JPH01110564A - ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重合体組成物 - Google Patents

ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重合体組成物

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JPH01110564A
JPH01110564A JP62267413A JP26741387A JPH01110564A JP H01110564 A JPH01110564 A JP H01110564A JP 62267413 A JP62267413 A JP 62267413A JP 26741387 A JP26741387 A JP 26741387A JP H01110564 A JPH01110564 A JP H01110564A
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bisazide compound
bisazide
compound
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Akinori Shiotani
陽則 塩谷
Kiyomi Okimoto
沖本 清美
Kazuaki Nishio
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/008Azides

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性
重合体組成物に関するもので、本発明のビスアジド化合
物は、ホトレジスト用の微細パターンの形成材料等とし
て好適なものである。
〔従来の技術〕
電子工業等における微細加工技術の分野において、ビス
アジド化合物が微細パターンの形成材料等として汎用さ
れている。これらのビスアジド化合物の例としては、2
,6−ビス(4−アジドベンジリデン)シクロヘキサノ
ン、2,6−ビス(4−アジドシンナミリデン)−4−
メチルシクロヘキサノン等が挙げられる(特開昭57−
168942号公報参照)。そして、これらのビスアジ
ド化合物は、一般に、微細パターンの形成に使用する場
合、重合体に添加され、感光性重合体組成物として用い
られている。
尚、特開昭60−114857号公報には、ベンゼン環
をナフタレン環及びアントラセン環に交換した芳香族ア
ジド化合物が例示されているが、これは単に可能性を示
しただけで、実際に上記化合物が単離された例はない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記のビスアジド化合物を配合した感光性重合体組成物
は、水銀灯の436nmのg線及び405nmのh線に
対して感度が低い問題がある。
従って、本発明の目的は、長波長領域に高い感度を有す
る新規なビスアジド化合物及びそれを含存する感光性重
合体組成物を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは、種々検討した結果、ナフタリン環内にア
ジド基とホルミル基を含む新規な化合物と、ケトン類又
はジアミン類とを縮合反応させることにより、前記目的
を達成するビスアジド化合物が得られることを知見した
本発明は、上記知見に基づきなされたもので、4−アジ
ド−1−ナフトアルデヒドとケトン類又はジアミン類と
の縮合反応で得られる、ビスアジド化合物を提供するも
のである。
また、本発明は、重合体に上記の本発明のビスアジド化
合物を添加してなる、感光性重合体組成物を提供するも
のである。
以下、まず、本発明のビスアジド化合物について詳述す
る。
本発明のビスアジド化合物の代表例としては、下記のも
のが挙げられる。
4−アジド−1−ナツトアルデヒドとケトン類との縮合
反応で得られるビスアジド化合物としては、例えば、 等が挙げられ、また、4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ドとジアミン類との縮合反応で得られるビスアジド化合
物としては、例えば、 (レーCH,CH,−1−〇′ 等が挙げられる。
本発明のビスアジド化合物は、上記化合物に限定される
ものではなく、本発明のビスアジド化合物には、下記の
反応試薬(ケトン類及びジアミンR)を種々選択するこ
とによって得られる上記化合物以外の種々のビスアジド
化合物も包含される。
4−アジド−1−ナツトアルデヒドと縮合反応させる上
記ケトン類としては、例えば、4−メチルシクロヘキサ
ノン、4−n−アミルシクロヘキサノン、4−アジドア
セトフェノン、1−メチル−4−ピペリドン等が挙げら
れ、また、上記ジアミン類としては、例えば、エチレン
ジアミンヒドラ−)、4.4° −ジアミノジフェニル
エニテル、3.5−ジアミノ安息香酸、パラフェニレン
ジアミン、2.5−ジアミノトルエン塩酸塩等が挙げら
れる。
また、出発物質としての4−アジド−1−ナツトアルデ
ヒドは、下記式で示される構造を有する新規化合物であ
るので、以下、この4−アジド−1−ナフトアルデヒド
について詳述する。
上記の4−アジド−1−ナフトアルデヒドは、4−ブロ
モー1−ナフトアルデヒドをアジド化することにより得
ることができる。
原料としての4−ブロモ−1−ナツトアルデヒドは、例
えば、次の経路により合成できる。1−メチルナフタリ
ンを臭素と反応させて1−ブロモ−4−メチルナフタリ
ンとする(J、5auer、 R,Iluisgen+
 A、Hauser、 Ber、911461 (19
5B)参照)。次いで、これをN−ブロモサクシイミド
又は臭素/光により臭素化して1−ブロモメチル−4−
ブロモナフタリンを合成する(N、B、Chapman
、 J、F、^、Ui11iams、 J、Chem、
Soc、 5044(1952)参照〕、然る後、これ
をヘキサメチレンテトラミンと反応させることにより、
4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドに変換できる(Or
g、 Syn、 Co1. vol、4.690参照)
この4−プロモーl−ナフトアルデヒドのアジド化は、
ナトリウムアジド又はリチウムアジドを用いて行うこと
ができる。その際の反応溶媒としては、ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン
等のアプロチック溶媒が好適である。
上記のナトリウムアジド又はリチウムアジドの使用量は
、4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドに対して、通常1
〜4倍モルとすると良い、リチウムアジドはナトリウム
アジドに比して溶解性が高いので好適である。
また、上記反応溶媒の使用量は、4−ブロモ−1−ナフ
トアルデヒドの濃度が通常1〜10重量%となる量とす
ると良い。
また、上記アジド化の反応温度は室温〜150℃、好ま
しくは40〜100℃とすると良い、反応時間は10分
〜10時間、好ましくは1〜6時間とすると良い。
反応液中からの生成物(4−アジド−1−ナフトアルデ
ヒド)の回収は、次のようにして行えば良い。
反応終了後、反応液を水中に混合すると生成物が析出す
る。これをメタノール、エタノール、n−ヘキサン等で
再結晶すると、純品の目的物(4−アジド−1−ナフト
アルデヒド)が得られる。
上述の如くして得られる4−アジド−1−ナフトアルデ
ヒドは、感光性物質であるので、上記合成は黄色光下に
行うことが好ましい。
また、本発明のビスアジド化合物を得るための前記4−
アジド−1−ナフトアルデヒドと前記ケトン類又は前記
ジアミン類との縮合反応は、下記の如くして行うことが
できる。
アルデヒドとケトン類との縮合反応はアルカリ触媒の存
在下に容易に進行することが公知であり、(Org、 
 Syn、  col、  vol、1+78+  ^
、  Aizenshtat+  M。
Hausmann+ Y、 Pickholtz、 o
、 Tal、 J、 Blu@、 J。
Org、 Chew、 42.2386(1977))
、本発明のビスアジド化合物を得るための前記4−アジ
ド−1−ナフトアルデヒドと前記ケトン類との縮合反応
は、上記の公知の方法に従って行うことができる。
前記4−アジド−1−ナフトアルデヒドと前記ケトン類
との好ましい使用割合は、4−アジド−1−ナフトアル
デヒド1モルに対して、ケトン類0.4〜0.6モルで
ある。
また、上記縮合反応で用いられるアルカリ触媒としては
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が使用できる。
、  また、上記縮合反応で用いられる反応溶媒として
は、水、メタノール、エタノール等が使用でき、その使
用量は、4−アジド−1−ナフトアルデヒドの濃度が通
常0.1〜10重量%となる量とすると良い。
また、上記縮合反応の反応温度は、反応が進行する温度
であれば特に制限はないが、生成物(ビスアジド化合物
)の安定性から100℃以下が好ましい。
また、アルデヒドとアミン類との縮合反応はシッフ塩基
の生成として公知であり(S、 Patai+ ”Th
e Chea+1stry of the aa+in
o group”、 Intersetence、 L
ondon、 1968. p、367) 、本発明の
ビスアジド化合物を得るための前記4−アジド−1−ナ
フトアルデヒドと前記ジアミン類との縮合反応は、上記
の公知の方法に従って行うことができる。
前記4−アジド−1−ナフトアルデヒドと前記ジアミン
類との好ましい使用割合は、4−アジド−1−ナフトア
ルデヒド1モルに対して、ジアミン類0.4〜0.6モ
ルである。
また、上記縮合反応で用いられる反応溶媒としては、前
記のケトン類との縮合反応の場合と同様な反応溶媒が使
用でき、また反応温度も、前記のケトン類との縮合反応
の場合と同様な理由から100℃以下が好ましい。
尚、出発物質(4−アジド−1−ナツトアルデヒド)及
び生成物(本発明のビスアジド化合物)ともに感光性物
質であるので、前記4−アジド−1−ナツトアルデヒド
と前記ケトン類又は前記ジアミン類との縮合反応は、黄
色光下で行うことが好ましい。
上述の如くして得られる本発明のビスアジド化合物は、
新規化合物であり、UV測定の結果、長波長領域に強い
吸収を示すので、ホトレジスト用のパターンの形成材料
等として好適なものである。
次に、上述の本発明のビスアジド化合物を含有する本発
明の感光性重合体組成物について詳述する。
本発明の感光性重合体組成物の構成成分である重合体と
しては、感光性重合体組成物のベースポリマーとして通
常用いられているポリマーが使用でき、好ましくは、ビ
フェニルテトラカルボン酸成分と有機ジアミン成分との
重縮金物からなる有機溶媒可溶性の芳香族ポリイミド、
環化ゴム、特開昭62−169155号公報等に記載の
マレイミド共重合体等を挙げることができる。
本発明のビスアジド′化合物と上記重合体との使用割合
は、上記重合体100重量部に対し、本発明のビスアジ
ド化合物1〜40重世部、特に2〜20重量部とするの
が好ましい。
本発明の感光性重合体組成物は、ホトレジスト用の微細
パターンの形成材料として使用する場合、一般に、N−
メチル−2−ピロリドン等の有機溶媒に好ましくは2〜
50重量%の割合で溶解した溶液(レジスト溶液)とし
て用いられる。
本発明の感光性重合体組成物によれば、上記の如くレジ
スト溶液を調製することにより、例えば次のようにして
微細パターンを形成することができる。
上記レジスト溶液を基板に塗布し、乾燥後、塗膜上に所
定のホトマスクを密着させ、該ホトマスクの上方から紫
外線等の光線を照射する。露光後、上記ホトマスクを除
去し、上記レジスト溶液の調製に用いた有機溶媒等によ
り塗膜を現像して未露光部分を除去し、微細パターンを
得る。
〔実施例〕
以下に本発明のビスアジド化合物の製造に用いられる4
−アジド−1−ナツトアルデヒドの合成を示す合成例、
本発明のビスアジド化合物の製造を示す実施例、本発明
の感光性重合体組成物をパターンの形成に用いた使用例
、及び比較例を挙げ、本発明を更に詳細に説明する。尚
1.4−アジドー1−ナフトアルデヒド及び本発明のビ
スアジド化合物は感光性物質であるので、合成例及び実
施例は黄色光下に実施した。
合成例1 〔4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドの合成
〕 く1−ブロモ−4−メチルナフタリンの合成〉1−メチ
ルナフタリン53.6 g (0,377モル)を10
0s+1の四塩化炭素に溶解させ、室温にて光を遮断し
て、臭素60.3g (0,377M)を滴下した。3
時間還流した後、溶媒を留去した。
次いで、減圧蒸留してKl)14160〜170℃の留
分64g(収率77%)を得た。
(1−ブロモメチル−4−ブロモナフタリンの合成) 上記で得た留分64g(1−メチルナフタリン/1−ブ
ロモー4−メチルナフタリン=3/97)を20011
11の四塩化炭素に溶解させ、N−ブロモサクシイミド
51.6g及びヘンシイルベルオキシド0.5gと共に
7時間還流した。濾過及び熱四塩化炭素150m1洗の
後、放置すると、結晶が析出した。これをエタノール2
00m1で再結晶して34.2 gの1−ブロモメチル
−4−ブロモナフタリンを得た。
先の四塩化炭素母液から四塩化炭素を留去した後、エタ
ノールの再結晶母液と合わせ、再結晶を2回行って22
.0 [の結晶を得た。合計56.2 gの生成物を得
たく収率65%)。
く4−ブロモー1−ナフトアルデヒドの合成〉上記生成
物(1−ブロモメチル−4−ブロモナフタリン)34g
 (0,227M)を酢酸50m1及び水50m1に溶
解させ、ヘキサメチレンテトラミン31.8 g (0
,227M)と共に2時間還流した。
濃塩酸40n+lを加え、15分還流後、冷却した。
エーテル70m1で4回抽出、水4011で3回洗浄、
10%炭酸ナトリウム水溶液40m1で洗浄、水4Ow
+で洗浄後、エーテル層を硫酸マグネシウムで乾燥した
。エーテルを留去後、メタノール1501で再結晶し1
6.1 gの生成物を得た0口液からさらに2.9gを
得、合計19.0g(収率72%)の4−ブロモー1−
ナフトアルデヒドを得た。
合成例2〔リチウムアジドの合成〕 ツーベン ワイル(Houben−Weyl″Meth
oden der Organishen Chemi
e X3+ P784 Georg Th1e+*e 
Verlag Stuttgart (1965) )
の方法に従い、ナトリウムアジド6.5gから、リチウ
ムアジドs、 i o gを得た。
合成例3 合成例1で得られた4−ブロモ−1−ナフトアルデヒド
2.351g(10ミリモル)及び合成例2で得られた
リチウムアジド0.734g(15ミリモル)を60m
1のN−メチル−2−とロリドンに溶解させ、80℃に
て4時間攪拌した0反応液は均一溶液であった0反応液
を4501の水の中へ投入すると固体が析出した。これ
を濾過、水50m1で洗浄、40℃にて真空乾燥後、メ
タノール140m1から再結晶した。熱時濾過し、放置
すると、黄金色の結晶が析出した。この結晶1.139
g及び母液からさらに0.413gの結晶を得、合計1
.552 gの4−アジド−■−ナツトアルデヒドを得
た(収率79%)。
融点、元素分析、赤外吸収スペクトル及び質量スペクト
ルを測定し、生成物が4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ドであることを確認した。測定結果は下記の通りである
融点:9o、s〜91.0℃ 元素分析(%)  : C,、Hl NS O(197
,20)C66,9983,66N  21.22(計
算値F  C67,0O1H3,58、N21.31)
赤外吸収スペクトル(KBr)  : 2100c+s
−’ (Ns )質量スペクトル:M/Z=197  
(M” )実施例1 〔2,6−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−4−メチルシクロヘキサノン(ビスアジド化合物11
hl)の製造〕 0、40 gのカセイソーダ、3+*1の水及び15m
1のエタノールからなる溶液に0.36 gの4−メチ
ルシクロヘキサノンを加え、さらに合成例3で得られた
4−アジド−1−ナフトアルデヒド1.26g/エタノ
ール20a+1の溶液を混合し、室温にて3時間攪拌し
た。析出した結晶を濾過し、エタノールで洗浄後、ベン
ゼンから再結晶して0.30 gの生成物(ビスアジド
化合物阻1)を得た(収率20%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電子衝撃質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%)  : Cz*HgtN* O(470
,54)C73,80H4,80N  17.62(計
算値: C74,03、H4,71、N17.86)赤
外吸収スペクトル(KBr)  : 2110cm−’
(N3)質量スペクトル:M/Z−470(M”)実施
例2 〔2,6−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−4−n−アミルシクロヘキサノン(ビスアジド化合物
尚2)の製造〕 0、38 gのカセイソーダ、3M夏の水及び】51の
エタノールからなる溶液に0.43 gの4−n−アミ
ルシクロヘキサノンを加え、さらに合成例3で得られた
4−アジド−1−ナフトアルデヒド1゜012g/エタ
ノール140m1の溶液を混合し、室温にて4時間攪拌
した。その後、実施例1と同様にして0.50 gの生
成物(ビスアジド化合物−2)を得た(収率37%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電子衝撃質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%)  : Cs5HsoNa o (52
6,65)C74,25H5,75N  15.13(
計算値:C15,26、H5,74、N15.96)赤
外吸収スペクトル(KBr)  : 2100c+m−
’(Ns)質量スペクトル: M/Z −498(M”
 −28)実施例3 (3−(4−アジド−1−ナフチル) −1−(4〜ア
ジドフエニル)−プロパー2−エン−1−オン(ビスア
ジド化合物部3)の製造〕 0、38 gのカセイソーダ、3−1の水及び15−1
のエタノールからなる溶液にo、 s o gの4−ア
ジドアセトフェノン(東洋合成工業■製)を加え、さら
に合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ド0.99g/エタノール140aIlの溶液を混合し
、室温にて1時間攪拌した。その後、実施例1と同様に
して1.143 gの生成物(ビスアジド化合物阻3)
を得た(収率73%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電子衝撃質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%): C+wHtzN&O(340,35
)C66,77H3,48N  24.20(計算値F
C67,05、H3,56、N24.69)赤外吸収ス
ペクトル(KBr)  : 2100ca−’(Ns)
質量スペクトル: M/Z−340(M” ”)実施例
4 〔3,5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−1−メチル−4−ピペリドン(ビスアジド化合物隘4
)の製造〕 0.31gのカセイソーダ、3mlの水、15曙1のエ
タノールからなる溶液に0.28 gの1−メチル−4
−とペリトンを加え、さらに合成例3で得られた4−ア
ジド−1−ナツトアルデヒド1.013g/エタノール
150m1の溶液を混合し、室温にて8時間攪拌した。
その後、実施例1と同様にして0.38gの生成物(ビ
スアジド化合物患4)を得た(収率32%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電子衝撃質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%)  : CtsH2+N−r O(47
1,53)C71,00H4,38N  20.26(
計算値:C71,32、H4,49、N20.79>赤
外吸収スペクトル(KBr)  : 2100cm−’
(11+)質量スペクトル: M/Z = 443  
CM” −28)実施例5 〔1,2−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)−エタン(ビスアジド化合物隘5)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナツトアルデヒド
0.394g/エタノール10翔1の溶液とエチレンジ
アミンヒドラ−)0.078g/エタノール5mlの溶
液とを混合し、50℃にて5時間攪拌した。析出した結
晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.389 g
の生成物(ビスアジド化合動磁5)を得た(収率93%
)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%)  : CtaH+sl’ls  (4
18,46)C69,09H4,43N  26.47
(計算値:C68,89、H4,34、N26.78>
赤外吸収スペクトル(KBr)  : 2100cm−
’(Ni)質量スペクトル:M/Z=418’(M’)
実施例6 〔4,4°−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン
−イミノ)ジフヱニルエーテル(ビスアジド化合物N1
6)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.394g/エタノール10m1の溶液と4.4゛ 
−ジアミノジフェニルエーテル0.200g/エタノー
ル20+mlの溶液とを混合し、50℃にて8時間攪拌
した。析出した結晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して
、0.533gの生成$5(ビスアジド化合物N16)
を得た(収率95%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%): C5nHz□N、 O(558,6
1)C72,84H3,94N  19.82(計算値
:C73,11、H3,97、N20.06)赤外吸収
スペクトル(KBr)  : 2100c11+−’(
N+)ft量スペクトルF M/Z=558  (M”
 ’)実施例7 〔3,5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)安息香酸くビスアジド化合物隘7)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.394g/メタノール10m1の?容液と3.5−
ジアミノ安息香酸0.152g/メタノール151の溶
液とを混合し、70℃にて1時間攪拌した。析出した結
晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.440 g
の生成物(ビスアジド化合動磁7)を得た(収率87%
)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%)  : CzqH+++Ot Ns  
(510,52)C67,1L   H3,48N  
21.46(計算値: C68,23、H3,55、N
21.95)赤外吸収スペクトル(KBr)  : 2
100cm−’(Ni)質量スペクトル: M/Z−5
10(M”″)実施例8 〔1,4−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)ベンゼン(ビスアジド化合動磁8)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.394g/エタノール1(1+Iのt容液とパラフ
ェニレンジアミン0.108g/エタノール5mlの溶
液とを混合し、50℃にて5時間撹拌した。析出した結
晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.4 ’30
 gの生成物(ビスアジド化合物阻8)を得た(収率9
2%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることをi認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%): Ct*H+mNw  (466,5
1)C72,03H3,89N  23.85(計算値
:C72,09、H3,89、N24.02)赤外吸収
スペクトル(KBr)  : 2100cm−’(Ns
)質量スペクトル二M/Z−466(M” )実施例9 〔2,5ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−イ
ミノ)トルエン(ビスアジド化合動磁9)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトア!レデヒ
ド1.020g/エタノール30懺lの溶液と2.5−
ジアミノトルエン塩酸塩0.526g10゜IN−KC
)H−エタノール55g+1の溶液とを混合し、45℃
にて3時間攪拌した。析出した結晶を濾過し、水洗、エ
タノールで洗浄して、1.140gの生成物(ビスアジ
ド化合動磁9)を得た(収率97%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%’):C1QH1ON@  (480,5
3)C72,45H4,15N  22.95(計算(
fi : C72,49、H4,20、N23.32)
赤外吸収スペクトル(KBr)  : 2105C11
−’(N3)質量スペクトル:M/Z−480(M’)
次に、上記実施例1〜9で得られたビスアジド化合物阻
1〜9のUV測定結果を下記表−1に示す(溶媒:N−
メチルピロリドン)。
表−1 化合物 最大吸収  モル吸光係数(X 10”)阻 
 λwax  g wax  εfigs  t 46
%  ε411  3B2   2B、3  25.2
 23.8  7.92  382   26.0  
24.1 21.3  7.13  385   23
.1  19.4 19.0  3.44  388 
  27.8  22.8 25.5  9.35  
339   32.7   7.9 0.49  0.
436  372   48.0  46.1 26.
1  1.97  362   40.4  40.3
 16.?   1.68  401   41.4 
 26.5 41.1  22.99  403   
3B、8  25.6 38.7  23.5市版品”
358   43.0  41.3  5.8  0.
52*東洋合成工業■製BAC−M: H3 使用例I N−メチル−2−ピロリドン34.0mlに2.3゜3
°、4° −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物5.
69g、3.5−ジアミノベンジルメタアクリレート2
.66 g及び4,4゛ −ジアミノジフェニルエーテ
ル1.16gを加え、20℃で24時間攪拌して反応さ
せ、ポリアミック酸を得た。このポリアミック酸にN−
メチル−2−ピロリドン119m1を加え希釈した後、
無水酢酸35g及びピリジン13.5gを加え、30℃
で4時間反応させポリイミド化物を得た。このポリイミ
ド化物にメタノールを加えポリイミドを析出し、白色の
ポリイミド粉末(0,5g/d!NMPの30℃での対
数粘度0.52)を得た。
得られたポリイミド粉末2gt−N−メチル−2−ピロ
リドン10m1に溶解し、その溶液に実施例7で得られ
た3、5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレンイ
ミノ)安息香酸(ビスアジド化合物患?)0.1.5g
を加えて溶解させ、感光性重合体組成物の溶液を得た。
この溶液をスピンナーでガラス表面に塗布し、70℃で
30分間乾燥して厚さ3.5μmの塗膜を得た。得られ
た塗膜を10μmのラインアンドスペースの縞模様のホ
トマスクで密着被覆し、500W高圧水銀灯で20秒間
紫外線照射した。露光後、N−メチル−2−ピロリドン
/エタノール(4/1容)からなる溶液で3分間現像し
、次いでエタノールでリンスし、パターンを得た。この
パターンを160℃で30分間、続いて230℃で30
分間熱処理し、鮮明なポリイミドのパターンを得た。
比較例1 3.5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレンイミ
ノ)安息香酸の代わりに2,6−ビス(4−アジドベン
ジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン(東洋合成工
業■製)を使用した以外は使用例1と同様に実施したが
、鮮明なパターンを得ることはできなかった。
〔発明の効果〕
本発明のビスアジド化合物は、長波長領域に高い感度を
有する新規な化合物で、ホトレジスト用の微細パターン
の形成材料等として好適なものである。
また、本発明の感光性重合体組成物によれば、ホトレジ
スト用の鮮明な微細パターンを形成することができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)4−アジド−1−ナフトアルデヒドとケトン類又
    はジアミン類との縮合反応で得られる、ビスアジド化合
    物。
  2. (2)重合体に、4−アジド−1−ナフトアルデヒドと
    ケトン類又はジアミン類との縮合反応で得られるビスア
    ジド化合物を添加してなる、感光性重合体組成物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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