JPH01123175A - 半導体用検査装置 - Google Patents

半導体用検査装置

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JPH01123175A
JPH01123175A JP62280577A JP28057787A JPH01123175A JP H01123175 A JPH01123175 A JP H01123175A JP 62280577 A JP62280577 A JP 62280577A JP 28057787 A JP28057787 A JP 28057787A JP H01123175 A JPH01123175 A JP H01123175A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
wafer
stage
section
prober
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62280577A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunobu Yoshimura
吉村 克信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01123175A publication Critical patent/JPH01123175A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 C産業上の利用分野〕 本発明は半導体用検査装置に関し、特にウェハー状態で
デバイスを測定するプローバーに関するものである。
〔従来の技術〕
プローブカードの探針の研摩は針先の酸化による接触不
良を防ぐために行われるものであるが、従来のプローバ
ーではウェハーのかわりにセラミック板をウェハーチャ
ック部にのせ、探針の下にもって行きステージを上下運
動させることにより該セラミック板で探針の研摩が行わ
れていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のプローバーでは探針の研摩はウェハーの
かわりにセラミック板をウェハーチャック部にのせて行
わなければならないため、測定開始前あるいは測定中に
探針の接触不良に起因するオープン不良が多発した際に
ウェハーを取り出して行われるので、探針の酸化によっ
て良品のチップを不良にしてしまうという欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消した半導体用検査装置
を提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のプローバーに対し1本発明はプローバー
のステージ部においてウェハーチャック部と探針研摩部
が独立に設けられているという相違点を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はウェハー状態でデバイスを測定する半導体用検
査装置において、測定用プローブカードの探針を研摩す
る探針研摩部をステージ部のウェバーチャック部に隣接
して設けたことを特徴とする半導体用検査装置である。
〔実施例〕゛ 次に本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1) 第1図は本発明の実施例1の断面図である。図において
、1はプローバーのステージ部、2はプローブカード5
の探針58を研摩するセラミック材等からなる探針研摩
部、3は測定対象のウェハー、4はステージのウェハー
チャック部である。
・本発明はプローバーのステージ部1の上部を拡大し、
ステージ部1のウェハーチャック部4に隣接して探針研
摩部2を設置したものである。セラミック材等からなる
探針研摩部2の厚さはウェハー3の厚さに比べて±50
.の差以内にする必要がある。
実施例において、プローブカード5の探針5aを、ステ
ージ部1のウェハーチャック部4に吸着されたウェハー
3に接触させ、ウェハー3上のデバイスをウェハー状態
で検査する。そして、検査工程中に適宜プローブカード
5の探針5aの研摩を探針研摩部2により行う。
(実施例2) 第2図は本発明の実施例2の断面図である。図において
、1はプローバーのステージ部、3は測定中のウェハー
、4はウェハーチャック部、5はプローブカード、6が
ウェハーステージ部に取付けられたセラミック材で作ら
れた探針研摩部、7が探針研摩部の高さ調整用ねじであ
る。
この実施例では探針研摩部6の高さ調整機能が付いてい
るため、プローブカード5の探針58の研摩がより効果
的に行えるという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はプローバーのステージ部に
おいてウェハーチャック部と探針研摩部が独立に設けら
れていることにより、探針の研摩がウェハーの測定中に
行えるという効果があり、何チップ測定したら研摩を行
うという命令を入れておけば探針の針先の酸化によって
良品を不良品にしてしまうことがなくなるという効果を
有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1の断面図、第2図は実施例2
の断面図である。 1・・・プローバーのステージ部 2,6・・・探針研
摩部3・・・ウェハー     4・・・ウェハーチャ
ック部5・・・プローブカード  5a・・・探針7・
・・探針研摩部の高さ調整用ねじ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウェハー状態でデバイスを測定する半導体用検査
    装置において、測定用プローブカードの探針を研摩する
    探針研摩部をステージ部のウェハーチャック部に隣接し
    て設けたことを特徴とする半導体用検査装置。
JP62280577A 1987-11-06 1987-11-06 半導体用検査装置 Pending JPH01123175A (ja)

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JPH01123175A true JPH01123175A (ja) 1989-05-16

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