JPH01115145A - 樹脂封止形集積回路 - Google Patents
樹脂封止形集積回路Info
- Publication number
- JPH01115145A JPH01115145A JP27456287A JP27456287A JPH01115145A JP H01115145 A JPH01115145 A JP H01115145A JP 27456287 A JP27456287 A JP 27456287A JP 27456287 A JP27456287 A JP 27456287A JP H01115145 A JPH01115145 A JP H01115145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- circuit chip
- package
- metal
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロコンピュータやＣＰＵ等の高速動作モ
ノリシックＩＣに関し、特にその樹脂パッケージに関す
るものである。
ノリシックＩＣに関し、特にその樹脂パッケージに関す
るものである。
従来、８ビツト、１６ビツト、３２ビツトのＣＰＵ や
エチツプマイコンのパッケージは、主に第３図および第
４図に示すような樹脂封止形のものが使用されている。
エチツプマイコンのパッケージは、主に第３図および第
４図に示すような樹脂封止形のものが使用されている。
第３図は樹脂封止形集積回路をパッケージの一部を破断
して示す斜視図、第４図はその側面図である。これらの
図において、１は集積回路チップ、２は金属リード、３
は前記集積回路チップ１０表面電極（図示せず）と金属
リード２とを接続するための金細線、４はこれら集積回
路チップ１．金属リード２．金細線３を封止すると共に
パッケージ５を形成するエポキシ樹脂である。
して示す斜視図、第４図はその側面図である。これらの
図において、１は集積回路チップ、２は金属リード、３
は前記集積回路チップ１０表面電極（図示せず）と金属
リード２とを接続するための金細線、４はこれら集積回
路チップ１．金属リード２．金細線３を封止すると共に
パッケージ５を形成するエポキシ樹脂である。
このように構成されたＣＰＵ等の集積回路は、その動作
周波数が命令語長の拡大と処理機能の高度化に伴い１０
ＭＨｚ〜２０ＭＨｚという高速で動作するものが実用化
されている。
周波数が命令語長の拡大と処理機能の高度化に伴い１０
ＭＨｚ〜２０ＭＨｚという高速で動作するものが実用化
されている。
しかるに、集積回路の動作の高速化に伴い集積回路チッ
プの表面から高周波が発生し、樹脂パッケージは電磁波
に対しては遮蔽能力がないため、周辺機器に電波障害を
引き起こすという問題があった。
プの表面から高周波が発生し、樹脂パッケージは電磁波
に対しては遮蔽能力がないため、周辺機器に電波障害を
引き起こすという問題があった。
本発明に係る樹脂封止形集積回路は、集積回路パンケー
ジの表面に金属膜を形成し、この金属膜を接地したもの
である。
ジの表面に金属膜を形成し、この金属膜を接地したもの
である。
集積回路チップが発する電磁波は金属膜によって遮蔽さ
れる。
れる。
以下、その構成等を図に示す実施例により詳細に説明す
る。第１図は本発明に係る金属薄膜が形成された樹脂封
止形集積回路をパッケージの一部を破断して示す斜視図
である。同図において前記従来例で説明したものと同一
もしくは同等部材については同一符号を付し、詳細な説
明は省略する。
る。第１図は本発明に係る金属薄膜が形成された樹脂封
止形集積回路をパッケージの一部を破断して示す斜視図
である。同図において前記従来例で説明したものと同一
もしくは同等部材については同一符号を付し、詳細な説
明は省略する。
同図において、１１は電磁波を遮蔽するための金属薄膜
で、この金属薄膜１１は、パッケージ５における集積回
路チップ１の表面１ａと平行な面５ａ上にスパッタリン
グあるｂは無電解メツキによって形成されている。１２
は前記金属薄膜１１とアース用リード１３とを接続する
ための金Ｒ簿膜で、前記金属薄膜１１と同様にスパッタ
リングあるいは無電解メツキによってパッケージ５の側
面に形成されている。すなわち、パッケージ５０面５畠
上に金属薄膜１１を形成するには、樹脂封止後に金属リ
ード２およびパッケージ５の側面を治具（図示せず）で
覆い、スパッタリングあるいは無電解メツキを施すこと
によって行なわれる。
で、この金属薄膜１１は、パッケージ５における集積回
路チップ１の表面１ａと平行な面５ａ上にスパッタリン
グあるｂは無電解メツキによって形成されている。１２
は前記金属薄膜１１とアース用リード１３とを接続する
ための金Ｒ簿膜で、前記金属薄膜１１と同様にスパッタ
リングあるいは無電解メツキによってパッケージ５の側
面に形成されている。すなわち、パッケージ５０面５畠
上に金属薄膜１１を形成するには、樹脂封止後に金属リ
ード２およびパッケージ５の側面を治具（図示せず）で
覆い、スパッタリングあるいは無電解メツキを施すこと
によって行なわれる。
したがって、集積回路チップ１の表面１ａから発せられ
る数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波の電気力線の向きは
、集積回路チップ１の表面１ａに対して直交する方向で
あるから、金属薄膜１１を集積回路チップ１０表面１ｍ
と平行に形成し、かつアース用リードを介して接地させ
ることによって、集積回路チップ１から発せられる高周
波は完全に遮蔽されることになる。
る数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波の電気力線の向きは
、集積回路チップ１の表面１ａに対して直交する方向で
あるから、金属薄膜１１を集積回路チップ１０表面１ｍ
と平行に形成し、かつアース用リードを介して接地させ
ることによって、集積回路チップ１から発せられる高周
波は完全に遮蔽されることになる。
また、本実施例では金属薄膜１１は金属薄膜１２および
アース用リード１３を介して接地されているが、この金
属薄膜１２およびアース用リード１３を用いずに、この
集積回路が実装される基板（図示せず）のアースに電気
的に接続すれば同等の効果が得られる。さらに１金属薄
膜１１をパッケージ５の裏面にも形成し、接地させるこ
とによって遮蔽効果を向上させることができる。
アース用リード１３を介して接地されているが、この金
属薄膜１２およびアース用リード１３を用いずに、この
集積回路が実装される基板（図示せず）のアースに電気
的に接続すれば同等の効果が得られる。さらに１金属薄
膜１１をパッケージ５の裏面にも形成し、接地させるこ
とによって遮蔽効果を向上させることができる。
なお、本実施例では金属リード２が集積回路の四方に配
置されたデュアル・インラインタイプの集積回路にりい
て説明したが、本発明に係る樹脂封止形集積回路は、こ
のような限定にとられれることなく、例えば第２図に示
すような集積回路にも応用することができる。第２図（
＆） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はシングル・インライン
タイプの樹脂封止形集積回路を示す正面図、側面図およ
び底面図でおる。同図において第１図に示す部材と同一
もしくは同等部材については同一符号を付し、ここにお
いて詳細な説明は省略する。
置されたデュアル・インラインタイプの集積回路にりい
て説明したが、本発明に係る樹脂封止形集積回路は、こ
のような限定にとられれることなく、例えば第２図に示
すような集積回路にも応用することができる。第２図（
＆） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はシングル・インライン
タイプの樹脂封止形集積回路を示す正面図、側面図およ
び底面図でおる。同図において第１図に示す部材と同一
もしくは同等部材については同一符号を付し、ここにお
いて詳細な説明は省略する。
また、集積回路の周辺を覆うように金属キャップを被冠
させ、この金属キャップを接地させる構造のパッケージ
は最も電磁遮蔽効果が大きいが、パッケージの製造コス
トが高くなり、かつ組立性も悪い。これに比べ本発明に
係る樹脂封止形集積回路は、樹脂封止パッケージに直接
金属薄膜を形成したため、製造コストを低く抑えること
ができると共に、自動化がはかれ容易に量産することが
できる。
させ、この金属キャップを接地させる構造のパッケージ
は最も電磁遮蔽効果が大きいが、パッケージの製造コス
トが高くなり、かつ組立性も悪い。これに比べ本発明に
係る樹脂封止形集積回路は、樹脂封止パッケージに直接
金属薄膜を形成したため、製造コストを低く抑えること
ができると共に、自動化がはかれ容易に量産することが
できる。
以上説明したように本発明によれば集積回路パッケージ
の表面に金属膜を形成し、この金属膜を接地したため、
集積回路チップが発する電磁波は金属膜によって遮蔽さ
れるから、周辺機器が電波障害を起こすようなことはな
い。
の表面に金属膜を形成し、この金属膜を接地したため、
集積回路チップが発する電磁波は金属膜によって遮蔽さ
れるから、周辺機器が電波障害を起こすようなことはな
い。
第１図は本発明に係る樹脂封止形集積回路をパッケージ
の一部を破断して示す斜視図、第２図は他の実施例を示
す図、第３図は従来の樹脂封止形集積回路をバクケージ
の一部を破断して示す斜視図、第４図はその側面図でろ
る。 ５０．拳、パッケージ、１１０．１１．金属薄膜。
の一部を破断して示す斜視図、第２図は他の実施例を示
す図、第３図は従来の樹脂封止形集積回路をバクケージ
の一部を破断して示す斜視図、第４図はその側面図でろ
る。 ５０．拳、パッケージ、１１０．１１．金属薄膜。
Claims (1)
- 集積回路パッケージの表面に金属膜を形成し、この金
属膜を接地したことを特徴とする樹脂封止形集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27456287A JPH01115145A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 樹脂封止形集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27456287A JPH01115145A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 樹脂封止形集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115145A true JPH01115145A (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=17543460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27456287A Pending JPH01115145A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 樹脂封止形集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01115145A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990001668A (ko) * | 1997-06-17 | 1999-01-15 | 윤종용 | 전자파 차폐형 반도체 패키지 |
| US5917241A (en) * | 1996-05-23 | 1999-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency semiconductor device having source, drain, and gate leads |
| JP2009290217A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Yoon Jum-Chae | 電磁波遮蔽機能を有する半導体パッケージとその製造方法及び冶具 |
| JP2017168704A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27456287A patent/JPH01115145A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5917241A (en) * | 1996-05-23 | 1999-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency semiconductor device having source, drain, and gate leads |
| KR19990001668A (ko) * | 1997-06-17 | 1999-01-15 | 윤종용 | 전자파 차폐형 반도체 패키지 |
| JP2009290217A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Yoon Jum-Chae | 電磁波遮蔽機能を有する半導体パッケージとその製造方法及び冶具 |
| JP2017168704A (ja) * | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| CN107204312A (zh) * | 2016-03-17 | 2017-09-26 | 东芝存储器株式会社 | 半导体装置的制造方法及半导体装置 |
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