JPH011310A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
- Publication number
- JPH011310A JPH011310A JP62-156756A JP15675687A JPH011310A JP H011310 A JPH011310 A JP H011310A JP 15675687 A JP15675687 A JP 15675687A JP H011310 A JPH011310 A JP H011310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupling
- dielectric
- dielectric block
- hole
- dielectric resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a)産業上の利用分野
この発明は、誘電体ブロックの内部に複数の内導体と電
磁界結合用貫通孔を形成して、複数の共振器を一体化し
た誘電体共振器に関する。
磁界結合用貫通孔を形成して、複数の共振器を一体化し
た誘電体共振器に関する。
(b)従来の技術
この種の従来の誘電体共振器について、その外観を第7
図に示す。図においてlは誘電体ブロックであり、この
内部に内導体形成用貫通孔3.3と、この貫通孔3,3
の中間位置に電磁界結合用貫通孔5が形成されている。
図に示す。図においてlは誘電体ブロックであり、この
内部に内導体形成用貫通孔3.3と、この貫通孔3,3
の中間位置に電磁界結合用貫通孔5が形成されている。
貫通孔3.3の内壁には金属膜からなる内導体4が形成
されている。
されている。
誘電体ブロック1の四側面および必要に応じ底面には金
属膜からなる外導体2が形成されていて、必要に応じ内
導体4は底面にて外導体2と短絡されている。
属膜からなる外導体2が形成されていて、必要に応じ内
導体4は底面にて外導体2と短絡されている。
上述の電磁界結合用貫通孔(以下単に結合孔という。)
を有する一体型の誘電体共振器においては、電気結合と
磁気結合の両方が存在し、電気結合と磁気結合は互いに
逆の性質を有し、打ち消し合う方向で作用する。第5図
(A)〜(C)、第6図(A)〜(C)および第8図は
その状態を表す図であり、第5図(A)〜(C)はイー
ブンモードにおける状態、第6図(A)〜(C)はオン
ドモードにおける状態を表し、両図において(A)は2
つの誘電体共振器に流れる電流の方向、(B)は電気力
線の分布、(C)は磁力線の分布を概略的に表している
。また、第8図は結合孔が存在する場合の電気力線の分
布を概略的に表している。図から明らかなようにイーブ
ンモードにおいては磁気結合し、オツドモードにおいて
は電気結合するが、結合孔を有する一体型の誘電体共振
器の場合、結合孔部分の誘電率が低くなるため、オツド
モードにおける電気結合の強さが低下する。
を有する一体型の誘電体共振器においては、電気結合と
磁気結合の両方が存在し、電気結合と磁気結合は互いに
逆の性質を有し、打ち消し合う方向で作用する。第5図
(A)〜(C)、第6図(A)〜(C)および第8図は
その状態を表す図であり、第5図(A)〜(C)はイー
ブンモードにおける状態、第6図(A)〜(C)はオン
ドモードにおける状態を表し、両図において(A)は2
つの誘電体共振器に流れる電流の方向、(B)は電気力
線の分布、(C)は磁力線の分布を概略的に表している
。また、第8図は結合孔が存在する場合の電気力線の分
布を概略的に表している。図から明らかなようにイーブ
ンモードにおいては磁気結合し、オツドモードにおいて
は電気結合するが、結合孔を有する一体型の誘電体共振
器の場合、結合孔部分の誘電率が低くなるため、オツド
モードにおける電気結合の強さが低下する。
一般に、一体型誘電体共振器の結合の強さは(磁気結合
の強さの絶対値)−(電気結合の強さの絶対値)によっ
て表され、結合孔を有する一体型誘電体共振器の場合、
全体として磁気結合によって各共振器間が結合している
。
の強さの絶対値)−(電気結合の強さの絶対値)によっ
て表され、結合孔を有する一体型誘電体共振器の場合、
全体として磁気結合によって各共振器間が結合している
。
(C1発明が解決しようとする問題点
結合孔を有する一体型の誘電体共振器の結合係数は、誘
電体ブロックを構成する誘電体材料の比誘電率と結合孔
の大きさ、誘電体ブロックの幅および共振器間ピッチで
決定される。従って誘電体材料を変えない場合は、誘電
体ブロック成形用の金型によって定まることになるが、
所望の結合係数が得られるまで金型を作り直す必要があ
り、そのための開発期間が必要であった。また、目的に
応じて結合係数を調整するためには、結合孔を削ってそ
の寸法を調整しなければならないが、その作業性は悪く
量産性が低い。
電体ブロックを構成する誘電体材料の比誘電率と結合孔
の大きさ、誘電体ブロックの幅および共振器間ピッチで
決定される。従って誘電体材料を変えない場合は、誘電
体ブロック成形用の金型によって定まることになるが、
所望の結合係数が得られるまで金型を作り直す必要があ
り、そのための開発期間が必要であった。また、目的に
応じて結合係数を調整するためには、結合孔を削ってそ
の寸法を調整しなければならないが、その作業性は悪く
量産性が低い。
この発明の目的は、誘電体ブロック成形用の金型を変更
することなく、共振器間の結合係数を容易に調整できる
ようにした誘電体共振器を提供することにある。
することなく、共振器間の結合係数を容易に調整できる
ようにした誘電体共振器を提供することにある。
(d)問題点を解決するための手段
この発明の誘電体共振器は、誘電体ブロックの内部に、
複数の内導体と、これらの各内導体間に位置する電磁界
結合用貫通孔をそれぞれ形成し、上記誘電体ブロックの
側面に外導体を形成してなる誘電体共振器において、 上記誘電体ブロックの開放端面に、誘電体ブロック側面
の外導体から電磁界結合用貫通孔に近接する方向に導体
膜を延出形成したことを特徴としている。
複数の内導体と、これらの各内導体間に位置する電磁界
結合用貫通孔をそれぞれ形成し、上記誘電体ブロックの
側面に外導体を形成してなる誘電体共振器において、 上記誘電体ブロックの開放端面に、誘電体ブロック側面
の外導体から電磁界結合用貫通孔に近接する方向に導体
膜を延出形成したことを特徴としている。
te1作用
結合孔(電磁界結合用貫通孔)を有する一体型の誘電体
共振器における各共振器間の結合係数を決定する1つの
要素は、第4図に示すように誘電体ブロックの幅寸法A
と結合孔の幅方向の寸法Bとの関係である。即ち、B/
Aが大きくなれば結合係数が大きくなる関係にある。こ
の発明によれば、誘電体ブロックの開放端面に、誘電体
ブロック側面の外導体から結合孔に近接する方向に導体
膜を延出形成したことにより、結合孔付近における誘電
体ブロックの幅寸法Aが等価的に小さくなりB/Aの値
が大きくなり、結合係数が増大する。従って、上記導体
膜の延出量やその形状を調整することによって、結合係
数を容易に調整することができる。
共振器における各共振器間の結合係数を決定する1つの
要素は、第4図に示すように誘電体ブロックの幅寸法A
と結合孔の幅方向の寸法Bとの関係である。即ち、B/
Aが大きくなれば結合係数が大きくなる関係にある。こ
の発明によれば、誘電体ブロックの開放端面に、誘電体
ブロック側面の外導体から結合孔に近接する方向に導体
膜を延出形成したことにより、結合孔付近における誘電
体ブロックの幅寸法Aが等価的に小さくなりB/Aの値
が大きくなり、結合係数が増大する。従って、上記導体
膜の延出量やその形状を調整することによって、結合係
数を容易に調整することができる。
(fl実施例
この発明の実施例である誘電体共振器の外観を第1図に
示す。図において1は誘電体ブロックであり、その内部
に内導体形成用貫通孔3.3と、この貫通孔3.3の間
に電磁界結合用貫通孔5が形成されている。貫通孔3.
3の内壁には金属膜からなる内導体4.4が形成されて
いて、誘電体ブロック1の西側面と底面に金属膜からな
る外導体2が形成されている。内導体4.4は底面にお
いて外導体2と短絡されて、底面に短絡端面が構成され
、上面に開放端面が構成される。開放端面には誘電体ブ
ロックの側面の外導体から電磁界結合用貫通孔5に近接
する方向に導体膜6,6を延出形成している。この導体
膜6は内導体4や外導体2と同様に例えばAgペースト
の塗布および焼き付けによって形成することができる。
示す。図において1は誘電体ブロックであり、その内部
に内導体形成用貫通孔3.3と、この貫通孔3.3の間
に電磁界結合用貫通孔5が形成されている。貫通孔3.
3の内壁には金属膜からなる内導体4.4が形成されて
いて、誘電体ブロック1の西側面と底面に金属膜からな
る外導体2が形成されている。内導体4.4は底面にお
いて外導体2と短絡されて、底面に短絡端面が構成され
、上面に開放端面が構成される。開放端面には誘電体ブ
ロックの側面の外導体から電磁界結合用貫通孔5に近接
する方向に導体膜6,6を延出形成している。この導体
膜6は内導体4や外導体2と同様に例えばAgペースト
の塗布および焼き付けによって形成することができる。
上記誘電体共振器の開放端面におけるオツドモードの電
気力線の分布を第2図に示す。図に示すように導体膜6
の存在により結合孔5と誘電体ブロック側面との距離が
等価的に接近し、第8図に示した従来の誘電体共振器と
比較して明らかなように、2つの共振器間の電気結合の
強さが減少する。このため、一体型の誘電体共振器全体
の結合の強さが、導体膜6のない場合と比較して増大す
る。
気力線の分布を第2図に示す。図に示すように導体膜6
の存在により結合孔5と誘電体ブロック側面との距離が
等価的に接近し、第8図に示した従来の誘電体共振器と
比較して明らかなように、2つの共振器間の電気結合の
強さが減少する。このため、一体型の誘電体共振器全体
の結合の強さが、導体膜6のない場合と比較して増大す
る。
尚、−iに2つの共振器を結合させるためには、イーブ
ンモードとオツドモードにおける特性インピーダンスお
よび電気角のいずれか、または両方を変化させることが
必要であるが、2つの共振器間の誘電体ブロック内に結
合孔を形成することによりイーブンモードの特性インピ
ーダンスが低下し、オツドモードの特性インピーダンス
が増大するとともに、イーブンモードの電気角が増大し
、オツドモードの電気角が減少する。上記実施例で示し
たように誘電体ブロック側面の外導体から結合孔に近接
する方向に導体膜を延出形成したことにより、オツドモ
ードの特性インピーダンスをより増大させ、オツドモー
ドの電気角をより減少させることができる。このため、
結合孔だけ形成した場合と比較して共振器間の結合係数
が増大する。
ンモードとオツドモードにおける特性インピーダンスお
よび電気角のいずれか、または両方を変化させることが
必要であるが、2つの共振器間の誘電体ブロック内に結
合孔を形成することによりイーブンモードの特性インピ
ーダンスが低下し、オツドモードの特性インピーダンス
が増大するとともに、イーブンモードの電気角が増大し
、オツドモードの電気角が減少する。上記実施例で示し
たように誘電体ブロック側面の外導体から結合孔に近接
する方向に導体膜を延出形成したことにより、オツドモ
ードの特性インピーダンスをより増大させ、オツドモー
ドの電気角をより減少させることができる。このため、
結合孔だけ形成した場合と比較して共振器間の結合係数
が増大する。
上記実施例における誘電体共振器は長方形の導体膜を形
成した例であったが、導体膜の形状はこれに限るもので
はなく、例えば第3図(A)〜(D)に示すように種々
の形状とすることができる、また、導体膜は誘電体ブロ
ックの両側面から延出させることに限らず、片側のみか
ら延出形成してもよい。更に、第3図(E)に示すよう
に誘電体ブロックの両側面から延出形成した導体膜を結
合孔5の周囲に一体的に形成してもよい。
成した例であったが、導体膜の形状はこれに限るもので
はなく、例えば第3図(A)〜(D)に示すように種々
の形状とすることができる、また、導体膜は誘電体ブロ
ックの両側面から延出させることに限らず、片側のみか
ら延出形成してもよい。更に、第3図(E)に示すよう
に誘電体ブロックの両側面から延出形成した導体膜を結
合孔5の周囲に一体的に形成してもよい。
(用発明の効果
以上のようにこの発明によれば、誘電体ブロックの開放
端面に誘電体ブロック側面の外導体から電磁界結合用貫
通孔に近接する方向に導体膜を延出形成したことにより
、誘電体共振器間の結合係数を増大させることができ、
上記導体膜の寸法や形状を変えることによって結合係数
を調整することができる。このため、誘電体ブロック形
成用金型を変更することなく、所望の結合係数を得るこ
とができ、開発期間の短縮および量産性を向上させるこ
とができる。
端面に誘電体ブロック側面の外導体から電磁界結合用貫
通孔に近接する方向に導体膜を延出形成したことにより
、誘電体共振器間の結合係数を増大させることができ、
上記導体膜の寸法や形状を変えることによって結合係数
を調整することができる。このため、誘電体ブロック形
成用金型を変更することなく、所望の結合係数を得るこ
とができ、開発期間の短縮および量産性を向上させるこ
とができる。
第1図はこの発明の実施例である誘電体共振器の外観を
表す斜視図、第2図は同誘電体共振器の開放端面におけ
る電気力線の分布を概略的に表す図、第3図(A)〜(
E)は他の実施例に係る導体膜の形状を表す図、第4図
は一般的な誘電体共振器の開放端面を表す図、第5図(
A)〜(C)と第6図(A)〜(C)は−設面な誘電体
共振器のイーブンモードとオツドモードにおける電流の
方向および電気力線と磁力線の分布を表す図、第7図は
従来の誘電体共振器の外観を表す斜視図、第8図は従来
の誘電体共振器の開放端面における電気力線の分布を概
略的に表す図である。 1−誘電体ブロック、2−外導体、 4−内導体、5−電磁界結合用貫通孔(結合孔)、6−
導体膜。 出願人 株式会社 材用製作所
表す斜視図、第2図は同誘電体共振器の開放端面におけ
る電気力線の分布を概略的に表す図、第3図(A)〜(
E)は他の実施例に係る導体膜の形状を表す図、第4図
は一般的な誘電体共振器の開放端面を表す図、第5図(
A)〜(C)と第6図(A)〜(C)は−設面な誘電体
共振器のイーブンモードとオツドモードにおける電流の
方向および電気力線と磁力線の分布を表す図、第7図は
従来の誘電体共振器の外観を表す斜視図、第8図は従来
の誘電体共振器の開放端面における電気力線の分布を概
略的に表す図である。 1−誘電体ブロック、2−外導体、 4−内導体、5−電磁界結合用貫通孔(結合孔)、6−
導体膜。 出願人 株式会社 材用製作所
Claims (1)
- (1)誘電体ブロックの内部に、複数の内導体と、これ
らの各内導体間に位置する電磁界結合用貫通孔をそれぞ
れ形成し、上記誘電体ブロックの側面に外導体を形成し
てなる誘電体共振器において上記誘電体ブロックの開放
端面に、誘電体ブロック側面の外導体から電磁界結合用
貫通孔に近接する方向に導体膜を延出形成したことを特
徴とする誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62156756A JPH0616562B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62156756A JPH0616562B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 誘電体共振器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS641310A JPS641310A (en) | 1989-01-05 |
| JPH011310A true JPH011310A (ja) | 1989-01-05 |
| JPH0616562B2 JPH0616562B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=15634630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62156756A Expired - Fee Related JPH0616562B2 (ja) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616562B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022165A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Olympus Corporation | 観察システム |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03280603A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Anritsu Corp | 電子部品の自動トリミング装置 |
| JPH0521502U (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-19 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体フイルタ |
| US5410285A (en) * | 1993-05-18 | 1995-04-25 | Uniden Corporation | Quasi-TEM mode dielectric filter |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5896401A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 小形高周波フイルタ |
| JPS61179603A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 分布定数形誘電体共振器 |
| JPH0328561Y2 (ja) * | 1986-01-25 | 1991-06-19 |
-
1987
- 1987-06-24 JP JP62156756A patent/JPH0616562B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006022165A1 (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Olympus Corporation | 観察システム |
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