JPH0341475Y2 - - Google Patents

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JPH0341475Y2
JPH0341475Y2 JP1985192324U JP19232485U JPH0341475Y2 JP H0341475 Y2 JPH0341475 Y2 JP H0341475Y2 JP 1985192324 U JP1985192324 U JP 1985192324U JP 19232485 U JP19232485 U JP 19232485U JP H0341475 Y2 JPH0341475 Y2 JP H0341475Y2
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conductor
solder
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dielectric
hybrid integrated
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages

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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は混成集積回路に係り、特に導体上に
ハンダを介して被ハンダ付部材を固着するための
厚膜多層構造に関するものである。
〔従来の技術〕
混成集積回路の製造にあたり、その信頼性に重
要なかかわりを持つ技術にハンダ付け技術があ
る。混成集積回路におけるハンダ付けは、パツケ
ージのハンダ封止や各種の能動、受動素子を基板
上の導体に接続する際に用いられているが、ハン
ダ付けを良好に行うには種々の条件を満さなけれ
ばならない。即ち、基板上の接続個所たる導体は
ハンダ付け性が良好で、かつハンダ食われに強い
(以下ハンダ耐性という)金属でなければならず、
また基板との密着強度も高いものでなければなら
ない。
一般に、ハンダ付け性とハンダ耐性はその機構
上二律背反の特性であり、この両者を一種類で同
時に満足させる厚膜導体はないが、比較的良好な
結果をもたらすものにAg−Pd,Au−Pt等の導
体がある。従来のパツケージのハンダ封止法は、
上記金属のいずれかを用いて、セラミツク基板あ
るいは結晶、非結晶質ガラス等からなる誘電体上
に単層の厚膜導体を形成し、この導体上にメタル
カバーをハンダ付けしている。しかしながら、
Ag−Pd系の導体はハンダ付け性は良いがハンダ
耐性に劣り、またAg−Pt系の導体はハンダ耐性
は良いがハンダ付け性に劣り、結果として共にハ
ンダ付け信頼性が低いという欠点があつた。
〔考案が解決しようとする問題点〕
混成集積回路の製造工程におけるパツケージの
ハンダ封止や各種の能動、受動素子を基板上の導
体にハンダ接続するにあたり、基板もしくは誘電
体への密着性がよく、かつ二律背反の特性たるハ
ンダ付け性とハンダ耐性を同時に満足させる厚膜
多層構造を備えた混成集積回路を提供するもので
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案は上述の欠点に鑑みなされたもので、そ
の特徴とするところは、セラミツク基板上に導体
と誘電体を厚膜法により所望の回路に形成してな
る混成集積回路において、前記セラミツク基板も
しくは誘電体上に所望の形状に形成されたAg−
Pt系の第1の導体と、該第1の導体上に形成さ
れたAg−Pd系の第2の導体とを備え、前記第2
の導体の所望箇所にハンダを介して被ハンダ付部
材を固着した混成集積回路にある。
〔作用〕
Ag−Pt系の第1の導体は、セラミツク基板も
しくは誘電体に強固に密着すると共にハンダ耐性
が良いので、この第1の導体上に形成した、被ハ
ンダ付部材に対し良好なハンダ付け性を示すAg
−Pd系の第2の導体がハンダに食われても、第
1の導体においてハンダ食われの進行を阻止する
ことができる。
〔実施例〕
以下、本考案の一実施例につき図面を参照して
説明する。図において1はセラミツク基板であ
り、2は回路を構成する導体、3はこの導体2と
一体に形成された入出力端子である。4は回路2
に搭載された半導体チツプ、5は上下回路2また
はそれらの回路2とハンダ封止用導体6とを絶縁
するための非結晶質ガラス等の誘電体である。こ
のような構造の混成集積回路に被ハンダ付け部材
たる金属カバー7をハンダ封止する従来技術は、
誘電体5とカバー7との間に単層厚膜導体を形成
して、該導体とカバーをハンダ付けしていたがそ
の欠点は前述のとおりである。そこで本考案にお
いては、単層厚膜導体でハンダ付け性、ハンダ耐
性および誘電体への密着性を満たそうとせずに、
複数の厚膜導体を用いることによつてこれらの要
求を満たすものである。即ち、誘電体5上にAg
−Pt系の第1の厚膜導体8を形成することによ
つて、ハンダ耐性と誘電体5への密着性を確保
し、更に、この第1の厚膜導体8上にAg−Pd系
の第2の厚膜導体9を形成して、カバー7をハン
ダ10によつてハンダ付けすることにより、良好
なハンダ付け性をも得ることができる。本実施例
においては、第1の厚膜導体8としてAg:70〜
90wt%、Pt:30〜10wt%のAg−Ptペースト、第
2の厚膜導体9としてAg:60〜100wt%、Pd:
40〜0wt%のAg−Pdペーストを使用し、Sn63の
ハンダを用いてフラツクスなしでハンダ付けして
良好な成果を得た。
また本実施例においては、誘電体5上にハンダ
封止用導体6を形成したが、混成集積回路の構造
によつては、直接セラミツク基板1上に形成して
もよいことはいうまでもない。
〔考案の効果〕
本考案になる混成集積回路は、ハンダ封止にあ
たり要求されるハンダ付け性、ハンダ耐性および
基板もしくは誘電体への密着性を、基板もしくは
誘電体とカバー間に2層の厚膜導体を形成するこ
とによつて満足させたので、信頼性の高い気密ハ
ンダ封止を施した混成集積回路を提供することが
できる。また、ハンダ付け性にすぐれるので、封
止作業を能率的に行うことができる。
なお、本考案に係る厚膜構造はハンダ封止用導
体に限らず、能動、受動素子の接続用高信頼性回
路としても用いることができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本考案の一実施例たる混成集積回路の縦
断面図である。 1……セラミツク基板、2……回路、5……誘
電体、6……ハンダ封止用導体、7……被ハンダ
付け部材、8……第1の導体(Ag−Pt系)、9…
…第2の導体(Ag−Pd系)、10……ハンダ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. セラミツク基板上に導体と誘電体を厚膜法によ
    り所望の回路に形成してなる混成集積回路におい
    て、前記セラミツク基板もしくは誘電体上に所望
    の形状に形成されたAg−Pt系の第1の導体と、
    該第1の導体上に形成されたAg−Pd系の第2の
    導体とを備え、前記第2の導体の所望箇所にハン
    ダを介して被ハンダ付部材を固着したことを特徴
    とする混成集積回路。
JP1985192324U 1985-12-16 1985-12-16 Expired JPH0341475Y2 (ja)

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JP1985192324U JPH0341475Y2 (ja) 1985-12-16 1985-12-16

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JPS62101234U JPS62101234U (ja) 1987-06-27
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JP2591999Y2 (ja) * 1990-01-22 1999-03-10 日本電気株式会社 集積回路のパッケージの構造

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JPS62101234U (ja) 1987-06-27

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