粒径が５μｍのＢｉ系２２１２相超電導体粉末
を得た。
【００２３】この後上記で得たＢｉ系２２１２相超電導
体粉末１００重量部にポリビニルブチラール樹脂（和光
純薬製、試薬一級）８重量部、フタル酸エステル（和光
純薬製、試薬一級）３重量部及びブタノール（和光純薬
製、試薬一級）５０重量部を添加して混合した後、脱気
を行い粘度１５Ｐａ・ｓのスラリーを得た。このスラリ
ーを厚さが１８０μｍのポリエステル製フィルム（東レ
製）上に供給し、ドクターブレード法で厚さ０．４ｍｍ
のＢｉ系２２１２相超電導体用グリーンシート（以下グ
リーンシートとする）を得た。
体粉末１００重量部にポリビニルブチラール樹脂（和光
純薬製、試薬一級）８重量部、フタル酸エステル（和光
純薬製、試薬一級）３重量部及びブタノール（和光純薬
製、試薬一級）５０重量部を添加して混合した後、脱気
を行い粘度１５Ｐａ・ｓのスラリーを得た。このスラリ
ーを厚さが１８０μｍのポリエステル製フィルム（東レ
製）上に供給し、ドクターブレード法で厚さ０．４ｍｍ
のＢｉ系２２１２相超電導体用グリーンシート（以下グ
リーンシートとする）を得た。
【００２４】一方上記とは別に、大きさが５０ｍｍ角及
び厚さが１ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３１０Ｓ）基板上
に通常のガス溶射法で貴金属層として銀を２００μｍの
厚さに溶射し、次いでこの銀溶射膜の表面を表面粗さが
Ｒｚで１０μｍとなるようにサンドペーパーで研磨して
複合基板を得、さらにこの複合基板の両面に上記で得た
グリーンシートを６０℃で１０ＭＰａの条件で、１５分
間加圧して積層体を得た。
び厚さが１ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３１０Ｓ）基板上
に通常のガス溶射法で貴金属層として銀を２００μｍの
厚さに溶射し、次いでこの銀溶射膜の表面を表面粗さが
Ｒｚで１０μｍとなるようにサンドペーパーで研磨して
複合基板を得、さらにこの複合基板の両面に上記で得た
グリーンシートを６０℃で１０ＭＰａの条件で、１５分
間加圧して積層体を得た。
【００２５】この積層体を大気中で３００℃までは５０
℃／時間、３００℃から８８０℃までは１５０℃／時間
の速度で昇温し、８８０℃で１時間熱処理後、８４０℃
までは１０℃／時間、８４０℃から常温までは３００℃
／時間の速度で冷却し、Ｂｉ系超電導複合体を得た。
℃／時間、３００℃から８８０℃までは１５０℃／時間
の速度で昇温し、８８０℃で１時間熱処理後、８４０℃
までは１０℃／時間、８４０℃から常温までは３００℃
／時間の速度で冷却し、Ｂｉ系超電導複合体を得た。
【００２６】得られたＢｉ系超電導複合体を５０ｍｍ×
５ｍｍの形状に切断して１０個の試料を作製し、それぞ
れの試料についてＴｃ及び液体窒素温度７７．３Ｋにお
けるＪｃを四端子法で測定したところ、Ｔｃは９２．２
Ｋ〜９３．４Ｋ及びＪｃは２３６０Ａ／ｃｍ2〜２８９
０Ａ／ｃｍ2と良好な超電導特性を示した。また外観を
観察した結果、基材と銀層間の剥離は見られず、液体窒
素浸漬後においても基材と銀層間の剥離は見られなかっ
た。
５ｍｍの形状に切断して１０個の試料を作製し、それぞ
れの試料についてＴｃ及び液体窒素温度７７．３Ｋにお
けるＪｃを四端子法で測定したところ、Ｔｃは９２．２
Ｋ〜９３．４Ｋ及びＪｃは２３６０Ａ／ｃｍ2〜２８９
０Ａ／ｃｍ2と良好な超電導特性を示した。また外観を
観察した結果、基材と銀層間の剥離は見られず、液体窒
素浸漬後においても基材と銀層間の剥離は見られなかっ
た。
【００２７】実施例２ 実施例１におけるステンレス基板をインコネル（６０
０）基板に、また研磨の方法をサンドペーパからダイヤ
モンドホイールに変更した以外は、実施例１と同様の工
程を経てＢｉ系超電導複合体を得た。得られたＢｉ系超
電導複合体について実施例１と同様の方法でＴｃ、Ｊｃ
の測定及び外観の観察をした結果、Ｔｃは９１．５Ｋ〜
９４．２Ｋ及びＪｃは２８２０Ａ／ｃｍ2〜３４６０Ａ
／ｃｍ2であり、また基材と銀層間の剥離は見られなか
った。
０）基板に、また研磨の方法をサンドペーパからダイヤ
モンドホイールに変更した以外は、実施例１と同様の工
程を経てＢｉ系超電導複合体を得た。得られたＢｉ系超
電導複合体について実施例１と同様の方法でＴｃ、Ｊｃ
の測定及び外観の観察をした結果、Ｔｃは９１．５Ｋ〜
９４．２Ｋ及びＪｃは２８２０Ａ／ｃｍ2〜３４６０Ａ
／ｃｍ2であり、また基材と銀層間の剥離は見られなか
った。
【００２８】実施例３ 実施例１における貴金属層を銀から金とした以外は、実
施例１と同様の工程を経てＢｉ系超電導複合体を得た。
得られたＢｉ系超電導複合体について実施例１と同様の
方法でＴｃ、Ｊｃの測定及び外観の観察をした結果、Ｔ
ｃは９２．５Ｋ〜９３．８Ｋ及びＪｃは３１２０Ａ／ｃ
ｍ2〜３６１０Ａ／ｃｍ2であり、また基材と銀層間の剥
離は見られなかった。
施例１と同様の工程を経てＢｉ系超電導複合体を得た。
得られたＢｉ系超電導複合体について実施例１と同様の
方法でＴｃ、Ｊｃの測定及び外観の観察をした結果、Ｔ
ｃは９２．５Ｋ〜９３．８Ｋ及びＪｃは３１２０Ａ／ｃ
ｍ2〜３６１０Ａ／ｃｍ2であり、また基材と銀層間の剥
離は見られなかった。
【００２９】比較例１ 実施例１における銀溶射膜の研磨を行わなかった以外は
実施例１と同様の工程を経てＢｉ系超電導複合体を得
た。得られたＢｉ系超電導複合体について実施例１と同
様の方法でＴｃ及びＪｃを測定した結果、液体ヘリウム
温度４．２Ｋにおいても抵抗は零にならず超電導性を示
さなかった。また、外観を観察した結果、超電導体層が
銀の隙間から浸透し基材と反応した箇所が見られ、それ
らの部分では簡単に銀溶射膜が剥離した。
実施例１と同様の工程を経てＢｉ系超電導複合体を得
た。得られたＢｉ系超電導複合体について実施例１と同
様の方法でＴｃ及びＪｃを測定した結果、液体ヘリウム
温度４．２Ｋにおいても抵抗は零にならず超電導性を示
さなかった。また、外観を観察した結果、超電導体層が
銀の隙間から浸透し基材と反応した箇所が見られ、それ
らの部分では簡単に銀溶射膜が剥離した。
【００３０】
【発明の効果】本発明の製造法によって得られるＢｉ系
超電導複合体は、超電導体焼成時の基材と超電導体の反
応がなく、良好な超電導特性を示すため、工業的に極め
て好適なＢｉ系超電導複合体である。
超電導複合体は、超電導体焼成時の基材と超電導体の反
応がなく、良好な超電導特性を示すため、工業的に極め
て好適なＢｉ系超電導複合体である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下田 修一郎 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内 (72)発明者 中田 孝夫 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 鉄−ニッケル系耐熱合金基板上に溶射法
で貴金属層を形成した後、該貴金属層の表面を延伸し、
次いで延伸した貴金属層の表面にビスマス系超電導前駆
体又はビスマス系超電導体を形成し、焼成することを特
徴とするビススマス系酸化物超電導複合体の製造法。 - 【請求項２】 貴金属層が金、銀又は金と銀との合金で
ある請求項１記載のビスマス系酸化物超電導複合体の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5062335A JPH06272021A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ビスマス系酸化物超電導複合体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5062335A JPH06272021A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ビスマス系酸化物超電導複合体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06272021A true JPH06272021A (ja) | 1994-09-27 |
Family
ID=13197162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5062335A Pending JPH06272021A (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ビスマス系酸化物超電導複合体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06272021A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008266687A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Chubu Electric Power Co Inc | エピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板及びその製造方法 |
| CN115376753A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-11-22 | 西北有色金属研究院 | 一种低成本Bi-2212超导薄膜的制备方法 |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP5062335A patent/JPH06272021A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008266687A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Chubu Electric Power Co Inc | エピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板及びその製造方法 |
| CN115376753A (zh) * | 2022-09-23 | 2022-11-22 | 西北有色金属研究院 | 一种低成本Bi-2212超导薄膜的制备方法 |
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