JPH01128242A - 人工格子光磁気記録媒体 - Google Patents
人工格子光磁気記録媒体Info
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- JPH01128242A JPH01128242A JP28572587A JP28572587A JPH01128242A JP H01128242 A JPH01128242 A JP H01128242A JP 28572587 A JP28572587 A JP 28572587A JP 28572587 A JP28572587 A JP 28572587A JP H01128242 A JPH01128242 A JP H01128242A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば書き換え可能な光磁気ディスク等に適
用する垂直磁化膜を有する人工格子光磁気記録媒体に関
わる。
用する垂直磁化膜を有する人工格子光磁気記録媒体に関
わる。
本発明は、希土類元素を主体とする薄膜層と、遷移金属
を主体とする薄膜層との周期的積層構造を採り、その各
薄膜層の組成と膜厚関係の特定によってカー（Ｋｅｒｒ
）ヒステリシスループの角型比の良い垂直磁化膜による
人工格子光磁気記録媒体を構成する。
を主体とする薄膜層との周期的積層構造を採り、その各
薄膜層の組成と膜厚関係の特定によってカー（Ｋｅｒｒ
）ヒステリシスループの角型比の良い垂直磁化膜による
人工格子光磁気記録媒体を構成する。
〔従来の技術〕
近年、光磁気記録媒体の開発が急激に活発化している。
この光磁気記録媒体の実用的な特性が得られる媒体とし
ては、アモルファス希土類−遷移金属合金薄膜によるも
のが注目されている。この種の光磁気記録媒体は、一般
には、その希土類−遷移金属合金のターゲット、或いは
希土類金属と遷移金属との複合ターゲットによるスパッ
タリングによって希土類−遷移金属合金による垂直磁化
膜を形成するという構成がとられる。ところが、このよ
うな構成による光磁気記録媒体は、磁束−磁界ヒステリ
シスループ、カーヒステリシスループ等の角型が悪く、
大きなカー回転角θにや、高い保磁力Ｈｃが得難い。ま
た、実用に供し得る程度の保磁力Ｈｃを得るには、その
膜組成を、例えば室温程度を補償温度とするように選定
する組成の極く近傍に選定することが必要であり、実用
組成範囲が極めて狭隘であった。
ては、アモルファス希土類−遷移金属合金薄膜によるも
のが注目されている。この種の光磁気記録媒体は、一般
には、その希土類−遷移金属合金のターゲット、或いは
希土類金属と遷移金属との複合ターゲットによるスパッ
タリングによって希土類−遷移金属合金による垂直磁化
膜を形成するという構成がとられる。ところが、このよ
うな構成による光磁気記録媒体は、磁束−磁界ヒステリ
シスループ、カーヒステリシスループ等の角型が悪く、
大きなカー回転角θにや、高い保磁力Ｈｃが得難い。ま
た、実用に供し得る程度の保磁力Ｈｃを得るには、その
膜組成を、例えば室温程度を補償温度とするように選定
する組成の極く近傍に選定することが必要であり、実用
組成範囲が極めて狭隘であった。
一方、例えば特開昭６２−２６６５９号公報に開示され
た光磁気記録媒体では、超極薄の希土類金属薄膜と遷移
金属薄膜の積層構造を採って高い保磁力を有する光磁気
記録媒体を提供している。
た光磁気記録媒体では、超極薄の希土類金属薄膜と遷移
金属薄膜の積層構造を採って高い保磁力を有する光磁気
記録媒体を提供している。
本発明は、希土類金属を主体とする薄膜層と遷移金属を
主体とする薄膜層との周期的積層構造を採り、より高い
保磁力Ｈｃを得ることができ、また、カーヒステリシス
ループの立−トリ、立も下りの直線性にすくれ、角型に
すくれ磁気光学特性にすぐれた垂直磁化膜による人工格
子光磁気記録媒体を提供することができ、更にまた、垂
直磁化膜全体としての組成、つまり見掛上の組成の実用
範囲の狭隘の問題点の解決をはかる。
主体とする薄膜層との周期的積層構造を採り、より高い
保磁力Ｈｃを得ることができ、また、カーヒステリシス
ループの立−トリ、立も下りの直線性にすくれ、角型に
すくれ磁気光学特性にすぐれた垂直磁化膜による人工格
子光磁気記録媒体を提供することができ、更にまた、垂
直磁化膜全体としての組成、つまり見掛上の組成の実用
範囲の狭隘の問題点の解決をはかる。
本発明は、基体」二に、薄膜ｊ響Ａと薄膜Ｉ膏１３とか
交互に積層された周期構造を有する膜面と垂直方向に磁
化容易軸を有する垂直磁化膜を形成する。
交互に積層された周期構造を有する膜面と垂直方向に磁
化容易軸を有する垂直磁化膜を形成する。
薄膜層Ａ及びＢの各組成は、Ｒ，Ｓ、 Ｔ”、 Ｍ。
Ｎで各元素群を表わし、これら各元素群Ｒ，Ｓ。
Ｔ、Ｍ、Ｎの成分比（原子％）をそれぞれｘ、ｙ。
ｚ 、 ｘ ■、 ｙ Ｉ＋として表わすとき、薄
膜層１３は、Ｂ ＝ Ｒｘ −Ｓ ｙ −Ｔ” ｚ 。
膜層１３は、Ｂ ＝ Ｒｘ −Ｓ ｙ −Ｔ” ｚ 。
薄膜層Ａは、Ａ＝ＭｘＩＩ −Ｎｙ”
なる一般式を有する組成とする。そして、ここにｘ、ｙ
、ｚ、ｘ” ｙｎは、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００゜ ５０≦Ｘ≦１００ 。
、ｚ、ｘ” ｙｎは、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００゜ ５０≦Ｘ≦１００ 。
０≦ｙ≦５０゜
０≦Ｘ≦２０゜
６０≦ｘ１ ≦１００ 。
０≦ｙｌｌ ≦４０゜
とする。
更に、各元素群Ｒ，Ｓ、Ｔ、Ｍ、Ｎは、元素群Ｒが、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、 Ｄｙ、Ｈｏのうちの少くとも１種以上の
元素であり、元素群Ｓが、上記元素群Ｒ以外のＳｃとＹ
とを含む希土類元素のうちの少くとも１種以上の元素で
あり、元素群Ｔが、Ｆｅ。
ｄ、Ｔｂ、 Ｄｙ、Ｈｏのうちの少くとも１種以上の
元素であり、元素群Ｓが、上記元素群Ｒ以外のＳｃとＹ
とを含む希土類元素のうちの少くとも１種以上の元素で
あり、元素群Ｔが、Ｆｅ。
Ｃｏ、Ｎｉと、元素群Ｒ及びＳとを除く全ての元素のう
ちの少くとも１種以上の元素であり、元素群Ｍが、Ｆ
ｅ ＋ Ｃｏ 、 Ｎ ｉのうちの少くとも１種以上の
元素であり、元素群Ｎが、元素群ＲとＭとを除く全元素
のうちの少くとも１種以上の元素とされる。
ちの少くとも１種以上の元素であり、元素群Ｍが、Ｆ
ｅ ＋ Ｃｏ 、 Ｎ ｉのうちの少くとも１種以上の
元素であり、元素群Ｎが、元素群ＲとＭとを除く全元素
のうちの少くとも１種以上の元素とされる。
そして、薄膜層Ａ及びＢの各膜厚を、それぞれａ （人
）及びｂ（人）とし、各膜厚の関係を第１図に示すよう
に、ａ−ｂ直交座標系において（ａ。
）及びｂ（人）とし、各膜厚の関係を第１図に示すよう
に、ａ−ｂ直交座標系において（ａ。
ｂ）で表わすとき、両欣厚ａ及びｂの関係が、点（イ）
における（２． ６）から順に点（ロ）の（１１，３０
＞ 、点（ハ）の（１６，６０） 、点（ニ）の（３０
，６０） 、点（ホ）の（２６，３０） 、点（へ）の
（１８，６） 、更に上記点（イ）（２，６）の各座標
点を結ぶ第１図に斜線をもって示す範囲内、更に好まし
くは、第１図における点（ト）の（３，５゜６）と、点
（ロ）の（１１，３０）と、点（す）の（１６，６）と
、点（す）の（３，５，６）とを結ぶ範囲内とする。
における（２． ６）から順に点（ロ）の（１１，３０
＞ 、点（ハ）の（１６，６０） 、点（ニ）の（３０
，６０） 、点（ホ）の（２６，３０） 、点（へ）の
（１８，６） 、更に上記点（イ）（２，６）の各座標
点を結ぶ第１図に斜線をもって示す範囲内、更に好まし
くは、第１図における点（ト）の（３，５゜６）と、点
（ロ）の（１１，３０）と、点（す）の（１６，６）と
、点（す）の（３，５，６）とを結ぶ範囲内とする。
上述した薄膜層Ａと、薄膜層Ｂとの点（イ）〜（へ）に
よって囲まれた範囲の周期積層構造の人工格子構造によ
る垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体によれば、その光
磁気記録層、すなわち垂直磁化膜における磁気補償温度
Ｔ ｃｏｍｐを室温程度に選定することのできる全体と
しての平均組成すなわち見掛は上の組成範囲が広がるこ
とが確認され、また磁気光学的緒特性例えばカーヒステ
リシスカーブの角型比の向上、保磁力Ｈｃの向上等がは
かられる。
よって囲まれた範囲の周期積層構造の人工格子構造によ
る垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体によれば、その光
磁気記録層、すなわち垂直磁化膜における磁気補償温度
Ｔ ｃｏｍｐを室温程度に選定することのできる全体と
しての平均組成すなわち見掛は上の組成範囲が広がるこ
とが確認され、また磁気光学的緒特性例えばカーヒステ
リシスカーブの角型比の向上、保磁力Ｈｃの向上等がは
かられる。
本発明による薄膜層Ａと薄膜層Ｂとが交互に積層された
周期構造の人工格子光磁気記録膜の作製は、マグネトロ
ンスパッター装置を用い得る。
周期構造の人工格子光磁気記録膜の作製は、マグネトロ
ンスパッター装置を用い得る。
このスパッタリング装置は、例えば第２図に示すように
、ベルジャ（図示せず）内に、軸心Ｏ−０′を中心とし
て回転する基台（１）を設け、これの例えば下面に目的
とする光磁気記録媒体を構成する平滑ガラス基板よ構成
る基体（２）が配置される。
、ベルジャ（図示せず）内に、軸心Ｏ−０′を中心とし
て回転する基台（１）を設け、これの例えば下面に目的
とする光磁気記録媒体を構成する平滑ガラス基板よ構成
る基体（２）が配置される。
そして、この基体（２）に対向して軸心Ｏ−０′を中心
に等角間隔、すなわち１８０°の角間隔を保持して２個
のスパッタ源（３）及び（４）を配置する。これらスパ
ッタ源（３）及び（４）と基台（１）、すなわち基体（
２）との間には、スパッタ源（３）及び（４）より夫々
スパッタされる金属のスパッタ位置を規制するマスク（
５）を配置する。スパッタ源（３）及び（４）は、それ
ぞれ前述した薄膜Ａ及びＢの各組成金属ターゲット（６
）及び（７）を有して成る。これらターゲット（６）ま
たは（及び）（７）は、対応する薄膜Ａまたは（及び）
Ｂが、複合（合金）である場合は、この組成に応した合
金ターゲットとすることもできるし、例えば単一若しく
は合金体上に他の単一またば合金ペレ・／ｉ・を載せて
全体として所要の組成を有するようになし得る。（８）
及び（９）はマグネットを示ず。
に等角間隔、すなわち１８０°の角間隔を保持して２個
のスパッタ源（３）及び（４）を配置する。これらスパ
ッタ源（３）及び（４）と基台（１）、すなわち基体（
２）との間には、スパッタ源（３）及び（４）より夫々
スパッタされる金属のスパッタ位置を規制するマスク（
５）を配置する。スパッタ源（３）及び（４）は、それ
ぞれ前述した薄膜Ａ及びＢの各組成金属ターゲット（６
）及び（７）を有して成る。これらターゲット（６）ま
たは（及び）（７）は、対応する薄膜Ａまたは（及び）
Ｂが、複合（合金）である場合は、この組成に応した合
金ターゲットとすることもできるし、例えば単一若しく
は合金体上に他の単一またば合金ペレ・／ｉ・を載せて
全体として所要の組成を有するようになし得る。（８）
及び（９）はマグネットを示ず。
そして基台（１）を回転させながらターゲット（６）及
び（７）をｆ＋、極側としてマスク（５）の窓（５ａ）
及び（５ｂ）を通して基体（２）上に、これらの直流ス
パッタリングを行う。
び（７）をｆ＋、極側としてマスク（５）の窓（５ａ）
及び（５ｂ）を通して基体（２）上に、これらの直流ス
パッタリングを行う。
このようにして基台（１）を回転させながら全体として
２００〜１０，０００人の厚さ、例えば５０００人の厚
さの垂直磁化膜を基体（２）上に形成して目的とする光
磁気記録媒体を作製する。このスパッタリングは次の条
件下で行う。
２００〜１０，０００人の厚さ、例えば５０００人の厚
さの垂直磁化膜を基体（２）上に形成して目的とする光
磁気記録媒体を作製する。このスパッタリングは次の条
件下で行う。
残留ガス圧 １．０Ｘ ＩＯ−” ｔｏｒｒＡｒガ
ス圧 ５ Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒ放電電力
ターゲット（６１１００Ｗ〜２００Ｗターゲット＋７
） ２００ Ｗ〜８００會実施例１ 上述したスパッタリング方法によって、平滑ガラス板よ
り成る基体（２）上に垂直磁化膜、すなわち光磁気記録
膜を形成した。この場合、ターゲット（６）として薄膜
層Ａを構成するＦｅ５ｏ Ｃ０１０を用い、ターゲット
（７）として薄膜１ｉＢを構成するＴｂを用いた。また
基体（２）上における各薄膜層への厚さは１０人、各薄
膜層Ｂの厚さは７人とし、全体の厚さが約５０００人と
なるように画情膜層Ａ及びＢを繰返し積層した。このよ
うにして得た垂直磁化膜全体としての平均組成は、Ｔｂ
２ｏ、ｓ （ＦｅｓｏＣｏ＋ｏ） ？９．４である。
ス圧 ５ Ｘ １Ｏ−３ｔｏｒｒ放電電力
ターゲット（６１１００Ｗ〜２００Ｗターゲット＋７
） ２００ Ｗ〜８００會実施例１ 上述したスパッタリング方法によって、平滑ガラス板よ
り成る基体（２）上に垂直磁化膜、すなわち光磁気記録
膜を形成した。この場合、ターゲット（６）として薄膜
層Ａを構成するＦｅ５ｏ Ｃ０１０を用い、ターゲット
（７）として薄膜１ｉＢを構成するＴｂを用いた。また
基体（２）上における各薄膜層への厚さは１０人、各薄
膜層Ｂの厚さは７人とし、全体の厚さが約５０００人と
なるように画情膜層Ａ及びＢを繰返し積層した。このよ
うにして得た垂直磁化膜全体としての平均組成は、Ｔｂ
２ｏ、ｓ （ＦｅｓｏＣｏ＋ｏ） ？９．４である。
比較例１
実施例１と同様の方法によるものの、ターゲットとして
、実施例１の磁性膜の平均組成とほぼ同絹成のＴｂＦｅ
Ｃｏ合金の単一ターゲットを用いてガラス基板（２）上
に光磁気記録膜をスパッタリングによって形成した。
、実施例１の磁性膜の平均組成とほぼ同絹成のＴｂＦｅ
Ｃｏ合金の単一ターゲットを用いてガラス基板（２）上
に光磁気記録膜をスパッタリングによって形成した。
上述した実施例１及び比較例工によって得た各記録膜の
磁界Ｈに対するカー回転角θにのヒステリシスループ曲
線の測定結果を第３図Ａ及びＢに示す。両曲線を比較し
て明らかなように、実施例１のものは、比較例１のもの
に比してカーヒステリシスループの角型比が大である。
磁界Ｈに対するカー回転角θにのヒステリシスループ曲
線の測定結果を第３図Ａ及びＢに示す。両曲線を比較し
て明らかなように、実施例１のものは、比較例１のもの
に比してカーヒステリシスループの角型比が大である。
また、実施例１の場合保磁力ＨＣ−４，７ｋＯｅ、カー
回転角θに一〇、４２°であり、同組成の比較例１の均
一合金膜のＨｃ ＝ ３．６ｋＯｅ、θに＝０．３６°
に比し大きな改善かみられた。
回転角θに一〇、４２°であり、同組成の比較例１の均
一合金膜のＨｃ ＝ ３．６ｋＯｅ、θに＝０．３６°
に比し大きな改善かみられた。
実施例２
実施例１と同様の方法によるものの、第２図で説明した
スパッタリング装置を用いて、その一方のクーゲットと
してＦ ｅを用い、他方のターケントとしてＴｂを用い
て、Ｆｅより成る薄１模１’；ｉ Ａと、Ｔｂより成る
薄膜１ｉＢの繰返し積層による光磁気記録膜を、ガラス
基体（２）上に形成した。この場合において各薄膜層Ａ
及びＢの各厚さを変更して各試料を作製した。これら各
試料の各薄ｊ模ｊＦｉＡ及びＢの各厚さの関係を第４図
に○印でプロットして示した。これら試料の光磁気特性
の測定の結果、実線曲線上とその近傍の厚さ関係で、室
温で、膜全体として見掛上磁気補償温度領域となること
、更にこれよりＴｂ薄膜層Ｂの厚さを増加してｉ’ｂの
実質量を増していくと、破線曲線の近傍でこれより下側
では室温で、保磁力Ｈｃが発散する領域からいわばＦｅ
リッチ（ｒｉｃｈ）測的特性を示す垂直異方性を示す光
磁性記録膜を作製できることが分った。つまり、膜全体
の平均組成において、従前の均一合金膜組成では、得ら
れない組成範囲で光磁気特性を示す垂直磁化膜が得られ
る。
スパッタリング装置を用いて、その一方のクーゲットと
してＦ ｅを用い、他方のターケントとしてＴｂを用い
て、Ｆｅより成る薄１模１’；ｉ Ａと、Ｔｂより成る
薄膜１ｉＢの繰返し積層による光磁気記録膜を、ガラス
基体（２）上に形成した。この場合において各薄膜層Ａ
及びＢの各厚さを変更して各試料を作製した。これら各
試料の各薄ｊ模ｊＦｉＡ及びＢの各厚さの関係を第４図
に○印でプロットして示した。これら試料の光磁気特性
の測定の結果、実線曲線上とその近傍の厚さ関係で、室
温で、膜全体として見掛上磁気補償温度領域となること
、更にこれよりＴｂ薄膜層Ｂの厚さを増加してｉ’ｂの
実質量を増していくと、破線曲線の近傍でこれより下側
では室温で、保磁力Ｈｃが発散する領域からいわばＦｅ
リッチ（ｒｉｃｈ）測的特性を示す垂直異方性を示す光
磁性記録膜を作製できることが分った。つまり、膜全体
の平均組成において、従前の均一合金膜組成では、得ら
れない組成範囲で光磁気特性を示す垂直磁化膜が得られ
る。
実施例３
実施例１と同様の方法によるものの、薄膜層ＡをＦｅＣ
ｏ１５の厚さ１０．２八とし、薄膜層ＢをＴｂの厚さ８
．２人とした。尚、この場合の積層周期Ｐは、Ｐ ＝
１８．２人とし、垂直磁化膜の全体としての平均組成は
、Ｔ ｂ２ａ （Ｆｅ８５Ｃｏ１５）Ｔ ７となる。
ｏ１５の厚さ１０．２八とし、薄膜層ＢをＴｂの厚さ８
．２人とした。尚、この場合の積層周期Ｐは、Ｐ ＝
１８．２人とし、垂直磁化膜の全体としての平均組成は
、Ｔ ｂ２ａ （Ｆｅ８５Ｃｏ１５）Ｔ ７となる。
従来例１
実施例１と同様の方法によるも薄膜層Ａを実施例３と同
様にＦｅＣ０ｔｓの厚さ１０，２人とするも、薄膜層Ｂ
を５〜１０人の厚さとして前記特開昭６２−２６６５９
号公報に開示の技術思想に基く構成とした。この場合の
積層周期Ｐは、Ｐ ＝ １５．８人とした。この垂直磁
化膜の全体的平均組成は１− ｂ Ｉ？ （ｒ７ｅｇ５
Ｇｏ＋５）８３となる。
様にＦｅＣ０ｔｓの厚さ１０，２人とするも、薄膜層Ｂ
を５〜１０人の厚さとして前記特開昭６２−２６６５９
号公報に開示の技術思想に基く構成とした。この場合の
積層周期Ｐは、Ｐ ＝ １５．８人とした。この垂直磁
化膜の全体的平均組成は１− ｂ Ｉ？ （ｒ７ｅｇ５
Ｇｏ＋５）８３となる。
これら実施例３及び従来例１による各垂直磁化膜のカー
ヒステリシスループ特性は、それぞれ第５図Ａ及びＢに
示すように測定された。これらを比較して明らかなよう
に、本発明による実施例３は、従来例１に比し保磁力Ｈ
ｃの向−トがみられ、またその立上り、立下りの直線性
にすくれていることが分る。すなわち、実施例３のもの
においてばＨｃ ＝ ５．８ｋＯｅであり、従来例１の
ものについてはＨＣ＝ ２．８ｋＯｅであった。
ヒステリシスループ特性は、それぞれ第５図Ａ及びＢに
示すように測定された。これらを比較して明らかなよう
に、本発明による実施例３は、従来例１に比し保磁力Ｈ
ｃの向−トがみられ、またその立上り、立下りの直線性
にすくれていることが分る。すなわち、実施例３のもの
においてばＨｃ ＝ ５．８ｋＯｅであり、従来例１の
ものについてはＨＣ＝ ２．８ｋＯｅであった。
実施例４
実施例３と同様のＦｅＣｏ薄膜圏とＴｂ薄薄膜Ｂの繰返
し積層構造とするものの、両前膜層Ａ及びＢの各膜厚を
１４．０人及び１６．２人として周期ＰをＰ−３０，２
人とした。その平均組成をＴ ｂ ２９ （Ｆｅｓ＋；
Ｃ０１５）ｖ ＋であった。
し積層構造とするものの、両前膜層Ａ及びＢの各膜厚を
１４．０人及び１６．２人として周期ＰをＰ−３０，２
人とした。その平均組成をＴ ｂ ２９ （Ｆｅｓ＋；
Ｃ０１５）ｖ ＋であった。
従来例２
実施例４と同様の平均組成とするものの、薄膜層Ａの厚
さを４．２人、ＷｉＢ’ＪＮＲの厚さを４．６人として
周期Ｐ＝８．８λとして、前記特開昭６２−２６６５９
号公報に開示の技術思想に甚く構成とした。
さを４．２人、ＷｉＢ’ＪＮＲの厚さを４．６人として
周期Ｐ＝８．８λとして、前記特開昭６２−２６６５９
号公報に開示の技術思想に甚く構成とした。
実施例４の場合、Ｈｃ ＝ ７．５ｋＯｅとなり、従来
例２の場合、Ｉ−Ｉ Ｃ＝ ２．５ｋＯｅであった。そ
して、これら実施例４及び従来例２の各ヒステリシス特
性をｉＧ図Ａ及びＢに示す。これより明らかなように、
本発明による実施例４はすくれた角型を示す。
例２の場合、Ｉ−Ｉ Ｃ＝ ２．５ｋＯｅであった。そ
して、これら実施例４及び従来例２の各ヒステリシス特
性をｉＧ図Ａ及びＢに示す。これより明らかなように、
本発明による実施例４はすくれた角型を示す。
実施例５
実施例１と同様の方法によるものの、ターゲット（６）
としてＦｅ５ｏ Ｃｏｃｏを用い、ターゲット（７）と
してＮｄ１７Ｄｙ８３を用いてＦｅ５ｏ Ｃｏ１ｏの薄
膜層へと、Ｎｄｎ Ｄｙａａの薄膜層Ｂの繰返し積層に
よる垂直磁化膜を形成する。この場合、薄膜ＮＡとＢの
各厚さｔ八及びｔＢは、ｔＢ／をへ＝２０人／１３人と
した。
としてＦｅ５ｏ Ｃｏｃｏを用い、ターゲット（７）と
してＮｄ１７Ｄｙ８３を用いてＦｅ５ｏ Ｃｏ１ｏの薄
膜層へと、Ｎｄｎ Ｄｙａａの薄膜層Ｂの繰返し積層に
よる垂直磁化膜を形成する。この場合、薄膜ＮＡとＢの
各厚さｔ八及びｔＢは、ｔＢ／をへ＝２０人／１３人と
した。
この実施例５による垂直磁化膜のカーループ特性を第７
図に示す。この場合においてもすぐれた角型比を有する
ことが分る。
図に示す。この場合においてもすぐれた角型比を有する
ことが分る。
また、実施例５と同様の方法により、薄膜層Ａ及びＢの
各組成を変え、各厚さを変化させた表］に示す構成によ
る垂直磁化膜もまた第７図の特性と殆んど同様の特性を
示した。
各組成を変え、各厚さを変化させた表］に示す構成によ
る垂直磁化膜もまた第７図の特性と殆んど同様の特性を
示した。
表１
面、上述した各側においては、積層構造の磁性膜中の薄
膜層へ同士、Ｂ同士が、それぞれ同一組成のものを用い
た場合について説明したが、各薄膜層Ａ及び、Ｂが、交
互に配された構成を採るものの、各薄膜層Ａ及びＢの双
方または一方が前述した各薄膜層Ａ及びＢの条件を沼ず
組成の２種以上の複数種の組成の薄膜より成り、この複
数種の薄膜の単一層又は積層によって各薄膜層Ａ及び■
３とすることができる。すなわら、基本的には薄膜ＮＡ
及びＢの繰返し構成とするが、例えば薄膜層Ａを２種の
薄膜Ａ１及びＡ２とし、Ａ１．Ａ、２ ＢＡＩＡ、２
Ｂ・・・とするとかＡｔ Ｂ Ａ２ＢＡ＋
・・・とするなどの構成を採り得る。
膜層へ同士、Ｂ同士が、それぞれ同一組成のものを用い
た場合について説明したが、各薄膜層Ａ及び、Ｂが、交
互に配された構成を採るものの、各薄膜層Ａ及びＢの双
方または一方が前述した各薄膜層Ａ及びＢの条件を沼ず
組成の２種以上の複数種の組成の薄膜より成り、この複
数種の薄膜の単一層又は積層によって各薄膜層Ａ及び■
３とすることができる。すなわら、基本的には薄膜ＮＡ
及びＢの繰返し構成とするが、例えば薄膜層Ａを２種の
薄膜Ａ１及びＡ２とし、Ａ１．Ａ、２ ＢＡＩＡ、２
Ｂ・・・とするとかＡｔ Ｂ Ａ２ＢＡ＋
・・・とするなどの構成を採り得る。
上述したように本発明によれば、高いカー回転角θＫ、
高保磁力Ｈｃ、カーヒステリシスループの角型にすぐれ
た光磁気記録媒体を見掛上の組成を広範な組成から選定
することができることから、例えば使用態様、使用条件
に適合した最適な機械的、磁気的等の各種特性を有する
光磁気記録媒体の作製が可能となり、実用上大きな利益
をもたらす。
高保磁力Ｈｃ、カーヒステリシスループの角型にすぐれ
た光磁気記録媒体を見掛上の組成を広範な組成から選定
することができることから、例えば使用態様、使用条件
に適合した最適な機械的、磁気的等の各種特性を有する
光磁気記録媒体の作製が可能となり、実用上大きな利益
をもたらす。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の薄膜層Ａ及びＢ
の各厚さ範囲を示す図、第２図は本発明による光磁気記
録媒体を作製するに用いられるスパッタリング装置の一
例の構成図、第３図、第５図、第６図の各人及びＢ、第
７図はそれぞれカー回転角−磁界曲線図、第４図はＦｅ
薄膜層ＡとＴｂ薄膜層Ｂの各側の厚さと補償組成を示す
図である。 （２）は基体、（６）及び（７）はターゲットである。
の各厚さ範囲を示す図、第２図は本発明による光磁気記
録媒体を作製するに用いられるスパッタリング装置の一
例の構成図、第３図、第５図、第６図の各人及びＢ、第
７図はそれぞれカー回転角−磁界曲線図、第４図はＦｅ
薄膜層ＡとＴｂ薄膜層Ｂの各側の厚さと補償組成を示す
図である。 （２）は基体、（６）及び（７）はターゲットである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 薄膜層Ａと薄膜層Ｂとが交互に積層された周期構造を
有し、 上記薄膜層Ａ及びＢの各組成は、Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｍ，Ｎで
各元素群を表わし、これら各元素群Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｍ，Ｎ
の成分比（原子％）をそれぞれｘ，ｙ，ｚ，ｘ＾II，ｙ
＾IIとして表わすとき、薄膜層Ｂは、Ｂ＝Ｒｘ・Ｓｙ・
Ｔｚ， 薄膜層Ａは、Ａ＝Ｍｘ＾II・Ｎｙ＾II なる一般式を有し、 ｘ，ｙ，ｚ，ｘ＾II，ｙ＾IIは、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００， ５０≦ｘ≦１００， ０≦ｙ＜５０， ０≦ｘ≦２０， ６０≦ｘ＾II≦１００， ０≦ｙ＾II＜４０， であつて、 上記元素群Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｍ，Ｎは、 元素群Ｒが、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏのうちの少くとも
１種以上の元素であり、 元素群Ｓが、上記元素群Ｒ以外の、ＳｃとＹとを含む希
土類元素のうちの少くとも１種以上の元素であり、 元素群Ｔが、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及び上記元素群Ｒ及びＳ
を除く全ての元素のうちの少くとも１種以上の元素であ
り、 元素群Ｍが、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうちの少くとも１種以
上の元素であり、 元素群Ｎが、上記元素群ＲとＭとを除く全元素のうちの
少くとも１種以上の元素であり、 上記薄膜層Ａ及びＢの各膜厚を、それぞれａ（Å）及び
ｂ（Å）とし、各膜厚の関係をａ−ｂ直交座標系におい
て（ａ，ｂ）で表わすとき、両膜厚の関係が、（２，６
）の点から順に（１１，３０），（１６，６０），（３
０，６０），（２６，３０），（１８，６），更に上記
（２，６）の各座標点を結ぶ範囲内とされた垂直磁化膜
を有して成ることを特徴とする人工格子光磁気記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28572587A JP2707560B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 人工格子光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28572587A JP2707560B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 人工格子光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128242A true JPH01128242A (ja) | 1989-05-19 |
| JP2707560B2 JP2707560B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=17695226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28572587A Expired - Fee Related JP2707560B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 人工格子光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2707560B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5682571A (en) * | 1995-07-20 | 1997-10-28 | Eastman Kodak Company | Recyclable camera |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP28572587A patent/JP2707560B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5682571A (en) * | 1995-07-20 | 1997-10-28 | Eastman Kodak Company | Recyclable camera |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2707560B2 (ja) | 1998-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |