JPH0330337A - 微細電極の形成方法 - Google Patents
微細電極の形成方法Info
- Publication number
- JPH0330337A JPH0330337A JP16570089A JP16570089A JPH0330337A JP H0330337 A JPH0330337 A JP H0330337A JP 16570089 A JP16570089 A JP 16570089A JP 16570089 A JP16570089 A JP 16570089A JP H0330337 A JPH0330337 A JP H0330337A
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- JP
- Japan
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- resist
- insulating film
- electrode
- film
- etching
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電気抵抗の小さくなる断面Ｔ字型微細電極の
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、抵抗の小さい微細電極の形成方法として、特開昭
６１−７７３７０号公報［パターン形成方法］に記載の
ものが知られている。前記公報記載の形成方法を第９図
から第１０図に示す。即ち、第９図に示すように、低感
度のポジ型レジスト２１を基板２０上に塗布し、次いで
、高感度のポジ型レジスト２２を前記低感度ポジ型レジ
スト２１上に塗布し、電子線２３により露光する。電子
線２３の照射量を変更することにより、上層レジスト膜
と下層レジスト膜にＴ字型電極の上部寸法と下部寸法に
それぞれ対応するパターンを形成し、次いで、第１０図
に示すように現像することにより断面Ｔ字型の開口が得
られる。そして金属２４を蒸着し、有機洗浄により、前
記レジスト２１．２２及びレジスト２２上の蒸着金属を
除去することによって、第１１図に示すように断面Ｔ字
型の電極２５が形成され、電極の抵抗が下げられるよう
に工夫されている。
６１−７７３７０号公報［パターン形成方法］に記載の
ものが知られている。前記公報記載の形成方法を第９図
から第１０図に示す。即ち、第９図に示すように、低感
度のポジ型レジスト２１を基板２０上に塗布し、次いで
、高感度のポジ型レジスト２２を前記低感度ポジ型レジ
スト２１上に塗布し、電子線２３により露光する。電子
線２３の照射量を変更することにより、上層レジスト膜
と下層レジスト膜にＴ字型電極の上部寸法と下部寸法に
それぞれ対応するパターンを形成し、次いで、第１０図
に示すように現像することにより断面Ｔ字型の開口が得
られる。そして金属２４を蒸着し、有機洗浄により、前
記レジスト２１．２２及びレジスト２２上の蒸着金属を
除去することによって、第１１図に示すように断面Ｔ字
型の電極２５が形成され、電極の抵抗が下げられるよう
に工夫されている。
（発明が解決しようとする課題）
以上述べた形成方法は、下層レジストの露光時にも厚い
レジスト上方から露光を行っている為、入射した電子線
が散乱により拡がり、内部近接効果の為電極長を決める
下層レジスト開口寸法を小さくすることができない。下
層レジスト開口を小さくする為には、入射電子の加速電
圧を高くし、電子の入射領域を小さくする必要がある。
レジスト上方から露光を行っている為、入射した電子線
が散乱により拡がり、内部近接効果の為電極長を決める
下層レジスト開口寸法を小さくすることができない。下
層レジスト開口を小さくする為には、入射電子の加速電
圧を高くし、電子の入射領域を小さくする必要がある。
しかし、こうするとスループットが下がる欠点を有する
。又、電極が形成される領域はレジストで一度覆われる
為、スカム残りによる電極歩留りを低下させる欠点を有
する。
。又、電極が形成される領域はレジストで一度覆われる
為、スカム残りによる電極歩留りを低下させる欠点を有
する。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、歩留り良く断面Ｔ字型の微細電極の形成方法を提供す
ることにある。
、歩留り良く断面Ｔ字型の微細電極の形成方法を提供す
ることにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、基板上に微細電極を形成する方法であって、
前記基板上に絶縁膜を形成し、次いで前記絶縁膜上に第
１のレジストを塗布した後、露光により前記レジストの
所望の残しパターンを形成する工程と、次いで形成され
たレジストをマスクとして前記絶縁膜を除去する工程と
、次いで、残存するレズシトを除去した後、樹脂層を塗
布した後、該樹脂材の表面をエツチングすることにより
、前記絶縁膜の頭出しを行う工程と、次いで、第２のポ
ジ型レジストを残存する第２のレジスト上に塗布し、前
記絶縁膜を含むように、露光して開口を形成する工程と
、次いで、露呈した絶縁膜をエツチングにより除去した
後、これら開口を通して電極金属を真空中で飛着し、第
２のポジ型レジスト及び第２のポジ型レジスト上の不要
金属並びに樹脂材を除去することを特徴としている。
前記基板上に絶縁膜を形成し、次いで前記絶縁膜上に第
１のレジストを塗布した後、露光により前記レジストの
所望の残しパターンを形成する工程と、次いで形成され
たレジストをマスクとして前記絶縁膜を除去する工程と
、次いで、残存するレズシトを除去した後、樹脂層を塗
布した後、該樹脂材の表面をエツチングすることにより
、前記絶縁膜の頭出しを行う工程と、次いで、第２のポ
ジ型レジストを残存する第２のレジスト上に塗布し、前
記絶縁膜を含むように、露光して開口を形成する工程と
、次いで、露呈した絶縁膜をエツチングにより除去した
後、これら開口を通して電極金属を真空中で飛着し、第
２のポジ型レジスト及び第２のポジ型レジスト上の不要
金属並びに樹脂材を除去することを特徴としている。
（作用）
上記方法では、残しパターンのレジストをマスク材とし
て絶縁膜を横方向にもエツチングされるように加工する
ことにより０．１ｐｍより小さい寸法の絶縁膜を形成す
ることが可能である。この絶縁膜を残しパターンとして
形成している為、電極下にレジストのスカム残りが発生
せず歩留りを良くすることが可能である。
て絶縁膜を横方向にもエツチングされるように加工する
ことにより０．１ｐｍより小さい寸法の絶縁膜を形成す
ることが可能である。この絶縁膜を残しパターンとして
形成している為、電極下にレジストのスカム残りが発生
せず歩留りを良くすることが可能である。
（実施例）
以下、第１図から第８図を参照して、本発明の実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明の方法によって形成されるＴ字型微細電極を第１
図（ａ）とそのＡ−Ａ線に沿う断面図（ｂ）に示す。ま
ず、第２図に示すように、基板１０上に絶縁膜（例えば
二酸化ケイ素（Ｓｉ０２））１１を形成し、次いで、前
記絶縁膜１１上に第１のレジスト（例えば、ＣＭＳ−Ｅ
Ｘ（Ｒ）、東洋曹達工業社製）１２を塗布形成する。次
いで、第３図に示すように、電子線３０による露光を行
い、現イ象することにより、所望のレジストパターン１
３を形成する。次いで、第４図に示すように、前記レジ
ストパターンをマスク材１３として露呈した前記絶縁膜
１１をエツチング（例えば、四弗化炭素（ＣＦ４））に
よって除去して、絶縁膜ダミー電極１４を形成する。そ
の後、第５図に示すように残余の前記マスク材１３を酸
素（０２）プラズマによる灰化処理によって除去した後
、樹脂相１５を塗布形成し、次いで、酸素（０２）プラ
ズマによって前記絶縁膜ダミー電極１４の頭が出るまで
樹脂材１５を削る。次いで、第６図に示すように、第２
のレジスト（例えばポリメチルメタアクフレート、ＰＭ
ＭＡ）１６を塗布形成し、前記絶縁膜ダミーゲート１４
を含む領域を電子線３１により露光し、開ロバターンを
形成する。次いで、第７図に示すように、露呈した前記
絶縁膜ダミー電極１４をウェットエツチング（例えば、
バンファードフッ酸）により除去する。次いで、電極金
属（例えばチタンｌアルミニウム（Ｔｉ／Ａｌ））１７
を蒸着する。次いで、有機洗浄及び酸素（０２）プラズ
マによる灰化処理によって、レジスト１６及び樹脂相１
５ならびにレジスト１６上の不要Ｔｉ／Ａｌ電極１７を
除去することによって、第８図に示すような断面Ｔ字型
の微細電極を形成することができる。
図（ａ）とそのＡ−Ａ線に沿う断面図（ｂ）に示す。ま
ず、第２図に示すように、基板１０上に絶縁膜（例えば
二酸化ケイ素（Ｓｉ０２））１１を形成し、次いで、前
記絶縁膜１１上に第１のレジスト（例えば、ＣＭＳ−Ｅ
Ｘ（Ｒ）、東洋曹達工業社製）１２を塗布形成する。次
いで、第３図に示すように、電子線３０による露光を行
い、現イ象することにより、所望のレジストパターン１
３を形成する。次いで、第４図に示すように、前記レジ
ストパターンをマスク材１３として露呈した前記絶縁膜
１１をエツチング（例えば、四弗化炭素（ＣＦ４））に
よって除去して、絶縁膜ダミー電極１４を形成する。そ
の後、第５図に示すように残余の前記マスク材１３を酸
素（０２）プラズマによる灰化処理によって除去した後
、樹脂相１５を塗布形成し、次いで、酸素（０２）プラ
ズマによって前記絶縁膜ダミー電極１４の頭が出るまで
樹脂材１５を削る。次いで、第６図に示すように、第２
のレジスト（例えばポリメチルメタアクフレート、ＰＭ
ＭＡ）１６を塗布形成し、前記絶縁膜ダミーゲート１４
を含む領域を電子線３１により露光し、開ロバターンを
形成する。次いで、第７図に示すように、露呈した前記
絶縁膜ダミー電極１４をウェットエツチング（例えば、
バンファードフッ酸）により除去する。次いで、電極金
属（例えばチタンｌアルミニウム（Ｔｉ／Ａｌ））１７
を蒸着する。次いで、有機洗浄及び酸素（０２）プラズ
マによる灰化処理によって、レジスト１６及び樹脂相１
５ならびにレジスト１６上の不要Ｔｉ／Ａｌ電極１７を
除去することによって、第８図に示すような断面Ｔ字型
の微細電極を形成することができる。
実施例において露光は電子線としたが、イオンビーム、
Ｘ線や紫外線でもよい。又、レジストについても限定さ
れるものではない。絶縁膜についても、窒化ケイ素（Ｓ
ｉＮ）やシリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）であ
ってもよい。また、電極金属の形成は蒸着法に限らずス
パッタ法など他の方法でもよい。
Ｘ線や紫外線でもよい。又、レジストについても限定さ
れるものではない。絶縁膜についても、窒化ケイ素（Ｓ
ｉＮ）やシリコンオキシナイトライド（ＳｉＮＯ）であ
ってもよい。また、電極金属の形成は蒸着法に限らずス
パッタ法など他の方法でもよい。
（発明の効果）
本発明によれば、レジストを用いているので、ノットオ
フにより、断面Ｔ字型の微細電極が形成できる。又、電
極下にレジストのスカム残りが発生せず、歩留りを良く
することができる。さらに、マスク材を用いているので
加工のコントロールを行うことにより絶縁膜の寸法をマ
スク長より小さくすることが可能で機紐電極長を実現す
ることができ、電界効果トランジスターのゲート等に利
用することで、高周波特性の向上が期待できる。
フにより、断面Ｔ字型の微細電極が形成できる。又、電
極下にレジストのスカム残りが発生せず、歩留りを良く
することができる。さらに、マスク材を用いているので
加工のコントロールを行うことにより絶縁膜の寸法をマ
スク長より小さくすることが可能で機紐電極長を実現す
ることができ、電界効果トランジスターのゲート等に利
用することで、高周波特性の向上が期待できる。
第１図は本発明の一実施例により得られる電極の断面図
、第２図から第８図は本発明の一実施例を示す断面工程
図、第９図から第１１図は従来例を示す断面図である。 図において １０・・・基板、１１・・・絶縁膜、１２・・・第１の
レジスト、１３・・・マスク材、１４・・・絶縁膜ダミ
ー電極、１５・・・樹脂材、１６・・・第２のレジスト
、１７・・・電極、３０．３１・・・電子線、２０・・
・基板、２１・・・低感度レジスト、２２・・・高感度
レジスト、２３・・・電子線、２４・・・電極利料、２
５・・・電極、３０．３１・・・電子線
、第２図から第８図は本発明の一実施例を示す断面工程
図、第９図から第１１図は従来例を示す断面図である。 図において １０・・・基板、１１・・・絶縁膜、１２・・・第１の
レジスト、１３・・・マスク材、１４・・・絶縁膜ダミ
ー電極、１５・・・樹脂材、１６・・・第２のレジスト
、１７・・・電極、３０．３１・・・電子線、２０・・
・基板、２１・・・低感度レジスト、２２・・・高感度
レジスト、２３・・・電子線、２４・・・電極利料、２
５・・・電極、３０．３１・・・電子線
Claims (1)
- 基板上に微細電極を形成する方法であって、前記基板
上に絶縁膜を形成し、次いで前記絶縁膜上に第１のレジ
ストを塗布した後、露光により前記レジストの所望の残
しパターンを形成する工程と、次いで形成されたレジス
トをマスクとして前記絶縁膜を除去する工程と、次いで
、残存するレジストを除去した後、樹脂材を塗布した後
、該樹脂材の表面をエッチングすることにより、前記絶
縁膜の頭出しを行う工程と、次いで、第２のポジ型レジ
ストを残存する第２のレジスト上に塗布し、前記絶縁膜
を含むように、露光して開口を形成する工程と、次いで
、露呈した絶縁膜をエッチングにより除去した後、これ
ら開口を通して電極金属を真空中で飛着し、第２のポジ
型レジスト及び第２のポジ型レジスト上の不要金属並び
に樹脂材を除去することを特徴とする微細電極の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16570089A JPH0330337A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 微細電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16570089A JPH0330337A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 微細電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330337A true JPH0330337A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15817391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16570089A Pending JPH0330337A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 微細電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583063A (en) * | 1993-11-30 | 1996-12-10 | Nec Corporation | Method of forming T-shaped, cross-sectional pattern using two layered masks |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16570089A patent/JPH0330337A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583063A (en) * | 1993-11-30 | 1996-12-10 | Nec Corporation | Method of forming T-shaped, cross-sectional pattern using two layered masks |
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