JPH01143316A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH01143316A JPH01143316A JP62302411A JP30241187A JPH01143316A JP H01143316 A JPH01143316 A JP H01143316A JP 62302411 A JP62302411 A JP 62302411A JP 30241187 A JP30241187 A JP 30241187A JP H01143316 A JPH01143316 A JP H01143316A
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- Japan
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- alkyl group
- oxide film
- electrode
- capacitors
- quaternized
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
- H01G9/028—Organic semiconducting electrolytes, e.g. TCNQ
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は改良された有機半導体を固体電解質として用い
る固体電解コンデンサに関するものである。。
る固体電解コンデンサに関するものである。。
従来の技術
近年、電気機器回路のディジタル化にとも々って、そこ
に使用されるコンデンサも高周波領域でのインピーダン
スが低く、小型大容量のものへの要求が高まっている。
に使用されるコンデンサも高周波領域でのインピーダン
スが低く、小型大容量のものへの要求が高まっている。
従来、高周波領域用のコンデンサとしては、プラスチッ
クフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セラミ
ックコンデンサが用いられているが、フィルムコンデン
サおよびマイカコンデンサでは形状が大きくなってしま
うために大容量化がむずかしく、また積層セラミックコ
ンデンサでは、小型大容量になればなるほど、温度特性
が悪くなり、価格が非常に高くなるという欠点がある。
クフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セラミ
ックコンデンサが用いられているが、フィルムコンデン
サおよびマイカコンデンサでは形状が大きくなってしま
うために大容量化がむずかしく、また積層セラミックコ
ンデンサでは、小型大容量になればなるほど、温度特性
が悪くなり、価格が非常に高くなるという欠点がある。
一方、大容量タイプのコンデ3 ヘ一/
ンサとして知られるものに、アルミニウム乾式電解コン
デンサあるいはアルミニウムまたはタンタル固体電解コ
ンデンサなどがある。これらのコンデンサは誘電体とな
る陽極酸化皮膜を非常に薄くできるために大容量が実現
できるのであるが、その反面、酸化皮膜の損傷がおきや
すいだめに、酸化皮膜と陰極の間に損傷を修復するだめ
の電解質を設ける必要がある。アルミニウム乾式電解コ
ンデンサでは、エツチングをほどこした陽、陰極アルミ
ニウム箔を紙のセパレータを介して巻き取り、液状の電
解質をセパレータに含浸して用いている。
デンサあるいはアルミニウムまたはタンタル固体電解コ
ンデンサなどがある。これらのコンデンサは誘電体とな
る陽極酸化皮膜を非常に薄くできるために大容量が実現
できるのであるが、その反面、酸化皮膜の損傷がおきや
すいだめに、酸化皮膜と陰極の間に損傷を修復するだめ
の電解質を設ける必要がある。アルミニウム乾式電解コ
ンデンサでは、エツチングをほどこした陽、陰極アルミ
ニウム箔を紙のセパレータを介して巻き取り、液状の電
解質をセパレータに含浸して用いている。
このだめ、電解質の液漏れ、蒸発等の理由にょシ経時的
に静電容量の減少や損失(taJIδ)の増大が起ると
同時に、電解質のイオン伝導性によシ高周波特性および
低温特性が著しく劣る等の欠点を有している。又、アル
ミニウム、タンタル固体電解コンデンサでは、上記アル
ミニウム乾式電解コンデンサの欠点を改良するために固
体電解質として二酸化マンガンが用いられている。この
固体電解質は硝酸マンガン水溶液に陽極素子を浸漬し、
350℃前後の温度で熱分解して得られている。このコ
ンデンサの場合、電解質が固体のだめ、高温における電
解質の流出、低温域での凝固から生ずる性能の低下など
の欠点が々く、液状電解質を用いたコンデンサに比して
良好な周波数特性および温度特性を示すが、硝酸マンガ
ンの熱分解による酸化皮膜の損傷及び二酸化マンガンの
比抵抗が高いことなどの理由から、高周波領域のインピ
ーダンスあるいは損失は積層セラミックコンデンサある
いはプラスチックフィルムコンデンサと比較して1けた
以上高い値となっている。
に静電容量の減少や損失(taJIδ)の増大が起ると
同時に、電解質のイオン伝導性によシ高周波特性および
低温特性が著しく劣る等の欠点を有している。又、アル
ミニウム、タンタル固体電解コンデンサでは、上記アル
ミニウム乾式電解コンデンサの欠点を改良するために固
体電解質として二酸化マンガンが用いられている。この
固体電解質は硝酸マンガン水溶液に陽極素子を浸漬し、
350℃前後の温度で熱分解して得られている。このコ
ンデンサの場合、電解質が固体のだめ、高温における電
解質の流出、低温域での凝固から生ずる性能の低下など
の欠点が々く、液状電解質を用いたコンデンサに比して
良好な周波数特性および温度特性を示すが、硝酸マンガ
ンの熱分解による酸化皮膜の損傷及び二酸化マンガンの
比抵抗が高いことなどの理由から、高周波領域のインピ
ーダンスあるいは損失は積層セラミックコンデンサある
いはプラスチックフィルムコンデンサと比較して1けた
以上高い値となっている。
前記の問題点を解決するために固体電解質として導電性
が高く、陽化酸化性のすぐれた有機半導体(7,7,8
,8−テトラシアノキノジメタン錯体、以下TONQ錯
体と記す)を用いることが提案されている。この有機半
導体は有機溶媒に溶解したり、加熱による融解などの手
段を用いて酸化皮膜に含浸塗布することが可能であり、
MnC)+を含浸する際に生ずる熱分解による酸化皮膜
の損傷を防ぐことができる。TONQ錯体は導電性が5
ヘ一/ 高く、陽極酸化性のすぐれたもので、高周波特性が良好
で大容量のコンデンサが可能となる。たとえば、丹羽信
−氏により、N−n−プロピルあるいはN−1so−プ
ロピルイソキノリンとTONQからなる有機半導体を固
体電解質として用いる発明が出願されている(特開昭5
8−17609号公報)。
が高く、陽化酸化性のすぐれた有機半導体(7,7,8
,8−テトラシアノキノジメタン錯体、以下TONQ錯
体と記す)を用いることが提案されている。この有機半
導体は有機溶媒に溶解したり、加熱による融解などの手
段を用いて酸化皮膜に含浸塗布することが可能であり、
MnC)+を含浸する際に生ずる熱分解による酸化皮膜
の損傷を防ぐことができる。TONQ錯体は導電性が5
ヘ一/ 高く、陽極酸化性のすぐれたもので、高周波特性が良好
で大容量のコンデンサが可能となる。たとえば、丹羽信
−氏により、N−n−プロピルあるいはN−1so−プ
ロピルイソキノリンとTONQからなる有機半導体を固
体電解質として用いる発明が出願されている(特開昭5
8−17609号公報)。
前記発明によると捲回型アルミニウム電解コンデンサへ
のTONQ塩の含浸がTONQ塩を加熱溶融することに
より行われ、これによfiTONQ塩と酸化皮膜との強
固な結合が達成され、TONQ塩の高電導性の寄与にも
助けられて、周波数特性および温度特性が著しく改良さ
れたアルミニウムコンデンサが製造されるとしている。
のTONQ塩の含浸がTONQ塩を加熱溶融することに
より行われ、これによfiTONQ塩と酸化皮膜との強
固な結合が達成され、TONQ塩の高電導性の寄与にも
助けられて、周波数特性および温度特性が著しく改良さ
れたアルミニウムコンデンサが製造されるとしている。
このようなTONQ塩にもとづく有機半導体を固体電解
質として用いることを、すでに同一出願人になる発明(
特開昭58−17609号公報)に示されているように
、TONQ塩が二酸化マンガンに比して高い電導性と高
い陽極酸化能力(修復作用)を有するため二酸化マンガ
ンを用いた固体電解コンデンサに比して周波数特性と温
度特性共に優れた性能を可6 ・・−・ 能にする。この発明によるとN位をアルキル基で置換し
たインキツリウムをカチオンとしたTONQ塩を酸化皮
膜に加熱溶融することによシ含浸することになっている
。
質として用いることを、すでに同一出願人になる発明(
特開昭58−17609号公報)に示されているように
、TONQ塩が二酸化マンガンに比して高い電導性と高
い陽極酸化能力(修復作用)を有するため二酸化マンガ
ンを用いた固体電解コンデンサに比して周波数特性と温
度特性共に優れた性能を可6 ・・−・ 能にする。この発明によるとN位をアルキル基で置換し
たインキツリウムをカチオンとしたTONQ塩を酸化皮
膜に加熱溶融することによシ含浸することになっている
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらN位をアルキル基で置換したインキツリウ
ムを用いたTONQ塩は、アルキル基の違いによシ、熱
溶融性と熱安定性が異なる。また、電気伝導性や誘電体
皮膜となる酸化皮膜との付着性なども異なるのでコンデ
ンサ特性もアルキル基の違いにより変化する。非常に特
性のすぐれているイソアミノペローブチル基の場合の問
題としては次のようなことがある。
ムを用いたTONQ塩は、アルキル基の違いによシ、熱
溶融性と熱安定性が異なる。また、電気伝導性や誘電体
皮膜となる酸化皮膜との付着性なども異なるのでコンデ
ンサ特性もアルキル基の違いにより変化する。非常に特
性のすぐれているイソアミノペローブチル基の場合の問
題としては次のようなことがある。
■高温放置における信頼性
■容量達成率
■熱分解時の有毒ガス発生
高温放置におけるコンデンサ特性の変化としては、容量
の減少、−δの増大、漏れ電流の増大などがあり、これ
までの実用化コンデンサの多くの品質保証温度は85℃
、あるいは105℃である。
の減少、−δの増大、漏れ電流の増大などがあり、これ
までの実用化コンデンサの多くの品質保証温度は85℃
、あるいは105℃である。
7 へ−。
通常の誘電体皮膜は容量をかせぐために微孔にエツチン
グされている。この微孔に溶液タイプであるとよく浸透
するだめ、容量達成率も100%となるが、これ捷での
TONQ塩であると70〜80%であるものが多い。
グされている。この微孔に溶液タイプであるとよく浸透
するだめ、容量達成率も100%となるが、これ捷での
TONQ塩であると70〜80%であるものが多い。
まだTONQは−ONを有するだめ熱分解温度以上にな
ったりすると有毒なON化合物のガスが発生する。
ったりすると有毒なON化合物のガスが発生する。
本発明は上記問題点を解決するもので、コンデンサの高
温における信頼性と容量の達成率の向上、ならびに熱分
解時の有毒ガスの減少をはかることを目的としたもので
ある。
温における信頼性と容量の達成率の向上、ならびに熱分
解時の有毒ガスの減少をはかることを目的としたもので
ある。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術的な手段
は、表面に陽極皮膜を有する弁金属からなる第1の電極
と、前記第1の電極と対向して設けられた第2の電極と
を有し、前記第1と第2の電極との間に、キノリンまた
はイソキノリンのN位が、アルキル基で4級化された第
1のカチオン、ふっ素化アルキル基によって4級化され
た第2のカチオンと、TONQをアニオンとするイオン
ラジカルコンプレックス塩からなる固体電隔質を設けた
ことを特徴とする固体電解コンデンサである。
は、表面に陽極皮膜を有する弁金属からなる第1の電極
と、前記第1の電極と対向して設けられた第2の電極と
を有し、前記第1と第2の電極との間に、キノリンまた
はイソキノリンのN位が、アルキル基で4級化された第
1のカチオン、ふっ素化アルキル基によって4級化され
た第2のカチオンと、TONQをアニオンとするイオン
ラジカルコンプレックス塩からなる固体電隔質を設けた
ことを特徴とする固体電解コンデンサである。
作用
本発明は熱溶融する固体電解質であるTONQ塩のカチ
オンとして、キノリウムあるいはインキツリウムのN位
をアルキル基とふっ素化アルキル基で4級化されたもの
2種類をカチオンとして用いることにより、表面がエツ
チングされて微孔状態にされた酸化皮膜への含浸性及び
酸化皮膜との接着が改良され、かつ電解質自身の耐熱性
も高められる。またアルキル基をふっ素化することによ
シ、活性のH原子の生成の割合が減るためか、HONを
はじめとするシアンガスの割合が減り、熱分解時の有毒
ガスの減少がはかれる。
オンとして、キノリウムあるいはインキツリウムのN位
をアルキル基とふっ素化アルキル基で4級化されたもの
2種類をカチオンとして用いることにより、表面がエツ
チングされて微孔状態にされた酸化皮膜への含浸性及び
酸化皮膜との接着が改良され、かつ電解質自身の耐熱性
も高められる。またアルキル基をふっ素化することによ
シ、活性のH原子の生成の割合が減るためか、HONを
はじめとするシアンガスの割合が減り、熱分解時の有毒
ガスの減少がはかれる。
HONガスの低減という点ではふっ素化アルキル基のみ
を用いたカチオンが最も望ましいのであるが、コンデン
サの構成部品となっているセパレータとの親和性が悪い
場合があって、製造歩留りが悪くなる。本発明はアルキ
ル基で4級化されだ9 ・−7 カチオンを更に用いることによりこの歩留シの悪化を防
止している。
を用いたカチオンが最も望ましいのであるが、コンデン
サの構成部品となっているセパレータとの親和性が悪い
場合があって、製造歩留りが悪くなる。本発明はアルキ
ル基で4級化されだ9 ・−7 カチオンを更に用いることによりこの歩留シの悪化を防
止している。
また本発明のふっ素化アルキル基としては式
%式%
で示される化合物が適する。
また
式
%式%
で示されるふっ素化アルキルの例としてはCk=(CF
! )a a = O〜19CF
、(CF、CF (CF、)−〕。−c = 1〜6な
どがある。
! )a a = O〜19CF
、(CF、CF (CF、)−〕。−c = 1〜6な
どがある。
アルキル基としては
CH,イCH*)+ 1 =2〜
1910・−7 CH,(CH,CH(CH,))k−k= 1〜6など
がある。
1910・−7 CH,(CH,CH(CH,))k−k= 1〜6など
がある。
実施例
以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
本発明による固体電解コンデンサの基本構成は陽極酸化
(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する弁金属(た
とえば、アルミニウム、タンタル、チタンおよびこれら
の合金)を第1の電極とし、第2の電極(対極)とこの
第1の電極との間にTONQ塩からなる固体電解質を有
するものである。
(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する弁金属(た
とえば、アルミニウム、タンタル、チタンおよびこれら
の合金)を第1の電極とし、第2の電極(対極)とこの
第1の電極との間にTONQ塩からなる固体電解質を有
するものである。
本発明の特徴は、キノリウムあるいはインキツリウムの
N位をアルキル基とふっ素化アルキル基によシ4級化さ
れたものとTONQとのコンプレックス塩を固体電解質
として用いることである。
N位をアルキル基とふっ素化アルキル基によシ4級化さ
れたものとTONQとのコンプレックス塩を固体電解質
として用いることである。
電解質として、N位が、−(CH,)2−C,F、、又
は−(CH,)、、−CH,で4級化された2種のカチ
オン11・・−・ をモル比で1=1の比率で、TCNQとでコンプレック
ス塩をつくった。これを粉砕して微粉末にした後、アル
ミニウム缶ケース(直径10m1高さ11mm)に必要
量を充てんし、260℃のホットプレート上で溶融して
液状にした。捲回型アルミニウム電解コンデンサの巻取
りユニット(定格3μF116V用、定格100μF、
16V用)を浸漬して、十分に含浸をほどこしだ後、空
気中で空冷した。
は−(CH,)、、−CH,で4級化された2種のカチ
オン11・・−・ をモル比で1=1の比率で、TCNQとでコンプレック
ス塩をつくった。これを粉砕して微粉末にした後、アル
ミニウム缶ケース(直径10m1高さ11mm)に必要
量を充てんし、260℃のホットプレート上で溶融して
液状にした。捲回型アルミニウム電解コンデンサの巻取
りユニット(定格3μF116V用、定格100μF、
16V用)を浸漬して、十分に含浸をほどこしだ後、空
気中で空冷した。
含浸はホットプレートに電解質の充てんされたアルミニ
ウム缶ケースを40秒間設置後行った。
ウム缶ケースを40秒間設置後行った。
コンデンサの巻取シュニットのアルミニウム端面はあら
かじめ化成処理をほどこしたものを使用した。最後にア
ルミケース内にユニットを入れ、上部よジェポキシ樹脂
を注入し、熱処理(8〇−100℃、2H)をすること
によシ封口を行った。
かじめ化成処理をほどこしたものを使用した。最後にア
ルミケース内にユニットを入れ、上部よジェポキシ樹脂
を注入し、熱処理(8〇−100℃、2H)をすること
によシ封口を行った。
周波数120 Hz、l KHzにおけるコンデンサの
初期特性と、125℃、1000 H無負荷放置後の容
量変化を測定した結果を第1表に示す。第1表の値は各
容量のコンデンサとも10ケの平均値を示す。
初期特性と、125℃、1000 H無負荷放置後の容
量変化を測定した結果を第1表に示す。第1表の値は各
容量のコンデンサとも10ケの平均値を示す。
第1表 コンデンサ特性(実施例)
容量達成率としては90%程度であった。
比較のためにN位をn−ブチル基で置換したものについ
て測定した結果を第2表に示す。
て測定した結果を第2表に示す。
第2表 コンデンサ特性(比較例)
容量達成率は70%程度であシ、第1表に示す本実施例
がまさっている。
がまさっている。
アルキル基とふっ素化アルキル基の比率をさらに、0.
7 : 1. 0.5 : 1. 0.2 : 1と変
えたもので13ヘー/ も同様な実験を行ったが、特性としては第1表と同等の
結果が得られた。
7 : 1. 0.5 : 1. 0.2 : 1と変
えたもので13ヘー/ も同様な実験を行ったが、特性としては第1表と同等の
結果が得られた。
有毒ガスの発生の比較をコンデンサに過電流を流して熱
分解させてHONガスの発生量で行った。
分解させてHONガスの発生量で行った。
第3表 HONガス発生量
第3表からあきらかなように本実施例の方がHONガス
の発生量が減少していることがわかる。
の発生量が減少していることがわかる。
他のアルキル基とふっ素化アルキル基の組み合わせを種
々変えて、同種の実験を行ったところ、−δの特性は電
導度の違いによシバラツキがあるが、特性の傾向は同様
であった。また、キノリウム塩を用いた場合も同様な特
性を示した。
々変えて、同種の実験を行ったところ、−δの特性は電
導度の違いによシバラツキがあるが、特性の傾向は同様
であった。また、キノリウム塩を用いた場合も同様な特
性を示した。
発明の効果
14へ一/
以上のように本発明は、固体電解質としてN位をアルキ
ル基で4級化したキノリウム又はインキツリウム、N位
をふっ素化アルキル基で4級化したキノリウム又はイソ
キノリウム及びTONQとからつくられるコンプレック
ス塩を用いたもので、コンデンサの高温の信頼性と容量
達成率の向上、かつ熱分解時の有毒ガスの減少がはから
れる利点を有する。
ル基で4級化したキノリウム又はインキツリウム、N位
をふっ素化アルキル基で4級化したキノリウム又はイソ
キノリウム及びTONQとからつくられるコンプレック
ス塩を用いたもので、コンデンサの高温の信頼性と容量
達成率の向上、かつ熱分解時の有毒ガスの減少がはから
れる利点を有する。
Claims (3)
- (1)表面に陽極皮膜を有する弁金属からなる第1の電
極と、前記第1の電極と対向して設けられた第2の電極
とを有し、前記第1と第2の電極との間に、キノリンま
たはイソキノリンのN位がアルキル基により4級化され
たものを第1のカチオン、キノリンまたはイソキノリン
のN位がふっ素化アルキル基により4級化されたものを
第2のカチオンとし、7,7,8,8−テトラシアノキ
ノジメタンをアニオンとするイオンラジカルコンプレッ
クス塩からなる固体電解質を設けたことを特徴とする固
体電解コンデンサ。 - (2)ふっ素化アルキル基が 式−(CH_2)_mCnF_2_n_+_1但し、m
=0〜3n=1〜20 で表わされる特許請求の範囲第1項記載の固体電解コン
デンサ。 - (3)アルキル基がカーボン数で3〜20である特許請
求の範囲第1項記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62302411A JPH01143316A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62302411A JPH01143316A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143316A true JPH01143316A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17908595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62302411A Pending JPH01143316A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143316A (ja) |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62302411A patent/JPH01143316A/ja active Pending
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