JPH01134916A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01134916A JPH01134916A JP29338587A JP29338587A JPH01134916A JP H01134916 A JPH01134916 A JP H01134916A JP 29338587 A JP29338587 A JP 29338587A JP 29338587 A JP29338587 A JP 29338587A JP H01134916 A JPH01134916 A JP H01134916A
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- JP
- Japan
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- ion implantation
- metal film
- charge
- ion
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に不純物イオ
ンの注入方法に関する。
ンの注入方法に関する。
従来、イオン注入法を用いた半導体装置の製造方法にお
いては、半導体基板のチップ間に設けられるスクライブ
領域上に酸化膜などの絶縁物を下地として残したまま、
その上にイオン注入を選択的に行なうための金属または
フォトレジスト等のマスク膜を覆うように形成し、所定
の領域内にイオン注入する方法が採られている。
いては、半導体基板のチップ間に設けられるスクライブ
領域上に酸化膜などの絶縁物を下地として残したまま、
その上にイオン注入を選択的に行なうための金属または
フォトレジスト等のマスク膜を覆うように形成し、所定
の領域内にイオン注入する方法が採られている。
しかしながら、この従来のイオン注入法を用いた半導体
装置の製造方法では、イオンが注入されるべき領域以外
に打込まれた際、過剰のチャージがどこにも逃げられな
い構造となっており、チャージ・アップの起こりやすい
という欠点がある。
装置の製造方法では、イオンが注入されるべき領域以外
に打込まれた際、過剰のチャージがどこにも逃げられな
い構造となっており、チャージ・アップの起こりやすい
という欠点がある。
従って、ＭＯ３構造の半導体装置では、しばしばゲート
絶縁膜の耐圧劣化や破壊などの好ましがらざる事態が生
じている。
絶縁膜の耐圧劣化や破壊などの好ましがらざる事態が生
じている。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、半導体基板にチ
ャージ・アップを生じることなきイオン注入工程を備え
た半導体装置の製造方法を提供することである。
ャージ・アップを生じることなきイオン注入工程を備え
た半導体装置の製造方法を提供することである。
、〔問題点を解決するための手段〕
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、半導体基板
のスクライブ線領域上の絶縁膜を開孔する工程と、前記
開孔を含むスクライブ線領域上にイオン注入用のマスク
金属膜を被着する工程と、前記イオン注入用のマスク金
属膜を介し基板全面に不純物イオンを注入するイオン注
入工程とを含む。
のスクライブ線領域上の絶縁膜を開孔する工程と、前記
開孔を含むスクライブ線領域上にイオン注入用のマスク
金属膜を被着する工程と、前記イオン注入用のマスク金
属膜を介し基板全面に不純物イオンを注入するイオン注
入工程とを含む。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すイオン注入の部分工程
図である。本実施例によれば、半導体基板１のスクライ
ブ線領域２上の絶縁膜（図示しない）は開穴され、その
上にイオン注入用マスクの金属膜３が形成され、更に、
イオン注入領域４がパターニングされた後、イオン注入
が実施される。この本実施例によれば、イオン注入され
るべき以外の領域に打込まれたイオンによるチャージは
、金属膜３を通して半導体基板１の裏面全体から地気に
流れ去るので、チャージ・アップ発生の問題点は解決さ
れる。
図である。本実施例によれば、半導体基板１のスクライ
ブ線領域２上の絶縁膜（図示しない）は開穴され、その
上にイオン注入用マスクの金属膜３が形成され、更に、
イオン注入領域４がパターニングされた後、イオン注入
が実施される。この本実施例によれば、イオン注入され
るべき以外の領域に打込まれたイオンによるチャージは
、金属膜３を通して半導体基板１の裏面全体から地気に
流れ去るので、チャージ・アップ発生の問題点は解決さ
れる。
第２図および第３図はそれぞれ本発明の他の実施例のイ
オン注入の部分工程を示すウェハ平面図およびその断面
図である。本実施例によれば、イオン注入用マスクの金
属膜３はスクライブ線領域２に沿って部分的に切断され
、半導体基板１の機能部から独立せしめられる。また、
イオン注入すべき機能部上のイオン注入用マスクには、
金属膜の他にフォトレジスト膜５が使用される。本実施
例では、機能部上のマスクはフォＩ・レジストで、絶縁
物であるのに対してスクライブ線領域２上には金属膜３
が存在しイオン注入による過剰なチャージを金属膜３が
優先的に捕獲するので、最も大事な機能部をチャージア
ップから守る効果が大きい。また、機能部のパターンを
フォトレシス１〜で形成できるため微細なパターンを容
易に形成できる利点も併わせ有する。
オン注入の部分工程を示すウェハ平面図およびその断面
図である。本実施例によれば、イオン注入用マスクの金
属膜３はスクライブ線領域２に沿って部分的に切断され
、半導体基板１の機能部から独立せしめられる。また、
イオン注入すべき機能部上のイオン注入用マスクには、
金属膜の他にフォトレジスト膜５が使用される。本実施
例では、機能部上のマスクはフォＩ・レジストで、絶縁
物であるのに対してスクライブ線領域２上には金属膜３
が存在しイオン注入による過剰なチャージを金属膜３が
優先的に捕獲するので、最も大事な機能部をチャージア
ップから守る効果が大きい。また、機能部のパターンを
フォトレシス１〜で形成できるため微細なパターンを容
易に形成できる利点も併わせ有する。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、スクライ
ブ線領域を電気的に導通させ急金属膜によって被覆し、
イオン注入時の過剰なチャージを速かに基板を通して裏
面から流し去ることができるので、チャージアップによ
る半導体素子の特性の劣化または破壊の問題点が解決さ
れる。従って、歩留の向上に顕著なる効果をあげること
ができる。また、機能部の微細なパターンの加工性を犠
牲とせずにチャージアップを防止することもできるので
、今後ますます要求される半導体装置のｉｎｔ Ｊ化に
も充分対応することができ、その製造方法として大きな
効果をあげることが可能である。
ブ線領域を電気的に導通させ急金属膜によって被覆し、
イオン注入時の過剰なチャージを速かに基板を通して裏
面から流し去ることができるので、チャージアップによ
る半導体素子の特性の劣化または破壊の問題点が解決さ
れる。従って、歩留の向上に顕著なる効果をあげること
ができる。また、機能部の微細なパターンの加工性を犠
牲とせずにチャージアップを防止することもできるので
、今後ますます要求される半導体装置のｉｎｔ Ｊ化に
も充分対応することができ、その製造方法として大きな
効果をあげることが可能である。
第１図は本発明の一実施例を示すイオン注入の部分工程
図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の他の実施例
のイオン注入の部分工程を示すウェハ平面図およびその
断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・スクライブ線領域、３・
・・イオン注入マスク用金属膜、４・・・イオン注入領
域、５・：・イオン注入用マスク（フォトレジスト）。
図、第２図および第３図はそれぞれ本発明の他の実施例
のイオン注入の部分工程を示すウェハ平面図およびその
断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・スクライブ線領域、３・
・・イオン注入マスク用金属膜、４・・・イオン注入領
域、５・：・イオン注入用マスク（フォトレジスト）。
Claims (1)
- 半導体基板のスクライブ線領域上の絶縁膜を開孔する
工程と、前記開孔を含むスクライブ線領域上にイオン注
入用のマスク金属膜を被着する工程と、前記イオン注入
用のマスク金属膜を介し基板全面に不純物イオンを注入
するイオン注入工程とを含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29338587A JPH01134916A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29338587A JPH01134916A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134916A true JPH01134916A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17794084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29338587A Pending JPH01134916A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134916A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593268A (en) * | 1978-12-30 | 1980-07-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5775424A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Nec Corp | Ion implantation |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP29338587A patent/JPH01134916A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593268A (en) * | 1978-12-30 | 1980-07-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5775424A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Nec Corp | Ion implantation |
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