JPH01120830A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01120830A JPH01120830A JP27839087A JP27839087A JPH01120830A JP H01120830 A JPH01120830 A JP H01120830A JP 27839087 A JP27839087 A JP 27839087A JP 27839087 A JP27839087 A JP 27839087A JP H01120830 A JPH01120830 A JP H01120830A
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- etching
- mask
- silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路に用いる絶縁分離基板の製造
方法に関する。
方法に関する。
（従来の技術）
誘電体絶縁分離形の半導体集積回路装置では、多数の回
路構成素子を誘電体絶縁物で分離された島状の半導体（
以下絶縁分離島と呼ぶ）内に形成され、この装置の集積
度は、絶縁分離島の形状寸法に影響される。
路構成素子を誘電体絶縁物で分離された島状の半導体（
以下絶縁分離島と呼ぶ）内に形成され、この装置の集積
度は、絶縁分離島の形状寸法に影響される。
第３図は従来の誘電体分離法による半導体集積回路の部
分断面であって、第４図を用いてこの製造方法を説明す
る。まず、第４図（ａ）で示す様に単結晶シリコン１と
、単結晶シリコン３をＳｉｎ、膜等の誘電体物質２を介
して、直接接合し、単結晶シリコン３の厚さを所定の厚
さに研磨等によシ調整した後、その表面を酸化し、Ｓｉ
ｎ、膜４を形成する。次にこのＳｉｎ、膜４をパターン
ニングし、このＳｉｎ、膜４をマスクにして、第４図に
示す様に、アルカリ系のエツチング液によシ異方性エツ
チングを行ない分離溝６を形成する。この後、単結晶シ
リコツ３０表面全体にＳｉｎ、膜６を形成（第４図（Ｃ
Ｌ）Ｌ、さらにこの表面にポリシリコン層７を形成（第
４図（Ｃ））する。そして、第４図（ｄ）に示す一点破
線Ｓまで表面を研磨する。これによシ第４図（Ｃ） Ｋ
示す様な絶縁分離島８が形成される。
分断面であって、第４図を用いてこの製造方法を説明す
る。まず、第４図（ａ）で示す様に単結晶シリコン１と
、単結晶シリコン３をＳｉｎ、膜等の誘電体物質２を介
して、直接接合し、単結晶シリコン３の厚さを所定の厚
さに研磨等によシ調整した後、その表面を酸化し、Ｓｉ
ｎ、膜４を形成する。次にこのＳｉｎ、膜４をパターン
ニングし、このＳｉｎ、膜４をマスクにして、第４図に
示す様に、アルカリ系のエツチング液によシ異方性エツ
チングを行ない分離溝６を形成する。この後、単結晶シ
リコツ３０表面全体にＳｉｎ、膜６を形成（第４図（Ｃ
Ｌ）Ｌ、さらにこの表面にポリシリコン層７を形成（第
４図（Ｃ））する。そして、第４図（ｄ）に示す一点破
線Ｓまで表面を研磨する。これによシ第４図（Ｃ） Ｋ
示す様な絶縁分離島８が形成される。
この後、この絶縁分離島上に一般的な半導体製造行程に
よシ、第３図に示す様な素子９（ここではダイオードを
示す。この他トランジスタ、 Ｍ ＯＳ等）が形成され
る。
よシ、第３図に示す様な素子９（ここではダイオードを
示す。この他トランジスタ、 Ｍ ＯＳ等）が形成され
る。
ここで、従来第５図に示す様に（Ｚｏｏ）を主面とする
単結晶シリコン基板の結晶軸（０１１）に平行な辺を持
ったＳ ｊ Ｏ！ Ｍ等の４辺形のマスクを形成して、
アルカリ系水溶液によシ異方性エツチングを行なうと、
図示する様にマスクの４角においては、マスクの内側ま
でエツチングが進み、エツチング後のシリコン表面形状
は図示の様な形状となシ、素子を形成する面積が減少し
、高集積化のさまたげとなる問題がある。この様な問題
を解決する手段の一例が特公昭４５−１７９８８号公報
、特開昭６０−４６０３３号公報及び特公昭６０−１２
７８０号公報等に記載されている。先の２件では補償パ
ターンをつける事によシこの問題を解決している。しか
し、この場合、エツチング後のシリコン表面の形状なエ
ツチング量に左右される。つｔシ、エツチング量が少な
い場合は、補償パターンの形状が残る。又、エツチング
量が多くなると、マスクの４角のエツチングが進み、前
述の問題と同様になる。し次がってこれら方法で、エツ
チング後のシリコン表面の正確な四辺形のパターンを得
るには正確なエツチング量のコントロールが必要となる
。
単結晶シリコン基板の結晶軸（０１１）に平行な辺を持
ったＳ ｊ Ｏ！ Ｍ等の４辺形のマスクを形成して、
アルカリ系水溶液によシ異方性エツチングを行なうと、
図示する様にマスクの４角においては、マスクの内側ま
でエツチングが進み、エツチング後のシリコン表面形状
は図示の様な形状となシ、素子を形成する面積が減少し
、高集積化のさまたげとなる問題がある。この様な問題
を解決する手段の一例が特公昭４５−１７９８８号公報
、特開昭６０−４６０３３号公報及び特公昭６０−１２
７８０号公報等に記載されている。先の２件では補償パ
ターンをつける事によシこの問題を解決している。しか
し、この場合、エツチング後のシリコン表面の形状なエ
ツチング量に左右される。つｔシ、エツチング量が少な
い場合は、補償パターンの形状が残る。又、エツチング
量が多くなると、マスクの４角のエツチングが進み、前
述の問題と同様になる。し次がってこれら方法で、エツ
チング後のシリコン表面の正確な四辺形のパターンを得
るには正確なエツチング量のコントロールが必要となる
。
さらに、マスク形状が複雑となシ、マスクコストが高く
なると言う問題もある。
なると言う問題もある。
一方、特公昭６０−１２７８０号公報ではマスク辺をシ
リコン結晶軸（１００）方向に平行にする事によシこの
問題を解決しようとしてｂる。しかし、この場合にはマ
スクの４角のマスクの内側に進行するエツチング量は減
少して、エツチング後のシリコン表面の形状は元形に近
づくが、完全な方形とはならない。
リコン結晶軸（１００）方向に平行にする事によシこの
問題を解決しようとしてｂる。しかし、この場合にはマ
スクの４角のマスクの内側に進行するエツチング量は減
少して、エツチング後のシリコン表面の形状は元形に近
づくが、完全な方形とはならない。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、従来技術でエツチング後シリコン表
面の形状を正確な方形状にするためには複雑な形状のマ
スクを用い、さらに正確なエツチング°量のコントロー
ルが必要となり、コスト高となる問題があった。
面の形状を正確な方形状にするためには複雑な形状のマ
スクを用い、さらに正確なエツチング°量のコントロー
ルが必要となり、コスト高となる問題があった。
この発明はこのような問題を考慮してなされたもので、
その目的とするところはコストを高くすル事なく、エツ
チング後のシリコン表面形状が正確々方形となシ、高集
積化が可能な絶縁分離基板を製造する方法を提供するこ
ぶにある。
その目的とするところはコストを高くすル事なく、エツ
チング後のシリコン表面形状が正確々方形となシ、高集
積化が可能な絶縁分離基板を製造する方法を提供するこ
ぶにある。
本発明は面方位（１００）のシリコン表面に８ｉ０２膜
等のマスクを用いてアル−カリ系のエツチング液によシ
異方性エツチングを行なう際に、四辺形の島状の前記マ
スクの辺を、（１００）面における＜０１１＞方向に対
し２５＠±１０＠の角度に平行に設けて前記エツチング
を行なうことを特徴とする。
等のマスクを用いてアル−カリ系のエツチング液によシ
異方性エツチングを行なう際に、四辺形の島状の前記マ
スクの辺を、（１００）面における＜０１１＞方向に対
し２５＠±１０＠の角度に平行に設けて前記エツチング
を行なうことを特徴とする。
（作用）
本発明によれば、マスクの辺に対し直角方向のエツチン
グ速度がどの方向のエツチング速度よりも早くなシ、エ
ツチング後のシリコン表面形状は正確な方形状になる。
グ速度がどの方向のエツチング速度よりも早くなシ、エ
ツチング後のシリコン表面形状は正確な方形状になる。
（実施例）
以下図を参照にして、本発明の詳細な説明する。第１図
は本発明に係るマスクと結晶軸との関係を示すもので本
発明では四角形の島状をなすマスクの辺の向きは面方位
（１００）における結晶軸（０１１）方向に対し、２５
°±１０”の角度に平行に設けである。
は本発明に係るマスクと結晶軸との関係を示すもので本
発明では四角形の島状をなすマスクの辺の向きは面方位
（１００）における結晶軸（０１１）方向に対し、２５
°±１０”の角度に平行に設けである。
アルカリ系のエツチング液によるシリコンの異方性エツ
チングではシリコンの面方位によってエツチング速度が
異なる。従来の例ではマスクの四角が最もエツチング速
度が速いために１この部分のサイドエツチングが進み、
正確な四辺形が得られなかった。従って、マスクの辺に
対し、直角方向にエツチングされる速度が最も速くなる
ようにマスクの辺の方向を決めてやればエツチング後の
パターンは正確な四辺形にすることができる。
チングではシリコンの面方位によってエツチング速度が
異なる。従来の例ではマスクの四角が最もエツチング速
度が速いために１この部分のサイドエツチングが進み、
正確な四辺形が得られなかった。従って、マスクの辺に
対し、直角方向にエツチングされる速度が最も速くなる
ようにマスクの辺の方向を決めてやればエツチング後の
パターンは正確な四辺形にすることができる。
しかし、この方向はまた明確にはされていない。
そこで、結晶軸とマスク辺の角度とサイドエッチ量の関
係について調べた結果、第２図に示す様な関係が得られ
た。つまシ、（１００）面の〈０１１〉方向に対し、マ
スクの辺を２５°傾けた時に、辺に直角に進みサイドエ
ツチング量が最も大きく、２５°±１０”傾けてもサイ
ドエツチング量が比較的大きかった。
係について調べた結果、第２図に示す様な関係が得られ
た。つまシ、（１００）面の〈０１１〉方向に対し、マ
スクの辺を２５°傾けた時に、辺に直角に進みサイドエ
ツチング量が最も大きく、２５°±１０”傾けてもサイ
ドエツチング量が比較的大きかった。
従って、マスクの辺を（０１１）方向に対し２５°又は
２５°±１０＠に位置になるようにすればエツチング後
のパターンは正確な四辺形になる。
２５°±１０＠に位置になるようにすればエツチング後
のパターンは正確な四辺形になる。
本発明によれば複雑な形状のマスクを用いることなく正
確な四辺形のパターンを得ることが出来、高集積化か可
能な絶縁分離基板を製造することが第１図は本発明の結
晶軸とマスク辺の関係を示す図、第２図は本発明の（０
１１） Ｋ対するマスク辺の角度とサイドエツチングの
関係を示す図、第３図は絶縁分離基板素子の断面を示す
図、第４図は絶縁分離基板素子の製造工程を示す図、第
５図は従来例を説明する為の図である。
確な四辺形のパターンを得ることが出来、高集積化か可
能な絶縁分離基板を製造することが第１図は本発明の結
晶軸とマスク辺の関係を示す図、第２図は本発明の（０
１１） Ｋ対するマスク辺の角度とサイドエツチングの
関係を示す図、第３図は絶縁分離基板素子の断面を示す
図、第４図は絶縁分離基板素子の製造工程を示す図、第
５図は従来例を説明する為の図である。
代理人 弁理士 則 近 憲 重
量 松 山 光 之（（１）
（？）第 １
図 第 ５ 図 ０ ２ｇ’ 休１ 信０ ワグ（０／
／ンに文ＴＯマス７辺の角Ａθ 第２図 第 ３ 図 第 ４１
（？）第 １
図 第 ５ 図 ０ ２ｇ’ 休１ 信０ ワグ（０／
／ンに文ＴＯマス７辺の角Ａθ 第２図 第 ３ 図 第 ４１
Claims (1)
- （１００）面に平行なシリコン基板の表面上に四辺形の
辺の方向が（１００）面における＜０１１＞方向に対し
２５°±１０°の角度に平行である島状の部分を有する
マスクを被着して、前記シリコン基板をアルカリ性エッ
チング液によって化学エッチングすることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27839087A JPH01120830A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27839087A JPH01120830A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120830A true JPH01120830A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17596676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27839087A Pending JPH01120830A (ja) | 1987-11-05 | 1987-11-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103035477A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种制备单晶硅纳米结构的方法 |
-
1987
- 1987-11-05 JP JP27839087A patent/JPH01120830A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103035477A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种制备单晶硅纳米结构的方法 |
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