JPH02241014A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH02241014A JPH02241014A JP6292389A JP6292389A JPH02241014A JP H02241014 A JPH02241014 A JP H02241014A JP 6292389 A JP6292389 A JP 6292389A JP 6292389 A JP6292389 A JP 6292389A JP H02241014 A JPH02241014 A JP H02241014A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 13
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 7
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical group O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical class N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical class CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 abstract description 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 14
- -1 radical salt Chemical class 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- DJQYBCUFGZTQSR-UHFFFAOYSA-N N,N'-(p-xylylidene)bis(aminoguanidine) Chemical compound NC(=N)NN=CC1=CC=C(C=NNC(N)=N)C=C1 DJQYBCUFGZTQSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、良好な皮膜修復性を有する７、７゜８．８−
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る。
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る。
［従来の技術と問題点］
７．７．８．８−テトラシアノキノジメタン（以下、Ｔ
ＣＮＱと略す）からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリンある
いはイソキノリンをカチオンとし、ＴＣＮＱをアニオン
とするＴ ＣＮ Ｑ１１塩（特開昭５８−１９１４１４
号）を加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質とし
たものが良く知られている。なお、これらＴＣＮＱ錯塩
のカチオンにおいて、そのＮ位は炭素数２〜１８までの
中で選ばれたアルキル基で置換されている。
ＣＮＱと略す）からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリンある
いはイソキノリンをカチオンとし、ＴＣＮＱをアニオン
とするＴ ＣＮ Ｑ１１塩（特開昭５８−１９１４１４
号）を加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質とし
たものが良く知られている。なお、これらＴＣＮＱ錯塩
のカチオンにおいて、そのＮ位は炭素数２〜１８までの
中で選ばれたアルキル基で置換されている。
Ｔ ＣＮ Ｑ錯塩を加熱融解し、冷却固化するという方
法は、エツチングを施されたアルミニウム箔あるいはタ
ンタル焼結体にＴＣＮＱ錯塩を融解状態で含浸すること
ができるので、好ましいものである。しかし、その反面
ＴＣＮＱ錯塩の融解温度が高温度であったり、または融
解時間が長時間であると、有機半導体であるＴＣＮＱ錯
塩が分解し、絶縁体に変質してしまうものである。また
、冷却固化時にＴＣＮＱ錯塩が結晶化し、電極箔の多孔
質部への充分な接触が得られないという欠点を持ってい
る。
法は、エツチングを施されたアルミニウム箔あるいはタ
ンタル焼結体にＴＣＮＱ錯塩を融解状態で含浸すること
ができるので、好ましいものである。しかし、その反面
ＴＣＮＱ錯塩の融解温度が高温度であったり、または融
解時間が長時間であると、有機半導体であるＴＣＮＱ錯
塩が分解し、絶縁体に変質してしまうものである。また
、冷却固化時にＴＣＮＱ錯塩が結晶化し、電極箔の多孔
質部への充分な接触が得られないという欠点を持ってい
る。
［発明の目的］
しかるに、本発明は上述のような欠点を除去し得るもの
で、具体的には比抵抗値が小さい値を有し、熱的にも安
定である新規有機半導体（新規化合物）としてのビス（
アミジノヒドラゾン）誘導体ＴＣＮＱ塩を固体電解質と
したものである。これにより高性能で信頼性の高い固体
電解コンデンサを提供するものである。
で、具体的には比抵抗値が小さい値を有し、熱的にも安
定である新規有機半導体（新規化合物）としてのビス（
アミジノヒドラゾン）誘導体ＴＣＮＱ塩を固体電解質と
したものである。これにより高性能で信頼性の高い固体
電解コンデンサを提供するものである。
［発明の概要］
本発明に係る固体電解コンデンサの基本的な構成は、陽
極酸化（化成）により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属（例えば、アルミニウム、タンタル、チタンおよ
びこれらの合金）を第１の電極とし、第２の電極（対極
）との間に直接あるいはセパレータを介在させてＴＣＮ
Ｑ塩からなる固体電解質を有するものである。ＴＣＮＱ
塩としては上述したようにビス（アミジノヒドラゾン）
誘導体ＴＣＮＱ塩である。ここで、ビス（アミジノヒド
ラゾン）誘導体ＴＣＮＱ塩の構造式を示すと次のように
なる。
極酸化（化成）により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属（例えば、アルミニウム、タンタル、チタンおよ
びこれらの合金）を第１の電極とし、第２の電極（対極
）との間に直接あるいはセパレータを介在させてＴＣＮ
Ｑ塩からなる固体電解質を有するものである。ＴＣＮＱ
塩としては上述したようにビス（アミジノヒドラゾン）
誘導体ＴＣＮＱ塩である。ここで、ビス（アミジノヒド
ラゾン）誘導体ＴＣＮＱ塩の構造式を示すと次のように
なる。
ビス（アミジノヒドラゾン）誘導体ＴＣＮＱ塩の構造式
％式％
ただし、式［１］中、Ｒはジアセチル、ｐ−キノンまた
はテレフタルアルデヒドを示す。
はテレフタルアルデヒドを示す。
式［１１中のＲがジアセチルであるジアセチル−ビス（
アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ塩を式１式％ 式［１］中のＲがｐ−キノンであるｐ−キノン−ビス（
アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ塩を式１式％ 式［１１中のＲがテレフタルアルデヒドであるテレフタ
ルアルデヒド−ビス（アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ塩
を式［４］に示す。
アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ塩を式１式％ 式［１］中のＲがｐ−キノンであるｐ−キノン−ビス（
アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ塩を式１式％ 式［１１中のＲがテレフタルアルデヒドであるテレフタ
ルアルデヒド−ビス（アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ塩
を式［４］に示す。
ＮＨＮＨ［４］
［実施例］
次に、上述の式［２］のジアセチル−ビス（アミジノヒ
ドラゾン）ＴＣＮＱ塩、式［３］のｐ−キノン−ビス（
アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ塩多よび式［４］のテレ
フタルアルデヒド−ビス（アミジノヒドラゾン）ＴＣＮ
Ｑ塩を電解コンデンサに適用した実施例について述べる
。
ドラゾン）ＴＣＮＱ塩、式［３］のｐ−キノン−ビス（
アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ塩多よび式［４］のテレ
フタルアルデヒド−ビス（アミジノヒドラゾン）ＴＣＮ
Ｑ塩を電解コンデンサに適用した実施例について述べる
。
実施例１
ジアセチル−ビス（アミジノヒドラゾン）・第四アンモ
ニウム・ＴＣＮＱ塩の合成について述べる。
ニウム・ＴＣＮＱ塩の合成について述べる。
ジアセチル−ビス（アミジノヒドラゾン）・第四アンモ
ニウム・塩酸塩０．００１５モルに、リチウムＴＣＮＱ
０．００３０モルをメタノールおよび水に溶解したもの
を滴下し、撹拌し反応させる。放置冷却後に、析出した
結晶を濾過する。この結晶を水、メタノールで洗浄した
後に真空乾燥させると、ジアセチル−ビス（アミジノヒ
ドラゾン）・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ塩、融点３４
０℃ｕｐの紫色結晶を収率６３％で得ることができた。
ニウム・塩酸塩０．００１５モルに、リチウムＴＣＮＱ
０．００３０モルをメタノールおよび水に溶解したもの
を滴下し、撹拌し反応させる。放置冷却後に、析出した
結晶を濾過する。この結晶を水、メタノールで洗浄した
後に真空乾燥させると、ジアセチル−ビス（アミジノヒ
ドラゾン）・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ塩、融点３４
０℃ｕｐの紫色結晶を収率６３％で得ることができた。
また、このＴＣＮＱ塩の比抵抗値は１．９０ ［Ω・ｃ
ｍｌであった。
ｍｌであった。
このジアセチル−ビス（アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ
塩をアセトニトリル中に溶解し、飽和溶液とする０次に
、この溶液中にコンデンサ素子を浸漬し、その後５０〜
６０［’Ｃ］で真空乾燥を行い、溶媒のアセトニトリル
を飛散させた。この操作を３回繰返し行なった。コンデ
ンサ素子は電極として表面を約１０倍にエツチングした
アルミニウム箔を用い、さらに表面を化成処理した酸化
皮膜を形成したものである。電解質の含浸後にコロイダ
ルカーボンを塗布し、その後に銀ペーストを塗布し、リ
ード線をハンダ付けし、外装することにより定格１．０
［ｕＦ］の陽極に対して１．１ＥμＦ１．損失２．２
［％］の固体電解コンデンサを得た。
塩をアセトニトリル中に溶解し、飽和溶液とする０次に
、この溶液中にコンデンサ素子を浸漬し、その後５０〜
６０［’Ｃ］で真空乾燥を行い、溶媒のアセトニトリル
を飛散させた。この操作を３回繰返し行なった。コンデ
ンサ素子は電極として表面を約１０倍にエツチングした
アルミニウム箔を用い、さらに表面を化成処理した酸化
皮膜を形成したものである。電解質の含浸後にコロイダ
ルカーボンを塗布し、その後に銀ペーストを塗布し、リ
ード線をハンダ付けし、外装することにより定格１．０
［ｕＦ］の陽極に対して１．１ＥμＦ１．損失２．２
［％］の固体電解コンデンサを得た。
上述のようにして得た本発明に係る固体電解コンデンサ
（定格２５ ［Ｖ］ ・１．０ ［ｕＦ］ ）（Ｄ実施
例と、実施例と同様のコンデンサ素子に熱融解によりＮ
−ｎ−プロとルーキノリンＴＣＮＱ錯塩を含浸して得
た固体電解コンデンサの従来例との寿命特性比較を第１
表に示す、第１表中、静電容量値および損失角の正接は
周波数が１２０［Ｈｚ ］での値である。漏れ電流は、
定格電圧（２５［Ｖ］ ）印加１分後に測定した値であ
る。
（定格２５ ［Ｖ］ ・１．０ ［ｕＦ］ ）（Ｄ実施
例と、実施例と同様のコンデンサ素子に熱融解によりＮ
−ｎ−プロとルーキノリンＴＣＮＱ錯塩を含浸して得
た固体電解コンデンサの従来例との寿命特性比較を第１
表に示す、第１表中、静電容量値および損失角の正接は
周波数が１２０［Ｈｚ ］での値である。漏れ電流は、
定格電圧（２５［Ｖ］ ）印加１分後に測定した値であ
る。
引続き、本発明の他の実施例について述べる。
実施例２
ｐ−キノン−ビス（アミジノヒドラゾン）・第四アンモ
ニウム・ＴＣＮＱ塩の合成について述べる。
ニウム・ＴＣＮＱ塩の合成について述べる。
ｐ−キノン−ビス（アミジノヒドラゾン）・第四アンモ
ニウム・塩酸塩０．００１５モルに、リチウムＴＣＮＱ
０．００３０モルをメタノールおよび水に溶解したもの
を滴下し、攪拌し反応させる。放置冷却後に、析出した
結晶を濾過する。この結晶を水、メタノールで洗浄した
後に真空乾燥させると、ｐ−キノン−ビス（アミジノヒ
ドラゾン）・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ塩、融点３４
０℃ｕｐの黒紫色結晶を収率９２％で得ることができた
。また、このＴＣＮＱ塩の比抵抗値は４．６７ ［Ω・
ｃｍ］であった。
ニウム・塩酸塩０．００１５モルに、リチウムＴＣＮＱ
０．００３０モルをメタノールおよび水に溶解したもの
を滴下し、攪拌し反応させる。放置冷却後に、析出した
結晶を濾過する。この結晶を水、メタノールで洗浄した
後に真空乾燥させると、ｐ−キノン−ビス（アミジノヒ
ドラゾン）・第四アンモニウム・ＴＣＮＱ塩、融点３４
０℃ｕｐの黒紫色結晶を収率９２％で得ることができた
。また、このＴＣＮＱ塩の比抵抗値は４．６７ ［Ω・
ｃｍ］であった。
このｐ−キノン−ビス（アミジノヒドラゾン）ＴＣＮＱ
塩とラクトン系化合物、例えばγ−ブチロラクトンの化
合物４０［ｍｇｌを直径５．０［ｍｍｌのアルミニウム
ケースに充填し、３００［’Ｃ］まで約１０秒で加熱し
、溶解した。その中にアルミニウム箔からなる陽極箔と
陰極箔をセパレータを介して巻回した巻取コンデンサ素
子を浸漬し、浸漬後約１２秒で冷却した。なお、電解質
の含浸に先立ち、コンデンサ素子は３００［’Ｃ］の温
度まで上昇させておいた。これにより、定格１．０［μ
Ｆ］の陽極に対して１．１［μＦ１．横１゜、７〔％〕
の固体電解コンデンサを得た。
塩とラクトン系化合物、例えばγ−ブチロラクトンの化
合物４０［ｍｇｌを直径５．０［ｍｍｌのアルミニウム
ケースに充填し、３００［’Ｃ］まで約１０秒で加熱し
、溶解した。その中にアルミニウム箔からなる陽極箔と
陰極箔をセパレータを介して巻回した巻取コンデンサ素
子を浸漬し、浸漬後約１２秒で冷却した。なお、電解質
の含浸に先立ち、コンデンサ素子は３００［’Ｃ］の温
度まで上昇させておいた。これにより、定格１．０［μ
Ｆ］の陽極に対して１．１［μＦ１．横１゜、７〔％〕
の固体電解コンデンサを得た。
実施例３
テレフタルアルデヒド−ビス（アミジノヒドラ９ン）・
第四アンモニウム・ＴＣＮＱ塩の合成について述べる。
第四アンモニウム・ＴＣＮＱ塩の合成について述べる。
テレフタルアルデヒド−ビス（アミジノヒドラゾン）・
第四アンモニウム・塩酸塩０．００１５モルに、リチウ
ムＴＣＮＱ０．００３０モルをメタノールおよび水に溶
解したものを滴下し、撹拌し反応させる。放置冷却後に
、析出した結晶を濾過する。この結晶を水、メタノール
で洗浄した後に真空乾燥させると、テレフタルアルデヒ
ド−ビス（アミジノヒドラゾン）・第四アンモニウム・
ＴＣＮＱ塩、融点３４０℃ｕｐの青緑色結晶を収率８６
％で得ることができた。また、このＴＣＮＱ塩の比抵抗
値は２．３６ ［Ω−ｃｍｌであった。
第四アンモニウム・塩酸塩０．００１５モルに、リチウ
ムＴＣＮＱ０．００３０モルをメタノールおよび水に溶
解したものを滴下し、撹拌し反応させる。放置冷却後に
、析出した結晶を濾過する。この結晶を水、メタノール
で洗浄した後に真空乾燥させると、テレフタルアルデヒ
ド−ビス（アミジノヒドラゾン）・第四アンモニウム・
ＴＣＮＱ塩、融点３４０℃ｕｐの青緑色結晶を収率８６
％で得ることができた。また、このＴＣＮＱ塩の比抵抗
値は２．３６ ［Ω−ｃｍｌであった。
このテレフタルアルデヒド−ビス（アミジノヒドラゾン
）ＴＣＮＱ塩とラクトン系化合物、例えばγ−ブチロラ
クトンの化合物４０ ［ｍｇ］を直４５．０ ［ｍｍ］
のアルミニウムケースに充填し、３００［’Ｃ］ まで
約１０秒で加熱し、溶解した。その中にアルミニウム箔
からなる陽極箔と陰極箔をセパレータを介して巻回した
巻取コンデンサ素子を浸漬し、浸漬後約１２秒で冷却し
た。なお、電解質の含浸に先立ち、コンデンサ素子は３
００［”Ｃ］の温度まで上昇させておいた。これにより
、定格１．０［μＦ］の陽極に対して１．１［μＦ］、
損失２．２［％１の固体電解コンデンサを得た。
）ＴＣＮＱ塩とラクトン系化合物、例えばγ−ブチロラ
クトンの化合物４０ ［ｍｇ］を直４５．０ ［ｍｍ］
のアルミニウムケースに充填し、３００［’Ｃ］ まで
約１０秒で加熱し、溶解した。その中にアルミニウム箔
からなる陽極箔と陰極箔をセパレータを介して巻回した
巻取コンデンサ素子を浸漬し、浸漬後約１２秒で冷却し
た。なお、電解質の含浸に先立ち、コンデンサ素子は３
００［”Ｃ］の温度まで上昇させておいた。これにより
、定格１．０［μＦ］の陽極に対して１．１［μＦ］、
損失２．２［％１の固体電解コンデンサを得た。
［効果］
以上にて述べた本発明に係るビス（アミジノヒドラゾン
）誘導体ＴＣＮＱ塩は、従来のキノリンＴ ＣＮ Ｑｌ
！塩よりも熱安定性が高く、また比抵抗値も小さい値の
有機半導体を提供できるものである。さらに、このビス
（アミジノヒドラゾン）誘導体ＴＣＮＱ塩を固体電解コ
ンデンサの電解質として用いた場合、第１表から分かる
ように寿命特性が従来例より優れた固体電解コンデンサ
を提供できるものである。
）誘導体ＴＣＮＱ塩は、従来のキノリンＴ ＣＮ Ｑｌ
！塩よりも熱安定性が高く、また比抵抗値も小さい値の
有機半導体を提供できるものである。さらに、このビス
（アミジノヒドラゾン）誘導体ＴＣＮＱ塩を固体電解コ
ンデンサの電解質として用いた場合、第１表から分かる
ように寿命特性が従来例より優れた固体電解コンデンサ
を提供できるものである。
Claims (1)
- （１）電解質として下記の式［１］で表わされるビス（
アミジノヒドラゾン）誘導体・７，７，８，８−テトラ
シアノキノジメタン塩を用いたことを特徴とする固体電
解コンデンサ。 ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ 式［１］中、Ｒはジアセチル、ｐ−キノンまたはテレフ
タルアルデヒドを示す。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6292389A JPH02241014A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6292389A JPH02241014A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241014A true JPH02241014A (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=13214275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6292389A Pending JPH02241014A (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02241014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6865071B2 (en) | 1998-03-03 | 2005-03-08 | Acktar Ltd. | Electrolytic capacitors and method for making them |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP6292389A patent/JPH02241014A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6865071B2 (en) | 1998-03-03 | 2005-03-08 | Acktar Ltd. | Electrolytic capacitors and method for making them |
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